TW201138328A - Spread spectrum circuit - Google Patents
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Description
201138328 1 vv ^ / oor yn 六、發明說明: 【發明所屬之技術領成】 本發明是有關於一種展頻電路’且特別是有關於一種 低複雜度之展頻電路。 【先前技術】 隨著技術的演進,高解析度(FullHD)的晝面及高晝面 更新率(frame rate)是液晶顯示器未來不可避免的趨勢。然 而,隨著解析度及晝面更新率的提高,資料傳輸量變得相 當龐大,連帶使得傳輸訊號的頻率亦隨之變高。當資料利 用高頻傳輸進行傳輸時,會產生相當高的電磁輻射能量, 即為電磁輻射干擾(EMI)效應。如何降低電磁輻射干擾效 應已成為液晶顯示器的電路設計中主要的問題之一。 【發明内容】
本發明係有關於一種展頻電路,藉由簡單的反相器, 不需額外控制訊號即可對輸入訊號展頻而得以降低電磁 輻射干擾效應,具有易於實現且低複雜度的優點。 根艨本發明之第 反相器、一電流源 ,—那、一控制單元以及一整形電路。反相器 輸入端接收一原始時脈訊號。電流源耦接至反相器之電流 傳輸端。控制單元’包括-控制電路,依據原始時脈訊號 改變電流源的電流大小以控制反相器的輸出端的充放電 速度’使得輸出端輪出—電壓訊號^整形電 進行整形而射•卜展_脈訊號。 201138328 I VV -/ / OOI f\ ' 根據本發明之第二方面,提出一種展頻電路,包括一 反相器、一第一電流源、一第二電流源、一負載、一控制 單元以及一整形電路。反相器接收一原始時脈訊號。第一 電流源耦接至反相器之第一端。第二電流源耦接至反相器 之第二端。負載耦接至反相器之輸出端。控制單元,包括 一控制電路,依據原始時脈訊號改變第一電流源及第二電 流源的電流大小以控制反相器對負載的充放電速度,使得 輸出端輸出一電壓訊號。整形電路對電壓訊號進行整形而 得到一展頻時脈訊號。 為讓本發明之上述内容能更明顯易懂,下文特舉一較 佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下: 【貫施方式】 本發明係提出一種展頻電路,藉由簡單的反相器,不 需額外控制訊號即可對輸入訊號展頻而得以降低電磁輻 射干擾效應,具有易於實現且低複雜度的優點。 本發明係提供一種展頻電路,包括一反相器、一電流 源、一控制單元以及一整形電路。反相器輸入端接收一原 始時脈訊號。電流源耦接至反相器之電流傳輸端。控制單 元’包括一控制電路,依據原始時脈訊號改變電流源的電 流大小以控制反相器的輸出端的充放電速度,使得輸出端 輸出一電壓訊號。整形電路對電壓訊號進行整形而得到一 展頻時脈訊號。接下來茲舉反相器係為CMOS反相器為例 做說明,然並不限於此。 請參照第1圖及第2圖’第1圖繪示依照本發明較佳 201138328 * TT ^ / l \ 實施例之展頻電路之一例之電路圖,第2圖繪示依照本發 明較佳實施例之展頻電路之波形圖。於第1圖中,展頻電 路100包括一 CMOS反相器110、一第一電流源120、一 第二電流源130、一電容C、一控制單元140以及一整形 電路150。CMOS反相器110接收一原始時脈訊號CLK。 第一電流源120耦接至CMOS反相器110之第一端。第二 電流源130耦接至CMOS反相器110之第二端。電容C耦 接至CMOS反相器110之輸出端。 φ 控制單元140包括一控制電路145,控制電路145依 據原始時脈訊號CLK改變第一電流源120及第二電流源 130的電流大小以控制CMOS反相器110對電容C的充放 電速度,使得輸出端輸出一電壓訊號VS。其中,控制電 路145例如為一計數器,第一電流源120及第二電流源130 的電流大小係隨著計數器的數值而改變。此計數器可以為 一 N位元計數器、一亂數計數器(random counter)或一升降 計數器(up down counter),並不做限制,只要能使得第一 φ 電流源120及第二電流源130的電流大小規則變化即可。 於第2圖中茲舉控制電路145為一 2位元計數器為例 做說明。控制電路145對原始時脈訊號CLK做計數的動 作而輸出一控制訊號CS,此控制訊號CS會控制第一電流 源120及第二電流源130而得到規則變化的電流,此規則 變化的電流對電容C充放電而得到電壓訊號VS。因為控 制訊號CS改變第一電流源120及第二電流源130的電流 大小,故電壓訊號VS會由原始時脈訊號CLK的反相產生 形變而得。 201138328 之後,整形電路150對雷 β . 一展頻時脈訊號CLK-SS。其中^唬VS進行整形而得到 器、-般邏輯閘電路或運算整形電路⑼可由反相 照第3圖,其繪示依照本發明較3=限制。請參 譜示意圖。相較於原始時 實例之展頻電路之頻 時脈訊號CLK-SS的頻率在^CLK的單一頻率展頻 Λ n . P3 丰在展頻後被分散於π+Δίν ^之,。展頻時脈訊號CLK_SS的 二二 « CLK的訊號峰值低△ 私原始時脈 磁輻射干擾效應。 欠心力料耗,亦降低電 此外,展頻的幅度需控制在一定範圍’ 脈訊號CLK-SS與原始時脈訊號⑽的工作週=員時 袖)減太多而導致後級電路無法動作。是故,可/由 控制第-電流源120及第二電流源13〇的電流大小的:文變 不超過-臨界值來達成控制展頻幅度的目的。其中,可利 用控制電路145控制第—電流源⑽及第二電流源13〇的 電流大小改變不超過臨界值。 此外,亦可如第4圖所示,其繪示依照本發明較佳實 施例之展頻電路之另一例之電路圖。相較於展頻電路 100 ’第4圖之展頻電路200的控制單元240更包括一第 一電流限制器242及一第二電流限制器244,第一電流限 制器242耦接至第一電流源12〇,第二電流限制器244耦 接至第二電流源130。控制單元240可以透過第一電流限 制器242及第二電流限制器244來分別控制第—電流源 120及第二電流源130的電流大小改變不超過臨界值。另 外’亦可於CMOS反相器110之輸出端耦接一固定負載來 201138328 里 VV J/〇〇r/\ 達成上述效果。 此外’亦可以於CMOS反相器u〇之輸出端耦接一 可變負載(variable loading)260。如此一來,控制單元240 即可以控制可變負載260的大小以限制cM0S反相器u〇 對電容c的充放電速度,而使得展頻時脈訊號CLK_ss與 原始時脈訊號CLK的工作週期不會相差太多。 、
上述之可控制電流源、電流限制器與固定/可變負載 等作法,皆可單獨使用或混合使用,均可達到展頻的效果。 本發明上述實施例所揭露之展頻電路,具有多項優 點’以下僅列舉部分優點說明如下: 。本發明之展頻電路,利用控制電流的方式以改 =電容的充放電電流大小,故不需額外控制訊號即 :不同的充放電時間而得到具展頻致果的訊號,減少功‘ =耗並降低電磁輻射干擾效應。此外,由於使用的 件>、且易於實現,故具有低複雜度的優點。 =所述,雜本發明已以1佳實_揭露如上, ^其並非Μ限定本發明。本發明㈣技術領域中 吊知識者’在不脫離本發明之精神和範圍内,當可_ 與潤飾。因此’本發明之保護範圍當視後附 專利範圍所界定者為準。 201138328 .. 【圖式簡單說明】 第1圖繪示依照本發明較佳實施例之展頻電路之一 例之電路圖。 第2圖繪示依照本發明較佳實施例之展頻電路之波 形圖。 第3圖繪示依照本發明較佳實施例之展頻電路之頻 譜示意圖。 第4圖繪示依照本發明較佳實施例之展頻電路之另 一例之電路圖。 【主要元件符號說明】 100、200 :展頻電路 110 : CMOS反相器 120 :第一電流源 130 :第二電流源 140、240 :控制單元 145 :控制電路 150 :整形電路 242 :第一電流限制器 244 :第二電流限制器 260 :可變負載
Claims (1)
- 201138328 七、申請專利範圍: h 一種展頻電路,包括·· 號;-反相器,該反相器的輸人端用以接收―原始時脈訊 一電流源,耦接至該反相器之電流傳輸端; 一控制單元,包括一控制電路,用以依據該原始 訊號改變該電流源的電流大小以控制該反相器的輸出總氏的充放電速度’使得該輸出端輸出-電壓訊號;以及 一整形電路,用以對該電壓訊號進行整形而得 頻時脈訊號。 版 2·如申請專利範圍第丨項所述之展頻電路,其中該 控制電路料-計數H ’該電絲的電流大小係隨著該計 數器的數值而改變。 3. 如申請專利範圍第2項所述之展頻電路,其中該 計數器係為一 N位元計數器、一亂數計數器(rand〇m counter)或一升降計數器(Up d〇wn counter)。 4. 如申請專利範圍第1項所述之展頻電路,其中該 控制電路控制該電流源的電流大小改變不超過一臨界值。 5. 如申請專利範圍第1項所述之展頻電路,更包括: 一可變負載,耦接至該反相器之輸出端,該可變負載 的大小係受控於該控制單元以限制該反相器的輸出端的 充放電速度。 6. —種展頻電路,包括: 一反相器’用以接收一原始時脈訊號; 一第一電流源,耦接至該反相器之第一端; 201138328 一第二電流源,耦接至該反相器之第二端; 一負載’搞接至該反相器之輸出端; -控制單元’包括—控制電路’用以依據該原始時脈 訊號改變該第-電流源及該第二電流源的電流大小以控 制該反相ϋ對該負载的充放電速度,使得該輸出端輸出— 電壓訊號;以及 一整形電路,用以對該電壓喊進行整形而得到一展 頻時脈訊號。 收 入如申請專利範圍第6項所述之展頻電路,其中該 負載係為—電容,該控制電路係為—計數器,該第—電1 源及該第二電絲的電流大小鶴著該計㈣的數值而机 8. 如申請專利範圍第6項所述之展頻電路 控制單元更包括: 、& -第-電流限制器,耦接至該第—電流源;以及 一第二電流限制器,耦接至該第二電流源; 其中,该控制單元透過該第一電流限制器及該第二電 流限制器以分別控制該第一電流源及該第二電流源的電 流大小改變不超過一臨界值。 9. 如申請專利範圍第6項所述之展頻電路,更包括: 固疋負載,耦接至該反相器之輸出端,以限制該反 相器的充放電速度。 10. 如申請專利範圍第6項所述之展頻電路,更包括: —可變負載,耦接至該反相器之輸出端,該可變負載的大小 係受控於該控制單元以限制該反相器的充放電速度。
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