TW201220304A - Substrate fabrication method and fabrication method for magnetic recording medium - Google Patents

Description

201220304 39956pif 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種基板製造方法，且更詳細是有關 於一種具有凹凸形狀基板的製造方法。 【先前技術】 在基板上，作為形成具有高週期性的微粒子的方法已 知有專利文獻1中所記載的方法。在專利文獻J中，於惰 性氣體的存在下’將供給材料以原子或分子的狀態自供給 源供給至紐’並_在祕板上軸供給材料與基板表 面的材料之合金以作為凸部，而製作形成具有奈米級別 (nanometer order)的週期性的凹凸形狀的基板。在製作基板 時，供給源為配置在使供給材料無法朝應形成凸部的基板 表面直接人射的位置。使用如上述的供給源，並藉由對基 板施加具有正負兩極性成分之1〇〇kHz以上、1〇〇MHz以下 範圍的高頻電壓，藉此於基板上形成凸部。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]曰本專利第4420954 如專利文獻1中之段落㈣〜〇118所述，於基板上 所形成的微粒子擁有縣板表面硫合的性質是重要的。 側的表面能小、微粒子侧的表面能以及基 ，表面與錄子之間的界面能大是重要的。在專利文獻! 粒子板表面魏出不親合雜f ’藉此微 …子市口體)可以在與相鄰的微粒子之間形成間隙

201220304 f wplX 的狀態下形成’而使每個微粒子孤立。 在專利文獻1中，可用於微粒子形成的基板表面的材 料(基底材料(substrate material))與供給材料的組合是限定 於滿足下述關係的組合：若以在基底材料的常溫之表面能 為(Ysub)，在供給材料的熔點之表面能為(γδρ)，則γ_ —化 < 0。然而，本發明者發現，在未滿足上述關係的材料的^ 合中，也可在基板上形成由供給材料所造成的凸部。 【發明内容】 本發明的目的是提供-種基板製造紐，該基板製造 方法使用與專利文獻1不同之材料的組合，以製作形成有 凹凸形狀的基板。另外，本發_目暇提供—種磁性記 錄媒體的製造H其能夠在基板上形成由供給材料所造 成的凸部。 為了達成前述目的，本發明提供一種基板製造方法， 其包括有對在表面形财基底㈣的純以及支持該基板 的基板支持構件的至少-者施加預定頻率的高頻電壓的步 驟，以及將供給材料自配置在使前述供 基板的表面直接人射的位置之供給源供給至㈣基:^ :f対述基底㈣上職㈣额給材觸造成的凸 。卜^4供給材料以在前述基騎料㈣溫之表面能為 hub，在供給材料的熔點之表面能為 >〇的關係。 ^時，存在y-rsp 朝前述基板的前述供給材料的供給亦 鍍(__幻而進行。 ^以疋耩由歲 201220304 39956pif 料，二:=::=成分的材 為主成分的材 ^成鮮組中的任一個元素或分子作 主成Μ ’料敍Pt作為 料的材科，一給材料為以Ta作為主成分二 f外’亦可以是’前述基底材料為以Ta作為本杰八 的材:，而前述供給材料為以pt = 亦可以是，前述基底材料為以獻相人入成刀的材科° 成分的材料，㈣述供給材料為乍為主 r組成之群”的任-個元素或分子作為主：:： 料 柯以是，前祕騎料為_㈣作為 而前述供給㈣為以$Ta_ ' ^的材 亦可以是，前祕讀料為祕⑼ 料，^述供給材料為以N1W作為主(成==4成分的材 發明的基板製造方法中，亦可以是，將在义、十、1 板支持構件上所形成的前述供給材料 祖^絲 進行雜，而朝前述基板供給前述供給材料Γ源’並 本發明的基板製造方法亦可以是 前述供給材料自前述供給源供給至前述基=牛=進行將 藉由濺鍍供給前述供給材料至前然後 於前述基板支持構件上形成前述供給材料的步驟。