TW201201223A - Process of forming a grid cathode on the front-side of a silicon wafer - Google Patents

Description

201201223 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係'”切晶圓前側上形成柵陰極之方法。 【先前技術】 一具有P型基底的一習知太陽能電池結構具有一典型位 於該電池前側或受照側上的負電極及一位於背側上的正電 極。眾所周知，落在-半導體主體的p_n接面上並具有適 當波長的輻射係作為一外部能量來源，以在該主體中產生 電子-電洞對。在p-n接面上所存在的電位差導致電洞和電 子以相反方向跨過該接面移動，藉此引發能夠輸送電力至 -外部電路之-電流流動。大部分的太陽能電池具有已經 被金屬化的梦晶圓之形式’亦即，其設有導電的金屬接 點。 大部分目别用以產生電力的太陽能電池為矽太陽能電 池。電極尤是藉由使用例如從金屬膏網版印刷之方法製 成。 矽太陽能電池的製造一般從具有矽晶圓形式的一 p型矽 基材開始，在其上藉由磷（P)或類似物的熱擴散而形成具 有相反導電型的一 0型擴散層。氧氣化磷（p〇Cl3) 一般是用 作氣態的磷擴散源，其他液體源則是磷酸或類似物。在沒 有任何特別修改的情況下，擴散層是形成在矽基材的整個 表面上方。p-n接面形成在p型摻質濃度等型摻質濃度 之處；具有接近受照側之ρ·η接面的習知電池具有介於〇 〇5 和0.5 μηι之間的接面深度。 149406.doc 201201223 在形成此擴散層之後’藉由以一諸 叫分 邊如虱氟酸的酸蝕刻而 從其餘表面移除過多的表面玻璃。 接下來’ 一 TiOx、Si〇v、Tin • x 〇x，或特別地，SiNx4 shN4的ARC層（抗反射塗佈層）會蕤由 产 喟^曰精由—诸如電漿CVD(化 學氣相沈積）的製程而形成在也丨楯Λ 取牡擴政層上達到介於0.05和 0.1 μπι之間的厚度。 具有Ρ型基底的-習知太陽能電池結構典型具有一位於 該電池前侧上的負柵電極及―位於背側上的正電極。該拇 :極典型藉由網版印刷與乾燥該電池前側之arc層上之一 前側銀膏(形成前電極的銀膏)來實施。該前側柵電極典型 以一所謂的Η圖案網版印刷’該H圖案包括⑴薄平行指狀 細極線）以及（ii)兩個匯流排棒，其以直角與該指狀線相 交。此外，將一背側銀或銀/鋁膏和一鋁膏網版印刷（或利 用些其他的方法）在該基材背側上，並相繼地乾燥。通 *亥月侧銀或銀/鋁膏首先被網版印刷至該矽晶圓的背 側上，以作為兩個平行的匯流排棒，或作為準備用於焊接 互連線（預焊銅條）的矩形（耳片）。接著，將該鋁膏印刷在 及裸區中，使之在該背側銀或銀/鋁上方稍微重疊。在一 些實例中，该銀或銀/鋁膏是在該鋁膏印刷後才印刷。然 後，典型在一帶爐中實行週期1至5分鐘的燒製，連同該晶 圓達到位於700至90〇ι之範圍内的峰值溫度。 該前柵電極 與該背電極可循序燒製或共同燒製。 紹膏通常被網版印刷在該矽晶圓背側上，並在其上乾 燥。晶圓是以高於鋁熔點的溫度燒製，以形成一鋁_矽熔 149406.doc 201201223 體，隨後，在冷卻相期間，形成一以铭捧雜之石夕的蟲晶生 長層。此層通常稱為背面場（3”）層。鋁膏藉由燒製而從 -乾燥狀態轉變成—鋁背電極。同時燒製該背側銀或銀/ 銘膏’使其變為-銀或銀/銘背電極。在燒製期間，背側 铭和背側銀或銀/銘間的邊界呈現一合金狀態，且亦電性 連接。鋁電極佔有背電極的大部分面積，部分是由於需要 形成層之緣故。銀或銀/鋁背電極是形成在部分的背側 上方（常形成為2至6 mm寬的g流排棒），以作為一用於以 預焊銅條或類似物互連太陽能電池的電極。此外，在燒製 期間，印刷成為前側栅電極的該前側銀膏經過燒結並穿透 該ARC層’藉此能夠電性接觸該n型層。