TW201230438A - Method of fabricating organic light emitting diode display device - Google Patents

Description

201230438 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED) 顯不裝置’尤其涉及一種製造有機發光二極體(〇LED)顯示裝置的方法，該 方法可阻止蔭蔽遮罩的劣化。 【先前技術】 在多種平面顯示裝置(flat panel display，FPD)中，有機發光二極體(0LED) 顯示裝置具有相對高的亮度以及相對低的驅動電壓。此外，由於該〇LED 顯示裝置具有從自身發射光線的自發光型，該〇LED顯示裝置具有相對高 的對比度與相對纖薄的外形。該0LED顯示裝置由於一數微秒的回應時 間，在顯示動態影像上具有優勢β進一步地，該〇LED顯示裝置在可視角 度上沒有限制’且即使在低溫中也具有穩定性。由於該〇LED顯示裝置係 為使用低電壓的直流電（DC) 5V至DC15V驅動，此易於設計與製造驅動 電路。除此之外，由於沉積裝置與封裝裝置皆為製造該〇LED顯示裝置所 必須的，因此，該0LED顯示裝置的製造過程非常簡單。 第1圖為顯示依據習知技術之有機發光二極體顯示裝置的平面圖。在 第1圖中，依據習知技術的有機發光二極體(〇LED)顯示裝置1〇，包含：排 列為條紋狀的第一子像素SP卜第二子像素SP2以及第三子像素Sp3。發射 紅色光的該第一子像素SP1沿著垂直方向安排在第一條紋S1中，發射綠色. 光的S玄第一子像素SP2沿著垂直方向安排在第二條紋S2中，發射藍色光的 該第三子像素SP3沿著垂直方向安排在第三條紋S3中。此外，該第一子像 素SP卜該第二子像素SP2以及該第三子像素sp3組成單一像素p。 藉由使用具有開口的蔭蔽遮罩以及環繞該開口的凸條沉積有機發光材 料’在各個第一子像素sp卜第二子像素SP2以及第三子像素sp3中形成 有機發光層。在第一子像素sp卜第二子像素SP2以及第三子像素sp3中 的有機發光材料皆蔽遮罩分開，轉由紐遮罩提升有機發光材料的 發光性能。 根據光線的韻方向，0LED顯稀置可分類為頂部發故與底部發 201230438 光式。由於蘭發光式OLED顯示裝置的開時大於底部發光式〇LED顯 ’ TIMM OLED _裝置得聽泛賴。然而，由於 用於頂部發光式OLED顯示裝置的_遮罩具有佔獅對較大的區域的開 口、以及具有相對較窄的寬度的凸條。結果是，當藉由使赌蔽遮罩沉積 有機發光㈣時’紐遮罩被劣化。例如，紐遮罩的開^被有機發光材 料阻塞’以至於減少開口的舰域，且相鄰的凸條相互接觸。 有機發光層可形成為多層H電酿人層、電贿輸層、發光材 料層與電子傳輸層，別地，該第—子像素、該第二子像素以及該第三子 像素的該電洞傳輸層具有互不相同的厚度。 &第2 B為顯；^依據習知技術之有機發光二極體顯示裝置的剖視圖。在 第2圖中。依據習知技術的有機發光二極體顯示裝置包含··像素p，且 -玄像素P具有第-子像素SP1、第二子像素Sp2以及第三子像素sp3，它 們分別對應於紅色、綠色、藍色。在各個第一子像素sp卜第二子像素sp2 以及第二子像素SP3中的有機發光二極體包含第一電極n、電洞注入層 (HIL) 13、電洞傳輸層(HTL) 16、發光材料層（£1) 24、電子傳輸層 (ETL) 30以及第二電極35。 電洞傳輸層16 &含第-電洞傳輸層10a、第二電洞傳輸層脱以及第 二電洞傳輸層16e，而發光材料層24具有第一發光材料層24a、第二發光 材料層24b以及第三發光材料層24c，它們分別發射紅色、綠色與藍色光線。 第-電洞傳輸層16a以相同的厚度形成在整個像素p中。第二電洞傳輸層 16b與第二電洞傳輸層16c以不同的厚度分別形成在第一子像素§ρι與第二 子像素SP2中。