，從而 201220304 u y y «pif 在則述基板的供給材料的供給亦可以是，在供給材料 的供給源與前述基板支持構件之間配置有遮蔽元件的狀態 下進行，而前述供給材料為將供給材料供給至前述基板支 持構件上時所使用之供給材料。 本發明又提供一種磁性記錄媒體的製造方法，其包括 有對在表φ形成有基底㈣的基板以及支持絲板的基板 支持構件的至少一者施加預定頻率的高頻電壓的步驟，以 及將磁性材料自配置在使前述磁性材料無法朝前述基板的 表=直接入射的位置之供給源供給至前述基板的步驟，且 在前述基底材料上形成由前述磁性材料所造成的凸部。前 述磁性材料以在前述基底材料的常溫之表面能為丫心，在 磁性材料的熔點之表面能為~時，存在U —%>〇的關 係。 ,在本發明令，可使用基底材料與供給材料的組合，以 製作於基底材料上形成有由供給材料所造成的凸部的基 板:其中，基底材料與供給材料以在基底材料的常溫之表 面能為Ysub，在供給材料的熔點之表面能為&時，滿足U 1P>〇的_。特別是，在本發财，可利用於基底材 料中使用磁性㈣，以作成於基底材料上形成有由磁性材 料所造成的凸部之磁性紀錄媒體。 【實施方式】 以下，參照圖式以詳細地說明本發明的實施形態。在 本實施形態巾，於表面形成有預定的基底㈣的基^上， 形成由預定的供給材料所造成的凸部。在凸部的形成是於 201220304 39956pif 惰性氣體的存在下’施加S頻電壓至基板以及支持基板的 基板支持構件的至少一者。在上述的狀態下，將供給材料 自配置在使供給材料無法朝基板的表面直接地入射的位置 之供給源供給至基板。基底材料的常溫之表面能(hub)與供 給，才料的魅之表面能(Ysp)存在。的關係。利用 進订如上述之基板的製作，可於基板上形成具有奈米級別 (nanometer order)的週期性的凹凸形狀。 圖1表示在具有凹凸形狀的基板的製造中所使用的裝 置。裝置ίο為具備腔體(chamber)u、基板座（substrate holder)l2、乾材(target)i3、擔板⑽⑽吵4以及高頻電源 21。腔體11容納了基板座12、靶材13以及擋板μ。腔體 11使用未繪示的真空泵等而調整至減壓狀態。另外，在腔 體11内中導入了例如氬(Ar)或氪⑼、氤(¾)等的惰性氣 體。 ' 基板座12是基板支持構件，且支持應形成凹凸形狀 的基板16。而且，在基板座12上形成有由朝基板16應供 給的供給材料所組成的供給材料膜15。此供 相當於是「”在賴讀難法«板 的位置之供給源」。所謂的使供給材料無法朝基板表面直 接地入射的位置，例如是指供給材料無法直線地到達相對 於基板16位置。 圖2所示為在基板座12的供給材料臈15的形成。靶 材13例如是在基板座12上形成供給材料膜15時所使用的 供給材料的供給源。在裝置1〇中，於惰性氣體的存在下， 201220304 39956pif 利用施加預定的直流電壓至靶材13，可在基板座12上形 成預定膜厚的供給材料膜15。 回到圖1 ’擋板14是遮蔽構件，且將基板丨6與靶材 13之間進行遮蔽。換言之，擋板14是防止來自靶材13的 供給材料直線地到達基板16的表面。不進行使用裝置1〇 在基板座12的供給材料膜15的形成的情況下，則可省略 靶材13與擋板14。 咼頻電源21例如是產生1〇〇kHz以上、1〇〇MHz以下 範_高頻電壓。高頻電源21是通過未㈣的整合器等， 施加高頻電壓至基板16與基板座12的至少一者。高頻電 壓，有相對於接地電壓是正及負的兩方的成分。高頻電壓 的取大值與最小值的差(Vpp)例如設為2〇〇、到2〇⑻V。 