此類型的方法 常稱為「燒穿」。 上述類型的一矽太陽能電池之電效率可藉由利用一所謂 的LIP(光誘導電鑛）方法來增加，且導電銀是藉由[ιρ製程 而沈積在前側栅電極上。在up方法期間，前側柵電極係 作用如一以銀電鍍的種子電極；參見A. Mette等人之「藉 由光誘導鍍銀而增加網版印刷矽太陽能電池的效率」，光 電能量轉換，20(^IEEE第四屆世界會議之會議記錄，第 1卷（2006年5月）’第1056至1〇59頁。在up製程期間，將設 有前側種子柵陰極的一矽太陽能電池浸入一 Lip浴中，= 即’浸入含有可陰極沈積形式之銀的一水浴中。言亥電池前 Μ到照射’且在該前側上所產生的負電位會導致銀沈積 在該種子柵陰極上。同時，該電池背側是連接至—外部電 源’且為了補償在石夕晶圓前側受照下所產生的正電位而施 149406.doc 201201223 加-電壓偏壓’以防止銘層溶解…銀犧牲電極係以陽極 方式連接至該外部電源，以便利用由沈積方法從up浴所 消耗的銀補充LIP浴。 現已發現當用於施加種子柵陰極的導電金屬膏含有具有 某一組成物之玻璃熔塊時，可進一步改善設有前側柵陰極 的-石夕太陽能電池之電效率’其中該前側柵陰極是藉由施 加並燒製一種子柵陰極且藉由LIP在其上沈積銀所製成。 【發明内容】 本發明是關於一種用於在矽晶圓前側上製造柵陰極之方 法，該矽晶圓具有一 p型區域、一 n型區域、一 p_n接面、 及位於該前侧上的一 ARC層，該方法包含下列步驟： (1) 提供一矽晶圓，在其前側上具有一 Arc層； (2) 以一前側柵電極圖案在該矽晶圓前側之該ARc層上塗 敷並乾燥一金屬膏； (3) 燒製該金屬膏，以形成一種子柵陰極；以及 (4) 藉由使設有該種子栅陰極的該矽晶圓受到一 li?製程 而在該種子柵陰極上沈積銀， 其中該金屬膏包括一有機載體和一無機内含物，其包括： (a)90至98重量百分比之至少一導電金屬粉末，其選自由 鎳、銅和銀構成的群組；以及卬）0.25至8重量百分比之至 少一玻璃熔塊，其選自由含有47.5至64 3重量百分比的 卩1)0、23.8至32.2重量百分比的8丨〇2、39至54重量百分比 的八12〇3、2.8至3.8重量百分比的1'1〇2和69至93重量百分 比的B2〇3之玻璃熔塊構成的群組。 149406.doc 201201223 「在以下的說明書與申請專利範圍中’「種子柵陰極」與 π栅陰極」這兩個詞^於清楚區分完成方法步驟⑺所獲 仟的種子柵陰極與完成方法步驟⑷所獲得的柵陰極，亦 即，栅陰極是藉由本發明的方法所製造的。 【實施方式】 在本發明之方法的步驟⑴中，提供在其前側上具有一 ARC層的-石夕晶圓。該石夕晶圓為例如傳統用於製造石夕太陽 能電池的一習知單晶或多晶矽晶目；其具有一 p型區域、 一 η型區域及一 p_n接面。該矽晶圓在其前侧上具有一諸如 TlOx、S!Ox、Ti〇x/Si〇x，或特別是，他或 si眞的 ARC 層這類矽aa圓已為熟悉本項技術者所熟知；為求内容簡 潔咕參照「先前技術」一節。該矽晶圓可如上文在「先 前技術」一節中所敘述般設有習知的背侧金屬化，亦即， 設有一背側鋁膏和一背側銀或背側銀/鋁膏。背側金屬膏 (包括背側鋁膏）的塗敷可以在前側種子柵陰極於步驟（3)完 成之前或之後實行。在實行方法步驟（4)之前，優先地施加 並燒製該背側金屬膏（包括背側铭膏p該背側金屬膏（包括 背側紹膏）可個別燒製或共同燒製或甚至與在步驟（2)中塗 敷於該ARC層上的該前側金屬膏共同燒製。 在本發明之方法的步驟（2)中，以一前側柵電極圖案將 一金屬膏途敷在該矽晶圓前側之該ARC層上。 該金屬膏為具有燒穿能力的一厚膜導電組成物，亦即， 其燒穿一 ARC層，以達成與該矽基材表面之電性接觸。 