201213114 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種於透光基材上製造具有微小間隙之無 機奈米粒子之沉積的方法以及一種可藉由該方法獲得之沉 積。 【先前技術】 在本發明之範圍内’ 「具有微小間隙之無機奈米粒子之 沉積」應理解為具有形成「圓頂」之微米尺寸空腔、例如 視沉積形式而定可能互相連接的無機奈米粒子的沉積。奈 米粒子之尺寸通常在5 nm至50 nm範圍内。因此，各底部 空腔或「圓頂」之外殼由至少一個無機奈米粒子層形成。 此外’各底部奈米粒子之間可存在間隙或空間，本文中稱 為「奈米間隙」。 專利US 2007/0 104922描述一種製造由數個無機奈米粒 子層藉助於有機聚電解質緊固於透光基材所形成之沉積的 方法。沉積可施用於基材之所有面，其限制條件為該沉積 可浸於水性製備溶液中。此賦予基材抗反射特性，但尚無 實驗要素展示光漫射受沉積影響。其亦具有良好可濕特性 (超親水性，或對於形成輔助化學沉積，超疏水性）。 此專利申請案中展示可見範圍（4〇〇 nm至8〇〇 nm)中入射 光的光透射值超出99。/^所得最佳效能為99 7%光透射（對 於標準玻璃為92%)及〇.1%光反射（對於標準玻璃為8%)。 在透明基材上層之領域中持續需要改良尤其可見範圍中 光的漫射，以及改良該等基材之抗反射特性。 157594.doc 201213114 【發明内容】 本發明係關於一種製造用無機奈米粒子之沉積覆蓋之透 明基材的方法，該沉積具有微小間隙’該方法包含以下步 驟： . (a)將具有電離化官能基之聚電解質之溶液施用於透明 v 基材，繼而進行至少一洗滌及乾燥步驟以在該基材 上形成帶電聚電解質沉積； (b) 將具有電離化基團且具有與聚電解質沉積相反之電 荷的聚合物微粒之溶液施用於該聚電解質沉積，繼 而進行至少一洗務步輝以在該聚電解質沉積上形成 帶電聚合物微粒之沉積； (c) 用具有電離化官能基且具有與步驟之帶電聚合物 微粒相反之電荷的聚電解質溶液覆蓋該帶電聚合物 微粒之沉積，繼而進行至少一洗滌及乾燥步驟以形 成帶電聚電解質沉積； (d) 將具有與步驟（c)之聚電解質之電荷相反的表面電荷 的電離化無機奈米粒子之溶液施用於該帶電聚電解 質沉積，繼而進行至少一洗滌步驟以形成至少一個 * 電離化無機奈米粒子層； " 移除步驟（b)之聚合物微粒之沉積及步驟（a)及（c)之 聚電解質之沉積，獲得具有微小間隙之無機奈米粒 子之沉積。 為實施該方法，可提供由具有無機奈米粒子之塗層的透 明基材（例如透明玻璃基材）形成的基板，其中沉積結構在 157594.doc 201213114 整個表面上形成至少一均質層且該塗層使得其具有可變直 徑（通常在0.3 μιη至5 μιη範圍内）之微小間隙。此等微小間 隙在移除聚合物微粒後出現，且在沉積形成期間，可令人 滿意地調節後者之覆蓋率及分佈。覆蓋率在本文中如下定 義：粒子至覆蓋率=(1〇〇χ沉積之粒子數χ粒子在基材上之 投影面積）/總表面面積。 此等微小間隙在基材表面上之分佈可為各向同性的，亦 即在表面上所考慮之所有空間方向上一致分佈。 在奈米級上’無機奈米粒子之沉積不一致，亦即其含有 粒子間奈米間隙。此沉積可由數個奈米粒子層形成（「多 層」沉積）。此等奈米粒子之沉積層數增加可改良抗反射 特性。若所施用之層數過高，則其亦可導致可見範圍内之 抗反射特性喪失。舉例而言，在用直徑為22 nm之二氧化 石夕奈米粒子覆蓋的1·9 mm厚透明漂浮玻璃的情況下，可施 用之最大層數為10至12。 可使用該方法獲得之該基板說明於例如圖丨中。 沉積有利地賦予基材新的光學特性，諸如改良抗反射特 性（相對於1_9 mm厚之無沉積透明漂浮玻璃基材上之反 射，光反射降低25%至75%)及增加光漫射，對於本發明技 術領域中傳統使用厚度（1.5 mm_ 15 mm)之透明及超透明玻 璃’所有光之光漫射在1 %至20%範圍内，而對於1.9 mm厚 之無沉積透明漂浮玻璃基材，所量測之值為。其亦具 有可濕特性’尤其親水性及/或超親水性，該等可濕特性 在一定時間内尤其穩定，較佳在3個月至15個月、有利地 157594.doc 201213114 在6個月至11個月為穩定的。 相較於US 2007/0104922之教示’本發明沉積中微米尺 寸間隙之存在可確保一定程度的光漫射，同時維持玻璃的 透明度。藉由調節此等微小間隙之體積與密度，可調節所 尋求漫射現象之程度。 除羅利漫射型現象（Raleigh diffusion type phenomena)不 受本發明之沉積影響或僅可忽略地受本發明之沉積影響以 外’在表面上形成尺寸接近入射光波長之間隙（或微小間 隙）亦有利於可見光之入射光線的漫反射。可藉由使用分 光光度計中安裝之累計球（integrating sphere)量測由表面 引起的漫射現象之顯著性。此類型設備亦稱為測霧計。舉 例而言’與裸玻璃（濁度為01%；)相比，用6個直徑為約2〇 nm之二氧化矽奈米粒子層覆蓋丨.9 mm厚之透明漂浮玻璃 基材僅對光漫射具有微弱影響。相反地，向此沉積中引入 近似直徑等於500 nm且覆蓋率為約20%之球形間隙或微小 間隙將顯著增加測霧計所量測之漫射（濁度為5.5%)。 在對可見光透明之基材上形成沉積以在一定波長範圍内 而非單一波長下獲得抗反射特性可在該沉積之整個厚度上 存在折射率梯度時達成等人，iVaiwre 2002, 1，59-63)。此梯度之最大折射率值必須一 方面對應於沉積基材之折射率，且另一方面對應於面積。 可基於使用分光光度計所記錄之透射及反射光譜展示抗反 射特性。舉例而言，在玻璃基材上數個直徑為約20 nm之 二氧化矽奈米粒子層之沉積極大地改良此玻璃之抗反射特 157594.doc 201213114 性。事實上，1 ·9 mm厚之透明漂浮玻璃反射多達8%之入 射可見光，而具有相同特徵但用6個直徑為20 nm之二氧化 石夕奈米粒子層覆蓋的玻璃（無微小間隙）僅反射0.1 %之此相 同光。 透明基材為性質為無機或有機或兩者之組合的材料。其 尺寸僅由製造沉積之方式所施加的技術限制而設定：其必 須能夠浸於沉積溶液中。其為透明的，亦即其允許最A部 分之入射可見光穿過。因此，由基材材料吸收之可見範圍 (約400 nm至800 nm之波長）内之電磁波很少。舉例而言， 透明基材可為玻璃或基於聚碳酸酯之聚合材料或基於聚 (甲基丙稀酸甲S旨）之聚合材料。任何類型之玻璃，諸如透 明、超透明、有色或硼矽酸鈉鈣漂浮玻璃為最佳。超透明 玻璃應理解為以FhO3形式表示之最大鐵含量小於〇.4重量 0/〇、尤其小於〇.〇2重量。/。的玻璃。透明玻璃應理解為以 以2〇3形式計最大鐵含量在〇.04重量％至〇 4重量％範圍内的 玻璃。