TW201337248A - 用於晶圓檢驗之擴展缺陷尺寸範圍 - Google Patents

Abstract

本發明提供用於晶圓檢驗之擴展缺陷尺寸範圍的多種實施例。

Description

用於晶圓檢驗之擴展缺陷尺寸範圍

本發明大體上係關於用於晶圓檢驗之擴展缺陷尺寸範圍。

以下描述及實例並非由於包含於本章節中而被認為係先前技術。

晶圓及其他基板之檢驗通常涉及偵測缺陷及判定缺陷尺寸。一些檢驗系統經組態以藉由偵測從晶圓缺陷散射之光來偵測缺陷。通常，可從自晶圓缺陷散射之光量判定缺陷尺寸。例如，光散射通常與缺陷尺寸之六次冪成比例。因此，光散射隨著缺陷尺寸動態地改變。因此，難以利用任一檢驗系統跨實質上較大量測範圍精確地判定缺陷尺寸。但是，因為許多明顯之原因，跨實質上較大量測範圍判定缺陷尺寸將係有利的。

因此，有利的是開發不具有以上描述之一個或多個缺點之用於缺陷尺寸判定之方法及系統。

多種實施例之以下描述絕不應解釋為限制隨附技術方案之標的。

一實施例係關於一種經組態以檢驗一基板之系統。該系統包含經組態以將光引導至晶圓之一照明子系統。該系統亦包含一影像感測器，該影像感測器經組態以偵測從晶圓缺陷散射之光且回應於該散射 光而產生輸出。該影像感測器經組態以不具有一抗輝散特徵，使得當該影像感測器中之一像素達到最大阱容(full well capacity)時，過量電荷在該影像感測器中從該像素流動至一個或多個鄰近像素。此外，該系統包含一電腦子系統，該電腦子系統經組態以使用該輸出偵測該晶圓上之該等缺陷且使用由一像素及該像素之過量電荷所流動至之該像素之任何鄰近像素產生之該輸出判定該晶圓上之該等缺陷之一尺寸。可根據本文描述之(若干)任何實施例進一步組態該系統。

另一實施例係關於一種用於檢驗一晶圓之方法。該方法包含將光引導至該晶圓。該方法亦包含使用一影像感測器偵測從晶圓缺陷散射之光且回應於該散射光而產生輸出。該影像感測器不具有一抗輝散特徵，使得當該影像感測器中之一像素達到最大阱容時，過量電荷在該影像感測器中從該像素流動至一個或多個鄰近像素。此外，該方法包含使用該輸出偵測該晶圓上之缺陷。該方法進一步包含使用由一像素及該像素之過量電荷所流動至之該像素之任何鄰近像素產生之輸出判定該晶圓上之該等缺陷之一尺寸。

一額外實施例係關於一種用於判定一晶圓上之缺陷之一尺寸之電腦實施方法。該方法包含獲取一檢驗系統中所包含之一影像感測器之輸出。藉由將光引導至該晶圓且偵測從晶圓缺陷散射之光產生該輸出。該影像感測器經組態以不具有一抗輝散特徵，使得當該影像感測器中之一像素達到最大阱容時，過量電荷在該影像感測器中從該像素流動至一個或多個鄰近像素。該方法亦包含使用一電腦系統以使用該輸出偵測該晶圓上之該等缺陷且使用由一像素及過量電荷所流動至之該像素之任何鄰近像素產生之輸出判定該晶圓上之該等缺陷之一尺寸。

上文描述之方法之每個實施例之每個步驟可如本文描述般進一步執行。此外，上文描述之方法之每個實施例可包含本文描述之(若 干)任何其他方法之(若干)任何其他步驟。此外，上文描述之方法之每個實施例可由本文描述之任何系統執行。

