CN216052683U - 一种mcu长按复位防灾电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种MCU长按复位防灾电路,包括:电源模块、复位信号输入模块、三极管模块和复位模块;在复位信号输入模块内设置复位信号输入单元和复位信号输出端,复位信号输入单元可导通或断开复位信号输出端与三极管模块的第一输出端之间的连接通道;通过复位信号输入单元的导通或断开来控制三极管模块,以使三极管模块导通或截至,继而改变复位模块中的电容放电状态,实现对MCU管脚的复位。相比于现有技术,本实用新型通过利用三极管模块与复位信号输入模块的导通和断开,来控制复位模块,实现对MCU管脚的复位,解决了复位误触发的问题,改善用户体验。
Description
技术领域
本实用新型涉及MCU技术领域,特别是涉及一种MCU长按复位防灾电路。
背景技术
目前,由于单片机的工作常常会受到来自外界电磁场的干扰,造成各种寄存器和内存的数据混乱,会导致程序指针错误,不在程序区,取出错误的程序指令等,都有可能会陷入死循环,当设备的MCU程序跑飞之后,会导致整个系统的陷入停滞状态,需要对设备重新上电或者强制复位。但在某些不可拆卸或不方便拆卸的设备,如手机、无线耳机、无线蓝牙音箱等设备,由于设备内部使用电池供电,设备程序跑飞后,只有等电池电量消耗完后才能重新上电工作。
现有技术的解决方法是通过将MCU的复位管脚引出用户接口,通常是以按键形式提供给用户使用,方便用户复位,但当前由于复位按键大多是识别高低电平变化后就动作,若用户在正常使用中不慎碰到复位键就会导致设备重启,严重影响用户体验。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:提供一种MCU长按复位防灾电路,基于电源模块、复位信号输入模块、三极管模块和复位模块的连接关系,通过利用三极管模块与复位信号输入模块的导通和断开,实现对MCU的低电平复位,解决了复位误触发的问题,改善用户体验。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种MCU长按复位防灾电路,包括:电源模块、复位信号输入模块、三极管模块和复位模块;
其中,所述电源模块的输出端分别与所述复位信号输入模块的输入端和所述三极管模块的第一输入端相连接;
所述复位信号输入模块内设置复位信号输入单元和复位信号输出端;其中,所述复位信号输入单元与所述复位信号输出端连接,所述复位信号输出端与所述三极管模块的第一输出端连接,所述复位信号输入单元可导通或断开所述复位信号输出端与所述三极管模块的第一输出端之间的连接通道;
所述三极管模块的第二输出端与所述复位模块的输入端连接,所述复位模块的输出端与外部MCU的复位管脚连接。
进一步地,所述三极管模块包括第三电阻和第一三极管,所述第三电阻的第一端和所述第一三极管的基极相连接,所述第三电阻的第二端接地,所述第一三极管的集电极为所述三极管模块的第二输出端,所述第一三极管的基极为所述三极管模块的第一输出端,所述第一三极管的发射极为所述三极管模块的输入端。
进一步地,所述复位信号输入模块包括第一电阻和所述复位信号输入单元;
所述第一电阻的第一端为所述复位信号输入模块的输入端,所述第一电阻的第二端与所述复位信号输入单元的第一端连接。
进一步地,所述复位模块包括第一复位单元;
所述第一复位单元包括第二电阻、第四电阻、第一电容、第二电容和RST信号;
所述第二电阻的第一端为所述第一复位单元的输入端,所述第二电阻的第二端与所述RST信号的第一端连接,所述第二电阻的第二端分别与所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端和第四电阻的第一端连接,所述第一电容的第二端、所述第二电容的第二端和所述第四电阻的第二端分别接地,所述RST信号的第二端为所述第一复位单元的输出端。
进一步地,所述第一电阻和所述第二电阻为上拉电阻,所述第三电阻为下拉电阻,所述第四电阻为泄放电阻,所述第一电容和所述第二电容为存储电容。
进一步地,所述复位信号输入单元包括按键单元。
进一步地,所述复位模块包括第一复位单元和第二复位单元;
所述第一复位单元包括第二电阻、第四电阻、第一电容和第二电容;所述第二电阻的第一端为所述第一复位单元的输入端,所述第二电阻的第二端与所述第二复位单元的输入端连接,所述第二电阻的第二端分别与所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端和第四电阻的第一端连接,所述第一电容的第二端、所述第二电容的第二端和所述第四电阻的第二端分别接地;
所述第二复位单元包括第二三极管、第五电阻、第二电源和RST信号;所述第二三极管的基极为所述第二复位单元的输入端,所述第二三极管的发射极接地,所述第二三极管的集电极所述RST信号连接,所述第五电阻的第一端与所述第二电源连接,所述第五电阻的第二端分别与所述第二三极管的集电极和所述RST信号连接。
