201214499 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之態樣係關於一種鏡片系統’該鏡片系統用於 多光束帶電粒子應用’諸如檢視系統應用、測試系統應 用、微影技術系統應用及類似應用。詳言之，本發明之 態樣係關於一種用於複數個帶電粒子束的鏡片系統，尤 其係關於一種包含用於各自的帶電粒子束之複數個鏡片 開口的鏡片系統’且因此係關於一種用於多光束應用的 鏡片系統。本發明之另外態樣係關於一種多帶電粒子束 裝置’且係關於一種操作帶電粒子束裝置的方法。 【先前技術】 帶電粒子束設備被用於複數個工業領域。半導體裴置 在製造期間之測試、微影技術之曝光系統、偵測裝置及 檢視系統為此等領域之一些實例。 & ，極其需要建構及檢視微米或奈米級的試 在如此】的級階上，製程控制、檢視或建構常由帶 電粒子束（例如電子束）完成。該等帶電粒子束在諸如 電子顯微鏡、雷早、 ”產生15或帶電粒子檢視系統的 帶電粒子束裝置中產生及哿隹 子束之波县m Λ '、、、。帶電粒子束由於帶電粒 度。/ κ Β供與例如光子束相比優越之空間解析 ’帶電粒子束流限制帶 J、型化例如待成像結構 然而，對於給定光束直徑而言 電粒子束系統之流通量。進—步 201214499 徑。因此，減少個 係必要的，故必須減小帶電粒子束直 別光束之束流，且因此減少流通量。 為了“加、’心帶電粒子束流，從而增加流通量可使用 複數個帶電粒子束。以此方式，流通量可與多柱系統中 之柱的數目成比例地增加。 用於獲得複數個帶電粒子束的一個選擇可為：將若干 單光束柱彼此組合。然而，一些元件，尤其磁鏡片，因 磁场無法任意增加而無法被充分小型化。因此，諸柱必 須間隔’以使得電子束之間的距離為i〇〇mm至2〇〇mm。 為了克服此難題，美國專利帛3’715,580號利用具有 圓形激磁線圈之磁鏡片，該磁鏡片提供兩個孔，每一孔 用於一單電子束。藉此，因為用於每一電子束之孔（光 軸）與激磁線®之位置具有不同距離，而捨棄先前鏡片 之連續旋轉對稱性。磁聚焦場之對稱性的缺乏導致額外 像差，且因此降低可獲得的解析度。 又，美國專利第7,576,917號描述具有等同的個別子 單位之多軸鏡片。該多軸鏡片允許在一維陣列中緊密堆 積鏡片，但仍需要更進一步減小間隔。尤其利用該多軸 鏡片’與相鄰之第二陣列之間隔保持較大。 因為強烈需要改良解析度、簡化製造及最小化此類系
統中之像差，故本發明之目標在於進一步改良先前技術 的裝置》 U 【發明内容】 201214499 鑒於以上所述，本發明提供一種如獨立項丨所述之鏡 片系統、-種如請求項15所述之多帶電粒子束裝置及_ 種如獨立項16所述之方法。本發明之進一步優點、特 徵、態樣及細節自附屬項、描述及圖式為顯而易見。 根據-個實施例，-種用於複數個帶電粒子束之鏡片 系統包含：鏡片主體’該鏡片主體具有第—極片、第二 極片及複數個鏡片開口，該等鏡片開口用於該等各自的 帶電粒子束’共用激磁線圈，該激磁線圈圍繞該複數個 鏡片開Π佈置’用於向該等鏡片開口提供各自的第一磁 通；以及補償線圈。該補償線圈佈置於該等鏡片開口之 間，用於向該等鏡片開σ中之至少—些鏡片開σ提供各 自的第二磁通，以便補償該第一磁通之非對稱性。 人根據另一實施例’ 一種操作帶電粒子束裝置之方法包 含以下步驟：產生複數個帶電粒子束；引導該等帶電粒 子束中之各個帶電粒子束穿過鏡片主體之複數個鏡片開 口中之各自的鏡片開口；在圍繞該複數個鏡片開口佈置 之共用激磁線圈中，朝第一方向產生電流，藉此向該等 鏡片開π提供各自的第—磁通；以及在佈置於該等鏡片 開口之間的補償線圈中，朝與該第—方向相反的第二方 向產生電流’藉此向該等鏡片開口中之至少一些鏡片開 口提供各自的第二磁通，以及補償該第一磁通之 性。 