TW201324132A - Cmos密碼清除電路 - Google Patents

Abstract

一種CMOS電路，用於清除一南橋晶片內CMOS的密碼，該CMOS電路包括一電源電路及至少一按鍵電路，該電源電路為該南橋晶片提供工作，該按鍵電路連接於該南橋晶片，還與該電源電路相連，該按鍵電路包括一按鍵、一二極體、一電阻及一電子開關，該電子開關設置與一電腦的前板上，當該按鍵按下時，該電子開關導通，輸出低電平的信號至該南橋晶片，以清除該南橋晶片內CMOS的密碼。

Description

CMOS密碼清除電路

本發明涉及一種CMOS密碼清除電路。

通常使用一跳線來清除南橋晶片中CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體）資料。電腦主機板上最常見的是一種鍵帽式跳線，鍵帽式跳線由底座和鍵帽組成。跳線的底座上設置有複數不連通的引腳，相連的兩根引腳之間可透過跳線的鍵帽電性連接以實現特定的連接關係。當電腦的設置出現故障時，用戶需打開電腦的機箱，之後，再將鍵帽從底座上取下並安裝在另外兩個引腳之間以清除南橋晶片中CMOS資料。然，對於剛接觸電腦的用戶來說，其無法判知跳線位於電腦主機板何處，用戶還需拆開、組裝機箱，如此給用戶帶來了極大的不便。

鑒於以上內容，有必要提供一種可方便、快捷地清除CMOS密碼的CMOS密碼清除電路。

一種CMOS密碼清除電路，包括：

一電源電路，用於為該南橋晶片提供工作電壓，計算機工作時由系統電源為南橋晶片供電，電腦系統關機後由電池為南橋晶片供電；以及

一第一按鍵電路，包括一第一二極體、一第一電阻、一第一電子開關以及一第一按鍵，該第一按鍵的一端接地，另一端透過該第一電阻連接於該第一二極體的陰極，還連接於該第一電子開關的第一端，該第一二極體的陽極與該電池的正極相連，該第一電子開關的第二端接地，第三端與該南橋晶片相連，當該第一按鍵按下時，該第一電子開關的第一端為低電平，該第一電子開關的第二端與第三端導通，該第一電子開關的第三端輸出低電平的密碼清除信號至南橋晶片，以清除該南橋晶片內的CMOS密碼。

上述CMOS密碼清除電路透過設置於電腦前板上的第一按鍵來清除南橋晶片內CMOS密碼，避免了直接透過跳線的方式來清理CMOS密碼而帶來的不便。

請參考圖1，本發明CMOS密碼清除電路用於清除一南橋晶片20內的CMOS密碼，該CMOS密碼清除電路的較佳實施方式包括一用於為該南橋晶片20供電的電源電路10、一與該南橋晶片20相連的第一按鍵電路30及一連接於該第一按鍵電路30的第二按鍵電路40。

該電源電路10包括一肖特基二極體D1、兩電容C1及C2、兩電阻R1、R2及一電池100。該肖特基二極體D1的第一陽極A1連接於一電源3V_DUAL，第二陽極A2透過該電阻R1與該電池100的正極相連，陰極B透過該電阻R2連接於該電容C2的一端，該肖特基二極體D1的陰極還與電容C1的一端，該電容C1及C2的另一端均接地。該電池100的負極接地，其正極還引出一電源V_BAT介面。該電阻R2與電容C2的節點處還與該南橋晶片20相連。

當有外部電源接入時，該電源3V_DUAL透過該肖特基二極體D1及電阻R2給該南橋晶片20供電；當外部電源斷開時，該電池100則依次透過該電阻R1、肖特基二極體D1及電阻R2給該南橋晶片20供電。

該第一按鍵電路30包括兩二極體D2及D3、兩電阻R3及R4、一場效應電晶體Q1及一第一按鍵300。本實施方式中，該第一按鍵300為一電腦前板上的重定（Reset）鍵。其他實施方式中，該第一按鍵300可為一單獨設置於電腦前板上的開關。該第一按鍵300的一端接地，另一端透過電阻R3與該二極體D2的陰極相連，還透過電阻R4連接於該二極體D3的陰極，還連接於該場效應電晶體Q1的閘極，該二極體D2的陽極與電源V_BAT相連，該二極體D3的陽極與電源3V_DUAL相連。該場效應電晶體Q1的源極連接於該南橋晶片20相連。該場效應電晶體Q1為一P溝道場效應電晶體。

