KR101854813B1 - 다축 렌즈, 합성 렌즈를 사용하는 빔 시스템, 및 합성 렌즈를 제조하는 방법 - Google Patents

다축 렌즈, 합성 렌즈를 사용하는 빔 시스템, 및 합성 렌즈를 제조하는 방법 Download PDF

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Abstract

복수의 대전 입자 빔들에 대한 렌즈 시스템(1)은, 제 1 자극편(12), 제 2 자극편(14) 및 각각의 대전 입자 빔들에 대한 복수의 렌즈 개구들(16)을 갖는 렌즈 본체(10); 각각의 제 1 자속을 렌즈 개구들에 제공하기 위해 복수의 렌즈 개구들(16) 주변에 배열된 공통 여기 코일(20); 및 제 1 자속의 비대칭성을 보상하도록 각각의 제 2 자속을 렌즈 개구들 중 적어도 일부에 제공하기 위해 렌즈 개구들(16) 사이에 배열된 보상 코일(30)을 포함한다.

Description

다축 렌즈, 합성 렌즈를 사용하는 빔 시스템, 및 합성 렌즈를 제조하는 방법{MULTI―AXIS LENS, BEAM SYSTEM MAKING USE OF THE COMPOUND LENS, AND METHOD OF MANUFACTURING THE COMPOUND LENS}
본 발명의 양상들은 검사 시스템 애플리케이션들, 테스팅 시스템 애플리케이션들, 리소그래피 시스템 애플리케이션들 등과 같은 다중―빔 대전 입자 애플리케이션들을 위한 렌즈 시스템에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 양상들은 복수의 대전 입자 빔들에 대한 렌즈 시스템, 특히, 각각의 대전 입자 빔들에 대한 복수의 렌즈 개구들(lens openings)을 포함하는 렌즈 시스템, 및 따라서 다중―빔 애플리케이션들을 위한 렌즈 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 부가적인 양상들은 다중 대전 입자 빔 디바이스, 및 대전 입자 빔 디바이스를 동작시키기 위한 방법에 관한 것이다.
대전 입자 빔 장치들은 다수의 산업 분야들에서 사용된다. 제조 동안 반도체 장치들의 테스팅, 리소그래피에 대한 노출 시스템들, 검출 디바이스들 및 검사 시스템들은 이러한 분야들의 일부 예들이다.
일반적으로, 마이크로미터 또는 나노미터 크기 내의 표본들을 구성 및 검사하기 위한 많은 요구가 존재한다. 그러한 작은 크기에 대해, 프로세스 제어, 검사 또는 구성은 종종 대전 입자 빔들, 예를 들면, 전자 빔들에 의해 이루어지고, 전자 빔들은 전자 마이크로스코프들, 전자 빔 패턴 생성기들 또는 대전 입자 검사 시스템들과 같은 대전 입자 빔 디바이스들에서 생성 및 포커싱된다. 대전 입자 빔들은 그들의 짧은 파장들로 인해, 예를 들면, 광자 빔들(photon beams)과 비교하여 우수한 공간 해상도를 제공한다.
그러나, 주어진 빔 지름에 대해, 대전 입자 빔 전류는 대전 입자 빔 시스템들의 처리량을 제한한다. 예를 들면, 이미지화될 구조들의 부가적인 소형화가 요구되기 때문에, 대전 입자 빔 지름은 감소되어야 한다. 결과적으로, 개별적인 빔들에 대한 빔 전류, 따라서 처리량은 감소된다.
총 대전 입자 빔 전류를 증가시키고, 따라서 처리량을 증가시키기 위해, 복수의 대전 입자 빔들이 사용될 수 있다. 이러한 방식으로, 처리량은 다중―칼럼 시스템(multi―column system) 내의 칼럼들의 수에 비례하여 증가될 수 있다.
복수의 대전 입자 빔들을 획득하기 위한 하나의 옵션은 몇몇의 단일의 빔 칼럼들을 서로 결합하는 것일 수 있다. 그러나, 자기장이 임의대로 증가될 수 없기 때문에, 일부 컴포넌트들, 특히, 자기 렌즈들은 충분히 소형화될 수 없다. 따라서, 전자 빔들 사이의 거리가 100 mm 내지 200 mm이도록 칼럼들이 이격되어야 한다.
이러한 문제점을 극복하기 위해, US 특허 제 3,715,580 호는 각각 단일 전자 빔에 대한 2 개의 홀들을 제공하는 원형 여기 코일(circular excitation coil)을 갖는 자기 렌즈를 활용한다. 이로써, 각각의 전자 빔에 대한 홀(광학 축)이 여기 코일의 위치로부터 상이한 거리들을 갖기 때문에, 이전 렌즈들의 연속 회전 대칭성(continuous rotational symmetry)이 포기된다. 자기 포커싱 필드의 이러한 대칭성 부족은 부가적인 수차(aberrations)를 야기하고, 따라서 획득 가능한 해상도를 감소시킨다.
또한, US 7,576,917은 동일한 개별 서브―유닛들을 갖는 다축 렌즈(multi―axis lens)를 기재하고 있다. 다축 렌즈는 일차원 어레이에서 렌즈들의 폐쇄―패킹(close packing)을 허용하지만, 여전히 공간을 감소시키기 위한 요구가 남아있다. 특히, 다축 렌즈에 의해, 이웃하는 2차 어레이에 간격은 여전히 크다.
해상도를 개선하고, 제조를 간략화하고, 그러한 시스템에서 수차들을 최소화하기 위한 강한 요구가 존재하기 때문에, 본 발명의 목적은 최신의 디바이스들을 더 개선하는 것이다.
상기를 고려하여, 독립항 제 1 항에 따른 렌즈 시스템, 제 14 항에 따른 다중 대전 입자 빔 디바이스, 및 독립항 제 15 항에 따른 방법이 제공된다. 부가적인 이점들, 특징들, 양상들 및 세부 사항들은 종속항들, 상세한 설명 및 도면들로부터 명백하다.
