CN219843591U - 一种清cmos按键与一键还原功能复用电路 - Google Patents
一种清cmos按键与一键还原功能复用电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN219843591U CN219843591U CN202320884158.4U CN202320884158U CN219843591U CN 219843591 U CN219843591 U CN 219843591U CN 202320884158 U CN202320884158 U CN 202320884158U CN 219843591 U CN219843591 U CN 219843591U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resistor
- key
- nmos tube
- cmos
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000009467 reduction Effects 0.000 title claims abstract description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种清CMOS按键与一键还原功能复用电路，包括清CMOS电路、延时电路和一键还原电路；清CMOS电路包括按键、第一电阻、双二极管、第二电阻和PMOS管；一键还原电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三电阻和第四电阻；延时电路包括第五电阻和第一电容；通过PMOS管、第一NMOS管、第五电阻和第一电容等元件实现清CMOS功能，通过第一NMOS管和第二NMOS管等元件实现一键还原功能，把实现清CMOS和一键还原的一些器件通过电阻和电容等元件连接到一键，操作简单，能很好地避免误按的可能，个性化设置不易丢失，开发设计时不会占据过多的PCB板面积，降低了制造成本，减少了PCB的使用风险。
Description
技术领域
本实用新型涉及计算机电路技术领域，更具体地说，涉及一种清CMOS按键与一键还原功能复用电路。
背景技术
通常情况下PC清CMOS功能都是以一个插针加跳帽或单一的一个轻触开关组成，一键还原则是一个轻触开关组成；这样的做法有以下弊端：首先针对插针方案，在目前市场上都追求小巧紧凑的外观情况下，当真正需要清CMOS功能时普通用户是无法完成的，操作较为复杂，即使是专业的技术人员也需要花费一定时间才能完成这一动作，所以不便于用户自行操作；其次针对轻触按键方案，轻触按键按照普通的做法就是直接把RTCRST信号直接连接到开关上，这样就会很容易产生误按的可能，造成个性化的设置丢失，也会使PC面板变大或者增大PCB的风险并增加成本。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种清CMOS按键与一键还原功能复用电路。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种清CMOS按键与一键还原功能复用电路，包括清CMOS电路、延时电路和一键还原电路；所述清CMOS电路包括按键、第一电阻、双二极管、第二电阻和PMOS管；所述一键还原电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三电阻和第四电阻；所述延时电路包括第五电阻和第一电容；所述按键与第一电阻的一端相连接，所述第一电阻的另一端与双二极管的第一负极和第二负极相连接，所述双二极管的第一正极连接GPIO_RECOVER，所述双二极管的第二正极与第二电阻的一端相连接，所述第二电阻的另一端与PMOS管的栅极相连接，所述PMOS管的源极连接VBT端；所述PMOS管的漏极与第五电阻的一端相连接，所述第五电阻的另一端分别与第一电容的一端、第二NMOS管的漏极和第一NMOS管的栅极相连接，所述第一NMOS管的漏极连接RTCRST，所述第二NMOS管的栅极分别与第三电阻和第四电阻的一端相连接，所述第三电阻和第四电阻的另一端分别连接VSB端和VCC端，所述第一电容的另一端、第一NMOS管和第二NMOS管的源极均接地。
优选的，所述按键的第二引脚与第一电阻的一端相连接，所述按键的第一引脚、第三引脚和第四引脚均接地。
优选的，所述清CMOS电路还包括双向稳压二极管，所述按键的第二引脚还与双向稳压二极管的一端相连接，所述双向稳压二极管的另一端接地。
优选的，所述清CMOS电路还包括第七电阻和第二电容，所述第二电阻的另一端还分别与第七电阻和第二电容的一端相连接，所述第七电阻和第二电容的另一端均连接VBT端。
