TW201143513A - Light source module - Google Patents
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Description
201143513 六、發明說明: ., 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明係有關於一種光源模組,特別是有關於一種可防 止閃爍的光源模組。 [0002] 【先前技術】 第1圖係顯示一種傳統的光源模組100。在光源模組100中 G ,交流電源120會提供具有正負半波之電源信號Su至全 波整流器110。接著,全波整流器110會將電源信號Su整 流為只有正半波的電源信號SHF,如第2圖所顯示。接著 ,電源信號SHir會通過限流電阻130,然後再輸入至發光 ΠΓ 二極體模組140。一般而言,發光二極體的驅動電壓約為 2伏特至4伏特。由於輸入至發光二極體模組140的電壓值 很大,因此必須串接到許多顆發光二極體(例如第1圖的 發光二極體142、144)來分散輸入電壓。於是,增加了 電路佈局的困難度,並增加整體光源模組的尺寸。 [0003] ❹ 再者,當接收到交流信號時,發光二極體會有部分時間 是操作在電流均方根值(例如第2圖的IDue)之上,這將 K Μ 〇 使得發光二極體的效率下降,進而影響發光二極體的使 用壽命。如先前所描述,由於必須增加發光二極體的串 接數量來分散輸入電壓,因此一旦有任一發光二極體損 壞時,將會改變其它發光二極體的電壓與電流。於是, 將導致整體發光二極體模組的使用壽命會大幅下降。再 者,每一個發光二極體都有各自的發光顏色以及出光角 度。因此,無論是採用單顆封裝或是多顆封裝的方式來 增加發光二極體的數量,勢必都會互相干擾並影響到整 099116518 表單編號A0101 第3頁/共34頁 0992029366-0 201143513 體光源的出光效果。另外,當任一發光二極體損壞時, 則會改變其它發光二極體晶粒的電壓與電流,使得其它 發光二極體晶粒的亮度會受到影響。此時,如果其它發 光二極體為非單一顏色的光源種類時,整體光源的混光 效果將會偏離原本的設定值,並且會無法穩定地控制發 光二極體的光輸出。因此,將會大幅增加使用發光二極 體模組的困難性。 [0004] 一般而言,在離峰及尖峰時刻所輸出的交流電源會有微 幅的變化(即非穩定的交流電源)。微幅的電壓或電流 變化將會造成發光二極體在亮度上有明顯的閃爍變化, 其可能會對使用者造成明顯的不適。 [0005] 因此,需要一種具有高效率以及穩定光輸出的光源模組 〇 【發明内容】 [0006] 本發明提供一種光源模組。上述光源模組包括:一全波 整流器,用以根據一交流電源產生一整流信號;一定 電流輸出積體電路,用以根據上述整流信號輸出一定電 流信號;以及,一或多個高驅動電壓發光二極體晶粒 ,耦接於上述定電流輸出積體電路以及一接地端之間, 其中上述高驅動電壓發光二極體晶粒的亮度係由上述定 電流信號所決定。 [0007] 再者,本發明提供另一種光源模組。上述光源模組包 括:一全波整流器,用以根據一交流電源產生一整流信 號;一或多個定電流輸出積體電路,用以根據上述整 流信號輸出一或多個定電流信號;複數高驅動電壓發 099116518 表單編號A0101 第4頁/共34頁 0992029366-0 201143513 光二極體晶粒,耦接於一接 . 一 牧也縞,以及,複數降壓單 刀別輕接於域定電流輪出積體電路以及對應之上 動㈣發光二極體晶粒之間。每-上述高驅動電 壓發光一極體晶粒的亮度俜香!_、+、& 又竹、又上迷定電流信號以及所對 應之上述降麗單元所影響。 【實施方式】 闺為讓本發明之上述和其他目 J特徵、和優點能更明顯 易懂,下文特舉出較佳實施例,並配合所附圖式,作詳 細說明如下:
. 1 " : . . . Γ [〇〇〇9] 實施例: _] 示根據本發明—實施_述之光輯組300。
