TW201137539A - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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201137539 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置、一種可程式化圖案化元 件’及一種元件製造方法。 【先前技術】 微影裝置為將所要圖案施加至基板或基板之部分上的機 器。微影裝置可用於（例如）積體電路（ic)、平板顯示器及 具有精細特徵之其他元件或結構之製造中。在習知微影裝 置中’可被稱作光罩或比例光罩之圖案化元件可用以產生 對應於1C、平板顯示器或其他元件之個別層的電路圖案。 此圖案可（例如）經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料 (抗蝕劑）層上而轉印於基板（例如，矽晶圓或玻璃板X之部 分）上。 代替電路圖案，圖案化元件可用以產生其他圖案，例 如，彩色濾光器圖案或圓點矩陣。代替習知光罩，圖案化

元件可包含圖案化陣列，圖案化陣列包含產生電路或其他 適用圖案之個別可控制器件陣列。此「無光罩」系統相較 於！知以光罩為基礎之系統的優點在於：可更快且成本更 少地提供及/或改變圖案。 因此，無光罩系統包括可程式化圖案化元件(例如，空 間光調變器、制· μμ ; ί比兀件，等等）。可程式化圖案化元件經 程式化（例如，電子地或本 地a九學地）以使用個別可控制器件陣

列來形成所要經圖牵介伞A 團累化先束。可程式化圖案化元件之類型 括微鏡面陳列、、、右a 液日日顯示器（LCD)陣列、光柵光閥陣 154230.doc 201137539 列，及其類似者。 【發明内容】 需要（例如）提供一種包括_可程式化圖案化元件之可挽 性低成本微影裝置。 在實施例中，揭示一種微影裝置，該微影裝置包括： 調文盗’相變11經組態以將基板之-曝光區域曝光至 根據-所要圖案所調變之複數個光束；及一投影系統，該 技衫系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。該 調變器可相對於該曝光區域可移動，及/或該投影系統可 具有用以接收4複數個光束之—透鏡陣列該透鏡陣列係 相對於該曝光區域可移動。 在本發明之一態樣中，無光罩微影裝置可（例如）具備一 2學圓柱，該光學圓柱能夠將一圖案產生至一基板之一目 標部分上。該光學圓柱可具備：—自發射對比元件，該自 發射對比元件經組態以發射一輻射光束；及一投影系統， 該技影系統經組態以將該光束之至少一部分投影至該目標 β刀上。该裝置可具備一致動器，該致動器經組態以相對 於該基板移動該光學圓柱或其一部分。藉此，可達成該光 束相對於該基板之—移動。 在該微影裝置中，在該光學圓柱之該部分之該移動與該 自發射對比元件之操作之間的一時序可對於該圖案至該基 板上之一正確投影係有關的。需要提供一種改良型微影裝 置及方法。 根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，該微影裝 154230.doc -4- 201137539 置包括·一光學圓柱，該光學圓柱經組態以在一基板之一 目標部分上產生—圖案，該光學圓柱包括：一可控制器 件，該可控制器件經組態以提供一光束；及一投影系統， 該投影系統經組態以將該光束投影至該目標部分上；一致 動器，該致動器經組態以相對於該基板移動該光學圓柱之 至乂 4刀，一量測系統，該量測系統經組態以量測該光 學圓柱之該至少-部分之—位置；及__控制器，該控制器 Ο Ο 經組態以驅動該可控制器件，該控制器具備該量測系統之 一輸出信號。 根據本發明之一實施例，提供一種元件製造方法，該元 件製造方法包括：#由一光學圓柱將一圖案產生至基板之 -目標部分上，該產生包括：使用一可控制器件來提供一 光束；藉由一投影系統將該光束投影至該目標部分上；及 相對於該基板移動該光學圓柱之至少—部分；藉由 — t則 系統量測該光學圓柱之該至少—部分之—位置；及回應於 該量測系統之一位置信號來驅動該可控制器件。 根據本發明之-實施例，提供_種具有機器可執行指令 之電腦產品，該等指令可藉由—機器執行以執行—方法， 該方法包括：#由一光學圓柱將—圖案產生至之二 :標部分上’該產生包括：使用—可控制器件來i供一光 束，藉由一投影系統將該光束投影至該目標部分上:、 對於該基板移動該光學圓柱之至少_ . 統量測該光學圓柱之該至少一部分之：署：由—量測系 量測系統之一位置信號來驅動該可控制器件：及回應於該 154230.doc 201137539 【實施方式】 併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發 明之一實施例，且連同[實施方式]進一步用以解釋本發明 之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。在該 等圖式_相似元件符號可指示相同或功能上類似之器 件0 本文中描述一種無光罩微影裝置、一種無光罩微影方 法、一種可程式化圖案化元件以及其他裝置、製品及方法 之—或多個實施例。在-實施例中，提供-種低成本及/ 或可撓性無光罩微影裝置。因為微影裝置係無光罩的，所 以無需習知光罩來曝光(例如)IC或平板顯示器。類似地， 對於封裝應用無需—或多個環（Hng);可程式化圖案化元 件可提t、用於封I應用之數位邊緣處理「環」以避免邊緣 技〜無光罩（數位圖案化）可實現與可撓性基板一起之使 用0 在一.實施例中，微影裝置能夠具有超非臨界應用（super_ application)。在-實施例中，微影裝置能夠具 7·1微米解析度，例如，⑴微米解析度或―>m米解析 二在-實施例巾’微料置㈣具有⑽㈣解析度， 例如，⑽微米解析度或⑽米解析度 :影裝置能夠具有…微米至i。微来解析度。；一實施例 對，Γ2=置能夠具有…奈米疊對，例如，…。奈米疊 ' —不米疊對或》300奈米疊對。