結果是，第一子像素spi的第一電洞傳輸層16a與第二電 洞傳輸層16b ’第二子像素SP2的第-電洞傳輸層16a與第三電洞傳輸層 16c以及第三子像素SP3的第一電洞傳輸層16a具有各不相同的厚度。 第一發光材料層24a、第二發光材料層24b與第三發光材料層24c具有 各不相同的發光效率。基於用於根據各個第一發光材料層24a、第二發光材 料層24b與第三發光材料層24c的發光效率使微腔效應最大化的光學厚 度，決定在各個第一子像素SP卜第二子像素SP2以及第三子像素sp3中 的電洞傳輸層16的厚度。 電洞注入層13與第一電洞傳輸層1如藉由使用具有對應於該整個像素 4 201230438 p的第一開口的第一蔭蔽遮罩，依序形成在第一電極u上。然後， 洞傳輸層16c藉由使用具有對應於該第二子像素SP2的 / 一 口 j乐—開口的第二蔭 蔽遮罩’形成在第-電洞傳輸層16a上’以及第二電洞傳輪層16 用具有對應於該第一子像素SP1的第三開口的第三蔭蔽遮罩，形成在第一 電洞傳輸層16a上。然後，第三發光材料層24c藉由使用具有對^於該 子像素SP3的第四開口的第四紐遮罩，形成在第—電洞傳輸層^上丁 以及第二發光材料層24b藉由使用具有對應於該第二子像素si^的第五開 口的第五蔭蔽遮罩，形成在第三電洞傳輸層16c上。此外，第一發光材二 層24a藉由使用具有對應於該第-子像素SP1的第六開口的第六陰蔽遮 罩，形成在第二電洞傳輸層16b上。然後，電子傳輸層3〇藉由使用^有對 應於該整個像素P的第七開口的第七蔭蔽遮罩，形成在第一發光^料層 24a、第二發光材料層24b與第三發光材料層24c上，且第二電極35係护 成於電子傳輸層30上。 ’、7 在依據習知技術的有機發光二極體顯示裝置中，由於第二電洞傳輸層 16b與第三電洞傳輸層16c分別地進一步形成在該第一子像素§ρι與該^二 子像素SP2中，對於有機發光層使用了更多的有機發光材料，且原^消耗 增加。此外’由於有機發光材料具有不_熱容、不同的炼點與不同的沸 .點’有j發光材料可殘留在蔭蔽遮罩上，以減小開口的區域，使得在藉由 使用蔭蔽遮罩沉積有機發光材料之後，相鄰凸條相互接觸。蔭蔽遮罩的開 口（即凸條接觸）的阻斷在後續沉積步驟中導致圖案化的劣化。 第3圖為顯示依據習知技術之用於形成有機發光二極體顯示裝置的子 像素的紐遮罩的平面圖，以及第4圖為顯示依據f知技術之驗形成有 機發光二極體顯示裝置的有機發光材料的相圖。在第3圖中，在_蔽遮罩 50用於"X積有機發光材料之前，陰蔽遮罩5〇包含：矩形的開口 、以及 圍，該開π OP的凸條仙。細，在紐遮罩5Q用於數次沉積有機發光 材料以形成第二電洞傳輸層⑽與第三電洞傳輸層I6e之後（第2圖），有 機發光材料殘留麵蔽遮罩5G上，且開口 〇ρ被所殘留的有機發光材料阻 斷，以至於相鄰凸條RB相互接觸。. 從材料學的觀點看，蔭蔽遮罩5〇的凸條接觸劣化與諸如熱容、熔點與 ’弗點等物理性質有關。在真空減鍍過程巾，有機發光材料的分子蒸鍍為 201230438 =且沉積於基板上^在第4圖中，有機發光材料在第—製程動朽下， ，著箭頭（A)從固態通過液態向氣態轉變，且該氣態的有機發光材料沉積 基板上二在錢發光材制分子峨態在基板上變為完全非活性態（即 〜、）之别彳機發光材料的分子具有活性態（即該液態），以在溫度週期 TPA中作為巾間態。由於活雜的分子之_為_反麟代了化學反應 而/、有弓丨力，活性態的分子的張力增加，所以活性態的分子可實現凝膠化。 由於紐遮罩5〇的相鄰凸條RB彼此相對靠近，一部分的活性態的分 子’由於物理反應而附著於凸條RB，同時賊遮罩5〇對齊於基板。由於 重複熱蒸鍍過程’附著於凸條RB的分子增加，所以凸條仙可相互接觸。 【發明内容】 種形成有機發光層的方法’包括：依次地配置一紐遮罩和一基板 於至y掛堝之上，該坩禍内具有第一有機材料和第二有機材料；以及加 熱該第-有機材料和該第二有機材料，以在該基板上形成該有機發光層， 其中該第二有機材料具有小於該第一有機材料的熱容及昇華的其中之一。 