基材亦可帶正電及/或負電。建議選擇對本發明之 各種化學及/或物理處理具有抗性之基材。 在本發明之意義上，聚電解質為重複化學模式之性質為 有機或無機或兩者之組合的聚合物。此外，該模式必須含 有在使用條件中電離化之官能基。聚電解f可為天然聚= 解質’諸如DNA ;天然且以化學方式修飾之聚電解質，諸 如甲殼素或纖維素；或合成聚電解質。在本發明之产形 下’任何類型之聚電解質均為適合的，其限制條件為:符 合以下定義。 、付 157594.doc 201213114 弱聚電解質或強聚電解質可基於官能基之酸_鹼特性來 定義。陽離子聚電解質攜帶正離子。舉例而言，弱陽離子 聚電解質可為聚（烯丙胺鹽酸鹽）(PAH)。陰離子聚電解質 =帶負離子。舉例而言，強陰離子聚電解質可為聚苯乙烯 嶒酸鹽（PSS)。帶正電或帶負電之可用合成聚電解質之實 例包括聚伸乙基亞胺、聚(烯丙胺鹽酸鹽)、聚氣化二烯丙 基一曱基銨、聚苯乙烯磺酸鹽、聚乙烯基硫酸鹽及聚丙烯 酸。若所用聚電解質為聚伸乙基亞胺、聚⑼丙胺鹽酸 鹽）、聚氯化二稀丙基二曱基錢，則其為較佳。在後一情 况下莫耳質量低於100000 g.mole·1或在40000 g.m〇ie-i至 500000 g.m()le·!範圍内。無機合成聚電解質之實例為聚铭 石夕酸鹽（p〇lysialate)，一種基於銘石夕酸鹽之無機聚合物。 帶正電或帶負電之天㈣m以化學方式㈣之聚電 解質的實例可屬於核酸、蛋白質及多醣之系列。其為例如 T、醋肽、多肽、肽聚糖、葡糖胺聚糖、醣脂、蛋白質脂 多醣、醣蛋白、聚碳酸酯、核酸聚合物、核苦酸或聚核苦 A或DNA。天然來源之聚電解質較佳為聚L_離胺 若所用聚電解質為聚（烯丙胺鹽酸鹽）或pAH，則其為 進一步較佳。 .在本&明中’聚合物微粒為表面上具有電離化基團且通 Ί八有正表面電4或負表面電荷、但符號與聚電解質相反 的聚合材料粒子。該聚合材料為可藉由施用適當溫度而變 形或移除之材料。 在本發明之範圍内，帶電聚合物粒子稱為微粒。 157594.doc 201213114 變形（亦即粒子之形式變化及/或體積變化）藉由向粒子施 用接近於聚合物之玻璃轉移溫度之溫度來達成。在此等條 件下，聚合材料更黏稠且更具流動性且因此必定能夠「潛 變」以改變最初存在之形式及體積。在本發明之範圍内， 此變形操作為「潛變」操作。流動微粒應理解為經受此潛 變操作之微粒》 移除聚合物宜由施用適當溫度以熱解聚合物組成。在本 發明之範圍内’此移除微粒之操作為煅燒操作。緊固於透 明基材之煅燒微粒應理解為已經受此煅燒操作之緊固於透 明基材之微粒。此移除亦可藉由使用適當有機溶劑溶解聚 合物來達成。無論藉由熱方式抑或化學方式，移除微粒之 操作均應在微粒已用電離化無機奈米粒子完全覆蓋後進 行。 舉例而言，聚合材料為聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或 二聚氰胺。其較佳由聚苯乙烯形成。微粒可為球形微粒及 單分散微粒（亦即其尺寸分佈極窄）或多分散微粒（亦即其尺 寸分佈寬）。微粒直徑宜在約3〇〇 nm至約5000 nm範圍内， 或較佳在350 nm至3000 nm範圍内，極佳在40 nm至2000 nm範圍内，或尤其在450 ηιη至1000 nm範圍内。 不同直徑之球形粒子的混合物亦可用於微粒，其中直徑 可自約300 nm至約5000 nm變化。 此等聚合物微粒之電離化基團攜帶正電荷或負電荷。表 面電荷可來自在由硫酸根、磺酸根、羧酸、胺、羥基或肺 封端之表面上所存在之化學基團。電離化基團亦可由表面 157594.doc -10- 201213114 上數個此等化學基團之混合物提供。化學基團之性質可不 同於形成微粒之聚合材料。在聚合物微粒表面上此等電離 化基團之所得電荷的密度可自！ A2電離化之基團至1〇〇〇〇 A電離化之基團變化。 舉例而言，直徑為約500 nm之單分散微粒可由具有硫酸 根基團之聚苯乙烯形成。此等以基本上各向同性方式及約 20%之表面覆蓋率沉積於19 mm厚之透明漂浮玻璃基材上 且由聚電解質PAH緊固的粒子可隨後藉由施用丨丨3。〇之溫 度至少30分鐘而變形（潛變）為近似半球形。其可藉由施用 至少450 C之溫度（烺燒）至少2〇分鐘來移除。微粒混合物可 為因硫酸根基團而在表面帶電且具有範圍為約5〇〇 nrn至約 5000 nm之不同直徑的聚苯乙烯粒子之混合物。此外，聚 合材料可與聚電解質相同或屬於相同化學族。 電離化無機奈米粒子為由無機材料形成之粒子❶其在表 面具有負電荷或正電荷。此等電荷可由表面上存在之氧化 物產生。舉例而言，二氧化矽奈米粒子表面上存在之矽烷 醇基團可視pH值而定完全或部分解離。電荷亦可由電離化 化學基團之固定部分提供，諸如硫酸根基團、磺酸根基 團、叛酸、醯胺、胺、羥基或脒。無機奈米粒子為例如球 形及單分散粒子’直徑在約5 nm至約50 nm範圍内、較佳 在10 nm至40 nm範圍内或更佳在15 nm至30 nm範圍内。其 亦可為球形及多分散粒子，直徑在約5 nm至約5〇 nm範圍 内°舉例而言，奈米粒子可為攜帶由表面羥基提供之負電 荷的金屬氧化物（諸如3丨〇2或^〇2)之奈米粒子。其亦可由 157594.doc 201213114 表面覆蓋之因擰檬酸根陰離子而帶電之金奈米粒子形成。 該等聚電解質、微粒及奈米粒子固定於基材表面或已形 成之沉積宜藉由已知「逐層」沉積方法來達成。產生固定 之相互作用在性質上主要為靜電作用（p Bertrand等人， 2000, 21，7, 319-348)。亦可能 在沉積形成期間發生其他相互作用，諸如氫鍵、共價鍵、 凡得瓦爾鍵（Van Der Waals bond)等。該方法使用以下步 驟·將基材於帶正電或帶負電之有機或無機聚電解質或欲 緊固之分子結構（例如有機或無機奈米,粒子或微粒）之水性 稀溶液中潤濕。在各潤濕操作期間，將分子或分子結構之 層緊固於層或最初存在之基材上。此舉因而使表面帶相反 電荷，從而可沉積具有相反電荷之新分子或分子妗 因此，此類沉積之顯著特徵為能夠由各潤濕操作中°所用且 具有相反電荷之分子及/或分子結構層積聚（「Μ」& 而形成超分子結構。 不贋〜"u Τ只巧热仕何三維凝漂 物，微粒的沉積，亦即微粒不可一者固定於另一者頂部:、 而是並排^在表面上。微粒宜緊固於表面，在整個表面 上以近似相等尺寸之間距彼此間隔且無任何接觸。在此情 :下’分佈稱為各向同性。然而，一些微粒可能彼此黏： ==二維凝集物。然而’已在沉積中觀察到三維 …Γ 等凝集物之最大可接受之表面覆蓋率為 .❶若表面僅由微粒一者於另一者頂部積聚所租 之二維凝集物㈣’則熟習此項技術者不應將該分佈視 I57594.doc 201213114 為令人滿意的。 