TW201235635A - Method and system for measuring critical dimension and monitoring fabrication uniformity - Google Patents

Description

201235635 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關-種量測_尺相及監_程均勻度之方法以及 系統，特別是-歡健騎度之·影像巾量咖鍵尺寸以及監測 製程均勻度之方法以及系統。 【先前技術】 由整個曰曰圓中之關鍵尺寸(critical dimension，CD)分佈可以得知半 導體製程的均勻度，其關係'到製程的產率。因此，對半導體製程而言， 關鍵尺寸是-健要的特徵。近年來，線寬為_尺寸之—類型且半 導體製程持續微縮，使得線寬愈來愈難以量測。 過去是利賴鍵尺寸掃_式電子顯微鏡(CD_scanning electr〇n 二croscope，CD_SEM)來量測晶粒中之線寬。為了可提供超高解析度之 知描影像’ CD-SEM之探針點(probe spot)必須非常的小。因此，cd_sem =提供之f子流(祕取射電子束)勢必要非常小，崎低電子間的庫 ，斥力。然而，CD-SEM之伽器需要收集足夠的訊號電子(亦稱為二 次電子)才能成像，導致掃描速度非常慢。在考量半導體製造速度的需 求下，由於CD-SEM的檢測速度限制可檢測晶粒的數量，因此，目前 f從65mn餘之12㈣财減5個晶粒量酬鍵尺寸來代表整^ 晶iji的製程均勻度。然而，當半導體製程發展至32nm以下製程之μ 1晶圓時，5個晶粒之關鍵尺寸不僅已不足以代表整個18吋晶圓之製 程均勻度’且掃描5個晶粒將耗掉更多的檢測時間。 紅上所述，如何更快速地量測關鍵尺寸以及監測製程均勻度便3 目前極需努力的目標。 又疋 【發明内容】 利用一電子束檢測工具，統計地平均於一掃描影像之晶粒中之一 201235635 或夕個關注重覆圖案之邊界間之特定轉，以獲得—關注的關鍵尺 寸。可獲彳t關鍵尺寸於-晶圓之不同晶粒的分佈，以監測晶圓之製程 均勻度。 本發明提供-種量測關鍵尺寸以及監測製程均勾度之方法以及系 統，其疋彳<較低解析度之掃描景彡像巾找出佈局圖案之邊界，再將邊界 間之距離加崎魏職獲得_尺寸。因此，本發明可較快速地掃 描晶粒以轉騎度魏讀郷像，並量—狀_財及/或監 測晶圓之製程均勻度。 本發明-第-實施例之量湖鍵尺寸之方法包含：掃描—晶粒之 至少-關注區域，以獲得至少—掃描影像；將掃描影像與至少一設計 佈局圖案對齊，喊出掃描影像中之多個邊界；以及平均量測自對應 於。又5十佈局圖案中與特定型式之關鍵尺寸相關聯之—圖案之一或多個 邊界間之距離’以獲得晶粒之關鍵尺寸值。 本發明-第二實施例之監測製程均勻度之方法，包含：掃描一晶 圓之至少-關注區域，續得至少—掃描影像；將掃描影像與至少一 設計佈局圖案對齊，以找出掃描影像中之多個邊界；以及平均量測自 對應於設計佈局随中與-特定型式之_尺寸相襲之—圖案之一 或多個邊界間之距離，以獲得晶κ中全部晶粒之_尺寸值。