TW201315838A - 自我限制反應沉積裝置及自我限制反應沉積方法 - Google Patents

自我限制反應沉積裝置及自我限制反應沉積方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201315838A
TW201315838A TW101132201A TW101132201A TW201315838A TW 201315838 A TW201315838 A TW 201315838A TW 101132201 A TW101132201 A TW 101132201A TW 101132201 A TW101132201 A TW 101132201A TW 201315838 A TW201315838 A TW 201315838A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
base material
self
limiting reaction
roller
guide roller
Prior art date
Application number
TW101132201A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroya Takenaka
Ryoichi Hiratsuka
Masaaki Sekine
Takuji Matsuo
Hidetoshi Honda
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of TW201315838A publication Critical patent/TW201315838A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一種自我限制反應沉積裝置包括一第一導引輥、一第二導引輥及至少一個第一頭。該第一導引輥在支撐由一捲對捲製程輸送之一基礎材料之一第一表面的同時使該基礎材料之一輸送方向自一第一方向改變至不平行於該第一方向之一第二方向。該第二導引輥在支撐該基礎材料之該第一表面的同時使該基礎材料之該輸送方向自該第二方向改變至不平行於該第二方向之一第三方向。該至少一個第一頭安置於該第一導引輥與該第二導引輥之間，面向與該基礎材料之該第一表面相對之一第二表面，且朝向該第二表面排放用於自我限制反應沉積之一原材料氣體。

Description

自我限制反應沉積裝置及自我限制反應沉積方法
本發明係關於藉由使用一原子層沉積(ALD)方法或一分子層沉積(MLD)方法來形成一膜之一種自我限制反應沉積裝置及一種自我限制反應沉積方法。
作為一薄膜沉積技術，已知該ALD方法。該ALD方法係用於藉由反應氣體之順序化學反應來沉積一薄膜之一技術。在該ALD方法中，通常使用其中每一者稱作一前體氣體之兩種類型之反應氣體(原材料氣體)。該等前體氣體中之每一者藉由單獨曝露於一基礎材料表面對該基礎材料表面起反應。因此，藉由該等前體氣體中之每一者對該基礎材料表面之重複反應，形成具有一預定厚度之薄膜。
作為使用該ALD方法之一沉積裝置，舉例而言，已知使用一捲對捲製程之一沉積裝置。舉例而言，日本未經審查專利申請公開案第2007-522344號揭示一種原子層沉積裝置，該原子層沉積裝置具備其周邊表面捲繞有一聚合物基板之一可旋轉滾筒及沿著該滾筒之一圓周安置且在該聚合物基板上排放一原材料氣體之複數個ALD源。此外，日本公開專利申請案第2011-137208號揭示一種沉積裝置，該沉積裝置具備包括複數個捲部件之一基礎材料之一輸送機構及其中每一者經安置以便面向該複數個捲部件且能夠朝向該基礎材料局部排放用於執行一ALD製程之一前體氣體之複數個頭部分。
如日本未經審查專利申請公開案第2007-522344號及日本公開專利申請案第2011-137208號中所述，在使用ALD源或頭部分作為原材料氣體之一供應源之沉積裝置中，必須確保ALD源或頭部分與基礎材料表面之間的一預定精密間隙以使得複數種原材料氣體不彼此混合。
然而，在日本未經審查專利申請公開案第2007-522344號及日本公開專利申請案第2011-137208號中所揭示之沉積裝置中，由於ALD源或頭部分經安置以便面向滾筒或捲部件之一弧狀周邊表面，因而也許不可能形成ALD源或頭部分與基礎材料表面之間的預定間隙。因此，存在難以在上述沉積裝置中穩定地形成一膜之一問題。
鑒於上文所述之情形，需要能夠增加沉積穩定性之一種自我限制反應沉積裝置及一種自我限制反應沉積方法。
根據本發明之一實施例，提供一種包括一第一導引輥、一第二導引輥及至少一個第一頭之自我限制反應沉積裝置。
該第一導引輥經組態以在支撐由一捲對捲製程輸送之一基礎材料之一第一表面的同時使該基礎材料之一輸送方向自一第一方向改變至不平行於該第一方向之一第二方向。
該第二導引輥經組態以在支撐該基礎材料之該第一表面的同時使該基礎材料之該輸送方向自該第二方向改變至不平行於該第二方向之一第三方向。
該至少一個第一頭安置於該第一導引輥與該第二導引輥 之間，面向與該基礎材料之該第一表面相對之一第二表面，且經組態以朝向該第二表面排放用於自我限制反應沉積之一原材料氣體。
在該自我限制反應沉積裝置中，該基礎材料之該第一表面由該第一導引輥及該第二導引輥支撐，且該基礎材料線性橋接於該第一導引輥與該第二導引輥之間。另一方面，該至少一個第一頭安置於該第一導引輥與該第二導引輥之間且因此沿一水平方向面向該基礎材料。因此，由於該基礎材料與該至少一個第一頭之間的一間隙可保持呈一預定大小，因而可在該基礎材料之該第二表面上穩定地形成一原子層或一分子層。
安置於該第一導引輥與該第二導引輥之間的該至少一個第一頭之數目可為一個或至少兩個。該至少一個第一頭可經組態以自動排放為一原子層沉積製程所需之複數種類型之氣體。另一選擇為，該至少一個第一頭可藉由組合個別地排放為該原子層沉積製程或一分子層沉積製程所需之複數種類型之氣體之複數個頭部分組態而成。
舉例而言，該至少一個第一頭可包括一氣體排放表面。該氣體排放表面包括能夠個別地排放複數種類型之原材料氣體之複數個頭部分且平行於該第二方向。在這種情況下，該至少一個第一頭在該第一導引輥與該第二導引輥之間的該第二表面上形成一薄膜。該薄膜具有至少一個原子層。
因此，可在該基礎材料上穩定地形成具有至少一個原子 層之薄膜。
該自我限制反應沉積裝置可進一步包括一加熱器單元。該加熱器單元經安置以便跨該基礎材料面向該第一頭且經組態以能夠將該基礎材料加熱至一預定溫度。
因此，由於可將該基礎材料之一沉積區域加熱至一預定沉積溫度，因而可提高該原子層或該分子層之一膜品質。
該加熱器單元之一組態不受特別限制且僅需能夠經由傳導、對流或發射來加熱該基礎材料。舉例而言，該加熱器單元包括組態以朝向該基礎材料之該第二表面排放加熱至一預定溫度之流體之一排放單元。因此，可在加熱該基礎材料之該沉積區域的同時藉由流體壓力來抑制該基礎材料之鬆動，並穩定地保持該基礎材料與該至少一個第一頭之間的該預定間隙。
該自我限制反應沉積裝置可進一步包括一第三導引輥及一第二頭。
該第三導引輥經組態以在支撐該第一表面的同時使該基礎材料之該輸送方向自該第三方向改變至不平行於該第三方向之一第四方向。
該第二頭安置於該第二導引輥與該第三導引輥之間，面向該基礎材料之該第二表面，且經組態以朝向該第二表面排放用於自我限制反應沉積之該原材料氣體。
在上述組態中，該第二頭可經組態以排放與自該至少一個第一頭排放之該原材料氣體相同之氣體或與自該至少一個第一頭排放之該原材料氣體不同之一氣體。特定而言， 該第二頭可形成與由該至少一個第一頭形成之該原子層或該分子層之材料相同之材料之一原子層或一分子層。另一選擇為，該第二頭可形成包括不同於由該至少一個第一頭形成之該原子層或該分子層之材料之一材料之一原子層或一分子層。
另一方面，根據本發明之另一實施例，提供一種包括一第一輥群組及複數個第一頭之自我限制反應沉積裝置。
該第一輥群組包括經配置以便在支撐由一捲對捲製程輸送之一基礎材料之一第一表面的同時以一逐步方式改變該基礎材料之一輸送方向之複數個導引輥。
該複數個第一頭各自安置於該複數個第一導引輥之中的預定第一導引輥之間，面向與該基礎材料之該第一表面相對之一第二表面，且經組態以朝向該第二表面排放用於自我限制反應沉積之一原材料氣體。
