201234690 、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有雙層聚合物層底元件的機電轉 換器，及其製造方法。本發明進一步同樣係關於此一 機電轉換器的用途。 【先前技術】 機電轉換器使用某些材料因應施加機械負載來產 生電位的能力。此特性稱為壓電性。被建立的壓電材 料係為鈦酸鉛锆（PZT )以及譬如聚偏二氟乙烯 (PVDF)的氟化聚合物。壓電行為同樣可在泡沫化、 閉孔的聚丙烯中被觀察到。為了得到壓電性，此一聚 丙烯泡沫會在強電場中被充電。結果，電擊穿會發生 於孔洞内，以產生巨型電耦並且巨觀地將該材料極 化。此聚丙烯鐵介電體會具有每牛頓數百微微庫倫的 壓電係數。為了進一步增加感應器動作的敏感度，包 含複數泡沫彼此堆疊其上的多層系統則會被研發。
Gerhard等人（在電性絕緣與介質現象的2007年 度報告會議，頁數453至456)說明了三層鐵介電體， 其中藉由以機械或雷射為主鑽孔之提供具有複數個均 勻穿孔的聚四氟乙烯薄膜，其係會被排列於兩均勻聚 全氟乙丙烯膜之間。 具有均勻尺寸與結構之圓筒形孔隙之鐵介電體的 有利簡單生產方法，其係已經由R.A.P.Alafim， 4 201234690 X.Qiu,W. Wirges, R.Gerhard, R.A.C. Altafim, H.C.Basso，W.Jenninger 與 J.Wagner 而說明於文章、、具 有圓筒形通道之以樣板為主的聚全氟乙丙烯壓電介電 體，以用於轉換器應用〃中，其係被公認於應用物理 的期刊刊物中。在此所說明的方法中，兩FEP薄膜 (FEP:過聚全氟乙丙烯共聚化物）與中間PTFE遮罩 薄膜的三明治排列會被首先準備。最終產生的薄膜堆 疊會被疊層，FEP薄膜會被接合在一起，且遮罩薄膜 隨後會被移除，以便釋放孔隙。 特定鐵電轉換器中的機電轉換器，會持續增加關 於商業應用的利益，例如用於感應器與促動器系統。 關於經濟，重要的是，生產方法可用工業規格來使用。 於是，本發明之目標係為提供在開始時所提及的 那種機電轉換器及其製造方法，其係可甚至以商業與 工業規格而簡單且便宜地實施。 【發明内容】 根據本發明，該目標可使用機電轉換器來得到， 其係包含具有孔隙形成於其中的聚合物複合層，其中 聚合物複合層至少包含 -一聚合物層底元件，其係包含具有軟化溫度TgA 的載體層以及具有軟化溫度TgE又延伸接合的介電體 層，其中載體層的軟化溫度TgA>TgE，介電體層的軟 化溫度（TgA > TgE )以及 201234690 -一第二聚合物層元件， 而且該聚合物底元件以其介電體層而至少部份接 合到具有孔隙形成的第二聚合物層元件。 換句話說，根據本發明所設計的聚合物複合層包 含聚合物膜，特別是聚合物薄膜，其係以層而彼此排 列於其上，且在每一情形中，孔隙則可被至少形成在 兩聚合物薄膜之間。該聚合物薄膜會被一起接合在孔 隙之間。本發明的基本構件係為至少聚合物層底元件 是包含載體層與介電體層的雙層聚合物合成物。 軟化溫度同樣被稱為玻璃轉移温度，其係並且為 非晶形聚合物從液體或橡膠彈性、可撓性狀態改變為 像玻璃或硬式彈性、易脆狀態的溫度。根據本發明， 聚合物層之軟化溫度Tg的指定值與範圍，其係在可應 用之處同樣包括混合相聚合物層的融化溫度，特別是 半晶形聚合物材料。 根據本發明所設計的聚合物層底元件係為包含兩 聚合物層的雙層結構，特別是不同聚合物材料的聚合 物膜，該介電體層的聚合物材料具有比載體層之聚合 物材料更低的軟化溫度TgE。根據本發明，聚合物層 底元件同樣稱為底元件。底元件較佳地由連續聚合物 層所形成，特別是聚合物膜。不過，例如在介電體層 中的底元件亦可具有開口。 根據本發明，載體層進行介電體層的裝載與支撐 功能，其係並且將足夠的機械與熱穩定性有利地給予 6 201234690 被隨意架構的底元件，且同樣地給予1 層元件的最終產生聚合物複合層。合物 根據本發明，介電體層例如合 表面上、到載體層、並且根 储存特性的聚合物材料所形成。由何 能，介^體心賴㈣不具 々人^ a牙地，吾人可發現，且右扣秘1 計之結構以及具有良好壓電特性的機 會有利地呈現在該些聚合物層之間的特別良:黏著： 以及特別良好機械穩定性。在根據本發日㈣設計的社 構中，載體層會提供必要的機械與熱穩定性。有利地二 藉由使用在該合成物中的載體層，亦可能可使用在聚 合物層底70件+具有良好介_雜的|賴料來形 成機電轉換器。於是，介電_财根據本發明來選 出’以用於它們特別適合的電荷儲存特性，其係因為 必要的機械穩定性可從載體層得f卜根據本發明所設 計之用於，電轉換H之特別有利特性的組合其係可 相應地以簡單方式來得到。 【實施方式】 在本發月的實施例中’在根據本發明所設計之聚 合物層底元件中的聚合物騎料可被如此選出，以致 於載體層TgA的軟化溫度至少，例如腕，高 於”電體層TgE的軟化溫度。這會有助於將聚合物層 201234690 底元件接合到第二聚合物層元件，特別藉由堆疊方 法。有利的是，介電體層可同時充當做黏著層；另一 方面，載體層可保留充分的機械穩定性，且在可應用 之處，亦可支撐該底元件的三維結構。 根據本發明，載體層原則上係由聚合物或聚合物 混合物所形成或包含，其係允許介電體層的適當接合 並且呈現足夠的載體功能以及相應的機械與熱穩定 性。例如，在本發明之有利實施例的上下文内，載體 層可包含或由從聚四氟乙烯（PTFE)、聚碳酸酯與那 些聚合物混合物所組成群組所選出的至少一聚合物來 形成。 在本發明的上下文内，介電體層原則上可由適合 長期（例如數月或年）維持電荷的任何聚合物或聚合 物混合物所形成。根據本發明，介電體層較佳地包含 或由從聚碳酸酯、全氟化或部份氟化聚合物與共聚合 物（譬如聚四氟乙烯（PTFE)、聚全氟乙丙烯（FEP)、 過氟烷氧基乙烯（PFA))、聚酯（譬如聚乙烯對苯二 曱酸酯（PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN))、聚亞 醯胺（特別是聚醚亞醯胺）、聚醚、聚曱基丙烯酸曱酯、 環烯烴聚合物、環烯烴共聚合物（COC)、聚烯烴（譬 如聚丙烯）與這些聚合物之混合所組成群組選出的至 少一聚合物所形成。此些聚合物可有利地維持長期被 引入的一極化。 在本發明進一步實施例的上下文内，在最後完成 8 201234690 的機電轉換器中，載體層具有從26μπι至$125μπι的 層厚度，較佳地從g 1 Ομιη至S 1 ()0μιη，例如從2 15μπι 至€75μιη，以及/或者介電體層具有從26μιη至 S 125μπι，較佳地從2 ΙΟμιη至S ΙΟΟμιη，例如從 215μιη至$75μιη的層厚度，以及/或者包含載體層與 介電體層的聚合物層底元件可具有從2 20μιη至 S 250μιη，較佳地從g 30μιη至S 150μιη，例如從 g 50μιη至S ΙΟΟμιη的總層厚度。 在另一實施例中，相對於載體層的層厚度，介電 體層的層厚度更薄。額外地，載體層係由更便宜的材 料製成。相較於不具有載體層之單一、沒有支撐的介 電體層，根據本發明地使根據本發明所設計之介電體 層的每一層比在不具有載體層的實施例更薄是額外可 能的，其係因為載體層可提供必要的穩定性。因此， 介電體層可根據本發明以明顯更節省材料的方式來架 構。於是，結果所產生的機電轉換器製造起來會更便 宜，同時具有同等良好或甚至更改善的機電與機械特 性。 在本發明的另一實施例中，第二聚合物層元件包 含具有開口的至少一第一聚合物層以及一連續聚合物 層，也就是說在該層内不具有開口或孔隙。換句話說， 聚合物層結構可根據本發明來提供，其係呈三明治結 構形式，其係包含至少一聚合物層底元件、連續聚合 物層與具有開口的中間聚合物層。具有開口的聚合物 9 201234690 層可整體性地將彈性給予該排列，並且使其沿著其厚 度而更柔軟。壓電常數d33以及相應地機電轉換器的靈 敏度則可因此增加。 在本發明進一步實施例的上下文内，第二聚合物 層元件包含或呈至少一第二聚合物層底元件的形式， 其係包含具有軟化溫度TgA的載體層以及具有軟化溫 度TgE又延伸接合的介電體層，其中TgA>TgE。換句 話說，根據本發明，例如，兩聚合物層底元件可能可 一起形成具有孔隙形成於其中的聚合物合成物。該介 電體層較佳地會被彼此直接接合。 根據本發明，在本實施例的上下文内，兩等同聚 合物層可能可一起形成聚合物合成物。在本情形中， 相應的聚合物層每一個皆可由相同的聚合物材料組 成。於是，例如，兩底元件的介電體層則可由相同材 料製成。這會相等地應用於在本實施例中的載體層。 假如介電體層彼此面對的話，根據本發明，較佳地， 這會有利地造成諸層特別良好的接合能力，並且相應 地造成該接合的改善機械穩定性。 本發明等同地包括一架構，其中由不同聚合物層 所組成的兩不同聚合物層底元件，也就是說載體與/或 介電體層，可一起形成聚合物複合層。在兩底元件中， 可能可例如使用相同的載體層，或具有相同或不同軟 化溫度TgE的不同介電體層，或者反之亦然。結果， 根據本發明，可能可有利地簡單調整例如關於結果所 201234690 ί2電轉換器之特定應用的必要與希望特性。根據 例如第一底元件會具有特別適當能夠儲存正 介電體層’同時第二底元件會具有特別適當能 夠儲存負電荷的介電體層，而且反之亦然。於是，結 果所產生機電轉換器的電馳因此會被最佳化。 在替代性實施例的上下文内，根據本發明，例如 有包含具有擁有開口之中間聚合物層之兩聚合物層底 元件的三㈣制可被提供當作聚合物複合層。換句 話說第一聚合物層元件係由具有開口的聚合物層以 及第二底元件所形成。在本情形中，每一介電體層較 佳地可被接合到具有開口的中間聚合物層。於是，開 口可較佳地藉由介電體層而隨後被封閉，以形成孔 隙。在此一聚合物複合層中，載體層因此可形成聚合 物層底元件的邊側’其係會遠離具有開口之層。也在 本實施例中，底元件係為相等或不同。 具有開口的聚合物層可例如包含或由熱塑性彈性 體形成’譬如熱塑性聚氨g旨或熱塑性聚醋。此些材料 係有利地特別適用於允許孔隙中的極化製程，並且在 充電製程以後將形成在聚合物膜中的電荷層分開，例 如它們會具有低導電性。改善的彈性因此在排列上可 被整體性地考量。此外，聚合物複合層可根據其柔軟 度而被調整。結果，壓電常數d33以及相應地機電轉換 器的敏感度可被進一步增加。 在本發明進一步實施例的上下文内，具有開口的 11 201234690 聚合物層會具有軟化溫度TgB ’其係低於底元件之相 鄰聚合物層的各別軟化溫度’例如，低於介電體層的 各別軟化溫度TgE，以致於具有開口的中間層可額外 地充當做黏著層’以例如用來接合介電體層。 在根據本發明所設計之機電轉換器之進一步實施 例的上下文内’具有開口的第一聚合物層可具有從 2 ΙΟμιη至$250μΐη的層厚度。特別是，具有開口的第 一聚合物層可具有從^50μιη至$15〇μπι、較佳地從 2 75μιη至S ΙΟΟμιη的層厚度。 具有開口之聚合物層的開D可根據本發明而具有 相同或不同形狀。