因此，本文所述之鏡片系統允許緊密堆積多個帶電粒 子束（諸如電子束）’以及因此緊密堆積多個帶電粒子束 201214499 柱。因此’該鏡片系統允許設計且右_古 》裔通量之多；^ 子束系統。該設計尤其允許佈置於_ 、''空間中之緊密造 積之電子束。二维佈置對許多應用有利， 尤贫在隹 及檢視之取樣相對較小。 例如若待掃描 本文所述之鏡片系統亦允許相對 . ^ M m j僻之聚焦場，且因 此允許減小之像差。因此，可實現具有 應地高解析度之帶電粒子束。 斑尺寸及相 實施例亦係針對用於實現所 括用於執行各個所述方法步驟的設備2的設備，且包 驟可經由硬體元件、以合適之軟體此等方法步 ^ ^ ^ ^, 體程式化的電腦、經由 任何組合執行’或以任何其他方式執行。此外， :據：：明之實施例亦係針對所述設備操作所使用之方 法。該等方法包括實現該設備之所有功能之方法步驟。 【實施方式】 現將詳細參閱本發明之各種實施 例在圖式中圖干+ 更夕貫 符㈣矣士 該等圖式之以下描述中，相同元件 付就代表相同元伴 。—般而言，僅描述相對於個別實施 七 、各個實例係提供作為本發明之說明，而不欲 作為本發明之限 施例之-部分的扭。 <列而言’被圖示或描述為一個實 ^ 刀、特徵可用在其他實施例上或與其他實施 例結合使用，以 修改及變型。實施例。本發明企圖包括此類 在不限制本申靖 τ明案之保護範疇的情況下，帶電粒子多 7 201214499 光束裝置在下文中將被示例性地稱作電子多光束裝置。 藉此，具有複數個電子束之電子束裝置尤其可為電子束 檢視系統。仍可針對裝置應用本發明，該等裝置使用其 他來源之帶電粒子（例如離子）用於檢視、測試及微影 技術應用，以及就偵測裝置而言使用其他次級帶電粒= 以獲得試樣影像及類似物。 參看第7圖及第8圖，將描述根據適用於理解本發明 之說明性實例之鏡片系統。如第7圖之俯視圖所示，該 鏡片系統具有鏡片主體，該鏡片主體具有以2χ2陣列佈 置之四個鏡片開口或鏡片孔416，用於四個電子束柱。 又，圍繞鏡片開口 416佈置有一共用激磁線圈42〇。又， 如第8圖之橫截面側視圖所示，該鏡片主體具有第一極 片412、第二極片414及各自的間隙418，間隙418在環 繞鏡片開口 416的上極片412與下極片414之間。該等 極片由高導磁合金、μ金屬或任何其他導磁材料製成。 若向激磁線圈420施加電流（如第7圖之電流箭頭42ι 所指示）’則磁通場Β (簡言之：磁場）將施加於鏡片開 口 416 (如磁通線422a、422b所指示），用於聚焦電子 束。 第7圖及第8圖之鏡片系统允許緊密堆積之二維陣列 鏡片。然❿’此設計具有以下缺點：由激磁線圈42〇產 生之磁通場B (線422a、422b)並非旋轉對稱的，且因 此造成電子束之像差。 可依據磁場中儲存的自由能u=(H.B)/2來理解非對稱 201214499 性。在此，B為激磁線圈電流引起的自由磁通場，且 Η=Β/(μι_·μ())，卜為材料之磁導率，且為常數。場B採 取最小化自由能U之空間組態。 在極片412、414内部磁導率〜無窮大之理想情況下， 由於Η=0,故極片412、414内部磁通不會產生自由能。 實情為，僅橫過上極片412與下極片414之間的間隙之 磁場部分會產生自由能。因此，假定該間隙相對於各個 鏡片開口 416旋轉對稱，則造成的磁通場Β亦會完全旋 轉對稱。