在該自我限制反應沉積裝置中，該基礎材料之該第一表面由該複數個第一導引輥支撐，且該基礎材料線性橋接於該複數個第一導引輥之間。另一方面，該複數個頭安置於該複數個第一導引輥之間且因此沿該水平方向面向該基礎材料之該第二表面。因此，由於可穩定地確保該基礎材料與該複數個第一頭中之每一者之間的一間隙，因而可在該基礎材料之該第二表面上穩定地形成該原子層或該分子層。此外，由於該原子層或該分子層係由該複數個第一頭形成，因而可提高產能。
該自我限制反應沉積裝置可進一步包括一第二輥群組及 複數個第二頭。
該第二輥群組包括經配置以便在支撐該基礎材料之該第二表面的同時以一逐步方式改變該基礎材料之該輸送方向之複數個第二導引輥。
該複數個第二頭各自安置於該複數個第二導引輥之中的預定第二導引輥之間，面向該基礎材料之該第一表面，且經組態以朝向該第一表面排放用於自我限制反應沉積之該原材料氣體。
因此，不僅在該基礎材料之該第一表面上而且在該基礎材料之該第二表面上，可形成該原子層或該分子層。
在這種情況下，該自我限制反應沉積裝置可進一步包括一處理單元。該處理單元安置於該第一輥群組與該第二輥群組之間且經組態以對該基礎材料之該第一表面及該基礎材料之該第二表面執行一灰塵移除操作。
因此，由於可清潔該基礎材料之該第一表面及該基礎材料之該第二表面，因而可在該基礎材料之兩個表面上穩定地形成具有高品質之一原子層或一分子層。
該自我限制反應沉積裝置可進一步包括經組態以將該基礎材料供應至該第一輥群組之一退繞輥及經組態以捲繞欲自該第一輥群組饋出之該基礎材料之一捲繞輥。
因此，由於可對該基礎材料執行順序沉積，因而可提高產能。
該自我限制反應沉積裝置可進一步包括經組態以裝納該第一輥群組及該複數個第一頭之一室。
因此，可自由地調整該基礎材料之一沉積氛圍。該室中之一氛圍可係空氣或減壓氛圍。另一選擇為，可將該室中之該氛圍替換為一預定惰性氣體氛圍。
一種根據本發明之一實施例之自我限制反應沉積方法包括在藉由複數個導引輥支撐由一捲對捲製程輸送之一基礎材料之一第一表面的同時輸送該基礎材料以便以一逐步方式改變一輸送方向。
藉由自其中每一者安置於該複數個導引輥之中的預定導引輥之間的複數個頭排放用於自我限制反應沉積之一原材料氣體，在與該基礎材料之該第一表面相對之一第二表面上連續形成具有至少一個原子層之薄膜。
在該自我限制反應沉積方法中，該基礎材料之該第一表面由該複數個導引輥支撐，且該基礎材料線性橋接於該複數個導引輥之間。另一方面，該複數個頭安置於該複數個導引輥之間且因此沿該水平方向面向該基礎材料之該第二表面。因此，由於可穩定地確保該基礎材料與該複數個頭中之每一者之間的一預定間隙，因而可在該基礎材料之該第二表面上穩定地形成該原子層或該分子層。此外，由於該原子層或該分子層係由該複數個頭順序地形成，因而可提高產能。
如上所述，根據本發明之實施例，可在一基礎材料上穩定地形成一原子層或一分子層。
根據對如附圖中所圖解說明之本發明之最佳模式實施例之以下詳細說明，本發明之此等及其他目的、特徵及優點 將更加一目了然。
在下文中，將參照圖式來闡述根據本發明之實施例。在以下實施例中，作為自限制反應沉積裝置之一實例，將闡述一原子層沉積(ALD)裝置。
<第一實施例>
圖1係根據本發明之一第一實施例之一原子層沉積裝置之一示意組態圖。在圖1中，一X軸及一Y軸指示彼此垂直之水平方向，且一Z軸指示一垂直方向。在此實施例中，將闡述在欲由一捲對捲製程輸送之一基礎材料之一個表面上沉積一原子層之一原子層沉積裝置及一原子層沉積方法。
[原子層沉積裝置之完整組態]
根據此實施例之一原子層沉積裝置100包括一第一室101、一第二室102及一第三室103。在第一室101中，裝納包括導引輥、ALD頭及諸如此類之一沉積單元C11。在第二室102中，裝納包括供應一基礎材料F至沉積單元C11之一退繞輥及諸如此類之一退繞單元C12。在第三室103中，裝納包括自沉積單元C11捲繞基礎材料F之一捲繞輥及諸如此類之一捲繞單元C13。在第一室101與第二室102之間，且在第一室101與第三室103之間，形成基礎材料F穿過其之各別開口。
第一至第三室101至103中之每一者經組態以能夠藉由一真空幫浦(未展示)抽空該室內部之空氣。一共同真空幫浦 可抽空室101至103內部之空氣，個別連接之複數個真空幫浦抽空該等室中之每一者內部之空氣。
原子層沉積裝置100包括一氣體傳導管線，該氣體傳導管線能夠將諸如氨及氬之一預定製程氣體傳導至第一至第三室101至103，且經組態以能夠使該等室中之每一者保持處於一預定氣體氛圍中。
基礎材料F包括具有撓性且切削至一預定寬度之一長塑料膜或一長薄片。該塑膠膜之實例包括具有諸如聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚苯醚碸(PES)、聚苯乙烯(PS)、芳族聚醯胺纖維、三乙醯基纖維素(TAC)、環烯烴聚合物(COP)及聚甲基丙烯酸甲酯(PET)半透明性之一膜。基礎材料F並不限於該塑膠膜，且可採用諸如鋁、不銹鋼及鈦之一金屬膜、一玻璃膜或諸如此類作為基礎材料F。
[沉積單元] (導引輥)
沉積單元C11包括經配置以便在支撐欲由一捲對捲製程輸送之基礎材料F之一第一表面的同時以一逐步方式改變基礎材料F之一輸送方向之複數個導引輥11A、11B、11C及11D。導引輥11A至11D包括支撐基礎材料F之一後表面Fb(第一表面)且經配置以便以一逐步方式改變基礎材料F之輸送方向之一可旋轉捲部件。導引輥11A至11D具有其中心軸係朝一X軸方向之一圓柱形狀。
圖2係展示導引輥11A至11D對基礎材料F之一輸送路徑 之一示意圖。導引輥11A位於沉積單元C11中之基礎材料F之輸送方向之上游側且使自退繞單元C12供應之基礎材料F之輸送方向自一方向D1改變至一方向D2。導引輥11B位於緊靠導引輥11A之下游且使基礎材料F之輸送方向自方向D2改變至一方向D3。導引輥11C位於緊靠導引輥11B之下游且使基礎材料F之輸送方向自方向D3改變至一方向D4。導引輥11D位於緊靠導引輥11C之下游，使基礎材料F之輸送方向自方向D4改變至一方向D5且然後將基礎材料F發送至捲繞單元C13。
此處，方向D1與方向D2、方向D2與方向D3、方向D3與方向D4、及方向D4與方向D5彼此呈一非平行關係。因此，可對基礎材料F施加依據基礎材料F於導引輥11A至11D中之一捲曲角度而確定之張力，並達成基礎材料F於彼此毗鄰之該複數個導引輥之中的一線性輸送位置。
導引輥11A至11D之配置空隙不受特別限制且經設定以便基礎材料F之線性輸送位置不因基礎材料F之重量而發生變化。而且基礎材料F於導引輥11A至11D中之每一者中之捲曲角度不受特別限制且僅需為1度或1度以上，舉例而言。
導引輥11A至11D中之每一者具有一獨立旋轉驅動源但可包括不具有其自身的驅動源之一自由輥。由於導引輥11A至11D中之每一者經組態以能夠獨立地驅動，因而可最佳化基礎材料F於該等導引輥中之每一者中之張力。一驅動方法不受特別限制且可係一速度控制或一扭矩控制。 與基礎材料F接觸之導引輥11A至11D之一周邊表面通常係由一金屬材料形成。該周邊表面並不限於該金屬材料且可由一絕緣材料或諸如此類形成。
在沉積單元C11中，導引基礎材料F之一走向之導引輥之數目並不限於上文所述之實例，且可另外使用複數個導引輥。
(ALD頭)
沉積單元C11進一步包括用於在基礎材料F上沉積一原子層之複數個ALD頭12A、12B及12C。ALD頭12A至12C沿著基礎材料F之輸送方向連續安置且經組態以能夠朝向基礎材料F之一前表面Fa(第二表面)排放用於原子層沉積之各種原材料氣體。
原材料氣體之類型係依據欲形成之一薄膜之類型而設定。在此實施例中，在基礎材料F之前表面Fa上，形成氧化鋁(Al2O3)之一原子層。在這種情況下，使用一第一前體氣體及一第二前體氣體。第一前體氣體之實例包括三甲基鋁(TMA；(CH3)3Al)及諸如此類。第二前體氣體之實例包括水(H2O)及諸如此類。而且作為一吹掃氣體，使用氮(N2)或諸如此類。
應注意，作為此等前體氣體，除上文所述之材料之外，還可使用以下材料，舉例而言。
雙(叔丁基胺)雙(二甲基胺)鎢(VI)；((CH3)3CN)2W(N(CH3)2)2
三(叔丁氧基)矽烷醇；((CH3)3CO)3SiOH
二乙基鋅；(C2H5)2Zn
三(二乙基氨基)(叔丁基亞氨基)鉭(V)；(CH3)3CNTa(N(C2H5)2)3
三(叔戊氧基)矽烷醇；(CH3CH2C(CH3)2O)3SiOH
三甲基(甲基環戊二烯基)鉑(IV)；C5H4CH3Pt(CH3)3
雙(乙基環戊二烯基)釕(II)；C7H9RuC7H9