另一方面，一種製造有機發光二極體顯示裝置的方法，包括：在一第一 基板亡形成-閘極線、—資料線、—電源線、一開關薄膜電晶體、以及一 驅動，膜電晶體’該關賴電晶體連接至制極線及該資料線，以及該 驅動薄膜電晶體連接至關襲臈電晶體及該f源線；形成-第-電極， ，接至該驅動薄臈電晶體；通過—紐遮罩，藉由顏該第—有機材料和 °玄第一有機材料’在該第—電極上形成-有機發光層’該第二有機材料具 於該第—有機材料的熱容及昇華的其中之-；在該有機發光層上形成 一第一電極，該第一電極、該有機發光層以及該第二電極組成一有機發光 ’以及形成—第二基板至具有該有機發光二極體的該第一基板。 可以理解的是，上文的概括說明和下文的詳細說明都具有示例性和解 釋性’並;t®在於為本發明所提出的巾請專補g作進—步的麟說明。 【實施方式】 現在將詳細參考優選實施例及所附圖式中說明的實例詳細說明。 第5圖為顯示依據本發明實施例之有機發光二極體顯示裝置的子像素 201230438 的電路圖。 在第5圖中’有機發光二極體(〇LED)顯示裝置的子像素sp包括開關 溥膜電晶體（TFT) STr、驅動薄膜電晶體DTr、儲存電容Stg(：、以及 發光二極體E。沿著第-方向形成線GL，以及沿著第二方向 料 線DL。閘極線GL與資料線DL相互交又以定義子像素sp 源 PL以與資料線DL分隔開，用於提供電源。 又电愿琢 開關薄膜電晶體STr連接至閘極線GL與資料線DL，並且驅動薄膜電 晶體DTr連接至開關薄膜電晶體STr。此外，有機發光二極體μ接至驅 動薄膜電晶體DTr。例如，有機發光二極體Ε的第_電極可連接至驅動薄 膜電晶體DTr岐極，並且有機發光二極體的第二電極可連接至電源線 PL ’使得提供電源線PL的電源革有機發光二極體E。進一步地，儲存電容 StgC連接在驅動薄膜電晶體DTr的閘極與源極之間。 當通過閘極線GL將閘極信號的閘極脈衝載入至開關薄膜電晶體 時，將開關薄膜電晶體STr開啟，並且通過資料線DL和開關薄膜電晶體 STr將資料信號載入至驅動薄膜電晶體DTr的閘極。因此，驅動薄臈電=體 DTr被開啟，且電源通過電源線PL與驅動薄膜電晶體DTr施加至有機發 光二極體E，從而有機發光二極體E發光。 當開啟開關薄膜電晶體STr時，根據驅動薄膜電晶體DTr的閘極電壓 值的大小’確定從電源線PL流至有機發光二極體e的電流值的大小。結果， 有機發光二極體顯示一灰階。當關閉開關薄膜電晶體STr時，儲存電容StgC 保持驅動薄膜電晶體DTr的閘極電壓。結果，直至下一畫面，即使在開關 薄膜電晶體STr關閉時，流過發光二極體E的電流值保持一致。 第6圖為顯示依據本發明實施例之有機發光二極體顯示裝置的剖視 圖’以及第7圖為顯示苐6圖的部分W的放大剖視圖。 在第6圖中’有機發光二極體（OLED)顯示裝置1〇〇包括相互面對並 間隔的第一基板110和第二基板170。第一基板no包括用於顯示影像的顯 示£域AA以及圍繞§亥顯不區域AA的非顯示區域（未顯示）。該顯示區域 AA包括第一子像素Sh、第二子像素SP2.和第三子像素sP3，每個子像素 由閘極線GL (第5圖）和資料線DL (第5圖）所定義。電源線PL可平行 於資料線DL而形成’並與資料線DL相間隔。開關薄膜電晶體（TFT) STr 201230438 及電晶體DTr形成在每個第-子像她、第二子 i素Γ ^像素SP3内，並且第—電極147形成在每個第-子像素 此外，有機發光層155形成在H H至·瞒t膜電晶體DTr。 心古祕MW “ / 147上’以及第二電極158形 成在有機發先層！55上。第一子像素spi、第二子像素s SP3的有機發光層155分別對應於紅色、綠色和藍色。第一紐第 14一7子= 發光層155以及第4極158組成一有機發光二極體£。堤層 -電極⑷的邊界部分上’從而相鄰子像素的有機發光層⑸^第 分開。 αυ 第二基板170可用於封裝第一基板11〇。