TW201345324A - 低電子溫度微波表面波電漿處理方法及設備 - Google Patents

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Abstract

一種表面波電漿(SWP)源經由如徑向線槽孔天線耦合脈動的微波(MW)能量至處理室中以導致低平均電子能量(Te)。為了避免微波能量在脈動之間當電漿密度低時撞擊基板的表面，如螺旋感應源、平面RF線圈、或其他感應耦合源的ICP源係設置在SWP源及基板之間，以產生對微波能量而言無法穿透的電漿。亦可使ICP源與MW電漿的脈動同步、與MW脈動的向上勻變同相地產生脈動。ICP亦添加電漿之邊緣稠密分布至大致在腔室中心的MW電漿以改善電漿均勻性。

Description

低電子溫度微波表面波電漿處理方法及設備
本發明關於利用微波(MW)電漿之電漿處理，特別是表面波電漿(SWP)，例如利用徑向線槽孔天線所產生者，且尤其關於提供相對低電子溫度及電漿均勻性的方法及裝置。
典型地，在半導體處理期間，如乾式電漿蝕刻處理的電漿蝕刻處理用以沿著在半導體基板上圖案化的精細線路、或在半導體基板上圖案化的貫孔或接點內移除或蝕刻材料。電漿蝕刻處理大致涉及將具有上覆的圖案化保護層的半導體基板(如光阻層)定位至處理室中且經由圖案蝕刻基板的暴露區域。
一旦基板定位在腔室內，該基板藉由在預定的流速下引入可離子化解離氣體混合物至處理室中、同時調節真空泵以達到處理壓力而加以蝕刻。接著，在一部分的氣體物種藉由與富能的電子碰撞而離子化時形成電漿。加熱的電子使氣體混合物中的一些氣體物種解離以產生合適於暴露表面蝕刻化學的反應物物種。一旦電漿形成，基板的任何暴露表面皆由電漿蝕刻。調整該處理以達到最理想的條件(包含期望的反應物之合適的濃度及離子總數)以在基板的暴露區域中更加選擇性地蝕刻不同的所需特徵部(如凹槽、貫孔、接點等)。例如，其中需要蝕刻的基板的暴露區域典型地由如二氧化矽(SiO2)、多晶矽及矽氮化物的材料形成。
習知上，不同技術已在此半導體裝置製造的期間為了激發氣 體成為用於基板處理的電漿而加以實施。尤其，舉例來說，如平行板系統的電容耦合電漿(CCP)處理系統或感應耦合電漿(ICP)處理系統已使用於電漿激發。除其他類型的電漿來源之外，還有包含使用電子迴旋共振(ECR)者的微波(MW)電漿源、表面波電漿(SWP)源、及螺旋電漿源。
SWP來源提供改善的電漿處理效能逐漸成為通常知識，特別對於CCP系統、ICP系統及共振加熱系統上的蝕刻處理而言。此SWP源的改善效能通常包含在相對較低的波茲曼電子溫度(Te)下產生高度離子化。此外，SWP源通常產生在分子解離減少的情況下於電子激發的分子物種中更濃的電漿。然而，SWP源的實際實施仍蒙受包含如電漿穩定性及均勻性、及仍高於較佳者的電子溫度之數個缺點。
根據本發明的原理，提供一種在實質上低於先前技術的SWP源的電子溫度下產生高度離子化的表面波電漿(SWP)源。根據本發明的進一步原理，低電子溫度係與增強的電子均勻性一起提供。
根據本發明的若干實施例提供一種表面波電漿(SWP)源，其中脈動的微波能量經由如徑向線槽孔天線耦合至處理室中，以實施導致低平均電子能量或低Te之非完全(less-than-full)工作循環。在本發明顯示的實施例中，使微波(MW)能量產生脈動至SWP源以產生具有相對低平均電子溫度的電漿。
根據本發明的進一步原理，為了預防如來自SWP的微波能量脈動之間的電漿密度低下時微波能量撞擊晶圓的表面，因此設置可為如螺旋感應來源、平面RF線圈、或其他感應耦合來源之ICP來源形式的次要電漿來源，以在SWP源及晶圓之間產生對微波能量而言無法穿透的次要電漿。
在所顯示之本發明的實施例中，以與該微波電漿的脈動之同步關係使該ICP源產生脈動，以在微波脈動的起始將ICP的持續期間限制在微波能量的向上勻變。
根據本發明的進一步原理，ICP與SWP組合，俾引入環形分佈的能量以添加邊緣稠密分佈的電漿至由SWP產生大致在腔室中心的電漿。所以，提供了改善的電漿均勻性。由ICP及SWP源傳送的相對能量提供所產生的電漿之均勻性控制參數。
又根據本發明的原理，組合的ICP及SWP源提供具有用於電漿處理之寬操作壓力範圍的來源。尤其，ICP從典型的僅SWP源者向下擴展操作壓力範圍。
本發明的這些及其他目的及優點係在下列圖式的詳細說明中闡述，其中：
10‧‧‧電漿處理系統
11‧‧‧腔室壁
12‧‧‧處理室
13‧‧‧處理空間
14‧‧‧基板固持器
15‧‧‧基板
16‧‧‧氣體供給系統
17‧‧‧氣體入口埠
18‧‧‧泵抽系統
19‧‧‧控制系統
20‧‧‧電漿源
22‧‧‧EM波發射器
22a‧‧‧EM波發射器
22b‧‧‧EM波發射器
23‧‧‧同軸饋送件
24‧‧‧功率耦合系統
25‧‧‧微波源
26‧‧‧波導
27‧‧‧阻隔器
28‧‧‧同軸轉換器
40‧‧‧內導體
41‧‧‧絕緣體
42‧‧‧外導體
44‧‧‧慢波板
45‧‧‧第一區
46‧‧‧槽孔天線
47‧‧‧第二區
48‧‧‧槽孔
49‧‧‧槽孔
50‧‧‧共振器板
50a‧‧‧共振器板
50b‧‧‧共振器板
52‧‧‧第一配對表面
53‧‧‧第二配對表面
54‧‧‧密封裝置
56‧‧‧流體通道