/' 本發明一第二貫施例之監測製程均勻度之方法，包含：以包含一 圖形資料系統(GDS)或-開放式作品系統交換標準(〇ASIS)，或者直接 繪製之至少-設計佈局圖案，定義—晶圓中之—晶粒之多個佈局圖 案；選擇欲量測之佈局圖案之一特定型式之關鍵尺寸以及相對應之一 運算器；利用-電子束檢測X具_晶圓之至少—關注區域^獲得 至少-掃描影像；將掃描影像與佈局随對#，以找出掃描影像^之 多個邊界；計算量測自掃姆彡像巾與_特定型式之隨尺寸相關聯之 -圖案之-或多個該邊制之距離；以及平均距離以獲得晶圓中 晶粒之關鍵尺寸值。 ° 201235635 本發L實施例之電腦可讀取之崎媒體 電腦程式用以實現-監測製程均勻度之方法，其包含：顧一電^束 =2=1圓之至少—關邱域，轉得至少-掃描影像；將 知W像與至少-設計佈局_對#，以找出掃触像中之多個邊 平均制自對應於設計佈局®針與—特定型式之關鍵尺寸 相關聯之-圖案之-或多個邊界間之距離，以獲得晶圓中全部晶粒之 關鍵尺寸值。 本發明-第五實施例之監測製程均勻度之系統包含—帶電粒子束 探針產生器一帶電粒子束偏向她、—影像形成裝置以及一監測模 組。帶電好雜針產生_以產生-帶電粒子紐針。帶電粒子束 偏向模_謂帶電粒子束探針掃描—晶圓之至少—關注區域之一表 面。影像《裝Μ以侧經帶餘子絲針縣而自關紐域之表 面放射出之三次帶電粒子，以及形成至少—姆應之掃描影像。監測 板組與影像形成裝置輻合，且以—魏程式編碼，其用以實現一監測 製程均勻度之方法，監測製程均勻度之方法包含：將掃描影像與至少 一設計佈局®案對齊，喊出掃描影像中之多個邊界；以及平均量測 自對應於設計佈局圖案中與-特定型式之關鍵尺寸相關聯之一圖案之 或夕個邊界間之距離，以獲得晶圓中全部晶粒之關鍵尺寸值。 以下藉由具體實施例配合所附的圖式詳加說明，當更容易瞭解本 發明之目的、技術内容、特點及其所達成之功效。 【實施方式】 雖然電子束檢測工具(E-beam inspection tool)也是使用探針來檢測 晶圓’然而’相較於關鍵尺寸掃瞄式電子顯微鏡(CD_SEM)，電子束檢 測工具之電子流非常大，以致於探針點大到足以使檢測速度非常快。 而相較於CD-SEM ’大的探針點使得解析度受到限制。因此，電子束 檢測工具目前不能作為關鍵尺寸之量測工具。於本發明中，電子束檢 測工具可用來量測關鍵尺寸。 201235635 雖然半導體製程於-晶圓中可能有形貌上的分佈或轉。然而， 現今的半導體製程於-晶粒之形貌將會—致。於電子束檢測工具所監 測之固定環境中’可_騎策略錢演算法麟高騎度的檢測。 利用統計平均u突破模糊的影像以獲得一特定圖案之銳化邊界。一特 定圖案之邊界可由使用者定義，或者一邊界運算獄夠定義—圖案之 邊界。因此’湘電子束檢測卫具能難制鍵尺寸。 所有晶粒之關鍵尺寸分佈，亦即關鍵尺寸均勾度(CD unif_ity， =DU) ’可被用以制―晶圓之製程均自[掃描雜不限於關鍵尺寸 里測’亦應用於傳統複查檢測(review inspecti〇n)或電壓對比(她咽 contrast，VC)檢測。 因為電子束制1具能夠在幾個小時内檢測整個65nm製程之12 叶晶圓’因此可獲得整個晶圓的全部晶粒之_尺寸以輸出關鍵尺寸 均勻度來檢查半導體製程的均句度。⑽統CD_SEM之制方法於相 同的檢測時間内，只能從整個晶圓的5個晶粒獲得5個關鍵尺寸。因 此’這5個關鍵尺寸來代表整個晶圓於半導體製程中之特徵多少會受 限制。 於本發明中，用詞「關鍵尺寸(CriticaiDimensi〇n , cd)」不只解釋 為線寬’亦可為一或多個圖案之邊界間的距離。