光源模組300包括全波整流器310、交流電源320、低通 渡波器330、定電流輸出積體電路(ι n細ε ircuit ’ IC) 34G、降壓單元35G以及高驅動電壓發光二 極體晶粒360。全波整流器31〇會將交流電源32〇所提供 的父流k號sAC整流成信號shf。低通據波器33(^接於全 波整流器310以及定電流輸出積體電路34〇之間,用以對 整流信號SHF進行濾波並產生信號。在此實施例中, 低通濾波器330包括電阻R1以及電容c,其中電阻以係耦 接於全波整流器310以及定電流輸出積體電路34〇之間, 而電容C係叙接於電阻R1以及接地端之間β根據信號$
LPF ,定電流輸出積體電路340會經由降壓單元35〇提供定電 流信號I至高驅動電壓發光二極體晶粒36〇,其中降壓單 元350會對定電流信號I進行降麼,而高驅動電!發光二 極體晶粒3 6 0的亮度係受定電流信號〖所影響。在此實施 099116518 表單編號Α0101 第5頁/共34頁 0992029366-0 201143513 例中,降壓單元350為電阻R2。在另一實施例中,降壓單 元350可以是齊納二極體(Zener Diode)。對高驅動電 壓發光二極體晶粒360而言,定電流信號I為不隨交流信 號變化的穩定輸入電流。因此,當交流信號S4r因不同
AC AC 區域或尖峰用電時刻造成不穩定時,定電流信號I仍會維 持住固定的電流值,使得高驅動電壓發光二極體晶粒360 不會發生閃爍現象。在一實施例中,定電流輸出積體電 路340為具有穩定輸出電流之驅動積體電路。此外,在第 3圖中,高驅動電壓發光二極體晶粒360係由複數個發光 二極體D1-DN串聯所組成,其中高驅動電壓發光二極體晶 粒36 0具有高驅動電壓,例如大於10伏特的驅動電壓。在 其他實施例中,高驅動電壓發光二極體晶粒360可以是由 複數個發光二極體D1-DN串聯、並聯或其組合所組成的發 光二極體晶粒。兩驅動電壓發光二極體晶粒360的發光波 長可介於200nm至800nm之間。 [0011] 一般而言,為了達到不同的亮度與混光結果,複數個高 驅動電壓發光二極體晶粒組合的驅動電壓可任意搭配, 使彼此的電壓差可以等於或大於1伏特。然而,不斷增加 複數個高驅動電壓發光二極體的晶粒數會導致整體發光 二極體晶粒的總驅動電壓上升。此外,在固定功率輸出 下,當複數個高驅動電壓發光二極體晶粒的驅動電壓上 升時,會使發光二極體晶粒的電流慢慢下降,這將會造 成整體流明值的下降。 [0012] 此外,如果驅動電壓過高且交流電壓源有不穩定的波動 時,這將造成複數個高驅動電壓發光二極體晶粒有閃爍 099116518 表單編號A0101 第6頁/共34頁 0992029366-0 201143513 Ο [0013] 的現象發生。因此,應將驅動電壓的上限控制在一特定 電壓值以下,方能提供一穩定的操作範圍,其中該特定 電壓值可根據實際應用而決定。值得注意的是,當交流 電壓源的規格改變時,本發明實施例之光源模組所提供 的功率將隨之改變,而複數個高驅動電壓發光二極體晶 粒的驅動電壓亦會隨之改變。因此,在一特定的交流電 壓源條件下,複數個高驅動電壓發光二極體晶粒的驅動 電壓至少須控制在小於一電壓值下,才能避免因為交流 電壓源不穩定的波動時,造成發光二極體晶粒閃爍的現 象發生。
在其他實施例中,為了達到不同需求的色溫可以採用不 同波長之高驅動電壓發光二極體晶粒組合。藉著調整不 同波長的高驅動電壓發光二極體晶粒組合達到不同的色 溫需求。舉例來說,為了使光源在特定色溫時具有較佳 的效率及演色性,可使用不同發光波長之複數顆高驅動 電壓發光二極體晶粒組合來搭配。具體而言,藉由使用 不同發光波長之複數顆發光二極體晶粒組合可以互相彌 補光源的效率與色彩演色性。然而,不同發光波長之複 數顆高驅動電壓發光二極體晶粒需考量不同的驅動電壓 與光輸出功率,其組合必須互相搭配才能達到較佳的效 率與演色性。因此,在某一特定色溫下,可以調整不同 發光波長之複數顆高驅動電壓發光二極體晶粒組合之輸 出光功率來得到較佳的效率與色彩演色性。例如,在輸 出光功率比例大於1倍以上的條件下可以達到較佳的效率 與演色性。 