10‧‧‧光源

12‧‧‧晶圓

14‧‧‧透鏡

16‧‧‧影像感測器

18‧‧‧電腦子系統

20‧‧‧偵測器

22‧‧‧透鏡

A‧‧‧像素

B‧‧‧像素

C‧‧‧像素

D‧‧‧像素

E‧‧‧像素

圖1係繪示經組態以檢驗一晶圓之一系統之一實施例之側視圖之示意圖；圖2係繪示在偵測晶圓上之缺陷期間由具有抗輝散特徵之一影像感測器之像素偵測之電荷之一實例之平面圖的示意圖；圖3係繪示在偵測晶圓上之缺陷期間由不具有抗輝散特徵之一影像感測器之像素偵測之電荷之一實例之平面圖的示意圖；圖4係展示在偵測晶圓上之缺陷期間由一影像感測器之不同像素及該等不同像素之組合偵測之作為由該影像感測器之中心像素收集之散射光之函數之電荷之圖；及圖5係繪示在偵測晶圓上之缺陷期間由不具有抗輝散特徵之一影像感測器之像素偵測之電荷之一實例之平面圖的示意圖。

熟習此項技術者將在獲益於較佳實施例之以下詳細描述及參考隨附圖式之後瞭解本發明之進一步優點。

雖然本發明易於以多種修改及替代形式呈現，但是在圖式中藉由實例展示且在本文中詳細描述若干特定實施例。然而，應瞭解此等圖式及詳細描述不旨在將本發明限制於所揭示的特定形式，而相反，本發明係旨在涵蓋屬於如藉由隨附申請專利範圍所定義之本發明之精神及範疇內之所有修改、等效物及替代。

現在參考圖式，應注意，該等圖並非按比例繪製。特定言之，該等圖之一些元件之比例經極大地放大以強調元件之特性。亦應注意，該等圖並不按相同比例繪製。已使用相同參考數字指示在多於一個圖中展示經類似組態之元件。

通常，本文描述之實施例係關於用於擴展使用影像感測器(例如，電荷耦合裝置(CCD)或CMOS感測器)輝散校準之檢驗系統之缺陷尺寸範圍的方法及系統。以此方式，本文描述之實施例可用於增加使用影像感測器之缺陷檢驗的尺寸範圍。一實施例係關於一種經組態以檢驗晶圓之系統。因而，系統亦可稱為檢驗系統或缺陷檢驗系統。雖然本文進一步描述及展示系統之一組態，但是該系統可包含經修改以包含如本文描述般組態之一個或多個影像感測器之任何市售的檢驗系統或開發中的檢驗系統。此等檢驗系統之實例包含可自加州苗必達(Milpitas)之KLA-Tencor購得的下一代Surfscan工具。雖然本文就晶圓上之缺陷來描述實施例，但是該等實施例可用於擴展包含一個或多個影像感測器(諸如，本文描述之影像感測器)且經組態以判定形成於任何基板上之任何特徵之尺寸之任何系統的尺寸範圍。

系統包含經組態以將光引導至晶圓之一照明子系統。照明子系統可包含一光源，諸如圖1中所示之光源10。光源可包含任何適當之光源，諸如雷射。以此方式，檢驗缺陷之一方法可包含使一雷射光束照射在受檢驗之物件上。如圖1中所示，光源可經組態以將光引導至晶圓12。但是，照明子系統亦可包含經組態以將光從光源10引導至晶圓12之一個或多個光學元件(未展示)，諸如鏡子、偏光器、光束分離器、透鏡及類似物。如圖1中所示，照明子系統可經組態以按一傾斜入射角將光引導至晶圓。但是，照明子系統可經組態以按(若干)任何適當之入射角將光引導至晶圓。

系統亦包含經組態以引導從晶圓缺陷散射之光且回應於散射光而產生輸出之一影像感測器。以此方式，檢驗系統可使用影像感測器以偵測缺陷散射之光。例如，如圖1中所示，從晶圓缺陷散射之光可由透鏡14收集且由透鏡引導至影像感測器16。透鏡可包含任何適當之折射光學元件。但是，透鏡亦可包含一個或多個折射光學元件及/或 一個或多個反射光學元件。系統亦可包含定位於從晶圓缺陷散射之光之路徑中之任何其他適當的光學元件(未展示)，諸如濾光器、偏光元件及類似物。透鏡及/或系統可經組態以按任何適當之角度(極角及方位角)收集從晶圓缺陷散射之光。由影像感測器產生之輸出可包含任何適當之輸出，諸如影像信號或資料。在一實施例中，影像感測器係CCD或CMOS感測器。