此外，在非顯示區域内，一穷 封圖案或-齡®案可形成在第—基板11G和第二基板和m之間，用於 黏合第-基板110和第二基板17〇。為了使第一基板⑽和第二基板ιι〇的 内，不暴露於減或空氣巾，藉由糊該密封圖誠該熔合圖案，在惰性 氣氣或真空氣氣下黏合第一基板11〇和第二基板17〇。 儘官在第5圖中，第一基板110的有機發光二極體E由第二基板17〇 封裂’但是在另-實施例中’有機材料及無機㈣之—的透_膜或封裝 薄膜也可形成在該有機發光二極體E之上用於封裝。 在第6圖中，第一電極147和第二電極158之間的有機發光層155包 括電洞注入層（HIL) 113、第一電洞傳輸層116a、第二電洞傳輸層n6b和 第二電洞傳輸層116e、第一發光材料層i24a、第二發光材料層i24b和第三 發光材料層124c以及一電子傳輸層（Etl) 130。例如，第一子像素SP1内 的有機發光層155可包括電洞注入層113、第一電洞傳輸層U6a和第二電 洞傳輸層116b、第一發光材料層124a以及電子傳輸層130。此外，第二子 像素SP2内的有機發光層155可包括電洞注入層113、第一電洞傳輸層U6a 和第三電洞傳輸層116c、第二發光材料層124b以及電子傳輸層130，以及 第三子像素SP3内的有機發光層155可包括電洞注入層113、第一電洞傳輪 層116a、第二發光材料層124b以及電子傳輸層130。 在另一實施例中，在電子傳輸層130上，有機發光層155可進一步包 括電子注入層（EIL)。第一發光材料層124a、第二發光材料層124b和第三 發光材料層124c分別發紅色、綠色和藍色光。第一子像素SP1、第二子像 201230438 素SP2和第三子像素SP3的第一電洞傳輸層馳可具有相肖的厚度。第一 =象素SP1的第二電洞傳輸層膽和第二子像素肥的第三電洞傳輸層 楚具ί不同的厚度。結果’ *一子像素犯1的第一電洞傳輸層116&和 -洞傳輸層116b，第二子像素SP2的第一電洞傳輸層腕和第三電洞 傳輸層116c U及第三子像素sp3的第一電洞傳輸層_具有不同的厚度。 、第發光材料層I24a、第二發光材料層124b和第三發光材料層12如 =有不_發級率。根據第-發光㈣層124a、第二發光材繼腿和 =二發光材料層124c每—個的發光效率，基於用於最大化微腔的光學厚 又’可確定每個第-子像素SP1的第—電洞傳輸層m =、第二子像素SP2的第一電洞傳輸層116a和第三電洞傳輸層專3 第一子像素SP3的第一電洞傳輸層116a的厚度。 ςρ/t下將說W成有機發光層155的方法。糊具有_於第一子像素 畫㈣第Γ子像素SP2和第三子像素SP3的第一開口的第一紐遮罩，通過 真工…C鍵過程’電洞注入層113和第一電洞傳輸層U6a依次形成在第一 電極M7上。例如’第一電洞傳輸層胁可由用於傳輸電洞的第一有機材 枓以及用於防止紐遮罩與凸條接觸的第二有機材料形成。接著，利用且 有對應於第二子像素SP2的第二開口的第二紐遮罩，通過真空熱蒸鑛過 程’第三電洞傳輸層U6c形成在第一電洞傳輸層_上，並且利用具 ^於^-子像素SH的第三開口的第三紐遮罩，通過真空熱蒸鑛過程， 弟-電洞傳輸層116b形成在第一電洞傳輸層隱上。例如，第二電洞傳輸 ITi和第三電洞傳輸層116e的至少其中之—可由用於傳輸電洞的第一有 機材料以及用於防止紐遮罩與凸條接觸的第二有機材料形成。 利用具有對應於第三子像素SP3的第四開口的第四紐遮罩， 通過真空熱4舰程，第三發光材料層124e形成在第—制傳輸層肠 具有對應於第"子像素SP2的第五開口的第五紐遮罩，通 過真工熱蒸鍍過程，第二發光材料層㈣形成在第三電洞傳輸層脱上。 用具有對應於第一子像素肥的第六開口的第六紐遮罩，通過 真工熱蒸舰程，第-發光㈣層施形成在第二翻傳輸層_上。 接著，利用具有對應於第-子像素SP1、第二子像素sp2和第三 的第七開口_七紐鮮，通過真线細過程，f子傳輸層13〇形成 201230438 在第一發光材料層124a、第二發光材料層124b和第三發光材料層和124c 上0 在OLED顯示裝置1〇〇中，利用蔭蔽遮罩，通過真空熱蒸鍍過程，形 成有機發光層155。