在磁通場完全旋轉對稱的情況下，在鏡片光軸 (對稱軸）上移行之電子束將受該場的影響而不引入 像散。 然而’歸因於磁性材料之有限磁導率…及歸因於飽和 效應，將不可忽略極片412、414内部磁通及該等磁通產 生之自由能U。因此，該磁通場將為非對稱的其中靠 近線圈之部分（磁通線422a)能夠以給定場強下的較小 自由能獲得’該部分具有比遠離線圈之部》（磁通線 422b)更強的磁場。因此，磁通場將在鏡片主體周邊附 近之部分鏡片開口 416處（較靠近線圈42〇)較強，且 該磁通場將在鏡片主體中心附近之部分鏡片開口 416處 (較遠離線圈420)較弱。因此，該等個別鏡片部分將 通常具有^均勾強度及非對稱性，藉此引起像散及電子 束之類似的非所欲效應。 歸因於此等非對稱性，鏡片開口内部磁場梯度造成偶 極效應，從而導致寄生光束偏轉。又，產生四極磁場分 9 201214499 量（該等磁極沿第7圖之對角線定向），從而引發強烈像 散又，將產生更尚階之多極，例如強六極，該等多極 有損在高電流系統中具有大型光束直徑之光斑尺寸，且 因此不容忽視。 為降低磁通場之此等非對稱性，在適用於理解本發明 之替代說明性設置中，每―鏡片開口可具備環繞該各自 的鏡片開口之個別激磁線圈（如以下參看第3圖所述）。 然而，在鏡片開口之間佈置激磁線圈此舉會導致在該等 鏡片開口之間產生較大距離。 以下將描述本發明之實施例。此等實施例降低第7圖 及第8圖之組態之磁通場非對稱性及該等非對稱性的不 利效應’且另外允許緊密的設置。 $第1圖及第2a圖圖示根據本發明之―實施例之鏡片系 統1。如第1圖的俯視圖所示’鏡片系統i具有鏡片主 該鏡片主體具有以2x2陣列佈置之四個鏡片開口或 鏡片孔16，用於四個電子束柱。各個鏡片開口 μ皆為 ，形且具有一中心，且定義穿過該中心之光軸。又，圍 、為鏡片開口 1 6佈置共用激磁線圈2〇。 又如第2a圖的橫截面側視圖所示，沿平面s丨 所戴取，鏡片主體1。具有第一極片12、第二極片；4及 各自的間隙18,間隙18在環繞鏡片開口 16的上極片12 與下極片14之間。鏡片主體1〇 (極片12、14) ::製成，例如包含高導磁合金或μ金屬之材料。因此， 兄主體10提供導磁電路，該電路將磁場基本上限制在 10 201214499 上極片12與下極片14之間的間隙區域18内。然後，此 磁場引起軸向移行穿過鏡片開口 16之電子束聚售，如上 文參看第7圖及第8圖所述。鏡片之其他可能的變型描 述如下。 又，鏡片系統1具有補償線圈3〇。補償線圈3〇佈置 於鏡片開口 1 6之間。本文中，佈置於鏡片開口之間應理 解如下：補償線圈之至少一部分位於鏡片開口之間的區 域中。鏡片開口 16之間的此區域在f !圖中圖示為區域 更-般而言’鏡片開口之間的區域a被定義為鏡片 開口中心之間的區域（多角形區域），且不包括鏡片開口 本身的區域。 、、’圈3 0之形狀為具有圓形邊緣的矩形，但激磁線 圈30可具有任何其他圓形或非圓形之形狀。作為與所示 實施例無關之-般態樣，補償線圈30之線圈軸平行於激 磁線圈20之線圈轴。作為又—般態樣，補償線圈％ 内。P無鏡片開。16 ’亦即所有的鏡片開口 16皆在補償 線圈30外部。膏产我# “ 仕捅1員 只凊為作為又一一般態樣，圍繞磁短棒 19 (參見第2a圖）佈置補償線圈。磁短棒19在上極Η 12與下^ ^ t間提供基本上無間隙之連接，以便磁 2夠:低磁阻在上極片12與下極片14之間延伸。作 二又--般態樣，激磁線圈2〇及，或補償線圈 積具有凸出形狀。 