TW201208174A - Device for removing film for laser induced thermal imaging - Google Patents

Description

201208174 四、指定代表圖： (一）本案指定代表圖為：第（1)圖 (一）本代表圖之元件符號簡單說明： Μ〜基板台； 1 3〜薄臈； 20〜輥單元； 輥子。 卜裝置； 12〜供體薄膜件； 14 ~托架； 21〜連接板； 五、本案若有化學式時， fe 〇 請揭示最_示發畔徵的化學式： 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於-種鐳射誘致熱成像…如㈤㈣ a11 — "171)用膜的去除裝置，尤其有關—種 將附者在基板上的鐳射誘致熱成像（UTI)用膜穩 除的裝置。 【先前技術】 在平板顯不器中’有機電致發光顯示器的優點在於， 無响尺寸如何’其均可作為運動圖像的顯示介質，因為有 機電致發光顯示器的回應時間為】毫秒或更少功耗低， 並且由於是自發光的因而具有出色的視角。此夕卜，由於有 2 201208174 機：致發光顯示器能夠基於現有的半導體處理技 簡早的工藝，在低溫下製造，因此 1卜马下一代平板翱千 益而頗具吸引力。 ”'、y、 根據有機電致發光裝置中使用的材料和工藝， 致發光顯不器一般可分為换用〉'晶、'参认&人 版」刀马刼用濕法的聚合物型裝置和採用 沉積法的低分子量型裝置。 但是’用於聚合物或低分子量發光層的成圖法，，喷 墨列印法存在的缺點在於1於除發光層外的有機層的材 料有限，且用於喷墨列印的結構必須形成在基板上。此外， 採用沉積法對發光層成圖時，由於使用了金屬掩膜，因而 難以製造大型顯示裝置。 作為攻種成圖法的代替技術，鐳射誘致熱成像（La· Induced Thermal lmaging，UTI)法最近發展起來。 LITI法將光源發出的鐳射轉變成#能，進而依次將成 圖材料轉移到乾基板上，形成圖形。 ♦在LITI法中，供體薄膜覆蓋作為受體的整個基板，供 體薄膜和基板固^在平臺上。此外，供體薄膜與基板通過 層壓處理進一步結合在一起，然後再進行鐳射成像，以形 成圖形。 應注意的是，上述說明僅用於理解背景技術並不是 對該領域内公知技術的說明。 吊規也在攸基板上去除供體薄膜的處理中，供體薄 膜會起皺’基板上的已成像部分會受到損壞。目此，需要 解決該問題。 201208174 【發明内容】 本發明的一個方面在於提供一種通過根據輥子位置朝 供體薄膜相繼喷射空氣從而將鐳射誘致熱成像用供體膜從 基板上穩定地去除的裝置。 根據本發明的一個方面，提供了 一種鐳射誘致熱成像 用膜的去除裝置’包括：基板台，該基板臺上設置有基板； 親單元，用於相繼壓制設置在該基板臺上的供體薄膜；以 及喷射單元，設置於該基板台並在該供體薄膜和該基板之 間噴射空氣。 —上述喷射單元可以包括：穿過上述基板台的多個排氣 管；與該排氣管連通的集氣管；與該集氣管連通的供氣管； 及與該供亂官連通並通過該供氣管提供氣動壓的供氣 系0 上述排氣管彳以圍、繞上述基板設置 氣 上述噴射單元可 以根據上述輥單元的位置相繼喷射空 通過下文結合附圖對眚 _対貫％例進行說明，可 l· Ίλ ^ ^ ^ 特徵和優點 明的上述及其它方面 【實施方式 現在將參考附圖，詳细 明。庳、、主立沾β ’也對本發明的實施例進行說 應主思的是，附圖並 描述和清楚起見文'、、、精確的比例繪製’為方便 ^ 線條厚度 4疋件尺寸有可能被放大。此 4 201208174 外，本中定義的術語考慮了本發明的功能，並可以根據使 用者和操作人員的習慣或意圖予以改變。因此，應根據本 文所述的整個公開内容，來確定術語的含義。 