具體地，通過真空熱蒸鍍過程，藉由沉積用於傳輸電洞 的第一有機材料以及用於防止蔭蔽遮罩與凸條接觸的苐二有機材料形成第 一電洞傳輸層116a、第二電洞傳輸層116b和第三電洞傳輸層116c的至少 其中之一。用於防止凸條接觸的第二有機材料在液態下具有相對較低的熱 容及相對較高的熔點或者在製程壓力下可昇華。由於第二有機材料可阻^ 處於活性態的第一有機材料物理地反應，降低了拉力並阻止了凝膠化，從 而可防止潘蔽遮罩的劣化如與凸條接觸。此外，第二有機材料可用作第一 發光材料層124a、第二發光材料層124b和第三發光材料層124c的至少其 中之一的主體。 、 第8圖為用於依據本發明實施例之有機發光二極體顯示裝置的第—有 機材料和第二有機㈣的細，以及第9 _制於依據本發明另—實施例 之有機發光二極贿示裝置的第—有機材料和第二錢㈣的蝴。在第8 圖和第9圖中’虛線表示第—有機材料狀態之間的邊界線，以及實線表示 第二有機材料狀態之間的邊界線。 ε 在苐8目中，在真空熱蒸鑛過程期間第-製程壓力PIT，第-有機材 料和第—有機材料沿著箭頭⑻姻體通過液態轉變至氣態 ’並且氣態的 -材料和第二有機材觀積在基板上。在第—有機材料和第二有機 =料的分子的氣態在基板上變為完全非活性態（如@態）之前，在第_溫 第—有機材料的分子具有活性態（如液態）作為中間態，以 ^二有機㈣齡子具有活雜（如液態）作為 知二二、—▲度週期ΤΡΒ小於第—溫度週期ΤΡΑ。第-溫度週期ΤΡΑ +的舰^期ΤΡΒ的每—個可定義為通過吸熱或散熱增加或減小液態分 -睹，八/。ί子，溫度週期越寬’分子的熱容越高。此外，當滞點固 ◎的、★越㈤’ Λ子她點越低。再者，分子的熱容越低，分子 越谷易轉變至非活性態（如固態）。 -产^第期ΤΡΑ的第-有機材料具有第—熱容，以及具有第二 酿度週期ΤΡΒ的第二有機材料具有第二熱容，其中第二熱容小於第—熱 201230438 ;機:===的電性及穩定性，因此，由第-輸的至少其中之一 =:=:，從而可以藉由具有二的以 有機材料物理反應，因為具有非u二但有機材料可阻止第- 遮罩的劣化如凸條觸。了壓力趣止了導從柯阻止陰蔽 例如，第-有機材料可包括至少_τ =聯，四（二笨基·㈣二 基姆基舰）三苯胺）、p贿（聚（从乙烯二 Π ΐϊ Γ及腿（聚苯胺）。此外，第二有機材料可包括芳胺衍 生物亚且第二有機材料的熔點高於第—有機材料的熔點。例如，第二 材料可包括至少-㈣（取_二㈣彻_二苯細苯胺）、聯苯二胺衍生 物、星射線型㈣、職型材料、香豆素類化合物、㈣侧類化合物。 此外’在latmT ’第二有機材料可具有等於或大於28〇t的溶點。 用於第-電洞傳輸層116a、第二電洞傳輸層膽和第三 ⑽的至少其中之-的具有較小熱容的第二有機材料可祕有機發光^； 155的其他層。例如’具有較小熱容的第二有機材料可用作至少—電洞注入 層113、第-發光材料層124a、第二發光材料層隱和第三發光材料層 124c、電子傳輸層130和電子注入層的原料。 在第9圖中，在真空熱蒸鑛過程期間，在第二製程壓力p2下第一有機 材料沿著箭頭（c)從固體通過液態轉變至氣態，以及在第二製程壓力p2 下第二有機材料沿著箭頭（C)從g]態直接轉變至H第二製健力p2 低於第-製織力P1 (第8圖）。將氣態的第—有機材料和第二有機材料沉 積在基板上。由於第二有機材料從固態轉變至氣態而未通過液態，從而第 -有機材料昇華。在第-有機材料分子的氣態在基板上變為完全非活性態 ^如固態）之前，在第-溫度週期TPA内第—有機材料的分子具有一活二 ‘％ (如液態）作為中間態，同時第二有機材料分子從氣態直接轉變至完全 11 201230438 非活性癌、(如固態）而沒有活性態（如液態 由於第Γ有機材料具有祕傳輸賴的及穩定性，因此，由第一 有機材料形成的第-電洞傳輸層、第二電洞傳輸層ll6b和第三電洞傳 輸層116e的至少其中之—可執行傳輸電洞的功能。