β今 操作期間’向激磁線圈2〇施加電流（如第1圖之 机前頭21所社_、 包 私不），磁通場Β (第一磁通22)將施加於 11 201214499 鏡片開口 16 (如第2b圖之磁通線22所示），用於以與 參看第7圖及第8圖所述相同之方式聚焦電子束。第 圖之磁通線22為第8圖之更詳細的磁通線422a、422匕 之簡化說明。 又，向補償線圈30施加電流，如第丨圖之電流箭頭 31所指示。此補償線圈電流31朝與激磁線圈電流21之 方向相反的方向。補償線圈電流31環繞磁性材料之中心 短棒19，短棒19連接上極片12及下極片14。如第孔 圖中可見，補償線圈電流31產生用於鏡片開口 16之補 償磁通場32 (亦被稱作第二磁$或磁通場）。補償磁通 場32之磁通線經由鏡片開口 16之間隙18及經由磁短棒 19閉合。 因此，此磁性材料之内部短棒19與補償線圈3〇一起 具有重要功能。若適當激磁’則磁性材料之内部短棒19 在多孔鏡片主體之尹心部分中產生與外層線圈在外層部 分中相同的磁位差。因此可補償或降低跨越該等個別鏡 片之徑向位降。在此’將補償非對稱性理解為意謂若不 完全消除非對稱性，則實質上降低非對稱性。詳言之， 補償線圏允許藉由適當調整補償電流來消除鏡片像場之 偶，分量。又’可實f上降低導致四極及六極像散之更 阿階之多極。支援線圈3G之合適激磁可為例如達到與激 磁線圈20才目/§]之安培阻數之激磁。 補饧磁通場32如下（至少部分）補償第一磁通場^ 之非對稱性：第—磁通場22在鏡片主體1G周邊附近」 12 201214499 部分鏡片開口 16處（較靠近線圈20 )較強，且第一磁 通場22在鏡片主體1 〇中心附近之部分鏡片開口 1 6處 (較遠離線圈20)較弱。相反地，補償磁通場32具有 相反的場分佈，補償磁通場32在鏡片主體10周邊附近 之部分鏡片開口 16處（較遠離線圈30)較弱，且補償 磁通場32在鏡片主體1 〇中心附近之部分鏡片開口 1 6 處（較靠近線圈30)較強。當重疊時，總磁場（場22 與場32之和）之非均勻性——例如高階磁多極矩--至 少部分抵消。因此，整體上，總磁場具有較場22更小的 非均勻性’尤其朝線圈2 〇之徑向方向之較低偶極矩。換 言之’第一磁通（磁通場）22之非對稱性由第二磁通（磁 通場）3 2補償，亦即降低。 因此與移行穿過鏡片開口 16之電子束相互作用的間 隙區域18中之總場相較於第7圖及第8圖所示比較實例 該鏡片允許降低之光束像差及較 之場更為對稱。因此， 高之可獲得的解析度。 第1圖之鏡片系統具有-些對稱性，值得注意地，相 對於垂直於第i圖之圖式平面之兩個平面S1&S2的鏡 像對稱性。此等對稱性降低該等更高階磁多極場中之— v 1豕盎心聚焦場。 言之，各鏡片開口 U之磁鏡片像場與平面S1或S2 稱。又，如上所述，對於各鏡片開口 16而言，亦可箱 適當調諧補償電流來消除垂直於s】七6 、 取52之偶極矩。 此，作為-般態樣，在操作期間，各個鏡片開口 be 13 201214499 片像場具有至少-個對稱平面且可具有至少兩個對稱平 該至J一個對稱平面包含各自的光軸。 看第3圖，可藉由自又一比較實例開始來理解補償 線圈30之非對稱性補償效應：在該比較實例中，各個鏡 片開口 16具備個別線圈5() ’個別線目5Q環繞該各自的 :片開口 1 6且承載電济L 5 1。因此’此設置產生高度理 心之磁通％，但以下述為代價：歸因於佈置於鏡片開口 16之間、主要在區域52中之激磁線圈部分，第3圖之 設置需要在鏡片開σ 16之間有較大距離。 第1圖之設置產生之磁通與第3圖之實例產生的磁通 極t相似，時除去安置在鏡片開口之間的激磁線圈 P刀、藉此允淬更緊密之設置。