影像感測器經組態以不具有抗輝散特徵，使得當影像感測器中之一像素達到最大阱容時，過量電荷在影像感測器中從該像素流動至一個或多個鄰近像素。以此方式，本文描述之實施例不同於使用抗輝散影像感測器之用於缺陷檢驗之其他方法。圖2展示中心像素偵測到缺陷之一抗輝散影像感測器之像素。圖2中所示之數字係由每個像素偵測之計數。圖2展示影像感測器之中心像素偵測一缺陷，而其他像素僅接收雜訊光。

對於12位元影像感測器，例如，一像素可偵測具有0至約4095個計數之範圍之光。因為散射光量與缺陷尺寸之六次冪成比例，所以此對應於實質上有限之缺陷尺寸。對於大於最大範圍之缺陷，藉由抗輝散特徵排出超出最大阱容之過量電荷。對於不具有抗輝散特徵之影像感測器，當像素中之電荷超過最大阱容時，電荷開始填充相鄰像素。

在一實施例中，一個或多個鄰近像素僅包含跨影像感測器之一維的像素。例如，影像感測器可設計成容許電荷易於垂直移位，但是可產生電位障壁以減少流動至水平像素中。因此，過量電荷將優先流動至最近的垂直鄰近者中。在一此實例中，圖3展示當中心像素C偵測一缺陷時，散射光對該像素充電直至其4095個ADC計數之最大阱容且接著過量電荷開始從像素C流動以填充垂直相鄰之像素B及D。當像素B及D亦達到最大阱容時，過量電荷開始從像素C流動至像素A及E(分別透過像素B及D)。因此，圖3展示當僅中心像素接收過量曝光 時之垂直輝散。

以此方式，如圖4中所示，由圖3中所示之中心像素C收集之散射光將增加至任意單位1且接著因像素開始飽和而趨於平衡。此時，由圖3中所示之像素B及D收集之散射光將如圖4中所示般增加至任意單位3且接著因像素已開始飽和而趨於平衡。此時，由圖3中所示之像素A及E收集之散射光將如圖4中所示般增加且在該等像素變為飽和之情況下最終將趨於平衡。此外，如圖4中所示，所有像素(過量電荷從其等流動且流動至其等)之組合(A+B+C+D+E)上之總電荷將隨著電荷在像素之間流動而增加。

在一額外實施例中，該一個或多個鄰近像素包含跨影像感測器之二維的像素。例如，一客製影像感測器可設計成在水平及垂直方向兩者中具有近似相同之電位障壁，使得輝散電荷可如圖5中所示般流動至水平及垂直鄰近者兩者中。在一些實施例中，影像感測器經組態以在二維中具有實質上相等之輝散。例如，圖5中所示之影像感測器係設計成在兩個方向上具有實質上相等之輝散之客製影像感測器之一實例。

在另一實施例中，影像感測器經組態以僅跨影像感測器之總像素之一部分而不具有抗輝散特徵，使得像素之過量電荷僅流動至總像素之部分內之一個或多個鄰近像素且無法流動至總像素之部分外部之一個或多個鄰近像素。例如，影像感測器可僅沿著像素之正方形或矩形區塊之邊界具有抗輝散(相較於其中每個像素係抗輝散之規則抗輝散影像感測器)。以此方式，輝散將限於區塊內(至抗輝散能力之程度)，且可選擇以像素數量為單位之區塊大小作為擴展動態範圍與偵測除了原本可引起相同圖框內之區塊外之輝散之缺陷以外的更多缺陷之能力之間之權衡。例如，2,000×1,000像素影像感測器可劃分為每個區塊具有200×200個像素之50個區塊。僅沿著200×200個像素區塊之邊 界之像素係設計成具有抗輝散特徵，而其他像素並不具有抗輝散特徵。在此實例中，輝散校準將使動態範圍擴展達約200×200倍，而藉由沿著區塊之邊界之各者之抗輝散，輝散將限於每個區塊。

