TW201311132A - 電磁遮罩方法及製品 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種電磁遮罩方法，其包括如下步驟：提供基體；採用真空鍍膜法，以矽靶為靶材，以氧氣為反應氣體，於基體上形成一絕緣層，該絕緣層為矽-氧層；採用真空鍍膜法，以鎢銅合金靶為靶材，於該絕緣層上形成一導電層，該導電層為鎢銅合金層。本發明還提供了經由上述電磁遮罩方法製得的製品。
Description
本發明涉及一種電磁遮罩方法及其製品。
習知技術，通常採用金屬外罩、沉積有金屬層的或結合有金屬薄片的塑膠複合遮罩或金屬纖維複合遮罩來控制電磁干擾。然而，上述遮罩均存在以下缺點：所佔空間大、生產成本較高、安裝時難以實現遮罩與印刷電路板（PCB）或柔性線路板（FPC）之間無縫安裝，如此導致遮罩效率低下，PCB板或FPC板上的電子元件產生的熱量難以散發出去，使得電子元件工作性能不穩定，甚至損壞電子元件。
於PCB板或FPC板上直接沉積樹脂絕緣層，再於該絕緣層上電鍍或化學鍍金屬層，可實現電磁遮罩。然，為了保證該樹脂絕緣層與PCB板或FPC板之間有良好的結合力，避免絕緣層發生剝落或龜裂等現象，對所使用的樹脂的黏度值有嚴格的限制。而能滿足上述黏度要求的樹脂只限於某些特殊的有機樹脂，這些特殊的有機樹脂成分多、結構複雜、難以製造。此外，該絕緣層的厚度較大（難以控制在奈米級別），因而對電子元件的散熱存在不良影響。另外，電鍍或化學鍍金屬層對環境的污染較大。
鑒於此，本發明提供一種電磁遮罩方法。
另外，本發明還提供一種經由上述電磁遮罩方法製得的製品。
一種製品，包括基體、形成於該基體上的一絕緣層及形成於該絕緣層上的導電層，該絕緣層為矽-氧層，該導電層為鎢銅合金層。
一種電磁遮罩方法，其包括如下步驟：
提供基體；
採用真空鍍膜法，以矽靶為靶材，以氧氣為反應氣體，於基體上形成一絕緣層，該絕緣層為矽-氧層；
採用真空鍍膜法，以鎢銅合金靶為靶材，於該絕緣層上形成一導電層，該導電層為鎢銅合金層。
所述電磁遮罩方法簡單快捷、幾乎沒有環境污染，且形成該絕緣層的材料簡單、易於獲得。
藉由真空鍍膜的方式形成的所述絕緣層及導電層的膜厚較小，可使電子元件產生的熱量快速的散發出去，提高製品的散熱性，進而提高了電子元件性能的穩定性。另一方面，該絕緣層及導電層所佔的空間小，質量輕。
此外，以真空鍍膜方法形成的絕緣層及導電層與基體之間具有良好的結合力，可避免在使用過程中該絕緣層和/或導電層發生剝落或龜裂而降低製品的電磁遮罩性能。所述絕緣層和導電層在平面處、凹處及折縫處沉積均勻，且可以做到與基體無縫結合，如此提高了基體的電磁遮罩性能。
請參閱圖1，本發明一較佳實施方式電磁遮罩方法主要包括如下步驟：
提供一基體11，該基體11可為印刷電路板或柔性線路板，還可為手機、數位相機及筆記本電腦等可攜帶式電子產品的殼體。
當所述基體11為印刷電路板或柔性線路板時，所述基體11上形成有至少一電子元件112。
對基體11的表面進行電漿清洗，以去除基體11表面的油污，以及改善基體11表面與後續鍍層的結合力。結合參閱圖2，提供一真空鍍膜機100，該真空鍍膜機100包括一鍍膜室20及連接於鍍膜室20的一真空泵30，真空泵30用以對鍍膜室20抽真空。該鍍膜室20內設有轉架(未圖示)、相對設置的二矽靶22及相對設置的二鎢銅合金靶23。轉架帶動基體11沿圓形的軌跡21公轉，且基體11在沿軌跡21公轉時亦自轉。每一矽靶22及每一鎢銅合金靶23的兩端均設有氣源通道24，氣體經該氣源通道24進入所述鍍膜室20中。其中，所述鎢銅合金靶23中銅的質量百分含量為60~85%。
該電漿清洗的具體操作及工藝參數可為：將基體11固定於真空鍍膜機100的鍍膜室20的轉架上，將該鍍膜室20抽真空至1.4×10-3~2.7×10-3Pa，然後向鍍膜室20內通入流量約為100~400sccm(標準狀態毫升/分鐘)的氬氣(純度為99.999%)，並施加-200~-500V的偏壓於基體11，對基體11或基體11及電子元件112的表面進行電漿清洗，清洗時間為10~20min。
採用磁控濺射鍍膜法，在經電漿清洗後的基體11表面濺鍍絕緣層13。該絕緣層13為矽-氧（Si-O）層。濺鍍該絕緣層13在所述真空鍍膜機100中進行。開啟矽靶22，並設定矽靶22的功率為5~8kw；以氧氣為反應氣體，調節氧氣的流量為50~200sccm，以氬氣為工作氣體，調節氬氣的流量為100~300sccm。濺鍍時，對基體11施加-100~-300V的偏壓，並加熱所述鍍膜室20至溫度為20~80℃（即鍍膜溫度為20~80℃），鍍膜時間為15~35min。該絕緣層13的厚度為0.8~5μm。
當所述基體11為印刷電路板或柔性線路板時，所述絕緣層13沉積在所述電子元件112的表面及基體11的表面，以使電子元件112被封閉於所述絕緣層13內。
採用磁控濺射鍍膜法，在所述絕緣層13上濺射一導電層15。該導電層15為鎢銅（WCu）合金層。開啟鎢銅合金靶23，並設定鎢銅合金靶23的功率為10~15kw；以氬氣為工作氣體，調節氬氣的流量為100~300sccm。濺鍍時，對基體11施加-100~-300V的偏壓，並保持所述鍍膜室20的溫度為20~80℃（即鍍膜溫度為20~80℃），鍍膜時間為3~20min。