57‧‧‧邊緣壁延長部份
58‧‧‧開口
59‧‧‧氣體通道
60‧‧‧電漿表面
60a‧‧‧電漿表面
60b‧‧‧電漿表面
62‧‧‧第一凹陷配置
62a‧‧‧第一凹陷配置
62b‧‧‧第一凹陷配置
64a‧‧‧第二凹陷配置
64b‧‧‧第二凹陷配置
66a‧‧‧平坦表面
70‧‧‧脈動波形
71‧‧‧曲線
72‧‧‧曲線
73‧‧‧間隔
80‧‧‧電漿處理系統
82‧‧‧ICP或螺旋共振器源
83‧‧‧線圈或螺旋共振器天線
84‧‧‧介電窗
85‧‧‧RF能量源
90‧‧‧螺旋共振器源脈動
91‧‧‧曲線
圖1為根據本發明的實施例的電漿處理系統的簡化示意圖；圖2為根據本發明的一實施例的可用於圖1中所示的電漿處理系統之表面波電漿(SWP)源的簡化示意圖；圖3為根據圖2的SWP的實施例之電磁(EM)波發射器的剖面圖。
圖4提供圖3中繪示的EM波發射器的仰視圖。
圖5提供圖3中繪示的EM波發射器的一實施例的仰視圖。
圖6為圖4中繪示的EM波發射器之一部分的剖面示意圖。
圖7為表示施加至圖4的EM波發射器的脈動微波能量波形的一型式、及產生的電漿密度之圖表。
圖8為根據本發明另一實施例的電漿處理系統之類似於圖1的簡化示意圖。
圖9為表示施加至EM波發射器的脈動微波能量波形的一型式、及施加至圖8系統的ICP天線的RF能量、及產生的電漿密度之類似圖7的圖表。
一種微波電漿處理方法及裝置係在不同實施例中揭露。然 而，熟悉相關領域技術者將明白不同實施例可在不具有一或更多具體細節的情況下、或利用替代方法、材料、或構件加以實施。眾所周知的結構、材料、或操作並未詳細地顯示或描述以避免模糊本發明的不同實施例的實施態樣。
同樣地，為了解釋的目的，而敘述具體數字、材料、及配置以提供本發明之透徹理解。然而，本發明可利用替代的具體細節加以實施。更甚者，在圖式中顯示的不同實施例係說明性圖像且並不必然依比例繪製。
遍及本說明書之對於「一實施例」或「實施例」或「若干實施例」或其變化之的參考意指關於本實施例所述的特定特徵、結構、材料、或特性係包含在本發明之至少一實施例中，但並不表示其出現在每個實施例中。因此，遍及本說明書的不同處中如「在一實施例中」或「在實施例中」或「在若干實施例中」一詞的出現並不必然表示本發明之相同的實施例。更甚者，特定特徵、結構、材料、或特性可在一或更多實施例中以任何適合的方法結合。
但是，應理解儘管大致概念的發明本質已加以解釋，但含在說明書內者亦為具有發明本質之特徵。
現參照圖式，其中類似參考號碼指定遍及數個實施例或數個圖的相同或相對應部件，圖1顯示根據本發明的若干實施例之電漿處理系統10。電漿處理系統10可為如乾式電漿蝕刻系統或電漿增強沈積系統。
電漿處理系統10包含具有配置成圍住處理空間13的腔室壁11之處理室12。處理室12中具有配置成在處理空間13中支撐基板15的基板固持器14。在系統10的操作期間，基板15在處理空間13中暴露於電漿或處理化學或兩者。更甚者，處理室12具有耦合至處理室12並配置成使在處理空間13中的電漿充能之電漿源20。系統10的電漿源20為可包含將在以下討論的徑向線槽孔天線之表面波電漿(SWP)源。
如在圖1中所見，電漿處理系統10設置有配置成經由氣體入口埠17傳送處理氣體至處理室12的氣體供給系統16，該氣體入口 埠17耦合至處理室12並配置成引入處理氣體至處理空間13。在顯示的實施例中，系統10可例如配置成在基板15上執行乾式電漿蝕刻處理。在乾式電漿蝕刻期間，來自氣體供給系統16的處理氣體典型地包含惰性氣體且亦可包含蝕刻劑或鈍化劑、或其組合。例如，當電漿蝕刻在晶圓15上的例如矽氧化物(SiOx)或矽氮化物(SixNy)膜的介電膜上執行時，電漿蝕刻氣體組成物大致包含惰性氣體、如C4F8、C5F8、C3F6、C4F6、CF4等的氟碳化物基化學(CxFy)、如CHF3、CH2F2等的碳氫氟化物基化學(CxHyFz)、氧、CO或CO2、或其組合。此外，例如，當蝕刻多晶矽(polysilicon)時，電漿蝕刻氣體組成物大致包含如HBr、Cl2、NF3、或SF6、或其組合的含鹵素氣體、碳氫氟化物基化學、惰性氣體、氧、CO或CO2、或其組合。在電漿增強沈積期間，處理氣體可包含膜形成前驅物、還原氣體、惰性氣體、或其組合。
電漿處理系統10亦包含耦合至處理室12、並配置成排空處理室12且控制處理室12內的壓力之泵抽系統18。非必須地，電漿處理系統10更包含耦合至處理室12、基板固持器14、SWP電漿源20、氣體供給系統16、及泵抽系統18的控制系統及電能供應器19。控制系統19可配置成執行用於在電漿處理室12中之晶圓15上執行蝕刻處理或沈積處理或兩者的處理配方。
仍參照圖1，電漿處理系統10可配置成處理200 mm基板、300 mm基板、或更大尺寸的基板，且如熟悉本技術領域者將理解的，可配置成在不論基板、晶圓或LCDs之尺寸的情況下處理基板、晶圓或LCDs。
處理室12係配置成在處理空間13中幫助電漿的產生，並在處理空間13中鄰近基板15的表面引入處理化學。例如，在蝕刻處理中，處理氣體可包含在解離時易與基板15的表面上之被蝕刻的材料反應的分子成份。例如，一旦電漿在處理空間13中形成，被加熱的電子典型地與處理氣體中的分子碰撞，而造成解離並形成用以執行蝕刻處理的反應性自由基。