(3-氨基丙基)三乙氧基矽烷；H2N(CH2)3Si(OC2H5)3
四氯化矽；SiCl4
四氯化鈦；TiCl4
鈦(IV)異丙醇；Ti[(OCH)(CH3)2]4
四(二甲基氨基)鈦(IV)；[(CH3)2N]4Ti
四(二甲基氨基)鋯(IV)；[(CH3)2N]4Zr
三雙(三甲基甲矽烷基)氨基]釕；([[(CH3)3Si]2]N)3Y
ALD頭12A安置於導引輥11A與導引輥11B之間，且在欲自導引輥11A輸送至導引輥11B之基礎材料F之前表面上形成氧化鋁之一原子層。ALD頭12B安置於導引輥11B與導引輥11C之間，且在欲自導引輥11B輸送至導引輥11C之基礎材料F之前表面Fa上形成氧化鋁之一原子層。然後，ALD頭12D安置於導引輥11C與導引輥11D之間，且在欲自導引輥11C輸送至導引輥11D之基礎材料F之前表面Fa上形成氧化鋁之一原子層。在下文中，欲由ALD頭12A至12C中之每一者形成之原子層稱作「ALD膜」。
圖3係展示ALD頭12A與基礎材料F之間的一關係之一示意圖。ALD頭12A包括排放各種原材料氣體(包括，作為原 材料氣體，第一前體氣體、第二前體氣體及吹掃氣體)之一氣體排放表面120。氣體排放表面120係由一實質平坦表面形成且經安置以便面向基礎材料F之前表面Fa。在ALD頭12A中，由於氣體排放表面120經安置以便與沿方向D2行走之基礎材料F之前表面Fa平行，因而在氣體排放表面120與基礎材料F之前表面Fa之間形成一預定空隙(間隙)G。空隙G之大小不受特別限制且可設定為2 mm，舉例而言。
在氣體排放表面120上，形成排放各種原材料氣體之複數個管口(頭部分)12s。此等管口12s包括沿著基礎材料F之輸送方向配置之複數個狹縫。舉例而言，沿基礎材料F之輸送方向按所述次序配置排放第一前體氣體之一第一狹縫、排放吹掃氣體之一第二狹縫、排放第二前體氣體之一第三狹縫及排放吹掃氣體之一第四狹縫。此等原材料氣體通常可自該等狹縫中之每一者排放。另一選擇為，可個別地調整一排放時間。此外，為了防止該等氣體彼此混合，可在氣體排放表面120上之一適當位置處提供用於抽吸之一狹縫。
形成於氣體排放表面120上之第一至第四狹縫之組數可為一組。然而，在此實施例中，在氣體排放表面120上重複配置複數組第一至第四狹縫。因此，由於可藉由一單個ALD頭12A來形成由多個原子層形成之一ALD膜，因而可提高產能。
而且其他ALD頭12B及12C各自具有相同於上文所述之 ALD頭12A之組態的組態。ALD頭12B之一氣體排放表面經安置以便與沿方向D3行走之基礎材料F之前表面Fa平行。ALD頭12C之一氣體排放表面經安置以便與沿方向D4行走之基礎材料F之前表面Fa平行。ALD頭12B及12C與基礎材料F之間的空隙G之大小中之每一者可設定為相同於ALD頭12A與基礎材料F之間的空隙G之值的值或不同於ALD頭12A與基礎材料F之間的空隙G之值的一值。此外，ALD頭12B及12C經組態以便藉由排放相同於ALD頭12A之原材料氣體之原材料氣體來形成由氧化鋁形成之一ALD膜但並不限於此。可形成由不同於氧化鋁之一材料形成之一ALD膜。
ALD頭之數目並不限於上述實例且可經適當設定以便可獲得具有一所要厚度之一ALD膜，舉例而言。
(加熱器單元)
沉積單元C11進一步包括用於將基礎材料F加熱至一預定溫度之複數個加熱器單元13A、13B及13C。加熱器單元13A至13C分別安置於導引輥11A與11B之間、導引輥11B與11C之間及導引輥11C與11D之間，且面向基礎材料F之後表面Fb。加熱器單元13A至13C經安置以便分別跨基礎材料F面向ALD頭12A至12C，且個別地加熱面向ALD頭12A至12C之基礎材料F之沉積區域。
加熱器單元13A至13C之組態不受特別限制，且可依據一加熱系統採用一適當組態。此實施例採用使第一室101之內部保持處於處於預定壓力下之一氮氣體氛圍中且加熱 器單元13A至13C如圖4中所示朝向基礎材料F之後表面Fb排放加熱至一預定溫度之熱空氣。
圖4係展示加熱器單元13A之一組態之一示意剖面圖。其他加熱器單元13B及13C各自具有相同於加熱器單元13A之組態之組態。加熱器單元13A包括裝納一加熱器131、一風扇132及諸如此類之一殼體133。殼體133包括用於抽吸第一室101內部之一氮氣體之一進口134及排放該氮氣體之複數個排放噴嘴135。加熱器單元13A藉由風扇132之旋轉將該氮氣體自進口134抽吸至殼體133之內部，並將由加熱器131加熱至一預定溫度之氮自排放噴嘴135排放至基礎材料F之後表面Fb。基礎材料F之加熱溫度不受特別限制但可為200℃，舉例而言。
根據具有上述組態之加熱器單元13A至13C，可不僅將基礎材料F加熱至一預定溫度而且防止基礎材料F因欲排放之流體(氮)之壓力而鬆動。因此，可防止因基礎材料F之鬆動而引起之空隙G之變動。另一選擇為，藉由排放該氮氣體之壓力，可將基礎材料F與ALD頭12A至12C之間的空間G設定為一所要值。
[供應單元]
退繞單元C12包括退繞基礎材料F之一退繞輥14及在沉積之前供應預處理至基礎材料F之一預處理單元15。
退繞輥14包括能夠控制旋轉圈數且以一預定線速(輸送速度)發送基礎材料F至沉積單元C11之一驅動源。退繞單元C12可進一步包括導引自退繞輥14供應之基礎材料F之走 向之一或多個導引輥。退繞單元C12沿著方向D1供應基礎材料F至沉積單元C11之導引輥11A。
預處理單元15包括依據欲製造之一裝置之一類型(層構造)、一處理條件及諸如此類選擇性地使用之一表面處理單元151、一灰塵/電力移除處理單元152、一紫外線(UV)固化樹脂排放單元153、一UV輻射單元154、一預熱單元155及諸如此類。舉例而言，當製造一水蒸氣阻隔膜時，作為由氧化鋁形成之一ALD膜之一基礎，在基礎材料F之前表面Fa上形成一UV樹脂層。
[收集單元]
另一方面，捲繞單元C13包括在沉積之後對基礎材料F應用後處理之一後處理單元16及捲繞基礎材料F之一捲繞輥17。
捲繞輥17包括能夠控制旋轉圈數且以一預定線速自沉積單元C11連續捲繞基礎材料F之一驅動源。捲繞單元C13可包括導引已自沉積單元C11之導引輥11D輸送之基礎材料F之走向之一或多個導引輥。
後處理單元16包括依據欲製造之一裝置之一類型(層構造)、一處理條件及諸如此類選擇性地使用之一預熱單元161、一UV固化樹脂排放單元162、一UV輻射單元163、一灰塵/電力移除處理單元164、一表面處理單元165及諸如此類。舉例而言，當製造一水蒸氣阻隔膜時，作為由氧化鋁形成之一頂塗層，在一ALD膜上形成一UV樹脂層。應用灰塵/電力移除處理單元164以藉由在捲繞之前對基礎材 料F執行一灰塵移除操作或一電力移除操作來防止捲盤崩潰。當(舉例而言)驅動作為一退繞輥之捲繞輥17且在捲繞基礎材料F之後重新供應基礎材料F至沉積單元C11時應用預熱單元161及表面處理單元165。
[控制單元]
應注意，原子層沉積裝置100包括控制各別單元(例如，沉積單元C11、退繞單元C12及捲繞單元C13之驅動之一控制單元104(圖1)。控制單元104通常包括一電腦且控制退繞輥14、導引輥11A至11D及捲繞輥17之旋轉驅動、ALD頭12A至12C之氣體排放、加熱器單元13A至13C之溫度調節或流體排放壓力及諸如此類。
[原子層沉積方法]
接下來，將闡述一種使用上述原子層沉積裝置100之原子層沉積方法。
使第一至第三室101至103之內部保持處於調節至預定壓力之氮氣體氛圍中。當在退繞輥14與捲繞輥17之間以一預定輸送速度輸送基礎材料F的同時，原子層沉積裝置100在退繞單元C12中應用預定預處理，在沉積單元C11中形成一ALD膜，在捲繞單元C13中應用預定後處理。在下文中，將主要闡述沉積單元C11中之沉積處理。
原子層沉積裝置100輸送基礎材料F以便在藉由導引輥11A至11D支撐基礎材料F之後表面Fb的同時以一逐步方式改變該輸送方向，如圖2中所示。因此，可在彼此毗鄰之導引輥11A至11D之間對基礎材料F施加預定張力，並穩定 保持基礎材料F之一線性輸送位置。
加熱器單元13A至13C藉由對基礎材料F之後表面Fb鼓吹加熱至一預定溫度之氮來將基礎材料F加熱至一預定溫度(例如，200℃)。此外，藉由對基礎材料F之後表面Fb施加預定流體壓力，可抑制基礎材料F在行走期間之卡嗒聲，且可提高基礎材料F之一行走位置之穩定性。
ALD頭12A至12C各自藉由按所述次序朝向基礎材料F之前表面Fa排放第一前體氣體、吹掃氣體、第二前體氣體及吹掃氣體來形成由氧化鋁形成之一ALD層。圖5A至5D各自示意性地展示ALD頭12a對一ALD層之一沉積製程。
如圖5A中所示，當基礎材料F之一前表面曝露於一第一前體氣體(例如，TMA)P1時，第一前體氣體P1吸附於基礎材料F之表面上且因此在基礎材料F之表面上形成包括第一前體氣體P1之一第一前體層L1。接下來，如圖5B中所示，基礎材料F之表面曝露於一吹掃氣體P0，且移除未接合至基礎材料F之表面且留在基礎材料F之表面上之第一前體氣體P1。作為吹掃氣體P0，在其中形成由鋁形成之一ALD層之一情況下，使用氮或氬。然而，除此等氣體之外，還可使用氫、氧、二氧化碳或諸如此類作為吹掃氣體P0。
接下來，如圖5C中所示，基礎材料F之表面曝露於一第二前體氣體(例如，H2O)P2。第二前體氣體P2吸附於基礎材料F之表面上，且因此在第一前體層L1上形成包括第二前體氣體P2之一第二前體層L2。因此，藉由第一前體層L1 與第二前體層L2之間的一化學反應，形成氧化鋁之一單層L3。之後，如圖5D中所示，吹掃氣體P0重新供應於基礎材料F之表面上且因此移除未接合至基礎材料F之表面且留在基礎材料F之表面上之第二前體氣體P2。
在ALD頭12a經過期間以複數個循環重複上述製程，且因此，在基地材料F之前表面Fa上，形成氧化鋁之一多層。根據此實施例，由於操作藉由化學反應之一沉積製程期間之一表面化學反應之一自我限制機構，因而可在一原子層層面上執行均勻層控制且在基礎材料F之表面上形成具有一高膜品質及高階梯覆蓋之一膜。此外，由於每當基礎材料F從ALD頭12A至12C下經過過時複數次重複上述處理，因而可提高沉積之效率。由於提供執行處理之複數個ALD頭，因而可容易形成具有一所要厚度之一ALD層。
在此實施例中，由於ALD頭12A至12C分別安置於導引輥11A與11B之間、導引輥11B與11C之間及導引輥11C與11D之間，因而可將ALD頭12A至12C中之每一者之氣體排放表面120安置於欲線性輸送之基礎材料F之前表面Fa上以便沿水平方向面向彼此。因此，可使欲在基礎材料F與氣體排放表面120之間形成之空隙(間隙)G保持為一預定值，且可提高一ALD層之沉積之穩定性。此外，由於ALD頭12A至12C相對於基礎材料F之輸送方向串聯配置，因而可提高產能。
此外，根據此實施例，由於基礎材料F之一沉積表面(前表面Fa)並非組態用於與導引輥11A至11D接觸，因而可避 免一沉積層(ALD層)與灰塵擦刮或附著。因此，可穩定地形成一高品質之一ALD層。
此外，根據此實施例，可根據一沉積條件將沉積單元C11、退繞單元C12及捲繞單元C13調整至不同氛圍，此乃因第一至第三室101至103各自係由一獨立室組態而成。因此，可依據欲製造之裝置之類型增強用於設定處理條件之自由度。
[膜裝置]
圖6係展示由原子層沉積裝置100製造之一膜裝置之一組態實例之一示意剖面圖。該圖中所展示之一膜裝置FD1具有其中在基礎材料F之表面上按所述次序形成一基礎層(底塗層)R1、ALD層La、ALD層Lb及Lc、及一保護層(頂塗層)R2之一層壓組態。
基礎層R1包括藉由穿過退繞單元C12中之UV固化樹脂排放單元153及UV輻射單元154製造之UV固化樹脂。ALD層La係包括藉由穿過沉積單元C11中之ALD頭12A形成之氧化鋁之一多層。類似地，ALD層Lb及Lc係包括藉由分別穿過ALD頭12B及12C形成之氧化鋁之多層。保護層R2包括藉由穿過捲繞單元C13中之UV固化樹脂排放單元162及UV輻射單元163形成之UV固化樹脂。可應用具有此一組態之一膜裝置作為一水蒸氣阻隔膜，舉例而言。
<第二實施例>
圖7係根據本發明之一第二實施例之一原子層沉積裝置之一示意組態圖。在此實施例中，將省略或簡化對相同於 根據第一實施例之組態及操作之組態及操作之說明，且將主要闡述不同於第一實施例之一組件。
一原子層沉積裝置200包括一第一室201、一第二室202及一第三室203。在第一室201中，裝納包括導引輥、ALD頭及諸如此類之一沉積單元C21。在第二室202中，裝納包括對沉積單元C21施加基礎材料F之一退繞輥及諸如此類之一退繞單元C22。在第三室203中，裝納包括自沉積單元C21捲繞基礎材料F之一捲繞輥及諸如此類之一捲繞單元C23。在第一室201與第二室202之間且在第一室201與第三室203之間，形成基礎材料F穿過其之各別開口。根據此實施例之沉積單元C21在欲由一捲對捲製程輸送之基礎材料F之兩個表面上沉積一原子層。
沉積單元C21包括一第一輥群組210及位於緊靠第一輥群組210之下游之一第二輥群組220。第一輥群組210包括經配置以便在支撐欲由一捲對捲製程輸送之基礎材料F之後表面Fb的同時以一逐步方式改變基礎材料F之輸送方向之複數個導引輥21A、21B及21C。第二輥群組220包括經配置以便在支撐基礎材料F之前表面Fa的同時以一逐步方式改變基礎材料F之輸送方向之複數個導引輥21D、21E及21F。
由於導引輥21A至21F各自具有相同於第一實施例中所闡述之導引輥11A至11D之組態之組態，因而此處將省略對導引輥21A至21F之詳細說明。
沉積單元C21包括複數個ALD頭22A、22B、22C及22D。 ALD頭22A安置於導引輥21A與導引輥21B之間，且ALD頭22B安置於導引輥21B與導引輥21C之間。ALD頭22A及22B各自經由一預定空隙(間隙)面向基礎材料F之前表面Fa，且朝向基礎材料F之前表面Fa排放用於沉積一ALD層之各種原材料氣體。
另一方面，ALD頭22C安置於導引輥21D與導引輥21E之間，且ALD頭22D安置於導引輥21E與導引輥21F之間。ALD頭22C及22D各自經由一預定空隙(間隙)面向基礎材料F之後表面Fb，且朝向基礎材料F之前表面Fa排放用於沉積一ALD層之各種原材料氣體。
由於ALD頭22A至22D各自具有相同於第一實施例中所闡述之ALD頭12A至12C之組態之組態，因而此處將省略對ALD頭22A至22D之詳細說明。
沉積單元C21包括複數個加熱器單元23A、23B、23C及23D。加熱器單元23A至23D經安置以便分別跨基礎材料F面向ALD頭22A至22D。由於加熱器單元23A至23D各自具有相同於第一實施例中所闡述之加熱器單元13A至13C之組態之組態，因而此處將省略對加熱器單元23A至23D之詳細說明。
沉積單元21進一步包括對基礎材料F之兩個表面執行表面處理之一處理單元28。處理單元28放置於第一輥群組210與第二輥群組220之間的基礎材料F之輸送路徑上。在此實施例中，處理單元28包括跨欲在導引輥21C與導引輥21D之間輸送之基礎材料F安置之一對處理單元28a及28b。
處理單元28a面向基礎材料F之前表面Fa，且處理單元28b面向基礎材料F之後表面Fb。處理單元28a及28b具有移除附著至基礎材料F之前表面Fa及後表面Fb之灰塵之一功能，或移除基礎材料F之前表面Fa及後表面Fb上之電荷之一功能。處理單元28a及28b之組態不受特別限制且可係諸如電暈處理之一排放機構。因此，由於可移除在對基礎材料F之前表面Fa之沉積處理期間附著之灰塵或諸如此類，因而可正確地對基礎材料F之後表面Fb執行沉積處理。
退繞單元C22及捲繞單元C23具有相同於第一實施例之組態之組態。在此實施例中，一預處理單元25及一後處理單元26不同於第一實施例，因為UV固化樹脂排放單元放置於基礎材料F之兩個表面側上以在基礎材料F之兩個表面上形成一UV樹脂層，舉例而言。
而且在根據如上所述組態之此實施例之原子層沉積裝置200中，可達成相同於第一實施例之操作之操作。此外，根據此實施例，可在由一捲對捲製程輸送之基礎材料F之兩個表面上形成具有一預定厚度之一ALD膜。
圖8係展示由原子層沉積裝置200製造之一膜裝置之一組態實例之一示意剖面圖。該圖中所示之一膜裝置FD2具有其中在基礎材料F之前表面Fa上按所述次序形成基礎層(底塗層)R1、ALD層La及Lb、保護層(頂塗層)R2且在基礎材料F之後表面Fb上按所述次序形成基礎層R1、ALD層Lc及一ALD層Ld以及保護層R2之一層壓組態。
基礎層R1包括已在退繞單元C22中形成之UV固化樹脂。 ALD層La及Lb係包括已藉由分別穿過ALD頭22A及22B形成於沉積單元C21中之氧化鋁之多層。類似地，ALD層Lc及Ld係包括已藉由分別穿過ALD頭22C及22D形成之氧化鋁之多層。保護層R2包括已形成於捲繞單元C23中之UV固化樹脂。舉例而言，可應用如上文所述組態一膜裝置作為一水蒸氣阻隔膜。
<第三實施例>
圖9係根據本發明之一第三實施例之一原子層沉積裝置之一示意組態圖。在此實施例中，將省略或簡化對相同於根據第一實施例之組態及操作之組態及操作之說明，且將主要闡述不同於第一實施例之一組件。
根據此實施例之一原子層沉積裝置300包括一第一室301及一第二室302。在第一室301中，裝納包括導引輥、ALD頭及諸如此類之一沉積單元C31。在第二室302中，裝納包括供應基礎材料F至沉積單元C31之一退繞輥、自沉積單元C31捲繞基礎材料F之一捲繞輥及諸如此類之一退繞/捲繞單元C32。在第一室301與第二室302之間，形成基礎材料F穿過其之開口。根據此實施例之沉積單元C31在由一捲對捲製程輸送之基礎材料F之一個表面上沉積一原子層。
沉積單元C31包括經配置以便在支撐欲由一捲對捲製程輸送之基礎材料F之後表面Fb的同時以一逐步方式改變基礎材料F之輸送方向之複數個導引輥31A、31B、31C、31D、31E及31F。在此實施例中，該複數個導引輥31A至31F經配置以便在第一室301中形成一基礎材料之呈一實質 圓柱形狀之一輸送路徑。由於導引輥31A至31F各自具有相同於第一實施例中所述之導引輥11A至11D之組態之組態，因而此處將省略對導引輥31A至31F之詳細說明。
沉積單元C31包括複數個ALD頭32A、32B、32C、32D及32E。ALD頭32A安置於導引輥31A與導引輥31B之間，且ALD頭32B安置於導引輥31B與導引輥31C之間。ALD頭32C安置於導引輥31C與導引輥31D之間，且ALD頭32D安置於導引輥31D與導引輥31E之間。然後，ALD頭32E安置於導引輥31E與導引輥31F之間。
ALD頭32A至32E各自經由一預定空隙(間隙)面向基礎材料F之前表面Fa，且朝向基礎材料F之前表面Fa排放用於沉積一ALD層之各自原材料氣體。由於ALD頭32A至32E各自具有相同於第一實施例中所述之ALD頭12A至12C之組態之組態，因而此處將省略對ALD頭32A至32E之詳細說明。
沉積單元C31包括複數個加熱器單元33A、33B、33C、33D及33E。加熱器單元33A至33E經安置以便分別跨基礎材料F面向ALD頭32A至32E。由於加熱器單元33A至33E各自具有相同於第一實施例中所述之加熱器單元13A至13C之組態之組態，因而此處將省略對加熱器單元33A至33E之詳細說明。
退繞/捲繞單元C32包括退繞輥14、一預處理單元35、一後處理單元36及捲繞輥17。預處理單元35及後處理單元36具有分別相同於第一實施例中所述之預處理單元15及後處理單元16之組態之組態。
而且在根據如上所述組態之此實施例之原子層沉積裝置300中，可達成相同於第一實施例之操作之操作。此外，根據此實施例，由於退繞輥14及捲繞輥17皆安置於第二室302中，因而可小型化整個裝置或簡化一真空幫浦系統之一組態。
<第四實施例>
圖10係根據本發明之一第四實施例之一原子層沉積裝置之一示意組態圖。在此實施例中，將省略或簡化對相同於根據第一實施例之組態及操作之組態及操作之說明，且將主要闡述不同於第一實施例之一組件。
根據此實施例之一原子層沉積裝置400包括一第一室401及一第二室402。在第一室401中，裝納包括導引輥、ALD頭及諸如此類之一沉積單元C41。在第二室402中，裝納包括供應基礎材料F至沉積單元C41之一退繞輥、自沉積單元C41捲繞基礎材料F之一捲繞輥及諸如此類之一退繞/捲繞單元C42。在第一室401與第二室402之間，形成基礎材料F穿過其之開口。根據此實施例之沉積單元C41在由一捲對捲製程輸送之基礎材料F之兩個表面上沉積一原子層。
沉積單元C41包括一第一輥群組及位於緊靠第一輥群組之下游之一第二輥群組。第一輥群組包括經配置以便在支撐欲由一捲對捲製程輸送之基礎材料F之後表面Fb的同時以一逐步方式改變基礎材料F之輸送方向之複數個導引輥41A、41B及41C。第二輥群組包括經配置以便在支撐基礎材料F之前表面Fa的同時以一逐步方式改變基礎材料F之輸 送方向之複數個導引輥41D、41E及41F。
由於導引輥41A至41F各自具有相同於第一實施例中所述之導引輥11A至11D之組態之組態，因而此處將省略對導引輥41A至41F之詳細說明。
沉積單元C41包括複數個ALD頭42A、42B、42C及42D。ALD頭42A安置於導引輥41A與導引輥41B之間，且ALD頭42B安置於導引輥41B與導引輥41C之間。ALD頭42C安置於導引輥41D與導引輥41E之間，且ALD頭42D安置於導引輥41E與導引輥41F之間。
ALD頭42A及42B各自經由一預定空隙(間隙)面向基礎材料F之前表面Fa，且朝向基礎材料F之前表面Fa排放用於沉積一ALD層之各種原材料氣體。另一方面，ALD頭42C及42D各自經由一預定空隙(間隙)面向基礎材料F之後表面Fb，且朝向基礎材料F之後表面Fb排放用於沉積一ALD層之各自原材料氣體。由於ALD頭42A至42D各自具有相同於第一實施例中所述之ALD頭12A至12C之組態之組態，因而此處將省略對ALD頭42A至42D之詳細說明。
沉積單元C41包括複數個加熱器單元43A、43B、43C及43D。加熱器單元43A至43D經安置以便分別跨基礎材料F面向ALD頭42A至42D。由於加熱器單元43A至43D各自具有相同於第一實施例中所述之加熱器單元13A至13C之組態之組態，因而此處將省略對加熱器單元43A至43D之詳細說明。
沉積單元C41進一步包括對基礎材料F之兩個表面執行表 面處理之一處理單元48。處理單元48放置於導引輥41C與導引輥41D之間的基礎材料F之輸送路徑上。在此實施例中，由於處理單元48具有相同於第一實施例中所述之處理單元28之組態之組態，因而此處將省略對處理單元48之詳細說明。
退繞/捲繞單元C42包括退繞輥14、一預處理單元45、一後處理單元46及捲繞輥17。預處理單元45及後處理單元46具有分別相同於第二實施例中所述之預處理單元25及後處理單元26之組態之組態。
而且在根據如上所述組態之此實施例之原子層沉積裝置400中，可達成相同於第一實施例之操作之操作。此外，根據此實施例，可在由一捲對捲製程輸送之基礎材料F之兩個表面上形成具有一預定厚度之一ALD膜。此外，根據此實施例，由於退繞輥14及捲繞輥17皆安置於第二室402中，因而可小型化整個裝置或簡化一真空幫浦系統之一組態。
儘管上文闡述了本發明之實施例，但本發明之實施例並不限於上述實施例且可在不背離本發明之主旨之前提下作出各種修改。
舉例而言，在上述實施例中，儘管作為一自我限制反應沉積裝置之一實例闡述了一原子層沉積裝置，但本發明並不限於此。本發明亦可應用於一分子層沉積(MLD)裝置。分子層沉積裝置係藉由相同於原子層沉積裝置之操作原理(自我限制反應)形成一薄膜之一裝置。在分子層沉積裝置 中，欲形成之一膜之一材料依據一前體(原材料氣體)而不同。通常，分子層沉積裝置用於沉積一有機分子層。
此外，在上述實施例中，欲放置於沉積單元中之導引輥或ALD頭之數目並不限於上文所述之實例，且可依據裝置之大小等等適當改變。此外，在上述實施例中，儘管ALD頭一個接一個地安置於彼此毗鄰之導引輥之間，但，舉例而言，如圖11中所示，複數個ALD頭52A、52B及52C可安置於一導引輥51A與51B之間。在這種情況下，一個加熱器單元53可相對於ALD頭52A至52C安置，如該圖中所示。另一選擇為，複數個加熱器單元53可個別地相對於各別ALD頭52A至52C位移。
此外，在上述實施例中，儘管採用其中藉由朝向基礎材料排放加熱至一預定溫度之氮氣體來加熱基礎材料之一對流系統，但亦可藉由自與基礎材料直接接觸之加熱器單元之執傳導來加熱基礎材料。另一方面，在其中沉積室之內部處於一真空氛圍中之一情況下，可採用使用一紅外線燈或諸如此類之一輻射加熱系統。應注意，代替使用加熱器單元，整個室可由一恒溫槽組態而成。
此外，可提供能夠自動保持或調整形成於ALD頭與基礎材料之間的空隙(間隙)之一機構。在該機構中，舉例而言，可調整導引輥之轉速或欲自加熱器單元排放之流體之排放壓力。另一選擇為，可採用不同於上述實例之一機械/靜電構件。
此外，在上述實施例中，儘管作為欲形成於基礎材料F 之一個表面或兩個表面上之一薄膜之一實例闡述了一水蒸氣阻隔膜，但本發明除水蒸氣阻隔膜之外還可應用於形成各種裝置之一表面保護膜(抗氧化膜)、諸如一電極膜及一阻隔金屬膜之一金屬膜、諸如一高介電常數膜及一低介電常數膜之一介電膜、一壓電膜、一石墨膜、一碳奈米管膜、一非水電解質可充電電池之一隔板之一表面層及諸如此類。