优选的，所述延时电路还包括单二极管，所述单二极管与第五电阻并联。
优选的，所述延时电路还包括第六电阻，所述第六电阻的一端与PMOS管的漏极相连接，所述第六电阻的另一端接地。
优选的，所述PMOS管上还连接有第一稳压二极管，所述第一稳压二极管的负极与PMOS管的源极相连接，所述第一稳压二极管的正极与PMOS管的漏极相连接。
优选的，所述第一NMOS管上还连接有第二稳压二极管，所述第二稳压二极管的负极与第一NMOS管的漏极相连接，所述第二稳压二极管的正极与第一NMOS管的源极相连接；所述第二NMOS管上还连接有第三稳压二极管，所述第三稳压二极管的负极与第二NMOS管的漏极相连接，所述第三稳压二极管的正极与第二NMOS管的源极相连接。
优选的，所述第一NMOS管和第二NMOS管的型号均为2N7002。
优选的，所述PMOS管的型号为CJ3401。
本实用新型的有益效果在于：区别于现有技术，本实用新型的清CMOS按键与一键还原功能复用电路，包括清CMOS电路、延时电路和一键还原电路；清CMOS电路包括按键、第一电阻、双二极管、第二电阻和PMOS管；一键还原电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三电阻和第四电阻；延时电路包括第五电阻和第一电容；通过PMOS管、第一NMOS管、第五电阻和第一电容等元件实现清CMOS功能，通过第一NMOS管和第二NMOS管等元件实现一键还原功能，把实现清CMOS和一键还原的一些器件通过电阻和电容等元件连接到一键，操作简单，能很好地避免误按的可能，个性化设置不易丢失，开发设计时不会占据过多的PCB板面积，降低了制造成本，减少了PCB的使用风险。
附图说明
图1是本实用新型实施例中清CMOS按键与一键还原功能复用电路的结构示意图；
图中标记名称及序号：清CMOS电路-10；延时电路-20；一键还原电路-30。
具体实施方式
为了使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本实用新型的部分实施例，而不是全部实施例。基于本实用新型的实施例，本领域普通技术工人在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型的保护范围。此外，本实用新型中所提到的方向用语，例如，“一端”、“另一端”等，仅是参考附加图示的方向，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本实用新型，而不是指示或暗指本实用新型必须具有的方位，因此不能理解为对本实用新型的限制。
本实用新型实施例如图1中所示，一种清CMOS按键与一键还原功能复用电路，包括清CMOS电路10、延时电路20和一键还原电路30；清CMOS电路10包括按键SW1、第一电阻R13、双二极管D3、第二电阻R11和PMOS管Q2；一键还原电路30包括第一NMOS管Q3、第二NMOS管Q4、第三电阻R12和第四电阻R14；延时电路20包括第五电阻R8和第一电容C3；按键SW1与第一电阻R13的一端相连接，第一电阻R13的另一端与双二极管D3的第一负极和第二负极相连接，双二极管D3的第一正极连接GPIO_RECOVER，双二极管D3的第二正极与第二电阻R11的一端相连接，第二电阻R11的另一端与PMOS管Q2的栅极相连接，PMOS管Q2的源极连接VBT端；PMOS管Q2的漏极与第五电阻R8的一端相连接，第五电阻R8的另一端分别与第一电容C3的一端、第二NMOS管Q4的漏极和第一NMOS管Q3的栅极相连接，第一NMOS管Q3的漏极连接RTCRST，第二NMOS管Q4的栅极分别与第三电阻R12和第四电阻R14的一端相连接，第三电阻R12和第四电阻R14的另一端分别连接至VSB端+3.3V_SB和VCC端VCC3，第一电容C3的另一端、第一NMOS管Q3和第二NMOS管Q4的源极均接地。
具体的，本实施例中，按键SW1为6X6X5MM 90D DIP型轻触开关，具有4PIN引脚，本实用新型实施例如图1中所示，按键SW1的第二引脚与第一电阻R13的一端相连接，按键SW1的第一引脚、第三引脚和第四引脚均接地，满足在一键的按键SW1上，实现一键清CMOS功能和一健还原功能。
具体的，本实用新型实施例如图1中所示，清CMOS电路10还包括双向稳压二极管D4，按键SW1的第二引脚还与双向稳压二极管D4的一端相连接，双向稳压二极管D4的另一端接地，对按键SW1起到稳压作用。
具体的，本实用新型实施例如图1中所示，清CMOS电路10还包括第七电阻R9和第二电容C2，第二电阻R11的另一端还分别与第七电阻R9和第二电容C2的一端相连接，第七电阻R9和第二电容C2的另一端均连接VBT端+VBT。
具体的，本实用新型实施例如图1中所示，延时电路20还包括单二极管D2和第六电阻R1；其中，单二极管D2与第五电阻R8并联；第六电阻R10的一端与PMOS管Q2的漏极相连接，第六电阻R10的另一端接地。