該第二按鍵電路40包括兩二極體D4及D5、兩電阻R5及R6、一場效應電晶體Q2及一第二按鍵400。本實施方式中，該第二按鍵400為一電腦前板上的電源（Power）鍵。其他實施方式中，該第二按鍵400可為一單獨設置於電腦前板上的開關。該第二按鍵400的一端接地，另一端透過電阻R5與該二極體D4的陰極相連，還透過電阻R6連接於該二極體D5的陰極，還連接於該場效應電晶體Q2的閘極，該二極體D4的陽極與電源V_BAT相連，該二極體D5的陽極與電源3V_DUAL相連。該場效應電晶體Q2的汲極接地，源極連接於該場效應電晶體Q1的汲極。該場效應電晶體Q2為一P溝道場效應電晶體。

根據南橋晶片中CMOS的工作原理可知，當南橋晶片20中的該信號引腳為低電平時，存儲於CMOS內的密碼則會被清除。

當需要清除該南橋晶片20內的CMOS密碼時，用戶需同時按下該第一按鍵300及第二按鍵400，該場效應電晶體Q1及Q2的閘極均為低電平，此時，該場效應電晶體Q2導通，使得該場效應電晶體Q1的汲極也變為低電平，從而使得該場效應電晶體Q1亦導通。該場效應電晶體Q1導通後，輸出低電平信號至南橋晶片20。當該南橋晶片20接收到低電平信號時，存儲於CMOS內的密碼被清除。

當然，在其他實施方式中，可將該第二按鍵電路40直接連接至該南橋晶片20，即只需按下該第二按鍵400就可清除該南橋晶片20中CMOS的密碼。

由上述的描述可知，該場效應電晶體Q1及Q2在電路中均起到電子開關的作用。因此，其他實施方式中，該場效應電晶體Q1及Q2可採用其他類型的電晶體來代替。甚至其他的具有電子開關功能的電子元件均可。比如，使用應PNP型的三極管來代替該場效應電晶體Q1及Q2，該PNP型三極管基極、射極、集極分別相當於該場效應電晶體Q1及Q2的閘極、源極、汲極。當該PNP型三極管的基極為低電平時，其集極與射極則導通。

上述CMOS電路透過按下連接於該南橋晶片20的第二按鍵電路40中的第二按鍵400來方便快捷地清除該南橋晶片20中CMOS的密碼。當然，設置第一及第二按鍵電路30及40亦可達到清除該南橋晶片20中CMOS的密碼目的，此種情況下，用戶需同時按下該第一按鍵300及400，如此避免了可能由於誤操作而導致錯誤的清除該南橋晶片20中CMOS的密碼目的。再者，將電腦前板上原有的復位鍵及電源鍵分別設為該第一按鍵300及第二按鍵400，如此亦可減少該CMOS電路的成本。

綜上所述，本發明確已符合發明專利的要件，爰依法提出專利申請。惟，以上該者僅為本發明的較佳實施方式，本發明的範圍並不以上述實施方式為限，舉凡熟悉本案技藝的人士援依本發明的精神所作的等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

10．．．電源電路

20．．．南橋晶片

30．．．第一按鍵電路

40．．．第二按鍵電路

100．．．電池

3V_DUAL、V_BAT．．．電源

D1．．．肖特基二極體

D2-D5．．．二極體

C1、C2．．．電容

R1-R6．．．電阻

Q1、Q2．．．場效應電晶體

300．．．第一按鍵

400．．．第二按鍵

圖1是本發明CMOS密碼清除電路的較佳實施方式的電路圖。

10．．．電源電路

20．．．南橋晶片

30．．．第一按鍵電路

40．．．第二按鍵電路

100．．．電池

3V_DUAL、V_BAT．．．電源

D1．．．肖特基二極體

D2-D5．．．二極體

C1、C2．．．電容

R1-R6．．．電阻

Q1、Q2．．．場效應電晶體

300．．．第一按鍵

400．．．第二按鍵

Claims (9)