應注意，本發明亦可採用以下組態。
(1)一種自我限制反應沉積裝置，其包括：一第一導引輥，其經組態以在支撐由一捲對捲製程輸送之一基礎材料之一第一表面的同時使該基礎材料之一輸送方向自一第一方向改變至不平行於該第一方向之一第二方向；一第二導引輥，其經組態以在支撐該基礎材料之該第一表面的同時使該基礎材料之該輸送方向自該第二方向改變至不平行於該第二方向之一第三方向；及至少一個第一頭，其經安置於該第一導引輥與該第二導引輥之間，面向與該基礎材料之該第一表面相對之一第二表面，且經組態以朝向該第二表面排放用於自我限制反應沉積之一原材料氣體。
(2)如(1)之自我限制反應沉積裝置，其中該至少一個第一頭包括一氣體排放表面且在該第一導引輥與該第二導引輥之間於該第二表面上形成一薄膜，該氣體排放表面包括能夠個別地排放複數個種類型之原材料氣 體之複數個頭部分且平行於該第二方向，該薄膜具有至少一個原子層。
(3)如(1)或(2)之自我限制反應沉積裝置，其進一步包括一加熱器單元，其經安置以便跨該基礎材料面向該第一頭且經組態以能夠將該基礎材料加熱至一預定溫度。
(4)如(3)之自我限制反應沉積裝置，其中該加熱器單元包括經組態以朝向該基礎材料之該第二表面排放加熱至一預定溫度之流體之一排放單元。
(5)如(1)至(4)之自我限制反應沉積裝置，其進一步包括：一第三導引輥，其經組態以在支撐該第一表面的同時使該基礎材料之該輸送方向自該第三方向改變至不平行於該第三方向之一第四方向；及一第二頭，其安置於該第二導引輥與該第三導引輥之間，面向該基礎材料之該第二表面，且經組態以朝向該第二表面排放用於自我限制反應沉積之該原材料氣體。
(6)如(1)至(5)中任一者之自我限制反應沉積裝置，其中該至少一個第一頭包括安置於該第一導引輥與該第二導引輥之間的複數個第一頭。
(7)一種自我限制反應沉積裝置，其包括：一第一輥群組，其包括經配置以便在支撐由一捲對捲製程輸送之一基礎材料之一第一表面的同時以一逐步方式改變該基礎材料之一輸送方向之複數個第一導引輥；及複數個第一頭，其中每一者安置於該複數個第一導引輥 之中的預定第一導引輥之間，面向與該基礎材料之該第一表面相對之一第二表面，且經組態以朝向該第二表面排放用於自我限制反應沉積之一原材料氣體。
(8)如(7)之自我限制反應沉積裝置，其進一步包括：一第二輥群組，其包括經配置以便在支撐該基礎材料之該第二表面的同時以一逐步方式改變該基礎材料之該輸送方向之複數個第二導引輥；複數個第二頭，其中每一者安置於該複數個第二導引輥之中的預定第二導引輥之間，面向該基礎材料之該第一表面，且經組態以朝向該第一表面排放用於自我限制反應沉積之該原材料氣體。
(9)如(8)之自我限制反應沉積裝置，其進一步包括：一處理單元，其安置於該第一輥群組與該第二輥群組之間且經組態以對該基礎材料之該第一表面及該基礎材料之該第二表面執行一灰塵移除操作。
(10)如(7)之自我限制反應沉積裝置，其進一步包括：一退繞輥，其經組態以供應該基礎材料至該第一輥群組；及一捲繞輥，其經組態以捲繞欲自該第一輥群組饋出之該基礎材料。
(11)如(10)之自我限制反應沉積裝置，其進一步包括一處理單元，其安置於該退繞輥與該第一輥群組之間且經組態以對該基礎材料之該第一表面執行一灰塵移除操作。
(12)如(7)之自我限制反應沉積裝置，其進一步包括一室，其經組態以裝納該第一輥群組及該複數個第一頭。
(13)一種自我限制反應沉積方法，其包括：在支撐由一捲對捲製程藉由複數個導引輥輸送之一基礎材料之一第一表面的同時輸送該基礎材料以便以一逐步方式改變一輸送方向；及藉由自其中每一者安置於該複數個導引輥之中的預定導引輥之間的複數個頭排放用於自我限制反應沉積之一原材料氣體在與該基礎材料之該第一表面相對之一第二表面上連續沉積薄膜，該等薄膜具有至少一個原子層。
本發明含有與2011年10月7日在日本專利局提出申請之日本優先專利申請案JP 2011-222579中所揭示之標的物相關之標的物，該日本優先專利申請案之全部內容據此以引用方式併入。
熟習此項技術者應瞭解，可依據設計要求及其他因素作出各種修改、組合、子組合及變更，只要其歸屬於隨附申請專利範圍或其等效範圍之範疇內即可。
11A‧‧‧導引輥
11B‧‧‧導引輥
11C‧‧‧導引輥
11D‧‧‧導引輥
12A‧‧‧原子層沉積頭
12B‧‧‧原子層沉積頭
12C‧‧‧原子層沉積頭
12s‧‧‧管口(頭部分)
13A‧‧‧加熱器單元
13B‧‧‧加熱器單元
13C‧‧‧加熱器單元
14‧‧‧退繞輥
15‧‧‧預處理單元
16‧‧‧後處理單元
17‧‧‧捲繞輥
21A‧‧‧導引輥
21B‧‧‧導引輥
21C‧‧‧導引輥
21D‧‧‧導引輥
21E‧‧‧導引輥
21F‧‧‧導引輥
22A‧‧‧原子層沉積頭
22B‧‧‧原子層沉積頭
22C‧‧‧原子層沉積頭
22D‧‧‧原子層沉積頭
23A‧‧‧加熱器單元
23B‧‧‧加熱器單元
23C‧‧‧加熱器單元
23D‧‧‧加熱器單元
25‧‧‧預處理單元
26‧‧‧後處理單元
28‧‧‧處理單元
28a‧‧‧處理單元
28b‧‧‧處理單元
31A‧‧‧導引輥
31B‧‧‧導引輥
31C‧‧‧導引輥
31D‧‧‧導引輥
31E‧‧‧導引輥
31F‧‧‧導引輥
32A‧‧‧原子層沉積頭
32B‧‧‧原子層沉積頭
32C‧‧‧原子層沉積頭
32D‧‧‧原子層沉積頭
32E‧‧‧原子層沉積頭
33A‧‧‧加熱器單元
33B‧‧‧加熱器單元
33C‧‧‧加熱器單元
33D‧‧‧加熱器單元
33E‧‧‧加熱器單元
35‧‧‧預處理單元
36‧‧‧後處理單元
41A‧‧‧導引輥
41B‧‧‧導引輥
41C‧‧‧導引輥
41D‧‧‧導引輥
41E‧‧‧導引輥
41F‧‧‧導引輥
42A‧‧‧原子層沉積頭
42B‧‧‧原子層沉積頭
42C‧‧‧原子層沉積頭
42D‧‧‧原子層沉積頭
43A‧‧‧加熱器單元
43B‧‧‧加熱器單元
43C‧‧‧加熱器單元
43D‧‧‧加熱器單元
45‧‧‧預處理單元
46‧‧‧後處理單元
48‧‧‧處理單元
51A‧‧‧導引輥
51B‧‧‧導引輥
52A‧‧‧原子層沉積頭
52B‧‧‧原子層沉積頭
52C‧‧‧原子層沉積頭
53‧‧‧加熱器單元
100‧‧‧原子層沉積裝置
101‧‧‧第一室
102‧‧‧第二室
103‧‧‧第三室
104‧‧‧控制單元
120‧‧‧氣體排放表面
131‧‧‧加熱器
132‧‧‧風扇
133‧‧‧殼體
134‧‧‧進口
135‧‧‧排放噴嘴
151‧‧‧表面處理單元
152‧‧‧灰塵/電力移除處理單元
153‧‧‧紫外線(UV)固化樹脂排放單元
154‧‧‧紫外線輻射單元
155‧‧‧預熱單元
161‧‧‧預熱單元
162‧‧‧紫外線固化樹脂排放單元
163‧‧‧紫外線輻射單元
164‧‧‧灰塵/電力移除處理單元
165‧‧‧表面處理單元
200‧‧‧原子層沉積裝置
201‧‧‧第一室
202‧‧‧第二室
203‧‧‧第三室
210‧‧‧第一輥群組
220‧‧‧第二輥群組
300‧‧‧原子層沉積裝置
301‧‧‧第一室
302‧‧‧第二室
400‧‧‧原子層沉積裝置
401‧‧‧第一室
402‧‧‧第二室
C11‧‧‧沉積單元
C12‧‧‧退繞單元
C13‧‧‧捲繞單元
C21‧‧‧沉積單元
C22‧‧‧退繞單元
C23‧‧‧捲繞單元
C31‧‧‧沉積單元
C32‧‧‧退繞/捲繞單元
C41‧‧‧沉積單元
C42‧‧‧退繞/捲繞單元
D1‧‧‧方向
D2‧‧‧方向
D3‧‧‧方向
D4‧‧‧方向
D5‧‧‧方向
F‧‧‧基礎材料
Fa‧‧‧前表面
Fb‧‧‧後表面
FD1‧‧‧膜裝置
FD2‧‧‧膜裝置
G‧‧‧預定空隙(間隙)
L1‧‧‧第一前體層
L2‧‧‧第二前體層
L3‧‧‧單層
La‧‧‧原子層沉積層
Lb‧‧‧原子層沉積層
Lc‧‧‧原子層沉積層
Ld‧‧‧原子層沉積層
N2‧‧‧氮
P0‧‧‧吹掃氣體
P1‧‧‧第一前體氣體
P2‧‧‧第二前體氣體
R1‧‧‧基礎層(底塗層)
R2‧‧‧保護層(頂塗層)
圖1係根據本發明之一第一實施例之一自我限制反應沉積裝置之一示意組態圖；圖2係展示該自我限制反應沉積裝置中之導引輥對一基礎材料之一輸送路徑之一示意圖；圖3係展示該自我限制反應沉積裝置中之ALD頭與該基 礎材料之間的一關係之一示意圖；圖4係展示該自我限制反應沉積裝置中之加熱器單元之一組態之一示意剖面圖；圖5A至5D係用於說明使用ALD頭之一自我限制反應沉積方法之示意製程圖；圖6係展示由該自我限制反應沉積裝置製造之一膜裝置之一組態實例之一示意剖面圖；圖7係根據本發明之一第二實施例之一自我限制反應沉積裝置之一示意組態圖；圖8係展示由該自我限制反應沉積裝置製造之一膜裝置之一組態實例之一示意剖面圖；圖9係根據本發明之一第三實施例之一自我限制反應沉積裝置之一示意組態圖；圖10係根據本發明之一第四實施例之一自我限制反應沉積裝置之一示意組態圖；及圖11係用於圖解說明本發明之實施例之一替代實例之一主要部分示意圖。