하나의 실시예에 따라, 복수의 대전 입자 빔들에 대한 렌즈 시스템은: 제 1 자극편, 제 2 자극편 및 각각의 대전 입자 빔들에 대한 복수의 렌즈 개구들을 갖는 렌즈 본체; 각각의 제 1 자속을 렌즈 개구들에 제공하기 위해 복수의 렌즈 개구들 주변에 배열된 공통 여기 코일; 및 보상 코일을 포함한다. 보상 코일은 제 1 자속의 비대칭성을 보상하도록 렌즈 개구들 중 적어도 일부에 각각의 제 2 자속을 제공하기 위해 렌즈 개구들 사이에 배열된다.
부가적인 실시예에 따라, 대전 입자 빔 디바이스를 동작시키는 방법은: 복수의 대전 입자 빔들을 생성하는 단계; 렌즈 본체의 복수의 렌즈 개구들 중 각각의 개구를 통해 대전 입자 빔들 각각을 안내하는 단계; 복수의 렌즈 개구들 주변에 배열된 공통 여기 코일에서 제 1 방향으로 전류를 생성하여, 이로써 각각의 제 1 자속을 렌즈 개구들에 제공하는 단계; 및 렌즈 개구들 사이에 배열된 보상 코일에서 제 1 방향에 대해 반대인 제 2 방향으로 전류를 생성하여, 이로써 각각의 제 2 자속을 렌즈 개구들 중 적어도 일부에 제공하고, 제 1 자속의 비대칭성을 보상하는 단계를 포함한다.
따라서, 본원에 기재된 렌즈 시스템은 전자 빔들과 같은 다중 대전 입자 빔들의 폐쇄―패킹 및 따라서 다중 대전 입자 빔 칼럼들의 폐쇄―패킹을 허용한다. 따라서, 렌즈 시스템은 높은 처리량을 갖는 다중―칼럼 전자 빔 시스템들의 설계를 허용한다. 상기 설계는 특히 2 차원으로 배열된 폐쇄―패킹된 전자 빔들을 허용한다. 예를 들면, 스캐닝 및 검사될 샘플이 상대적으로 작다면, 2 차원 배열은 많은 애플리케이션들에서 이롭다.
본원에 기재된 렌즈 시스템은 또한 상대적으로 대칭적인 포커싱 필드, 따라서 감소된 수차들을 허용한다. 따라서, 작은 스팟 크기를 갖는 대전 입자 빔들 및 대응적으로 고해상도가 성취될 수 있다.
실시예들은 또한 개시된 방법들을 수행하고 각각의 기재된 방법 단계를 수행하기 위한 장치를 포함하는 장치들에 관한 것이다. 이러한 방법 단계들은 하드웨어 컴포넌트들, 적절한 소프트웨어로 프로그래밍된 컴퓨터, 상기 2 개의 임의의 결합에 의해 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 실시예들은 또한 기재된 장치가 동작하는 방법에 관한 것이다. 이는 장치의 모든 기능들을 수행하기 위한 방법 단계들을 포함한다.
본 발명의 상기 언급된 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 본 발명의 상세한 설명, 상기 간단한 요약은 실시예들을 참조할 수 있다. 첨부된 도면들은 본 발명의 실시예에 관한 것이며, 다음에 설명된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 렌즈 시스템의 간략한 상면도.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 렌즈 시스템의 간략한 측면도.
도 3은 도 1의 시스템의 이점들을 이해하는데 유용한 예시적인 전류 다이어그램.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 각각의 부가적인 실시예들에 따른 렌즈 시스템들의 간략한 상면도들.
도 7은 본 발명을 이해하는데 유용한 예시적인 예에 따른 렌즈 시스템의 간략한 상면도.
도 8은 도 7의 렌즈 시스템의 측면도.
본 발명의 다양한 실시예들에 대해 상세히 참조가 이루어질 것이고, 이들 중 하나 이상의 예들이 도면에 예시된다. 다음의 상세한 설명 및 도면들 내에서, 동일한 참조 번호는 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 관련하여 단지 차이들이 기재된다. 각각의 예는 본 발명의 설명에 의해 제공되고, 본 발명의 제한으로서 의도되지 않는다. 예를 들면, 하나의 실시예의 일부분으로서 예시 또는 기재된 특징들은 다른 실시예들에 대해 사용될 수 있거나 부가적인 실시예를 산출하기 위해 다른 실시예들과 결합하여 사용될 수 있다. 본 발명이 그러한 수정들 및 변동을 포함하도록 의도된다.
본 발명의 보호 범위를 제한하지 않고, 다음에서 대전 입자 다중―빔 디바이스는 예시적으로 전자 다중 빔 디바이스로서 지칭될 것이다. 이로써, 복수의 전자 빔들을 갖는 전자 빔 디바이스는 특히 전자 빔 검사 시스템일 수 있다. 본 발명은 또한 검사, 테스팅 및 리소그래피 애플리케이션에 대해 다른 소스들의 대전 입자들, 예를 들면, 이온들, 및 검출 디바이스들의 경우에 표본 이미지 등을 획득하기 위해 다른 2 차 대전 입자들을 사용하는 장치들에 적용될 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하여, 본 발명을 이해하는데 유용한 예시적인 예에 따른 렌즈 시스템이 기재될 것이다. 도 7의 상면도에서 볼 수 있듯이, 렌즈 시스템은 4 개의 전자 빔 칼럼들에 대해 2x2 어레이로 배열된 렌즈 개구들 또는 렌즈 보어들(lens bores)(416)을 갖는 렌즈 본체를 갖는다. 또한, 공통 여기 코일(420)은 렌즈 개구들(416) 주위에 배열된다. 또한, 도 8의 단면 측면도에서 볼 수 있듯이, 렌즈 본체는 제 1 자극편(pole piece)(412), 제 2 자극편(414), 및 렌즈 개구들(416)을 둘러싸는 상부 및 하부 자극편들(412, 414) 사이의 각각의 갭들(418)을 갖는다. 자극편들은 퍼멀로이(permalloy), μ―금속 또는 임의의 다른 자기 도전성 재료로 구성된다. 도 7의 전류 화살표(421)로 표시된 바와 같이, 전류가 여기 코일(420)에 인가되면, 자속 필드(magnetic flux field) B(간단히, 자기장)는 전자 빔을 포커싱하기 위해, 자속 라인들(422a, 422b)로 표시된 바와 같이 렌즈 개구들(416)에 인가될 것이다.