在一實施例中，系統經組態以針對過量電荷從像素至一個或多個鄰近像素之流動上之變動而校準影像感測器。例如，因為輝散並非完美且一些電荷將丟失以及電荷轉換(至電壓)並不完全與像素之全井深度成線性，事實上，ADC計數中直接偵測之總電荷並非如圖4中所示般完全呈線性。因此，可校準非線性以基於ADC計數更精確地知道總電荷。所有輝散像素電荷之校準使缺陷尺寸之量測範圍擴展達輝散像素之數量之倍數(其係至多影像感測器像素數量)。本文進一步描述之電腦子系統可由系統使用以執行上文描述之校準。

系統進一步包含一電腦子系統，該電腦子系統經組態以使用輸出偵測晶圓上之缺陷且使用由一像素及該像素之過量電荷所流動至之該像素之任何鄰近像素產生之輸出判定晶圓上之缺陷尺寸。例如，如圖1中所示，系統可包含經組態以使用影像感測器16之輸出偵測晶圓上之缺陷的電腦子系統18。電腦子系統可採取多種形式，包含個人電腦系統、影像電腦、主機電腦系統、工作站、網路設備、網際網路設備或其他裝置。通常，術語「電腦子系統」可廣泛地定義為涵蓋具有執行來自記憶體媒體之指令之一個或多個處理器之任何裝置。電腦子系統亦可包含此項技術中所知的任何適當之處理器，諸如並行處理器。此外，電腦子系統可包含具有高速處理及軟體之一電腦平台(作為獨立工具或網路工具)。

電腦子系統可經組態以使用輸出及任何適當之缺陷偵測方法及/或演算法偵測晶圓上之缺陷。可基於缺陷所散射之光量量測缺陷尺寸。本文描述之電腦子系統將不同於其他檢驗系統之電腦子系統來判定缺陷尺寸。例如，電腦子系統將基於影像感測器之整個輝散區域之 總電荷判定缺陷尺寸。例如，在一實施例中，電腦子系統經組態以藉由使像素及像素之過量電荷所流動至之任何鄰近像素之電荷相加來判定總電荷及從總電荷判定尺寸而判定缺陷之尺寸。在上文描述的圖3中所示之實例中，雖然像素C飽和於4095個ADC計數(其相對應於缺陷之總散射光之一部分)，但是像素A、B、C、D及E之總電荷(其為14,355)量測總散射光。因此，不同於將僅基於由像素C偵測之4095個ADC計數判定缺陷尺寸之其他電腦子系統，本文描述之電腦子系統將基於像素A、B、C、D及E之總電荷(其為14,355)判定缺陷尺寸。本文描述之電腦子系統亦與其他檢驗系統之電腦子系統不同之處在於，該電腦子系統可經組態以如上文描述般校準輝散。

在一實施例中，系統具有大於電腦子系統使用由確實具有抗輝散特徵之一影像感測器產生之輸出來判定缺陷尺寸之情況下之一缺陷尺寸範圍。例如，如本文所描述，實施例可使用輝散校準以擴展缺陷檢驗之尺寸範圍。此外，可使用在水平及垂直方向兩者上具有實質上相等之輝散之客製影像感測器以使尺寸範圍更明顯地擴展達(例如)10,000倍，其中圓形輝散為113像素直徑。此外，本文描述之實施例亦可用於偵測任何特徵而非僅偵測缺陷之其他應用(其中總光之量測範圍比像素至像素空間解析度更重要)。