在根據本發明所設計之機電轉換器 的實施例中’至少-些開σ為不具有圓形面積的形狀。 藉由結合具有不同形狀的開口，一方面可能可有 利地將結果所產生孔隙的總孔隙體積最大化且另一 方面，可隨意地將機電轉換器的機電（特別是壓電） 特性適用於一特定應用》 J開口可均勻或非均勻地分佈於具有機電轉換器 開口的聚合物層中。特別是，在具有開口之第一聚合 物層中的開口可被均勻分蚀 _ 佈不過，依據欲被製造之 機電轉換的應用領域，亦可古 j Γ有利故意地以空間分辨 的方式將開口非均勻地分佑 刀佈於具有開口的聚合物層 中。 過具有開口的聚合物層層= : = :聚:= 12 201234690 方向，特別是聚合物層底元件的介電體層。具有開口 的至少第一聚合物層會具有複數個第一形狀的開口， 以及複數個第二形狀的開口，而且在適當之處，複數 個第三形狀的開口以及其它等等。 在本發明的上下文内，一些或全部開口例如是具 有截面面積的形狀，其係從由實質圓（例如圓形、橢 圓或卵形）、多角形（例如三角形、矩形、梯形、長菱 形、五角形、六角形（特別是蜂巢形狀、交叉形狀、 星形）、以及部份圓形且部份多角形（例如s形截面面 積）所組成群組選出。具有開口之層的開口例如同樣 地具有蜂巢形狀的截面面積，或者以蜂巢方式來架構 與/或排列。該開口的蜂巢架構與排列一方面會造成非 常大的總孔隙體積。另一方面，特別高的機械穩定性 則可具有該開口的蜂巢架構與排列來得到。 在具有開口之聚合物層的全部開口中，截面面積 的尺寸係為相同或不同。從該開口所形成之開口與孔 隙，其係以具有小表面面積的形狀來架構，譬如線， 例如幾何圖的彎曲或直、單或交叉線或圓周線，例如 一截面的圓線或圓周線，或者呈具有更大表面面積之 結構的形式，譬如矩形、圓形、交叉以及其它等等。 該些孔隙的形狀與尺寸可被較佳如此調整，以致於第 一與第二連續聚合物層，特別是聚合物薄膜，無法彼 此接觸與該層前進垂直之孔隙的裡面，以及/或者在機 電轉換器製造以後所得到的總孔隙體積則會儘可能地 13 201234690 大。換句話說，藉由極化而被施加到孔隙内表面的正 與負電荷應該特別無法接觸。 在根據本發明所設計之機電轉換器的另一實施例 中，聚合物層底元件以及/或者第二聚合物層元件可被 結構化，特別是被三維成形，以便用具有凸塊與/或凹 陷之垂直剖面的形成來形成孔隙於聚合物複合層。由 於孔隙的可能不同架構，可能可易變地將共振頻率與 壓電活動以及特別的壓電常數d33調整成特定應用。有 利地，用根據本發明所製造的聚合物複合層系統，可 能可得到甚至用於更大表面面積之高又均勻的壓電係 數。原則上，這會開啟用於這些機電轉換器的許多應 用。 根據本發明所設計之機電轉換器較佳地進一步包 含兩電極，特別是電極層，一電極接觸聚合物層底元 件的載體層，且另一電極接觸第二聚合物層元件，在 每一情形中，在遠離聚合物層底元件的表面側上。 根據本發明所設計的機電轉換器亦可包含具有孔 隙形成於其中的兩或更多聚合物複合層，其係將一個 堆疊於另一個頂部，且其中每一個均包含聚合物層底 元件與第二聚合物層元件。換句話說，一堆疊可根據 本發明而從兩或更多聚合物合成物來形成，其係呈單 一排列的方式，聚合物合成物則已經選擇性地提供具 有電極以及/或者以相反電荷來極化。 例如，以一個在另一個上面之堆疊來排列的個別 14 201234690 聚合物複合層係為三明治排列，其中第二聚合物層元 件係由具有開口的聚合物層與第二聚合物層底元件所 形成，且其中具有開口的聚合物層則會被排列在第一 與第二聚合物層底元件的介電體層之間。具有開口之 聚合物層的開口，其係藉由第一聚合物層底元件的介 電體層而在一側並且藉由第二聚合物層底元件的介電 體層而在另一側關閉，以形成孔隙。