도 7 및 도 8의 렌즈 시스템은 렌즈들의 폐쇄―패킹된 2 차원 어레이를 허용한다. 그러나, 이러한 설계는, 여기 코일(420)에 의해 생성된 자속 필드 B(라인들 422a, 422b)이 회전 대칭이 아니고, 따라서 전자 빔의 수차들을 생성한다는 단점을 갖는다.
비대칭성은 자기장에 저장된 자유 에너지, U = (H·B)/2에 관하여 이해될 수 있다. 여기서, B는 여기 코일 전류로 인한 자유 자속 필드이고, 및 H = B(μr·μ0)이고, μr는 금속의 자기 유전율(magnetic permittivity)이고, μ0는 상수이다. 필드 B는 자유 에너지 U를 최소화하는 공간 구성을 취한다.
자극편들(412, 414) 내부의 무한 자기 유전율 μr의 이상적인 경우에, H = 0 이기 때문에, 자극편들(412, 414) 내부의 자속은 자유 에너지에 기여하지 않을 것이다. 대신에, 상부 자극편(412) 및 하부 자극편(414) 사이의 갭을 횡단하는 자기장의 일부분만이 자유 에너지에 기여할 것이다. 따라서, 갭이 렌즈 개구들(416) 각각에 관하여 회전 대칭적이라고 가정하면, 결과적인 자속 필드 B는 또한 완전한 회전 대칭일 것이다. 완전한 회전 대칭적인 자속 필드의 경우에, 렌즈의 광학 축(대칭축) 상에서 이동하는 전자 빔은 비점수차(astigmatism)를 도입하지 않고 자속 필드에 의해 영향을 받을 것이다.
그러나, 자기 재료의 제한된 유전율 μr 및 포화 효과들로 인해, 자극편들(412, 414) 내부의 자속 및 자유 에너지 U에 대한 그들의 기여도는 무시하지 못할 것이다. 따라서, 자속 필드는 비대칭적일 것이고, 코일에 근접한 부분들에서(자속 라인들 422a) 주어진 자기장 세기에서 더 적은 자유 에너지에서 획득 가능하고, 코일에서 멀리 떨어진 부분들(자속 라인들 422b)보다 더 강한 자기장을 갖는다. 따라서, 자속 필드는 렌즈 본체의 주변 근처의 렌즈 개구들(416)의 부분들에서(코일(420)에 더 근접함) 더 강할 것이고, 렌즈 본체의 중심 근처의 렌즈 개구들(416)의 부분들에서(코일(420)로부터 멀리 떨어짐) 더 약할 것이다. 결과적으로, 개별적인 렌즈 부분들은 일반적으로, 전자 빔의 비점수차 및 유사한 원하지 않는 효과들을 야기시키는 비균질한 세기들 및 비대칭성을 가질 것이다.
이러한 비대칭성으로 인해, 렌즈 개구 내의 자기장 그레이디언트(gradient)는 기생 빔 편향(parasitic beam deflection)을 야기하는 쌍극자 효과(dipole effect)를 생성한다. 또한, (도 7의 대각선을 따라 배향된 극자들을 갖는) 사중극자 자기장 컴포넌트(quadrupole magnetic field component)가 생성되어, 강한 비점수차를 유도한다. 또한, 더 높은 차수의 다중극자들, 예를 들면, 강한 육중극자가 생성될 것이고, 이는 큰 번들 지름들을 갖는 고전류 시스템들에서 스팟 크기를 악화시키고, 따라서 무시될 수 없다.
자속 필드의 이러한 비대칭성을 감소시키기 위해, 본 발명을 이해하는데 유용한 대안적인 예시적인 설정에서, 각각의 렌즈 개구에는 (도 3을 참조하여 아래에 기재된 바와 같이) 각각의 렌즈 개구를 둘러싸는 개별적인 여기 코일이 제공될 수 있다. 그러나, 이것은, 렌즈 개구들 사이의 여기 코일들의 배열에 의해 발생되는, 렌즈 개구들 사이에 큰 거리를 야기할 것이다.
다음에서, 본 발명의 실시예들이 기재될 것이다. 이러한 실시예들은 도 7 및 도 8의 구성의 자속 필드 비대칭성들 및 그들의 해로운 효과들을 감소시키고, 부가적으로 콤팩트 설정을 허용한다.
도 1 및 도 2a는 본 발명에 따른 렌즈 시스템(1)을 도시한다. 도 1의 상면도에서 볼 수 있듯이, 렌즈 시스템(1)은 4 개의 전자 빔 칼럼들에 대해 2x2―어레이로 배열된 4 개의 렌즈 개구들 또는 렌즈 보어들(16)을 갖는 렌즈 본체를 갖는다. 렌즈 개구들(16) 각각은 원형으로 형성되고, 중심을 갖고, 중심을 통한 광학 축을 규정한다. 또한, 공통 여기 코일(20)은 렌즈 개구들(16) 주위에 배열된다.
또한, 도 2a의 단면 측면도에서 볼 수 있듯이, 평면 S1 또는 S2을 따라, 렌즈 본체(10)는 제 1 자극편(12), 제 2 자극편(14), 및 렌즈 개구들(16)을 둘러싸는 상부 및 하부 자극편들(12, 14) 사이의 각각의 갭들(18)을 갖는다. 렌즈 본체(10)(자극편들(12, 14))는 자기 도전성 재료, 예를 들면, 퍼멀로이 또는 μ―금속을 포함하는 재료로 구성된다. 따라서, 렌즈 본체(10)는, 자기장을 상부 자극편(12) 및 하부 자극편(14) 사이의 갭 영역에 근본적으로 국한시키는 자기 도전성 회로를 제공한다. 이러한 자기장은, 도 7 및 도 8을 참조하여 기재된 바와 같이, 렌즈 개구(16)를 통해 축의 방향으로 이동하는 전자 빔이 포커싱되도록 한다. 렌즈의 부가적으로 가능한 변동들이 아래에 기재된다.