本实用新型实施例一种MCU长按复位防灾电路与现有技术相比,具有如下有益效果:
本实用新型公开了一种MCU长按复位防灾电路,包括:电源模块、复位信号输入模块、三极管模块和复位模块;在复位信号输入模块内设置复位信号输入单元和复位信号输出端,所述复位信号输入单元可导通或断开所述复位信号输出端与所述三极管模块的第一输出端之间的连接通道;通过复位信号输入单元的导通或断开来控制所述三极管模块,以使所述三极管模块导通或截至,继而改变所述复位模块中的电容放电状态,实现对MCU管脚的复位。相比于现有技术,复位信号直接输入到复位模块中,导致容易出现误触发,严重影响用户体验的问题,本实用新型基于电源模块、复位信号输入模块、三极管模块和复位模块的连接关系,通过利用三极管模块与复位信号输入模块的导通和断开,来控制复位模块,实现对MCU管脚的复位,解决了复位误触发的问题,改善用户体验。
附图说明
为了更清楚的说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型提供的MCU长按复位防灾电路的一种实施例的模块结构示意图;
图2是本实用新型提供的MCU长按复位防灾电路在低电平复位时的一种实施例的电路结构示意图;
图3是本实用新型提供的MCU长按复位防灾电路在高电平复位时的一种实施例的电路结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例1
参见图1,图1是本实用新型提供的MCU长按复位防灾电路的一种实施例的模块结构示意图。如图1所示,该模块组成包括电源模块101、复位信号输入模块102、三极管模块103和复位模块104,具体如下:
本实施例中,电源模块101的输出端分别与复位信号输入模块102的输入端和三极管模块103的第一输入端相连接,用于为复位信号输入模块102和三极管模块103提供工作电源。
复位信号输入模块102内设置复位信号输入单元和复位信号输出端;其中,复位信号输入单元与复位信号输出端连接,复位信号输出端与三极管模块的第一输出端连接,将复位信号输入单元产生的复位信号传至三极管模块;复位信号输入单元可导通或断开复位信号输出端与三极管模块103的第一输出端之间的连接通道;三极管模块103的第二输出端与复位模块104的输入端连接,通过三极管模块103的导通或截止状态,输出相关信号至复位模块104,复位模块104的输出端与外部MCU的复位管脚连接。
参见图2,图2是本实用新型提供的MCU防灾电路的一种实施例的电路结构示意图。如图2所示,该电路组成包括电源模块101、复位信号输入模块102、三极管模块103和复位模块104,具体如下:
本实施例中,电源模块101包括第一电源,其中,第一电源取3.3v额定电压,第一电源的输出端为电源模块的输出端。
复位信号输入模块102包括第一电阻R1和复位信号输入单元;所述第一电阻R1的第一端为所述复位信号输入模块102的输入端,所述第一电阻R1的第二端与所述复位信号输入单元的第一端连接。
本实施例中,复位信号输入单元选用按键单元,且按键单元可以和设备其他功能按键复用,但可以理解的是,复位信号输入单元同样可以选用拨码开关单元或其他能实现相同效果的信号输入单元。以按键单元为例,用户通过按住按键S1,按键S1两端导通,通过复位信号输入单元与复位信号输出端连接,复位信号输出端与三极管模块103的第一输出端连接,使得三极管模块的第一输出端上拉到第一电阻R1;同样的,当用户没有按住按键S1时,按键S1两端处于一种断开状态,使得三极管模块的第一输出端无法上拉到第一电阻R1。本实施例中,第一电阻R1为上拉电阻,一般取4.7k。
所述三极管模块103包括第三电阻R3和第一三极管Q1,所述第三电阻R3的第一端和所述第一三极管Q1的基极相连接,所述第三电阻R3的第二端接地,所述第一三极管Q1的集电极为所述三极管模块103的输出端,所述第一三极管Q1的发射极为所述三极管模块103的输入端。
本实施例中,第三电阻R3为下拉电阻,一般取100k;第一三极管Q1为PNP三极管,第一电阻R1为第一三极管Q1的基极的上拉电阻,第三电阻R3为第一三极管Q1的基极的下拉电阻。
所述复位模块104包括第一复位单元;所述第一复位单元包括第二电阻R2、第四电阻R4、第一电容C1、第二电容C2和RST信号;所述第二电阻R2的第一端为所述第一复位单元的输入端,所述第二电阻R2的第二端与所述RST信号的第一端连接,所述第二电阻R2的第二端还分别与所述第一电容C1的第一端、所述第二电容C2的第一端和第四电阻R4的第一端连接,所述第一电容C1的第二端、所述第二电容C2的第二端和所述第四电阻R4的第二端分别接地,所述RST信号的第二端为所述第一复位单元的输出端。
本实施例中,第二电阻R2为上拉电阻,一般取10k;第四电阻R4为泄放电阻,一般取470k;第一电容C1和第二电容C2为存储电容,其存储容量为22uf;RST信号的默认电平为高电平;其中,第二电阻R2为RST信号的上拉电阻,第四电阻R4为第一电容C1和第二电容C2的泄放电容。
