TW201214855A - Low distortion high bandwidth adaptive transmission line for integrated photonics applications - Google Patents
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201214855 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明和傳輸線有關,且更明確地說,係關於用於提供 低失真之適應性傳輸線的系統與方法,其並不會犧牲高傳輸 速率。 【先前技術】 超高速光學調變器(舉例來說,大於2〇Gb/s)經常會被實 施為行進波(Traveling Wave,TW)結構。TW配置試圖分散— 長調變器的電容,俾便其會呈現合理的特徵阻抗給一驅動器 電路、,而非龐大的集總電容。TW配置試圖讓沿著一電極行進 的微波凋變彳s號的速度匹配同樣沿著該電極行進之被調變的 光波。 理想無彳貝耗的傳輸線會被設計成特徵阻抗(Zou)及微波速 ς(νρυ)兩者皆會高於該傳輸線無負載時的最終有負載設計目 =i(z0L’^vpL)。本文中,無負載的意義為該傳輸線並未接觸 11光予^號的波導。無負載條件的理想無損耗傳輸線公式 包含: z〇u~~^ 有負載條件的理想無損耗傳輸線公式包含: v t 其中z為阻抗,”為速度,l為電感,匸為電容,c為光 201214855 速,而《為折射率。 負載係數為負載接觸元件㈤總長度和總調變器長度的比 例該等主動負載元件中的每一者會增加電容,其會降低特 徵阻抗與微波速度。要最大化無負載傳輸線的阻抗與速度很 困難。巧半導體光學調變器巾駐城學波導每個單位長 度具有向電容無貞鱗徵阻抗與速度結合高電容性負載 元件會轉變成超低貞載係數(1G_5G%)。這使得難以既要讓該 TWj變器的最終有負载特徵阻抗達成w歐姆同時又與光 學信號產生合理的速度匹配Mgt負载係數的意義為調變器的 工間效率不佳’也就是’大部分的調變器實體長度並未用於 又’該調變器中沒有用於調變的被動部分會增加光學損 11進—步言之’―微波調變錢在其必彡頁沿著較長電極行 J時會招致額外的歐姆損耗。有損耗傳輸線的常見問題係, 線的阻抗為頻·率的函數,而且其會造成失真。 【發明内容】 -種傳及其倾枝,其包含誠路徑 個區段以及-通職等隨的連續林雜。彡個 = ,會被形成在相鄰區段之間並連接該等相鄰區段。該等g 益會被形成在-频電路的複數個金屬層之中,用二 1=傳輸狀光學觀為電容,以便達成該傳輪線的特 201214855 另二種傳輸線,其包含具有-連續電路徑 以及-通過該等區段的連續光學路徑。多固2又 形成在相鄰區段之間並連接該等相鄰區段被 形成在—龍電路的魏個金屬層之巾,用^ /杰會破 二專輸線,光學調變器的電容,以便達成該傳輪線 抗。一延遲機制會被配置成用以匹配在該 行徵产 該广徑上行進的光學信號之間的 月包一刼作頻寬(operating bandwidth)。 1文双 一種用於實施寬頻傳輸線的方法,其包含:藉由 之Γ離散電感器來平“傳輸線的 先子讀㈣電容,用以達成該傳輸線的特徵阻抗;以及調 諧一控制電路,用以匹配在該傳輸線中行進的一 光學信號之間的速度。 °'、一 從下面本發明解釋性具體實施例的詳細說明中,配合附 圖來閱讀,便會明白前述與其它特徵及優點。 【實施方式】 根據本發明原理,提供一種用於半導體光學調變器的最 佳化行進波(TW)結構與控制電路。於一特別實用的呈體實施 例中’會在一具有多個金屬層的積體電路製程(舉例來說互 補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor ’ CMOS)製程)中製造光子調變器(ph〇t〇nic modulator)。本發明實施例的系統與方法的態樣包含:多個分 散式電極,它們會運用多金屬層電感器來平衡光學調變器電 201214855 谷,以便達成所希望的特徵阻抗;多個低損耗光學延遲線, 此多個離散電感器被插入在主動調變器區段之間,用以減慢被 調變的光學波並將其速度匹配於電調變信二:一:; 控制電路與用以實施該可調諧控制電路的方法,用以速度匹 配在(一光學調變器的)一傳輸線中行進的電調變信號和光學 信號。 下面會參考根據本發明具體實施例的方法及設備(系統) 的流程圖及/或方塊圖來說明本發明的態樣。圖中的流程圖及 方塊圖圖解的係根據本發明各具體實施例的系統、裝置及方 法之可能實施方式的架構、功能及操作。於某些替代實施方 式中,在該等方塊圖中所述之功能的進行順序可能不同於圖 中所述。舉例來說,圖中連續顯示的兩個方塊實際上可能實 質同時執行,或者’該等方塊有時候可能以反向順序執行, 端視涉及的功能而定。還應該注意的係,該等方塊圖及/或流 程圖,的每一個方塊以及該等方塊圖及/或流程圖中的方塊二 組合月b夠藉由會實施指定功能或動作之以特殊用途硬體為基 礎的系統或是特殊用途硬體及/或電腦指令的組合來實施。 應該瞭解的係,本文雖然利用矽技術以給定的解釋性架 構來說明本發明;然而,在本發明的範疇内,亦可改變其它 架構、結構、基板材料(舉例來說,InP、GaAs、聚合物、 等)、以及製程特徵與步驟。 ··‘ 本文所述的電路可能係一積體電路晶片之設計的一部份 或者運用一(或多個)積體電路晶片。該晶片設計可以圖形電腦 201214855 電麟麵軸如,碟片,、 钟去可μ或來製作晶片的光微影遮罩,那麼,設 Si 電說,提供儲存該設計之儲存媒體 =轉此等製造商。接著’被儲存的設計便會 光微影遮罩的合宜格式(舉例來說 其通常包含要被形成在一晶圓上之探討中晶片設 或ΐΐίϊ:該等光微影遮罩係用蚊義該晶圓中要被姓刻 ’ 丁/、匕處理的區域(及/或其上方的層)。 本文所述的方法可以用來製作積體電路晶片。最終的積 體電路晶片會由製造商以原始晶圓形式(也就是,具有多個未 封裝晶片的單一晶圓)、裸晶、或者已封裝形式來分送。於後 面的情況中,該晶片會被安置在單晶片封裝(例如,塑膠載板, 其具有被固定至一母板或其它更高階載板的導線)之中或多晶 片封裝(例如,陶瓷載板’其具有表面内連線或埋置内連線中 任一者或兩者兼具)之中。於任何情況中,接著,該晶片會與 其匕晶片、離散電路元件、及/或其它信號處理裝置整合成(a) 中間產品(例如,母板)或是(b)末端產品的一部分。末端產品 "T月b係包含積體電路晶片的任何產品,其範圍從玩具和其它 低階末端應用到具有顯示器、鍵盤或其它輸入裝置、以及中 央處理器的高級電腦產品。 現在參考圖式,其中,相同的數字代表相同或雷同的元 件,並且先參考圖1,圖中顯示出,根據一具體實施例,離散 201214855 低阻值(R)、高電感(L)線圈102會被插入至傳輸線ι〇4之中β 傳輸線104會被設計成特徵阻抗(Ζου)及微波速度(vpU)兩者皆 會高於該傳輸線無負載時的最終有負載設計目標值(2此, Vpl)。利用長度小於總調變器長度的離散元件1〇2來接觸光學 波導105會藉由傳輸線104的主動負載元件達成週期性負^ 的目的。傳輸線104包含光學波導1〇5以及電線路1〇3(其會 通過線圈102)。具有高電感L的離散線圈1〇2會被插入,用 以讓線104的有效阻抗Z更接近所希望數值。離散L_c區段 106的數量很少,舉例來說,僅足以讓該區段的實體大小保^ 低於在線104中行進的電信號的波長,俾使得線1〇4仍有 效充當一連續傳輸線。 於-特別有用的具體實施例中,線圈ω2會連同多 的金屬層被形成在—㈣電路之卜 考圖2杨耗傳輸線的黑維塞條件如下。黑維塞條 件(在無失真的傳播中〉包含:f 跨導,LA带式二’/、中’R為阻值’ G為 導^魏1 C輕容。—有損耗傳輸_阻抗 當符合黑維塞條件時,z和理想線的阻抗相同: 圖3所示的係該傳輸線之微分區Ux的參數祕、 再次參考圖 201214855 說’僅在積體電路設計中受限於金屬設計規則)。這會提高調 變器效率並縮小系統的整體尺寸。電極108運用沿著一主動 光學調變器之電接點110鋪設的離散電感器102在一調變器 的其中一臂之申形成一分散式電極結構114。該等電感器1〇2 與一電容式主動光學波導105的組合會形成一分散式LRC電 路。 此方式的其中一項優點係,該等電感器102會被最佳化 以便控制該等三項電路參數中其中兩項,其包含單位長度的 電感及單位長度的阻值。該電感可利用各種模型工具(舉例來 說 ’ ASITIC™、HFSSTM、AGILENT™、ADS™、...等)來設 計與預測,而該等調變器電極的阻值則可利用各層之間的通 道運用綑缚在一起的多層金屬層(可用在CM0S製程中)來最 小化。雖然該等分散式電極中的電感器102的設計會決定該 分散式LRC電路的L與R;不過,單位長度的電容(c)卻係由 該主動光學波導105的實體大小來設定。該等電感線圈ι〇2 較佳的係包含-介於約lpH及1()nH之間的電感而且較佳的 係包含小於50歐姆的串聯阻值。 實作上,這意謂著有貞載特__ 技術段落中提出的公式來達成,但是,微波== ==信_速度還慢。該特徵秘可2 _之間,獨,亦可運料它糊 與電信號之間的匹配’可以在該等 上 每一者之間插入離散低損耗光學二區段中的 一 、遲疋件210,如圖3中所 201214855 器配置可能包含一分又器(s_er 將一先學輸入信號分又成多個分支。圖 )、會 中具有一傳輸線的單一分支。該調變 便在該等臂部之;:光(=產 3合,來說’利用該等分支末端的輛合器〔未=可 若該等臂部之間的相位差為180度的話,當該Ί 號讀在—起時便會㈣。倘若相位絲。或⑽ = 整,號便會在輸出處再次被提供。依此方式該ς變“ 充2光學信號的導通·不導通傳輪的開關。於—範例中= -具有-或兩個輸人及兩個輸出的調變器來說,, 同的技術讓該(等)輸入通往任-輪出。需說明的是,本= 偈限於此,亦可祕其它配置。 & +發明不 參考傳輸線2G4(其可能係—光學調變器的 ί 3匹配的光學與電延遲。提高線圈H)2的電感L也會 母一區段(或級)106的延遲,從而導致電路經203令的 (傳!^及光學波導加中的先的傳播速度有^ 舉例來說’倘若L=100pH且c==1〇⑽的話,每 f更是倘若一級(1〇6)的尺寸4 100微求(其為光在it 中行進的距離)的話,那麼,每—級便存 IPs 對Π)或2。級來說,失配會變成扣至 ;失= 201214855 並無法接受。可以增加波導區段210(舉例來說,光纖),以便 匹配該等延遲。該等區段210的長度經過選擇,以便提供合 宜的延遲。 ’13 參考圓4,圖中所示的係根據另一具體實施例的傳輸線 304。電信號和光學信號之間的匹配可藉由在電線路2〇3的c 負載之中加入變容器302而具有適應性。此外,一 DLL(延遲 鎖定迴路,Delay Locked L〇〇p)305可被用來調整光學信號和 電信號之間的相位差。DLL 305會自動匹配光學延遲^電延 ,。光學延遲與電延遲的匹配會以製程變異、溫度變^、 等為函數而改變。不完整的延遲匹配會限制的最大可達速 度。所以,被加入該電傳輸線之C負載部分之中的變容器3 〇 2 會利用電路310分接來自一調變器臂部(線路3〇4)的光學信 唬,用以將該信號轉換成電域(光學信號緣)。分接頭 會收集該光學能量的一小部分(舉例來說,以小於1〇%為宜, :佳的係,小於5%)。電路310包含一光二極體312°二以 物,用以將該光學信號轉換成電信號。亦可能會 =314或其它電路系統。DLL 3〇5會利用一相位偵測器· 來比較電錢緣及光學錢緣抵達時間。該相位 (早期/晚期)會被-迴路濾、波器3〇8過渡,該迴路 : 據該信號並控制該等變容器302,用以確 ^匹^過 應該瞭解的是,-調變器可能會❹條料^的】配二 一根據本發明原理的傳輸線。 百匕s 於-具體實施例中提供一高頻寬、低失 輪線綱,其藉由將該線分成多級(stag雜並在該等^ 201214855 或更小,較佳的係,小於約10::=二: 但是,較高的數值亦可能適合具有較少區段 光波與電波的傳播速度(每—級的延遲)會匹配 最高可能㈣速率,舉㈣說,1Gb/s歧大,岐佳的^成 超過嶋/s。依本發明原理,會自動調適電信號的速度使 其匹配料錢的速度。這會在购條件顧(舉财說 理、溫度、...等)達成最大操作速度。本發鴨簡解說明一 DLL 305,但是亦可運用其它可調諧控制電路或延遲機制。 倘若在二光學調變器中運用傳輸線3〇4的話,該調變器 可能包含一咼速馬赫詹德(Mach-Zehnder)調變器,其中,至少 一相位調變器電極包含該傳輸線3〇4。於另一具體實施例中1 一高速電吸收調變器會運用該(等)傳輸線3〇4作為一增益調 變器電極。該調變器可能會被併入一積體電路之中,該積體 電路具有一由下面一或多者所構成的基板:Si、GaAs、