또한, 렌즈 시스템(1)은 보상 코일(30)을 갖는다. 보상 코일(30)은 렌즈 개구들(16) 사이에 배열된다. 여기서, 렌즈 개구들 사이의 배열은 다음과 같이 이해되고, 보상 코일의 적어도 일부분은 렌즈 개구들 사이의 영역에 놓인다. 렌즈 개구들(16) 사이의 이러한 영역은 도 1의 영역 A로서 도시된다. 더욱 일반적으로, 렌즈 개구들 사이의 영역 A은 렌즈 개구들의 중심들 사이의 영역(다각형 영역)으로서 규정되고, 렌즈 개구들 자체의 영역을 배제한다.
보상 코일(30)은 만곡된 에지들을 갖는 직사각형이지만, 임의의 다른 회로 또는 비원형 형상을 가질 수 있다. 도시된 실시예와 독립적인 일반 양상으로서, 보상 코일(30)은 여기 코일(20)의 코일 축과 평행하는 코일 축을 갖는다. 부가적으로 일반 양상으로서, 어떠한 렌즈 개구들(16)도 보상 코일(30) 내부에 있지 않고, 즉, 모든 렌즈 개구들(16)은 보상 코일(30) 외부에 있다. 대신에, 부가적인 일반 양상으로서, 보상 코일은 자기 스터브(19) 주위에 배열된다(도 2a 참조). 자기 스터브(19)는 상부 자극편(12) 및 하부 자극편(14) 사이에 근본적으로 갭이 없는 접속을 제공하여, 자속은 낮은 자기 저항으로 상부 자극편(12) 및 하부 자극편(14) 사이에서 연장될 수 있다. 부가적인 일반 양상으로서, 여기 코일(20) 및/또는 보상 코일(30)의 내부는 볼록 형상을 갖는다.
동작 동안에, 도 1의 전류 화살표(21)로 표시된 바와 같이, 전류는 여기 코일(20)에 인가되고, 자속 필드 B(제 1 자속(22))는 도 7 및 도 8을 참조하여 기재된 바와 동일한 방식으로 전자 빔을 포커싱하기 위해 도 2b의 자속 라인들(22)로 표시된 바와 같이 렌즈 개구들(16)에 인가될 것이다. 도 2b의 자속 라인들(22)은 도 8의 더욱 상세한 자속 라인들(422a, 422b)의 간략화된 예시이다.
또한, 전류는 도 1의 전류 화살표로 표시된 바와 같이 보상 코일(30)에 인가된다. 이러한 보상 코일 전류(31)는 여기 코일 전류(21)의 방향에 반대 방향이다. 보상 코일 전류(31)는 상부 자극편(12) 및 하부 자극편(14)을 접속하는 자기 재료(19)의 중심 스터브 주위를 순환한다. 도 2b에서 볼 수 있듯이, 보상 코일 전류(31)는 렌즈 개구들(16)에 대해 보상 자속 필드(32)(또한, 제 2 자속 또는 플럭스 필드로서 지칭됨)를 생성한다. 보상 자속 필드(32)의 플럭스 라인들은 렌즈 개구들(18)의 갭들(18) 및 자기 스터브(19)를 통해 폐쇄된다.
따라서, 보상 코일(30)과 함께, 이러한 자기 재료(19)의 내부 스터브는 중요한 기능을 갖는다. 적절히 여기되면, 이것은 다수의 보어 렌즈 본체의 중심 부분에서 외부의 외부 코일과 동일한 자기 전위 차이를 생성한다. 따라서, 개별적인 렌즈들에 걸친 방사형 전압 강하(radial potential drop)는 보상되거나 감소될 수 있다. 여기서, 비대칭성을 보상하는 것은, 완전히 제거되지 않는다면 비대칭성이 실질적으로 감소된다는 것을 의미하도록 이해된다. 특히, 보상 코일은 보상 전류를 적절히 조절함으로써 렌즈 필드들의 쌍극자 컴포넌트를 제어하는 것을 허용한다. 또한, 사중극자 및 육중극자 비점수차를 담당하는 더 높은 차수의 다중극자들은 실질적으로 감소될 수 있다. 보상 코일(30)의 적절한 여기는, 예를 들면, 여기 코일(20)과 동일한 수의 앰프턴들(Ampturns)에 대한 여기일 수 있다.
보상 플럭스 필드(32)는 다음과 같이 제 1 플럭스 필드(22)의 비점수차를 적어도 부분적으로 보상하고, 제 1 플럭스 필드(22)는 (코일(20)에 더 가까운) 렌즈 본체(10)의 주변 근처에서 렌즈 개구들(16)의 부분들에서 더 강하고, (코일(20)에서 더 멀리 떨어진) 렌즈 본체(10)의 중심 근처의 렌즈 개구들(16)의 부분들에서 더 약하다. 대조적으로, 보상 플럭스 필드(32)는 반대 필드 분포를 갖고, (코일(30)로부터 더 멀리 떨어진) 렌즈 본체(10)의 주변 근처의 렌즈 개구들(16)의 부분들에서 더 약하고, (코일(30)에 더 가까운) 렌즈 본체(10)의 중심 근처의 렌즈 개구들(16)의 부분들에서 더 강하다. 겹쳐지면, 총 자기장(플럭스 필드들(22 및 32)의 합산)의 비균질성들 ― 예를 들면, 더 높은 차수의 자기 다중극자 모멘트들 ―은 적어도 부분적으로 상쇄된다. 결과적으로, 총 자기장은 전체적으로 플럭스 필드(22)보다 더 적은 비균질성, 특히 코일(20)의 방사 방향으로 더 낮은 쌍극자 모멘트를 갖는다. 다시 말해서, 제 1 자속(플럭스 필드)(22)의 비대칭성은 제 2 자속(플럭스 필드)(32)에 의해 보상, 즉, 감소된다.