具体的，本实用新型实施例如图1中所示，PMOS管Q2上还连接有第一稳压二极管，第一稳压二极管的负极与PMOS管Q2的源极相连接，第一稳压二极管的正极与PMOS管Q2的漏极相连接；本实施例中，PMOS管Q2的型号为CJ3401。
具体的，本实用新型实施例如图1中所示，第一NMOS管Q3上还连接有第二稳压二极管，第二稳压二极管的负极与第一NMOS管Q3的漏极相连接，第二稳压二极管的正极与第一NMOS管Q3的源极相连接；第二NMOS管Q4上还连接有第三稳压二极管，第三稳压二极管的负极与第二NMOS管Q4的漏极相连接，第三稳压二极管的正极与第二NMOS管Q4的源极相连接；本实施例中，第一NMOS管Q3和第二NMOS管Q4的型号均为2N7002。
下面以具体应用上述实施例时的电路的原理进行说明：
其一，清CMOS功能的实现：当主板不接电源，按下按键SW1(轻触开关按键)时，PMOS管Q2的栅极拉低，根据PMOS管的特性PMOS管Q2导通，+VBT(电池电源)电压通过PMOS管Q2再经过延时电路20使第一NMOS管Q3导通，拉低RTCRST完成清CMOS动作；需要说明的是，如果需要改变按键SW1按下去的时间，以防止误动作，可以通过改变延时电路20中的第五电阻R8和第一电容C3来实现。
其二，一健还原功能的实现：当主板接通电源，第二NMOS管Q4的栅极为高电平，第二NMOS管Q4导通锁定第一NMOS管Q3的栅极电平，使第一NMOS管Q3为截止状态，此时按下按键SW1(轻触开关按键)时，开关拉低GPIO_RECOVER，通过BIOS设置状态完成一键还原功能，而此时因第一NMOS管Q3的栅极电平被锁定，不会触发清CMOS功能。
在实际应用时，第二NMOS管Q4可以设置栅极的电压为S5(PC主机待机状态)的电或者S0(PC主机开机工作状态)的电，当此电压设定为S5的电时，此时只能是PC主机在不通电时完成清CMOS功能，当接S0(PC主机开机工作状态)的电源时，PC主机可以在S5状态下完成清CMOS功能；需要说明的是，使用S5状态或S0状态时的电源需根据平台要求来进行操作，此处仅举例说明，并不造成具体限定。
应当理解的是，对本领域普通技术工人来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种清CMOS按键与一键还原功能复用电路，其特征在于：包括清CMOS电路、延时电路和一键还原电路；所述清CMOS电路包括按键、第一电阻、双二极管、第二电阻和PMOS管；所述一键还原电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三电阻和第四电阻；所述延时电路包括第五电阻和第一电容；所述按键与第一电阻的一端相连接，所述第一电阻的另一端与双二极管的第一负极和第二负极相连接，所述双二极管的第一正极连接GPIO_RECOVER，所述双二极管的第二正极与第二电阻的一端相连接，所述第二电阻的另一端与PMOS管的栅极相连接，所述PMOS管的源极连接VBT端；所述PMOS管的漏极与第五电阻的一端相连接，所述第五电阻的另一端分别与第一电容的一端、第二NMOS管的漏极和第一NMOS管的栅极相连接，所述第一NMOS管的漏极连接RTCRST，所述第二NMOS管的栅极分别与第三电阻和第四电阻的一端相连接，所述第三电阻和第四电阻的另一端分别连接VSB端和VCC端，所述第一电容的另一端、第一NMOS管和第二NMOS管的源极均接地。
2.根据权利要求1所述的清CMOS按键与一键还原功能复用电路，其特征在于：所述按键的第二引脚与第一电阻的一端相连接，所述按键的第一引脚、第三引脚和第四引脚均接地。
3.根据权利要求2所述的清CMOS按键与一键还原功能复用电路，其特征在于：所述清CMOS电路还包括双向稳压二极管，所述按键的第二引脚还与双向稳压二极管的一端相连接，所述双向稳压二极管的另一端接地。
4.根据权利要求3所述的清CMOS按键与一键还原功能复用电路，其特征在于：所述清CMOS电路还包括第七电阻和第二电容，所述第二电阻的另一端还分别与第七电阻和第二电容的一端相连接，所述第七电阻和第二电容的另一端均连接VBT端。
5.根据权利要求1所述的清CMOS按键与一键还原功能复用电路，其特征在于：所述延时电路还包括单二极管，所述单二极管与第五电阻并联。
6.根据权利要求5所述的清CMOS按键与一键还原功能复用电路，其特征在于：所述延时电路还包括第六电阻，所述第六电阻的一端与PMOS管的漏极相连接，所述第六电阻的另一端接地。
7.根据权利要求1所述的清CMOS按键与一键还原功能复用电路，其特征在于：所述PMOS管上还连接有第一稳压二极管，所述第一稳压二极管的负极与PMOS管的源极相连接，所述第一稳压二极管的正极与PMOS管的漏极相连接。