用詞「邊界(border)」 表不佈局圖案之邊緣(rim)或邊線(edge)的-部分，且多個邊界能組成 一佈局圖案。 、 ，凊參照圖1 ’本發明之一實施例之量測關鍵尺寸之方法包含以下步 驟。首先’掃描-晶粒之至少—關注區域，以獲得至少—掃描影像 (Γ1) °於r實施例巾’掃描影像可姻電子束檢測卫具掃描晶粒之一 厂面所獲得。相較於CD-SEM，電子束檢測工具具有電子束之電子流 以，探針點較大的特點’因此，其耗錄少的時間來掃描以及成像。 ;^著*將^驟S11所獲得之掃描影像與至少一設計佈局圖案對齊，以 局^掃描影像中之多個邊界(S12)。最後，將每―量測自對應於設計佈 °案中與一特定型式之關鍵尺寸相關聯之一圖案之一或多個邊界間 201235635 之距離平均，以獲得晶粒之關鍵尺寸值(S13)。 於一貫施例中，設計佈局圖案可為一圖形資料系統(Graphie Data

SyStem，GDS)或一開放式作品系統交換標準(Open Artwork System Interchange Standard，OASIS)。或者，設計佈局圖案亦可直接繪製於掃 描影像。舉例而言，圖2顯示一記憶模組(mem〇ry m〇duk)之影像之一 部分，其中標記G代表金屬氧化半導體(Metal 〇xide Semkx)nductOT， MOS)之閘極；標記N代表M〇s的n型電極；標記p代表m〇s的p 型電極。由於記憶模組包含相同及/或週期性的重覆佈局圖案，其中重 覆佈局圖賴其巾-個勒顯示於虛線所⑽的區域中，因此:、且有 相同特徵的佈局圖案DP可被預期並直猜製於掃 職

出掃描影像巾之相對應的佈局_。 ^ W s ^ 至圖3C，以說明定義掃描影像中之邊界的方法。圖3a 於過—邊界之""列像素之灰階值變化。將掃描影像對應 酵’可在掃鄉像中找出錢設計佈觸案之周圍區 =階值大於-參考值咖之多個像素々圖 蠢=Γ 鱗值之特定料Pxu即可絲域界像素。= 邊界像素即可形成一佈局圖案之邊界。 定像3b ’她#物㈣触觸之特 疋像素PXL2、PXL3其中之-亦可定義為邊 可將娜域中大於參考謂^素’其中平均值觸 注意者，在峨理程序中，應鞠目對而獲得。需 素PXU料邊界像素。 Μ ’讀素PXL2或特定像 於一實施例中，請參照圖3c，在 卿之特定像素pxl4、PXl5其巾之二I ’ Λ階值等於參考值 在相同處理程序中，應選擇相對應傻^為邊界像素。同理，

作為邊界料。需Μ者，邊界像倾魏素PXU 〜PXL5 -預定值之像素。舉例而言，可將特述特定像素 第3個像素作為邊界像素。 、寺疋像素pXL5右側的 201235635 "月參照圖4’單-晶粒或關注區域可包含多種型式之欲量測關鍵尺 寸。舉例而言，關鍵尺寸之型式可為跡線4卜41，之線寬cm以及⑽，、 線距CD2、CD2,、轉角寬度CD3、CD3,、導電接點42之短軸寬度⑽、 導電接點42之長減度CD5、導電接點a之直徑⑽、導電接點42 間之間距CD7或跡線4丨與導電接點π間之間距⑽等。而每一種型 式之關鍵尺寸可由相對應之運算器㈣論)進行處理。 請參照圖5’本發明之-實施例之監測製程均勻度之方法包含以下 步驟。首先’掃描-晶圓之至少_關注區域，以獲得至少—掃描影像 舉例而言，掃描影像可利用電子束檢測工具掃描晶圓之一表面 來獲得。電子束檢測工具之特性如前所述，在此不再贅述。接著，將 步驟S51所獲彳于之掃描影像與至少一設計佈局圖案對齊，以找出掃描 影像中之多個邊界(S52)。最後，將制自對應於設計佈局酸中與一 特定，式之_尺寸相關聯之—圖案之—或多個邊界間之距離平均， 以獲得晶圓中全部晶粒之關鍵尺寸值购）。由上述可知，本發明是獲 得晶圓中全部晶粒之關鍵尺寸值來代表整個晶_半導體製程的均句 度而非以少數幾個晶粒之關鍵尺寸來代表，因此，利用本發明可較 精確得知如圖6所故料體製簡均勻度，其中標記⑻代表晶圓， 標記61代表晶粒，標記62代表不關鍵尺寸大小之圖例。 舉例而言’於傳統_尺寸檢測中，只有獲得整個晶圓中之5個 晶粒的5個關鍵尺寸值，如圖6的實心圓所示。依據圖6所示之關鍵 尺寸檢測結果，整個Μ之半導體製程之均勻度似乎可被接受，因為 只有-個晶粒之_尺核驗預定值。然而，輯本發明之方法， 使用者可獲得整個晶圓6〇中關鍵尺相分佈，並姉應調整製程參 數。舉例而言，從圖6所示之_尺寸分佈，我們可以看到位於晶圓 左側之關鍵尺寸值小於預定值，而位於右側之關鍵尺寸值大於預定 值。使用者可依據分佈趨行異常以改善製 程。因此’只以5侧鍵尺寸值代表整個晶·傳統半導體製程之特 201235635 請參照圖7，本發明之另一實施例之監測製程均勻度之方法包含以 下步驟。首先’以包含一圖形資料系統(GDS)或一開放式作品系統交換 標準(OASIS)，或者直接繪製之一設計佈局圖案，定義一晶圓中之一晶 粒之多個佈局圖案(S71)。接著，一使用者選擇佈局圖案中欲量測之一 特定關鍵尺寸，例如線寬、線距、導電接點之大小等，以及相對應之 一運算器(S72)。之後，利用電子束檢測工具掃描晶圓之至少一關注區 域，以獲得至少一掃描影像(S73)，再將掃描影像與佈局圖案對齊，以 找出掃描影像中之多個邊界(S74)。最後，計算掃描影像中與特定型式 之關鍵尺寸相關聯之一圖案之一或多個邊界間之距離(S75)，再將此距 離平均以獲得整個晶圓中全部晶粒之關鍵尺寸值(S7句。 本發明之一實施例之電腦可讀取之記錄媒體記錄一電腦程式，其 貫現圖5所示之監測製程均勻度之方法。本發明之方法之詳細實施步 驟已如前所述，在此不再贅述。 請參照圖8以說明本發明一實施例之監測製程均勻度之系統8。系 統8用以檢測位於一樣品台89上之樣品9〇(例如一晶圓），並包含一帶 電粒子束產生器81、一聚集鏡模組82、一探針形成物鏡模組83、一帶 電粒子束偏向模組84、一二次帶電粒子偵測模組85、一影像形成模組 86以及一監測模組87。 f電粒子束產生器81用以產生一入射帶電粒子束8〇1〇聚集鏡模 組82用以聚集所產生的人射帶雜子束8G1。探針形成物鏡模組83用 以聚焦已聚集的入射帶電粒子束8〇1成為一帶電粒子束探針8〇2。帶電 粒子束偏向模組84用以將形成的帶電粒子束探針8〇2掃描固定於樣品 α 89上之樣90之關注區域的表面。於一實施例中，帶電粒子束產 生盗81、聚集鏡模組82以及探針形成物鏡模組幻或其均等的設計、 替代物或以上之組合共晴成__帶電粒子束探針產生器，其用以產生 掃描用的帶電粒子速探針8〇2。 ,一次帶電粒子偵測模組85用以偵測經帶電粒子束探針802轟擊而 從樣品表面放射出來之二次帶餘子8G3(可能伴隨從樣品表面反射或 201235635 ^射的帶電粒子），並相對應地產生_二次帶電粒子紳峨_ 3 電=二Γ次帶電粒子_模組85輕合，以接收來自二次ί 少絲電好__，並_地形成至 之電腦、終端機、個人電腦、任何類型 子：二=:=;::7二_^ 無線峨似心=路、無線網路、 〇i, 中人f電粒子偵測模組85以 成換組86 ’或其均等的設計、替代物或以上之組合共同形成 衫像形成裝置，其读測經g帶带私7十卜 射出之二綱奸，物縣—放 限制ίίΓϊ構件為所屬技術領域者所熟知，且在此呈現並非用以 _揭露的=構件之替代物、解物以及做仍屬於本發 接收=:π==?