따라서, 렌즈 개구(16)를 통해 이동하는 전자 빔과 상호 작용하는 갭 영역(18) 내의 총 필드는 도 7 및 도 8에 도시된 비교적인 예의 필드보다 더 대칭적이다. 따라서, 렌즈는 감소된 빔 수차들 및 더 높은 획득 가능한 해상도를 허용한다.
도 1의 렌즈 시스템은 도 1의 도면 평면에 수직인 2 개의 평면들 S1 및 S2에 관하여 약간의 대칭성, 특히 미러 대칭성(mirror symmetry)을 갖는다. 이러한 대칭성은 더 높은 차수의 자기 다중극자 필드들 중 일부를 감소시키고, 따라서, 더욱 균일하고 무수차 포커싱 필드(aberration―free focusing field)에 기여한다. 특히, 각각의 렌즈 개구(16)는 평면 S1 또는 S2에 대칭적인 자기 렌즈 필드를 갖는다. 또한, 상술된 바와 같이, 각각의 렌즈 개구(16)에 대해, S1 또는 S2에 수직인 쌍극자 모멘트는 또한 보상 전류를 적절히 튜닝함으로써 제거될 수 있다. 이로써, 일반 양상으로서, 동작 동안에, 렌즈 개구들(16) 각각에 대한 렌즈 필드는 적어도 하나의 대칭 평면을 갖고, 적어도 2 개의 대칭 평면들을 가질 수 있고, 상기 적어도 하나의 대칭 평면은 각각의 광학 축을 포함한다.
도 3을 참조하여, 보상 코일(30)의 비대칭성 보상 효과는 부가적인 비교 예로부터 시작하여 이해될 수 있고, 비교적인 예에서, 렌즈 개구들(16) 각각에는 각각의 렌즈 개구(16)를 둘러싸고 전류들(51)을 전달하는 개별적인 코일(50)이 제공된다. 따라서, 이러한 설정은 많이 바람직한 자속 필드를 생성하지만, 비용이 많이 들고, 도 3의 설정은 주로 영역(52)에서 렌즈 개구들 사이에 배열된 여기 코일 부분들로 인해 렌즈 개구들(16) 사이에 큰 거리를 요구한다.
도 1의 설정은 도 3의 예에 의해 생성된 플럭스와 매우 유사한 자속을 생성하고, 동시에 렌즈 개구들 사이에 배열된 여기 코일 부분들을 배치하고, 이로써 더욱 콤팩트한 설정을 허용한다. 즉, 영역(52) 내의 이러한 여기 코일 부분들이 자기장에 상당한 영향을 주지 않고 생략될 수 있고, 영역들(52)에서 이웃하는 코일들(50)로부터의 전류들이 영역들(52) 내부의 각각의 코일들(52)에 대한 화살표들로 표시된 바와 같이 반대 방향들로 흐르는 것을 실현하는 것은 중대하다. 이러한 이웃하는 전류들은 대부분 상쇄되고, 따라서 결과적인 자속 필드에 대해 무효하다.
도 1의 설정에서, 도 3의 전류에 대응하고 영역들(52) 내의 코일들(50)의 무효하고 공간을 소비하는 부분들이 생략되는 전류, 및 따라서 자속이 획득된다. 즉, 도 1에 도시된 코일(20)의 전류(21)는 도 3에 도시된 코일들(50)의 외부 부분들(55)(영역들(52)의 외부를 향하는 코일 부분들)의 전류에 대응한다. 또한, 렌즈 개구들(16) 사이에 배열된 도 1에 도시된 코일(30)의 전류(31)는 도 3에 도시된 코일들(50)의 내부 부분들(영역들(52) 내부, 즉, 렌즈 개구들 사이에 배열된 코일 부분들)의 전류에 대응한다. 따라서, 도 3과 도 1을 비교함으로써, 보상 코일(30)이 렌즈 개구들(16) 사이에 배열되는 한, 그의 자속이 여기 코일(20)의 자속의 비대칭성을 보상할 것이라는 것이 이해될 수 있다. 일반 양상으로서, 보상 코일(30)은 그의 유효 영역의 절반 이상, 또는 심지어 2/3 이상, 또는 심지어 90 % 이상이 렌즈 개구들 사이에 (도 1의 영역 A에서) 있도록 배열되어, 보상 플럭스의 대응하는 부분이 렌즈 개구들 사이에서 생성된다.
따라서, 도 1의 전류들은 도 3의 전류들에 대응하고, 영역들(52) 내의 무효 부분들이 제거되고, 코일들이 더욱 이로운 방식으로 재접속되어, 전류가 관련 부분들에서만 흐르도록 허용한다. 코일들에서 무효 부분들을 제거하고, 동시에 렌즈 필드들의 균질성(homogeneity)을 개선하는 전류를 제공함으로써, 칼럼 피치(column pitch)가 감소되고, 다중 보어 렌즈 필드의 균일성이 증가된다.
또한, 도 3으로부터 이러한 방식으로 획득한 물결 모양의 전류 경로는 볼록 형상으로 정류된다. 이로써, 훨씬 더 귀중한 공간이 획득되고, 서로에 대해 더 가까운 렌즈들을 더 가까이 이동시킬 수 있다. 일반 양상으로서, 여기 코일(20) 및/또는 보상 코일(30)은 볼록 형상이다.