在一些實施例中，系統包含一額外偵測器，該額外偵測器經組態以偵測從晶圓缺陷散射之其他光(例如，藉由使用一光束分離器(未展示)從不同於影像感測器之角度或相同於影像感測器之角度來偵測影像感測器偵測之散射光的一小部分)且回應於其他散射光而產生額外輸出。額外偵測器不是不具有抗輝散特徵之影像感測器。電腦子系統經組態以使用額外輸出偵測晶圓上之缺陷且判定多個缺陷是否對應於由像素及像素之過量電荷所流動至之像素之任何鄰近像素產生之輸出。例如，如圖1中所示，系統可包含經組態以偵測從晶圓缺陷散射 之其他光之額外偵測器20。例如，額外偵測器20及影像感測器16經組態以個別地偵測依不同角度自晶圓缺陷散射之光。因此，影像感測器16及額外偵測器20並未偵測相同散射光。額外偵測器可包含不是不具有抗輝散特徵之影像感測器的任何偵測器。例如，額外偵測器可為確實具有抗輝散特徵之CCD、多陽極光電倍增管(PMT)及類似物。

亦如圖1中所示，系統可包含經組態以收集從晶圓缺陷散射之其他光且將其他散射光引導至額外偵測器20之透鏡22。透鏡可包含任何適當之折射光學元件。但是，透鏡亦可包含一個或多個折射光學元件及/或一個或多個反射光學元件。系統亦可包含定位於從晶圓缺陷散射之其他光之路徑中的任何其他適當之光學元件(未展示)，諸如濾光器、偏光元件及類似物。透鏡及/或系統可經組態以收集依任何適當角度(極角及方位角)從晶圓缺陷散射之其他光。由額外偵測器產生之輸出可包含任何適當之輸出，諸如影像信號或資料。電腦子系統可經組態以使用由額外偵測器產生之輸出及任何適當之缺陷偵測方法及/或演算法偵測晶圓上之缺陷。

額外偵測器可用作為具有規則抗輝散之一通道以判定本文描述之影像感測器之輝散像素之區域內的缺陷數量。例如，基於僅來自一輝散影像感測器之資訊，多個缺陷無法在整個單一輝散區域內彼此區別。但是，此對於許多應用係可接受的。但是，系統可具有多個通道(例如，由影像感測器16及額外偵測器20界定)。此外，通道之一者可用於判定整個單一輝散區域內之缺陷數量。電腦子系統可經組態以按任何適當方式執行此等功能。

另一實施例係關於一種用於檢驗一晶圓之方法。方法包含將光引導至晶圓，此可如本文進一步描述般加以執行。方法亦包含使用一影像感測器偵測從晶圓缺陷散射之光且回應於散射光而產生輸出，此可如本文描述般加以執行。影像感測器並不具有抗輝散特徵，使得當 影像感測器中之一像素達到最大阱容時，過量電荷在影像感測器中從該像素流動至一個或多個鄰近像素。影像感測器可如本文描述般進一步組態。此外，方法包含使用輸出偵測晶圓上之缺陷，此可如本文進一步描述般執行。方法進一步包含使用由一像素及該像素之過量電荷所流動至之該像素之任何鄰近像素產生之輸出判定晶圓上之缺陷之尺寸，此可如本文進一步描述般執行。

在一實施例中，方法包含針對過量電荷從該像素至該一個或多個鄰近像素之流動上之變動校準影像感測器，此可如本文進一步描述般執行。在另一實施例中，以具有大於在該方法使用由確實具有抗輝散特徵之一影像感測器產生之輸出來判定缺陷尺寸之情況下之一範圍之方法判定缺陷之尺寸。在一額外實施例中，一個或多個鄰近像素僅包含跨影像感測器之一維的像素。在一進一步實施例中，一個或多個鄰近像素包含跨影像感測器之二維的像素。在另一實施例中，影像感測器在二維中具有實質上相等之輝散。在一些實施例中，影像感測器僅跨影像感測器之總像素之一部分不具有抗輝散特徵，使得像素之過量電荷可僅流動至總像素之該部分內之一個或多個鄰近像素且無法流動至總像素之該部分外部之一個或多個鄰近像素。此等影像感測器實施例可如本文描述般進一步組態。