在一實祐制中，微# 裝置能夠具有200奈米疊對 ，； 釕例如，S4〇〇奈米疊對、530( 154230.doc 201137539 ”只且#或—2〇〇奈米疊對。此等疊對值及解析度值可無關 於基板大小及材料。 實施例中’微影裝置係高度可撓性的。在一實施例 中’微影裝置對於不同大々、、類型及特性之基板係可按比 • 例調整的。在—實施例中，微影裝置具有虛擬無限場大 小。因此，微影裝置可以單一微影裝置或使用多個微影襞 置（使用很大程度上共同的微影裝置平台）來實現多個應用 0 j例如、平板顯示器、封裝，等等）。在一實施例中， 微影裝置允許自動化工作產生以提供可撓性製造。在一實 施例中’微影裝置提供3D整合。 在貫施例中，微影裝置係低成本的。在一實施例中， 僅使用普通的現成組件（例如，輻射發射二極體、簡單可 移動基板固持器，及透鏡陣列）。在一實施例中，使用像 素栅格成像以實現簡單投影光學器件。在一實施例中，使 用具有單一掃描方向之基板固持器以減少成本及/或減少 0 複雜度。 圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影投影裝 置丨〇〇。裝置100包括圖案化元件104、物件固持器106(例 •如，物件台（例如’基板台）），及投影系統丨〇8。 在一實施例中，圖案化元件1 〇4包含複數個個別可控制 器件102 ’以調變輻射以將圖案施加至光束丨1〇。在一實施 例中，複數個個別可控制器件102之位置可相對於投影系 統108係固定的。然而，在一替代配置中，可將複數個個 別可控制器件102連接至一定位元件（圖中未繪示），以根據 154230.doc 201137539 特定參數來準確地定位該等個別可控制器件中之一或多者 (例如’相對於投影系統108)。 在一實施例中，圖案化元件104為自發射對比元件。此 圖案化元件104消除針對輻射系統之需要，此情形可減少 (例如）微影裝置之成本及大小。舉例而言，個別可控制器 件1〇2中之每-者為-輻射發射二極體，諸如發光：極體 (LED)有機LED(OLED)、聚合物led(PLED)或雷射一極 體（例如，固態雷射二極體）。在一實施例中，個別可= 平之母I為一雷射二極體。在一實施例中，個 別可控制器件1〇2中之每-者為-藍紫色雷射二極體(例 如’ ho型號DL_3146_151)。^二極體係藉由諸如 Sanyo、Nichia、〇咖及㈣也之公司供應。在—實施例 中’二極體發射具有約如奈米或約4〇5奈米之波長的輻 射。在:貫施例中，二極體可提供選自0.5毫瓦特至1〇〇毫 瓦特之範圍的輸出功率为 ^ 力羊在—實施例中，雷射二極體（裸 日曰粒）之大小係選自2 5 〇姆本s。Λ 50微未至6〇〇微米之範圍。在一實施 例中，雷射二極體且古 ”有選自1微米至5微米之範圍的發射區 域。在一實施例中，Φ射_ 田射—極體具有選自7度至44度之範 圍的發散角。在一實祐也丨士 4中’圖案化元件104具有約ΐχΐ〇5 個二極體，該等二極體1 '、有用以提供大於或等於約6.4x1〇8 W/(m .sr)之總亮度的 、、心（例如，發射區域、發散角、輸 出功率，等等）。 ^ ^ 在一實施例中，白蘇& … *射子比元件包含比所需要之個別可 疋址态件更多的個別可 疋丘益件1 02 ’以在另一個別可控 154230.doc 201137539 制器件1G2未能操作或未適當地操作時允許❹「冗餘」 個別可控制器件1〇2。在一實施例中，可在使用(例如)下文 關於圖5所論述之可移動個別可控制器件iQ2的實施例中有 利地使用冗餘個別可控制器件。 在實施例中，自發射對比元件之個別可控制器件⑽ 係在個別可控制器件102之功率/前向電流曲線之陡崎部分 中操作（例如’雷射二極體）。此情形可更有效率且導致更 Ο

少功率消耗/埶。A _杳#在丨Λ , …、在貫轭例中，當在使用中時，每個別 可控制器件之光學輸出為至h毫瓦特，例如，至少㈣ 瓦特至25毫瓦特、至少5〇毫瓦特、至少⑽毫瓦特或 至少細毫瓦特。在—實施例中，當在使用中時，每個別 可控制器件之光學輸出小於3〇〇毫瓦特、小於25〇毫瓦特、 小：200毫瓦特、小於150毫瓦特、小於100毫瓦特、小於 5〇毫瓦特、小於25毫瓦特或小於1〇毫瓦特。在一實施例 中，當在使用中時，用以操作個別可控制器件的每可程式 化圖案化元件之功率消耗小於1〇千瓦特，例如，小於5千 瓦特、小於1千瓦特或小於〇5千瓦特。在一實施例中，當 在使用中肖，用以操作個別可控制器件的每可程式化圖案 化元件之功率消耗為至少_瓦特，例如，至少300瓦特、 至少500瓦特或至少1千瓦特。 微影裝置100包含物件固持器1〇6。在此實施例中，該物 件固持益包含物件台106以固持基板(例如，抗蝕劑塗 佈石夕晶圓或玻璃基板）。物件台106可為可移動的，且連接 疋位元件116以根據特定參數來準確地定位基板114。舉 154230.doc 201137539 例而言，定位元件116可相對於投影系统1〇8及/或圖案化 元件m準確地定位基㈣[在一實施例中，可用包含未 在圖1中被明喊地描繪之長衝程模組（粗略定位）及（視情況） 短衝程模組（精細定位）的定位元件116實現物件台ι〇6之移 動。在-實施例中’裝置至少不存在用以移動物件台1〇6 之紐衝程模組。可使用類似系統以定位個別可控制器件 102。應瞭解，或者/另外，光束11〇可為可移動的，而物 件台106及/或個別可控制器件1〇2可具有固定位置以提供 所需相對移動。此配置可輔助限制裝置之大小。在可（例 如）適用於平板顯示器之製造中的實施例中，物件台1〇6可 為靜止的，且定位元件116經組態以相對於（例如，遍及）物 件台106移動基板114。舉例而言，物件台1〇6可具備用以 橫越基板114以實質上恆定速度掃描基板114之系統。在進 行此過程時，物件台106可在平坦最上部表面上具備眾多 開口，氣體被饋入通過該等開口以提供能夠支撐基板丨工4 之氣墊（gas cushion)。此氣墊通常被稱作氣體軸承配置 (gas bearing arrangement)。使用一或多個致動器（圖中未 繪示）而遍及物件台1〇6移動基板114，該一或多個致動器 能夠相對於光束110之路徑準確地定位基板114。