11A‧‧‧導引輥
11B‧‧‧導引輥
11C‧‧‧導引輥
11D‧‧‧導引輥
12A‧‧‧原子層沉積頭
12B‧‧‧原子層沉積頭
12C‧‧‧原子層沉積頭
13A‧‧‧加熱器單元
13B‧‧‧加熱器單元
13C‧‧‧加熱器單元
14‧‧‧退繞輥
15‧‧‧預處理單元
16‧‧‧後處理單元
17‧‧‧捲繞輥
100‧‧‧原子層沉積裝置
101‧‧‧第一室
102‧‧‧第二室
103‧‧‧第三室
104‧‧‧控制單元
151‧‧‧表面處理單元
152‧‧‧灰塵/電力移除處理單元
153‧‧‧紫外線(UV)固化樹脂排放單元
154‧‧‧紫外線輻射單元
155‧‧‧預熱單元
161‧‧‧預熱單元
162‧‧‧紫外線固化樹脂排放單元
163‧‧‧紫外線輻射單元
164‧‧‧灰塵/電力移除處理單元
165‧‧‧表面處理單元
C11‧‧‧沉積單元
C12‧‧‧退繞單元
C13‧‧‧捲繞單元
F‧‧‧基礎材料
Fa‧‧‧前表面
Fb‧‧‧後表面

Claims (13)

  1. 一種自我限制反應沉積裝置，其包含：一第一導引輥，其經組態以在支撐由一捲對捲製程輸送之一基礎材料之一第一表面的同時使該基礎材料之一輸送方向自一第一方向改變至不平行於該第一方向之一第二方向；一第二導引輥，其經組態以在支撐該基礎材料之該第一表面的同時使該基礎材料之該輸送方向自該第二方向改變至不平行於該第二方向之一第三方向；及至少一個第一頭，其安置於該第一導引輥與該第二導引輥之間，面向與該基礎材料之該第一表面相對之一第二表面，且經組態以朝向該第二表面排放用於自我限制反應沉積之一原材料氣體。
  2. 如請求項1之自我限制反應沉積裝置，其中該至少一個第一頭包括一氣體排放表面且在該第一導引輥與該第二導引輥之間於該第二表面上形成一薄膜，該氣體排放表面包括能夠個別地排放複數種類型之原材料氣體之複數個頭部分且平行於該第二方向，該薄膜具有至少一個原子層。
  3. 如請求項1之自我限制反應沉積裝置，其進一步包含一加熱器單元，其經安置以便跨該基礎材料面向該第一頭且經組態以能夠將該基礎材料加熱至一預定溫度。
  4. 如請求項3之自我限制反應沉積裝置，其中該加熱器單元包括經組態以朝向該基礎材料之該第二 表面排放加熱至一預定溫度之流體之一排放單元。
  5. 如請求項1之自我限制反應沉積裝置，其進一步包含：一第三導引輥，其經組態以在支撐該第一表面的同時使該基礎材料之該輸送方向自該第三方向改變至不平行於該第三方向之一第四方向；及一第二頭，其安置於該第二導引輥與該第三導引輥之間，面向該基礎材料之該第二表面，且經組態以朝向該第二表面排放用於自我限制反應沉積之該原材料氣體。
  6. 如請求項1之自我限制反應沉積裝置，其中該至少一個第一頭包括安置於該第一導引輥與該第二導引輥之間的複數個第一頭。
  7. 一種自我限制反應沉積裝置，其包含：一第一輥群組，其包括經配置以便在支撐由一捲對捲製程輸送之一基礎材料之一第一表面的同時以一逐步方式改變該基礎材料之一輸送方向之複數個第一導引輥；及複數個第一頭，其中每一者安置於該複數個第一導引輥之中的預定第一導引輥之間，面向與該基礎材料之該第一表面相對之一第二表面，且經組態以朝向該第二表面排放用於自我限制反應沉積之一原材料氣體。
  8. 如請求項7之自我限制反應沉積裝置，其進一步包含：一第二輥群組，其包括經配置以便在支撐該基礎材料之該第二表面的同時以一逐步方式改變該基礎材料之該輸送方向之複數個第二導引輥； 複數個第二頭，其中每一者安置於該複數個第二導引輥之中的預定第二導引輥之間，面向該基礎材料之該第一表面，且經組態以朝向該第一表面排放用於自我限制反應沉積之該原材料氣體。
  9. 如請求項8之自我限制反應沉積裝置，其進一步包含一處理單元，其安置於該第一輥群組與該第二輥群組之間且經組態以對該基礎材料之該第一表面及該基礎材料之該第二表面執行一灰塵移除操作。
  10. 如請求項7之自我限制反應沉積裝置，其進一步包含：一退繞輥，其經組態以供應該基礎材料至該第一輥群組；及一捲繞輥，其經組態以捲繞欲自該第一輥群組饋出之該基礎材料。
  11. 如請求項10之自我限制反應沉積裝置，其進一步包含一處理單元，其安置於該退繞輥與該第一輥群組之間且經組態以對該基礎材料之該第一表面執行一灰塵移除操作。
  12. 如請求項7之自我限制反應沉積裝置，其進一步包含一室，其經組態以裝納該第一輥群組及該複數個第一頭。
  13. 一種自我限制反應沉積方法，其包含：在支撐由一捲對捲製程藉由複數個導引輥輸送之一基礎材料之一第一表面的同時輸送該基礎材料以便以一逐步方式改變一輸送方向；及 藉由自其中每一者安置於該複數個導引輥之中的預定導引輥之間的複數個頭排放用於自我限制反應沉積之一原材料氣體在與該基礎材料之該第一表面相對之一第二表面上連續沉積薄膜，該等薄膜具有至少一個原子層。
TW101132201A 2011-10-07 2012-09-04 自我限制反應沉積裝置及自我限制反應沉積方法 TW201315838A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011222579A JP2013082959A (ja) 2011-10-07 2011-10-07 自己停止反応成膜装置及び自己停止反応成膜方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201315838A true TW201315838A (zh) 2013-04-16

Family

ID=48018926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101132201A TW201315838A (zh) 2011-10-07 2012-09-04 自我限制反應沉積裝置及自我限制反應沉積方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20130089665A1 (zh)
JP (1) JP2013082959A (zh)
KR (1) KR20130038148A (zh)
CN (1) CN103031538A (zh)
TW (1) TW201315838A (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140166990A1 (en) 2012-12-17 2014-06-19 Universal Display Corporation Manufacturing flexible organic electronic devices
WO2014200815A1 (en) * 2013-06-14 2014-12-18 Veeco Ald Inc. Performing atomic layer deposition on large substrate using scanning reactors
JP6243526B2 (ja) * 2013-06-27 2017-12-06 ピコサン オーワイＰｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ 原子層堆積反応器における基板ウェブトラックの形成
JP6442874B2 (ja) * 2014-05-30 2018-12-26 凸版印刷株式会社 積層体の製造方法、及び積層体製造装置
KR101656140B1 (ko) * 2014-07-23 2016-09-08 한양대학교 산학협력단 유기전자소자의 열처리 장치
NL2015215B1 (en) * 2015-07-23 2017-02-08 Meyer Burger (Netherlands) B V Programmable deposition apparatus.
TWI720181B (zh) * 2016-05-30 2021-03-01 日商新力股份有限公司 薄膜製造方法、薄膜製造裝置、光電轉換元件之製造方法、邏輯電路之製造方法、發光元件之製造方法及調光元件之製造方法