LiNb〇3,InP、或是任何其它半導體化合物、單晶或聚合性材 料。 可透過模擬,在2〇Gb/s處比較根據本發明原理的結構和 習知集總結構(沒有額外電感器線圈ρ當在2〇Gb/s處使用本 文建議的傳輸線結構時,(眼狀圖中的)資料眼為寬闊;而習知 的方式則受限於操作在小於5Gb/s處。亦曾在90nmCMOS製 12 201214855 ίΐϋ用峰化線圈的實際實施方式作過模擬。其已經採取特 ^的步驟來保持該線_低串聯w (將數個金屬層綑缚在一 兮電t Ϊ小化R值)。該模擬顯示*,2GGb/s操作容易受到 通笔琢盗線圈之串聯R值的影響。 參考圖5’一積體電路400包含一根據一解釋性且 例的傳輪線彻的—部分。積體電路働較佳的係包含一半 導體積體電路晶片;不過,亦可運用印刷繞線板或其它配置。 圖中所示的電路400係用以顯示一種示範性配置。、應該注音 的係,亦可運用包含其它裝置與結構的其它配置。舉例來說二 調變器、二極體、變容器、電晶體(舉例來說,以便使用在放 大器、DLL、".等之中)亦可整合至電路4⑻之中或被連接至 電路400。電路4〇〇可能包含單一晶片,其包含至少一傳輸線 404(舉例來說’參見線1〇4、204及3〇4),該至少一傳輸線4〇4 包含一光學波導406及一電路徑4〇8。該光學波導4〇6可能包 含一光纖或其它波導。 圖中所示的電路400有兩個部分,折線顯示該電路為接 續。單一傳輸線可被運用在單一晶片上,可跨越多個晶片, 或者可以利用纜線、光纖、及/或導線在較大的距離中進行連 接。電路400包含一基板410 ’舉例來說,其可能包含別、ιηρ、 GaAs、LiNb〇3 :聚合物、或是其他元素或化合物。基板41〇 之上會形成複數層412。該等層412包含導體線414。該等導 體線414雖然可用於電路400的各項功能;但是,圖5顯示 複數條線414與連接線416以便降低電感器線圈1〇2中的串 聯阻值。圖中雖未描繪完整線圈1〇2,不過,一解釋性部分卻 13 201214855 顯示組合以形成該等線圈102的數條導體線414。電路徑4〇8 會連接至線圈102並繞行通過該傳輸線404。光學路後406 同樣會沿著電路400連續繞行或繞行通過電路400。額外的波 導區段210(圖4)可被放置在電路400之上、晶片之間、一晶 片上、…等。 參考圖6’圖中所示的係根據一具體實施例用以實施一寬 頻傳輸線的方法。在方塊502中,會利用一寬頻傳輸線來平 衡一光學調變器的電容,以便達成該傳輸線的特徵阻抗。在 方塊504中,可藉由在該傳輸線的相鄰調變器區段之間連接 一離散電感器(舉例來說’ 一螺旋電感器)達成該平衡。在方塊 506中,該電感器會被形成在一積體電路的複數個金屬層之 中,以便降低串聯阻值並提高電感。 在方塊508中,一控制電路會被調諧以便匹配在該連續 傳輸線中的個別路徑中行進的一電信號和一光學信號之間的 速度。在方塊510中,調諧可能包含於該光學路徑中插入一 或多條光學延遲線。在方塊512中,該調諧可能包含利用一 延遲鎖定迴路0LL)來比較該電信號的相位與該光學信號的 相位。在方塊514中,調諧可能包含調整一被耦合至一區段 電容的變容器。該變容器可以利用DLL輸出來調整。 本文已經說明一種積體光學應用之低失真高頻寬適應性 傳輸線的系統與方法的較佳具體實施例(其用意為解釋而非限 制);但是’應該注意的係’熟習本技術的人士依照上面教示 内容便可進行修正與變更。所以,應該瞭解的係,可以對本 14 201214855 文揭示的特殊具體實施誠行改變,其落在__請專利r f所:定的本發明範疇裡面。因此,本文已說明本發明“ 樣;/、具有專利法所要求的細節與特殊性,在隨附的申諳^ 利fc圍中會提出專利證所主張且希望保護的内容。 