微粒層之厚度等於沉積所用微粒之直徑。 奈米粒子沉積於聚電解質沉積上之表面覆蓋率可在15% 至90%、較佳2〇〇/0至7〇%範圍内。 電離化無機奈米粒子之覆蓋率必須儘可能高以完全覆蓋 ' 所沉積之微粒層及微粒未覆蓋之基材。舉例而言，當使用 掃描電子顯微鏡（SEM)不再可觀察到基材表面及微粒時， 達到完全覆蓋》 電離化無機奈米粒子之沉積令人滿意的覆蓋必須符合與 具有令人滿意之覆蓋的微粒沉積相同的特徵。 然而，亦應認為數個無機奈米粒子層一者重疊於另一者 上之組態為令人滿意之覆蓋。在本文中，層宜由奈米粒子 j整個表面上以儘可能小且近似㈣之尺寸的粒子間間距 :者在另-者旁邊均勾地緊固於基材上或緊固於下伏層上 形成舉例而。，理想之層應由粒子以緻密六角形排列週 期性組裝且「緊密包裝」而形成。實際上，排列常常不是 週期性的且粒子間之間距可能不均勻。可存在二維凝集 物。若表面僅由彼此以未覆蓋之基材區分隔之三維凝集物 形成（亦即奈米粒子-者於另一者頂部積聚），則熟習此項 技術者不應將該分佈視為令人滿意的。 層厚度等於沉積所用奈米粒子之直徑。此外，多層之厚 度等於形成各層之奈米粒子的直徑總和。舉例而言，在直 徑為22贼二氧化石夕奈米粒子膠狀溶液（濃度為〇」質量 %，物时，且離子強度為Μ M)中潤濕（或「施用奈米粒 157594.doc 201213114 子」於）1.9 mm厚之用聚烯丙胺聚電解質層覆蓋的透明漂 浮玻璃表面30分鐘，得到總厚度為約50 nm之沉積。表面 展示由奈米粒子一者位於另一者旁邊及一者位於另一者頂 部形成之沉積。可在整個表面上觀察到此排列。若在用無 機奈米粒子覆蓋之此相同玻璃上重複依續施用聚烯丙胺聚 電解質及直徑為22 nm、典型濃度為0.1質量。/〇、8<pH<9且 離子強度為0.1 Μ的二氧化矽奈米粒子的步驟數次，則沉 積之厚度隨著重複次數而線性增加。由此，沉積厚度在兩 次重複後達約100 nm，在三次重複後達150 nm且在4次重 複後達200 nm。 在步驟（a)中，形成固定或緊固於基材表面之層形式的電 離化聚電解質沉積宜藉由至少一在電離化聚電解質之一般 水性且較佳稀溶液中潤濕透明基材（尤其藉由完全浸泡）之 步驟來達成。如上所表明（但不受任何理論限制），聚電解 質固定於玻璃表面可藉由靜電相互作用、氫鍵 '共價鍵或 凡得瓦爾鍵來達成。因此，沉積·基材組合件視情況而定 一般在沉積表面上帶正電或帶負電。 聚電解質溶液之pH值較佳在丨至13範圍内，離子強度在 1〇-6 Μ至1 Μ範圍内且聚電解質之調節濃度在1〇-6 ]^至1 M 範圍内。熟習此項技術者可調節此等參數以使其可形成如 下聚電解質層，其中其特性使微粒或電離化無機奈米粒子 可以令人滿意之覆蓋率及分佈固定於基材表面。微粒固定 事實上可由沉積-基材組合件上存在之表面電荷進行。 在陽離子聚電解質情況下，溶液2pH值範圍宜在3至13 I57594.doc ·】4· 201213114 範圍内離子強度在1〇 6 M範圍内且聚電解質之 調節濃度在W Μ至1G.2 M範圍卜若陽離子聚電解質溶 液之PH值在9至12範圍内，尤其在1〇至11.5範圍内，離子 強度在1G 3 Μ至1〇·2 乂範圍内且濃度在1()·6 M至ΐ()·4 m範圍 内’則其為高度適宜的。 施用電離化聚電解質溶液較佳進行3〇秒至5小時、較佳j 刀鐘至3小時、尤其3 〇分鐘至2小時之時間。然而，此時間 必須使沉積且形成之聚電㈣層足以使微粒層♦人滿意地 固定（覆蓋率及分佈）於聚電解質沉積上。在於丨9 mm厚的 透明漂浮玻璃上沉積聚烯丙胺聚電解質層（濃度1〇·5 M， pH值=11，離子強度1〇-2 Μ)α緊固聚苯乙烯微粒或二氧化 矽奈米粒子的情況下，潤濕時間較佳為約3〇分鐘。 在此潤濕操作後’必須進行聚電解質沉積之洗滌及乾 燥。 製備此等溶液之條件以及兩個連續潤濕步驟之間的洗滌 及乾燥條件影響電離化聚電解質緊固於基材之方式。該電 離化聚電解質緊固之方式將對藉助於聚電解質之電離化官 能基緊固之帶電聚合物粒子的分佈具有影響。舉例而言， 若欲在1‘9 mm厚之透明漂浮玻璃表面上以各向同性分佈沉 積帶電聚苯乙烯粒子’其中負表面電荷由硫酸根基團提供 且粒子直徑為約500 nm，則在於玻璃基材上固定pah聚電 解質之步驟結束時必須包括洗滌及乾燥所緊固之pah層的 步驟。 洗務步驟較佳在超純水中進行，其中所用體積宜為覆蓋 157594.doc -15- 201213114 整個透明基材最初所需之電離化聚電解質溶液體積的至少 1 2倍。因此’洗蘇一般由至少12個添加超純水及回收洗條 水之操作的系列組成。 乾燥步驟較佳在氮氣中進行直至觀察到洗滌水殘餘物消 失。 本發明之方法亦可在步驟（a)前包括清潔透明基材之步驟 以自各基材移除表面污染物且提供可再現之表面結構。此 一般由3:1 v/v硫酸/含氧水之混合物達成，但可使用任何 傳統方法’其限制條件為其不會降解基材。 於緊固於基材之聚電解質沉積上沉積微粒（步驟（b))的方 法一般藉由在微粒之較佳水性且一般稀溶液且通常膠狀溶 液中潤濕基材來執行。 微粒溶液之pH值較佳在1至π範圍内，離子強度在1〇_6 Μ至1 Μ範圍内且調節濃度在〇 〇〇1重量％至5〇重量範圍 内、較佳在0.01重量。/〇至與4〇重量％範圍内、更佳在〇」重 量/〇至3 0重量。/。範圍内、尤其在i重量％至2〇重量〇/❶範圍 内。然而，熟習此項技術者可調節此等參數以使其可形成 具有使電離化無機奈米粒子可以令人滿意之覆蓋率及分佈 固疋於微粒沉積表面之特性的微粒層。 具有電離化基團之聚合物粒子溶液較佳進行10分鐘 至5小時、較佳30分鐘至3小時且尤其丨小時至3小時之時 間然而此時間必須使聚合物層足以令人滿意地（亦即 以7人滿意之覆蓋率及分佈)緊固。在於基材上沉積聚(烯 丙胺風^鹽）層（濃度1〇·5 M/L，pH值=ιι，離子強度⑺2⑷ 157594.doc 16 - 201213114 之情況下，聚苯乙烯微粒之沉積較佳在2小時内用包含電 離=硫酸根基團且具有以下特徵，濃度（以微粒之 重量計）為0.1%)的聚苯乙烯微粒之膠狀溶液進行。 本發明之方法包含步驟（〇··用包含電離化官能基且具有 與帶電聚合物粒子相反之電荷的聚電解質之溶液覆蓋帶電 聚合物粒子之沉積(步驟⑻)’、繼而騎至少一洗滌及乾燥 步驟以形成帶電聚電解質沉積。 此步驟較佳藉由在聚電解質之溶液中潤濕步驟⑻後製 備且用微粒覆蓋的基材來執行，纟中離子之電荷與基材之 微粒表面上所存在之電荷相^此可於微粒上W 質層。 聚電解質溶液之特徵及欲施用於微粒之聚電解質的沉積 時間宜與步驟⑷中在基材上形成聚電解質層相同。欲進行 之洗條及乾燥操作亦必須與步驟⑷中在基材上形成聚電解 質層後所述具有相同類型。 