8.根据权利要求1所述的清CMOS按键与一键还原功能复用电路，其特征在于：所述第一NMOS管上还连接有第二稳压二极管，所述第二稳压二极管的负极与第一NMOS管的漏极相连接，所述第二稳压二极管的正极与第一NMOS管的源极相连接；所述第二NMOS管上还连接有第三稳压二极管，所述第三稳压二极管的负极与第二NMOS管的漏极相连接，所述第三稳压二极管的正极与第二NMOS管的源极相连接。
9.根据权利要求1所述的清CMOS按键与一键还原功能复用电路，其特征在于：所述第一NMOS管和第二NMOS管的型号均为2N7002。
10.根据权利要求1所述的清CMOS按键与一键还原功能复用电路，其特征在于：所述PMOS管的型号为CJ3401。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202320884158.4U CN219843591U (zh) | 2023-04-18 | 2023-04-18 | 一种清cmos按键与一键还原功能复用电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202320884158.4U CN219843591U (zh) | 2023-04-18 | 2023-04-18 | 一种清cmos按键与一键还原功能复用电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN219843591U true CN219843591U (zh) | 2023-10-17 |
Family
ID=88303081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202320884158.4U Active CN219843591U (zh) | 2023-04-18 | 2023-04-18 | 一种清cmos按键与一键还原功能复用电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN219843591U (zh) |
-
2023
- 2023-04-18 CN CN202320884158.4U patent/CN219843591U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN203734639U (zh) | 电子设备及其防静电复位电路 | |
| CN219843591U (zh) | 一种清cmos按键与一键还原功能复用电路 | |
| CN105425927B (zh) | 多按键复位电路及具有复位按键的电子产品 | |
| CN107817734B (zh) | 一种超低功耗按键控制电路 | |
| CN210742886U (zh) | 一种开关机电路 | |
| CN106849921B (zh) | 一种硬件复位电路及电子产品 | |
| CN210137424U (zh) | 一种耳机硬件复位系统 | |
| CN210578476U (zh) | 一种实现二键合一功能的电路 | |
| CN210780130U (zh) | 电源关断控制电路 | |
| CN216052683U (zh) | 一种mcu长按复位防灾电路 | |
| CN203813867U (zh) | 复位电路及电视机 | |
| CN216670679U (zh) | 一种复位电路和电子设备 | |
| CN213094172U (zh) | 一种零功耗待机电源控制装置 | |
| CN215420220U (zh) | 低功耗唤醒电路及电子设备 | |
| CN210157162U (zh) | 一种实现硬件复位的按键组合电路 | |
| CN212660143U (zh) | 电源通断控制电路及电子设备 | |
| CN210466706U (zh) | 一种遥控器电源的控制装置、遥控器 | |
| CN209448720U (zh) | 一种电器复位电路及电器设备 | |
| CN103164008A (zh) | Cmos密码清除电路 | |
| CN112527133A (zh) | 触控笔 | |
| CN207382278U (zh) | 一种多按键组合硬件复位电路及电子产品 | |
| CN210578488U (zh) | 一种状态自锁电路 | |
| CN214591365U (zh) | 一种可保持状态的轻触开关电路 | |
| CN218387477U (zh) | 一种防止误触动的按键控制电路及电动按摩设备 | |
| CN213521841U (zh) | 一种多功能按键电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |