CN102569676A - 制造有机发光二极管显示器件的方法 - Google Patents

制造有机发光二极管显示器件的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种制造有机发光二极管显示器件的方法。一种形成有机发光层的方法包括：在至少一个坩埚的上方顺序设置遮蔽掩模和基板，在所述坩埚中具有第一和第二有机材料；以及加热所述第一和所述第二有机材料，以在所述基板上形成有机发光层，其中所述第二有机材料具有比所述第一有机材料的热容量小的热容量和升华性之一。

Description

制造有机发光二极管显示器件的方法
本申请要求于2010年12月27日提交的韩国专利申请第10-2010-0135537号的权益，在此引用该申请的公开的全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及有机发光二极管(OLED)显示器件，更具体地，涉及制造有机发光二极管(OLED)显示器件的方法，其中防止了遮蔽掩模(shadow mask)变劣。
背景技术
在各种平板显示器件(FPD)中，有机发光二极管(OLED)显示器件具有相对高的亮度和相对低的驱动电压。此外，由于OLED显示器件是自发光的发射型，所以OLED显示器件具有相对高的对比度和相对薄的外形。由于响应时间为几微秒，OLED显示器件具有显示运动图像的优势。而且，OLED显示器件无视角的局限并且即使在低温下也具有稳定性。因为OLED显示器件用5V至15V的低直流(DC)电压驱动，所以容易设计和制造驱动电路。此外，由于沉积设备和封装设备是制造OLED显示器件所需的全部设备，因此OLED显示器件的制造工序十分简单。
图1是示出现有技术的有机发光二极管显示器件的平面图。在图1中，现有技术的有机发光二极管(OLED)显示器件10包括布置成条型的第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3。发射红光的第一子像素SP1沿垂直方向布置在第一条S1中，发射绿光的第二子像素SP2沿垂直方向布置在第二条S2中，发射蓝光的第三子像素SP3沿垂直方向布置在第三条S3中。此外，第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3沿水平方向依次布置。第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3构成一个像素P。
通过使用具有开口和在开口周围的肋条(rib)的遮蔽掩模来沉积有机发光材料而在每个第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3处形成有机发光层。在第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3中的有机发光材料通过所述遮蔽掩模划分并且通过所述遮蔽掩模提高了有机发光材料的发光特性。
根据光的发射方向，OLED显示器件被分为顶发光型和底发光型。由于顶发光型的OLED显示器件的开口率大于底发光型的OLED显示器件的开口率，因而顶发光型的OLED显示器件已被广泛地使用。但是，由于用于顶发光型的OLED显示器的遮蔽掩模的开口面积相对大且肋条的宽度相对窄，因此，当通过使用所述遮蔽掩模来沉积有机发光材料时，所述遮蔽掩模会变劣。例如，遮蔽掩模的开口被有机发光材料阻塞，致使所述开口的面积减小并且相邻的肋条彼此接触。
有机发光层可形成为包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层和电子传输层的多层。特别地，第一、第二和第三子像素的空穴传输层具有彼此不同的厚度。
图2是示出现有技术的有机发光二极管显示器件的截面图。在图2中，现有技术的有机发光二极管(OLED)显示器件10包括像素P，并且所述像素P包括分别对应于红色、绿色和蓝色的第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3。在每个第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3中的有机发光二极管包括第一电极11、空穴注入层(HIL)13、空穴传输层(HTL)16、发光材料层(EML)24、电子传输层(ETL)30以及第二电极35。
空穴传输层16包括第一、第二和第三空穴传输层16a、16b和16c，并且发光材料层24包括分别发射红光、绿光和蓝光的第一、第二和第三发光材料层24a、24b和24c。在整个像素P中形成有相同厚度的第一空穴传输层16a。在第一和第二子像素SP1和SP2中分别形成有不同厚度的第二和第三空穴传输层16b和16c。结果，第一子像素SP1的第一和第二空穴传输层16a和16b，第二子像素SP2的第一和第三空穴传输层16a和16c，以及第三子像素SP3的第一空穴传输层16a具有彼此不同的厚度。