099116518 表單編號Α0101 第7頁/共34頁 0992029366-0 201143513 [〇〇14]此外,亦可並聯多個定電流輸出積體電路340來提供高驅 動電壓發光二極體晶粒3 6 0較大的驅動電流,如第4圖所 顯示。高驅動電壓發光二極體晶粒360的亮度係受全部定 電流輸出積體電路3 4 0所提供的定電流信號I所影響。 [〇〇15]第5A圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組4〇〇 。相較於第3圖的光源模組300,光源模組4〇〇更包括耦接 於定電流輸出積體電路340的控制器41 〇。在光源模組 400中’定電流輸出積體電路340所輸出之定電流p號I 的電流值可由控制器410所調整,於是高驅動電壓發光 二極體晶粒360的免度'可以被改變並被設定·至期望的亮度 。此外,在一實施例中,亦可使用複數個高驅動電壓發 光二極體晶粒360以串聯、並聯或其它方式形成不同的高 驅動電壓發光二極體晶粒組合。 [0016]第5B圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組5〇〇 。在光源模組500中,可變電暉51〇俵耦接於定電流輸出 積體電路340以及高驅動電壓發光二極體晶粒36〇之間。 除了降壓之外’亦可經由控制器41〇來調整可變電阻5】〇 的電阻值,以便改變輸入至高驅動電壓發光二極體晶粒 360之驅動電流的電流值。於是,高驅動電壓發光二極體 晶粒360的壳度可以被改變並且被設定至期望的亮度。此 外,在一實施例中,亦可使用複數個高驅動電壓發光二 極體晶粒360以串聯、並聯或其它方式形成不同的高驅動 電壓發光二極體晶粒組合。 [0017] 第6A圖係顯示根據本發明另—實施例所述之光源模組 6〇〇A。相較於第3圖的光源模組·,光源模組6_具有 099116518 表單編號A0101 第8頁/共34頁 0992029366-0 201143513 N個降壓單元3501—350N以及n個高驅動電壓發光二極 • 體晶粒3601-360N,其中每一降壓單元係福接於定電流 輸出積體電路340以及對應之高驅動電壓發光二極體晶粒 之間。例如,降壓單元3501係耦接於高驅動電壓發光二 極體晶粒3601以及定電流輸出積體電路340之間,而降壓 單元3502係耦接於高驅動電壓發光二極體晶粒36〇2以及 疋電流輸出積體電路340之間。在此實施例中,每一降麗 單元為一電阻。此外,藉由適當地選用具有不同電阻值 的降壓單元3501-350N,可分別提供不同的驅動電流至 ^ 南驅動電壓發光二極薄晶粒36·01 -3B.0N·,.以便得到不同 的亮度。舉例來說,當降壓單元3501與3502的電阻值相 同時,則高驅動電壓發光二極體晶粒3601與3602具有相 同的亮度。反之,當降壓單元3501與3502的電阻值不相 同時,則高驅動電壓發光二極體晶粒36〇1與36〇2的亮度 亦會不相同。此外,在一實施例中,高驅動電壓發光二 極體晶粒3601-360N可分別具有不同的發^顏色,因此 透過光源模組600A可將不同的發光顏色進行混合。
U
[0018]第6B圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組
600B。相較於第6A圖的光源模組6〇〇A,光源模組6〇〇B更 包括開關610,其中,此開關61〇可為機械式或電子式開 關。在光源模組600B中,開關61〇可選擇性地將定電流 輸出積體電路340耦接至N個降壓單元之一者,以便提供 定電流信號I至對應於所耦接之降壓單元的高驅動電壓 發光一極體晶粒。例如,如第6B圖所顯示,定電流 輸出積體電路340係經由開關61〇耦接至降壓單元35〇N 099116518 表單編號A0101 第9頁/共34頁 0992029366-0 201143513 ,於是定電流輪出積體電路340可提供定電流信號I至高 驅動電壓發光二極體晶粒360N。在一實施例中,高驅動 電壓發光二極體晶粒3601-360N分別具有不同規格(例 如亮度、色溫等)。舉例來說,高驅動電壓發光二極體 晶粒3601、3602及360N可具有不同的亮度’並且分別對 應於紅色、綠色及藍色。