頻電壓的平均值減去接地電壓的值例如設為到 + 100V 〇 羞，=相對接地電㈣負的電壓至基板座12的時間 雜圍中’對腔體11内的惰性氣體離 12的方向的動能，則則 H她至基板座 及作為供給源的供給材料膜= 各別的表面上的原子等物理性地擊出。另二面.祐子f 相對接峨為正的酬時 方面=口 性氣體離子賦予從基板座12離開的U内的惰 μ的表面以及供給材料膜15擊 y :，則自基板 μ的表面。_重複如上述的原 會附著在基板 成一表面的基底材料上，會形成有= 二= 201220304 39956pif 成的凸部。+ 以下，說明實例。 (實例1) 首先’把Si(l〇〇)基板上載置在基板座丨2(圖2)上，並 使用釕(Ru)靶材13，於DC25〇w、Ar氣壓〇 3pa的條件下， 在Si基板上形成2〇 nm的Ru膜。接著，使用鈷地材 13，於Ar氣壓〇·5 Pa、DC8〇〇w的條件下進行濺鍍 (sputter) ’以在基板座12上藏鑛出1〇〇 nm的c〇膜（圖上 的供給材料膜15)。繼之，在形成有Co膜15的基板座i2 上〇又置形成有Ru(20 nm)的Si基板16，將腔體11設為 環境(壓力0.5 Pa) ’並將Co靶材13以擋板14遮斷的狀態 下，施加900秒的高頻RF電壓（180W)至基板座12。 使用原子力顯微鏡(AFM :日本Veeco公司势造 NanoscopeV)來觀察如上述方式製作而成的樣品表面，以檢 視是否有形成點(dot)。 (實例2) 首先，把Si(100)基板放在基板座12上，並使用 靶材13 ’於DC250W、Ar氣壓0.3 pa的條件下，在Si基 板上形成20 nm的Ru膜。接著，使用鉑(pt)靶材13，於 Ar氣壓0.5 Pa、DC500W的條件下進行濺鍍，以在基板座 12上濺鍍出lOOnm的Pt膜（圖1的供給材料膜15)。繼之， 在形成有Pt膜15的基板座12上設置形成有Ru(2()nm)的 Si基板16，將腔體11設為Ar環境(壓力〇 5 pa)，並將pt 乾材13以擂板14遮斷的狀下，施加9〇〇秒的高頻Rp 201220304 ^ ^ v^pif 電壓（180W)至基板座12。之後，利用與實例1同樣的方法， 進行樣品表面的觀察。 (實例3) 首先’把Si(100)基板放在基板座12上，並使用Ru 靶材13 ’於DC250W、Ar氣壓0.3 Pa的條件下，在Si基 板上形成20 nm的Ru膜。接著，使用鎳鎢(Ni9〇w1〇)靶材 13 ’於Ar氣壓0.5 Pa、DC500W的條件下進行濺鍍，以在 基板座12上濺鍍出lOOnm的1^9〇^¥10膜(圖丨的供給材料 膜15)。繼之，在形成有Ni9〇W1()膜15的基板座12上設置 形成有Ru(20nm)的Si基板16,將腔體1丨設為Ar環境(壓 力0.5 Pa)’並將Ni9〇W10|&材13以擋板14遮斷的狀態下， 施加900秒的高頻RF電壓（180W)至基板座12。之後，利 用與實例1同樣的方法，進行樣品表面的觀察。 (實例4)

首先，把Si(100)基板放在基板座12上’並使用Ru 靶材13，於DC250W、Ar氣壓〇·3 Pa的條件下，在si基 板上形成20 rnn的RU膜。接著，使用钽(Ta)靶材13，於 Ar氣壓0.5 Pa、DC500W的條件下進行濺鍍，以在基板座 12上濺鍍出lOOnm的Ta膜（圖i的供給材料膜15)。繼之， 在形成有Ta膜15的基板座12上設置形成有Ru(2〇nm)的 Si基板16，將腔體11設為Ar環境(壓力〇 5 pa)，並將Ta 靶材13以擋板14遮斷的狀態下，施加9〇〇秒的高頻RF 電壓(180W)至基板座12。之後，利用與實例i同樣的方法， 進行樣品表面的觀察。 