此外，由於第一有機材 料與第二有機材料共同沉積，從而通過可昇_第二有機材科可阻止由於 具有中間活性態的第—有機材料而導韻祕料劣化，例如與凸條接 觸。儘管第-有赌料具有活性態，但是第二有機㈣可阻止^有機材 料物理反應，因為具有非活性態的第二有機材料與具有活性態的苐一有機 材料混合。、结果’減小了壓力並阻止了凝膠作用，從而可阻止紐遮罩的 劣化如凸條接觸。 例如，第一有機材料可包括TPD (N，N，_雙（3_甲苯基）_N，N，·二苯基 聯笨胺）、3-丁/^(2,2'，7,7'-四（二苯基-氨基）9,9’-螺二苟）、;\111)八丁八(4,4,,4"- 三（N-3-甲苯基-N-苯基-氣基）三苯胺）、PED〇T (聚（3,4乙烤二氧_2,4_ 噻吩））、以及PANI (聚苯胺）的其中之一。此外，第二有機材料可包括芳 胺衍生物並且第一有機材料的熔點高於第一有機材料的溶點。例如，第二 有機材料可包括NPD(N，N-二萘基-N，N’-二苯基聯苯胺）、聯苯二胺衍生物， 星射線型材料、螺旋型材料：香豆素類化合物、啥0丫咬酮類化合物的其中 之一。此外，在等於或低於5 χΙΟίοιτ的壓力下，第二有機材料可昇華。 用於第一電洞傳輸層116a、第二電洞傳輸層116b和第三電洞傳輸層 116c的至少其中之一的可昇華的第二有機材料可用於有機發光層155的其 他層。例如，具可昇華的第二有機材料可用作用於電洞注入層U3，第一發 光材料層124a、第二發光材料層124b和第三發光材料層i24c，電子傳輸層 130和電子注入層的至少其中之一的原料。 第10圖為顯示依據本發明實施例之有機發光二極體顯示裝置的真空熱 蒸鍍過程的剖視圖。 在第10圖中’坩堝200、加熱器250、蔭蔽遮罩280和基板285配置 在真空熱蒸鍍裝置的腔室290内。坩堝200包括圓柱形本體220以及出氣 口 215。坩堝200配置在加熱器250上，並且蔭蔽遮罩280和基板285配置 在坩堝200上。包括第一有機材料和第二有機材料的原料240配置在本體 220内。用於傳輸電洞的第一有機材料可包括TpD(N,N，K3_甲苯基)_ 12 201230438 一笨基聯苯胺）、s_^AD (2,2'，7,7'_四（二苯基氨基）9,9'-螺二芴）、MTDATA (4,4'，4”·三（Ν·3·甲苯基-N·苯基-氨基）三苯胺）、ped〇T (聚（3,4.乙烯二 氧-2,4-嘆吩））、以及PAN[(聚本胺）的其中之一。此外，用於阻止凸條接 觸的第二有機材料可包括NPD (N，N-二萘基-N，N，-二苯基聯苯胺）、聯苯二 胺衍生物、星射線型材料螺旋型材料、香豆素類化合物、喹α丫咬酮類化合 物的其中之一。 當加熱器250加熱坩堝200的本體220時，熱量被傳遞至本體220内 的原料240 ’接著原料240受熱蒸發。氣態的原料240通過坩堝2〇〇的出氣 口 215輸出並通過蔭蔽遮罩280選擇性地沉積在基板285上。沉積在基板 上的氣態原料240失去熱量並被固化以在基板285上形成電洞傳輸層（未 顯示）。 由於原料240包括第一有機材料以及第二有機材料，其中第一有機材 料具有用於傳輸電洞的電性及穩定性以及第二有機材料具有較小的熱容和 昇華的其中之一，電洞傳輸層執行傳輸電洞的功能，並且阻止了如與凸條 接觸之蔭蔽遮罩280的劣化。 在完成有機發光層的真空熱蒸鑛過程之後，第二電極形成在有機發光 層上，並且壓蓋薄膜及第二基板的其中之一形成在有機發光二極體之上以 完成有機發光二極體顯示裝置。_ 儘管包括苐一有機材料和第二有機材料的原材料配置在第圖的單时 瑪内，但疋在另一實施例中，第一機材料和弟二有機材料可分別配置在第 —坩鍋和第二坩堝内。 因此’在本公開之製造有機發光二極體顯示裝置的方法中，由於通過 真空熱蒸鍍過程，有機發光二極體的有機發光層由用於傳輸電洞的第一有 機材料和具有較小熱容及昇華的第二有機材料形成，可阻止有機材料的凝 膠作用，從而可阻止如與凸條接觸之蔭蔽遮罩的劣化。