因此,藉由控制開關61 0 ’光源 模組6 0 0 B可選擇性地切換不同亮度或是不同發光波長之 高驅動電壓發光二極體晶粒。 [0019]第7A圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組 700A。光源模組7〇〇A包括複數個發光裝置7101-710N ’其中發光裝置7101-71 0N係以並聯方式相連接。每一 發光裝置包括定電流輸出積體電路(例如3401、3402 …340N)、降壓單元(例如35〇1、35〇2…350N) 以及尚驅動電壓發光二極體晶粒(例如3601、3602… 360N)。在光源模組7001中,不同發光赛置的定電流 輸出積體電路可分別提供相同或不同的大電流信號至所 對應的高驅動電壓發先二極體晶粒。舉例來說,當定電 流輸出積體電路3401與3402分別提供具有相同電流值的 定電流信號I至高驅動電壓發光二極體晶粒3601與3602 時’高驅動電壓發光二極體晶粒36〇1與36〇2可得到相同 的亮度。反之’當定電流輸出積體電路34〇1與3402分別 提供定電流信號、與定電流信號至高驅動 電壓發光二極體晶粒3601與3602時,則高驅動電壓發光 二極體晶粒3601與高驅動電壓發光二極體晶粒36〇2的亮 度會分別由定電流信號、與定電流信號、所決定,即兩 099116518 表單編號A0101 第10頁/共34頁 0992029366-0 201143513 者的亮度會不同。此外’在光源模組70(U中,高驅動電 壓發光二極體晶粒3601-360Ν可具有相同或是不同的發 光顏色。如先前所描述,在每一發光裝置中,亦可使用 複數個定電流輸出積體電路或是複數個降壓單元再加上 複數個高驅動電壓發光二極體晶粒來提供不同亮度或是 不同顏色的發光效果。 [0020] Ο [0021] Ο 第7Β圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組 700Β。相較於第7Α圖的光源模組700Α,光源模組700Β内 發光裝置7201-720Ν的定電流輸出積體電路34〇卜340Ν .' ... .... .. 可由控制器410來動態地調整所輪出之定電流信號的電 流值,使得高驅動電壓發光二極體晶粒3601_360Ν的亮 度可以各自被改變並設定至期望的亮度。 第7C圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組 700C。在光源模組700C中,發光裝置τ301_730Ν内的 降壓單元510卜510Ν包括可變電阻。除Τ降壓之外’ 亦可經由控制器410來分別調整可變電阴·510 1-51⑽的 電阻值,以便改變輸入至高藥動電壓發光二極體晶粒 3601-360Ν之驅動電流的電流值。於是’南驅動電壓發 光二極體晶粒3601-360Ν的亮度可以被分別改變並被設 定至期望的亮度。 [0022] 第8圖係顯示電壓與流明(Lumen)變化率的關係圖’其 表示電壓變動對流明變化率所造成的影響°在第8圖中’ 曲線A係表示傳統光源模組在交流電壓有變動(例如Vavg ±10伏特)時的流明變化率,而曲線B係表示根據本發明 實施例所述之光源模組在交流電壓有變動時的流明變化 099116518 表單編號A0101 第11頁/共34頁 0992029366-0 201143513 率。明顯地,傳統光源模組的流明變化率相當高(例如土 25%),因此容易產生閃爍的現象。反之,根據本發明 實施例所述之高驅動電壓發光二極體晶粒光源模組的流 明變化率相當小,因此光源模組不會有閃爍的現象發生 。根據本發明實施例,可得到具有穩定光輸出且高效率 的發光二極體光源,而不需要使用到額外高成本或複雜 電路來降低交流電源的電壓。此外,使用高驅動電壓發 光二極體晶粒來取代複數顆發光二極體,可降低生產成 本並減少整體光源模組的尺寸。 [0023] 第9 A圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組 900A。