201220304 iyy^opif (實例5) 首先，把si(ioo)基板放在基板座12上，並使用Pt靶 材13 ’於DC150W、Ar氣壓0.15 pa的條件下，在Si基板 上形成20 rnn的Pt膜。接著，使用Ta靶材13，於八!*氣 壓0.5 Pa、DC500W的條件下進行濺鍍，以在基板座12上 濺鍍出100 nm的Ta膜（圖1的供給材料膜15)。繼之，在 形成有Ta膜15的基板座12上設置形成有pt(20 nm)的Si 基板16，將腔體11設為Ar環境(壓力0.5 pa)，並將Ta靶 材13以擋板14遮斷的狀態下，施加9〇〇秒的高頻RF電 壓（180W)至基板座12。之後，利用與實例丨同樣的方法， 進行樣品表面的觀察。 (實例6) 首先’把Si(100)基板放在基板座12上，並使用Ta 乾材13 ’於DC300W、Ar氣壓〇·2 pa的條件下，在Si基

，上形成20 nm的Ta臈。接著，使用pt靶材13，於Ar 氣壓0.5 Pa、DC500W的條件下進行濺鍍，以在基板座12 上濺鍍出100 nm的Pt膜（圖i的供給材料膜15)。繼之， 在形成有Pt膜15的基板座12上設置形成有Ta(2〇 nm)的 Sl基板16，將腔體11設為Ar環境(壓力〇 5 pa)，並將pt 靶=13以擋板14遮斷的狀態下，施加9〇〇秒的高頻RF 電壓（180W)至基板座12。之後，利用與實例丨同樣的方法， 進行樣品表面的觀察。 (實例7) 首先，把Si(100)基板放在基板座12上，並使用Ta

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靶材13，於DC300W、Ar氣壓〇·2 Pa的條件下，在si基 板上形成20 nm的Ta膜。接著，使用Ta靶材13，於旭 氣壓0.5 Pa、DC500W的條件下進行$賤錢，以在基板座12 上濺鍍出lOOnm的Ta膜（圖1的供給材料膜15)。繼之， 在形成有Ta膜IS的基板座π上設置形成有Ta(2〇nm)的 Si基板16，將腔體11没為Ar環境(壓力〇 $ pa)，並將Ta 靶材13以擋板14遮斷的狀態下，施加9〇〇秒的高頻RF 電壓（180W)至基板座12。之後，利用與實例丨同樣的方法， 進行樣品表面的觀察。 (實例8) 首先，把Si(lOO)基板放在基板座12上，並使用始鉬 (C〇9〇Pt10)靶材13，於DC700W ' Ar氣壓〇]匕的條件下’， 在Sl基板上形成20 nm的Co%Pt1()膜。接著，使用c〇乾 材13，於Ar氣壓〇·5 Pa、DC8〇〇w的條件下進行濺鍍， 以在基板座12上濺鍍出lOOnm的Co膜(圖丨的供給材料 骐b)。繼之，在形成有Co膜15的基板座12上設^形成 有c〇9〇Pt10(20nm)的Si基板16,將腔體11設為Ar環境(壓 力Pa)，並將Co乾材13以擋板14遮斷的狀熊下，施 加900秒的高頻RF電壓（i8〇W)至基板座12。之彳I，利: 與實例1同樣的方法，進行樣品表面的觀察。 (實例9) 首先，把Si(100)基板放在基板座12上，並使用c〇9〇pt 乾材’於DC700W、Ar氣壓0.1 Pa的條件下，在& 上形成20 nm的C〇9〇Pt10膜。接著，使用Ni9〇\vl〇乾材.，於

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Ar氣壓0.5Pa、DC500W的條件下進行濺鍍，以 12上藏鍛出lOOnm的Ni9〇Wl〇膜（圖1的供給材^ ^ 繼之，在形成有Ni9〇W1()膜15的基板座12上設置_ C〇9〇Pt10(20 nm)的Si基板16 ’將腔體u設為& / 之後，利 力0.5Pa)’並將Ni9〇W10靶材13以擋板14遮斷的 施加900秒的高頻RF電壓（i80w)至基板座12 ~卜， 用與實例1同樣的方法’進行樣品表面的觀察 (實例10) 首先’把Si(lOO)基板放在基板座12上，並使用c 靶材13，於DC700W、Ar氣壓〇1 pa的條件下在=基0 板上形成20 nm的（：〇9必10膜。