或者，可 藉由選擇性地開始及停止氣體通過開口之傳遞而相對於物 件台106移動基板114。在一實施例中，物件固持器1〇6可 為供捲動基板之卷軸系統（roll system)，且定位元件u 6可 為用以轉動卷軸系統以將基板提供至物件台1〇6上之焉 達。 154230.doc -10- 201137539 投影系統108(例如，石英及/或CaF2透鏡系統或包含由此 等材料製成之透鏡器件的反射折射系統，或鏡面系統）可 用以將藉由個別可控制器件102調變之經圖案化光束投影 至基板114之目標部分120(例如，一或多個晶粒）上。投影 系統108可對藉由複數個個別可控制器件ι〇2提供之圖案進 行投影成像，使得將圖案相干地形成於基板丨丨4上。或 者，投影系統108可投影次級源之影像，對於該等次級 q 源，複數個個別可控制器件102之器件擔當遮光片。 在此方面，投影系統可包含一聚焦器件或複數個聚焦器 件（在本文中一般地被稱作透鏡陣列），例如，微透鏡陣列 (被稱作MLA)或菲涅耳（1^沾61)透鏡陣列，例如，以形成 次級源且將光點成像至基板114上。在一實施例中，透鏡 陣列（例如，MLA)包含至少1〇個聚焦器件，例如，至少 _固聚焦器件、至少_〇個聚焦器件、至少1〇 〇〇〇個聚 焦器件、至少100,000個聚焦器件，或至少1〇〇〇 〇〇〇個聚 〇 焦、器件。在—實施例中’圖案化元件中之個別可控制器件 的數目等於或大於透鏡陣列中之聚焦器件的數目。在一實 &例巾，透鏡陣列包含m件，該聚焦器件係與個別 可控制器件陣列中之個別可控制器件中之一或多者光學地 相關聯，例如，僅與個別可控制器件陣列中之個別可控制 器件中之-者光學地相關聯，或與個別可控制器件陣列中 之個別可控制器件中之2者或2者以上（例如，3者或3者以 上、5者或5者以上、1〇者或1〇者以上、2〇者或加者以上、 25者或25者以上、35者或35者以上，或5()者心者 I54230.doc 201137539 光學地相關聯；在一實施例中，該聚焦器件係與5,〇〇〇個 以下個別可控制器件（例如，2,500個以下、】，〇〇〇個以下、 500個以下或100個以下）光學地相關聯。在—實施例中， 透鏡陣列包含一個以上聚焦器件（例如，^000個以上、大 多數或約全部）’該一個以上聚焦器件係與個別可控制器 件陣列中之個別可控制器件中之一或多者光學地相關聯。 在一實施例中，透鏡陣列係（例如）藉由使用一或多個致 動器而至少在至及遠離基板之方向上可移動。能夠將透鏡 陣列移動至及遠離基板會允許（例如）在不必移動基板的情 況下進行聚焦調整。在-實施例中，透鏡陣列中之個別透 鏡器件（例如，透鏡陣列中之每一個別透鏡器件）係至少在 至及遠離基板之方向上可移動（例如，用於在非平坦基板 上之局域聚焦調整或用以將每一光學圓柱帶入至相同聚焦 距離中）。 隹—貫施例中 、 干W已3 土 π |品益仟（孩等塑用 聚焦器件可易於製造（例如’射出成形）及/或係可負擔得走 的），其中（例如）輻射之波長大於或等於約400奈米（例如， 4〇5奈米）。在一實施例中’輻射之波長係選自約彻奈对 至_奈米之範圍。在一實施例中，透鏡陣列包含石英驾 焦器件。在-實施例中，該等聚焦器件中之每_者或複卖 者可為不對稱透鏡。不對稱性可對於複數個聚焦器件中之 每一者係相同的’或可對於複數個聚焦ϋ件中之_或多値 聚焦器件相較於對於複數個聚焦器件中之—或多個不同聚 焦益件係不同的。不對稱透鏡可促進將印圓形輕射輸出轉 154230.doc 12 201137539 換成圓形投影光點’或將圓形投影光點轉換成印圓形輕射 輸出。

在一實施例中，聚焦器件具有高數值孔徑（NA)，高na 經配置以在焦點外將輻射投影至基板上以獲得系統之低 NA。更高NA透鏡相較於可購得之mNA透鏡可為更經濟、 更普遍及/或品質更好。在一實施例中，低NA小於或等於 0.3，在一實施例中為〇·18、〇15或〇 15以下。因此，更高 να透鏡具有大於系統之設計1^人的ΝΑ，例如，大於〇 3、 大於0.18或大於0.15。 雖然在一實施例中投影系統係與圖案化元件1〇4分 離，但無需如此。投影系統1〇8可與圖案化元件1〇8成整 體舉例而5，透鏡陣列區塊或板可附接至圖案化元件 1〇4(與圖案化元件104成整體）。在一實施例中，透鏡陣列 可以個別空間分離小透鏡之形式，每—小透鏡附接至圖案 一件104之個別可定址器件（與圖案化元件1 之個別可 定址器件成整體）’如下文更詳細地所論述。 子月况微影裝置可包含輻射系统以將輻射（例如，紫 外線（UV)輪射）供應至複數個個別可控制器件⑺2。若圖案 兀件為輻射源自身（例如，雷射二極體陣列或LED陣 列）’則微影裝置可經設計成無輻射系統，亦即，無除了 圖，化π件自身以外之輻射源，或至少無簡化輻射系統。 二射。系統包括經組態以自輻射源接收輻射之照明系統 (只、、月益）。昭明备 下器件中之—或多者：輕射傳 、、^如，適當引導鏡面）丨輻射調節元件（例如，光束 154230.doc •13- 201137539 擴展器）；調整元件，其用以設定輻射之角強度分佈（通 常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑 向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別被稱作σ外部及σ内 部））；積光器；及/或聚光器。照明系統可用以調節將提供 至個別可控制器件102之輻射，以在輻射之橫截面中具有 所要均一性及強度分佈。照明系統可經配置以將輻射劃分 成複數個子光束’該等子光束可（例如）各自與複數個個別 可控制器件中之-或多者相關聯。二維繞射光拇可（例如） 用以將輻射劃分成子光束。在本描述中，術語「輻射光 束」涵蓋(但不限於)光束包含複數個此等賴射子光束之情 形。 轄射系統亦可包括輻射源（例如，準分子雷射），以產生 用於供應至複數個個別可控制器件1〇2或藉由複數個個別 可控制器件1〇2供應之輕射。舉例而言，當輻射源為準分 t雷射時’輻射源與微影裝置1⑽可為分離實體。在此等 N況下，不s忍為輕射源形成料$ # @ 1 ^ 夕取儆影裝置100之部分，且輻射 係自輻射源傳遞至照明器。. 