作为本实施例中的一种举例,当复位信号输入模块102的复位信号输入单元没有启动,即按键S1没有被用户按下时,按键S1两端处于一个断开状态,此时复位信号输入单元断开复位信号输出端与三极管模块103的第一输出端之间的连接通道,导致PNP三极管Q1的基极无法通过复位信号输出端上拉到第一电阻R1,而通过第三电阻R3下拉100k,然后接地GND,形成一个完整的回路;此时三极管模块103中的PNP三极管Q1被导通,由于复位模块104中的RST信号通过第二电阻和导通后的PNP三极管Q1上拉到电源3.3V,此时RST信号为高电平信号,MCU不会复位,正常与运行。
作为本实施例中的一种举例,当复位信号输入模块102中的复位信号输入单元,即按键S1被用户按下时,按键S1两端处于一个导通状态,此时复位信号输入单元导通复位信号输出端与三极管模块103的第一输出端之间的连接通道,PNP三极管Q1的基极通过第一电阻R1上拉4.7k,此时,由于三极管Q1之间无法形成一个完整的回路,三极管模块103中的PNP三极管Q1截止,复位模块104中的RST信号不能通过第二电阻R2和PNP三极管Q1上拉到电源3.3V,RST信号无法继续保持高电平信号,此时,第一电容C1和第二电容C2中存储的电容就会通过第四电阻R4释放电荷,导致RST信号电压逐渐下降,若RST信号电压逐渐下降到MCU复位的低电平时,MCU复位;若RST信号电压还没下降到MCU复位的低电平时,用户停止按按键S1,则会导致PNP三极管Q1重新导通,RST信号通过第二电阻R2和导通后的PNP三极管Q1上拉到电源3.3V,此时MCU不会复位,正常与运行。
综上,本实施例1提供了一种MCU长按复位防灾电路,实现MCU管脚的低电平复位,包括:电源模块、复位信号输入模块、三极管模块和复位模块;在复位信号输入模块内设置复位信号输入单元和复位信号输出端,复位信号输入单元可导通或断开复位信号输出端与三极管模块的第一输出端之间的连接通道;通过复位信号输入单元的导通或断开来控制三极管模块,以使三极管模块导通或截至,继而改变复位模块中的电容放电状态,实现对MCU的低电平复位。该电路结构简单,解决了复位按键外置容易误触发的问题,改善用户体验。
实施例2
上述实施例1中实现的是一种MCU低电平复位,而本实施例2中实现的是一种MCU高电平复位;参见图3,图3是本实用新型提供的MCU防灾电路在高电平复位时的一种实施例的电路结构示意图。如图3所示,该通过高电平复位的MCU防灾电路结构在图2的基础上在输出后级增加了一级反相器,具体为:所述复位模块104包括第一复位单元1041和第二复位单元1042;
本实施例中,所述第一复位单元1041包括第二电阻R2、第四电阻R4、第一电容C1和第二电容C2;所述第二电阻R2的第一端为所述第一复位单元1041的输入端,所述第二电阻R2的第二端与所述第二复位单元1042的输入端连接,所述第二电阻R2的第二端分别与所述第一电容C1的第一端、所述第二电容C2的第一端和第四电阻R4的第一端连接,所述第一电容C1的第二端、所述第二电容C2的第二端和所述第四电阻R4的第二端分别接地;
本实施例中,所述第二复位单元1042包括第二三极管Q2、第五电阻R5、第二电源和RST信号;所述第二三极管Q2的基极为所述第二复位单元1042的输入端,所述第二三极管Q2的发射极接地,所述第二三极管Q2的集电极所述RST信号连接,所述第五电阻R5的第一端与所述第二电源连接,所述第五电阻R5的第二端分别与所述第二三极管Q2的集电极和所述RST信号连接。
在本实施例中,第二电源的额定电压为3.3v,第五电阻R5取10k。在第二复位单元1042中,由于三极管模块103中的第一三极管Q1导通后接地,因此三极管模块103的输出端输出一种低电平,当低电平通过第一复位单元1041元输入第二复位单元1042中时,会导致第二三极管Q2关断,而第二三极管Q2的集电极电压为电源电压,所以输出一种高电平,实现MCU高电平复位。
本实施例2提供的MCU防灾电路在高电平复位时的电路结构,在实施例1的基础上增加了一级反相器,电路结构简单,实现了MCU高电平复位,为实施例1中MCU只能通过低电平复位提供了另一种可能性,提高本实用新型的适用性。
综上,本实用新型一种MCU长按复位防灾电路,包括:电源模块、复位信号输入模块、三极管模块和复位模块;在复位信号输入模块内设置复位信号输入单元和复位信号输出端,复位信号输入单元可导通或断开复位信号输出端与三极管模块的第一输出端之间的连接通道;通过复位信号输入单元的导通或断开来控制三极管模块,以使三极管模块导通或截至,继而改变复位模块中的电容放电状态,实现对MCU的低电平复位。相比于现有技术,复位信号直接输入到复位模块中,导致容易出现误触发,严重影响用户体验的问题,本实用新型基于电源模块、复位信号输入模块、三极管模块和复位模块的连接关系,通过利用三极管模块与复位信号输入模块的导通和断开,来控制复位模块,实现对MCU的低电平复位,解决了复位误触发的问题,改善用户体验。