=^合，監測 3中=測，87與影像形成裝置的連接與存取是經由選自以^ 賴、光纖_、可攜式儲存媒體、紅外線傳輸、人工輸入、 ^牙、内部網路、網際網路、無線網路、 1 卜人^模組87可由選自以下其中之—所實現：一大型電腦、終口端機、 :人電知、任_型之行動運算裝置或社之組合。於—實施例中， 以監測製程均勻度之電腦程式記錄於監測 之媒體，以使監測模組87能夠執 T之冤腦了讀取 驟，其詳細步驟如前述。仃圖5所不之監測製程均勻度之步 及=合ΐ述，本發明之量測關鍵尺寸以及監測製程均勻度之方法以 2 2從較低解析度之掃描影像中找出佈局圖案之邊界，再將 里"J之邊界間之距離加以統計處理以獲得關鍵尺寸。因此，本發明 201235635 之方法及系統可達到以下優點： 由於從較低解析度之掃描影像即可獲得關鍵尺寸資訊，因此可使用 掃描速度較快之檢測工具以大幅提升產出量。 2.可獲得整個晶圓的關鍵尺寸資訊以及製程均勻度。 3·在缺陷檢測製程即可獲得關鍵尺寸資訊。 4_於本發明中，依據使用者的選擇，可量測任何型式之關鍵尺寸而不 受限制，不像CD-SEM僅能量測線寬之關鍵尺寸。 以上所述之實施讎是為說明本發明之技術思想及特點，其 在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之内容並據以實施，卷处 之岣 本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神“ 良化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍内。 12 201235635 【圖式簡單說明】 圖1為一流程圖，顯示本發明一實施例之量測關鍵尺寸之方法。 圖2為一示意圖，顯示於掃描影像上繪製佈局圖案。 圖3a至圖3c為一曲線圖，顯示跨過邊界之像素之灰階值變化。 圖4為一示意圖，顯示多種型式之關鍵尺寸。 圖5為一流程圖，顯示本發明一實施例之監測製程均勻度之方法。 圖6為一示意圖，顯示一晶圓之製程均勻度。 圖7為一流程圖，顯示本發明另一實施例之監測製程均勻度之方 法。 圖8為一示意圖，顯示本發明—實施例之監測製程均勻度之系統。 【主要元件符號說明】 41 > 4Γ 跡線 42 導電接點 60 晶圓 61 晶粒 62 圖例 8 監測製程均勻度之系統 801 入射帶電粒子束 802 帶電粒子束探針 803 二次帶電粒子 804 二次帶電粒子偵測訊號 81 帶電粒子束產生器 82 聚集鏡模組 13 201235635 83 探針形成物鏡模組 84 帶電粒子束偏向模組 85 二次帶電粒子偵測模組 86 影像形成模組 87 監測模組 89 樣品台 90 樣品 AVG 平均值 CD1-CD8 關鍵尺寸 DP 繪製之佈局圖案 G 閘極 N η型電極 P ρ型電極 PXL1-PXL5 特定像素 REF 參考值 S11-S13 量測關鍵尺寸之步驟 S51〜S53 監測製程均勻度之步驟 S71-S76 監測製程均勻度之步驟 14

Claims (1)