第一、第二和第三发光材料层24a、24b和24c具有彼此不同的发光效率。在每个第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3中的空穴传输层16的厚度是基于根据每个第一、第二和第三发光材料层24a、24b和24c的发光效率而使微腔效应最大化的光学厚度来确定的。
通过使用具有对应于整个像素P的第一开口的第一遮蔽掩模在第一电极11上依次形成空穴注入层13和第一空穴传输层16a。接下来，通过使用具有对应于第二子像素SP2的第二开口的第二遮蔽掩模在第一空穴传输层16a上形成第三空穴传输层16c，并且通过使用具有对应于第一子像素SP1的第三开口的第三遮蔽掩模在第一空穴传输层16a上形成第二空穴传输层16b。接下来，通过使用具有对应于第三子像素SP3的第四开口的第四遮蔽掩模在第一空穴传输层16a上形成第三发光材料层24c，并且通过使用具有对应于第二子像素SP2的第五开口的第五遮蔽掩模在第三空穴传输层16c上形成第二发光材料层24b。此外，通过使用具有对应于第一子像素SP1的第六开口的第六遮蔽掩模在第二空穴传输层16b上形成第一发光材料层24a。接下来，通过使用具有对应于整个像素P的第七开口的第七遮蔽掩模在第一、第二和第三发光材料层24a、24b和24c上形成电子传输层30，并且在电子传输层30上形成第二电极35。
在现有技术的有机发光二极管显示器件中，由于在第一和第二子像素SP1和SP2中还分别形成第二、第三空穴传输层16b和16c，因此使用更多的有机发光材料用于有机发光层，因而增加了原料成本。此外，由于有机发光材料具有不同的热容量、不同的熔点和不同的沸点，因此有机发光材料可能残留在遮蔽掩模上而使开口的面积减小，以致在利用遮蔽掩模沉积有机发光材料后相邻的肋条彼此接触。遮蔽掩模开口的阻塞(即，肋条接触)造成在后续沉积步骤中图案的变劣。
图3是示出用于形成现有技术的有机发光二极管显示器件的子像素的遮蔽掩模的平面图，以及图4是用于现有技术的有机发光二极管显示器件的有机发光材料的相图。在图3中，在遮蔽掩模50用于沉积有机发光材料之前，遮蔽掩模50包括矩形的开口OP和在所述开口OP周围的肋条RB。但是，在遮蔽掩模50多次用于沉积有机发光材料以形成第二、第三空穴传输层16b和16c(图2)之后，有机发光材料残留在掩模50上并且所述开口OP被所述残留的有机发光材料阻塞，致使相邻的肋条RB彼此接触。
从材料角度讲，遮蔽掩模50的肋条接触变劣涉及例如热容量、熔点和沸点这样的物理性质。在真空热蒸发工艺中，有机发光材料的分子被蒸发成为气态并且沉积到基板上。在图4中，有机发光材料在第一工艺压强P1下，沿箭头(A)从固态经过液态转变到气态，并且气态的有机发光材料沉积到基板上。在气态的有机发光材料的分子在基板上变成完全非活性(incative)态(即，固态)之前，有机发光材料的分子在温度范围TPA中具有作为过渡态的活性(active)态(即，液态)。因为由于物理反应而非化学反应使得活性态的分子间具有吸引力，所以活性态的分子的张力增加，以致活性态的分子能够进行胶凝(gelatination)。
由于遮蔽掩模50的相邻的肋条RB彼此相对靠近，因此，当遮蔽掩模50与基板对准时，由于物理反应，一部分活性态的分子附着到所述肋条RB上。随着重复真空热蒸发工艺，附着到所述肋条RB上的所述分子的数量增加，以致所述相邻的肋条RB能够彼此接触。
发明内容
一种形成有机发光层的方法，包括：在至少一个坩埚的上方顺序设置遮蔽掩模和基板，所述坩埚中具有第一和第二有机材料；以及加热所述第一和第二有机材料，以在所述基板上形成有机发光层，其中所述第二有机材料具有比所述第一有机材料的热容量小的热容量和升华性之一。
另一方面，一种制造有机发光二极管显示器件的方法，包括：在第一基板上形成栅极线、数据线、电源线、开关薄膜晶体管以及驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管连接至所述栅极线和所述数据线，并且所述驱动薄膜晶体管连接至所述开关薄膜晶体管和所述电源线；形成连接至所述驱动薄膜晶体管的第一电极；通过经由遮蔽掩模蒸发第一和第二有机材料，来在所述第一电极上形成有机发光层，所述第二有机材料具有比所述第一有机材料的热容量小的热容量和升华性之一；在所述有机发光层上形成第二电极，所述第一电极、所述有机发光层以及所述第二电极构成有机发光二极管；以及给具有有机发光二极管的所述第一基板形成第二基板。