圖2為根據本發明的若干實施例之表面波電漿(SWP)源形式 的電漿源20的示意圖。該SWP電漿源20包含電磁(EM)波發射器22，該電磁(EM)波發射器22配置成藉由在EM波發射器22的電漿表面60上產生表面波而以需要的EM波模式耦合EM能量至處理空間13中的電漿。SWP電漿源20包含耦合至EM波發射器22、並配置成提供EM能量至EM波發射器22以形成電漿的功率耦合系統24。
EM波發射器22包含配置成發射微波功率至處理空間13(圖1)中的微波發射器。EM波發射器22係經由同軸饋送件23耦合至功率耦合系統24，微波能量係經由該同軸饋送件23轉移。功率耦合系統24包含如2.45GHz微波功率源的微波源25。藉由微波源25產生的微波能量係經由波導26引導至用以吸收反射回微波源25的微波能量之阻隔器27。之後，微波能量係經由同軸轉換器28轉變成同軸TEM(橫向電磁)模式。調諧器可針對阻抗匹配及改善之功率轉移而使用。微波能量係經由同軸饋送件23耦合至EM波發射器22，其中另一模式改變自同軸饋送件23中的TEM模式發生。EM波從EM波發射器22的電漿表面60發射至圖1的處理空間13中。關於同軸饋送件23及EM波發射器22的設計之額外的細節可見於名為「Plasma processing apparatus for etching,ashing,and film-formation」的美國專利第5,024,716號；其整體內容係併入於此以供參考。
圖3及4分別為圖2的EM波發射器22的一實施例22a的剖面示意圖及仰視圖。EM波發射器22a包含具有內導體40、外導體42、及絕緣體41、及槽孔天線46的同軸饋送件23。如圖3中所示，槽孔天線46具有耦合在內導體40及外導體42之間的複數槽孔48及第二複數槽孔49。該複數槽孔48及49允許EM能量從在槽孔天線46上方的第一區45耦合至在槽孔天線46下方的第二區47。EM波發射器22a可更包含顯示佔據第一區45的慢波板44、及顯示佔據第二區47的共振器板50(顯示為其實施例50a)。共振器板50a具有面對形成於處理空間13中的電漿之電漿表面60a。
槽孔48及49的數目、幾何、尺寸、及分配皆為可幫助形成於處理空間13(見圖1)中的電漿之空間均勻性的因素。因此，槽孔天線 46的設計可用以控制處理空間13中的電漿之空間均勻性。
如在圖3中進一步顯示，EM波發射器22a可具有配置成流入用於EM波發射器22a之溫度控制的溫控流體之流體通道56。儘管未顯示，但EM波發射器22a中可進一步配置有氣體入口埠17(圖1)以經由電漿表面60a引入處理氣體至處理空間13中的電漿。
仍參照圖3，EM波發射器22a可耦合至電漿處理室12的腔室壁11，其中可利用O環或其他密封裝置54在腔室壁11及EM波發射器22a之間提供真空密封。
一般而言，同軸饋送件23的內導體40及外導體42係由金屬或其他導電材料形成，而慢波板44及共振器板50a可由介電材料形成。慢波板44及共振器板50a較佳地但不必然地由相同材料形成。針對製造慢波板44及共振器板50a而選擇的材料係為了相對於對應的自由空間波長減少傳遞電磁(EM)波的波長而加以挑選，並挑選慢波板44及共振器板50a的尺寸以確保形成有效地發射EM能量至處理空間13中的駐波。
慢波板44及共振器板50a可例如由如石英(二氧化矽)的含矽材料、或高介電常數(高k)材料製成。例如，高k材料可具有高於數值4之介電常數。尤其，當電漿處理系統用於蝕刻處理時，石英通常針對與蝕刻處理的相容性而被挑選。
例如，高k材料可包含本質晶矽、氧化鋁陶瓷、鋁氮化物、及藍寶石。此外，可根據特定處理的參數而選擇特定高k材料。例如，當共振器板50a由本質晶矽製成時，電漿頻率在45度C的溫度下可超過2.45GHz。因此，本質晶矽適合低溫處理(即低於45度C)。針對較高溫處理，共振器板50a可由氧化鋁(Al2O3)、或藍寶石製成。
對於如上述SWP源的實際實施而言，電漿均勻性及電漿穩定性可為挑戰。例如，電漿不穩定性可起因於位在當電漿參數變換時可能傾向模式跳躍的共振器板-電漿界面(即電漿表面60a)的駐波。這可藉由如特此明確地併入於此以供參考的在2009年9月8日提出申請之美國專利申請案第12/555,080號中所討論、塑型共振器板50a的電漿表 面60a來加以控制。
例如，如圖3及4中所示，EM波發射器22a製造有形成於圖2的電漿表面60的電漿表面實施例60a中之第一凹陷配置62a、及形成於電漿表面60a中之第二凹陷配置64a。在第一凹陷配置62中的凹陷部可為數種形狀的任何者。共振器板50a上的電漿表面60a可為其內形成第一凹陷配置62a及第二凹陷配置64a之平坦表面66a。替代地，共振器板50a包含任意幾何。其中，電漿表面60a可包含其內形成第一凹陷配置及第二凹陷配置的非平面表面。
圖5及6分別為圖2的EM波發射器22的另一實施例22b的仰視圖及剖面示意圖。EM波發射器包含具有電漿表面60的一實施例60b之共振器板50的一實施例50b。EM波發射器22b更包含具有第一複數槽孔48及非必要的第二複數槽孔49之槽孔天線46。第一複數槽孔48及第二複數槽孔49允許EM能量從在槽孔天線上方的第一區耦合至在槽孔天線下方、其中設置共振器板50b的第二區。