此外，由於阻止了 蔭蔽遮罩的劣化，從而提高了良率。再者，由於減少了清潔蔭蔽遮罩的時 間，從而提高了產能。 在不脫離本發明的精神或範圍内對本公開的製造有機發光二極體顯示 裝置的方法進行各種修飾或變更對於熟悉本領域的人員是顯而易見的。因 此’本發明旨在覆蓋由所附申請專利範圍和相等量的範圍内提供的本發明 9", 13 201230438 的修姊和變更。 本申請案主張於2010年12月27日提交的韓國專利申請第 【圖式簡單說明】 所附圖式’其中提供關於本發明實施例的進 本說明書的-雜，酬本發_實_並且描述— 施例之原_轉。赋巾： 咏·m本發明實 第1圖為顯示依據習知技術之有機發光二極體顯示裝置的平面圖； 第2圖為顯示依據習知技術之有機發光二極體顯示敦置的剖視圖； 第3圖為顯示依據習知技術之用於形成有機發光二極體顯示 素的蔭蔽遮罩的平面圖； 第4圖為顯示依據習知技術之用於有機發光二極體顯示裝置 光材料的相圖； 第5圖為顯示依據本發明實施例之有機發光二極體顯示裝置 的電路圖； 戈 第6圖為顯示依據本發明實施例之有機發光二極體顯示裝置的剖視圖； 第7圖為顯示第6圖的部分w的放大剖視圖； 第8圖為依據本發明實施例之有機發光二極體顯示襞置所用的第—和 第二有機材料的相圖； 第9圖為依據本發明另一實施例之有機發光二極體顯示裝置所用的第 一和第二有機材料的相圖；以及 第10圖為顯示依據本發明實施例知有機發光二極體顯示袭置的真空熱 蒸鍍過程的剖視圖》 … 【主要元件符號說明】 1〇 有機發光二極體顯示裝置 11 第一電極 13 電洞注入層 16 電洞傳輸層 201230438 16a 第一電洞傳輸層 16b 第二電洞傳輸層 16c 第三電洞傳輸層 24 發光材料層 24a 第一發光材料層 24b 第二發光材料層 24c 第三發光材料層 30 電子傳輸層 35 第二電極 50 蔭蔽遮罩 100 有機發光二極體顯示裝置 110 第一基板 113 電洞注入層 116a 第一電洞傳輸層 116b 第二電洞傳輸層 116c 第三電洞傳輸層 124a 第一發光材料層 124b 第二發光材料層 124c 第三發光材料層 130 電子傳輸層 147 第一電極 150 堤層 155 有機發光層' 158 第二電極 170 第二基板 200 坩堝 215 出氣口 220 本體 240 原料 250 加熱器 15 201230438 280 蔭蔽遮罩 285 基板 290 腔室 AA 顯示區域 DL 資料線 DTr 驅動薄膜電晶體 E 有機發光二極體 GL 閘極線 OP 開口 P 像素 PL 電源線 RB 凸條 SI 第一條紋 S2 第二條紋 S3 第三條紋 SP1 第一子像素 SP2 第二子像素 SP3 第三子像素 STr 開關薄膜電晶體 StgC 儲存電容 PI 第一製程壓力 TPA 第一溫度週期 TPB 第二溫度週期 A、B 箭頭

Claims (1)

1. 201230438 七、申請專利範園： 1. 一種形成有機發光層的方法，包括： 依次地配置-紐遮罩和—基板於至少—職之上，姆_且 一有機材料和一第二有機材料；以及 /、有第 加熱鮮-錢材料和鄕二有機·，以在該基板上形成該有機發光 其中該第二有機材料具有小於該第一有機材料的熱容及昇華的其中之 ――〇 2. 依據巾料職ϋ第1項所述之形成械發光層的方法，其巾該第二有 機材料具有小於該第-有機材料的該熱容，並且在大約latm下，該第二有 機材料具有等於或大於280°C的炼點。 3. 依據巾請專现圍第1項所述之形成有機發光層的方法，該第二有機材 料在等於或低於5 X Kr6torr的壓力下具有該昇華。 4·依據申請專利範圍第1項所述之形成有機發光層的方法，其中該第二有 機材料包括NPD (N，N-二萘基-N，N，-二苯基聯苯胺）、聯苯二胺衍生物、星 射線型材料、螺旋型材料、香豆素類化合物、喹吖咬酮類化合物的其中之 5.