应该理解的是前面的概括描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且意在提供对要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
提供了对本发明的进一步理解并结合在内组成本说明书的一部分的附图图示本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示出现有技术的有机发光二极管显示器件的平面图；
图2是示出现有技术的有机发光二极管显示器件的截面图；
图3是示出用于形成现有技术的有机发光二极管显示器件的子像素的遮蔽掩模的平面图；
图4是用于现有技术的有机发光二极管显示器件的有机发光材料的相图；
图5是示出按照本发明的实施方式的有机发光二极管显示器件的子像素的电路图；
图6是示出按照本发明的实施方式的有机发光二极管显示器件的截面图；
图7是示出图6的VII部分的放大的截面图；
图8是按照本发明的实施方式的用于有机发光二极管显示器件的第一和第二有机材料的相图；
图9是按照本发明的另一实施方式的用于有机发光二极管显示器件的第一和第二有机材料的相图；以及
图10是示出按照本发明的实施方式的有机发光二极管显示器件的真空热蒸发工艺的截面图。
具体实施方式
现将详细描述优选的实施方式，优选的实施方式的实例图示在附图中。
图5是示出按照本发明的实施方式的有机发光二极管显示器件的子像素的电路图。
在图5中，有机发光二极管(OLED)显示器件的子像素SP包括开关薄膜晶体管(TFT)STr、驱动TFT DTr、存储电容器StgC以及有机发光二极管E。栅极线GL沿第一方向形成，并且数据线DL沿第二方向形成。所述栅极线GL和所述数据线DL彼此交叉以限定子像素SP。电源线PL形成为与数据线DL隔开，用来提供源功率。
开关TFT STr连接至所述栅极线GL和所述数据线DL，并且驱动TFT DTr连接至所述开关TFT STr。此外，有机发光二极管E连接至所述驱动TFT DTr。例如，有机发光二极管E的第一电极可连接至所述驱动TFT DTr的漏极，并且所述有机发光二极管E的第二电极可连接至所述电源线PL，使得把所述电源线PL的源功率提供给所述有机发光二极管E。而且，存储电容器StgC连接在所述驱动TFT DTr的栅极和源极之间。
当通过所述栅极线GL把栅极信号的栅极脉冲施加给所述开关TFT STr时，所述开关TFT STr导通，并且通过所述数据线DL和所述开关TFT STr把数据信号施加给所述驱动TFT DTr的栅极。结果，所述驱动TFT DTr导通，并且通过所述电源线PL和所述驱动TFT DTr把功率施加给所述有机发光二极管E，使得所述有机发光二极管E能够发光。
当所述开关TFT STr导通时，从所述电源线PL流向所述有机发光二极管E的电流强度根据所述驱动TFT DTr的栅极电压值来确定。因此，所述有机发光二极管E能够显示灰阶。当所述开关TFT STr截止时，存储电容器StgC维持所述驱动TFT DTr的栅极电压。因此，即使当所述开关TFT STr截止时，流过所述有机发光二极管E的电流强度也保持一致，直到下一帧。
图6是示出按照本发明的实施方式的有机发光二极管显示器件的截面图，图7是示出图6的VII部分的放大的截面图。
在图6中，有机发光二极管(OLED)显示器件100包括彼此面对且隔开的第一基板110和第二基板170。第一基板110包括用于显示图像的显示区AA和显示区AA周围的非显示区(未示出)。显示区AA包括第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3，每个所述第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3由栅极线GL(图5)和数据线DL(图5)限定。电源线PL(图5)可形成为与数据线DL平行并且与数据线DL隔开。开关薄膜晶体管(TFT)STr(图5)和驱动TFT DTr在每个第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3中形成，并且第一电极147在每个第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3中形成，以与所述驱动TFT DTr连接。
此外，有机发光层155形成在第一电极147上，并且第二电极158形成在有机发光层155上。第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3的有机发光层155可分别对应于红色、绿色和蓝色。第一电极147、有机发光层155和第二电极158构成有机发光二极管E。堤层150在第一电极147的边界部分上形成，使得相邻的子像素的有机发光层155被堤层150隔开。