即，關鍵的是實現可省 略區域52中之此等激磁線圈部分而不顯著影響磁場：在 區域52巾’來自相鄰線圈5〇之電流朝相反方向流動， 如區域52内。p之各自的線圈5〇上之箭頭所指示。此等 相鄰電流大量抵消’ 因此對造成的磁通場無效。 在第1圖之設置中，獲得電流且由此獲得磁通，該電 流對應於第3圖之電流，且其中省略區$ 52中之線圈 50之無效及耗費間隔的部分。即，第1圖所示線圈20 之電流21對應於第3圖所示線圈50之外部部分55 (朝 向區域52外部之線圈部分）之電流。又，佈置於鏡片開 口 16之間的第1圖所示線圈30之電流31對應於第3 圖所示線圈50之内部部分54(佈置於區域52内部亦即 鏡片開口之間的線圈部分）之電流。因此，藉由將第3 14 201214499 圖與第1圖相比較，可理解，只要補償線圈3〇佈置於鏡 片開口 Μ之間，則補償線圈30之磁通將補償激磁線圈 2 0之磁通的非對稱性。作為一般態樣，佈置補償線圈3 〇 以使得補償線圈30之有效區域之超過一半、乃至超過 2/3、乃至超過90〇/〇在鏡片開口之間（在第i圖中之區域 A内），以便在鏡片開口之間產生對應的補償磁通部分。 因此，第1圖之電流對應於第3圖之電流，其中移除 區域52中之無效部分，且以更有利之方式再連接線圈， 從而允許電流僅在相關部分中流動。藉由自線圈移除無 效部分且同時提供改良鏡片像場之均勻性之電流，減小 柱間距且增加多孔鏡片像場之均勻性。 又，將以此方式自第3圖獲得的波狀電流路徑被整流 成凸出形狀。藉此，赢得愈加可貴之間隔且可移動鏡片 更罪近彼此。作為一般態樣，激磁線圈2〇及/或補償線 圈3〇為凸出形狀。 現參看第4圖，將描述根據本發明之又—實施例之鏡 片系統ιοί。鏡片系統101包含鏡片開口 116、ιΐ7、激 磁線圈120及補償線圈13〇，激磁線圈12〇承載激磁電 流121，補償線圈13〇承載補償電流i3i，且補償線圈 1 3〇至少部分佈置於鏡片開口 11 6、1 1 7之間。第4圖之 鏡片系統101通常對應於第i圖至第2b圖之鏡片系統 第4圖之鏡片系統1〇1具有從該等圖式明顯的修改。 舉例而言，補償線圈13〇亦圍繞磁短棒佈置，該磁短棒 對應於第以圖之短棒19且在第-極片與第二極片之間 15 201214499 提供基本上無間隙之連接。在下文中，將僅描述相對於 鏡片系統1之差異處。 在第4圖之鏡片系統101中，將鏡片開口 116、117 佈置為兩列102、1 03及五行之二維陣列。又，提供最外 側行（處於陣列之縱向末端）之鏡片開口 117作為虛擬 開口。此等虛擬開口 11 7不用於聚焦電子束。該等剩餘 鏡片開口 116佈置於三個内側行中，用於聚焦帶電粒子 束’s玄等剩餘鏡片開口 116亦被稱作有效鏡片開口 H6。 又，補償線圈130佈置於鏡片開口 116、117之間（亦 即至少部分處於鏡片開口 116、117之間的區域A内）， 且詳言之補償線圈1 30佈置於有效鏡片開口 11 6之間。 在此’與第1圖之佈置對比，補償線圈130之一小部分 亦佈置於區域A外部。歸因於在區域A外部之此部分， 磁通之均勻性增加，且該部分在任何情況下皆不對有關 於有效鏡片開口 116之磁通產生任何不利影響❶然而， 補償線圈130之有效區域之超過80%在區域A内部，且 該有效區域之超過一半在有效鏡片開口 116之間的區域 内。 參看第5圖，將描述根據本發明之又一實施例之鏡片 系統20 1。鏡片系統201與第4圖之鏡片系統10 1極直 相似’其中元件符號2xx對應於第4圖之元件符號1χχ。 