如圖5及6中所示，根據一實施例，EM波發射器22b製造有形成於電漿表面60b中的第一凹陷配置62b及形成於電漿表面60b中的第二凹陷配置64b。
第一凹陷配置62b可包含具有梯形或截頭三角形(frusto-triangular)橫截面的通道。然而，在第一凹陷配置62b中的通道可包含任意幾何，該任意幾何包含如圓柱幾何、圓錐幾何、截頭圓錐幾何、球面幾何、非球面幾何、矩形幾何、角錐幾何、或任何任意形狀。第一凹陷配置62b可包含以第一尺寸(如緯度尺寸(或寬度)、及/或經度尺寸(或深度))為特徵的通道。
第二凹陷配置64b可包含複數凹陷部。第二凹陷配置64b中的每一凹陷部可包含形成於電漿表面60b內獨特的凹陷或小凹坑。例如，在第二凹陷配置64b中的凹陷部可包含圓柱幾何(如所示)、圓錐幾何、截頭圓錐幾何、球面幾何、非球面幾何、矩形幾何、角錐幾何、或任何任意形狀。第二凹陷配置64b可包含以第二尺寸(如緯度尺寸(或寬度)、及/或經度尺寸(或深度))為特徵的凹陷部。第一凹陷配置62b中 的通道的第一尺寸可能與第二凹陷配置64b中的凹陷部的第二尺寸相同。例如，第二尺寸可能小於第一尺寸。
圖3及4的實施例中所述的凹陷配置的任一者中的凹陷部可具有圖5及6中所顯示的剖面形狀之任一者。
此外，如圖5及6中所示，EM波發射器22b可製造有具備第一配對表面52及第二配對表面53的階梯式配對表面。階梯式配對表面可配置成與槽孔天線耦合。EM波發射器22b可包含位在接近共振器板50b的週邊並配置成與處理室壁耦合之邊緣壁延長部份57。再者，EM波發射器22b可包含開口58及氣體通道59。開口58可配置成容納固定裝置，該固定裝置用以經過EM波發射器22b的內導管將氣體管線固定至共振器板50b中的氣體通道59。儘管僅顯示一氣體通道，仍可在共振器板50b中製造額外的氣體通道。此外，儘管氣體通道的形狀為具有圓柱截面的直線，其仍可為具有任意截面的任意形狀(如螺旋形)。圖5及6中所述的這些特徵之任何一或更多者可在圖3及4中所述的實施例中加以實施。
利用圖3至6中所述的實施例中闡述的設計標準，這些實施例及其組合可設計成產生對於延伸自從1mTorr至20Torr、且尤其從2mTorr至1Torr的壓力之處理窗而言穩定、均勻的電漿。功率可為從0.1kW至高達15kW，但尤其從0.5kW至5kW。在基板平面達到的電子溫度可為約1eV。相對較小的凹陷部在相對高的壓力下可較容易地放電，而相對較大的凹陷部在相對低的壓力下可較容易地放電。此外，相對較小的凹陷部可在相對較大的凹陷部飽和時吸收過量功率。在這些配置中，儘管本質EM模式可能鎖定及/或中斷，但仍可使電漿放電穩定。因此，可在EM波發射器附近觀察到穩定的放電、且可在基板平面附近觀察到在上述經確認的處理窗內之均勻的電漿特性。
儘管在提供於圖3至6中的實施例中未顯示，但凹陷配置中的一或更多凹陷部可互相連接。此外，一凹陷配置的一或更多凹陷部可與另一凹陷配置的一或更多凹陷部互相連接。例如，一或更多凹陷部可互相連接或由溝槽或通道連接。
上述系統10的SWP電漿源20(尤其是使用相關於圖3-6描述的EM波發射器22之微波(MW)徑向線槽孔天線電漿源)產生一種擴散電漿，該擴散電漿可在純擴散處理的整個期間在基板處理區域附近具有靜止低溫電漿。在處理電漿中達到低平均電子能量、或低電子溫度(Te)具有減少晶圓損害、及產生更多可進一步緩和電荷損害及電子屏蔽效應之負離子的優點。
根據本發明的若干實施態樣，為了進一步減少晶圓區域中的電子溫度、及增加電漿中的負離子總數，如圖7的圖表中藉由方波脈動70顯示，提供使MW能量產生脈動至徑向線槽孔天線。傳送至電漿之此脈動的MW能量產生由曲線71顯示之類似地波動的電子密度或電漿密度(ne)、及如由曲線72表示之對應的電子溫度(Te)。
更具體地，施加來自EM波發射器22的微波能量造成電子溫度(Te)從如~0.1eV的背景位準上升至如Te(Max)的最大溫度(Te)，Te(Max)將為在持續施加MW能量時將產生的平均電子溫度。在根據脈動波形70施加MW能量的情況下，電子溫度(Te)在~0.1eV的背景溫度及Te(Max)之間切換，導致如圖7中所顯示的平均電子溫度Te(Avg)。
但儘管僅對電漿使MW產生脈動具有在基板附近降低電子溫度及增加負離子總數的優點，其仍具有在充能脈動之後於餘暉期間產生可能變得密度不足的電漿之潛在問題，而連續被充能的MW電漿對來自徑向線槽孔天線EM波發射器22之微波而言將大致為無法穿透。此非穿透性通常預防微波能量直接地撞擊其可能損害晶圓處，即基板15上。但當使電漿產生脈動時，電漿密度在MW脈動消失之後降低，使得在下一脈動開始時，儘管電漿密度為向上勻變，其仍可能為密度不足，然後來自徑向線槽孔天線的MW可穿透至主體電漿中並抵達基板。在脈動頻率下撞擊於晶圓上之強勁EM能量可能在執行實際處理於晶圓上的期間因干擾處理而造成不期望的結果、或可能直接地損害在晶圓上的結構。典型地，當電漿密度(ne)低於108時，電漿對MW能量的非穿透性不足以預防這些不期望的影響。如圖7中所見，這發生於在每一MW脈動的起始之間隔73中。