接著，使用把材 於Ar氣壓0.5 Pa、DC500W的條件下進行濺鍍，以在基板 座12上濺鍍出100 rnn的Ta膜(圖！的供給材料膜。 繼之，在形成有Ta膜15的基板座12上設置形成有 C〇9〇Pt1()(20 nm)的Si基板16，將腔體u為Ar環境(壓力 0.5 Pa)，並將Ta靶材13以擋板14遮斷的狀態下，施加 900秒的高頻RF電壓（180W)至基板座12。之後，利用與 實例1同樣的方法’進行樣品表面的觀察。 (實例11) ' 首先，把Si(100)基板放在基板座12上，並使用鎳(Ni) 靶材13 ’於DC900W、Ar氣壓αΐ Pa的條件下，在'si基 板上形成20 nm的Ni膜。接著，使用c〇靶材13，於Ar 氣壓0.5 Pa、DC800W的條件下進行濺鍍，以在基板座12 上濺鍍出100 nm的Co膜（圖1的供給材料膜）。繼之，在 201220304. 形成有Co膜15的基板座12上設置形成有见(2〇11111)的& 基板16 ’將腔體11設為Ar環境(壓力〇 5 pa)，並將c〇 靶材15以擋板14遮斷的狀態下，施加9〇〇秒的高頻Rp 電壓（180W)至基板座12。之後，利用與實例1同樣的方法， 進行樣品表面的觀察。 (實例12) 首先，把Si(100)基板放在基板座12上，並使用奶 乾材13 ’於DC900W、Ar氣壓o.i pa的條件下，在Si基 板上形成20 nm的Ni膜。接著，使用Ta靶材13，於Ar 氣壓0·5 Pa、DC500W的條件下進行濺鍍，以在基板座12 上濺鍍出100nm的Ta膜（圖i的供給材料膜15)。繼之， 在形成有Ta膜15的基板座12上設置形成有见(2〇11111)的 Si基板16，將腔體11设為Ar環境(壓力〇·5 pa)，並將Ta 靶材13以擋板14遮斷的狀態下，施加9〇〇秒的高頻妳 電壓（180W)至基板座12。之後，利用與實例丨同樣的方法， 進行樣品表面的觀察。 (實例13) 首先，把si(ioo)基板放在基板座12上，並使用鉻(Cr) 靶材13，於DC150W、Ar氣壓〇·3 Pa的條件下，在以基 板上形成20nm的Cr膜。接著，使用Ni9〇Wi〇靶材13，於 Ar氣® 0.5 Pa、DC500W的條件下進行雜，以在基板座 12上濺鍍出lOOnm的>^0”10層（圖丨的供給材料膜15)。 繼之，在形成有Ni9〇W1()膜15的基板座12上設置形成有 Cr(20 nm)的Si基板16，將腔體u設為射環境(壓力〇 $ 201220304 39956pif a) ’並將乾材U以擔板M遮斷的狀態下，施加 900秒的高頻RF電壓⑽w)至基板座12。之後，利用與 實例1同樣的方法，進行樣品表面的觀察。 ” (比較例1) 首先’使用Pt靶材13 ’於Ar氣壓0.5 Pa、DC5〇〇w 的條件下進行濺鍍，以在基板座12上賤鍍出議nm的pt 膜(圖1的供給材料膜ls)。接著，在形成有pt膜15的基 板座12十設置Si(100)基板，將腔體u設為Ar環境(壓力 0.5 Pa)並將Pt把材13以擋板14遮斷的狀態下，施力口 9〇〇 秒的高頻RF電壓⑽W)至基板座12。之後，利用與實例 1同樣的方法’進行樣品表面的觀察。 (比較例2) 首先’把Si(ioo)基板放在基板座12上，並使用銀(Ag) 靶材13，於DC1000W、Ar氣壓h6 pa的條件下，在& 基板上形成20 nm的Ag膜。接著，使用扒靶材，於Ar 氣壓0.5 Pa、DC500W的條件下進行濺鍍’以在基板座12 上賤鍛出100 nm的Pt膜（圖1的供給材料膜Μ)。