이제 도 4를 참조하여, 본 발명의 부가적인 실시예에 따른 렌즈 시스템(101)이 기재될 것이다. 렌즈 시스템(101)은 렌즈 개구들(116, 117), 여기 전류(121)를 전달하는 여기 코일(120), 및 보상 전류(131)를 전달하고 렌즈 개구들(116, 117) 사이에 적어도 부분적으로 배열된 보상 코일(130)을 포함한다. 도 4의 렌즈 시스템(101)은 일반적으로 도 1 내지 도 2b의 렌즈 시스템에 대응하고, 도면들로부터 수정들이 명백하다. 예를 들면, 보상 코일(130)은 또한 도 2a의 스터브(19)에 대응하고 제 1 자극편 및 제 2 자극편 사이의 근본적으로 갭이 없는 접속을 제공하는 자기 스터브 주변에 배열된다. 다음에서, 렌즈 시스템(1)에 대한 차이들만이 기재될 것이다.
도 4의 렌즈 시스템(101)에서, 렌즈 개구들(116, 117)은 2 개의 로우들(102, 103), 및 5 개의 칼럼들의 2 차원 어레이로서 배열된다. 또한, (어레이의 길이 방향 단부들에서) 최외부 칼럼들의 렌즈 개구들(117)은 더미 개구들로서 제공된다. 이러한 더미 개구들(117)은 전자 빔을 포커싱하는데 사용되지 않는다. 활성 렌즈 개구들(116)로서 또한 지칭되는, 3 개의 내부 칼럼들에 배열된 나머지 렌즈 개구들(116)은 대전 입자 빔들을 포커싱하는데 사용된다.
또한, 보상 코일(130)은 렌즈 개구들(116, 117) 사이(즉, 렌즈 개구들(116, 117) 사이의 영역 A에서 적어도 부분적으로)에 배열되고, 특히 활성 렌즈 개구들(116) 사이에 배열된다. 이로써, 도 1의 배열과 대조적으로, 보상 코일(130)의 작은 부분이 또한 영역 A 외부에 배열된다. 영역 A 외부의 이러한 부분으로 인해, 자속의 균질성이 증가되고, 임의의 경우에, 상기 부분은 활성 렌즈 개구들(116)에 대해 관련된 자속에 임의의 해로운 영향을 갖지 않는다. 그럼에도 불구하고, 보상 코일(130)의 유효 영역의 80 % 이상이 영역 A의 내부에 있고, 유효 영역의 절반 이상이 활성 렌즈 개구들(116) 사이의 영역에 있다.
도 5를 참조하여, 본 발명의 부가적인 실시예에 따른 렌즈 시스템(201)이 기재될 것이다. 렌즈 시스템(201)은 도 4의 렌즈 시스템(101)과 매우 유사하고, 참조 번호 2xx는 도 4의 참조 번호 1xx에 대응한다. 도 4의 렌즈 시스템(101)에 관련하여 주요 차이로서, 렌즈 시스템(201)은 렌즈 개구들(216, 217)의 3 개의 로우들(202, 203, 204)을 갖고, 2 개의 보상 코일들(230a, 230b)은 그 사이에 배열된다. 모든 부가적인 세부 사항들에 대해, 도 4의 설명은 도 5에 물론 적용된다. 도 5는 임의의 수의 로우들 및 칼럼들이 사용될 수 있다는 것을 예시한다. 또한, 렌즈 개구들(116, 117)은 또한 임의의 다른 방식, 예를 들면, 육각형 방식으로 배열될 수 있다. 또한, 하나 이상의 더미 렌즈들 개구(117)가 각각의 측면에 제공될 수 있거나, 어떠한 더미 렌즈 개구들도 제공되지 않을 수 있다.
도 4 및 도 5의 실시예들의 부가적인 변동들(도시되지 않음)에서, 차폐판들이 선형 렌즈 어레이의 단부들 양자에 제공될 수 있다. 이러한 차폐판들은 도 4 및 도 5의 더미 렌즈 개구들(117, 217)과 각각 결합될 수 있거나, 더미 렌즈 개구들에 독립적으로 사용될 수 있거나, 더미 렌즈 개구들 대신에 사용될 수 있다. 차폐판들은 2 개의 효과들을 갖는다. 한편으로, 선형 렌즈 어레이의 단부에서 여기 전류들의 루프의 영향이 차폐된다. 반면에, 자기 이웃(주변)은 선형 렌즈 어레이가 무한히 긴 것처럼 제공될 수 있다. 차폐판들의 구조 및 그들의 효과들은 US 특허 제 7,576, 917 호의 도 7a 및 도 7b에 기재되어 있고, 그의 기재는 본원에 통합된다. 더미 렌즈 개구들을 제공하거나 차폐판들을 제공하는 상기에 제공된 양상들은 모든 종류의 렌즈 시스템들에서 독립적으로 사용될 수 있다.
도 4 및 도 5의 렌즈 시스템들(101 및 201)의 이점은, 이러한 렌즈 시스템들이 3 개 이상의 칼럼들의 복수의 로우들을 더 근접하게 정렬시키는 것이며, 동시에 보상 코일의 부가로 인해 상술된 바와 같이 쌍극자 보상 및 비점수차 최소화의 이점을 제공한다.
상기 설계는 특히 2 차원으로 배열된 폐쇄―패킹된 전자 빔들을 허용한다. 예를 들면, 웨이퍼 마스크 결함 검사의 경우와 같이 스캐닝 및 검사될 샘플이 상대적으로 작다면, 많은 애플리케이션들에서 2 차원 배열이 이롭다. 이러한 경우에, 마스크 면적은 100 mm x 100 mm 정도이고 적어도 4 개의 칼럼들에 의해 동시에 스캐닝되어야 하고, 따라서 양자의 방향들에서 칼럼 피치가 약 50 mm이어야 한다. 일반 양상으로서, 이웃하는 렌즈 개구들의 중심들은 100 mm 미만, 또는 75 mm 미만, 또는 심지어 50 mm 이하만큼 서로로부터 이격된다. 소형 보상 코일을 사용하여 400 mm만큼 낮은 간격이 성취될 수 있다.