相較於第3圖的光源模組300 ,光源模組900A更 包括熱補償驅動電流單元910A,其包含熱偵測電阻 920以及電阻R3 。 熱補償驅動電流單元910A耦接於 定電流輸出積體電路340,用以偵測高驅動發光二極體晶 粒360在操作時之溫度變化,並改變熱偵測電阻之電阻 值以回授給定電流輸出積體電路340,以便改變輸出到高 驅動電壓發光二極體晶粒360之電流值。第9B圖係顯示根 據本發明另一實施例所述之光源模組900B。在光源模組 900B中,熱補償驅動電流單元910B包含熱偵測電阻 920以及脈波寬度調變(PWM)控制積體電路930 。 [0024] 一般而言,發光二極體晶粒之效率會隨著時間及操作溫 度因素而逐漸下降,這將造成發光二極體晶粒亮度的衰 減。因此,為了避免發光二極體晶粒因效率下降導致亮 度變化過大的現象,可使用熱補償驅動電流單元來偵測 高驅動電壓發光二極體之操作溫度並補償其驅動電流, 099116518 表單編號A0101 第12頁/共34頁 0992029366-0 201143513 使發光二極體晶粒不會因為時間及操作溫度因素導致亮 度下降的情形。因此,在經過長時間與操作溫度上升之 因素下,使用熱補償驅動電流單元能使光源模組中不同 發光波長之複數顆發光二極體晶粒可維持一致的亮度, 使整體光源擁有穩定的亮度及色溫。 [0025] 第1 〇圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組 1 000 °相較於第3圖的光源模組300 ,光源模組1 000更 包括雙向石夕控整流調光器1010,其包括雙向矽控整流器 〇 (Triode AC Switch,TRIAC)以及雙向觸發二極體( Dl〇de AC Switch,DIAC)。雙_變控整流器為雙向閘 凉·體(Thyristor),其能以小電流/電壓來控制大電流 /電壓’並具有體積小、功耗低V.:效率高、切換迅速等優 點。具體而言’雙向矽控整流調光器1010能改變光源模 組1 000的電流,而達到穩定調光之功能。 [〇〇26] 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限 定本發明,任何所屬技術領域中具;有釋常知識者,在不 0 脫離本發明之精神和範圍内,當可作些許之更動與潤飾 ,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界 定者為準。 【圖式簡單說明】 [0027]第1圖係顯示一種傳統的光源模組; [0028]第2圖係顯示第1圖中傳統光源模組的信號波形圖; [0029]第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之光源模組; 第4圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組; 099116518 表單编號A0101 第13頁/共34頁 [0030] 201143513 [0031] 第5A圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組; [0032] 第5B圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組; [0033] 第6A圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組; [0034] 第6B圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組; [0035] 第7A圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組; [0036] 第7B圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組; [0037] 第7C圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組; [0038] 第8圖係顯示電壓與流明(Lumen)變化率的關係圖。 [0039] 第9A圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組; [0040] 第9B圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組; 以及 [0041] 第1 0圖係顯示根據本發明另一實施例所述之光源模組。 【主要元件符號說明】 [0042] 100、300、400、500、600A ' 600B、700A、700B、 700C、900A、900B、1 000〜光源模組; [0043] 110、310〜全波整流器; [0044] 120、320〜交流電源; [0045] 1 3 0〜限流電阻; [0046] 140〜發光二極體模組; [0047] 142、144、D1-DN〜發光二極體; 099116518 表單編號A0101 第14頁/共34頁 0992029366-0 201143513 [0048] 3 3 0〜低通滤波器; [0049] 340、3401-340N〜定電流輸出積體電路; [0050] 350、3501 -350N〜降壓單元; [0051] 360、36(Π-360Ν〜高驅動電壓發光二極體晶粒; [0052] 410〜控制器; [0053] 510 、5101-510Ν〜可變電阻; [0054] Ο [0055] 61 0〜開關; 71(Π-710Ν、7201-720Ν、7301-730Ν〜發光裝置; [0056] 910Α、910Β〜熱補償驅動電流單元; [0057] 920〜熱偵測電阻; [0058] 930〜脈波寬度調變控制積體電路; [0059] 1010〜雙向矽控整流調光器; Λ [0060] .'' · C C〜電容; -.y-、 [0061] '1 y ; # ,1 - 'V甲 I〜定電流信號; [0062] Rl、R2〜電阻; [0063] S A ^〜交流信號;以及 AC [0064] SHF、SLPF〜信號。 099116518 表單編號A0101 第15頁/共34頁 0992029366-0
Claims (1)
- 201143513 七、申請專利範圍: 1 . 一種光源模組,包括: 一全波整流器,用以根據一交流電源產生一整流信號; 一定電流輸出積體電路,用以根據上述整流信號輸出一定 電流信號,以及 一或多個高驅動電壓發光二極體晶粒,耦接於上述定電流 輸出積體電路以及一接地端之間,其中上述高驅動電壓發 光二極體晶粒的亮度係由上述定電流信號所決定。 2 .如申請專利範圍第1項所述之光源模組,更包括: 一低通濾波器,耦接於上述全波整流器以及上述定電流輸 出積體電路之間,用以對上述整流信號進行濾波,其t上 述低通濾波器包括: 一電阻,耦接於上述全波整流器以及上述定電流輸出積體 電路之間;以及 一電容,耦接於上述電阻以及上述接地端之間。 3 .如申請專利範圍第1項所述之光源模組,更包括: 一降壓單元,耦接於上述定電流輸出積體電路以及上述高 驅動電壓發光二極體晶粒之間,用以對上述定電流信號進 行穩壓,其中上述高驅動電壓發光二極體晶粒之驅動電壓 係大於10伏特。 4 .如申請專利範圍第3項所述之光源模組,其中上述降壓單 元包括一電阻或一齊納二極體。 5 .如申請專利範圍第1項所述之光源模組,其中上述高驅動 電壓發光二極體晶粒係由複數個發光二極體所組成,以及 上述高驅動電壓發光二極體晶粒之發光波長範圍係介於 099116518 表單編號A0101 第16頁/共34頁 0992029366-0 201143513 2 0 0nm至 800nm之間。 如申請專利範圍第5項所述之光源模組,其中複數上述高 驅動電壓發光二極體晶粒組合彼此間的驅動電壓差係等於 或大於1伏特。 如申請專利範圍第1項所述之光源模組,更包括: 一第一控制器,耦接於上述定電流輸出積體電路,用以調 整上述定電流輸出積體電路所輸出之上述定電流信號的電 流值,以便控制上述高驅動電壓發光二極體晶粒的亮度, 其中上述定電流信號的電流值係大於3毫安培。 