該金屬膏包括一有機載體和一無機内含物，其包括： 149406.doc 201201223 (a)90至98重量百分比之至少一導電金屬粉末，其選自由 鎳、銅和銀構成的群組與；以及（b)〇.25至8重量百分比之 至少一玻璃熔塊，其選自由含有47.5至64.3重量百分比的 卩13〇、23.8至32.2重量百分比的8丨〇2、3.9至5.4重量百分比 的八12〇3、2.8至3.8重量百分比的丁丨〇2和6.9至9.3重量百分 比的B2〇3之玻璃熔塊構成的群組。 δ亥金屬膏包括一有機載體。多種惰性黏性材料可用作有 機載體。該有機载體可以是微粒組分（導電金屬粉末、玻 璃熔塊、選擇性存在的其他微粒無機成分）能夠在其中以 適當穩定度分散的一有機載體。該有機載體的性質，尤其 疋々IL是性質’可致使其提供良好的塗敷性質給該金屬膏， 其包括：不溶固體的穩定分散、針對塗敷之適當的黏度和 觸變性、位於該矽晶圓前側上之該ARC層與該膏固體的適 當可濕性、良好的乾燥速率及良好的燒製性質。用在該金 屬膏中的該有機載體可為一非水性的惰性液體。該有機載 體可為一有機溶劑或一有機溶劑的混合物；在一實施例 中，該有機載體可為一或多種有機聚合物在一或多種有機 溶劑中的溶液。可使用任何不同的有機載體，該載體可含 有或可不含有增稠劑、穩定劑及/或其他常見的添加劑。 在-實施例中，用作該有機載體之組分的該聚合物可為乙 基纖、准素。其他可單獨或結合使用之聚合物的範例包括： 乙基經乙基纖維素、木松香、_樹脂和低級醇的聚（甲 基）丙稀㈣。適當的有機溶劑的範例包括：醋醇與祐歸 (例如，《•或β-松脂醇或其與其他溶劑（例如，煤油、鄰苯 149406.doc 201201223 …一"曰、二乙二醇丁基鱗、二乙二醇丁基謎醋酸 醋、己二醇和高沸點醇）的混合物）。此外，用於在塗敷該 金屬膏之後促進快速硬化的揮發性有機溶劑可包括在該有 機載體中。可配製這些和其他溶劑的不同組合，以獲得所 需的黏度和揮發性需求。 該金属膏中的有機載體與無機内含物（無機成分；導電 金屬粉末加上玻璃熔塊加上選擇性存在的其他無機添加 劑）的比取決於該金屬膏的塗敷方法與所用之有機載體的 種類，且可改變。通常，金屬膏將含有4〇至95重量百分比 的無機成分與5至60重量百分比的有機載體。 金屬膏的該無機内含物包括：（a)9〇至98重量百分比之至 少一導電金屬粉末，其選自由鎳、銅和銀構成的群組；以 及（b)0.25至8重量百分比之至少一玻璃熔塊，其選自由含 有47_5至64.3重量百分比的Pb〇、23 8至32 2重量百分比的 81〇2、3.9至5.4重量苜分比的八12〇3、28至38重量百分比 的Τι〇2和6.9至9.3重量百分比的β2〇3之玻璃熔塊構成的群 組。 在一實施例中’該金屬膏的該無機内含物包括：（a)92至 98重量百分比之至少一導電金屬粉末，其選自由鎳、銅和 銀構成的群組；以及（b)1.5至4重量百分比之至少一玻璃熔 塊，其選自由含有47.5至64.3重量百分比的pb〇、23.8至 32.2重量百分比的8丨02、3.9至5.4重量百分比的八1203、2.8 至3.8重量百分比的Ti02和6.9至9.3重量百分比的B2〇3之玻 璃熔塊構成的群組。 149406.doc •10· 201201223 如同可從成分（a)和（b)之重量百分比計算得到的，該金 屬膏的該無機内含物可包括除了成分（a)和以外的其他 無機成分。這類其他無機成分的範例包括：固態無機氧化 物或能夠在該金屬膏之燒製期間形成固態無機氧化物的化 合物。該固態無機氧化物的範例包括：二氧化矽、氧化 鋅、氧化鎂、氧化約和乳化經。一般而言，除了至少一選 自由含有47.5至64·3重量百分比的Pb〇、23 8至32 2重量百 分比的Si〇2、3.9至5.4重量百分比的Λ%3、2 8至3 8重量 百分比Ti〇2和6.9至9.3重量百分比的b2〇3之玻璃溶塊構成 之群組的玻璃熔塊以外，該金屬膏的該無機内含物不包括 其他玻璃溶塊。金屬膏包括至少—導電金屬粉末，其選自 由銀、銅和錄構成的群組。較佳的是選擇銀粉末。該金屬 或銀粉末可未經塗佈或至少部分以—界面活性劑塗佈。該 界面活性劑可選自下列，但不受 又限於此.硬脂酸、軟酯 西义、月桂酸、油酸、癸酸 命5试免 文肉旦寇酸和亞麻油酸與苴越類 (舉例來說，錄、鈉或鉀鹽）。 ^ 的平均粒度位於諸 3亥導電金屬粉末’或特別是銀粉末 如0.2至5 μηι的範圍内。 在說明書與申請專利範圍中，使用「 ^ 其意指平均粒子直徑（d5G)是以雷射散射來_ ^一詞° 與申請專㈣圍中針對平均粒度所㈣所有明書 金屬膏中所存在的有關材料之平均粒产 述白疋關於 -般而言，金屬膏僅包括至少—選：由 之群組的導電金屬粉末。不過， 鋼和鎳構成 '一或多個其他微粒金 149406.doc 201201223 屬取代一小部分選自由銀、銅和鎳所構成之群組的導電金 屬。舉例來說，以該金屬膏所含有的微粒金屬總量為基 礎，這類其他微粒金屬的比例為〇至1 〇重量百分比。 如先前所提及，該金屬膏包括作為無機黏合劑的至少一 玻璃熔塊。該一或多個玻璃熔塊是選自由含有47.5至64.3 重量百分比的PbO、23.8至32.2重量百分比的si〇2、3.9至 5.4重量百分比的Al2〇3、2.8至3.8重量百分比的Ti02和6.9 至9.3重量百分比的B2〇3之玻璃溶塊構成的群組。在一實 施例中，該一或多個玻璃溶塊是選自由含有50.3至61.5重 量百分比的卩1)〇、25.2至30.8重量百分比的3丨〇2、4.2至5.2 重量百分比的Al2〇3、3_0至3.6重量百分比的Ti02和7.3至 8.9重量百分比的Βζ〇3之玻璃熔塊構成的群組。在另一實 施例中，該一或多個玻璃熔塊是選自由含有53.1至58.7重 量百分比的PbO、26.6至29.4重量百分比的Si 〇2、4.5至4.9 重量百分比的Al2〇3、3.1至3.5重量百分比的Ti02和7.7至 8.5重量百分比的8203之玻璃熔塊構成的群組。如同可從 PbO、Si〇2、AI2O3、Ti〇2和B2〇3之重量百分比計算得到 的，後者不必要合計達100重量百分比；不過，在一實施 例中，PbO、Si02、Al2〇3、Ti02和B2〇3的總重量百分比為 100重量百分比。在PbO、Si02、Al2〇3、Ti02和B2〇3之重 量百分比總計未達100重量百分比的實例中，缺少的重量 百分比尤可由一或多個其他氧化物貢獻。 該至少一玻璃熔塊的平均粒度係位於諸如0.5至4 μιη的 範圍内。 149406.doc 12· 201201223 该玻璃熔塊的製備已為人所熟知，舉例來說，其在於將 玻璃組分以組分的氧化物形式熔化在一起，並將這類熔化 的組成物洗注至水中，以形成該玻璃熔塊。誠如在本項技 術中所熟知，加熱可達到諸如13〇〇至145〇ec的一峰值溫度 並持續諸如0.5至1.5小時的時間，以致該熔體完全變成液 體且均質。 、玻璃可在球磨機中與水或惰性低黏度、低沸點有機 液體-起礙磨’以縮小該玻璃炼塊的粒度，並獲得具有大 致均勻尺寸的-玻㈣塊。接著，其可在水或該有機液體 中沉降，以分離細料，並可移除含有該細料的上清流體。 亦可使用其他的類析法。 該金屬膏為—黏性組錢，其可藉由將該導電金屬粉末 和該玻璃熔塊以及其他選擇性存在的固態無機成分與該有 機載體以機械方式混合而製備。在一實施例中可使用粉 末混合的製造方法，其為—等效於傳統輥磨的分散技術； 亦可使用輥磨或其他混合技術。 該金屬膏可照這樣使用，或可藉由諸如添加—或多個額 外的^機溶劑進行稀釋；㈣，該金屬膏的所有其他組分 之重量百分比可因而減少。 在本發明之方法的步驟⑺中，以一前側柵電極圖案將 該金屬膏塗敷在該矽晶圓前側之該ARC層上。