圖1為根據示例性實施例的鐳射誘致熱成像（Laser Induced Thermal Imaging ’LITI)用膜的去除裝置的示意 圖’圖2為根據示例性實施例的上述裝置的喷射單元的示 意圖。 思Ί土不丨根媒不例性實施例的上 圖《3和圖4分別示 述裝置的噴射單元的第一階段和第二階段喷射 圖5和® 6分別示意性示出了根據示例性實施例的』 述裝置的喷射單元的第三階段和第四階段噴射。 參見圖1和圖2,根據實施例的裝置丨包括基板台ι〇 輥單元20以及喷射單元3〇。 膜件^板台1G具有凹部’該凹部内設有基板11和供體薄 ,基板台1〇水平移動。可以通過輪、導軌、長度可變的 軋缸或其他各種結構來移動基板台1〇。 文的 將雷射光束照射到供體薄膜件12時 的光孰轉換戶將兮贲如上土 ’、體4膜件1 $ 尤.，、、轉換層將該雷射光束轉變成熱 脹。因此，右诚爲攸而在散熱時膨 因此有機層，即轉移層，也會膨 件12上分離’從而在基板u上形成有機體“ 圖材料根據鐳射照射的方向附著到基板曰 已成 供體薄膜件12包括與激光反應的薄二、 W邊緣連接的托架η。 、13以及與薄臈 201208174 輥單元20壓制供體薄骐件12。輥單元2〇包括一對連 接板21和輥子22 ’連接板21連接到某個結構（圖中未示 出）。該對連接板21彼此分開，分開的距離即對應薄膜 13的寬度。輥子22可旋轉地設置在該對連接板21之間用 於壓制薄膜1 3。 噴射單元30設置於基板台10並在供體薄膜件12和基 板11之間喷射空氣。 喷射單元30包括排氣管31、集氣管32、供氣管33以 及供氣泵34。 排氣管31穿過基板台10。排氣管31由多個管道構成， 這些管道設置於與供體薄膜件12的薄膜13和託盤14之間 的部分相對應的基板台1 〇上的部分。 集氣官32設置於基板台！ 〇，用於與相應的排氣管3ι 連通。 〆供氣管33設置於基板台1G，用於與集氣管32連通 供氣管33穿過運動單元38’運動單元38設置在基板台 上以便垂直運動。運動單元38向上運動時，基板^與 膜13之間的空氣被排出，基板u與薄膜13之間被排空 供氣泵34連接到供氣管33。驅動供氣系34時通 供氣管33向排氣管31施加氣動壓，這樣薄膜u 11上分離。 —排氣管圍繞基設置，為基hi上的薄膜提 二氣0 參見圖3至圖6’排氣管31由多個管道構成這 6 201208174 道为成多個組3、|：)、（：及（^ 设置為多個組的排氣管 噴射空氣。 ，從而相繼執行喷射操作。 31根據輥單亓9flAA/ 早70 20的位置相繼 «π分別與集氣管32連通，集氣管32盘。 氣管33連通，進而連接到供氣泵34， ；：個供 有氣路換向閱的單獨的供氣管33連通。…32與帶 法。下面將說明鐳射誘致熱成像用膜的去除裝置的操作方 々在輥子22壓制薄膜！ 3的狀態下驅動供氣果以時，供 :泵34產生的氣動壓通過供氣管33和排氣㈣送往基板 D 10上側’從而將薄膜丨3從基板丨丨分離。 化裏，輥子22在對應於薄膜13寬度的整個長度上壓 制薄膜13,以防止薄膜13由於氣動壓過大而起敵。 經排氣管31排出的空氣被喷射到基板u與薄膜“之 間的空間，從而薄臈13從基板11上分離。 喷射單元31根據輥單元2〇的位置通過排氣管31相繼 賀射空氣，從而防止因薄膜13突然從基板上分離而導致薄 骐受損。 即’通過a組的排氣管31將空氣喷射到薄膜13與基 板Π之間，從而將薄膜丨3從基板丨丨上分離（見圖3 )。 在這種狀態下，隨著基板台的移動，當輥子22經 過b組的排氣管31時，通過b組的排氣管31將空氣喷射 到薄膜13與基板11之間，從而將薄膜1 3從基板11上分 離（見圖4)。 201208174 〃然後’隨者基板台i。的移動，當輥子22經過C組的