在其他情況下，例如，當鲳射 源為水銀燈時，輻射源可為 馮微影裝置100之整體部分。應 瞭解，在本發明之料内預期兩種此等情景。 在一實施例中，輻射源（其 、在貫施例中可為複數個個 別可控制器件102)可提佴且士 ^ 仏具有至少5奈米之波長的輻射， 例如，波長為至少10奈米、 至夕50奈米、至少100奈米、 至少150奈米、至少175牟半 不木、至少200奈米、至少25〇奈 米、至少275奈米、至少3〇〇太， 〇不米、至少325奈米、至少35〇 154230.doc -14- 201137539 奈米或至少360奉半.威 米之波長，例如Λ 例中，輻射具有至多450奈 夕^ ，波長為至多425奈米、至多375夺米、至 平24 ^ 不'米、405奈米、365奈米、355奈 木、248奈米、193太 ,. 不…'、157不米、】26奈米及/或13.5奈米 太=:在-實施例中，輻射包括大約如奈米或大約355 Ο Ο 如，涵蓋祕奈米、包括寬波長頻帶，例 Μ ’、 不米及436奈米。可使用355奈米雷 :一實施例中’輕射具有約405奈米之波長。 在λ施例中，以在〇。與9〇。之間（例如5 )角度將輕射自照明系統引導於圖案化元件1 04處。可 將來自d明系統之輻射直接提供至圖案化元件⑺4。在一 替代實施例中，可藉由止击 』镨由先束分裂器（圖中未繪示）將輻射自 ^系統引導至圖案化元件1()4光束分裂器經組態成使 得最初藉由光束分裂器反射輻射且將輻射引導至圖案化元 件 圖案化70件104調變光束且將光束反射回至光束分 裂器’光束分裂器將經調變光束透射朝向基板114。然 而應瞭解，可使用替代配置以將輕射引導至圖案化元件 104且Ik後引導至基板114。詳言之，若使用透射圖案化元 件1〇4(例如’ LCD陣列）或圖案化元件1〇4係自發射的⑼ 如，複數個二極體），則可能不需要照明系統配置。 在微影裝置100之操作中（其中圖案化元件1〇4不係輕射 154230.doc -15· 201137539 發射的（例如’包含LED)) ’輻射係自輻射系統（照明系統 及/或輻射源）入射於圖案化元件104(例如，複數個個別可 控制器件）上’且係藉由圖案化元件1 04調變。經圖案化光 束110在已藉由複數個個別可控制器件1〇2產生之後傳遞通 過投影系統108，投影系統108將光束110聚焦至基板114之 目標部分120上。 憑藉定位元件116 (及（視情況）在基座i 3 6上之位置感測器 134(例如，接收干涉量測光束138之干涉量測元件、線性 編碼器或電容性感測器）），可準確地移動基板114，例如， 以使不同目標部分120定位於光束丨1〇之路徑中。在使用 時，用於複數個個別可控制器件1〇2之定位元件可用以（例 如）在掃描期間準確地校正複數個個別可控制器件1 相對 於光束110之路徑的位置。 儘管本文中將根據本發明之一實施例的微影裝置1描 述為用於曝光基板上之抗蝕劑，但應瞭解，裝置100可用 以奴〜經圖案化光束u 0以供在無抗蝕劑微影中使用。 如此處所描繪，微影裝置100為反射類型（例如，使用反 射個別可控制器件）。或者，裝置可為透射類型（例如，使 用透射個別可控制器件）。 100可用於一或多個模式中，例如： 1.在步進模式中’在將整個經圖案化輻射光束一次 =投影至目標部分12G上時，使個別可控制器件1G2及基板 114=基本上靜止（亦即，單次靜態曝幻。接著，使基板 及/或γ方向上移位’使得可將不同目標部分12〇曝 I54230.doc -16- 201137539 光至經圖案化輻射光束110。在步進模式中，曝光場之最 大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分120的大 ✓J、〇 2·在掃描模式中，在將經圖案化輻射光束110投影至目 . 標部分120上時’同步地掃描個別可控制器件1〇2及基板 114(亦即，單次動態曝光）。可藉由投影系統PS之放大率 (縮小率）及影像反轉特性來判定基板相對於個別可控制器 Q 件之速度及方向。在掃描模式中’曝光場之最大大小限制 單次動態曝光中之目標部分的寬度（在非掃描方向上），而 掃描運動之長度判定目標部分之高度（在掃描方向上）。 3. 在脈衝模式中，使個別可控制器件1〇2保持基本上靜 止，且使用脈動（例如，藉由脈衝式輻射源或藉由脈動個 別可控制器件提供）而將整個圖案投影至基板i 14之目標部 分120上。以基本上恆定速率移動基板丨14，使得導致經圖 案化光束110橫越基板114掃描一行（une)。在脈衝之間根 〇 據需要而更新藉由個別可控制器件提供之圖案且對脈衝進 仃時控，使得在基板114上之所需部位處曝光順次目標部 分120。因此，經圖案化光束11〇可橫越基板114進行掃描 以曝光用於基板114之條帶的完整圖案。重複該程序，直 到已逐行曝光完整基板114為止。 4. 在連續掃描模式中，與脈衝模式基本上相同，惟如下 情形除外：相對於經調變輻射光束B以實質上恆定速率掃 描基板114，且在經圖案化光束110橫越基板114進行掃描 且曝光基板114時更新個別可控制器件陣列上之圖案。可 154230.doc 17· 201137539 使用經同步於個別可控制器件陣列上之圖案之更新的實質 上怪定輻射源或脈衝式輻射源。 亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或 完全不同的使用模式。 圖2描繪用於晶圓（例如，3〇〇毫米晶圓）的根據本發明之 一實施例之微影裝置的示意性俯視圖。如圖2所示，微影 裝置100包含基板台106以固持晶圓114。用以在至少χ方向 上移動基板台106之定位元件116係與基板台1〇6相關聯。 視情況，定位元件116可在γ方向及/或2方向上移動基板台 106。定位元件η6亦可圍繞χ方向、γ方向及/或乙方向旋轉 基板台106。因此，定位元件116可提供在高達6個自由度 中之運動。在一實施例中，基板台1〇6提供僅在又方向上之 運動，此情形之優點為更低成本及更少複雜度。在一實施 例中’基板台1 06包含中繼光學器件。 微影裝置100進一步包含配置於框架16〇上之複數個個別 可定址器件102。