金屬膏塗敷 方法的範例包括：筆寫與印刷方法（例如，噴墨印刷:板 印刷和網版印刷”該前側柵電極可包括⑴薄平行指狀線 以及⑻二或多個平行匯流排棒’其以直角與該指狀線相 149406.doc 13 201201223 交。在一實施例中，該栅極圖案為具有兩平行匯流排棒的 Η圖案。該平行指狀線的彼此之間可具有介於諸如2至5 mm之間的距離、諸如3至3〇 μηι之間的乾燥層厚度、及諸 如40至200 μιη之間的寬度。該匯流排棒可具有諸如1〇至5〇 μηι的乾燥層厚度以及諸如1至3 mm的寬度。 在塗敷之後，對該金屬膏進行週期丨至〗〇〇分鐘的乾燥， 並使該矽晶圓達到100至30(rc的範圍之間内的峰值溫度。 舉例來說，乾燥可使用帶式、旋轉式或固定式乾燥器，尤 其是IR(紅外線）帶式乾燥器來實行。 在本發明之方法的步驟（3)中，燒製該乾燥過的金屬 膏^以形成一種子栅陰極。步驟（3)的燒製可執行諸如⑴ 刀釦的週期，並使該矽晶圓達到7〇〇至9〇〇它的範圍之間的 峰值溫度。燒製可使用諸如單區式或多區式帶爐，尤其是 多區式紅外線帶爐來實行。燒製可在一惰性氣體大氣中或 存在氧氣（舉例來說，存在空氣）的環境中發生。在燒製期 間’可移除，亦即，燃燒及/或碳化，尤其是燃燒，包括 軍發[生有機材料的有機物質和不會在乾燥期間蒸發的有 =4为。在燒製期間移除的有機物質包括：一或多個有機 =、-或多個選擇性存在的有機聚合物、一或多個選擇 ’子在的有機添加劑、及選擇性存在的金屬有機化合物之 機成刀。在燒製期間額外實施另一製程，該製程就是玻 垃塊與導電金屬粉末的燒結。金屬膏㈣並燒穿該鹰 s，以達成與該矽基材的電性接觸。 如先前所提及，燒製的執行方式可以如同與已經塗敷至 H9406.doc 201201223 矽晶圓的背側金屬膏一 τ 起之所謂的共同燒製。 明 方 jj, 的步驟（3)中所形成的種子栅陰極具有 電性並合許成功地執行後續的步驟(4);亦即，種子柵 陰極可在步驟（4)期間錢銀，以形成該前侧拇陰極。 發月之方法的步驟⑷中，設有種子柵陰極的石夕晶 圆被施以一 LIP製鞀，站，，_«_ 藉此在該種子柵陰極上沈積銀。為 此目的，將該石夕总圓、夺 二 日圓次入一 LIP浴中，並照明在其上具有 4種子柵陰極的該浸切晶圓。關於該⑦晶圓的背側至一 外部電源的連接以及i 為了使LIP >谷的銀含量保持不變所進 行的步驟’請參照「先前技術w浴為含有可陰 極沈積形式之銀的—氽、次 t L τ ^水/合。典型地，UP浴具有鹼性的ρΗ 值（藉由使用習知的ρΗ計所量測），其位於諸如an，尤 其是9至1〇·5的範圍内。舉例來說’函素或發光燈可用於 照明之㈣。實施照明直到所需量的銀已從LIP浴沈積在 種子柵陰極上，亦即，直到栅陰極已形成為止。在本發明 之方法的此步驟(4)期間’銀的沈積能夠使步驟⑺中所獲 得的柵極進行生長；舉例來說，在—栅極包括平行指狀線 和二或多冑以直角與#狀線相《之平行匯流排棒的情形 中，指狀線的層厚度可增加諸如5至3〇 μιη，其寬度可增加 諸如10至100 μίη，且匯流排棒的層厚度可增加諸如5至3〇 μιη。有鑒於匯流排棒例如丨至3 mm的起始寬度所以匯流 排棒的寬度生長幾乎不值一提。 在完成LIP製程後，將設有前側柵陰極的矽晶圓從up浴 移除’以水清洗來移除LIP浴的殘留物並使其乾燥。 149406.doc 15 201201223 藉由本發明方法而使設有前側柵陰極的矽太陽能電池之 電效率產生進一步的改善’並非僅是實行LIP製程的步驟 (4)之結果。在不受理論束缚的情況下，雖然沒有足夠詳細 的研究，咸信用於塗敷前側種子柵陰極的金屬膏中所含的 玻璃熔塊之組成物才是關鍵所在。咸信玻璃熔塊組成物在 LIP製程的步驟（間容許係考量到銀沈積和玻璃溶解之 間的均衡比例’結果形成具有較為緻密的結構與良好導電 率且與妙基材之間接觸電阻低的一柵陰極。〃 149406.doc

Claims (1)