도 6을 참조하여, 부가적인 렌즈 시스템(301)이 기재된다. 렌즈 시스템(301)은 도 1의 렌즈 시스템과 매우 유사하고, 도 1의 참조 번호들 xx은 도 6의 참조 번호들 3xx에 대응한다. 다음에서, 도 1에 관련하여 차이들만이 기재될 것이다. 도 6의 렌즈 시스템에서, 9 개의 렌즈 개구들(316)이 제공된다. 렌즈 개구들(316)은 3x3 어레이로 배열된다. 또한, 4 개의 보상 코일들(330a 내지 330d) 각각은 렌즈 개구들 사이에 배열된다. 더욱 정밀하게, 코일들 각각은 이웃하는 렌즈 개구들(116) 사이에 배열되고, 이웃하는 렌즈 개구들은 2x2 서브―어레이를 형성한다. 예를 들면, 보상 코일들(330a 내지 330d)은 도 2a의 스터브(19)에 대응하는 각각의 자기 스터브 주위에 배열된다.
도 6에 도시된 보상 코일들(330a 내지 330d)의 배열은, 도 3을 참조하여 기재된 추리와 유사한 추리에 의해 이해되는 바와 같이 특히 이롭다.
이제, 실시예들의 가능한 부가적인 변동들이 기재될 것이다. 렌즈는 지금까지 상부 자극편(12) 및 하부 자극편(14) 사이의 갭(18)을 갖는 순수 자기 렌즈로서 기재되었다(도 2a 참조). 자극편들(12, 14) 및 갭(18)은 임의의 적절한 방식으로 형성될 수 있고, 렌즈 시스템들의 상이한 형상들에 따라 자극편들의 다른 배열들이 실현될 수 있다. 방사형 갭 렌즈들은, 예를 들면, 내부 및 외부 자극편을 갖는다. 상부 및 하부 자극편은 갭(18)에 의해 서로 구별되고, 렌즈 본체가 개별적인 컴포넌트들로서 자극편들로 항상 구성되지만, 렌즈 본체는, 원칙적으로, 통합된 하나의―부분 컴포넌트로서 또한 형성될 수 있다. 일반 양상으로서, 렌즈 개구들의 영역 내의 갭은 제 2 자극편으로부터 제 1 자극편을 분리한다. 부가적인 일반 양상으로서, 제 1 자극편 및/또는 제 2 자극편은 복수의 렌즈 개구들을 둘러싸는 자기 재료의 (각각의) 단일 본체로서 제공된다. 이로써, 자속은 최소의 자기 저항으로 렌즈 개구들 중 하나로부터 다른 렌즈 개구들에 전달하도록 허용된다.
또한, 렌즈는 정전―자기 합성 렌즈로서 제공될 수 있고, 정전 렌즈(electrostatic lens)는 도 2a의 렌즈 개구(16) 내에 제공된다. 정전 렌즈는 광학 축에 관련하여 대칭으로 배열된 2 개의 전극들을 포함한다. 2 개의 전극들은 정전 유침 렌즈(electrostatic immersion lens)로서 사용될 수 있고, 이로써 이미징 속성들이 개선될 수 있다. 그러한 합성 렌즈는 US 특허 제 7,576,917 호의 도 9에 및 그의 상세한 설명에 기재되어 있고, 이는 본 출원에 통합된다.
또한, 여분의 조정 코일은 각각의 렌즈 개구들 주변에 배열될 수 있다. 그러한 여분의 조정 코일은 도 3에 도시된 코일들(50)에 대응한다. 그러나, 도 3과 반대로, 여기 코일 및 보상 코일 이외에 이러한 조정 코일들이 제공되고, 따라서 약한 조정 필드만을 제공할 필요가 있다. 이러한 이유로, 조정 코일들은 최소의 공간 요건들로 제공될 수 있다.
또한, 여기 코일 및 보상 코일은, 그들에게 제공되는 (동일한) 전류가 상호 대향하는 방향들로 안내되도록 직렬로 접속될 수 있고, 보상 코일의 턴들(turns)의 수는 제 1 자속의 비대청성을 보상하는 자속을 제공하도록 조정된다.
본원에 기재된 렌즈 시스템은 콤팩트한 복수의 대전 입자 빔 디바이스를 생성하고, 가능한 2 차원으로 낮은 빔 간격을 갖는 복수의 대전 입자 빔들을 갖는 것을 허용한다. 그러한 빔 디바이스는 복수의 대전 입자 빔들을 생성하기 위한 대전 입자 빔 소스, 및 대전 입자 빔 칼럼을 갖는다. 대전 입자 빔 칼럼은, 빔 칼럼들에서 통상적으로 사용되는 엘리먼트들 이외에, 본원에 기재된 바와 같은 렌즈 시스템들을 포함한다.