根據本發明的另一實施態樣，預防相關於上文中的圖7所討論的在MW脈動起始時之密度不足的電漿之不期望的影響係藉由設置圖8中所顯示的電漿處理系統80的特徵來達成。電漿處理系統80包含具有圍住處理空間13的腔室壁11的處理室12，而處理室12含有配置成在處理空間13中支撐基板15的基板固持器14。在電漿源20為可包含如以上相關於圖3-6所述之徑向線槽孔天線的表面波電漿(SWP)源的情況下，電漿處理室12在其頂部亦具有耦合至處理室12的電漿源20以使處理空間13中的電漿充能。
如圖8中所見，電漿處理系統80亦可如相關於圖1所述地設置有氣體供給系統16、氣體入口埠17、泵抽系統18、及控制系統19(未顯示)。
如相關於圖2所述，電漿源20為表面波電漿(SWP)源，該表面波電漿(SWP)源具有配置成藉由在電漿表面60上產生表面波來耦合EM能量至處理空間13中的電漿之電磁(EM)波發射器22。EM波發射器22經由同軸饋送件23(未顯示於圖1中)耦合至功率耦合系統24(圖1)，微波能量係經由該同軸饋送件23轉移。
但為了能於MW功率開啟週期的向上勻變時期之期間在不遭遇電漿密度不足狀況的情況下使MW徑向線槽孔天線電漿來源產生脈動，同時仍達到較低電子溫度電漿及較高負離子總數，本發明的進一步實施態樣使用與SWP電漿源20組合的感應耦合電漿(ICP)或螺旋共振器源82。ICP或螺旋共振源82包含圍繞在腔室壁11的頂部鄰近SWP電漿源20的介電窗84之單迴旋或多迴旋線圈或螺旋共振器天線83。RF能量源85耦合至線圈或螺旋共振天線83。RF能量源85受控制以使鄰近EM波發射器22的ICP或螺旋共振來源充能，該ICP或螺旋共振來源在MW脈動的起始之微波能量的向上勻變期間係足夠地稠密，以在每一MW脈動70的起始之間隔73的期間使得電漿對微波而言無法穿透。
尤其，為了避免MW能量穿透至主體電漿中並通過主體電漿(該主體電漿將在脈動的MW徑向線槽孔天線的每一主動發光的起始 期間抵達基板)，至ICP來源或螺旋共振器源的RF能量如由圖9的圖表中的ICP或螺旋共振器源脈動90所示地與MW脈動70同步脈動。這些ICP或螺旋共振器源脈動90係在與MW脈動70相同的頻率下施加並定相為領先MW脈動。所以，如圖9中由曲線91所示鄰近EM波發射器22的電漿密度(ne)在MW脈動70向上勻變之前上升至大於108。這產生如圖9中由曲線92所示的電子溫度(Te)。亦即，在MW功率開啟週期的向上勻變時期之期間，ICP或螺旋共振器脈動使電漿密度來到使電漿對MW徑向線槽孔天線電漿而言無法穿透的所需密度之上，其接著在每一MW脈動期間阻擋MW波抵達晶圓15的晶圓表面。因此，當開啟MW脈動時，並未遭遇電漿密度不足之情況。以此方式，MW脈動頻率不具關鍵性且可延長餘輝時間(其使電漿能具有非常低的(Te)，藉以在晶圓15產生更高的負離子總數)並提供如先前已說明的相關於低平均電子溫度的所有其他益處。
關於如徑向線槽孔天線電漿或其他SWP的擴散電漿的另一問題為：由於腔室12中將電漿集中在中心之擴散處理的本質而具在晶圓區域傾向出現不均勻電漿密度。在另一方面，ICP或螺旋共振器源82的增加產生傾向於初始地形成為鄰近線圈或螺旋共振器天線83及介電窗84的環形電漿。由於來自線圈或螺旋共振器天線83的感應場在腔室12的邊緣較強且在中央附近弱得多，故邊緣密度可因此藉由ICP/螺旋共振器脈動的功率及工作循環增加並調變。此對MW電漿而言增加產生自結合的來源產生具有增強之均勻性的電漿。因此，ICP或螺旋共振器源針對擴散MW電漿設置可調整式均勻性控制旋鈕以在晶圓表面附近達到均勻的電漿密度。
例如，當圖8中的RF線圈或螺旋共振器天線83係外部地或內部地增加在如MW RLSA或其他SWP源的電漿源的側壁附近時，其可有效地使邊緣中性氣體離子化並增加邊緣電漿密度。同時，邊緣自由基密度及中性解離程度亦可藉由有效解離而增加，該有效解離係由感應線圈或螺旋共振器天線因感應線圈或螺旋共振器天線的電子能量分配函數而誘發。
此外，所增加的RF感應線圈或螺旋共振器天線、及相關於其較佳地為從0.5至5kW的範圍內的功率可將MW SWP擴展至在如低於10mT的極低壓下之電漿處理。這是因為從RLSA及ICP或螺旋共振器器耦合至電漿中的能量偏好不同的壓力區域。RLSA可在相對高壓下更有效地操作但在非常低壓下難以放電。在另一方面，ICP可在極低壓下容易地操作但在高壓下並不容易。電漿處理中需要擴大操作壓力窗以控制如蝕刻輪廓、薄膜沈積速率、及其他效能參數。RLSA及ICP/螺旋共振器電漿的組合將操作壓力窗擴大為例如對僅RLSA或ICP而言無法達成的從0.5mT上達約20Torr。
儘管以上僅已詳述本發明的若干實施例，但本領域技術者將輕易理解在實質上不離開本發明的新穎教示及優點的情況下，在實施例中的可能有許多修改。因此，意使所有此修改包含在本發明的範疇內。
10‧‧‧電漿處理系統
11‧‧‧腔室壁
12‧‧‧處理室
13‧‧‧處理空間
14‧‧‧基板固持器
15‧‧‧基板
16‧‧‧氣體供給系統
17‧‧‧氣體入口埠
18‧‧‧泵抽系統
19‧‧‧控制系統
20‧‧‧電漿源

Claims (20)