1. 一種CMOS密碼清除電路，包括：
   一電源電路，用於為該南橋晶片提供工作電壓，計算機工作時由系統電源為南橋晶片供電，電腦系統關機後由電池為南橋晶片供電；以及
   一第一按鍵電路，包括一第一二極體、一第一電阻、一第一電子開關以及一第一按鍵，該第一按鍵的一端接地，另一端透過該第一電阻連接於該第一二極體的陰極，還連接於該第一電子開關的第一端，該第一二極體的陽極與該電池的正極相連，該第一電子開關的第二端接地，第三端與該南橋晶片相連，當該第一按鍵按下時，該第一電子開關的第一端為低電平，該第一電子開關的第二端與第三端導通，該第一電子開關的第三端輸出低電平的密碼清除信號至南橋晶片，以清除該南橋晶片內的CMOS密碼。
2. 如申請專利範圍第1項所述之CMOS密碼清除電路，其中該第一按鍵電路還包括一第二二極體及一第二電阻，該第二二極體的陰極透過該第二電阻連接於該第一電子開關的第一端，陽極連接於該系統電源。
3. 如申請專利範圍第1項所述之CMOS密碼清除電路，其中該第一電子開關為一P溝道場效應電晶體或一PNP三極管，當該第一電子開關為P溝道場效應電晶體時，該第一電子開關的第一端、第二端及第三端分別為P溝道場效應電晶體的閘極、汲極及源極；當該第一電子開關為PNP三極管時，該第一電子開關的第一端、第二端及第三端分別為PNP三極管的基極、集極及射極。
4. 如申請專利範圍第1項所述之CMOS密碼清除電路，其中該第一按鍵為該電腦前板上的重定鍵。
5. 如申請專利範圍第1項所述之CMOS密碼清除電路，還包括一第二按鍵電路，該第二按鍵電路包括一第三二極體、一第三電阻、一第二電子開關及一第二按鍵；該第二按鍵的一端接地，另一端透過該第三電阻與該第三二極體的陰極相連，還連接於該第二電子開關的第一端，該第三二極體的陽極連接於該電池的正極，該第二電子開關的第二端連接於該第一電子開關的第三端，該第二電子開關的第三端與該南橋晶片相連，當該第一按鍵及第二按鍵均被按下時，該第一電子開關及第二電子開關的第一端均為低電平，該第一電子開關的第二端與第三端導通，如此使得該第二電子開關的第二端及第三端導通，該第二電子開關的第三端輸出低電平的密碼清除信號至南橋晶片，以清除該南橋晶片內的CMOS密碼。
6. 如申請專利範圍第5項所述之CMOS密碼清除電路，其中該第二按鍵電路還包括一第四二極體及一第四電阻，該第四二極體的陰極透過該第四電阻連接於該第二電子開關的第一端，陽極與該系統電源相連。
7. 如申請專利範圍第5項所述之CMOS密碼清除電路，其中該第二電子開關的為一P溝道場效應電晶體或一PNP三極管，當該第二電子開關為P溝道場效應電晶體時，該第二電子開關的第一端、第二端及第三端分別為P溝道場效應電晶體的閘極、汲極及源極；當該第二電子開關為PNP三極管時，該第二電子開關的第一端、第二端及第三端分別為PNP三極管的基極、集極及射極。
8. 如申請專利範圍第5項所述之CMOS密碼清除電路，其中該第二電子開關為該電腦前板上的電源鍵。
9. 如申請專利範圍第1項所述之CMOS密碼清除電路，其中該電源電路包括一肖特基二極體、一電池、第一及第二電容、一第五電阻及一第六電阻，該電池的的負極接地，正極透過該第五電阻與該肖特基二極體的第一陽極相連，該肖特基二極體的第二陽極連接於該系統電源，陰極透過該第六電阻與該第二電容的一端相連，還與該第一電容的一端相連，該第一及第二電容的另一端接地，該第六電阻與第二電容的節點處連接於該南橋晶片。