第二基板170可用于封装第一基板110。此外，可在第一和第二基板110和170之间的非显示区中形成密封图案或玻璃料图案(frit pattern)，用于使第一和第二基板110和170贴附。为了使第一和第二基板110和170的内部不暴露于水蒸气和大气中，可在惰性气体环境或真空环境中通过使用密封图案或玻璃料图案使第一和第二基板110和170贴附。
尽管在图5中第一基板110的有机发光二极管E是通过第二基板170封装，但在另一实施方式中，可在有机发光二极管E的上方形成有机材料和无机材料之一的透明膜或封装膜来封装。
在图6中，在第一电极和第二电极147和158之间的有机发光层155包括空穴注入层(HIL)113，空穴传输层(HTL)116a、116b和116c，发光材料层(EML)124a、124b和124c，和电子传输层(ETL)130。例如，在第一子像素SP1中的有机发光层155可包括空穴注入层113、第一和第二空穴传输层116a和116b、第一发光材料层124a以及电子传输层130。此外，在第二子像素SP2中的有机发光层155可包括空穴注入层113、第一和第三空穴传输层116a和116c、第二发光材料层124b以及电子传输层130，以及在第三子像素SP3中的有机发光层155可包括空穴注入层113、第一空穴传输层116a、第三发光材料层124c以及电子传输层130。
在另一实施方式中，有机发光层155还可包括在电子传输层130上的电子注入层(EIL)。第一、第二和第三发光材料层124a、124b和124c可分别发射红色光、绿色光和蓝色光。第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3的第一空穴传输层116a可具有相同的厚度。第一子像素SP1的第二空穴传输层116b和第二子像素SP2的第三空穴传输层116c可具有彼此不同的厚度。因此，第一子像素SP1的第一和第二空穴传输层116a和116b，第二子像素SP2的第一和第三空穴传输层116a和116c，以及第三子像素SP3的第一空穴传输层116a可具有彼此不同的厚度。
第一、第二与第三发光材料层124a、124b与124c可具有彼此不同的发光效率。第一子像素SP1的第一和第二空穴传输层116a和116b，第二子像素SP2的第一和第三空穴传输层116a和116c，以及第三子像素SP3的第一空穴传输层116a的每个的厚度可基于根据第一、第二和第三发光材料层124a、124b和124c的每个的发光效率使微腔效应最大化的光学厚度来确定。
下文中，将说明形成有机发光层155的方法。通过真空热蒸发工艺使用具有对应于第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3的第一开口的第一遮蔽掩模，在第一电极147上顺序形成空穴注入层113和第一空穴传输层116a。例如，第一空穴传输层116a可由用于传输空穴的第一有机材料和用于防止遮蔽掩模的肋条接触的第二有机材料来形成。接下来，通过真空热蒸发工艺使用具有对应于第二子像素SP2的第二开口的第二遮蔽掩模，来在第一空穴传输层116a上形成第三空穴传输层116c，以及通过真空热蒸发工艺使用具有对应于第一子像素SP1的第三开口的第三遮蔽掩模，来在第一空穴传输层116a上形成第二空穴传输层116b。例如，第二和第三空穴传输层116b和116c中的至少一个可由用于传输空穴的第一有机材料和用于防止遮蔽掩模的肋条接触的第二有机材料来形成。
接下来，通过真空热蒸发工艺使用具有对应于第三子像素SP3的第四开口的第四遮蔽掩模，来在第一空穴传输层116a上形成第三发光材料层124c，以及通过真空热蒸发工艺使用具有对应于第二子像素SP2的第五开口的第五遮蔽掩模，来在第三空穴传输层116c上形成第二发光材料层124b。此外，通过真空热蒸发工艺使用具有对应于第一子像素SP1的第六开口的第六遮蔽掩模，来在第二空穴传输层116b上形成第一发光材料层124a。接下来，通过真空热蒸发工艺使用具有对应于第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3的第七开口的第七遮蔽掩模，来在第一、第二和第三发光材料层124a、124b和124c上形成电子传输层130。
在OLED显示器件100中，可通过真空热蒸发工艺使用遮蔽掩模来形成有机发光层155。具体地说，第一、第二和第三空穴传输层116a、116b和116c中的至少一个可通过使用真空热蒸发工艺沉积用于传输空穴的第一有机材料和用于防止遮蔽掩模的肋条接触的第二有机材料来形成。用于防止遮蔽掩模的肋条接触的第二有机材料在液态下可具有相对低的热容量和相对高的熔点，或者在工艺压强下具有升华性。由于第二有机材料防止在活性态下的第一有机材料发生物理反应，所以减小了张力并且防止了胶凝，从而能够防止遮蔽掩模的诸如肋条接触这样的变劣。而且，第二有机材料可用作第一、第二和第三发光材料层124a、124b和124c至少之一的基质。