框架16〇可與基板台1〇6及其定位元件ιΐ6 機械地隔離。可（例如）藉由與用於基板台106及/或其定位 凡件116之框架16〇分離地將框架16〇連接至地面或牢固基 座來提供機械隔離。或者或此外，可在框架16〇與框架丨6〇 被連接至之結構之間提供阻尼@，而無論該結構是地面、 牢固基座或是支撐基板台1〇6及/或其定位元件u6之框 架。 在此實施例中’個別可定址器件102中之每一者為一輻 射發射二極體’例如，i紫色雷射二極體。如圖2所示， 154230.doc 201137539 可將個別可定址器件102配置成沿著γ方向延伸之至少3個 刀離個別可定址器件i 〇2陣列。在一實施例中，個別可定 址裔件102陣列係在X方向上與鄰近個別可定址器件1〇2陣 列父錯。微影裝置1 00(特別為個別可定址器件102)可經配 . 置以提供本文中更詳細地所描述之像素栅格成像。 . 個別可疋址器件102陣列中之每一者可為一個別光學引 例中’可提供多圓柱光學配置，其中每一 圓柱。 擎組件之部分，該陣列及該個別光學引擎組件可出於容易 0 複製起見而被製造為一部件（unit)。此外，框架160可經組 態為可擴展且可組態的，以容易採用任何數目個此等光學 引擎組件。光學引擎組件可包含個別可定址器件1〇2陣列 與透鏡陣列m之組合（見（例如）圖8)。舉例而言，在圖2 中描繪3個光學引擎組件（其中一關聯透鏡陣列丨70處於 每一各別個別可定址器件102陣列下方）。因此，在一實施 其中每一光學引擎形成一 〇 另外，微影裝置10〇包含對準感測器15〇 £ 。對準感測器係

154230.doc •19- 201137539 或者或此外，微影裝置100包含位階感測器 senSor)i5〇。位階感測器15〇係用以判定基板是否位於 相對於來自個別可定址器件1()2之圖案的投影之位階處。 位I5自感測盗150可在曝光基板114之前及/或期間判定位 階。可藉由微影裝置100之控制器使用位階 果以控制（例如仪位元件116，以定位基板台⑽以改㈣ 平。或者或此外，控制器可控制（例如）與投影系統1〇8(例 如’透鏡陣列）相關聯之定位元件，以定位投影系統ι〇8(例 如’透鏡陣列)之器件以改良調平。在一實施例中，位階 感測器可藉由將超音波光束投影於基板1〇6處進行操作， 及/或藉由將電磁輻射光束投影於基板1〇6處進行操作。 在一實施例中，可使用來自對準感測器及/或位階感測 器之結果以更改藉由個別可定址器件102提供之圖案。可 更改圖案以校正（例如）可由（例如）個別可定址器件1〇2與基 板H4之間的光學器件（若存在）而引起的失真、基板ιΐ4之 疋位中的不規則性、基板114之不均勻度，等等。因此， 可使用來自對準感測器及/或位階感測器之結果以更改經 投影圖案以實現非線性失真校正。非線性失真校正可有用 於（例如）可能不具有一致線性或非線性失真之可撓性顯示 器。 在微影裝置100之操作中，使用（例如）機器人處置器（圖 中未繪不）將基板H4裝載至基板台106上。接著使基板114 在框架160及個別可定址器件1〇2下方於X方向上位移。藉 由位階感測器及/或對準感測器1 5 〇量測基板11 4，且接著 154230.doc •20· 201137539 使用個別可定址器件102將基板i 14曝光至圖案。舉例而 言’經由投影系統108之焦平面（影像平面）掃描基板114， 同時藉由圖案化元件104至少部分地開啟或完全地開啟或 關閉子光束且因此至少部分地開啟或完全地開啟或關閉影 •像光點S(見（例如）圖12)。將對應於圖案化元件1〇4之圖案 ‘的特徵形成於基板114上。可操作個別可定址器件〗〇2，例 如’以提供本文中所論述之像素柵格成像。 Q 在一實施例中，可完全地在正X方向上掃描基板114，且 接著完全地在負X方向上掃描基板丨14。在此實施例中對 於負X方向掃描，可能需要在個別可定址器件1〇2之對置側 上的額外位階感測器及/或對準感測器15〇。 圖3描繪用於在（例如）平板顯示器（例如，lcd、顯 不器，等等）之製造中曝光基板的根據本發明之一實施例 之Μ衫裝置的示意性俯視圖。如同圖2所示之微影裝置 100,微影裝置1〇〇包含：基板台106,基板台106係用以固 Ο 持平板顯示器基板114;定位元件116,定位元件116係用 以在高達6個自由度中㈣基板台1G6;對準錢器15〇, 對準感測器150係用以判定個別可定址器件1〇2與基板114 之間的對準’及位階感測器i 5〇 ,位階感測器i 係用以判 定基板114是否位於相對於來自個別可定址器件1G2之圖案 的投影之位階處。 微影裝置100進-步包含配置於框架160上之複數個個別 可定址器件102。在此實施例中，個別可定址M102令之 每一者為一輻射發射二極體，例如，藍紫色雷射二極體。 154230.doc -21- 201137539 如圖3所不’將個別可定址器件102配置成沿著γ方向延伸 之數個(例如’至少8個)靜止分離個別可定址器件102陣 列。在一實施例中，該等陣列實質上靜止，亦即，該等陣 列在投影期間不會顯著地移動。另外，在一實施例中，數 個個別可定址器件1〇2陣列係在χ方向上以交替方式與鄰近 個二可定址器件102陣列交錯。微影裝置⑽（特別為個別 可定址器件102)可經配置以提供像素栅格成像。 在微影裝置1〇〇之操作中，使用（例如）機器人處置器（圖 中未繪示）將平板顯示器基板114裝載至基板台106上。接 著使基板114在框架160及個別可定址器件i 〇2下方於χ方向 上位移。藉由位階感測器及/或對準感測器15〇量測基板 U4，且接著使用個別可定址器件1〇2將基板114曝光至圖 案。可操作個別可定址器件102，例如，以提供本文中所 論述之像素柵格成像。 圖4描繪用於卷軸式可撓性顯示器/電子器件的根據本發 明之一貫施例之微影裝置的示意性俯視圖。如同圖3所示 之微影裝置1〇〇，微影裝置100包含配置於框架16〇上之複 數個個別可定址器件102。在此實施例中，個別可定址器 件1 02中之每一者為一輻射發射二極體，例如，藍紫色雷 射二極體。另外，微影裝置包含：對準感測器15〇，對準 感測器150係用以判定個別可定址器件1〇2與基板i 14之間 的對準；及位階感測器150，位階感測器15〇係用以判定基 板114是否位於相對於來自個別可定址器件1〇2之圖案的投 影之位階處。 