在一實施例中，判定缺陷尺寸包含將像素及像素之過量電荷所流動至之任何鄰近像素之電荷相加來判定總電荷及從總電荷判定尺寸，此可如本文描述般執行。在另一實施例中，方法包含使用一額外偵測器偵測從晶圓缺陷散射之其他光且回應於其他散射光而產生額外輸出，此可如本文描述般執行。額外偵測器不是不具有抗輝散特徵之影像感測器。額外偵測器可如本文描述般進一步組態。方法亦包含使用額外輸出偵測晶圓上之缺陷且判定多個缺陷是否對應於由該像素及該像素之過量電荷所流動至之該像素之任何鄰近像素產生之輸出，此 可如本文描述般執行。在另一實施例中，影像感測器係CCD或CMOS感測器。

一額外實施例係關於一種用於判定一晶圓上之缺陷之尺寸之電腦實施方法。方法包含獲取一檢驗系統中所包含之一影像感測器之輸出。藉由將光引導至晶圓且偵測從晶圓缺陷散射之光產生輸出，此可如本文描述般執行。獲取輸出可包含使用一檢驗系統以(例如)藉由利用光掃描晶圓及偵測從晶圓缺陷散射之光來獲取輸出。以此方式，獲取輸出可包含執行晶圓之檢驗。檢驗系統可如本文描述般組態。或者，獲取輸出可包含從用於產生輸出之一檢驗系統獲取輸出。例如，方法可包含從檢驗系統儲存輸出之一儲存媒體獲取輸出。儲存媒體可包含檢驗系統之儲存媒體、工廠資料庫或此項技術中所知的任何其他適當之儲存媒體。以此方式，獲取輸出並不包含檢驗晶圓。

影像感測器經組態以不具有抗輝散特徵，使得當影像感測器中之一像素達到最大阱容時，過量電荷在影像感測器中從該像素流動至一個或多個鄰近像素。方法亦包含使用一電腦系統以使用輸出偵測晶圓上之缺陷且使用由一像素及該像素之過量電荷所流動至之該像素之任何鄰近像素產生之輸出判定晶圓上之缺陷之尺寸，此可如本文描述般執行。電腦系統可如本文關於一電腦子系統所描述般進一步組態。

在一實施例中，方法包含使用電腦系統以針對過量電荷從該像素至該一個或多個鄰近像素之流動上之變動校準影像感測器，此可如本文描述般執行。在另一實施例中，使用電腦系統以判定缺陷尺寸包含將像素及像素之過量電荷所流動至之任何鄰近像素之電荷相加來判定總電荷及從總電荷判定尺寸，此可如本文進一步描述般執行。在一額外實施例中，方法包含獲取藉由使用檢驗系統中所包含之一額外偵測器產生之額外輸出以偵測從晶圓散射之其他光且回應於其他散射光而產生額外輸出，此可如本文描述般執行。額外偵測器不是不具有抗 輝散特徵之影像感測器。額外偵測器可如本文描述般進一步組態。方法亦包含使用電腦系統以使用額外輸出偵測晶圓上之缺陷且判定多個缺陷是否對應於由該像素及該像素之過量電荷所流動至之該像素之任何鄰近像素產生之輸出，此可如本文描述般執行。

上文描述之方法之每個實施例可包含本文描述之(若干)任何其他方法之(若干)任何其他步驟。此外，上文描述之方法之每個實施例可由本文描述之任何系統執行。

本文描述之所有方法可包含將方法實施例之一個或多個步驟之結果儲存於一儲存媒體中。結果可包含本文描述之任何結果且可以此項技術中所知的任何方式儲存。儲存媒體可包含此項技術中所知的任何適當之電腦可讀儲存媒體。在已儲存結果之後，結果可在儲存媒體中存取且由本文描述之任何方法或系統實施例使用，經格式化以對使用者顯示，由另一軟體模組、方法或系統等等使用。此外，可「永久地」、「半永久地」、暫時或在一段時間內儲存結果。例如，儲存媒體可為隨機存取記憶體(RAM)，且結果不必無限期地保存於儲存媒體中。

