TW201210976A - Paste for contacts and solar cell using the same - Google Patents

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201210976 六、發明說明： ‘ 【發明所屬之技術領域】 本發明主張於2008年8月1〇日所申請之韓國專利申請案號 1〇-_-()_27的優先權，此全文將併人本案以作為參考/ 本發明實施刪於接觸電極材料及使用其形成太陽能電池及 製造方法。 【先前技術】 由於對能源需求的增加’正積極開發太陽能轉換成電能的太 陽能電池。在彩色太陽能電池中，使用石夕晶圓的太陽能電池被廣 泛地於商業上所使用。 具體來說，石夕晶圓包含一PN接面，有一層和一p 層彼此相黏附和背面電場（BSF)層是一p+層。於此，背面電場層 可降低與背接觸電極的接觸電阻，以提升太陽能電池的特性。因 此，當背面電場層厚度的增加，可提高太·電池的效能。 【發明内容】 本發明實施例提供增加背面電場層厚度之太陽能電池，藉以 提高太陽能電池的效率。 在本發明實施例中，用於接觸電極之漿料包括鋁粉、玻璃熔 塊、無機粘結劑和含有I族元素的p型氧化物。 在本發明另一實施例中，太陽能電池包括：前接觸電極（front contact)設置於半導體基板的表面上；背面電場（BSF)層設置於 半導體基板的另一表面上;及背接觸電極(rear contact)設置於背 面電場層上’其中此背面電場層或此背接觸電極包括含有I族元 201210976 素的P型氧化物。 ^ _· 在進一步說，本發明又一實施例，製造太陽能電池的方法包 括：形成包括含有丨族元素的P型氧化物的用於接觸電極之漿料 於半導體基板的其絲面上；形成前細電極於半導絲板的一 表面上;在同時以熱處理此漿料與此前接觸電極，而形成前接觸電 極和背面電場層於半導體基板的其他表面上。 根據本發明實施例用於接觸電極之漿料可含有丨族元素的P 型氧化物。於製造太陽能電池製程中，當熱處理含有I族元素的p 型氧化物的漿料時，會增加背面電場的厚度。 也就是說，含有ί族元素的P型氧化物可能會擴散到矽基板 中，或含有I族元素的Ρ型氧化物會擴散到矽基板中而使背面電 場層的厚度增加。因此，根據製造太陽能電池的方法，可提供包 括改善厚度的背面電場層之太陽能電池。 因此，根據本發明實施例中的太陽能電池，隨著背面電場的 厚度增加，可減少漏電流（leakage current)、可阻止電子的複合 (recombination)和電阻可望降低。因此，太陽能電池的短路電流 (short circuit)會被阻止’而且還可提高太陽能電池的光電轉換 效率。 【實施方式】 於實施例的敘述說明中，可以理解的是，當一基板 (substrate)、一層（layer)、一薄膜(『^酌或一電極(electr〇de) 被稱為在“之上(on)，，或“之下(under)”於另一基板、層、薄膜 或電極’它可直接之上或之下於其他層或基板或中間層也可被提 201210976 出與呈現。此外， 個元件層。此外， 大地繪製，以方值 :外’請參考圖示上有關於“之上“之下，’的每 ，圖示+元件的大小或元件間的相對大小可被誇 以方便或清晰為其目的。 背接觸電極剖視圖； 顏ISI圖m f L為朗根據本發明實施例製造太雜電池的製程剖 、，‘"、說明根據比較範例切太陽能電池的背接觸電極剖 視圖；.、圖7為朗根據本發明實施例3神太陽能電池的背接觸 電和《丨視圖’圖8為說明根據本發明實酬4的敎陽能電池的 ’及圖9為說明根據本發明實施例5的矽太陽 能電池的背接觸電極剖視圖。

充分吸收歧人太職電納，前接觸雜設置财基板的上表 面之上’並以背面電場層和f接觸電極設置於絲板的底部表面 上。 前接觸電極400可使用銀作為主要接觸電極材料而形成之。 背接觸電極320可使用紹作為主要接觸電極材料而形成之。 背接觸電極320可透過以下製程而形成之。首先，銘聚料可 透過網版印刷印製於石夕基板1〇0其一的表面上，然後乾燥之。此 後，梦基板100可於紹熔點以上的溫度燃燒之，而形成銘石夕熔體 (melt)。再繼續地，於此製程中冷卻鋁矽熔體，鋁摻雜矽磊晶生 長層（Al-doped Si epitaxial growth layer)和背接觸電極會形 成於石夕基板10的一表面上。也就是說，燃燒和乾燥此鋁漿料，鋁 201210976 漿料會變成背接觸電極和生長層‘。 此生長層可被稱為背面電場（BSF)層。背面電場層可提高太 陽能電池的能源轉換效率。也就是說，稱為背面電場層的p+層可 形成於PN接面型太陽能電池的背接觸電極上，跗接面型太陽能電 池可由矽材料所形成，以提高太陽能電池的效率。 根據本發明實施·於細電極之雜可包括錄、玻璃炼 塊、無機腿劑和含有I族元素的p魏化物^也就是說，用於 接觸電極之漿料可包括含有丨族元素的p型氧化物，而增加了背 面電場層的厚度。 鋁粉會提供背接觸電極的導·電性，減少與矽基板間的接觸電 阻。因此，可順利地形成背接觸電極。 銘粉可有不同的形狀。例如，紹粉可有球狀、板狀或圓柱狀。 鋁粉可有約1卿到約10泖的大小，但本發明並不僅限於此。 此外，純可與其他大小不同的紹粉相混合。例如，此銘粉可由 約1 /im至約2卿與約5泖至約10卿卿的鋁粉相混合而成，但本發 明並不僅限於此。 無機枯結劑可具有約咖。㈣_。陳化點。無機減劑 可由玻璃熔塊所形成。例如，無機粘結劑可係選自由Si〇2、A1晶、 BA、Bh〇3、NazO、ΖηΟ以及其組合所組成的群組而形成之混合物。 此混合物可包括於其中兩個或兩個以上的原料或整個原料相互混 合的材料。 例如，無機枯結劑可為Pb0-Si〇2基、Pb〇_Si〇2_B2〇3基、Zn〇_si〇2 基、ZnO-B2〇3-Si〇2基或 Bi2〇3-B2〇3-ZnO-Si〇2基玻璃炼塊。此外，無 201210976

* ' < I 機粘結劑可具有約1 _至約10 i/m的平均粒徑。 就以銘粉為100重直份數而言，無機枯結劑的含量可能會在 約1重量份數至約5重量份數的範圍内。當無機粘結劑的含量小 於約1重量份數，於燃燒(burning)製程中，它可能難以使矽基板 具有黏著力。此外，當無機粘結劑的含量超過約5重量份數時， 與矽基板的黏著力可望增加。然而，矽基板和接觸電極間的接觸 電阻會增加。因此，形成於太陽能電池中的電子流可能會中斷。 此外，太陽能電池的轉換效率可能會降低，而且鲍曲現象或珠粒 析出（bead generation)會發生。 驗細電極之漿料可進-步包括—個或兩個或兩個以上添 加劑，此添加継自由Tl2〇3、ZnO與Bi2〇3當作其他添加劑。其他 添加劑的含量可在約丨重量份數至約5重量份數的範圍内，但本 發明並不僅限於此。其他添加劑可提高消泡、流平性（丨㈣㈣) 和分散穩定性，並增加與矽基板的黏著力。 P型氧化物可包括-I族；^^此丨族元素可只有一丨族元素 或- I族氧化物。I族元素可包括硼、紹、鎵、銦、鈦、鐘、納、 鉀、铷、鉋或鍅(鲂）’但本發明並不僅限於此。 此外，P型氧化物可同時包括驗土金屬、過渡金屬、ΙΠ族元 素或V族元素。在Ρ型氧化物中的驗土金屬、過渡金屬、πι族元 素或V族元素的每個都可存在為氧化物。也就是說，ρ型氧化物可 包括驗土金屬氧化物、過渡金屬氧化物、丨π族氧化物或ν族氧化 物。例如，Ρ型氧化物可以是卜ίπ族氧化物或Ιν族氧化物。 驗土金屬可包括H峨鋇，但本發明並不僅限於此。過渡 201210976 ，屬可已括鶴(Ma)、纪、^、鐵或鉻，但本發明並不僅限於此。 #據本發g實施例的用於接觸電極之聚料會形成ρ型氧化 物，如下所示之化學方程式j。 [化學方程式1] Αχβγ〇ζ (其中 〇. 5<Xm〇. 5<Υ$2·5，1.5<Ζ$4. 5

Α選自Cu與Ag之-，與β係選自由B 、Ah Ga、In、Ti、Μη、Υ、La、

Fe、Cr、Sb、Sc ' Nd與Bi所組成的群組之一） 詳細地說，P型氧化物可為AB〇2或ab2〇4。 以化子方程式1表示的p型氧化物，可用彼此不同的燃燒氧 化物所iLw例如’以化學方程式丨表示的p型氧化物可透過於 真空下燃燒I族氧化物和的Ιπ族氧化物而製成。此外，以化學 方程式1S示的Ρ型氧化物可透過燃燒丨和ν族氧化物、丨族氧化 物和過渡金氧化物，或I族氧化物和驗土金屬氧化物而製成。 此外，燃燒(burning)製程可在溫度約87(rc到約95〇<t下進 行。詳細地說，燃燒製程可在溫度約95(rc下進行。當燃燒製程的 溫度低於約時’娜Sit料相（singlephase)。#燃燒製 程的溫度高於約95(TC時，會發生熔化和過度燃燒(過燒）。 此外，燃燒製程會施行約24小時至約96小時的時間。也就 是說，首次燃燒製程會施行約72小時的時間，第二次燃燒製程會 施行約24小時的時間，和第三次燃燒製程會施行約24小時的時 間，但本發明並不僅限於此。當每一首次、第二次與第三次燃燒 製程所施行的時間少於約24小時時，它可能難以確保產出一個單 相（single phase)。當每一首次、第二次與第三次燃燒製程所施 201210976 打的時間多於約24小—出現二_____ 根據本發月實施例的用於接觸電極之漿料會形成p型氧化 物，如下所示之化學方程式2。 [化學方程式2] (其中，0. 03 <X吼2，h 5 <松5，L 5奴5，m是從一 糸選自由钾、納與約·成的群組）例如，p型氧化可表示為