因此，成堆疊之 第一聚合物複合層的載體層與第二聚合物複合層的載 體層每一個均可能可接觸電極。較佳地，不同各別排 列的兩相鄰聚合物層會呈現相同的電荷極化。特別 地，兩相鄰聚合物層，例如不同各別排列的載體層會 接觸相同電極。 根據本發明，以上所說明的種種實施例可彼此結 合地隨意實施。相關於根據本發明所設計之機電轉換 器的進一步特徵，對該解釋所進行的明確參考，其係 會結合根據本發明所設計的方法與根據本發明的用途 來產生。 本發明進一步係關於用來製造機電轉換器的方 法，特別是根據以上所說明單獨或彼此結合之種種實 施例而設計的機電轉換器。 用來製造至少包含具有孔隙形成其中之聚合物複 合層之機電轉換器之根據本發明所設計的方法包含以 下步驟： A)提供一聚合物層底元件，其係包含具有軟化 15 201234690 溫度TgA的载體層以及具有軟化溫度TgE又延伸接合 的介電雜層’其中TgA>TgE， B) 提供一第二聚合物層元件， C) 將該聚合物層底元件排列在第二聚合物層元件 上，該介電體層則面對第二聚合物層元件；以及 D) 藉由疊層，將聚合物層底元件接合到第二聚 合物層元件’以形成具有孔隙形成於其中的聚合物複 合層’所選出的疊層溫度TL則會低於軟化溫度TgA在 且大於或等於軟化溫度TgE。 根據本發明所設計的方法既便宜又簡單攜帶，其 係因為被建立的製程步驟可用較少的修改來使用。令 人驚評地’特別機械性穩定並且具有良好壓電特性的 機電轉換器可藉由根據本發明之方法來得到。有利 地’該聚合物層之根據本發明所設計的選擇，特別是 在聚合物層底元件的介電體層，其係具有相較於載體 層更低的軟化溫度TgE，以促進聚合物複合層的疊層 並且特別允許聚合物層彼此之間的良好接合。 該疊層溫度可較佳地如此選擇，以致於它能夠接 近介電體層的軟化溫度TgE。介電體層ΛΤ (TL、TE) 之疊層溫度TL與軟化溫度TgE之間的溫度差會小於 10°C，較佳地小於5°C。根據本發明，TL<TgA且 Tl$tSe則會應用於該疊層溫度。 在根據本發明所設計的方法變數中，在聚合物層 底元件之步驟A)中的提供，包含載體層與介電體層 201234690 又延伸接合，其係吁藉由共擠壓戒藉由溶劑鑄造技術 來實施。這些膜製造的基本建立方法可根據本發明而 被輕易地使用，而真此外可被有利地自動化。 在根據本發明所設計之方法之另一實施例的上下 文内’步驟A)以及/或者步驟B)可包含聚合物層底 元件以及/或者第二聚合物層元件的結構化以及/或者 三維成形，以便形成垂直輪廓，也就是說，以便形成 凸塊與凹痕。這可例如藉由壓印製程而生效。該壓印 製程可使用結構化滚筒或藉由壓印打印機而等同較佳 地實施。當使用結構化滾筒且當使用結構化壓印打印 機兩者時’在每一情形中的垂直輪廊可被傳送到聚合 物層。亦可能可將正或負形式施加到壓印工具（也就 是說’滾筒或壓印打印機）的表面，以及/或者將該結 構化二維地傳送到聚合物層底元件以及/或者第二聚 &物層元件或者僅僅到聚合物層的一表面側，例如介 電體層。結構化可直接在聚合物層突出以後或者例如 以在熱壓印中的各別製程來實施。同樣被包括在本發 明中的係為藉由壓印工具之兩表面側之各別聚合物層 元件與/或各別聚合物膜的加工處理。例如，聚合物層 底元件與/或第二聚合物層元件可被壓印並因此在每 一情形中使用結構化滾筒從上與下側被結構化。 在本發明之另一替代性實施例中，在步驟A)或 步驟B)中聚合物層元件與/或聚合物膜的結構化，其 係可藉由隨意加熱聚合物層或聚合物層元件的變形來 17 201234690 實施，也就是說，底元件或第二聚合物層元件，' 力之施加，例如藉由壓縮空氣或另一氣體，以且以壓 意事先回火輪廓嵌入的鑄模工具。