與本文描述之實施例相比，透過使用一抗輝散影像感測器之一抗輝散結構之總排放電荷可經量測且用於判定缺陷尺寸。但是，此一組態將需要額外電路且無法區分相同影像感測器圖框內之多個缺陷。

鑒於此描述，熟習此項技術者可明白本發明之多種態樣之進一步修改及替代實施例。例如，提供用於晶圓檢驗之擴展缺陷尺寸範圍之多種實施例。因此，此描述將僅解釋為繪示性且係為了教示熟習此項技術者執行本發明之一般方式。將理解，本文所示及所描述之本發明之形式將被視為目前較佳之實施例。如熟習此項技術者在獲益於本發明之描述之後將明白般，元件及材料可替代本文所繪示及所描述之元件及材料，可反轉部件及程序且可獨立地利用本發明之某些特徵。 可在不脫離如以下申請專利範圍中所描述之本發明之精神及範疇之情況下對本文描述之元件作出改變。

10‧‧‧光源

12‧‧‧晶圓

14‧‧‧透鏡

16‧‧‧影像感測器

18‧‧‧電腦子系統

20‧‧‧偵測器

22‧‧‧透鏡

Claims (24)

1. 一種經組態以檢驗一晶圓之系統，其包括：一照明子系統，其經組態以將光引導至該晶圓；一影像感測器，其經組態以偵測從晶圓缺陷散射之光且回應於該散射光而產生輸出，其中該影像感測器進一步經組態以不具有一抗輝散特徵，使得當該影像感測器中之一像素達到最大阱容時，過量電荷在該影像感測器中從該像素流動至一個或多個鄰近像素；及一電腦子系統，其經組態以使用該輸出偵測該晶圓上之該等缺陷且使用由一像素及該像素之該過量電荷所流動至之該像素之任何鄰近像素產生之輸出判定該晶圓上之該等缺陷之一尺寸。
2. 如請求項1之系統，其中該系統進一步經組態以針對該過量電荷從該像素至該一個或多個鄰近像素之該流動上之變動校準該影像感測器。
3. 如請求項1之系統，其中該系統具有大於在該電腦子系統使用由確實具有該抗輝散特徵之一影像感測器產生之輸出來判定該等缺陷之該尺寸之情況下之一缺陷尺寸範圍。
4. 如請求項1之系統，其中該一個或多個鄰近像素僅包括跨該影像感測器之一維的像素。
5. 如請求項1之系統，其中該一個或多個鄰近像素包括跨該影像感測器之二維的像素。
6. 如請求項1之系統，其中該影像感測器進一步經組態以在二維中具有實質上相等之輝散。
7. 如請求項1之系統，其中該影像感測器進一步經組態以僅跨該影 像感測器之總像素之一部分不具有該抗輝散特徵，使得該像素之該過量電荷可僅流動至該等總像素之該部分內之該一個或多個鄰近像素且無法流動至該等總像素之該部分外部之該一個或多個鄰近像素。
8. 如請求項1之系統，其中該電腦子系統進一步經組態以藉由將該像素及該像素之該過量電荷所流動至之任何鄰近像素之電荷相加來判定一總電荷且從該總電荷判定該尺寸而判定該等缺陷之該尺寸。
9. 如請求項1之系統，其進一步包括經組態以偵測從該等晶圓缺陷散射之其他光且回應於該其他散射光而產生額外輸出之一額外偵測器，其中該額外偵測器不是不具有一抗輝散特徵之一影像感測器，且其中該電腦子系統進一步經組態以使用該額外輸出偵測該晶圓上之缺陷且判定多個缺陷是否對應於由該像素及該像素之該過量電荷所流動至之該像素之任何鄰近像素產生之輸出。
10. 如請求項1之系統，其中該影像感測器係一電荷耦合裝置或一CMOS感測器。