1. 201201223 七、申請專利範圍： 1. 一種用於在矽晶圓前側上製造栅陰極之方法，該矽晶圓 具有一 P型區域 η型區域、一 p_n接面及位於該前侧上 的一 ARC層，該方法包含下列步驟： (1) 提供一矽晶圓，在其前側上具有一 ARC層； (2) 以一前側柵電極圖案在該矽晶圓前側之該arc層上 塗敷並乾燥一金屬膏； (3) 燒製該金屬膏以形成一種子柵陰極；以及 (4) 藉由使設有該種子柵陰極的該矽晶圓遭受一 Lip製 程’而在該種子柵陰極上沈積銀， 其中該金屬膏包括一有機載體和一無機内含物，其包 括：（a)90至98重量百分比之至少一導電金屬粉末，其選 自由鎳、銅和銀構成的群組；以及（1?)〇.25至8重量百分 比之至少一玻璃熔塊，其選自由含有47 5至64 3重量百 分比的卩13〇、23.8至32.2重量百分比的8丨〇2、39至54重 量百分比的八丨2〇3、2.8至3.8重量百分比的1^〇2和6.9至 9.3重量百分比的B2〇3之玻璃熔塊構成的群組。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該至少一玻璃 熔塊是選自由含有50.3至6 1.5重量百分比的Pb〇、25 2至 30.8重量百分比的Si〇2、4.2至5·2重量百分比的Ai2〇3、 3.0至3.6重量百分比的丁丨〇2和7.3至8.9重量百分比的62〇3 之玻璃熔塊構成的群組。 3.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該至少一玻璃 熔塊是選自由含有53.1至58.7重量百分比的Pb0、26.6至 149406.doc 201201223 29·4重量百分比的Si〇2、4.5至4.9重量百分比的Ai2〇3、 3.1至3·5重量百分比的1^〇2和77至8 5重量百分比的ίο〗 之玻璃熔塊構成的群組。 4.如申請專利範圍第丨至3項中任一項所述之方法，其十 、Si〇2、八丨2〇3、Ti〇2和BA3的總重量百分比為1〇〇 重量百分比。 5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之方法，其中該 無機内含物包括：（a)92至98重量百分比的該至少一導電 金屬粉末及（b)1.5至4重量百分比的該至少一玻璃熔塊。 6. 如申請專利範圍第丨至3項中任一項所述之方法其中該 至少一導電金屬粉末為銀粉末。 7. 如申請專利範圍第丨至3項中任一項所述之方法，其中該 金屬膏3有40至95重量百分比的無機成分與5至重量 百分比的有機载體。 8. 項所述之方法，其中該 墨印刷、板印刷和網版 如申請專利範圍第1至3項中任一 金屬膏是藉由一選自由筆寫、喷 印刷構成之群組的方法來塗敷。 9·如中請專利範圍第！至3項中任—項所述之方法，其中該 前側柵電極圖案包括⑴薄平行指狀線以及⑼二或多個平 行匯流排棒，其以直角與該指狀線相交。 10.如申請專㈣圍第⑴項中任—項所述之方法，其中該 up製程包含將該梦晶圓浸人—up浴_，並照明在其上 具有該種子栅陰極之該浸入矽晶圓的該前側。 、 η.如申請專利範圍第⑴項中任一項所述之方法，其中該 I49406.doc 201201223 LIP洛為一水浴 形式的銀。 12. 13. 其具有8至11之阳值並含有可陰極沈積 種則側栅陰㉟，該前側;^陰極是根據申請專利範圍第 1至11項中任一項所述之方法而製成。 一種矽太陽能電池’包含在其前側上具有ARC層的一石夕 晶圓及如申請專利範圍第12項所述之該前側栅陰極。 149406.doc 201201223 四、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：（無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無） 149406.doc