WO2018092039A1 (en) * 2016-11-15 2018-05-24 Sabic Global Technologies B.V. Atomic layer deposition in combination with polymer coating
KR102622868B1 (ko) * 2016-11-28 2024-01-08 엘지디스플레이 주식회사 열충격이 방지된 롤투롤 제조장치
CN106917074B (zh) * 2017-03-28 2019-02-19 华中科技大学 一种循环卷绕式原子层沉积设备
WO2019055985A1 (en) * 2017-09-18 2019-03-21 Eccrine Systems, Inc. CLICK CHEMICAL APTAMER MARKING FOR EAB BIOSENSORS
CN207818767U (zh) * 2018-01-17 2018-09-04 宁德时代新能源科技股份有限公司 集流体生产设备
CN110048076B (zh) * 2018-01-17 2024-07-12 宁德时代新能源科技股份有限公司 集流体生产设备及集流体的生产方法
CN109295437B (zh) * 2018-11-13 2023-05-16 北京工业大学 一种原子层沉积间歇式双面镀膜的卷绕装置及其工作方法
CN111424263A (zh) * 2020-04-27 2020-07-17 深圳市原速光电科技有限公司 气体分布台和悬浮传动装置
WO2023095060A1 (en) * 2021-11-24 2023-06-01 Nfinite Nanotechnology Inc. Deposition of ultra-thin functional coatings on flexible materials
WO2024111505A1 (ja) * 2022-11-25 2024-05-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 電解コンデンサ用の電極箔の製造装置および製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4466258A (en) * 1982-01-06 1984-08-21 Sando Iron Works Co., Ltd. Apparatus for low-temperature plasma treatment of a textile product
US4902398A (en) * 1988-04-27 1990-02-20 American Thim Film Laboratories, Inc. Computer program for vacuum coating systems
PT1347077E (pt) * 2002-03-15 2006-09-29 Vhf Technologies Sa Aparelho e metodo para a producao de dispositivos semicondutores flexiveis
US20070034228A1 (en) * 2005-08-02 2007-02-15 Devitt Andrew J Method and apparatus for in-line processing and immediately sequential or simultaneous processing of flat and flexible substrates through viscous shear in thin cross section gaps for the manufacture of micro-electronic circuits or displays
US20090304924A1 (en) * 2006-03-03 2009-12-10 Prasad Gadgil Apparatus and method for large area multi-layer atomic layer chemical vapor processing of thin films
US8398770B2 (en) * 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
EP2053663A1 (en) * 2007-10-25 2009-04-29 Applied Materials, Inc. Hover cushion transport for webs in a web coating process
US20110143019A1 (en) * 2009-12-14 2011-06-16 Amprius, Inc. Apparatus for Deposition on Two Sides of the Web

Also Published As

Publication number Publication date
US20130089665A1 (en) 2013-04-11
JP2013082959A (ja) 2013-05-09
CN103031538A (zh) 2013-04-10
KR20130038148A (ko) 2013-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201315838A (zh) 自我限制反應沉積裝置及自我限制反應沉積方法
US8398770B2 (en) Deposition system for thin film formation
TWI598462B (zh) 成膜裝置、成膜方法及記憶媒體
JP5092624B2 (ja) ガスバリア膜の作製方法及び作製装置
JP2013520564A (ja) ウェブ基板堆積システム
CN102639749B (zh) 在原子层沉积系统中抑制过量前体在单独前体区之间运送
US20110076421A1 (en) Vapor deposition reactor for forming thin film on curved surface
JP5665290B2 (ja) 成膜装置
JP6096783B2 (ja) 大気圧プラズマ法によるコーティング作製方法
JP5621258B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
TW201027654A (en) Film deposition apparatus, substrate processing apparatus, film deposition method, and computer-readable storage medium
JP4669017B2 (ja) 成膜装置、ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法
JP4558810B2 (ja) 成膜装置
JP5651502B2 (ja) 機能性フィルムの製造方法
JP5319342B2 (ja) ガスバリア膜の製造方法、太陽電池用ガスバリアフィルム、および、ディスプレイ用ガスバリアフィルム
KR101728765B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
US20110214609A1 (en) Atmospheric plasma apparatus
JP5768962B2 (ja) 原子層堆積法成膜装置における成膜処理ドラム
JP6442874B2 (ja) 積層体の製造方法、及び積層体製造装置
JP5803488B2 (ja) 原子層堆積法によるフレキシブル基板への成膜方法及び成膜装置
CN103834935A (zh) 加工条形基材的装置和方法
JP2004323928A (ja) 大気圧プラズマ処理方法及びそれに用いる装置
JP2009138240A (ja) 成膜方法
JP5736857B2 (ja) 成膜装置
JP2013144838A (ja) 真空処理装置用の排気システム