依據申請專利範圍第i項所述之形成有機發光層的方法，其中該有機發 光層包括一電洞注入層、一電洞傳輸層、一發光材料層、一電子傳輸層以 及一電子注入層的至少其中之一。 6_依據申請專利範圍第5項所述之形成有機發光層的方法，其中該有機發 光層包括該電洞傳輸層，並且該第一有機材料包括TPD (N，N’-雙（3-甲苯 基）->1，>1’-二苯基聯苯胺）、&丁八0(2,2，，7,7，-四（二苯基-氨基）9,9，-螺二芴）、 MTDATA (4,4’，4"-三（N-3-甲苯基-N-苯基-氨基）三苯胺）、PEDOT (聚（3,4-乙烯二氧-2,4-噻吩））以及PANI (聚苯胺）的其中之一。 17 201230438 7. 依據申請專利範圍第1項所述之形成有機發光層的方法，其中該至少一 坩堝係其内分別具有該第一有機材料的一第一坩堝、以及具有該第二有機 材料的一第二坩堝。 8. —種製造有機發光二極體顯示裝置的方法，包括： 在一第一基板上形成一閘極線、一資料線、一電源線、一開關薄膜電晶 體以及一驅動薄膜電晶體，該開關薄膜電晶體連接至該閘極線及該資料 線，以及該驅動薄膜電晶體連接至該開關薄膜電晶體及該電源線； 形成一第一電極，連接至該驅動薄膜電晶體； 透過一蔭蔽遮罩’藉由蒸鍍一第一有機材料和一第二有機材料，在該第 一電極上形成一有機發光層’該第二有機材料具有小於該第一有機材料的 熱容及昇華的其117之一； 在該有機發光層上形成一第二電極，該第一電極、該有機發光層以及該 第二電極組成一有機發光二極體； 以及 形成一第二基板’連接至具有該有機發光二極體的該第一基板。 9. 依據申請專利範圍第8項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法， 其中該第二有機材料具有小於該第一有機材料的該熱容，並且在latm下， 該第二有機材料具有等於或大於28〇°c的炼點。 ία依據申請專利範圍第8項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方 法’在等於或低於5xl〇-6t〇IT的壓力下，該第二有機材料具有該昇華。 11.依據申請專利範圍第8項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方 =，其中該第二有機材料包括NPD (N，N-二萘基-N，N，-二苯基聯苯胺）、聯 苯一胺衍生物、星射線型材料、螺旋型材料、香豆素類化合物、喹吖啶酮 類化合物的其中之一。 am 18 201230438 月專利範圍$8項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方 ''一 ’、一 ^閑極線和該資料線相互交又以定義一第一像素、一第二像素和 一子像素’其中該第一子像素内的該有機發光層包括一電洞注入層、 -第-電洞傳輸層、—第二電洞傳輸層、—第__發光材料層一電子傳輸 層以及-電，主入層’其中該第二子像素内的該有機發光層包括該電洞注 Μ 傳H層、該發光材料層、該電子傳輸層及該電子注入層， 以及其中該第二子像素内的該有機發光層包括該電洞注入層、該發光材料 層、該電子傳輸層及該電子注入層。 13.依據申請專利範圍第1〇項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方 法，其中用於形成該第一電洞傳輸層、該第二電洞傳輸層和該第三電洞傳 輸層的至少其中之一的該第一有機材料包括TPD(N,N，_雙（3_甲苯基)_ N，N， -二苯基聯苯胺）、3_丁仙（2,2'，7,7'-四（二苯基_氨基）9,9，-螺二苟）、：^01)八丁入 (4,4'，4"_三（N-3-甲苯基-N-苯基-氨基）三苯胺）、ped〇T (聚（3,4-乙稀二 氧-2,4-噻吩））以及PANI (聚苯胺）的其中之一。 19