繼之， 在形成有Pt膜15的基板座12上設置形成有Ag(2〇nm)的 Si基板16，將腔體11設為Ar環境(壓力〇 5 pa)，並將pt fe材13以擔板14遮斷的狀態下，施加9⑻秒的高頻RF 電壓(180W)至基板座12。之後，利用與實例丨同樣的方法， 進行樣品表面的觀察。 (比較例3) 首先’把Si(100)基板放在基板座12上，並使用鋁(A1) 201220304. 靶材13，於DC1000W、Ar氣壓16 pa的條件下，在Si 基板上形成20 nm的A1膜。接著，使用R把材13，於 Ar氣壓0.5 Pa、DC500W的條件下進行濺鍍，以在基板座 12上濺鍍出1〇〇 nm的Pt膜（圖1的供給材料膜15)。繼之， 在形成有Pt膜15的基板座12上設置形成有A1(2〇 nm)的 Si基板16，將腔體11設為Ar環境(壓力〇 5 pa)，並將pt 乾材13以擔板14遮斷的狀態下，施加9〇〇秒的高頻RF 電壓（180W)至基板座12。之後’利用與實例丨同樣的方法， 進行樣品表面的觀察。 (比較例4) 首先，把Si(ioo)基板放在基板座12上，並使用碳(c) 靶材13，於DC1500W、Ar氣壓〇·13 Pa的條件下，在Si 基板上形成20 nm的C膜。接著，使用pt乾材η，於Ar 氣壓0.5 Pa、DC500W的條件下進行濺鍍，以在基板座12 上濺鍍出100 nm的Pt膜（圖1的供給材料膜15)。繼之， 在形成有Pt膜15的基板座12上設置形成有c(20 nm)的 Si基板16，將腔體11設為Ar環境(壓力0.5 Pa)，並將pt 靶材13以擋板14遮斷的狀態下，施加9〇〇秒的高頻RF 電壓（180W)至基板座12。之後’利用與實例丨同樣的方法， 進行樣品表面的觀察。 (比較例5) 首先’把Si(100)基板放在基板座12上，並使用Cr 靶材13，於DC150W、Ar氣壓〇_3 pa的條件下，在si基 板上形成20 nm的Cr膜。接著，使用Ru靶材13，於Ar

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氣壓0.5 Pa、DC500W的條件下進行賤鍍，以在基板座l2 上濺鑛出100 nm的Ru層（圖1的供給材料膜Μ)。繼之， 在形成有Ru膜15的基板座12上設置形成有Cr(2〇nm)的 Si基板16，將腔體11設為Ar環境(壓力〇 5 pa)，並將Ru 乾材13以擔板14遮斷的狀態下，施加9〇〇秒的高頻RF 電麗（180W)至基板座12。之後，利用與實例】同樣的方法， 進行樣品表面的觀察。 (比較例6) 首先’使用Ni90W10靶材13,於Ar氣壓〇.5 pa、DC500W 的條件下進行濺鍍，以在基板座12上濺鍍出1〇〇 nm的 恥9〇11()膜（圖i的供給材料膜15)。接著，在形成有Ni9〇Wi〇 膜15的基板座12上設置Si(100)基板16，將腔體u設為 Ar環境(壓力0.5 Pa)’並將Ni9〇W1()靶材13以擋板14遮斷 的狀,¾'下’施加900秒的鬲頻RF電壓（i8〇w)至基板座12。 之後’利用與實例1同樣的方法，進行樣品表面的觀察。 (比較例7) 首先，把Si(100)基板放在基板座12上，並使用A1 靶材13，於DC1000W、Ar氣壓1.6 Pa的條件下，在Si 基板上幵>成20 nm的A1膜。接著，使用Ni9〇w10乾材13， 於Ar氣壓0.5 Pa、DC500W的條件下進行濺鑛，以在基板 座12上濺鍍出1〇〇 nm的Ni9〇W10膜(圖i的供給材料膜 15)。繼之，在形成有Ni9〇W1()膜15的基板座12上設置形 成有Al(20 nm)的Si基板16 ’將腔體11設為αγ環境(壓力 0.5 Pa) ’並將NigoWio乾材13以擋板14遮斷的狀態下， 201220304^ 施加900秒的高頻RF電壓（18〇w)至基板座12。