作為相對於第4圖之鏡片系統ιοί之主要差異為，鏡片 系統201具有三列2〇2、2〇3、2〇4之鏡片開口 216、217， 其中兩個補償線圈23〇a、23〇b佈置於該三列之間。關於 16 201214499 所有進一步詳情，第4圖之描述同樣應用於第5圖。第 5圖圖示可使用任何數目之列及行。又亦可以任何其 他方式佈置鏡片開口 116、丨17，例如以六角形方式。又， 在每一側可提供超過一個虛擬鏡片開口 117或不提供虛 擬鏡片開口。 在第4圖及第5圖之實施例之又一變型（未圖示）中， 可在該線性鏡片陣列之兩端提供屏蔽平板。此等屏蔽平 板可分別與第4圖及第5圖之虛擬鏡片開口丨丨7、2丄7 組合，或可獨立於虛擬鏡片開口使用，或在沒有虛擬鏡 片開口下使用。該等屏蔽平板具有兩個效應。一方面， 屏蔽激磁電流迴路在線性鏡片陣列末端之影響。另一方 面，可提供一磁性鄰域（周邊），猶如該線性鏡片陣列為 …、限長屏蔽平板之結構及屏蔽平板之效應在美國專利 第7,576,917號之第7a圖及第7b圖及該等圖之描述中 有所描述’該等内容在此併入本申請案。以上呈現之態 樣’即提供虛擬鏡片開口及/或提供屏蔽平板，可獨立用 於所有類型之鏡片系統。 第4圓及第5圖之鏡片系統1〇1及鏡片系統2〇1之優 點在於，此等鏡片系統使複數列3個或3個以上的柱緊 密接近’而同時由於加人補償線圈而提供如上所述之偶 極補償及像散最小化之益處。 該設計尤其允許佈置於二維空間中之緊密堆積之電子 束一維佈置對許多應用有利，例如若待掃描及檢視之 取樣相對較小 在此情 ，如晶圓遮罩缺陷檢視中之情況 17 201214499 況下’遮罩區域為大約l〇〇inmxl〇〇mm且應同時藉由至 少4個柱掃描，因此沿兩個方向之柱間距應為約5 〇 mm。作為—般態樣’相鄰鏡片開口之中心彼此間隔小於 100 mm或小於75 mm乃至50 mm或更小。使用微型補 償線圈’可達成低至4〇 mm之間隔。 參看第6圖，描述又一鏡片系統3〇1。鏡片系統3〇1 與第1圖之鏡片系統1極其相似，其中第i圖之元件符 號XX對應於第6圖之元件符號3xx。在下文中，將僅描 述相對於第1圖之差異。在第6圖之鏡片系統3〇1中， 提供九個鏡片開口 316。鏡片開口 316以3χ3陣列佈置。 又，四個補償線圈33〇a至33〇d中之各個補償線圈佈置 於該等鏡片開口之間。更料而言，該等線圈中之各個 線圈佈置於四個相鄰鏡片開口 U6之間，該等相鄰鏡片 開口形成2x2子陳列。與Λm ^ 于丨早歹J。舉例而言，圍繞各自的磁短棒佈 置補償線圈33 0a $ 1 , 中之各個補償線圈，該磁短棒 對應於第2 a圖之短棒丨9。 如可藉由類似於以上參看 解，第6圖所示之補償線圈 利。 第3圖所述原因之原因來理 330a至330d之佈置尤其有 現將描述實施例之可能的玄从松 此的另外變型。迄今為 該鏡片描述為具有間丨 ' ^ p ”承18 (參見例如第2a圖）之純磁 鏡片’間隙1 8處於}搞y , 恿於上極片12與下極片14 12、14及間隙18能夠 (間極片 u -L· ί* ^ 可5適之方式成形，且根據 鏡片糸統之不同形狀，可 琢 見極片之其他佈置。舉例而 18 201214499 & ’把向間隙鏡片具有内極片及外極片。上極片及下極 片由間隙1 8彼此區別，且儘管鏡片主體通常由作為分散 元件而後裝配之極片組成，但鏡片主體在原理上亦可形 成為整體單片元件。作為一般態樣，鏡片開口區域中之 間隙將第一極片與第二極片分隔。作為又一一般態樣， • 第一極片及/或第二極片提供作為環繞該複數個鏡片開 口之磁性材料之（個別）單一主體。