图8是按照本发明的实施方式的用于有机发光二极管显示器件的第一和第二有机材料的相图，图9是按照本发明的另一实施方式的用于有机发光二极管显示器件的第一和第二有机材料的相图。在图8和9中，虚线表示第一有机材料的两相之间的分界线，实线表示第二有机材料的两相之间的分界线。
在图8中，在真空热蒸发工艺期间，在第一工艺压强P1下，第一和第二有机材料沿箭头(B)从固态经液态转变到气态，并且气态的第一和第二有机材料沉积到基板上。在第一和第二有机材料的分子的气态在基板上变成完全非活性态(即，固态)之前，第一有机材料的分子在第一温度范围TPA内具有作为过渡态的活性态(即，液态)，并且第二有机材料的分子在比第一温度范围TPA小的第二温度范围TPB中具有作为过渡态的活性态(即，液态)。第一和第二温度范围TPA和TPB的每个可被限定为一个范围，在该范围中在液态下的分子的熵通过吸热或散热而增大或减小。当分子具有较宽的温度范围时，所述分子具有较大的热容量。此外，如果沸点是固定的，当分子具有较大的热容量时，那么所述分子具有较低的熔点。而且，当分子具有较低的热容量时，那么分子更容易转变为非活性态(即，固态)。
具有第一温度范围TPA的第一有机材料具有第一热容量，并且具有第二温度范围TPB的第二有机材料具有小于第一热容量的第二热容量。由于第一有机材料具有用于传输空穴的电特性和稳定性，由第一有机材料形成的第一、第二和第三空穴传输层116a、116b和116c中的至少一个可执行传输空穴的功能。此外，由于第一有机材料与第二有机材料一起沉积，因此具有较小热容量的第二有机材料防止了因具有较大热容量的第一有机材料而导致的遮蔽掩模变劣，诸如肋条接触。尽管第一有机材料具有活性态，但因为具有非活性态的第二有机材料与具有活性态的第一有机材料混合，所以第二有机材料防止了第一有机材料发生物理反应。因此，减小了张力并且防止了胶凝，使得能够防止遮蔽掩模的诸如肋条接触这样的变劣。
例如，第一有机材料可包括TPD(N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-1，1′-联苯-4，4′-二胺)、螺-TAD(2，2′，7，7′-四-(二苯基氨基)螺-9，9′-二芴)(s-TAD(2，2′，7，7′-tetrakis-(diphenyl-amino)spiro-9，9′-bifluorene))、MTDATA(4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)、PEDOT(聚(3，4-亚乙二氧基噻吩))(poly(3，4-ethylene dioxy-2，4-thiophene))以及PANI(聚苯胺)中的一种。此外，第二有机材料可包括芳胺衍生物，并且第二有机材料的熔点可高于第一有机材料的熔点。例如，第二有机材料可包括NPD(N，N′-(二萘基)-N，N′-二苯基联苯二胺)(N，N′-dinaphthyl-N，N′-diphenylbenzidine)、联苯胺衍生物、星爆型材料(starburst type material)、螺型材料(spiro type material)、香豆素类化合物、喹吖啶酮类化合物中的一种。而且，第二有机材料可具有在一个标准大气压下等于或高于大约280℃的熔点。
用于第一、第二和第三空穴传输层116a、116b和116c中至少一个的具有较小热容量的第二有机材料可用于机发光层155的其他层。例如，具有较小热容量的第二有机材料可用作空穴注入层113，第一、第二和第三发光材料层124a、124b和124c，电子传输层130以及电子注入层中至少一个的源材料。
在图9中，在真空热蒸发工艺期间，在第二工艺压强P2下，第一有机材料沿箭头(C)从固态经过液态转变到气态，并且在第二过程工艺P2下第二有机材料沿箭头(C)从固态直接转变到气态。第二工艺压强P2可低于第一工艺压强P1(图8)。气态的第一和第二有机材料沉积到基板上。因为第二有机材料从固态转变到气态而不经过液态，所以第二有机材料具有升华性。在第一有机材料的分子的气态在基板上变成完全非活性态(即，固态)之前，第一有机材料的分子在第一温度范围TPA中具有作为过渡态的活性态(即，液态)，而第二有机材料的分子从气态直接转变到完全非活性态(即，固态)而不经过活性态(即，液态)。