之後，利 用與實例1同樣的方法，進行樣品表面的觀察。 (比較例8) 首先，把Si(100)基板放在基板座12上，並使用c靶 材13，於DC1500W、Ar氣壓0.13 pa的條件下，在si基 板上形成20 nm的C膜《接著，使用吨眞⑼材，於Ar 氣壓0.5 Pa、DC500W的條件下進行濺鍍，以在基板座12 上濺鍍出100nm的]^9〇界10膜（圖1的供給材料膜w)。繼 之’在形成有Ni9〇W1()膜15的基板座12上設置形成有c(20 nm)的Si基板16，將腔體11設為Ar環境(墨力〇 5 pa), 並將Ni9〇W1()乾材13以擋板11遮斷的狀態下，施加9〇〇 秒的高頻RF電壓(180W)至基板座12。之後，利用與實例 1同樣的方法，進行樣品表面的觀察。 (比較例9) 首先’把Si(100)基板放在基板座12上’並使用c靶 材13，於DC1500W、Ar氣壓0.13 Pa的條件下，在si基 板上形成20 nm的C膜。接著，使用Ta靶材13，於Ar 氣壓0.5?&、00500〜的條件下進行濺鍍，以在基板座12 上濺鍍出100 nm的Ta膜（圖1的供給材料膜15)。繼之， 在形成有Ta膜15的基板座12上設置形成有c(2〇 nm)的 &基板16，將腔體11設為Ar環境(壓力0 5Pa)，並將Ta 靶材13以擋板14遮斷的狀態下，施加9〇0秒的高頻处 電壓（180W)至基板座12。之後，利用與實例丨同樣的方法， 進行樣品表面的觀察。 201220304 39956pif 圖3所示為實例i〜13以及比較例i〜9的樣品評價 結果。圖3中也一併記載在基底材料的常溫(298 2κ)之表 面能ysub與在供給材料的熔點之表面能Ysp。各材料的表面 能是引用自「The Surface free Energies of Solid Chemical

Elements: Calculation from Internal Free Enthalpies of

Atomization j L. Z. Mezey et.al: Jpn. J. Appl. Phys. 21 (1982) P1571 ° 在實例1至實例13中，於任一基板上皆可形成具有 某些程度的週期性的點（凸部）。在此，所謂的點被週#月性 地形成是指，大致相同大小的點具有某些程度的規則性且 在某領域平均地分佈的狀態。在實例〗至實例13中，點週 期(dot cycle)為在15 nm〜50 nm左右的範圍，而點高度(d〇t height)為1 nm〜3 nm左右。在各實例_，若比較基底元素 的表面此ysub與供給材料的表面能化，則皆是> 〇。由此結果確定，至少在實例中的材料的組合，於Ρ >〇的條件下，在基板上可形成具有奈米級別；：

凹Λ形妝。 ^ J 々田 …你权妁Τ，热农牡丞极上週期性地形 由U才料所造成的凸冑。在各比較例中，基底材料的 面能hub與供給材料的表面能、的關係是γ卜丫 發明者由以上的實_及比較例的評償結果 術雜rse sputter __微__ =板=^面驗大，軌在餘切形成具有遇 1·生的點。關於在HP>0的條件下為何可形成點 20 201220304 :不二很明白。可是，實際上在至少以實例進行評價的範 程度的===:’可在基板表面形成具有某些 ，基紐料以及供給㈣被認為較佳是使用結晶 貝、、；在丫sub一Ysp>0的條件下，由於供給材料對基底 材料的潤濕性(we嘯㈣佳，供給材料會在基底材料上擴 展開來，從而不會形成—般所認為的凸部。雖然如此，可 形成凸部被認為是’在成朗步驟中，供給材料以蟲晶 (epitaxml)成長於基底材料上，並於某時間點產生翹曲時， 受到該翹曲的影響因而形成凸部。 以上，根據適當的實施形態來說明本發明，但本發明 的基板製造方法以及磁性記錄媒體的製造方法不是只限定 於上述實施形態，由上述實施形態的組成之種種的修正以 及變更而施行者亦包含在本發明的範圍中。 【圖式簡單說明】 圖1是表示在具有凹凸形狀的基板的製造中所使用的 裝置的方塊圖。 圖2是表示在基板座的供給材料膜的形成的方塊圖。 圖3是表示實例以及比較例的評價結果的表。 【主要元件符號說明】 10 :裝置 Π :腔體 12 :基板座 13 :靶材