Sri-xMxCii2〇2 ° 以化學綠式2麵的p魏化物，可由_或更多的驗土 屬同時摻雜顺'位置(site)而製成。透過上述製程的可製成P 型SrC祕’可崎增加雜量，藉以改㈣物理性質。 詳細地說’⑽學方財2表示的p型氧化物，可被製造施 仃錄基材料和驗金屬摻崎料彼此混合㈣程，與此混合物被锻 燒的製程烺燒(calcined)之。 含錄材料可包括係選自由㈣與㈣所組成的群組之一氧化 物。詳細地說，含鳃材料可包括SrC〇3。 摻雜驗金屬可以是鐘、納、钟、修、絶或錄⑻。捧雜卸所 用的材料可包括⑽3或Κ2〇。此外，摻雜鈉所用的材料可包括似孤 或 Na2〇。 在锻燒(calc—)製程中所使用的氣體可為氛⑹或 氬。詳細地說，在職餘巾所使㈣氣财缝 作洗滌氣體(purge gas)，以防止氧化。 ；田 此外，緞燒製程可於約8腕到約95(rc的溫度下進行。詳细 地說，锻燒製程可於約9抓的溫度下進行。#轉製程的溫度低 201210976 於約8耽時，很難製造出單相。#锻燒製程的溫度高於約腳。c 時，會發生熔化和過度燃燒(過燒）。 此外，锻燒製程會施觸24小時至約96小時的時間。也就 是說’首次锻燒製程會施行約72小時的時間，第二次锻燒製程會 施行約24小時的時間，和第三次锻燒製程會施行約％小時的時 間，但本發明並不僅限於此。當每一首次、第二次與第三次锻燒 製程所施行的時間少於約24小時，它可能難以確保產出一個單 相。當每-首次、第二次與第三次锻燒製程所施行的時間多於約 24小時，可能會出現二次相。 r㈣化_含量可基於混合轉料組成物總量之約〇 ι重 量份數至約5重量份數的範_，但本發·不僅限於此。當p 型氧化物的含量小誠G.1重量份數時，射P龍錄添加到 此漿料的效果可能會不夠。·，除了 p型氧化物#作添加劑的 功麟’可能报難提高效率。另一方面，當p型氧化物的含量大 於約5重量份數時，會降低效率，而且還會發生細。 制。為了製作接觸電極，包含1族元素的P型氧化物透過上述的 i程來合成和可與賴料相互混合，p型氧化物明時的勝與 =碎而H而製成崎料組合物。絲、P魏化物、無機枯 、、、°劑和其他添加劑可制行星研磨機純粉碎與混合之。此後， 昆口物可才又入使用3報軋機的分散設備，以擠出混合原料，從 而製造出此漿料。 ，圖1至5為說明根據本發明實施例製造太陽能電池的製程剖 視圖。根據目前實施_製造製程，將參考以上所述驗接觸電 201210976 極之漿料而被詳細地說明與描^。在製造製程的描述中，實質可 實現上述所描述的用於接觸電極之漿料。 睛參考圖1所示’半導體基板100包括矽基板11〇和N+層12〇 設置於錄板110上。也就是說，Μ 12〇可形成於錄^ 11〇 上，以製造半導體層100。例如，注入Ν型雜質（N_typeimpUfities) 至矽基板110内，而會形成N+層120。 半導體層110可有-板形。例如’可由石夕所形成半導體基板 100。半導體基板100可有一 pN接面。 半導體基板100可將入射光轉換成電能。也就是說，半導體 基板100可接收來自外界光線，而形成電子和電洞。 請參照圖2，抗反射層200可形成於商12〇上。例如，氮 化石夕層可形成於商12Q上，此時氮化碎層可被印製圖案而 2射層咖。抗反射層·可提高射人半導體基板⑽的入射光 效率。例如，抗反射層200可由氮化矽所形成。 嘴料3，含有1族元素的P __於接觸電極之 成於雜板刚的其他表面上。例如，賴· 了也成於發基板100的下表面之上。 和有1族元素的p型氧化物而製造合成，加入 物。於製4 漿射，研磨ρ型氧化物和轉料的混合 電極===觸電極之漿㈣製財，可_上述用於接觸 與_被省1目此’為了說明與敘述的方便，重複的說明 、過上述H程所製造包括ρ型氧化物添加獅轉獅，可形 11 201210976 成於石夕基板100的其他表面上。漿料300可使用習知技術的方法 塗覆於石夕基板100上。例如，可將漿料300採用網印（sc議 printing)法、到刀成膜(doct〇r blade)或狹縫塗佈（3出⑽你） 而印製或塗覆於石夕基板1〇〇的其他表面上。 請參照® 4，前接職極400可形成於轉體基板1〇〇的一 表面上。前接觸電極働可由一導電材料所形成。例如，前接觸 電極權可由銀、鶴、錄、鱗其合金之一而形成。前接觸電極 400可設置於半導體基板1〇〇的頂面上。 也就是說’前接觸電極姻可被設置於相對應於半導體基板1〇〇 之漿料300的表面上。 請參照圖5，前接觸雜働和漿料3⑻可同時被燃燒與乾燥 而形成背接觸電極和背面電場層。透過熱處理，背接觸電極32〇 和背面電場層310可形成於半導體層剛的下表面上。燃燒製程 可在溫度約65(TC至約95Gt：中進行，但本發明並不僅限於此。 也就是說，包含於聚料3〇〇 +的紹以及包含I族元素的p型 氧化物會擴散到絲板100中，而形成背面電場層。因此，背 面電場層310會增加厚度。 此外，背面電if層3l0可包括含有域l族元素的p型氧化 物。例如’背面電場層31G可有—結構，其中掺雜包含有銘與！ 族元素的P型氧化物。 此外，此材料包含於背面電場層310 +，可包括含有I族元 素的P型氧化物以及I族元素或丨族元素的離子材料。此外，此 材料含於祕3GG中’可額外添加於背面電場層·。例如，背面 12 201210976 電場層310可包括鹼土金屬、過•渡元素、ΙΠ族元素、v族元素、 或其氧化物、或其離子材料。 此外’包括鋁和I族元素的p型氧化物會殘留於背接觸電極 320中。例如，背接觸電極32〇可有一結構，其中摻雜包含有鋁與 ί族元素的P型氧化物。 。 並且，此材料包含於背接觸電極320中，可包括含有丨族元 素的Ρ型氧化物以及I族元素或I族元素的離子材料。此外，此 材料含於漿料300中，可額外添加於背接觸電極32〇。例如，背接 觸電極320可包括鹼土金屬、過渡元素、ΙΠ族元素、▽族元素、 或其氧化物、或其離子材料。 到目前為止，前接觸電極棚形成於半導體基板1〇〇上後， 可同時熱處理前接觸電極400和漿料300而形成背接觸電極32〇 和背面電場層310。 在另一方面，漿料300可被形成於半導體基板1〇〇的下表面 上’然後’可先僅熱處理漿料300而形成背接觸電極32〇和背面 電場層310。 背面電場層310 ’可為約4娜至約10/Λ„的厚度。詳細的說， 背面電場層310可為約5聊至約6烟的厚度，但本發明並不僅限 於此。 如上所述，可含有Ϊ族元素的ρ型氧化物的用於接觸電極之 漿料印製於太陽能電池的後表面上，並進行乾燥和燃燒。在乾燥 和燃燒製程巾’以触或概的方式，可將從ρ型混合氧化物生 成的P+離子移動到背面電場層内。 13 201210976 因此’當乾燥此轉而形成背面電場層，會有較厚的厚产。 因此，包括均句厚度的背面電場層之太陽能電池，可改善轉ς效 率。 以下，將以實施例詳細描述之。但是，本發明所揭 並不僅限於以下實施例。 $zm 實施例1

CuSb02氧化物合成： 混合(Μ與Sh〇3的氧化物而製備a·氧化物，然後於真 空下使用焚舰峰燒此合歧合物。在職餘躺，使用氮 氣⑽。經過72小時的首次锻燒製程後，二次和三次的般燒製程 为別進行24小時，從而形成cusb〇2氧化物。 準備錄，和以1 _大小與8娜大小的錄、則：1的比例 相混合。 此外’加入氧化组(Th〇3)，當作為另一添加劑。 銘粉、3重量份數的CuSb〇2、當作無機枯結劑之5重量份數的 玻璃熔塊、和1重量份數的⑽相混合，並在其後以行辦磨機 研磨此產生的合姐合物。將研磨混合物輸人3輥軋機磨的分散 裝置後’將原料混合物加以粉碎混合，然後擠壓成聚料。 以網印技術將漿料印於半導體絲（例如石夕基板）的底面上。 印製抗反射層和前接觸電極於半導體基板的頂面上，然後以 800°C、30秒熱處理之，從而形成前和背接觸電極。 125x125公分的錘單晶(mono)p型矽基板（〇 5 2Ω)此處當 半導體基板來使用，和形成Ν+發射層，電阻為6〇Q/sheet。 14 201210976 • · -. 實施例2

CuY〇2氧化物合成： 透過與實施例1相同的方法，除了摻合⑽與狐氧化物外， 而合成了 CuYO”此夕卜，用於接觸電極之聚料的製造製程和太陽能 電池的製造製程，是以本發明實施例1相同的方式，除了將約3 重量份數的CuY〇2取代3重量份數的。 實施例3

CuFe〇2氧化物合成： 透過與實施例1相同的方法’除了摻合CU2〇與Fe2〇3氧化物外， 而合成了 CuFe〇2。此外，用於接觸電極之漿料的製造製程和太陽 能電池的製造製程，是以本發明實施例i相同的方式，除了將約3 重量份數的CuFe〇2取代3重量份數的〇iSb〇2。 實施例4

CuTl〇2氧化物合成： 透過與實施例1相同的方法’除了摻合㈣與Tl2〇3氧化物 外，而合成了 CuTl〇2。此外，用於接觸電極之漿料的製造製程和 太陽能電池的製造製程，是以本發明實施例丨相同的方式，除了 將約1重量份數的CuTl〇2取代3重量份數的CuSb〇2。 實施例5