例如，聚合知 ^ 件可被加熱到接近其聚合物層之至少其中―彳固，9 & 載體層之軟化溫度的溫度（玻璃轉移溫度），並且t如 可藉由受到從220至$300巴的壓縮空氣而突=後 形。例如’聚碳酸酯薄膜（例如從拜耳材料科學 的Macrofol)可被加熱到僅僅低於在13〇__14(rc的玻 璃轉移溫度以下。該薄膜隨後會受到在250巴的屋縮 空軋並且被_壓到鑄模工具上並且能夠適合該工具的 輪廓並且永久變形。根據本發明，這可同樣地被傳送 到雙層聚合物層底元件以及/或者第二聚合物層元件。 所提及的結構化變數具有該優點，亦即是，它可 能可準確地根據位置，將希望的輪廓傳送到聚合物 層’特別是聚合物薄膜。隨後被形成在聚合物複合層 中，孔隙形狀與尺寸兩者，其係可用以上所說明的方 法4乎自&地有利地選[並且依據所選㈣聚合物 層材料與它們特性與各職厚度㈣合希望應用的希 ^機械與電性需求條件。卿纽隙之聚合物層特性 二形狀，維度之級合’其係會被如此選擇，以致於被 2的薄膜部份無法在任何應用中接觸。所提及的結 m会會具有進一步優點，亦即，它們可被自動化 並且隨後以連續製程來實施。 在另—實施例中，該方法進一步包含方法步驟 201234690 E) :以相反電荷將在方法步驟D)中所得到的排列 電，特別是形成在聚合物複合層中之孔隙的内表面 充電可例如藉由摩擦電荷、電子束轟擊、電壓到現存 電極的施加或電暈放電來實施。特別是，充電可夢 兩電極電暈排列來實施。尖端電壓至少$ 2〇kV，例如 至少225kV，特別至少$30kV。該充電時間至少 秒，例如至少g 30秒，特別至少g i分鐘。電暈^王 亦可有利地被大規模成功使用。 A里 在步驟E)中形成於聚合物複合層之孔隙之内 面的充電以前與/或以後，該方法進一步包含方法牛· F) :將電極施加到聚合物層底元件，制是到較$ 續載體層，以及將電極施加到第二聚合物層元 過’在本發明的上下文内’該f極可同樣地已經連同 聚合物層底元件與/或第二聚合物層元件來提供，特別 在每一情形中可被形成於上。 該電極可藉由那些熟諳該技藝者已知的方法來施 加適*的方法例如係為被建立的方法，譬如藏射、 喷塗、蒸汽沈積、化學蒸汽沈積（CVD)、印刷、到刀 應用、旋塗。該些電極亦可用事先製造的形式來黏著 接合。 該電極材料係為那些熟諳該技藝者所已知的傳導 材料。為了那目的，會有例如適合的金屬、金屬合金、 t導體、傳導募聚合物或聚合物（譬如聚赛吩、聚苯 &比P各）、傳導氡化物或混合氧化物（譬如氣化銦 201234690 =2〇))、或充填以傳導填充物的聚合物。用於充填 撼值^物之聚合物的適當填杨㈣包括金屬、依 奴（例如黑碳、碳奈米管（cnt))或傳導寡聚 物的材料。該些聚合物的填充物内容較佳 連禅界值以上’其魏為該料填充物會形成 連續的導電路徑。 蜂;發8㈣上下文Θ，該些電_可被結構化。 曰抱極可例如呈傳導塗層的形式，其係呈條帶或 :形式。因此，額外可能可影響機電轉換器的敏感 二椹：使其適°特疋應用。例如，該些電極可被如此 、:構化，以便轉換器能夠具有主動與被動區域。特別 =該些電極可被如此結構化，以致於特別在感應器 模式中，訊號能夠以空間分辨的方式以及/或者特別以 促動器模式被檢測出，而該主動區域則可被故意地觸 動。這可例如藉由提供具有電極的主動區域來得到， 同時該被動區域不會具有電極。 在根據本發明所設計之方法的另一實施例中，步 驟八）、8)、（：）、〇)、^)以及/或者1?)可以連續滾筒 對滾筒方法來特別實施。有利地，該機電轉換器的製 造於是可至少部份地以連續方法來實施，較佳地以滾 筒對滾筒的方法。對以商業與工業規格來使用該方法 而言，這特別有利。