S 21 201220304 39956pif 14 :擋板 15 :供給材料膜 16 :基板 21 .南頻電源

Claims (1)

1. 201220304 w'pir 七、申請專利範圍： 1· 一種基板製造方法，其包括：對在表面形成有基底 材料的基板以及支持該基板的基板支持構件的至少一者施 加預定頻率的高頻電壓的步驟；以及 將供給材料自配置在使前述供給材料無法朝前述基 板的表面直接入射的位置之供給源供給至前述基板的步 驟，且 在前述基底材料上形成由前述供給材料所造成的凸 部， 前述供給材料以在前述基底材料的常溫之表面能為 Ysub ’在供給材料的熔點之表面能為Ysp時，存在Ysub_Ys >〇的關係。 sp 2.如申請專利範圍第丨項所述之基板製造方法，其中 在前述基板的前述供給材料的供給是藉由濺鍍而進行。 3·如申請專利範圍第1項所述之基板製造方法，其中 前，基底材料是以RU作為主成分的材料，而前述供給材 料是以選自由Co、pt、聰以及Ta所組紅群組中的任 一個元素或分子作為主成分的材料。 义、4·如中請專利範圍第1項所述之基板製造方法，其中 削述基底材料是以Pt作為主成分的材料，而前述供給材 是以Ta作為主成分的材料。 义、5.如申請專利範圍第1項所述之基板製造方法，其中 削述基底材料OX Ta作為域分的材料’而前述供給 料是以Pt或Ta料域分的材料。 23 201220304 39956pif 一=如中請專利範圍第1項所述之基板製造方法 ，其中 ^土 &料是以copt作為主成分的材料，而前述供給材 料^選自由C。、歸以及Ta所組成之群組中的任一個 兀素或分子作為主成分的材料。 7.如中請專利範圍第i項所述之基板製造方法，其中 ^ 土底材料是以Ni作為主成分的材料，而前述供給 是以Co或Ta作為主成分的材料。 义、、8.如中請專利範圍第1項所述之基板製造方法，其中 基底材料是以c ]•作為主成分的材料，而前述供給材料 疋以NiW作為主成分的材料。 批· 9如^請專利範圍第1項所述之基板製造方法，更包 二將在如述基板支持構件上所形成的前述供給材料作為 =述供、、、。源’並進行濺鍍，而朝前述基板供給前述供給材 10.如申請專利範圍帛9項所述之基板製造方法，更 括先進行將則述供給材料自前述供給源供給至前述義 板的步驟，且藉由频供給錢供給材料至前述基板支ς 3件上’⑽前述基板支持構件上軸前述供給材料的步 ^如中請專利範圍第1G項所述之基板製造方法，其 中在前述基板的供給材料的供給是，在供給材料的供給ς 與^述基板支持構件之間配置有遮蔽構件的狀態下進二、 而前述供給材料為將供給構件供駐歧絲支持構 時所使用之供給材料。 上 24 201220304 12. —種磁性記錄媒體的製造方法，其包括：對在表 面形成有基底材料的基板以及支持該基板的基板支持構件 的至少一者施加預定頻率的高頻電壓的步驟；以及 將磁性材料自配置在使前述磁性材料無法朝前述基 板的表面直接入射的位置之供給源供給至前述基板的步 驟，且 在前述基底材料上形成由前述磁性材料所造成的凸 部， 則述磁性材料以在前述基底材料的 W在磁性材料的炫點之表面能為％時^之表面月匕為 >0的關係。 任在Ysub-Ysp ¢-. 25