排“ 31時’通過c組的排氣管31將空氣噴射到薄膜W 與基板U之間，從而將薄膜13從基板n上分離（見圖卟 j後’隨考基板台i 〇的移動，當輥子22接近d組的 排亂官31時’通過d組的排氣管31將空氣喷射到薄膜u 與基板^之間’從而將薄膜U從基板11上分離（見圖6> 泛爰，接近d組排氣管31的輥子22從薄膜13向上運 動’從而消除施加_ 13上的壓力。在輥子向上運動 時’如果在薄膜13與基板u之間引人空氣，則可以將薄 膜從基板11上完全去除。 运樣，根據實施例，鐳射誘致熱成像用膜的去除裝置 通過噴射單元採用空氣噴射法分離薄膜。 根據實施例，裝置根據輥單元壓制薄膜的位置通過喷 射單元相繼喷射空氣，從而將薄膜從基板上穩定地分離。 儘S本發明中已經描述了 一些實施例，但應當明白， 这些實施例僅作為示例性用途，而不限制本發明的保護範 圍，並且在不背離本發明的精神和範圍的前提下，本領域 具有一般知識的人員可以進行各種修改、變更和替換，本 發明的範圍僅由所附的申請專利範圍及其同等内容予以限 制。 【圖式簡單說明】 圖1為根據本發明示例性實施例的鐳射誘致熱成像 (Laser Induced Thermal lmaging，LITI)用膜的去除裝 201208174 置的示意圖； 圖2為根據本發明示例性實施例的上述裝置的喷射單 元的示意圖； 圖3為根據本發明示例性實施例的上述裝置的喷射單 元的第一階段喷射的示意圖； 圖4為根據本發明示例性實施例的上述裝置的喷射單 %的第二階段喷射的示意圖； 圖5為根據本發明示例性實施例的上述裝置的噴射單 %的第三階段喷射的示意圖；以及 圖6為根據本發明示例性實施例的上述裝置的喷射單 A的第四階段噴射的示意圖。 【主要元件符號說明】 1〜裝置； 10〜基板台； 11〜基板； 12~供體薄膜件； 1 3〜薄膜； 14~托架； 2〇〜輥單元； 21~連接板； U〜輥子； 30~喷射單元； 31〜排氣管； 3 2 ~集氣管； 33〜供氣管； 34~供氣泵； 38〜運動單元。

Claims (1)

1. 201208174 七、申請專利範圍： 1. 一種鐳射誘致熱成像用膜的去除裝置， 具特徵在於 包括： 基板台，該基板臺上設置有基板； 輥單元’用於相繼壓制設置在該基柘息 败憂上的供體薄 膜；以及 喷射單元，設置於該基板台並在該供體薄膜和該基板 之間喷射空氣。 2. 如申請專利範圍第1項所述的裝置， 井T，上述喷 射単元包括：穿m板台的多個排氣f;與該排氣管 ，通的集氣管；與該集氣管連通的供氣管；以及與該供^ 官連通並通過該供氣管提供氣動壓的供氣泵。 —3.如申請專利範圍帛2項所述的裝置，其中，上述排 氣管圍繞上述基板設置。 如4.如中請專利範圍帛3項所述的裝置，其中，上述喷 射單疋根據上述輥單元的位置相繼噴射空氣。 10