Sr〇.9(K〇.05Na〇.05)CU2〇2 氧化物合成： 透過與實施例1相同的方法，除了摻合Κ£〇3與Na2C〇3外，分 別將鉀與納摻雜入SrC〇3，而合成了—Na〇5)Cu2a。此外， 用於接觸電極之漿料的製造製程和太陽能電池的製造製程，是以 15 201210976

本發明實施例"目同的方式，除了將約3 ^量份數的 Sr〇.9(K〇.〇5Na〇.〇5)Cu2〇2 3 CuSbO 比較範例 用於接觸電極之漿料的製造製程和太陽能電池的製造製程， 是以本發明實施例1相同的方式，與本發明實施例1相比較，除 了包括銘粉的祕、無_結劑、和僅沒有另_ p型氣化物添加 物的其他添加劑。 進行了量測根據本發明實施例丨至5和比較範例所製造之石夕 太陽此電池的#電阻(Sheet resistances)，與觀察背面電場的刮 視圖。結果顯示在下表1和圖示，即@ 6至9。 [表1] 例 無 加物 m D4f|J ^JL. ----- 實施例 1 實施例 2 實施 例3 實施例4 實施例5 CuSb〇2 CuY〇2 CuFe〇2 CuTiO -- Sr〇.9(K〇. ΟδΝ^ 0_05)Cll2〇2 加物含 量〇 (wt%) 片電阻 〜 (mQ/s 11-〇6() -—^ 3 3 3 1 3 6.825 6. 751 5.763 8.013 7.227 16 201210976 p)~~ F ----- _ * - I 背面電 場 (/zm) 4.73 — 4. 78 4.78 5.2 8.16 — 6.08 圖6至9’說明根據上述本發明實施例和比較範例丨以各接觸 電極材料印製後剖視圖。目6是說明根據比較範丫狀々太陽能電 池的背接觸電極剖視圖；圖7是說明根據本發明實施例3的梦太陽 月b電池的雜觸電極剖視圖；圖8是說明根據本發明實施例4的 石夕太陽能電池的背接觸電極剖視圖；及圖9是根據本發明實 施例5的矽太陽能電池的背接觸電極剖視圖。 於圖示中’最上面的部分、最下面的部分與巾間部分，分別 代表接觸電極材料之漿料、晶圓與背面電場層。 可以確認的是，根據本發明實施例的圖7至9剖視圖與根據 比較例的圖6剖視圖，具有更均句膜層和更厚的背面電場層。這 足以證明，根據本發贿祕社陽能魏，會比現今相關技術 的太陽能電池具有更高的轉換效率。 納入上述本發明實施射所描述的特徵、結構和效能，以目 前所揭露的至少_實關綠合，但树竹施顺不限於此 -。此外’以本發明-實關所麻之特徵、結構和魏，以熟 習技藝者之智識可輕㈣結合與錢而錢其他實關。因此， 這些組合和修改，應解釋與推斷落人目麵_的範圍内。 17 201210976 那些已說明提及其“說明實施例，它應可被推斷由 二二*者等效推知’許多其他的更動潤飾和實施例，其屬 =發明之精神和揭騎雜灿。尤其是各種賴化與修改是 可此的組成部分和/雜顺合皆為的本發贿披露的範圍、圖示 ^所附申料·®。除了變化和修改的組成部分和/或排列組 *各種替代的使用對於那些熟習技藝者也將是顯*易見的選用 【圖式簡單說明】 圖1至5為說明根據本發明實施例製造太陽能電池的製程剖視 圖； 。 圖6為說明根據比較範例之矽太陽能電池的背接觸電極剖視圖； 圖7為說明根據本發明實施例3的矽太陽能電池的背接觸電極剖 視圖； 圖8為說明根據本發明實施例4的矽太陽能電池的背接觸電極剖 視圖；及 圖9為說明根據本發明實施例5的矽太陽能電池的背接觸電極剖 視圖。 【主要元件符號說明】 100 半導體基板 110 ^夕基板 120 N+層 200 抗反射層 18 201210976 300 漿料 310 背面電場層 320 背接觸電極 400 前接觸電極

Claims (1)