154230.doc -22· 201137539 微影裝置亦可包含具有物件台1〇6之物件固持器，基板 114係遍及物件台1〇6而移動。基板係可撓性的且捲動 至連接至定位元件116之卷軸上，定位元件116可為用以轉 動卷軸之馬達。在一實施例中，或者或此外，基板丨14可 自連接至疋位元件116之卷軸捲動，定位元件116可為用以 轉動卷轴之馬達。在一實施例中，存在至少兩個卷軸，一 卷軸係供基板自其捲動，且另一卷軸係供基板捲動至其 0 上在一實施例中，若（例如）基板114在該等卷軸之間足夠 堅硬，則無需提供物件台1〇6。在此情況下，仍將存在物 件固持器，例如，一或多個卷軸，在一實施例中，微影裝 置可提供無載體基板（例如，無載體箔片（carrier_less_f〇u, CLF))及/或卷軸式製造（r〇u t〇 r〇11 manufacturing)。在一 實施例中’微影裝置可提供單片連續式製造（sheet t〇 sheet manufacturing) ° 在微影裝置100之操作中，在框架160及個別可定址器件 〇 ι〇2下方於X方向上將可撓性基板114捲動至卷轴上及/或自 卷軸捲動可撓性基板114。藉由位階感測器及/或對準感測 器150量測基板114，且接著使用個別可定址器件1〇2將基 板114曝光至圖案。可操作個別可定址器件1〇2，例如，以 提供本文中所論述之像素柵格成像。 圖5描繪具有可移動個別可定址器件1〇2的根據本發明之 一實施例之微影裝置的示意性俯視圖。如同圖2所示之微 影裝置100,微影裝置100包含：基板台1〇6 ’基板台1〇6係 用以固持基板114 ;定位元件116，定位元件116係用以在 154230.doc •23- 201137539 高達6個自由度中移動基板台106 ;對準感測器15〇，對準 感測器150係用以判定個別可定址器件1〇2與基板114之間 的對準；及位階感測器150，位階感測器15〇係用以判定基 板Π4是否位於相對於來自個別可定址器件ι〇2之圖案的投 影之位階處。 微影裝置100進一步包含配置於框架160上之複數個個別 可定址器件102。在此實施例中，個別可定址器件1〇2中之 每一者為一輻射發射二極體，例如，雷射二極體（例如， 藍i色雷射二極體）。如圖5所示，將個別可定址器件J 〇2 配置成沿著Y方向延伸之數個分離個別可定址器件丨〇 2陣列 200。另外，在一實施例中，數個個別可定址器件1 陣列 2〇〇係在X方向上以交替方式與鄰近個別可定址器件ι〇2陣 列200交錯。微影裝置1〇〇(特別為個別可定址器件1〇勾可經 配置以提供像素柵格成像。然'而，在—實施例中，微影裝 置100無而提供像素柵格成像。相反地，微影裝置1〇〇可以 不形成用於投影至基板上之個別像素而是形成用於投影至 基板上之實質上連續影像的方式將二極體之輕射投影至基 板上。 在一實施例中，複數個個別可定址器件102中之一或多 者係可人移動於該—或多個個料定址n件係用以投影光束 之王邛或部分的曝光區域與該一或多個個別可定址器 件不投影光束U0之任何部分的曝光區域外部之部位^ 間在f施例中，一或多個個別可定址器件102為輕射 發射元件，該等輻射發射元件在曝光區域204(圖5中之淡 154230.doc •24- 201137539 陰影區域）中開啟或至少部分地開啟（亦即，該等輕射發射 元件發射輻射），且在位於曝光區域204外部時關閉（亦即， 該等輻射發射元件不發射輻射）。 在一實施例中’一或多個個別可定址器件102為輻射發 - 射元件，該等輻射發射元件可在曝光區域2〇4中及在曝光 -區域204外部開啟。在此情況下，若（例如）輻射未藉由一或 多個個別可定址器件1 〇2適當地投影於曝光區域2〇4中，則 〇 可在曝光區域204外部開啟一或多個個別可定址器件i 〇2以 提供補償曝光。舉例而言，參看圖5，可開啟與曝光區域 204對置之陣列之個別可定址器件1〇2中之一或多者，以校 正曝光區域204中之失敗或不適當的輻射投影。 在一實施例中，曝光區域204為狹長線。在一實施例 中，曝光區域204為一或多個個別可定址器件1〇2之單維陣 歹J在實施例中，曝光區域204為一或多個個別可定址 盗件102之二維陣列。在一實施例中，曝光區域2〇4狹長。 〇 在一實施例甲，可移動個別可定址器件102中之每一者 可分離地且未必一起作為一部件可移動。 在貫施例中，一或多個個別可定址器件係可移動的， 且在使用中，至少在投影光束110期間於橫向於光束之 傳播方向的方向上移動。舉例而言，在-實施例中，-或 多個個別可定址器件102為輻射發射元件，該等輕射發射 元件在投影光束110期問於奋哲μ本士 &，丄 4间於貝質上垂直於光束110之傳播方 向的方向上移動。 在一實施例中，陳列λ ^ |早列200中之母一者為一可橫向位移 154230.doc •25- 201137539 板’該可橫向位移板具有沿著該板所配置之複數個空間分 離個別可疋址器件1 〇2，如圖6所示。在使用中，每一板沿 著方向208平移。在使用中，對個別可定址器件！ 〇2之運動 進行適當地時控以位於曝光區域2〇4(在圖6中被展示為濃 陰影區域）中’以便投影光束11〇之全部或部分。舉例而 言’在一實施例中，一或多個個別可定址器件1 〇2為輻射 發射元件，且對個別可定址器件1〇2之開啟或關閉進行時 控’使得一或多個個別可定址器件1〇2在處於曝光區域2〇4 中時開啟且在處於區域204外部時關閉。舉例而言，在圖 6(A)中’在方向208上平移複數個二維輻射發射二極體陣 列200(兩個陣列係在正方向2〇8上且該兩個陣列之間的中 間陣列係在負方向208上）。對輻射發射二極體i 〇2之開啟 或關閉進行時控，使得每一陣列2〇〇之特定輻射發射二極 體102在處於曝光區域204中時開啟且在處於區域2〇4外部 時關閉。當然，當（例如）陣列200到達該等陣列之行進末端 時，陣列200可在相反方向上行進，亦即，兩個陣列係在 負方向208上且該兩個陣列之間的中間陣列係在正方向2〇8 上。