综上对本实用新型一种MCU长按复位防灾电路进行了详细的介绍,本文中应用的具体个例对本实用新型的实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本实用新型的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (7)
1.一种MCU长按复位防灾电路,其特征在于,包括:电源模块、复位信号输入模块、三极管模块和复位模块;
其中,所述电源模块的输出端分别与所述复位信号输入模块的输入端和所述三极管模块的第一输入端相连接;
所述复位信号输入模块内设置复位信号输入单元和复位信号输出端;其中,所述复位信号输入单元与所述复位信号输出端连接,所述复位信号输出端与所述三极管模块的第一输出端连接,所述复位信号输入单元可导通或断开所述复位信号输出端与所述三极管模块的第一输出端之间的连接通道;
所述三极管模块的第二输出端与所述复位模块的输入端连接,所述复位模块的输出端与外部MCU的复位管脚连接。
2.如权利要求1所述的一种MCU长按复位防灾电路,其特征在于,
所述三极管模块包括第三电阻和第一三极管,所述第三电阻的第一端和所述第一三极管的基极相连接,所述第三电阻的第二端接地,所述第一三极管的集电极为所述三极管模块的第二输出端,所述第一三极管的基极为所述三极管模块的第一输出端,所述第一三极管的发射极为所述三极管模块的输入端。
3.如权利要求2所述的一种MCU长按复位防灾电路,其特征在于,
所述复位信号输入模块包括第一电阻和所述复位信号输入单元;
所述第一电阻的第一端为所述复位信号输入模块的输入端,所述第一电阻的第二端与所述复位信号输入单元的第一端连接。
4.如权利要求3所述的一种MCU长按复位防灾电路,其特征在于,
所述复位模块包括第一复位单元;
所述第一复位单元包括第二电阻、第四电阻、第一电容、第二电容和RST信号;
所述第二电阻的第一端为所述第一复位单元的输入端,所述第二电阻的第二端与所述RST信号的第一端连接,所述第二电阻的第二端分别与所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端和第四电阻的第一端连接,所述第一电容的第二端、所述第二电容的第二端和所述第四电阻的第二端分别接地,所述RST信号的第二端为所述第一复位单元的输出端。
5.如权利要求4所述的一种MCU长按复位防灾电路,其特征在于,
所述第一电阻和所述第二电阻为上拉电阻,所述第三电阻为下拉电阻,所述第四电阻为泄放电阻,所述第一电容和所述第二电容为存储电容。
6.如权利要求3所述的一种MCU长按复位防灾电路,其特征在于,
所述复位信号输入单元包括按键单元。
7.如权利要求1所述的一种MCU长按复位防灾电路,其特征在于,
所述复位模块包括第一复位单元和第二复位单元;
所述第一复位单元包括第二电阻、第四电阻、第一电容和第二电容;所述第二电阻的第一端为所述第一复位单元的输入端,所述第二电阻的第二端与所述第二复位单元的输入端连接,所述第二电阻的第二端分别与所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端和第四电阻的第一端连接,所述第一电容的第二端、所述第二电容的第二端和所述第四电阻的第二端分别接地;
所述第二复位单元包括第二三极管、第五电阻、第二电源和RST信号;所述第二三极管的基极为所述第二复位单元的输入端,所述第二三极管的发射极接地,所述第二三极管的集电极所述RST信号连接,所述第五电阻的第一端与所述第二电源连接,所述第五电阻的第二端分别与所述第二三极管的集电极和所述RST信号连接。
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CN202122547768.9U CN216052683U (zh) | 2021-10-21 | 2021-10-21 | 一种mcu长按复位防灾电路 |
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Cited By (1)
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TWI799126B (zh) * | 2022-01-19 | 2023-04-11 | 大陸商環榮電子(惠州)有限公司 | 電子設備電源操作方法及電子設備 |
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2021
- 2021-10-21 CN CN202122547768.9U patent/CN216052683U/zh active Active
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