本發明方法之步驟⑷由以下組成：將具有與步驟⑷之 聚電解質之電荷相反的表面電荷的電離化無機奈米粒子之 溶液施用於帶電聚電解質沉積，、繼而進行至少一洗滌步驟 以形成至少一電離化無機奈米粒子層。 / 此較佳藉由在奈米粒子之較佳水性且一般稀溶液、通常 膠狀溶液中潤濕基材來執行。 電離化無機奈米粒子溶液之阳值處於βΐ3範圍内，離 子，度在10.6河至！ Μ範圍内且調節濃度在G 重量％至 重量％範圍内。熟習此項技術者可調節此等參數以使其可 157594.doc -17· 201213114 以7人滿意之覆蓋率及分佈在基材表面上形成奈米粒子 層。 施用電離化無機粒子之溶液較佳進行30秒至5小時、較 佳1分鐘至3小時、尤其30分鐘至2小時之時間。然而，此 時間必須使奈米粒子層足以令人滿意地（亦即以令人滿意 之覆蓋率及分佈）緊固。在此步驟結束時，沉積可能由數 個無機奈米粒子層形成，其中術語「無機奈米粒子層」之 含義應理解為在本發明情形下所定義之含義。在欲沉積於 緊固於聚苯乙烯微粒（因表面上之硫酸根基團而帶電荷）之 聚烯丙胺層上的無機奈米粒子層為直徑為22 nm2二氧化 矽奈米粒子的情況下，沉積在3〇分鐘内用具有以下特徵 (8SpHS9，濃度（以奈米粒子之質量計）為〇 1%且離子強度 為0.1 M)之二氧化矽奈米粒子之膠狀溶液進行。 因為移除形成微粒之聚合材料必須在微粒已由無機奈米 粒子完全覆蓋後進行’故宜提供至少一個將一或多個額外 無機奈米粒子層施用於根據步驟（d)獲得之至少一電離化奈 米粒子層上的額外步驟（步驟（d,))。 在此情況下，在於已沉積之電離化奈米粒子層（先前 層）（步驟（d))上沉積新電離化無機奈米粒子層（步驟（士^ 前，該方法包括用具有電離化官能基且電荷與電離化奈 粒子相反之聚電解質層覆蓋先前層之步驟。 ^ 在離子之電荷與先前奈米粒子層之電離化奈米粒子表 上存在之電荷相反的聚電解質溶液中潤濕用先前層覆蓋2 所製備基材較佳得到緊固於先前奈米粒子 丁 κ聚電解質 I57594.doc 201213114 層。 在本文件中，所進行之步驟（d)及步驟（d·)的次數稱為ηβ 本發明者已展示微小間隙覆蓋率為約25%之丨9 mm厚之 透明漂浮玻璃上直徑為22 nm之二氧化矽奈米粒子之層數 增加可以使光透射在上文指定範圍内之方式改良尤其在可 見範圍中之抗反射特性。此外，上文指定範圍内之光漫射 增加亦很明顯。然而，最大層數一般為1〇至12 ^ ,聚電解質溶液之特徵及沉積欲施用於微粒之聚電解質所 耗用之時間與步驟（a)及/或（c)中在基材上形成聚電解質層 相同。 在用聚電解質覆蓋之先前層上獲得新電離化無機奈米粒 子層之方法宜使用在奈米粒子之較佳水性且一般稀溶液、 通常膠狀溶液中潤濕基材之操作。 電離化無機奈米粒子溶液之特徵及該等粒子沉積所耗用 之時間宜與在步驟（d)中覆蓋之基材上形成無機奈米粒子磨 相同β 製備此等奈米粒子溶液之條件以及兩個連續潤濕操作之 間的洗滌及乾燥操作影響微粒及/或電離化無機奈米粒子 之緊固方式。 微粒及/或電離化無機奈米粒子沉積後之洗滌步驟較佳 使用超純水進行，其中所用體積宜為覆蓋整個透明基材最 初所需之電離化聚電解質溶液體積之至少6倍，接著使用 溶劑，該溶劑在2(TC下之表面張力至多為水表面張力之 1/3,諸如醇，較佳異丙醇，其中所用體積宜為上文所定 157594.doc •19- 201213114 義體積之至少6倍。使用具有較低表面張力之溶劑的目的 為限制沉積於基材表面上之最初間隔的微粒或奈米粒子更 接近地排列。此現象部分歸因於凝集物形成，其可在乾燥 操作期間觀察到，且因粒子間所截留之溶劑的薄膜表面張 力而產生。 因此，洗滌宜由至少6個添加超純水之操作及至少6個添 加低表面張力之溶劑且回收洗滌殘餘物之操作的系列組 成。 步驟（d)之洗滌步驟後亦可提供乾燥步驟，其較佳在氮 氣中進行直至觀察到洗滌水殘餘物消失。 作為變化形式，在沉積聚合物微粒之步驟（b)後且在步 驟（c)之前，若電離化無機奈米粒子層沉積於尚未用微粒覆 蓋之基材區上’則亦可棄去在具有低表面張力之溶劑中洗 滌之步驟，而用在水中洗滌之操作替代。 在於電離化無機奈米粒子溶液中潤濕足以在單個舉動中 沉積數個層的情況下’則用數個無機奈米粒子層覆蓋未用 微粒覆蓋之基材區。奈米粒子可進行固定的原因在於未用 微粒覆蓋之基材區仍由帶電聚電解質之沉積覆蓋。視與微 粒直樘相比所用奈米粒子之相對直徑而定，且亦視此奈米 粒子沉積之表面覆蓋率而定’沉積於微粒間之基材上的奈 米粒子層將防止微粒變得更近。熟習此項技術者應選擇適 當直徑之奈米粒子以觀察限制微粒變得更近，亦即藉助於 常規測4。所用奈米粒子之直彳i可能與步驟⑷及（d，）中所 用不同然而’使用此或此等奈米粒子層防止微粒變得更 157594.doc 201213114 近不可減弱由沉積接枇夕土组α 1, 权供之先學特性（光漫射及抗反射特 性）。 未用微粒覆蓋之基材表面上無機奈米粒子之沉積較佳藉 . 自在奈米粒子之較佳水性且—般稀溶液、通常膠狀溶液中 潤濕基材來達成。膠狀溶液之特徵宜與在用微粒覆蓋之基 ， 材上形成電離化無機奈米粒子層（步驟（d))相同。 在此情況下，可在步驟⑻期間用水洗條之步驟後即刻 施用步驟（十洗條則較佳由至少丨2個添加超純水且回收洗 條殘餘物之操作的系列組成。在最後之洗蘇操作後，可即 刻在隨後步驟⑷所用之聚電解質溶液中潤濕經修飾之基 材。因此，在洗滌表面後無需使其乾燥。 在變化形式中，該方法宜在步驟（b)與（c)之間包括施用 足夠溫度以使微粒潛變之步驟（b，）。施用接近於形成微粒 之聚合材料的玻璃轉移溫度的溫度足夠長的時間以獲得所 需形狀。在表面上因硫酸根電離化基團而帶電且直徑為 500 nm之球形聚苯乙烯微粒經由聚烯丙胺層緊固於玻璃的 情況下，施用113 C之溫度3 0分鐘有利地使球形轉變為底 部直徑為約500 nm且高度為400 nm之半球形。 ’ 經由電離化聚電解質緊固於透明基材之微粒的表面密度 * 易於藉由增加上文所定義之沉積溶液之微粒的質量濃度來 控制。舉例而言，來自0.1重量％溶液之因硫酸根基團而具 有負表面電荷且直徑為約500 nm的聚笨乙稀粒子固定於 1.9 mm厚之透明漂浮玻璃產生約25%之微粒表面密度。若 使用5%之溶液質量濃度’則所得聚苯乙烯粒子之表面密 157594.doc -21- 201213114 度為約50%»在形成微小間隙後，此微粒密度增加有益於 增加用該沉積覆蓋之基材的光漫射。 根據本發明，宜使用上述「逐層」沉積方法獲得在緊固 於基材之聚電解質沉積上的微粒沉積（步驟（b))，隨後獲得 在先前由聚電解質層覆蓋之微粒上的電離化無機奈米粒子 沉積（步驟（c)及（d))。