1. 201235635 . 七、申請專利範圍： 1· 一種量測關鍵尺寸之方法，包含： 掃描一晶粒之至少一關注區域，以獲得至少—掃描影像. 將該掃描影像與至少-設計佈局圖案對齊，以找出該掃描影像 多個邊界；以及 平均量測自對應於該設計佈局圖案中與-特定型式之關鍵尺寸相關 聯之圖案之-或多個该邊界間之距離，以獲得該晶粒之關鍵尺寸值。 2·如請求項1所述之量測關鍵尺寸之方法，其中該掃描影像是利用一電 子束檢測工具掃描該晶粒之一表面所獲得。 3. 如請求項1所述之量測_尺寸之方法，其巾該設計佈局圖案包含_ 圖形資料系統(GDS)或一開放式作品系統交換標準(〇ASIS)，或者直接怜 製於該掃描影像。 's 4. ^請求項丨所述之量測_尺寸之方法，其中該邊界包含該掃描影像 中靠近該設計佈局圖案之周圍區域之多個邊界像素，其中該周圍區域包 含灰階值大於-參考值之？個像素，錢邊界像素為雄鮮於該周圍 區域中之峰值、大於該參考值之多個像素之平均值或該參考值之一特定 像素，或者偏移該特定像素一預定值之像素。 5. 如請求項i所述之量測關鍵尺寸之方法，其中該關注區域包含多種型 式之欲量測關鍵尺寸。 6. 如請求項1 之量湖鍵尺寸之方法，其料義式之該關鍵尺寸 是以相對應的運算器所決定。 7. 如請柄1所狀量_鍵尺寸之綠，其巾棚鍵財之型式包含 線寬、線距、跡線之轉角寬度、導電接點之短軸寬度、 寬度、導電接點之紐、導電接闕之間距或跡線與導€接闕之間距。 8. —種監測製程均勻度之方法，包含： 掃描-晶圓之至少-關注區域，以獲得至少—掃描影像； 將該掃描影像與至少-設計佈局圖案對齊，以找出該掃描影像中之 15 201235635 多個邊界；以及 平均量測自對應於該設計佈局圖案令盘 案之-或多個該邊一，―二 9_如請求項8所述之監測製程均勾度之 電子束檢測工具掃描該晶圓之_表面所獲得。射撕^像疋利用一 10.如請求項8所述之監測製程均勻度之方法 含-圖形資料系統(GDS)或 具中1又6十佈局圖案包 接縿製於該掃描影像。 系統交換標準(0ASIS)，或者直 測之枝，其愧_含該掃描 近叙梢局圖案之顯區域之多個邊界像素，其中 域匕3灰階值大於一參考值之多個像 二、00 周膨祕“紅1 州财^錢界像素為灰階值等於該 =ΪΓ=:參考值之多個像素之平均值或該參考值之-特疋像素，或者偏移該特錄素—預定值之像素。 種料2求3 8丨所述之I測製程均勻度之方法，其中該關注區域包含多 種型式之欲量測關鍵尺寸。 〇 7 13·如請求項8所叙監崎料自度之方法 尺寸是以相對應的運算器所決定。 T不呢式之鍵 勺人二求18所述之[測製程均勻度之方法，其中該關鍵尺寸之型式 Ϊ距、跡線之轉角寬度、導電接點之短軸寬度、導電接點之 X冑接點之直輕、導電接點間之間距或跡線與導電接點間之 間距。 15. —種監測製程均勻度之方法，包含： 乂 U 3圖形:貝料系統(GDS)或一開放式作品系統交換標準 (O^SIS) ’或者直接鄕之至少_設計佈局圖案，定義—晶圓中之一晶粒 之多個佈局圖案； 選擇欲量測之鶴局圖案之—特定關鍵尺相及㈣應之一運算 201235635 器 -掃::電子束檢測工具触該晶圓之至少一關注區域，以獲得至少 讀與該佈局®1騎齊，喊出該掃描影像巾之多個邊界. 之一. 特定型式之關鍵尺寸相關聯之-圖索 平均遠距離峨得該晶财全部晶粒之關鍵尺寸值。 16.