11. 一種用於檢驗一晶圓之方法，其包括：將光引導至該晶圓；使用一影像感測器偵測從晶圓缺陷散射之光且回應於該散射光而產生輸出，其中該影像感測器不具有一抗輝散特徵，使得當該影像感測器中之一像素達到最大阱容時，過量電荷在該影像感測器中從該像素流動至一個或多個鄰近像素；使用該輸出偵測該晶圓上之缺陷；及使用由一像素及該像素之該過量電荷所流動至之該像素之任何鄰近像素產生之輸出判定該晶圓上之該等缺陷之一尺寸。
12. 如請求項11之方法，其進一步包括針對該過量電荷從該像素至該一個或多個鄰近像素之該流動上之變動校準該影像感測器。
13. 如請求項11之方法，其中以具有大於在該方法使用由確實具有該抗輝散特徵之一影像感測器產生之輸出來判定該等缺陷之該尺寸之情況下之一範圍之該方法判定該等缺陷之該尺寸。
14. 如請求項11之方法，其中該一個或多個鄰近像素僅包括跨該影像感測器之一維的像素。
15. 如請求項11之方法，其中該一個或多個鄰近像素包括跨該影像感測器之二維的像素。
16. 如請求項11之方法，其中該影像感測器在二維中具有實質上相等之輝散。
17. 如請求項11之方法，其中該影像感測器僅跨該影像感測器之總像素之一部分不具有該抗輝散特徵，使得該像素之該過量電荷可僅流動至該等總像素之該部分內之該一個或多個鄰近像素且無法流動至該等總像素之該部分外部之該一個或多個鄰近像素。
18. 如請求項11之方法，其中判定該等缺陷之該尺寸包括將該像素及該像素之該過量電荷所流動至之任何鄰近像素之電荷相加來判定一總電荷及從該總電荷判定該尺寸。
19. 如請求項11之方法，其進一步包括使用一額外偵測器偵測從該等晶圓缺陷散射之其他光且回應於該其他散射光而產生額外輸出，其中該額外偵測器不是不具有一抗輝散特徵之一影像感測器，且進一步包括使用該額外輸出偵測該晶圓上之缺陷且判定多個缺陷是否對應於由該像素及該像素之該過量電荷所流動至之該像素之任何鄰近像素產生之輸出。
20. 如請求項11之方法，其中該影像感測器係一電荷耦合裝置或一CMOS感測器。
21. 一種用於判定一晶圓上之缺陷之一尺寸之電腦實施方法，其包括：獲取一檢驗系統中所包含之一影像感測器之輸出，其中藉由將光引導至該晶圓且偵測從晶圓缺陷散射之光產生該輸出，且其中該影像感測器經組態以不具有一抗輝散特徵，使得當該影像感測器中之一像素達到最大阱容時，過量電荷在該影像感測器中從該像素流動至一個或多個鄰近像素；及使用一電腦系統以使用該輸出偵測該晶圓上之該等缺陷且使用由一像素及該像素之該過量電荷所流動至之該像素之任何鄰近像素產生之輸出判定該晶圓上之該等缺陷之一尺寸。
22. 如請求項21之方法，其進一步包括使用該電腦系統以針對該過量電荷從該像素至該一個或多個鄰近像素之該流動上之變動校準該影像感測器。
23. 如請求項21之方法，其中使用該電腦系統來判定該等缺陷之該尺寸包括將該像素及該像素之該過量電荷所流動至之任何鄰近像素之電荷相加來判定一總電荷及從該總電荷判定該尺寸。
24. 如請求項21之方法，其進一步包括獲取藉由使用該檢驗系統中所包含之一額外偵測器產生之額外輸出以偵測從該等晶圓缺陷散射之其他光且回應於該其他散射光而產生該額外輸出，其中該額外偵測器不是不具有一抗輝散特徵之一影像感測器，且進一步包括使用該電腦系統以使用該額外輸出偵測該晶圓上之該等缺陷且判定多個缺陷是否對應於由該像素及該像素之該過量電荷所流動至之該像素之任何鄰近像素產生之輸出。