至少部份製造方法的自動化會簡 化被提供的方法，並且允許機電（特別是壓電）轉換 器的不昂貴製造。根據本發明，有利地，該方法的所 201234690 有步驟可禁得起自動化。 在根據本發明所設計之進一步方法變數的上下文 内’方法步驟G)可包含將在方法步驟D)、E)或者 F)中所得到的兩或更多排列一個堆疊在另一個頂部 上°換句話說’堆疊可有利地從根據本發明所設計的 兩或更多聚合物合成物來形成，其係已隨意地提供具 有電極並且極化。 相關於根據本發明所設計之方法的進一步特徵， 可詳盡參考結合根據本發明所設計之機電轉換器與其 用途而產生的解釋。 本發明進一 钕供將根據本發明所設計之機電 (特別是壓電）轉換H使时作例如在機賴/或電聲 扇形片中的感應器、產生器與/或促動器。特別是，根 據本發明所設計的機電轉換器，其係可被使用於在^ 機械振動（能量採集）、音波、超聲波、醫療診斷、立 波顯微鏡、機械感應器系統（特別是壓力、力二 應變感應器系統）、機械人與/或溝通技術所得到2 的領域中，制是在势八、振動轉換器、光偏二里 半透膜、纖維光學的調制器、熱釋電檢测器、雷^ 與控制系統。 €谷益 相關於根據本發明所設計之用途的進— 可詳盡參考結合根據本發明所設計之方法與舻j徵， 明所設計之機電轉換器而產生的解釋。>、x據本發 21 201234690 【圖式簡單說明】 根據本發明的製造以及例如根據本發明所設計之 壓電轉換器的機電結構，其係可參考附圖、附圖的以 下說明與以下的測試說明而更詳細地解釋。要注意的 是，該些圖式與測試說明在本質上僅僅用於說明，其 係並不打算以任何方式來限制本發明。 在該圖式中： 圖1顯示貫穿聚合物層底元件的概略截面圖； 圖2顯示貫穿第二聚合物層元件實施例的概略截 面圖； 圖3a顯示貫穿聚合物複合層的概略截面圖，其係 呈三明治排列的形式，擁有兩聚合物底元件以及具有 開口的中間聚合物層； 圖3b顯示在充電製程以後、貫穿在圖3a所示排 列的概略截面圖； 圖3c顯示在充電製程以後與施加電極以後、貫穿 在圖3b所示排列的概略截面圖； 圖4顯示貫穿機電轉換器的概略截面圖，其係包 含接合到尚未被架構底元件的三維結構化底元件。 圖1顯示貫穿聚合物層底元件1的概略截面圖， 其係包含具有軟化溫度TgA的載體層la，以及具有軟 化溫度TgE又延伸接合的介電體層lb。圖1顯示聚合 物層底元件1係為雙層聚合物元件，其中聚合物層， 也就是載體層la與介電體層lb會被較佳連續形成， 22 201234690 也就是說，實質沒有開口或氣包體。根據本發明，介 電體層lb的軟化溫度TgE會低於載體層la的軟化溫 度TgA。於是，載體層的聚合物材料可提供熱與機械 穩定性，同時介電體層lb可被如此形成，以致於一方 面它能夠有利地當作用於進一步聚合物層元件的黏著 層，且另一方面可提供良好的電荷儲存特性。藉由根 據本發明所設計的此雙層底元件1，因此，彼此結合 的有利特性可被引入到聚合物合成物内，特別是壓電 轉換器。 圖2顯示貫穿第二聚合物層元件2實施例的概略 截面圖。此聚合物層元件2形成聚合物複合層，其係 包含聚合物層底元件以及與之接合、具有開口 4的聚 合物層3。圖2顯示在第二聚合物層元件2之此實施 例中之聚合物層底元件1會以其介電體層lb接合到具 有開口 4的聚合物層3。 圖3a顯示貫穿聚合物複合層的概略截面圖，其係 呈三明治排列形式，其係包含兩聚合物層底元件1以 及具有開口 4的中間聚合物層。換句話說，在本實施 例中之根據本發明所設計的第二聚合物層元件2,會 包含具有開口 4的聚合物層3，以及與之接合的第二 聚合物層底元件1。圖3a顯示在該聚合物複合層中的 兩聚合物層底元件1會以它們的介電體層lb而接合到 具有開口 4的聚合物層3。