在一另外實例中，在圖6(B)中，在方向2〇8上平移複 數個交插單維輻射發射二極體陣列2〇〇(在正方向2〇8及負 方向2 0 8上交替）。對輻射發射二極體丨〇 2之開啟或關閉進 行時控，使得每一陣列200之特定輻射發射二極體1〇2在處 於曝光區域204中時開啟且在處於區域2〇4外部時關閉。當 然，陣列200可在相反方向上行進。在一另外實例中在 圖6(C)中，在方向2〇8上平移單一輻射發射二極體陣列 154230.doc -26- 201137539 2〇0(被展示為一維，但無需如此）。對輻射發射二極體ι〇2 之開啟或關閉進打時控，使得每一陣列2〇〇之特定輻射發 射二極體102在處於曝光區域204中時開啟且在處於區域 204外部時關閉。 在一實施例中，陣列200中之每一者為一可旋轉板，該 . 可旋轉板具有圍繞該板所配置之複數個空間分離個別可定 址器件102。在使用中，每一板（例如）在藉由圖5中之箭頭 〇 所示之方向上圍繞其自有軸線206旋轉。亦即，陣列2〇0可 • 在如圖5所示之順時針方向及逆時針方向上交替地旋轉。 或者，陣列200中之每一者可在順時針方向上旋轉或在逆 時針方向上旋轉。在一實施例中，陣列2〇〇旋轉完整一 圈。在一實施例中’陣列2〇〇旋轉小於完整一圈之弧。在 一實施例中’若（例如）基板在Z方向上進行掃描，則陣列 2〇〇可圍繞延伸於X方向或γ方向上之軸線旋轉。在一實施 例中’參看圖6(D) ’陣列200之個別可定址器件1〇2可配置 〇 於邊緣處’且在向外朝向基板114之徑向方向上進行投 影。基板114可圍繞陣列200之側之至少一部分延伸。在此 情況下，陣列200圍繞延伸於X方向上之軸線旋轉，且基板 114在X方向上移動。 在使用中，對個別可定址器件102之運動進行適當地時 控以位於曝光區域204中，以便投影光束110之全部或部 分°舉例而言，在一實施例中，一或多個個別可定址器件 1 〇2為輻射發射元件，且對個別可定址器件1 〇2之開啟或關 閉進行時控，使得一或多個個別可定址器件102在處於曝 154230.doc -27· 201137539 光區域204中時開啟且在處於區域204外部時關閉。因此， 在一實施例中，可使輻射發射元件102在運動期間均保持 開啟’且接著將輻射發射元件102中之特定輻射發射元件 在曝光區域204中調變為關閉。可能需要在輻射發射元件 1 02與基板之間及在曝光區域204外部的適當屏蔽，以屏蔽 曝光區域204免於在曝光區域204外部開啟之輻射發射元件 102。使輻射發射元件1〇2—致地開啟可促進使輻射發射元 件102在使用期間處於實質上均一溫度下。在一實施例 中，可使輻射發射元件1 〇2時常保持關閉，且可使輻射發 射元件102中之一或多者在處於曝光區域204中時開啟。 在一實施例中，可旋轉板可具有圖7所示之組態。舉例 而言’在圖7(A)中，展示可旋轉板之示意性俯視圖。可旋 轉板可具有陣列200，陣列200具有圍繞該板所配置之多個 個別可定址器件1 02子陣列2 10(該可旋轉板相較於圖5之可 旋轉板示意性地展示圍繞該板所配置之單一個別可定址器 件102陣列200)。在圖7(A)中，子陣列210被展示為相對於 彼此交錯，使得一子陣列210之一個別可定址器件1 〇2處於 另一子陣列2 1 〇之兩個個別可定址器件1 〇2之間。然而，子 陣列210之個別可定址器件102可彼此對準。個別可定址器 件102可藉由馬達216圍繞一軸線個別地或一起旋轉，在此 實例中，該軸線通過馬達216而延伸於圖7(A)中之Z方向 上。馬達21 6可附接至可旋轉板且連接至框架（例如，框架 160)，或附接至框架（例如，框架16〇)且連接至可旋轉板。 在一實施例中’馬達2 1 6(或（例如）位於別處之某一馬達）可 154230.doc -28- 201137539 導致個別可定址器件102之其他移動（無論是個別地或是一 起）。舉例而言，馬達216可導致在X方向、y方向及/或z方 向上的個別可定址器件1〇2中之一或多者之平移。或者或 馬達216可導致圍繞X方向及/或γ方向的個別可定址 器件1〇2中之一或多者之旋轉（亦即，Rx運動及/或Ry運 動）。 在圖7(B)中被示思性地展示為俯視圖之可旋轉板的實施 0 例中忒可$疋轉板可在其中心區域中具有開口 212，其中 別可疋址器件1 〇2陣列2〇〇係配置於開口 2丨2外部之板 上因此，例如，可旋轉板可形成如圖7(B)所示之環形圓 盤，其中個別可定址器件1〇2陣列2〇〇係圍繞該圓盤而配 置開口可減少可旋轉板之重量，及/或促進冷卻個別可 定址器件102。 在一實施例中，可旋轉板可使用支撐件214而被支撐於 外部周邊處。支撑件214可為軸承，諸如滾筒轴承或氣體 〇 軸承。可藉由如圖7(A)所示之馬達216提供旋轉（及/或其他 移動，例如，在X方向、γ方向及/或2方向上之平移，及/ 或1運動及/或1運動）。或者或另外，支撐件214可包括馬 達以導致個別可定址器件102圍繞軸線人旋轉（及/或提供其 他移動，例如，在X方向、γ方向及/或乙方向上之平移， 及/或1運動及/4Ry運動）。 π在-實施射，參看圖7(d)ak7(e)，具有個別可定址 器件102陣列200之可旋轉板可附接至可旋轉結構218。可 旋轉結構218可藉由馬達220圍繞軸線3旋轉。另外，可旋 154230.doc -29- 201137539 轉板可藉由馬達216相對於可旋轉結構218旋轉，馬達216 導致可旋轉板圍繞軸線A旋轉。在一實施例中，旋轉軸線 A與旋轉軸線B不重合，且因此，該等軸線係空間分離

的’如圖7(D)及圖7⑻所示。在—實施例中，旋轉抽線A 與旋轉軸線B彼此實質上平行。在曝光期間之使用中，可 旋轉結構218及可旋轉板兩者均旋轉。可協調該旋轉，使 得曝光區域204中之個別可定址器件…可以實質上直線進 行對準。此情形可與（例如）圖5之實施例相比較，在圖5之 實施例中’曝光區域2G4中之個別可定址器件⑽可能不以 實質上直線進行對準。 在具有如上文所描述之可移動個別可定址器件的情況 下’可在需要時藉由將個別可定址器件移動至曝光區域 2⑽中來減少個別可定址器件之數目。因此，可減少熱負 荷。 、 在一實施例中，可描也 耠供比理确上所需要之可移動個 疋址Is件（例如，在 < 始 在了疑轉板上）更多的可移動個別可 ij 器件。此配置之可能儒+ 匕優點在於：若一或多個可移動個