【圖式簡單說明】 本發明已參考下面圖式於上面較佳具體實施例的說 提出詳細說明,其中: 為根據一解釋性具體實施例在區段之間有離散電感 線圖式.: 圖1 器的傳輸 圖2所示的係—解釋性具體實施例之傳輸線的黑維塞條 件之示意圖; 圖3為根據另一解釋性具體實施例的傳輸線圖式,其具 有用於匹配相位的離散電感器及額外的波導區段; 圖4為根據另一解釋性具體實施例的傳輸線圖式,其具 有用於匹配相位的離散電感器、額外的波導區段、一延遲鎖 定迴路、以及一變容器; 圖5為根據另一解釋性具艟實施例的電感器的一多層積 體電路的剖視圖;以及 圖6為根據一解釋性具體實施例用於操作一傳輸線的方 塊/流程圖。 【主要元件符號說明】 102 線圈 103 電線路 104 傳輸線 15 光學波導 L-C區段 電極 電接點 分散式電極結構 電路徑 傳輸線 光學波導 光學延遲元件 波導區段 變容器 傳輸線 延遲鎖定迴路 相位偵測器 迴路濾波器 電路 分接頭 光二極體 放大器 積體電路 傳輸線 光學波導 電路徑 基板 層 16 201214855 414 416 導體線 連接線 17
Claims (1)
- 201214855 七、申請專利範圍: 1. 一種傳輸線,其包括: 構成一電路徑的複數個區段; 一通過該等區段的連續光學路徑;以及 多讎散電感器’該多個離散電感器會被形成在相鄰區段之 間並連接該軸_段’料魏时獅成在—積體電路的複 數個金屬層之中’用以平衡一包含該傳輸線之光學調變器的電 谷,以便達成邊傳輸線的特徵阻抗。 2. 如中請專纖圍第丨項的傳輸線,其中, 基板,其係由下面至少-者所構成:一半導體材料與一聚合性材 料。 3.如申請專利範圍第丨項的傳輸線’其中,料複數個區段包 含用以保持實體尺寸在該傳輸線巾行進的電錢的波長以下之數 個區段。 4.如料專利細第1項的傳輸線,其巾’鮮電感線圈包含 -介於約ΙρΗ及ΙΟηΗ之間的電感’或者一小於5〇歐姆的串聯阻 值。 利範圍第1項的傳輸線’其中’該傳輸線包含至少 6其會 18 201214855 徑上行進的光學信號之間的相位。 7. 如申請專利範圍第6項的傳輸線,其中,該延遲機制包含一 被插入在該光學路徑中的光學延遲線,或是一用以比較該電信號 之相位和該光學信號之相位的延遲鎖定迴路。 8. 如申請專利範圍第7項的傳輸線,其進一步包括一被耦合至 一區#又電谷的變谷器,其中,該變容器會由該延遲鎖定迴路來控 制。 9. 一種傳輸線,其包括: 具有一連續電路徑的複數個區段以及一通過該等區段的連續 光學路徑; 多個離散電感器,該多個離散電感器被形成在相鄰區段之間 並連接該等相鄰區段,該等電感器會被形成在一積體電路的複數 個金屬層之中,用以平衡一包含該傳輸線之光學調變器的電容, 以便達成該傳輸線的特徵阻抗;以及 一延遲機制,其會被配置成用以匹配在該電路徑上行進的電 信號和在該光學路徑上行進的光學信號之間的相位,以便致能一 操作頻寬。 10. 如申請專利範圍第9項的傳輸線,其中,該積體電路包含一 由-半導體與-聚合性材料中至少—者所構成的基板,且其中,- 該等複數個區段包含數個區段,用以保持實體尺寸在該線中行進 的電信號的波長以下。 201214855 ]入利範圍第9項的傳輸線,其中,該等電感線圈包含 ”於約ΙρΗ及l〇nH之間的電感及/或一小於5〇 值,且其中,該操作錢包含到MGb/s _寬。串聯阻 12.如申β月專利範圍第9項的傳輸線,其中,該延遲 人一 被插入在該光學職中的光學延遲線’献—㈣味該^^ 之相位和該光學魏之她的延遲航迴路;且進"二 Ξί=區段細咖,其巾,繼_蝴鎖定^ —種用於實施一寬頻傳輸線的方法,其包括: 藉由連接-寬頻傳輸線巾相_段之間_散電感 =輸線的光學調變n的電容,職達傳輸線的特徵阻抗;、 —光===㈣咖嶋電纖 κ如申請專利範圍帛13 方法,其進 ^複數個金制之㈣成該電❹,錢降低㈣阻在值並積提體高電電 13項的方法’其中,概包含於該光學路 湘—延遲鎖定迴路來比較該電信號 =位與絲學信號的相位,或調整—被柄合至—區段電容的變 20
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