聚合物層3的開口 4係由 在一側上之第一底元件1的介電體層lb並且藉由在另 23 201234690 以形成 之第二底元件1的介電體層】b所闕閉 驟E)之極』發明所設計之根據該方法步 圖。圖3b顯示在第一連所示排列的概略截面 及在第二連續介電體層1介上電的體/電=上的負電荷以 且被局部化。因為介電體層二=:可彼此隔開並 以用於它們良好的電荷儲存了根f本發明來選出， 電轉換器的特別良好壓電特性可=結果所產生機 化可在此連結中得到，其因此而得到。最佳 :::’且其:-個_於=:=: 儲存且::地’一用於負電荷的特： 在該充電方法以後與在施加電極6_ 件1的葡二不？列的概略截面圖。第一與第二底元 比、載《 h每一個會接觸電極6。電極6每—個 在第，與第二載體層la之表面側上的電極層形 :’其係被排列在遠離具有開口 4之聚合物層3的 a物層底元件丨邊側上。 圖4顯示貫穿根據本發明所設計之機電轉換器的 概略截面圖’其係包含接合到沒被結構化底元件1的 二^結構化底元件10。圖4顯示兩底元件卜10彼此 接，，其係較佳藉由疊層，它們的介電體層lb、i〇b 會彼此面對，以形成孔隙5。根據本發明，兩底元件1、 24 201234690 10的載體層la、i〇a 洛/々土 倾層lb、1%可由相 的介電體層lb i 物材料 介電體層1b、⑽的情形中，有選擇第一:構;^同 可而特別適當儲存正電荷之聚合物材二 電體層10b，而且相較之下，第二底元件i 層lb則可從特別適當儲存負電荷的聚合物材】】 成，結果所產生機電轉換器的電性特性則會被最佳 化。第一底元件10的結構化則會例如藉由壓^方 得到。 / 實例1 壓電轉換器的製造 就具有全厚度60μιη的第一與第二連續聚合物層 底元件而言，有製造在每一情形中與載體層相同聚碳 酸酯APEC (具有軟化溫度TgA=18〇°C與厚度5〇μιη) 以及在每一情形中與介電體層相同聚碳酸酯 Makrolon®3108 (具有軟化洛·度TgE=i5〇°c與厚度 ΙΟμιη)的共擠壓物。第一聚合物層底元件會藉由滚筒 壓印而被三維架構，以形成燊直輪廓，然而當作第二 聚合物層元件的第二底元件則會被予以平坦且未架 構。它們的介電層彼此面對的該兩底元件會以孔隙之 形成、藉由在140°C的疊層而接合在一起，以致於能 25 201234690 夠得到如圖3所示的聚合物複合層。為了將該排列充 電，可選擇在30kV、60秒的電暈處理，以造成在所 孔隙的帕中放電’以及在相對聚合物層上之相反 電荷的形成。假如根據本發明將壓力施加在該排列上 的活，則可製造電壓。70pC/N的壓電常數d33則會被 知到。聚合物複合層會對彼此呈現令人驚訝的良好機 械穩定性、良好聚合物層的黏著性以及良妤的壓電特 性。 實例2 根據本發明所設計之聚合物層底元件的製造 為了製造底元件，具有軟化溫度TgA=18(TC的聚 碳酸酯膜APEC以及具有軟化溫度TgE=i7(Tc之環烯 烴共聚化物（COC)的聚合物臈會被共擠壓。可得到 具有全厚度60μιη的底元件，具有厚度5〇μιη的載體層 以及具有厚度ΙΟμιη的介電體層。環烯烴共聚化物 (COC )具有特別良好的電荷儲存特性，但卻傾向於 易脆，以致於其使用性會被正常受限。令人驚訝地， 可能可藉由使用在聚合物層底元件中的載體層而根據 本發明來克服此，以致於環烯烴共聚化物的傑出介電 體特性可根據本發明結合良好機械與熱特性而被轉換 成機電轉換器。 、 26 201234690 【主要元件符號說明】 1聚合物層底元件 la載體層 lb介電體層 2第二聚合物層元件 3聚合物層 4開口 5孔隙 6電極 10三維結構化底元件 l〇a載體層 10b介電體層 TgA軟化溫度 TgE軟化溫度 27