藉此，允許磁通以 最小磁阻自該等鏡片開口中之一個鏡片開口傳遞至其他 鏡片開口。 又，鏡片可提供作為靜電-磁複合鏡片，其中靜電鏡片 在第2a圖之鏡片開口 16内提供。該靜電鏡片包含兩個 電極，該兩個電極相對於光軸對稱佈置。該兩個電極被 用作靜電浸沒鏡片，藉此可改良成像性質。此類複合鏡 片在美國專利第7,576,917號之第9圖及該圖之描述中 有所描述，該等内容在此併入本申請案。 又’可圍繞該等個別鏡月開口佈置一額外的調整線 圈。此類額外的調整對應於第3圖所示之線圈5〇。然而， 與第3圖對比，除了激磁線圈及補償線圈之外，提供此 等調整線圈’且因此此等調整線圈僅需提供弱調整場。 因此，能夠以最小的空間需求提供該等調整線圈。 又，激磁線圏及補償線圏可串聯連接，以便朝彼此相 反之方向引導供給該激磁線圈及該補償線圈之（相同的）
電流，且補償線圏之匝教麵哨M 囿脏数絰調整，以提供用於補償第一 磁通之非對稱性之磁通。 19 201214499 本文所述之鏡片系統允許產生緊密之多帶電粒子束裝 置’該袭置具有多個帶電粒子束，該多個帶電粒子束具 有低光束間距且可能在二維空間中。此類光束裝置具； 帶電粒子束源，以及帶電粒子束柱，該帶電粒子束源用 於產生複數個帶電粒子束。除包含通常用於光束柱中之 兀件外，該帶電粒子束柱包含如本文所述之鏡片系統。 儘管前述係針對本發明之實施例’但可在不脫離本發 明之基本範疇的情況下設計本發明之其他及另外實施 例，且本發明之範疇由以下申請專利範圍決定。 【圖式簡單說明】 因此，可詳細理解本發明之上述特徵之方式，即上文 簡要概述之本發明之更特定描述可參照實施例進行。隨 附圖式係關於本發明之實施例，且描述如下： 第1圖圖示根據本發明之一實施例之鏡片系統的俯視 示意圖； 第2a圖及第2b圖圖示第！圖之鏡片系統的側視示意 回 · 圖， 第3圖圖示適用於理解第丨圖之系統之優點的說明性 電流圖； 第4圖至第6圖圖示根據本發明之各自的另外實施例 之鏡片系統的俯視示意圖； 第7圖圖示根據適用於理解本發明之說明性實例之鏡 片系統的俯視示意圖；以及 20 201214499 第8圖圖示第7圖之鏡片系統的側視圖。 【主要元件符號說明】 1 鏡片糸統 10 鏡片主體 12 第一極片/上極片 14 第二極片/下極片 16 鏡片開口 18 間隙/間隙區域 19 磁短棒 20 激磁線圈 21 電流箭頭 22 磁通線/第一磁通 30 補償線圈/激磁線圈 31 電流箭頭 32 補償磁通場 50 線圈 51 電流 52 區域 54 内部部分 55 外部部分 101 鏡片系統 102 列 103 列 116 鏡片開口 /有效鏡片開 口 117 鏡片開口 /虛擬開口 120 激磁線圈 121 激磁電流 130 補償線圈 131 補償電流 201 鏡片糸統 202 列 203 列 204 列 216 鏡片開口 217 鏡片開口 220 激磁線圈 221 激磁電流 230a 補償線圈 230b 補償線圈 231 補償電流 301 鏡片系統 316 鏡片開口 21 201214499 320 激 磁 線 圈 321 電 流 箭 頭 330a 補 償 線 圈 330b 補 償 線 圈 330c 補 償 線 圈 330d 補 償 線 圈 331 電 流 箭 頭 412 第 — 極 片 414 第 二 極 片 416 鏡 片 開 口 418 間 隙 420 激磁 線 圈 421 電 流 箭 頭 422a 磁 通 線 422b 磁 通 線 A 區 域 SI 平 面 S2 平 面 22