  1. 一種在基板的真空處理中維持低電子溫度電漿的方法，包含：在一基板的表面面對一真空處理室中的一處理空間的情況下，將用於處理之該基板支撐於該真空處理室的一末端；從位於相對該基板之該真空處理室的一末端的一表面波發射器耦合微波能量至該真空處理室內的該處理空間中；使該微波能量產生脈動至該表面波發射器，以耦合該微波能量的一脈動波形至該處理空間中；且控制該微波能量的該脈動，以在該處理空間中產生具有在一最大電子溫度或其以下的一電子溫度的一電漿，該微波能量將在缺少脈動的處理空間中產生該最大電子溫度。
  2. 如專利申請範圍第1項的在基板的真空處理中維持低電子溫度電漿的方法，其中：該微波能量係從該表面波發射器的一徑向線槽孔天線或從任何微波表面波耦合機構耦合至該處理空間中。
  3. 如專利申請範圍第1項的在基板的真空處理中維持低電子溫度電漿的方法，更包含：在該表面波發射器的邊緣周圍感應耦合RF能量至該真空處理室中，使得一感應耦合電漿在該脈動微波能量的每一脈動之起始呈現於鄰近該表面波發射器的該處理空間中。
  4. 如專利申請範圍第3項的在基板的真空處理中維持低電子溫度電漿的方法，更包含：與該微波能量的該脈動同步地使該感應耦合RF能量產生脈動，使得該感應耦合電漿在該脈動微波能量的每一脈動之起始呈現於處理空間中。
  5. 一種電漿處理裝置，包含：一真空處理室，該真空處理室中在其一末端具有一基板支撐件； 一表面波發射器，在該真空處理室相對該基板支撐件的一末端；一微波能量源，耦合至該表面波發射器；一感應線圈，在該表面波發射器的邊緣圍繞該真空處理室；一RF產生器，耦合至該感應線圈；及一控制器，編程以控制微波能量及RF能量，俾根據申請專利範圍第4項的方法操作該電漿處理裝置。
  6. 一種電漿處理裝置，包含：一真空處理室，該真空處理室中在其一末端具有一基板支撐件；一表面波發射器，在該真空處理室相對該基板支撐件的一末端；一微波能量源，耦合至該表面波發射器；一感應線圈，在該表面波發射器的邊緣圍繞該真空處理室；一RF產生器，耦合至該感應線圈；及一控制器，編程以控制微波能量及RF能量，俾根據申請專利範圍第3項的方法操作該電漿處理裝置。
  7. 如申請專利範圍第6項的電漿處理裝置，其中該感應線圈為螺旋共振器天線。
  8. 一種電漿處理裝置，包含：一真空處理室，該真空處理室中在其一末端具有一基板支撐件；一表面波發射器，在該真空處理室相對該基板支撐件的一末端；一微波能量源，耦合至該表面波發射器；及一控制器，編程以控制該微波能量，俾根據申請專利範圍第1項的方法操作該電漿處理裝置。
  9. 如專利申請範圍第8項的電漿處理裝置，其中該表面波發射器包含一徑向線槽孔天線。
  10. 如專利申請範圍第6項的電漿處理裝置，其中： 該表面波發射器包含一徑向線槽孔天線。
  11. 如專利申請範圍第5項的電漿處理裝置，其中：該表面波發射器包含一徑向線槽孔天線。
  12. 如專利申請範圍第4項的電漿處理裝置，其中：該微波能量係從該表面波發射器的一徑向線槽孔天線耦合至該處理空間中。
  13. 如專利申請範圍第3項的電漿處理裝置，其中：該微波能量係從該表面波發射器的一徑向線槽孔天線耦合至該處理空間中。
  14. 一種電漿處理裝置，包含：一真空處理室，該真空處理室中在其一末端具有一基板支撐件；一表面波發射器，在該真空處理室相對該基板支撐件的一末端，並具有耦合至其的一微波能量源；及一控制器，耦合至該微波能量源，且編程以使該微波能量源產生脈動，俾在該處理空間中產生具有在一最大電子溫度或其以下的一電子溫度的一電漿，該微波能量將在缺少脈動的該處理空間中產生該最大電子溫度。
  15. 如專利申請範圍第14項的電漿處理裝置，其中：該表面波發射器包含一徑向線槽孔天線。
  16. 如專利申請範圍第14項的電漿處理裝置，更包含：一感應耦合線圈，在該表面波發射器的該邊緣圍繞該真空處理室；及一RF產生器，耦合至該線圈，以利用RF能量使該線圈充能，俾於鄰近該表面波發射器的該處理空間周圍在該脈動微波能量的每一脈動之起始形成一感應耦合電漿。
  17. 如專利申請範圍第16項的電漿處理裝置，其中： 該感應耦合線圈為一螺旋共振器天線，且該感應耦合電漿為一螺旋共振器電漿。
  18. 如專利申請範圍第17項的電漿處理裝置，其中：該控制器係編程以同步於至該表面波發射器之該微波能量的該脈動使該感應耦合RF能量產生脈動至該螺旋共振器天線，使得該螺旋共振器電漿在該脈動微波能量的每一脈動之起始呈現於該處理空間中。
  19. 如專利申請範圍第15項的電漿處理裝置，其中：該控制器係編程以同步於至該表面波發射器之該微波能量的該脈動使該感應耦合RF能量產生脈動至該線圈，使得該感應耦合電漿在該脈動微波能量的每一脈動之起始呈現於該處理空間中。
  20. 如專利申請範圍第14項的電漿處理裝置，其中：該控制器係編程以同步於至該表面波發射器之該微波能量的該脈動使該感應耦合RF能量產生脈動至該線圈，使得該感應耦合電漿在該脈動微波能量的每一脈動之起始呈現於該處理空間中。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110036457A (zh) * 2016-11-15 2019-07-19 利腾股份有限公司 微波化学处理