如請求項15所述之監測製程均勻度之方法， 影像中靠近該設計佈局圖案 ^ ^ 1已3以▼七田 域包含灰B k ^ 圍域多個邊界像素，其中該周圍區 辦值之乡轉素，且贿雜素核階值等於哕 ΞΙ ^、她晰⑽嶋增蝴參 ，’、或者偏移泫特定像素一預定值之像素。 度嫌I㈣齡區域包含多 所述之監測製程均勻度之方法，其_鍵尺寸之型式 、Γ、職之嫩度、導電版短峨、導電接2 間距。又、導電接點之直徑、導電接點間之間距或跡線與導電接點間之 ^-一^腦可翁之記錄舰，其靖—_試，麟f腦程式實 見▲測製程均勻度之方法，其中該方法包含： 知描-晶圓之至少-關注區域，以獲得至少 . 多個與至少-設計佈局圖案對齊，以找：掃描影像中之 平^測自對應於該設計佈關案巾與—觀默 2〇.如請求項19所述之電腦可讀取之記錄媒體，其中該掃描影像是利用 17 201235635 一電子束檢測工具掃描該晶圓之一表面所獲得。 如請求項π所述之電腦可讀取之記錄媒體，其中該設計佈局圖宰包 卜圖形資料系統(GDS)或-開放式作品系統交換標準(〇α 者 接繪製於該掃描影像。 ）次者直 項丨9所狀賴可棘之記錄，其巾财界包含該掃描 影像中靠近棘計佈局圖案之翻區域之多個邊界像素， 2含灰階值大於-參考值之多個像素，邊界 值 周圍區域巾構值、大機參考值〇崎奴平均值賴參考^之」 特定像素，或者偏移該特定像素一預定值之像素。 23.=請求項19所述之電腦可讀取之記錄媒體，其巾侧注區域 種型式之欲量測關鍵尺寸。 24·如請求項19所述之魏可讀取之記錄媒體，射獨型式之 尺寸疋以相對應的運算器所決定。 25.如請求項19所述之電腦可讀取之記錄媒體，其中該關鍵尺寸之型式 包含線寬、線距、跡線之轉角寬度、導電接點之短軸寬度、導電接點之 長軸寬度、導電接點之餘、導雜關之間距或跡線與導 間 間距。 ’’ 26_ —種監測製程均勻度之系統，包含： -帶電粒子束探針產生H，其用以產生—帶電粒子束探針 一晶圓之 -帶電粒子束偏向模組’其用以將該帶錄子束探針掃描 至少一關注區域之一表面； -影像形成裝置，其用以侧經該帶電粒子束探針絲而自該關注 Ϊ域表面放射出之二次帶電粒子’以及形成至少—相對應之掃描影 一監測模組，其與該影像形成裝置齡，且記錄-電聲式，該電 腦程式實現-監測製程均勻度之方法，其中該方法包含： 將該掃描影像與至少—設計佈局圖案贿，以找出該掃描影像 201235635 中之多個邊界；以及 平均量測自對應於該設計佈局圖案中與一特定型式之關鍵尺寸 相關聯之一圖案之一或多個該邊界間之距離，以獲得該晶圓中全部晶粒 之關鍵尺寸值。 27.如請求項26所述之監測製程均勻度之系統，其中該設計佈局圖案包 含一圖形資料系統(GDS)或一開放式作品系統交換標準(〇ASIS)，或者直 接繪製於該掃描影像。 求項％崎之監_輯自度之_，料财界包含該掃描 3==佈==陳乡靖W，射該周圍區 多個像素，且該邊界像素為灰階值等於該 轉考值之多個像素之平均《該參考值之-特足像素，或者偏移邊特定像素一預定值之像素。 29.如請求項26所述之監測製程均勾度之 種型式之欲量測關鍵尺寸。 ”〒及關，主£域包含多 其中不同型式之該關鍵 30.如請求項26所述之監剛製程均句度之 尺寸是以相對應的運算器所決定。 31.如請求項％所述之監蜊製程 / 包含線寬、線距、崎之轉肖寬/ ^之錢’其中侧鍵尺寸之型式 長軸寬度、導電接點之餘、道^電接點之短軸寬度、導電接點之 間距。 導級闕之服镇線鱗f接點間之