由于第一有机材料具有用于传输空穴的电特性和稳定性，由第一有机材料形成的第一、第二和第三空穴传输层116a、116b和116c中的至少一个可执行传输空穴的功能。此外，由于第一有机材料与第二有机材料一起沉积，具有升华性的第二有机材料防止了由于具有过渡的活性态的第一有机材料而导致的遮蔽掩模变劣，诸如肋条接触。尽管第一有机材料具有活性态，但因为具有非活性态的第二有机材料与具有活性态的第一有机材料混合，所以第二有机材料防止了第一有机材料发生物理反应。因此，减小了张力并且防止了胶凝，从而能够防止遮蔽掩模的诸如肋条接触这样的变劣。
例如，第一有机材料可包括TPD(N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-1，1′-联苯-4，4′-二胺)、螺-TAD(2，2′，7，7′-四-(二苯基氨基)螺-9，9′-二芴)、MTDATA(4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)、PEDOT(聚(3，4-亚乙二氧基噻吩))以及PANI(聚苯胺)中的一种。此外，第二有机材料可包括芳胺衍生物，并且第二有机材料的熔点可高于第一有机材料的熔点。例如，第二有机材料可包括NPD(N，N′-(二萘基)-N，N′-二苯基联苯二胺)、联苯胺衍生物、星爆型材料、螺型材料、香豆素类化合物以及喹吖啶酮类化合物中的一种。而且，第二有机材料可在等于或低于大约5×10-6托的压强下具有升华性。
用于第一、第二和第三空穴传输层116a、116b和116c至少之一的具有升华性的第二有机材料可用于机发光层155的其他层。例如，具有升华性的第二有机材料可用作空穴注入层113，第一、第二和第三发光材料层124a、124b和124c，电子传输层130以及电子注入层中至少一个的源材料。
图10是示出按照本发明的实施方式的用于有机发光二极管显示器件的真空热蒸发工艺的截面图。
在图10中，将坩埚200、加热器250、遮蔽掩模280和基板285设置在真空热蒸发设备的室290中。坩埚200包括圆柱形的主体220和气体出口215。坩埚200设置在加热器件250上，并且遮蔽掩模280和基板285设置在坩埚200的上方。包括第一和第二有机材料的源材料240设置在主体220中。用于传输空穴的第一有机材料可包括TPD(N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-1，1′-联苯-4，4′-二胺)、螺-TAD(2，2′，7，7′-四-(二苯基氨基)螺-9，9′-二芴)、MTDATA(4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)、PEDOT(聚(3，4-亚乙二氧基噻吩))以及PANI(聚苯胺)中的一种。此外，用于防止肋条接触的第二有机材料可包括NPD(N，N′(二萘基)-N，N′-二苯基联苯二胺)、联苯胺衍生物、星爆型材料、螺型材料、香豆素类化合物、喹吖啶酮类化合物中的一种。
当加热器250加热坩埚200的主体220时，热被传递给在主体220中的源材料240并且源材料240被加热至蒸发。气态的原料240通过坩埚200的气体出口215输出，并且气态的源材料240通过遮蔽掩模280被选择性地沉积到基板285上。沉积到基板285上的气态的源材料240失去热量，并固化以在基板285上形成空穴传输层(未示出)。
由于源材料240包括第一有机材料和第二有机材料，所述第一有机材料具有用于传输空穴的电特性和稳定性，并且所述第二有机材料具有较小热容量和升华性中的一种，所以空穴传输层能执行传输空穴的功能并且防止了遮蔽掩模280的变劣，诸如肋条接触。
在完成有机发光层的真空热蒸发工艺之后，在有机发光层上形成第二电极，并且在有机发光二极管的上方形成覆盖膜和第二基板中的一个，以完成有机发光二极管显示器件。
尽管在图10中包括第一和第二有机材料的源材料设置在单个坩埚中，但在另一实施方式中，第一和第二有机材料可分别设置在第一和第二坩埚中。
因此，在制造本发明的有机发光二极管显示器件的方法中，由于通过真空热蒸发工艺由用于传输空穴的第一有机材料和具有较小热容量和升华性之一的第二有机材料来形成有机发光二极管的有机发光层，因此防止了有机材料的胶凝，从而能够防止遮蔽掩模的变劣，诸如肋条接触。此外，因为防止了遮蔽掩模的变劣，所以提高了产量。而且，因为缩短了用于清洁遮蔽掩模的时间，所以提高了生产率。
对于本领域的技术人员将显而易见的是，在不偏离本发明的精神或者范围的情况下，能够对制造本发明的有机发光二极管显示器件的方法作出各种改进和变化。因此，本发明意在涵盖落入所附权利要求书范围及其等效范围内的对本发明作出的各种改进和变化。

Claims (13)

1.一种形成有机发光层的方法，包括：
在至少一个坩埚的上方顺序设置遮蔽掩模和基板，在所述坩埚中具有第一和第二有机材料；以及