1. 201210976 七、申請專利範圍： 於接觸電極之賴包括:姆；玻璃輯；無機 及έ有I族元素的一 p型氧化物。 】， 2. 如申請專利範圍第丨項所述之襞料，其中該ρ型氧化 包括驗土金屬、過渡金屬元素、III族元素或V族元素。X可 3. 如申請專利範圍帛i項所述之聚料，其中該p型氧化 化學方程式1表示。 下 [化學方程式1] AxByOz (^tO.5<X<1.5> 〇.5<Υ<2.5^1.5<ζ<45， 選自Cu 與 Ag之一，與 · 1 係選自由B、A1、Ga、In、Ti、Mn、Y、La、 Fe、Cr、Sb、Sc、Nd與Bi所組成的群組之一） 4. 如申請專利範圍第1項所述之漿料，其中該p型氧化物如下 化學方程式2表示。 [化學方程式2] Sn-xMxCuY〇z (其中，0. 03 <XS〇. 2，1· 5 <Y4. 5 ’ 1. 5 你2. 5，與 Μ 是係選自 由卸、鈉與辦所組成的群組之一） 5·如申請專利範圍第1項所述之漿料，其中該ρ型氧化的含量 基於該漿料總量之約0.1重量份數至約5重量份數的範圍内。 6.如申請專利範圍第1項所述之漿料，其中用於接觸電極之該 漿料包括用於太陽能電池背接觸電極的一漿料。 7· —種太陽能電池包括： 一前接觸電極設置於一半導體基板的一表面上· 201210976 -背面電場層設置機轉“基板的該其他表面上;及 一背接觸電極設置於該背面電場層上， ， 其中面電场層或該背接觸電極包括含有I族元素的一 p型 氧化物。 I如申明專利範圍第7項所述之太陽能電池，其中該p型氧化 物如下化學方程式1表示。 [化學方程式1] AxBy〇Z (其中 ’0.5<!£1.5,〇.5<¥$2.5，1.5〈2$4.5’八選 自⑶與^之一，與B係選自由B、Al、Ga、In、Ti、Μη、Y、La、 Fe、Cr、Sb、Sc、Nd與Bi所組成的群組之一） 9·如申請專利範圍第7項所述之太陽能電池，其中該p型氧化 物如下化學方程式2表示。 [化學方程式2] SrvJxCuY〇z (其中，0.03 <Xs〇.2，1.5 <Υ52·5，1.5〈ZS2.5，與 Μ 是係選 自由鉀、鈉與鈣所組成的群組之一） 1〇.如申請專利範圍第7項所述之太陽能電池，其中該背面電 場層和該背接觸電極各自包括該Ρ型氧化物。 11. 如申請專利範圍第7項所述之太陽能電池，其中該背面電 土每層的厚度約4//m至約1〇 Μ。 12. 如申請專利範圍第7項所述之太陽能電池，還包括於該半 導體基板上的一抗反射層。 13· 一種製造太陽能電池的方法，該方法包括： 21 201210976 形成ι括含有i族元素的一p型氧化物的用於接觸電極之一漿 料半導體基板的該其他表面上； 7 形成一前接觸電極於該半導體基板的一表面上；及 在同時以熱處理該漿料與該前接觸電極，而形成一前接觸電 極 背面電場層於辭導縣板的該其他表面上。 11如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該p型氧化物如 下化學方程式1表示。 [化學方程式1] AxByOz (其中，0·5〈Χ£1·5,0.5<Υ£2.5，1·5<Ζ$4.5’ Α選自Cu與Ag之一，與β係選自由β、Α1、Ga、In、Ti、Μη、Υ、 La、Fe、Cr、Sb、Sc、Μ與Bi所組成的群組之一） U·如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該p型氧化物 如下化學方程式2表示。 [化學方程式2] Sn -xMxCUyOz (其中，0. 03 <X£0. 2，1. 5 <Y4. 5，1. 5 <z交· 5，μ 是係選自 由鉀、鈉與鈣所組成的群組之一） 16.如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該ρ型氧化物的 含量基於該漿料之總量的約〇· 1重量份數至約5重量份數的範 圍内。 π.如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該漿料的形成包 201210976 1 I I I 合成該P型氧化物； 添加該P型氧化物於一鋁漿料 混合該鋁漿料與該P型氧化物形成一混合物；及 研磨該P型氧化物與該鋁漿料的該混合物。 23