由於相互作用在性質上主要為靜電作 用，故聚電解質中存在之電荷必須與微粒及電離化無機奈 米粒子之電荷相反。 然而，在不受任何理論限制的情況下，可解釋為電離化 聚電解質於透明基材上、於微粒或奈米粒子上之沉積，微 粒於電離化聚電解質沉積上之沉積且隨後電離化無機奈米 粒子於用聚電解質覆蓋之微粒或用聚電解質覆蓋之奈米粒 子/冗積上的沉積在各沉積上產生其所緊固之表面的電荷反 轉，亦即欲沉積之電離化組分的電荷總數高於最初存在之 電離化沉積的電荷總數，其中該等電荷具有相反符號，從 而允許靜電相互作用。在固定發生之位置處產生總表面電 荷平衡’從而有利於欲沉積化合物之固定。 在步驟（d)及可能之步驟（d，）後，該方法包括移除聚合物 粒子沉積及步驟（a)及（(：）之聚電解質沉積之步驟獲得 含有微小間隙之無機奈米粒子之沉積。 步驟（e)宜藉由加熱用上文所定義層覆蓋之基材來進行。 加熱應諸如在煅燒期間進行。此操作意欲移除微粒聚合物 及聚電解質。在此處理後，開始時存在之微粒聚合物及聚 電解質在使用例如X射線光電子光譜分析（XPS)之表面分析 157594.doc -22- 201213114 中變得不可偵測。施用溫度易於由熟習此項技術者確定 但不可降解基材。該處理稱為烺燒處理且在微粒已用無機 奈米粒子完全覆蓋後施用。舉例而言’當使用掃描電子顯 微鏡（SEM)不再能觀察到基材及微粒之表面時，即獲得完 全覆蓋。I例而f，緊固於L9 mm厚之透明漂浮玻璃表面 且用6個二氧化矽奈米粒子層覆蓋之聚苯乙烯微粒可藉由 施用450°C至600。(：之溫度至少20分鐘來移除。 在步驟⑷、可能存在之（d，)與步驟⑷之間藉由熱處理或 加熱移除微粒及聚電解質之前，經修飾之基材可浸於通常 濃度為G.l M之鹽溶液中約別至⑽分鐘。若意欲對樣品進 行锻燒操作，則在最後-次施用例如上述二氧切之奈米 粒子後，亦可使用鹽溶液進行用水洗務之操#。此外，樣 品可在電離化無機奈米粒子沉積形成之後經充分乾燥後保 留於此鹽溶液I所有此等處理均有益於、且在使用鹽時 在很大程度上有益於藉由燒結使奈米粒子彼此接合及二或 與基材接合《該鹽通常為NaC卜 在變化形式中’用無機奈米粒子覆蓋之微粒以及聚電解 質⑽可藉由使用能夠溶解此等聚合物之溶劑來移除。舉 例而言，此等溶劑為芳族烴，諸如苯、甲苯、二甲苯及乙 苯；基於脂族氣化烴之溶劑，諸如二氣甲燒、氯仿或四氣 化碳。亦可使用其他溶劑，諸如Μ、二錢、 醯胺、環己酮、四氫呋喃、乙酸 土 日又G鹱丁酯及環己烷 讀生溶劑。若將由聚苯乙烯微粒修飾之19職厚之透明 漂洋玻璃之此相同表面保留於四氫咬喃或氣仿中至少—小 157594.doc -23· 201213114 時’則亦可移除聚苯乙烯。可將使用微粒之溶劑與施用超 音波組合以加速聚合物移除。然而，無論使用何種溶劑， 其均不可降解基材。 微小間隙之尺寸可以數種方式改變。為此，該方法宜在 步驟（b)與（c)之間包括步驟（jy)以如上所述使微粒經受潛 變。其由能夠使微粒變形且改變微粒體積之熱處理組成。 使用此術語是因為在施用接近於形成微粒之聚合物的玻璃 轉移溫度的溫度以改變最初存在之形狀及體積的作用下， 該聚合物必定更黏稠且更具流動性且因而必定能夠「潛 變」。此處理係在根據步驟（d)或（d·)使用「逐層」技術沉 積無機奈米粒子前進行。 在獲得所需形狀及體積後’經受潛變之粒子可隨後例如 由數個電離化無機奈米粒子層完全覆蓋。可對任何直徑之 緊固微粒，亦即對具有不同直徑之緊固微粒的混合物施用 此處理。在所用微粒之直徑處於3〇〇 nm至約5〇〇〇 nm範圍 内之情況下，經受潛變之微粒將轉變為底部直徑在3〇〇 nm 至5000 nm範圍内且高度在25〇 nm£4〇〇〇 nm範圍内之半球 形。舉例而言，可藉由施用113〇c之溫度3〇分鐘使直徑為 500 nm且因硫酸根基團而在表面上帶負電且緊固於丨^出爪 厚之透明漂浮玻璃基材的球形聚苯乙烯粒子潛變。在此處 理期間，最初近似球形之聚苯乙烯粒子轉變為近似半球 形。經數個直徑為22 nm之二氧化矽（Si〇2)奈米粒子層完全 覆蓋，隨後移除聚合物微粒得到半球形空隙結構，其外殼 由二氧化矽奈米粒子形成.此等半球形之底部直徑由掃描 157594.doc •24· 201213114 電子顯微鏡或SEM量測為約500 11111且高度由原子力顯微鏡 或AFM量測為約4〇〇 nm。 在變化形式中’亦可使用具有約3〇〇 ηηι至約5000 nm或 較佳 350 nm 至 3000 nm、更佳 4〇〇 11111至2〇〇〇 nm 或尤其 45〇 nm至1000 nm之不同直徑的微粒。舉例而言，固定在表面 上帶負電、直徑為500 nm且以各向同性分佈緊固於19 mm 厚之透明漂浮玻璃基材的聚苯乙烯球形粒子，及用數個二 氧化矽奈米粒子層覆蓋，隨後移除，得到直徑為約5〇〇 nm(由SEM量測）之球形微小間隙。若使用直徑等於或大於 1000 nm之帶電聚合物粒子，則最終形成之微小間隙將具 有約1000 nm之直徑（藉由SEM量測）。 根據本發明獲得之沉積包含包封微小間隙之微米尺寸結 構與圍繞奈米間隙之奈米尺寸結構。可各向同性分佈於基 材上之兩種尺寸等級之此結構類似於超疏水性蓮葉之熟知 結構（Neinhuis C.，Barthl〇tt w ▲版 1997, 79, 677)。 此等葉子實際上具有兩種等級之粗梭度以及有利於疏水性 之表面化學。親水性材料為對水具有親和力之材料。其容 易經水《。相反地，疏水性材料為對水具有低親和力之 材料。其具有差的可濃性。使用座滴法⑽心S meth〇d)量測材料之水接觸角能夠確^該材料之親水性或 疏水性程度。當材料為超疏水性時，其提供極大的接觸角 ⑽。或15〇。以上）。在超親水性材料之情況下，該材料幾 乎即刻經水膜覆蓋且接觸角則極小（5。或5。以下）。如已由 wenzel及Cassie所展示，形成兩種等級之結構以及本質上 157594.doc -25- 201213114