TWI779004B (zh) * 2017-02-03 2022-10-01 美商應用材料股份有限公司 用於電漿均勻度之徑向及方位控制的系統與方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200511430A (en) * 2003-05-29 2005-03-16 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus and plasma processing method
DE102012103425A1 (de) * 2012-04-19 2013-10-24 Roth & Rau Ag Mikrowellenplasmaerzeugungsvorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb
US9867269B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Starfire Industries, Llc Scalable multi-role surface-wave plasma generator
US9530621B2 (en) * 2014-05-28 2016-12-27 Tokyo Electron Limited Integrated induction coil and microwave antenna as an all-planar source
US10308512B2 (en) 2016-10-06 2019-06-04 Lyten, Inc. Microwave reactor system with gas-solids separation
US9997334B1 (en) 2017-02-09 2018-06-12 Lyten, Inc. Seedless particles with carbon allotropes
US9767992B1 (en) 2017-02-09 2017-09-19 Lyten, Inc. Microwave chemical processing reactor
WO2018169889A1 (en) 2017-03-16 2018-09-20 Lyten, Inc. Carbon and elastomer integration
US10920035B2 (en) 2017-03-16 2021-02-16 Lyten, Inc. Tuning deformation hysteresis in tires using graphene
CN108811290A (zh) * 2017-04-28 2018-11-13 北京北方华创微电子装备有限公司 等离子体产生装置和半导体设备
WO2019126196A1 (en) 2017-12-22 2019-06-27 Lyten, Inc. Structured composite materials
CN112105922A (zh) 2018-01-04 2020-12-18 利腾股份有限公司 谐振气体传感器
WO2019143559A1 (en) 2018-01-16 2019-07-25 Lyten, Inc. Microwave transparent pressure barrier
JP2022508353A (ja) 2018-08-23 2022-01-19 トランスフォーム マテリアルズ エルエルシー 気体を処理するための系および方法
US11633710B2 (en) 2018-08-23 2023-04-25 Transform Materials Llc Systems and methods for processing gases
JP7450485B2 (ja) 2020-07-22 2024-03-15 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波出力装置及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050022839A1 (en) * 1999-10-20 2005-02-03 Savas Stephen E. Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing
US6777037B2 (en) * 2001-02-21 2004-08-17 Hitachi, Ltd. Plasma processing method and apparatus
US7584714B2 (en) 2004-09-30 2009-09-08 Tokyo Electron Limited Method and system for improving coupling between a surface wave plasma source and a plasma space
US7396431B2 (en) * 2004-09-30 2008-07-08 Tokyo Electron Limited Plasma processing system for treating a substrate