可以理解的，若只需對基體11的部分區域進行電磁遮罩處理時，可採用遮蔽治具（圖未示）對不需要電磁遮罩的區域進行遮蔽。
可以理解的，所述絕緣層13及導電層15還可藉由真空蒸鍍膜及電弧電漿鍍膜等方式形成。
所述電磁遮罩方法簡單快捷、幾乎沒有環境污染，且形成該絕緣層13的材料簡單、易於獲得。
一種經由上述電磁遮罩方法製得的製品10包括一基體11、形成於該基體11上的一絕緣層13及形成於該絕緣層13上的導電層15。
所述基體11為印刷電路板或柔性線路板，還可為手機、數位相機及筆記本電腦等可攜帶式電子產品的殼體。
當所述基體11為印刷電路板或柔性線路板時，所述基體11上形成有至少一電子元件112。所述絕緣層13沉積在所述電子元件112的表面及基體11的表面，以使電子元件112被封閉於所述絕緣層13內。
該絕緣層13為矽-氧層。該絕緣層13的厚度為0.8~5μm，優選為2~3μm。
該導電層15為鎢銅合金層。該導電層15的厚度以完全覆蓋所述絕緣層為佳，優選為0.5~2μm，更優選為1~2μm。
該絕緣層13及導電層15藉由真空鍍膜的方式形成。
由於鎢銅合金具有較好導熱性、導電性和較高的硬度，因此，良好的導熱性可提高所述導電層15的散熱性，良好的導電性可提高所述導電層15的電磁遮罩性，較高的硬度可使基體11在組裝、使用等過程中不易被刮傷而影響其電磁遮罩性能。
藉由真空鍍膜的方式形成的所述絕緣層13及導電層15的膜厚較小，可使電子元件112產生的熱量快速的散發出去，提高製品10的散熱性，進而提高了電子元件112性能的穩定性。另一方面，該絕緣層13及導電層15所佔的空間小，質量輕。
此外，以真空鍍膜方法形成的絕緣層13及導電層15與基體11、電子元件112之間具有良好的結合力，可避免在使用過程中該絕緣層13和/或導電層15發生剝落或龜裂而降低製品10的電磁遮罩性能。所述絕緣層13和導電層15在平面處、凹處及折縫處沉積均勻，且可以做到與基體11無縫結合，如此進一步提高了基體11的電磁遮罩性能。
10．．．製品
11．．．基體
112．．．電子元件
13．．．絕緣層
15．．．導電層
100．．．真空鍍膜機
20．．．鍍膜室
21．．．軌跡
22．．．矽靶
23．．．鎢銅合金靶
24．．．氣源通道
30．．．真空泵
圖1係本發明一較佳實施例製品的剖視圖。
圖2係本發明一較佳實施例真空鍍膜機的示意圖。
10．．．製品
11．．．基體
112．．．電子元件
13．．．絕緣層
15．．．導電層
Claims (11)
- 一種製品，包括基體，其改良在於：該製品還包括形成於該基體上的一絕緣層及形成於該絕緣層上的導電層，該絕緣層為矽-氧層，該導電層為鎢銅合金層。
- 如申請專利範圍第1項所述之製品，其中該絕緣層及導電層藉由真空鍍膜的方式形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之製品，其中該絕緣層的厚度為0.8~5μm。
- 如申請專利範圍第3項所述之製品，其中該絕緣層的厚度為2~3μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之製品，其中該導電層的厚度為0.5~2μm。
- 如申請專利範圍第5項所述之製品，其中該導電層的厚度為1~2μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之製品，其中該基體為印刷電路板或柔性線路板。
- 如申請專利範圍第7項所述之製品，其中該基體上形成有至少一電子元件，所述絕緣層及所述導電層沉積在所述電子元件的表面及基體的表面，該電子元件被封閉於所述絕緣層內。
- 一種電磁遮罩方法，其包括如下步驟：
提供基體；
採用真空鍍膜法，以矽靶為靶材，以氧氣為反應氣體，於基體上形成一絕緣層，該絕緣層為矽-氧層；
採用真空鍍膜法，以鎢銅合金靶為靶材，於該絕緣層上形成一導電層，該導電層為鎢銅合金層。 - 如申請專利範圍第9項所述之電磁遮罩方法，其中形成所述絕緣層的方法為：採用磁控濺射鍍膜法，設置矽靶的功率為5~8kw，以氧氣為反應氣體，氧氣的流量為50~200sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為100~300sccm，施加於基體的偏壓為-100~-300V，鍍膜溫度為20~80℃，鍍膜時間為15~35min。
- 如申請專利範圍第9項所述之電磁遮罩方法，其中形成所述導電層的方法為：採用磁控濺射鍍膜法，設置鎢銅合金靶的功率為10~15kw，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為100~300sccm，施加於基體的偏壓為-100~-300V，鍍膜溫度為20~80℃，鍍膜時間為3~20min。
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