有利於親水性之表面化學促進超親水性（Wenzel R n 了 Phys. Colloid. Chem. 1949, 53, 1466 ； Wenzel R.N J Ind Eng. Chem. 1936, 28, 988 ； Cassie A.B. D., Baxter S 心少&c.，1944, 40, 546)。表面之超疏水特性可 適用於例如形成自淨及/或抗水表面。表面之超親水特性 可有利地用於消除在該等表面上呈液滴形式之水凝結。本 發明之沉積具有非常顯著的親水特徵，亦即超親水特徵。 此特徵隨時間之持久性尤佳且為約至少數個月，通常為3 個月至15個月，較佳為6個月至u個月。舉例而言用2個 二氧化矽奈米粒子層覆蓋且以各向同性分佈包括半球形微 小間隙之玻璃表面在剛製造後具有小於丨〇。之不可量測的 水接觸角。用於量測之水滴以小於一秒的時間在表面上形 成水膜。在此沉積製造後十五個月，在櫥櫃中在黑暗中與 環境空氣保持接觸之此相同表面仍具有小於1 〇。之不可量 測的接觸角《在類似條件下保持相等時間後，用直徑為22 nm之二氧化矽奈米粒子層覆蓋之玻璃基材（初始接觸角 <1〇°)具有約25。之接觸角。 用具有疏水性官能基之化合物覆蓋本發明之沉積能夠賦 予本發明之沉積極高的疏水（亦即超疏水）特徵。所述化合 物可為矽之表面可聚合衍生分子且具有疏水性官能基，諸 如脂族烴鏈或氟碳鏈。舉例而言，如上文同樣修飾且用在 液相中施用之十三說-1，1，2,2-四氫辛基_三氣石夕烧膜覆蓋的 玻璃表面可具有131。之水接觸角。 視本發明之實施形式而定，該方法可包括在步驟⑷後進 I57594.doc -26 - 201213114 行之強化具有微小間隙之無機奈米粒子之沉積的步驟（f)。 可使用除锻燒以外或辅助锻燒之不同方法β 亦可使用數種此等方法之組合。事實上，除移除帶電聚 合物粒子之外，煅燒亦可強化電離化無機奈米粒子彼此之 間或與基材之間的接合。舉例而言，亦可使用化學處理， 利用分子、大分子黏合劑或基於矽或鍅之聚合物強化電離 化無機奈米粒子之沉積。 更特定言之，可使用矽或鍅之衍生分子進行旨在簡單強 化無機奈米粒子表面之化學處理。其較佳在煅燒後施用。 將此等分子溶解於適當溶劑中，諸如無水甲苯、無水四氫 呋喃、無水烴溶劑、無水醇或水。在所選溶劑可混溶之情 況下，溶劑亦可由此等不同溶劑之混合物形成。若使用水 且欲洛解之矽烷難溶於水中，可能需要添加非離子界面活 性劑以形成乳液。亦可向水中添加乙酸以調節ρΗ值。 在經修飾表面浸於該溶劑中形成至少一單層所需之時間 後，矽或锆之該衍生分子即在電離化無機奈米粒子之表面 上聚合。浸泡通常持續！小時至24小時，以矽或鍅之衍生 分子的重量計，濃度在〇.1%至5〇%範圍内，且可能在加熱 及/或攪拌溶液下進行。亦可在汽相中進行該化學處理之 施用。聚合在電離化無機奈米粒子之間產生共價橋鍵。所 用石夕之拆生分子通常為Sia4，其以至少〇 J重量％置於無水 甲苯之溶液中。在任何化學處理之施用前且為增加聚合所 需之存在於表面上之錢醇基團之數量，用電離化無機奈 米粒子覆蓋之透明基材表面可經受由^射氧氣形成之 157594.doc -27· 201213114 H2S04/H2〇2)中至 氧及氮電漿或浸於強清潔性混合物（3: ι 少15分鐘。 可施用化學處理以強化無機奈米粒子之沉積且同時賦予 其官能性。⑦或錯之有機衍生分子可用於此情況。則此處 理較佳在锻燒後施p此等將分子溶解於適當溶劑中，諸 如無水甲[無水四氫咬喃、無水烴溶劑、無水醇或水。 在所選溶劑可混溶之情況下，溶劑亦可由此等不同溶劑之 混合物形成。若使用水且欲轉之錢難料水中，則可 能需要添加非離子界面活性劑以形成乳液。亦可向水中添 加乙酸以調節pH值。 在經修飾表面浸於該溶劑中形成至少一單層所需之時間 後，該等分子即在電離化無機奈米粒子之表面上聚合。浸 泡通常持續1小時至24小時，以分子之重量計，濃度在 0.1%至5G%範圍θ，且可能在加熱及/或搅拌溶液下進行。 亦可在汽相中進行該化學處理之施用。聚合在電離化無機 奈米粒子之間產生共價橋鍵。 通常，所用矽之衍生分子可為（R)4nSicln4(R,)4nSi(〇R,、 ，其中η等於丨、2或3，其中R&R，獨立地表示基於奈米結 構化表面所欲之官能性而選擇之基團。若欲獲得疏水特 性，則R及R，可以使得分子（R)4_nSicln或 自由以下形成之群的方式來選擇：甲基矽烷之衍生物，諸 如甲基二氣矽烷、曱基參（曱氧基乙氧基）矽烷或三甲基矽 烧氧基三氣矽烷；直鏈烷基矽烷，諸如戊基三氯矽烷或十 八烧基三乙氧基矽烷；或分支鏈烷基矽烷，諸如異丁基三 157594.doc • 28 - 201213114 氯矽烷或環己基三曱氧基矽烷；芳族矽烷，諸如苯甲基三 氯石夕貌、#乙基三甲氧基石夕烧或對甲苯基三氣石夕垸；氣化 矽烷’諸如九氟己基三氣矽烷、(3,3,3_三氟丙基)三氣矽烷 或（3,3,3·三氟丙基）三甲氧基矽烷；及二烷基矽烷，諸如二 乙基二氣矽烷、二乙基二乙氧基矽烷或第三丁基異丙基二 甲氧基矽烷。 為獲得防汙功能，尤其抗細菌特性及蛋白質吸附抗性， R及R’可包括例如聚乙二醇基。R"較佳為包含個碳原 子之烷基。舉例而言’此等分子用無水甲苯稀釋成至少 0.1質1%。在每次施用化學處理前且為增加聚合所需之存 在於表面上之矽烷醇基團之數量，用電離化無機奈米粒子 覆蓋之透明基材表面可經受由UV照射氧氣形成之氧及氮 電漿或浸於強清潔性混合物（3:1 H2S04/H2〇2)中至少15分 鐘。亦可另外添加基於矽之試劑以增強交聯（諸如Sicl4)。 可貫施強化沉積之其他方法，諸如增加無機奈米粒子之 層數、在使沉積與無機鹽接觸後煅燒較長或較短時間、在 與無機鹽接觸或未與無機鹽接觸的情況下使用高壓蚤處理 較長或較短時間。 本發明亦關於一種具有可藉由進行上述本發明方法而形 成之透明基材的基板，該基材具有有微小間隙之無機奈米 粒子之沉積層。 此基板之其他特徵為上文已有利描述之特徵。詳言之， 微小間隙通常具有在0.3 μιη至0.5 μιη範圍内之直徑。微小 間隙宜具有底部直徑為300 nm至5000 nm且高度為250 nm 157594.doc •29- 201213114 至4000 nm的半球形形狀。 【實施方式】 以下實例說明本發明但不限制其料且包括以下圖式。 實例 根據本發明之一較佳實施例形成用沉積覆蓋之表面的步 驟如下所述U示意性展示於圏…。所施列步驟 得到用《多個可此強化且包括半球形微小間隙之無機奈 米粒子層覆蓋的_表面，料無機奈綠子層之表面覆 蓋率可進行調節。製造方法包含以下步驟： • (1)藉由將1.9mm厚之透明漂浮玻璃基材浸於強清潔 !生混〇物（3.1 v/v H2S(VH2〇2)中一小時，繼而於水 中充分沖洗且於氮氣中乾燥來進行清潔。此可移除 各基材表面污染物之主要部分且獲得各基材之可再 現表面狀態。 • (2)浸泡足夠時間以用陽離子聚電解質層覆蓋潔淨之 玻璃，繼而洗滌。所用陽離子聚電解質為聚烯丙胺 或PAH(SigmaAldrich)，其為 l〇-5M/L之溶液，用 1M NaOH溶液調節至pH=11，且用〇」M Nac〗調節離子 強度至10 M。在此情況下，在含有聚電解質pAHA 性溶液之槽中浸泡潔淨之玻璃至少3〇分鐘，繼而藉 由稀釋進行洗滌操作。在於沉積槽中添加用聚電解 質溶液覆蓋整個玻璃表面最初所需體積之至少12倍 後’結束洗滌操作，該等洗滌操作在洗滌操作結束 前使玻璃表面不與空氣接觸之情況下進行（因此其始 157594.doc -30· 201213114 終由沉積溶液及/或所添加之洗滌液覆蓋）。