US7268084B2 (en) 2004-09-30 2007-09-11 Tokyo Electron Limited Method for treating a substrate
JP5041713B2 (ja) 2006-03-13 2012-10-03 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびエッチング装置、ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体
US7998307B2 (en) 2006-09-12 2011-08-16 Tokyo Electron Limited Electron beam enhanced surface wave plasma source
US7858270B2 (en) 2007-05-21 2010-12-28 Tokyo Electron Limited Method for etching using a multi-layer mask
US7899637B2 (en) 2007-06-13 2011-03-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for creating a gate optimization evaluation library
US7713758B2 (en) 2007-06-13 2010-05-11 Tokyo Electon Limited Method and apparatus for optimizing a gate channel
US7765077B2 (en) 2007-09-21 2010-07-27 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for creating a Spacer-Optimization (S-O) library
US7939450B2 (en) 2007-09-21 2011-05-10 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for spacer-optimization (S-O)
US7998872B2 (en) 2008-02-06 2011-08-16 Tokyo Electron Limited Method for etching a silicon-containing ARC layer to reduce roughness and CD
US7967995B2 (en) 2008-03-31 2011-06-28 Tokyo Electron Limited Multi-layer/multi-input/multi-output (MLMIMO) models and method for using
US7894927B2 (en) 2008-08-06 2011-02-22 Tokyo Electron Limited Using Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output (MLMIMO) models for metal-gate structures
US8019458B2 (en) 2008-08-06 2011-09-13 Tokyo Electron Limited Creating multi-layer/multi-input/multi-output (MLMIMO) models for metal-gate structures
US8252192B2 (en) 2009-03-26 2012-08-28 Tokyo Electron Limited Method of pattern etching a dielectric film while removing a mask layer
US8236700B2 (en) 2009-08-17 2012-08-07 Tokyo Electron Limited Method for patterning an ARC layer using SF6 and a hydrocarbon gas

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110036457A (zh) * 2016-11-15 2019-07-19 利腾股份有限公司 微波化学处理
CN110036457B (zh) * 2016-11-15 2022-04-08 利腾股份有限公司 微波化学处理
CN114700008A (zh) * 2016-11-15 2022-07-05 利腾股份有限公司 微波化学处理
CN114700008B (zh) * 2016-11-15 2024-01-26 利腾股份有限公司 微波化学处理
TWI779004B (zh) * 2017-02-03 2022-10-01 美商應用材料股份有限公司 用於電漿均勻度之徑向及方位控制的系統與方法

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