加热所述第一和第二有机材料，以在所述基板上形成有机发光层，
其中所述第二有机材料具有比所述第一有机材料的热容量小的热容量和升华性之一。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二有机材料的热容量小于所述第一有机材料的热容量，并且所述第二有机材料具有在约一个标准大气压下等于或高于大约280℃的熔点。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述第二有机材料在等于或低于大约5×10-6托的压强下具有升华性。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述第二有机材料包括NPD(N，N′-(二萘基)-N，N′-二苯基联苯二胺)、联苯胺衍生物、星爆型材料、螺型材料、香豆素类化合物和喹吖啶酮类化合物中的一种。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述有机发光层包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述有机发光层是空穴传输层，并且所述第一有机材料包括TPD(N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-1，1′-联苯-4，4′-二胺)、螺-TAD(2，2′，7，7′-四-(二苯基氨基)螺-9，9′-二芴)、MTDATA(4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)、PEDOT(聚(3，4-亚乙二氧基噻吩))以及PANI(聚苯胺)中的一种。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个坩埚是第一和第二坩埚，在所述第一和第二坩埚中分别具有所述第一和所述第二有机材料。
8.一种制造有机发光二极管显示器件的方法，包括：
在第一基板上形成栅极线、数据线、电源线、开关薄膜晶体管以及驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管连接至所述栅极线和所述数据线，并且所述驱动薄膜晶体管连接至所述开关薄膜晶体管和所述电源线；
形成连接至所述驱动薄膜晶体管的第一电极；
通过经由遮蔽掩模蒸发第一和第二有机材料，在所述第一电极上形成有机发光层，所述第二有机材料具有比所述第一有机材料的热容量小的热容量和升华性之一；
在所述有机发光层上形成第二电极，所述第一电极、所述有机发光层以及所述第二电极构成有机发光二极管；以及
给具有有机发光二极管的所述第一基板形成第二基板。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述第二有机材料的热容量小于所述第一有机材料的热容量，并且所述第二有机材料具有在一个标准大气压下等于或高于大约280℃的熔点。
10.如权利要求8所述的方法，其中所述第二有机材料在等于或低于大约5×10-6托的压强下具有升华性。
11.如权利要求8所述的方法，其中所述第二有机材料包括NPD(N，N′(二萘基)-N，N′-二苯基联苯二胺)、联苯胺衍生物、星爆型材料、螺型材料、香豆素类化合物、喹吖啶酮类化合物中的一种。
12.如权利要求8所述的方法，其中所述栅极线和所述数据线彼此交叉以限定第一、第二和第三子像素，其中在所述第一子像素中的有机发光层包括空穴注入层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、第一发光材料层、电子传输层以及电子注入层，其中在所述第二子像素中的有机发光层包括所述空穴注入层、第三空穴传输层、所述发光材料层、所述电子传输层以及所述电子注入层，并且其中在所述第三子像素中的有机发光层包括所述空穴注入层、所述发光材料层、所述电子传输层以及所述电子注入层。
13.如权利要求10所述的方法，其中用于形成所述第一、第二和第三空穴传输层中至少一个的所述第一有机材料包括TPD(N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-1，1′-联苯-4，4′-二胺)、螺-TAD(2，2′，7，7′-四-(二苯基氨基)螺-9，9′-二芴)、MTDATA(4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)、PEDOT(聚(3，4-亚乙二氧基噻吩))以及PANI(聚苯胺)中的一种。
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