因此，洗 務操作以添加超純水及由此稀釋（初始PAH溶液之最 終稀釋度：6個數量級）之沉積溶液之回收操作的系列 進行。繼而在氮氣中完全乾燥。 (3)及（4)在步驟（2)中乾燥後，即刻將經聚電解質修飾 之玻璃表面浸於微粒之膠狀溶液中足夠時間以沉積 微粒層（步驟3) ^此操作後繼而進行洗滌。所考慮之 微粒為聚苯乙烯（Invitrogen，IDC Latex，1〇質量％乳 膠硫酸鹽，直徑y00 nm)，其負表面電荷由硫酸根 基團提供。將用電離化聚電解質沉積覆蓋之玻璃表 面（步驟（2))浸於〇.丨重量％聚苯乙烯微粒於超純水中 之膠狀溶液（5SPHS7)中120分鐘。在12〇分鐘結束 時，根據與（2)中所述類似之程序，藉由依續用水及 異丙醇稀釋進行洗滌：首先，添加與用沉積溶液覆 蓋整個玻璃表面最初所需體積相同之體積的水6次。 隨後，用異丙醇以相同方式再進行6次（初始膠狀溶液 之最終稀釋度：6個數量級如同在步驟（2)中一 般，在洗滌操作期間阻止表面與空氣接觸。在空氣 中完全乾燥後，使玻璃上之微粒沉積經受能夠使此 等微粒潛變之熱處理(步驟(4))。在聚苯乙烯微粒之 情況下，施用之加熱最少3〇分鐘。正是在此階 段，因聚苯乙烯球變形而形成半球形。半球形之直 徑及高度分別達到約700 nm&4〇〇 nm，此等值由原 子力顯微鏡測定。 157594.doc •31 - 201213114 •⑸在步術3)中乾燥後或在步驟⑷結束後，根據與步 驟⑺相同之方案向經受潛變之緊固微粒添加新陽離 子聚電解質層，其例外為破璃現用微粒覆蓋。 • (6)在步驟（5)之乾燥冑，即刻將在步驟⑺結束時形成 之玻璃表面浸於無機奈米粒子<膠狀溶液中3〇分鐘 之時間此時間得到厚度為5〇 nm之沉積，對應於固 疋2個電離化無機奈米粒子層。此步驟後繼而進行洗 滌操作奈米粒子為直徑為22 nm之二氧化矽奈米粒 子（Si-NP)(LUDOX(g) TM 5〇,叫腕 AldHch)。此等浸 於下文所述水性溶液中之奈米粒子表面上存在的矽 燒醇基團帶負電。將玻璃表面浸於具有用1 M NaOH 溶液調節之PH值（諸如8$ρΗ$9)及用NaC丨調節之離子 強度1=0.1 Μ的0.1重量％水性膠狀溶液中至少3〇分 鐘在30分鐘結束時，藉由依續用水及異丙醇稀釋 進行洗滌操作。如同在步驟（3)中一般，在洗滌操作 期間阻止表面與空氣接觸。所施用之洗滌操作進行 如下.連續添加與處理整個表面最初所需之體積相 等體積的水至少6次。隨後，添加相同體積之異丙醇 至少ό次。僅在用較低表面張力之溶劑最後一次洗條 後可使玻璃與空氣接觸。隨後使玻璃保持在空氣中 直至完全乾燥。 • (7)及（8)使步驟（6)後所製備之表面經受不同熱處理或 化學處理以移除微粒、強化表面或同時強化表面與 賦予表面功能。 157594.doc •32- 201213114 ο (7)為移除聚苯乙烯微粒，在烘箱中在45〇。〇至 600 C範圍内之溫度下進行熱處理至少2〇分鐘。 〇 (8)在烺燒後’為簡單強化所考慮奈米粒子之表 面’藉由使用於無水曱苯中之〇.1重量％ SiCl4溶液 使由用具有微小間隙之二氧化矽奈米粒子（Si_Np) /儿積覆蓋之玻璃基材（步驟6)形成之所得基板經受 化學處理。在奈米粒子之表面浸於甲苯中24小時 之時間後，溶解於甲苯中之SiCl4分子即在奈米結 構之表面上聚合。聚合在無機奈米粒子之間形成 共價橋鍵。在每次施用化學處理前，用奈米粒子 覆蓋之表面經受在強清潔性混合物（3:1 Wv H2S04/H2〇2)中浸泡至少15分鐘。 圖2中展示用SEM(Leo 982 Gemini FEG數字掃描顯微鏡） 對聚苯乙稀粒子之分佈進行的分析’該等聚苯乙稀粒子因 硫酸根基團而在表面上帶電，具有5〇〇 nm之直徑且在熱變 形（潛變）之前固定於玻璃《其清晰地展示粒子分佈趨向於 各向同性分佈。量測此等粒子表面覆蓋率得到約2〇%之 值。在此階段下’所得樣品為半透明的（參見圖2中之插 圖）。 圖3說明出於使聚苯乙烯粒子變形以使其具有實質上半 球形形狀之目的之潛變熱處理之作用，該等聚笨乙烯粒子 因硫酸根基團而在表面上帶電，具有500 nm之直徑且固定 於1.9 mm厚之透明漂浮玻璃。分別用SEM及原子力顯微鏡 (Digital Instruments之Nanoscope III A)記錄之兩個圖像a 157594.doc -33· 201213114 及B清晰地展示類似形狀。由SEM進行之半球形尺寸的量 測得到約500 nm之半球形底寬。在AFM所記錄之圖像上進 行的相同類型量測得到約700 nm之底寬及約400 nm之高 度。 圖4及圖5中展示本發明之沉積’其通常根據步驟（丨）至 (7)中所述之方案且用直徑分別為500 nm及22 nm之聚苯乙 烯粒子及二氧化矽奈米粒子重複步驟（5)及（6)三次（n=3)而 獲得。如圖4之插圖中所示，玻璃亦為透明的。此外，包 封於此等二氧化矽奈米粒子中之間隙的半球形在三個圖像 中均很明顯。使用AFM獲取之圖像執行的此等結構之尺寸 量測得到500 nm之底寬及約400 nm之高度。 使用X射線光電子光譜法（或XPS)進行圖1中所呈現製造 方法之各步驟中存在的塗層的表面化學分析，該塗層用直 徑為500 nm之聚苯乙婦粒子及直徑為22 nm之二氧化石夕奈 米粒子獲得。使用具有鋁源（10 mA及15 kV)、單色器及8 個電子倍增器之Kratos Axis Ultra光譜儀（Kratos Analytical- UK)進行分析。在所有情況下，XPS能夠證實預期沉積之 存在。圖6A展示例如在經此聚陽離子修飾之玻璃上存在聚 烯丙胺聚電解質之在399.5 V處的質子化胺基及在4〇12 v 處的未質子化胺基的特徵峰，而在裸玻璃上該等峰不存 在。此外，直至步驟6仍發現此特徵峰。其在緞燒（步驟7) 後消失’證實熱處理適當地移除了電離化聚電解質。圖6B 中亦清晰地展示在步驟3直至步驟6結束時在烺燒之前存在 聚苯乙烯粒子。事實上，在291.4 eV處發現聚苯乙烯之特 157594.doc •34· 201213114 徵伴峰（「振起」）（圖6B之插圖），其在煅燒後消失。 已檢驗不同沉積之存在對於抗反射特性及光漫射性之影 響。前者藉由Perkin Elmer之具有150 mm積分球之Lambda 9〇〇光譜儀檢驗光透射及反射來評估，而後者基於具有ι5〇 mm積分球之Hazegard XL_2丨丨測霧計所記錄之濁度值來評 估。 圖7及8以及表1展示所得結果。此等圖中所用之名稱展 不於表1中，其中「裸玻璃」為使用例如強清潔性溶液清 潔之玻璃。 