상기가 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 및 부가적인 실시예들이 본 발명의 기본 범위를 벗어나지 않고 고안될 수 있고, 본 발명의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (19)

  1. 복수의 대전 입자 빔들(charged particle beams)에 대한 렌즈 시스템으로서,
    제 1 자극편(pole piece), 제 2 자극편 및 각각의 대전 입자 빔들에 대한 복수의 렌즈 개구들(lens openings)을 갖는 렌즈 본체;
    각각의 제 1 자속(magnetic flux)을 상기 렌즈 개구들에 제공하기 위해 상기 복수의 렌즈 개구들 주변에 배열된 공통 여기 코일(common excitation coil); 및
    상기 제 1 자속의 비대칭성(asymmetry)을 보상하도록 각각의 제 2 자속을 상기 렌즈 개구들 중 적어도 일부에 제공하기 위해 상기 렌즈 개구들 사이에 배열된 보상 코일(compensation coil)
    을 포함하고,
    상기 보상 코일은 상기 렌즈 개구들 각각의 축 방향 연장선이 상기 보상 코일의 외부에 있도록 배열되는, 렌즈 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보상 코일은 자기 스터브(magnetic stub) 주변에 배열되고, 상기 자기 스터브는 상기 제 1 자극편 및 상기 제 2 자극편 사이에 갭이 없는 접속을 제공하는, 렌즈 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 보상 코일은, 상기 렌즈 개구들에 의해 규정된 광학 축 측면에서 볼 때, 모든 렌즈 개구들이 상기 보상 코일의 외부에 있도록 배열되는, 렌즈 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    동작 동안에, 상기 보상 코일은 상기 여기 코일에 의해 전달되는 전류의 반대 방향으로 전류를 전달하는, 렌즈 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈 개구들은 2 차원 배열로 배열되는, 렌즈 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈 개구들은 적어도 2 개의 로우들(rows) 및 적어도 2 개의 칼럼들(columns)을 갖는 어레이로서 배열되는, 렌즈 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈 개구들은, 적어도 하나의 방향에서, 서로에 대해 90 mm 미만의 거리를 갖는, 렌즈 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈 개구들의 각각의 렌즈 개구는 각각의 광학 축을 규정하고, 동작 동안에, 상기 개구들의 각 개구에 대한 렌즈 필드는 적어도 하나의 대칭 평면을 갖고, 상기 적어도 하나의 대칭 평면은 상기 각각의 광학 축을 포함하는, 렌즈 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈 개구들 중 적어도 하나의 각각의 중심을 포함하는 대칭 평면(S1, S2)에 대해 대칭적인, 렌즈 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    적어도 2 개의 대칭 평면들(S1, S2)에 대해 대칭적인, 렌즈 시스템.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 렌즈 개구들은 적어도 4 개의 렌즈 개구들인, 렌즈 시스템.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 렌즈 개구들 각각에 대해, 각각의 렌즈 개구 주변에 배열된 조정 코일(adjustment coil)을 더 포함하는, 렌즈 시스템.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 자극편 및 상기 제 2 자극편 중 적어도 하나가 자기 재료의 단일의 본체로서 제공되는, 렌즈 시스템.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈 개구들의 영역 내의 갭(gap)이 상기 제 2 자극편으로부터 상기 제 1 자극편을 분리하는, 렌즈 시스템.
  15. 다중 대전 입자 빔 디바이스로서,
    복수의 대전 입자 빔들을 생성하기 위한 대전 입자 빔 소스; 및
    제 1 항에 따른 렌즈 시스템을 포함하는 대전 입자 빔 칼럼
    을 포함하는, 다중 대전 입자 빔 디바이스.
  16. 대전 입자 빔 디바이스를 동작시키기 위한 방법으로서,
    복수의 대전 입자 빔들을 생성하는 단계;
    렌즈 본체의 복수의 렌즈 개구들의 각각의 렌즈 개구를 통해 상기 대전 입자 빔들 각각을 안내하는 단계;
    상기 복수의 렌즈 개구들 주변에 배열된 공통 여기 코일에서 제 1 방향으로 전류를 생성하여, 그에 의해 각각의 제 1 자속을 상기 렌즈 개구들에 제공하는 단계; 및
    상기 렌즈 개구들 사이에 배열된 보상 코일에서 상기 제 1 방향에 대해 반대인 제 2 방향으로 전류를 생성하여, 그에 의해 각각의 제 2 자속을 상기 렌즈 개구들 중 적어도 일부에 제공하고, 상기 제 1 자속의 비대칭성을 보상하는 단계
    를 포함하고,
    상기 보상 코일은 상기 렌즈 개구들 각각의 축 방향 연장선이 상기 보상 코일의 외부에 있도록 배열되는, 대전 입자 빔 디바이스 동작 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 렌즈 개구들은 적어도 2 개의 로우들 및 적어도 2 개의 칼럼들을 갖는 어레이로서 배열되는, 대전 입자 빔 디바이스 동작 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 렌즈 개구들은, 적어도 하나의 방향에서, 서로에 대해 90 mm 미만의 거리를 갖는, 대전 입자 빔 디바이스 동작 방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 보상 코일은, 상기 렌즈 개구들에 의해 규정된 광학 축 측면에서 볼 때, 모든 렌즈 개구들이 상기 보상 코일의 외부에 있도록 배열되는, 대전 입자 빔 디바이스 동작 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9341936B2 (en) 2008-09-01 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US8719739B2 (en) 2011-09-19 2014-05-06 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography
JP2015511069A (ja) 2012-03-19 2015-04-13 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 柱で支持されたマイクロ電子レンズアレイ
US9343267B2 (en) 2012-04-18 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography
JP5667618B2 (ja) * 2012-12-14 2015-02-12 株式会社アドバンテスト 電磁レンズ及び電子ビーム露光装置
US9824851B2 (en) * 2013-01-20 2017-11-21 William M. Tong Charge drain coating for electron-optical MEMS
US10347460B2 (en) 2017-03-01 2019-07-09 Dongfang Jingyuan Electron Limited Patterned substrate imaging using multiple electron beams
DE102017205231B3 (de) * 2017-03-28 2018-08-09 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenoptische Vorrichtung und Teilchenstrahlsystem
DE102019004124B4 (de) * 2019-06-13 2024-03-21 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenstrahl-System zur azimutalen Ablenkung von Einzel-Teilchenstrahlen sowie seine Verwendung und Verfahren zur Azimut-Korrektur bei einem Teilchenstrahl-System

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5116754B1 (ko) 1970-03-04 1976-05-27
JPS4929089B1 (ko) * 1970-05-13 1974-08-01
JPS5423476A (en) * 1977-07-25 1979-02-22 Akashi Seisakusho Kk Composite electron lens
US6254738B1 (en) * 1998-03-31 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance having rotating core to control coil sputter distribution
US6750455B2 (en) * 2001-07-02 2004-06-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for multiple charged particle beams
US7223974B2 (en) * 2002-05-22 2007-05-29 Applied Materials, Israel, Ltd. Charged particle beam column and method for directing a charged particle beam
DE60235636D1 (de) 2002-12-17 2010-04-22 Integrated Circuit Testing it dieser Linse, und Herstellungsverfahren für diese Linse
EP1679734B1 (en) * 2004-12-30 2010-04-07 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Multiple lens assembly and charged particle beam device comprising the same

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