Ο 如申請專利範圍第1項所述之光源模組,更包括: 一可變電阻,耦接於上述定電流輸出積體電路以及上述高 驅動電壓發光二極體晶粒之間;以及 一第二控制器,耦接於上述可變電阻,用以調整上述可變 電阻之電阻值,以便控制上述高驅動電壓發光二極體晶粒 的亮度。 如申請專利範圍第1項所述之光源模組,更包括: Ο 一熱補償驅動電流單元,耦接於上述全波整流器以及上述 定電流輸出積體電路之間,包括一熱偵測電阻,其中上述 熱補償驅動電流單元偵測上述高驅動發光二極體晶粒之溫 度變化,並改變上述熱偵測電阻之電阻值以回授給上述定 電流輸出積體電路,以便改變上述定電流信號之電流值。 ίο . 如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之光源模組,更包 括: 一雙向矽控整流調光器,耦接於上述交流電源以及上述全 波整流器之間,用以改變上述定電流信號之電流值,以對 上述高驅動發光二極體晶粒進行調光。 099116518 表單編號A0101 第17頁/共34頁 0992029366-0 201143513 11 . 一種光源模組,包括: 一全波整流器,用以根據一交流電源產生一整流信號; 一或多個定電流輸出積體電路,用以根據上述整流信號輸 出一或多個定電流信號; 複數高驅動電壓發光二極體晶粒,耦接於一接地端;以及 複數降壓單元,分別耦接於上述定電流輸出積體電路以及 對應之上述高驅動電壓發光二極體晶粒之間, 其中每一上述高驅動電壓發光二極體晶粒的亮度係受上述 定電流信號以及所對應之上述降壓單元影響。 12.如申請專利範圍第11項所述之光源模組,更包括: 一低通濾波器,耦接於上述全波整流器以及上述定電流輸 出積體電路之間,用以對上述整流信號進行濾波,其中上 述低通遽波器包括: 一電阻,耦接於上述全波整流器以及上述定電流輸出積體 電路之間;以及 一電容,耦接於上述電阻以及上述接地端之間。 13 .如申請專利範圍第11項所述之光源模組,其中每一上述降 歷單元包括一電阻或一齊納二極體。 14 .如申請專利範圍第11項所述之光源模組,其中每一上述高 驅動電壓發光二極體晶粒之驅動電壓係大於10伏特。 15 .如申請專利範圍第11項所述之光源模組,更包括: 一開關,選擇性地將上述定電流輸出積體電路耦接至上述 降壓單元之一者,以便提供上述定電流信號至對應於所耦 接之上述降壓單元的上述高驅動電壓發光二極體晶粒。 16 .如申請專利範圍第11項所述之光源模組,其中上述複數定 電流輸出積體電路各自耦接於對應之上述降壓單元,以便 099116518 表單編號A0101 第18頁/共34頁 0992029366-0 201143513 提供上述定電流信號至對應之上述高驅動電壓發光二極體 晶粒。 17 . 如申請專利範圍第11至16項令任一項所述之光源模組, 更包括:一第一控制器,耦接於上述複數定電流輸出積體 電路,用以調整每一上述定電流輸出積體電路所輸出之上 述定電流信號的電流值,以便控制每一上述高驅動電壓發 光二極體晶粒的亮度。 18 . Ο 如申請專利範圍第11項所述之光源模組,其中每一上述高 驅動電壓發光二極體晶粒係由複數個發光二極體所組成, 且每一上述高驅動電壓發光二極體晶粒具有不同的亮度, 以及每一上述高驅動電壓發光二極體晶粒的發光波長範圍 係介於200nm至800nm之間。 19 . 如申請專利範圍第18項所述之光源模組,其中上述複數個 高驅動電壓發光二極體晶粒組合彼此間的驅動電壓差係等 於或大於1伏特。 20 · Ο 如申請專利範圍第11項所述之光源模組,更包括一第二 控制器,其中每一上述降壓單元包括一可變電阻,以及上 述第二控制器係耦接於每一上述可變電阻,用以調整每一 上述可變電阻之電阻值,以便控制每一上述高驅動電壓發 光二極體晶粒的亮度。 099116518 表單編號A0101 第19頁/共34頁 0992029366-0
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