其展示在具有本發明沉積之粒子中觀察到之可見光的光 透射增加基本上由22 nm二氧化矽奈米粒子層之存在引 起事實上，如僅用具有22 nm直徑之二氧化矽奈米粒子 覆蓋且無微小間隙之測試樣品（Si一22*3-n=3，其中n=步驟5 及6之重複次數，且Si_22iltl_n=1)所示，隨著所沉積奈米粒 子層數增加，光透射之增加（圖7A)及光反射之減少（圖7b) 力強同時濁度保持接近於裸玻璃之約〇. 1 %之濁度。然 而’重複步驟5及步驟6(或步驟⑷及（d,))超過4次亦即8 個一氧化矽奈米粒子層，觀察到抗反射特性下降，尤其在 丁見範圍内。因此，其為欲施用之步驟5及步驟6的最大重 複次數。在微小間隙存在之情況下亦觀察到此現象（資料 未示）。 併入本發明沉積中之微小間㈣主要作用為有益於光漫 射（表1)。事實上，與經受三次奈米粒子施用且無微小間隙 的測式樣品(Si_22*3-n=3)相比’引入半球形微小間隙可增 157594.doc •35- 201213114 加濁度（樣品「Si_22*3Mh」）。若將其與由於未施用關於 熱潛變處理之步驟（4)而微小間隙之體積較大之樣品（樣品 「Si_22*3Ms」）比較，濁度明顯進一步增加。在進行奈米 粒子單次施用的情況下（n=1，無微小間隙之樣品
Si_22* 1 ’具有半球形微小間隙之樣品si_22* IMh及具有球 形微小間隙之樣品Si_22* 1 Ms)，此亦適用，但程度較不明 顯。在所用微粒具有較大直徑（1000 nm)且未經受潛變之 情況下（樣品「Si_22*3Msl000」），濁度進一步增加。 無論考慮何種组態，實例均展示本發明之經覆蓋基材具 有優於由裸玻璃獲得之抗反射特性。在無機奈米粒子沉積 之厚度恆定（例如約150 nm，對於n=3之沉積）的情況下， 甚至可觀察到經由不進行潛變及/或增加微粒直徑來增加 微小間隙之體積可改良尤其在可見範圍内之抗反射特性 (圖 8)。 微小間隙之覆蓋率增加（資料未示）亦可有益於濁度增加 (表 1 中之樣品「Si_22*3Ms(d+)j 及「Si—22*3Msl〇〇〇(d+)」） ’同時保持優於裸玻璃之抗反射特性。 一氧化梦奈米粒子之間存在微小間隙引起尤其在可見範 圍内之抗反射特性改良，同時微小間隙可確保受控之光漫 射且在一些情況下亦有益於可見光之抗反射特性改良。 使用改良之「Electronish Ontwerpbureau de Boer」設 備，使用座滴法在步驟7中之煅燒後所製備、從而具有由 微米結構及奈米結構產生之兩種等級之粗糙度的表面（樣 口°「Si一22*1 Mh」-表1)上進行靜態水接觸角量測（圖9)〇 157594.doc •36- 201213114 圖9(A)描述在概摄中在黑暗切存之樣品，㈣9(B)描述 在建築外部儲存之樣品。 在锻燒後立刻1測之接觸角小於。，且所沉積之水滴 P刻展開形成水膜。此結果與對用直徑為約⑽之二氧 化夕二采粒子層新覆蓋且無微小間隙之玻璃表面（圖9中之 樣如Si_22*l」-表1}獲得之結果相同。製造此測試樣品 以評估微米祕度對所量測接觸角之影響。 ^此自此等結果顯而易見，該技術不可用於在兩個具 有间親水特徵之表面製造後立即進行區分。亦進行此等表 面之接觸角的a平估動力學檢驗且呈現於圖9中。作為比 m了除上述表面以外的其他表面：未清潔之裸玻璃 ==)及藉由浸於強清潔性溶液十清潔的裸玻 用二氧化.奈米粒子覆;可能經長時間區 丁復盍之表面的可濕性，但在室 =個月後及在建築外部館存約35個月後， 米粒子覆蓋且無微小間隙之玻 乳匕夕不 間隙之玻璃開始喪失其高親水特性:因此，由== =奈米間隙產生之兩種等級的粗糙度可實現高親水特性
良，高親水特性甚至可在室内情形下在約15個 月之持續日㈣岐料I 間内觀察到。 吁”固月之持續時 因此其亦為本發明之決定性作用。 157594.doc -37· 201213114 表1 名稱 所施用之沉積/步驟之性質(參見固1) 濁度 裸玻璃 - 0.1 Si—22*1 1個Si-NP層 0.14 Si—22*3 3個Si-NP層 0.33 Si_22*lMh 1/2/3/4/5(1 x)/6(lx)/6a 1.3 Si—22*lMs 1/2/3/5(1 x)/6(lx)/6a 2.5 Si_22*3Mh 1/2/3/4/5(3 x)/6(3x)/6a 5.5 Si_22*3Ms 1/2/3/5(3 x)/6(3x)/6a 8 Si_22*3Ms(d+) 1/2/3(密度較大之 PS 粒子)/5(3x)/6(3x)/6a 8 Si_22*3Msl000 1/2/3(直徑為 1000 nm 之 PS)/5(3x)/6(3x)/6a 15.5 Si—*3MslOOO(d+) 1/2/3(直徑為 1000 nm 且密度較大之 PS)/5(3 χ)/6(3 x)/6a 22 微小間隙默認由直徑為約500 nm之聚苯乙烯（PS)微粒形 成。其覆蓋率默認為約20%。 PS=聚苯乙烯；Si-NP=直徑為約20 nm之二氧化矽奈米粒 子 【圖式簡單說明】 圊1 :為根據本發明之一較佳實施例的本發明沉積之形 成步驟的概述圖。 圓2:為在緊固直徑為500 nm之聚苯乙烯粒子的步驟 (3)(參見圖1)後獲得之表面的SEM(掃描電子顯微鏡）圖像。 插圖展示用此沉積覆蓋之玻璃為半透明的。 囷3 :展示在步驟（4)期間（參見圖1)使直徑為500 nm之聚 苯乙烯粒子變形之熱處理後獲得之表面的圖像：A圖像由 SEM記錄；B圖像由AFM(原子力顯微鏡）記錄。 圖4 :為在煅燒用直徑為22 nm之二氧化矽奈米粒子覆蓋 (n=3)之具有半球形微小間隙之表面的步驟（7)(參見圖1)後 157594.doc -38 - 201213114 獲仔之表面的SEM圖像。插圖展示用此沉積覆蓋之玻璃的 透明度。 圖5 .為在煅燒用直徑為22 nm之二氧化矽奈米粒子覆蓋 (η 3)之具有半球形微小間隙之表面的步驟（7)(參見圖〇後 獲得之表面的AFM圖像。 圖6:展示Α:對於不同表面關於氮軌道ls之結合能所記 錄之XPS光譜；B :對於不同表面關於碳軌道ls之結合 所記錄之xps光譜。插圖放大291 5 eV周圍之區域，其中 可見聚苯乙稀之特徵峰（「振起」）。 圖7 :展示與無沉積之潔淨玻璃基材相比 徑為22 nm之二氧化矽奈米粒子覆蓋（n=1及 可見範圍内記錄之透射光譜（A)及光反射（B) 見表1。 ’對於僅用直 n=3)之表面在 。所用術語參 圖8:展示對於在本發明中所述之不同步驟期間製備之 不同表面在可見範圍内記錄之光透射譜。所用術語參見表 圃展不對於在本發 ,少邵期間製叫 不同表面所量測之靜態水接觸角隨時間之 ^ 、雙。所用術語 參見表1。（A)在櫥櫃中在黑暗中儲存之樣Q D〇 外部儲存之樣品。 …⑻在建築 157594.doc -39-