定址器件中斷或夫鈐π从 J J ^ fa知作，則可代替地使用可移動個別可 疋址器件中之—或多個其他可移動個別可定址器件 或此外，額外可移動個別可定址器件可具有用 = 可定址器件上之熱負荷的優點，此係因為所存在之可= 個別可定址器件愈多，曰… 隹《了移動 則存在使曝光區域2 〇 4外部之砰你 動個別可定址器件A r。丨之可移 裔件冷邠的機會愈多。 在一實施例申，可 厂移動個別可定址器件102嵌入於包含 154230.doc •30· 201137539 低熱導率之材料中。舉例而言，該材料可為陶瓷，例如， 菫月石或以堇青石為基礎之陶瓷，及/或微晶玻璃陶瓷。 在一實施例中，可移動個別可定址器件102嵌入於包含高 熱導率之材料（例如，金屬，例如，相對輕量之金屬（例 如，銘或欽））中。 在一貝施例中，陣列2〇〇可包含溫度控制配置。舉例而 5，參看圖7(F)，陣列2〇〇可具有流體（例如，液體）傳導通 0 道222以在陣列200上' 在陣列200附近或通過陣列200輸送 冷卻流體以冷卻該陣列。通道222可連接至適當熱交換器 及泵228以使流體循環通過該通道。連接於通道222與熱交 換器及泵228之間的供應件（supply)224及返回件（return)226 可促進流體之循環及溫度控制。感測器234可提供於陣列 中陣列上或陣列附近，以量測陣列200之參數，該量測 可用以控制（例如）藉由熱交換器及泵提供之流體流的溫 度。在一實施例中，感測器234可量測陣列2〇〇本體之膨脹 〇 及/或收縮，該量測可用以控制藉由熱交換器及泵提供之 流體流的溫度。此膨脹及/或收縮可為溫度之代表。在一 實施例中，感測器234可與陣列200整合（如藉由以圓點之 形式的感測器234所示），及/或可與陣列2〇〇分離（如藉由以 方框之形式的感測器234所示）。與陣列2〇〇分離之感測器 234可為光學感測器。 在—實施例中，參看圖7(G)，陣列200可具有一或多個 散熱片230以增加用於熱耗散之表面區域。散熱片23〇可 (例如）處於陣列200之頂部表面上及/或陣列2〇〇之側表面 154230.doc •31 - 201137539 上視隋況彳提供一或多個另外散熱片以與散熱片 230 cr作以促進熱耗散。舉例而言，散熱片能夠自散熱 片吸收，、、' 且可類似於如圖7(F)所示且關於圖7(F)所描 述而包^體（例如’液體）傳導通道及關聯熱交換器/果。 在κ施例中，參看圖7(H)，陣列200可位於流體限制 結構236處或附近，流體限制結構236經組態以使流體238 維持接觸陣列2GG本體，以促進經由該流體之熱耗散。在 一實施例中，流體238可為液體，例如，水。在一實施例 中，流體限制結構236在其與陣列2〇〇本體之間提供密封。 在一實施例中，該密封可為經由（例如）氣體流動或毛細管 力所提供之無接觸密封。在一實施例中，類似於如關於流 體傳導通道222所論述，使流體238循環以促進熱耗散。可 藉由流體供應元件240供應流體238。 在一實施例中，參看圖7(Η)，陣列2〇〇可位於流體供應 兀件240處或附近，流體供應元件240經組態以將流體238 投射朝向陣列200本體，以促進經由該流體之熱耗散。在 一實施例中，流體238為氣體，例如，清潔乾燥空氣、 Nr惰性氣體，等等。雖然圖7(11)中一起展示流體限制結 構236及流體供應元件240 ,但無需一起提供流體限制結構 236及流體供應元件240。 在一實施例中，陣列200本體為具有（例如）用於流體傳 導通道222之空腔的實質上固體結構。在一實施例中，障 列200本體為實質上框架狀結構，該結構大部分敞開且各 種組件（例如，個別可定址器件1 〇2、流體傳導通道222， 154230.doc -32- 201137539 等等m接至該結構。此敞開狀結構促進氣體流動及/或增 加表面區域。在一實施例中，陣列200本體為實質上固體 結構，其中複數個空腔進入本體中或通過本體以促進氣體 流動及/或增加表面區域。 隸上文已描述用以提供冷卻之實施例，但或者或此 外，該等實施例可提供加熱。 在實細*例中，在曝光使用期間，使陣列2〇〇理想地保 Q 持於實質上恆定穩定狀態下。因此，例如，陣列2〇〇之個 別可定址器件1〇2中之全部或多數可在曝光之前被通電以 達到或接近所要穩定狀態溫度，且在曝光期間，任何一或 多個溫度控制配置均可用以冷卻及/或加熱陣列以維持 穩定狀態溫度。在-實施例中，任何一或多個溫度控制配 置均可用以在曝光之前加熱陣列2〇〇以達到或接近所要穩 疋狀L 度。接著，在曝光期間，任何—或多個溫度控制 配置均可用以冷卻及/或加熱陣列2〇〇以維持穩定狀態溫 ◎ 度。可以前饋及/或回饋方式使用來自感測器234之量測以 維持穩定狀態溫度。在一實施例中，複數個陣列2〇〇中之 每一者可具有相同穩定狀態溫度，或複數個陣列200中之 一或多個陣列200可具有與複數個陣列2〇〇中之一或多個其 他陣列200之穩定狀態溫度不同的穩定狀態溫度。在一實 施例中，陣列200被加熱至高於所要穩定狀態溫度之溫度 且接著在曝光期間下降，此係由於藉由任何一或多個溫度 控制配置施加之冷卻’及/或因為個別可定址器件1〇2之使 用不足以維持高於所要穩定狀態溫度之溫度。 154230.doc •33· 201137539 在一實施例中，為了改良熱控制及總冷卻，沿著及/或 橫越曝光區域增加陣列200本體之數目。因此，例如，代 替圖5所示之四個陣列2〇〇，可提供五個、六個、七個、八 個、九個、十個或十個以上陣列2〇〇。可提供更少陣列（例 如，一個陣列200)，例如，覆蓋基板之全寬度的單一大陣 列。 在一實施例中，如本文中所描述之透鏡陣列係與可移動 個別可定址器件相關聯或整合。舉例而言，透鏡陣列板可 附接至可移動陣列2〇〇中之每一者，且因此隨著個別可定 址器件102而可移動（例如，可旋轉）。如上文所論述，透鏡 陣列板可相對於個別可定址器件1〇2可位移（例如，在z方 向上）。在—實施例中，可針對陣列200提供複數個透鏡陣 列板’每一透鏡陣列板係與複數個個別可定址器件i 〇2之 不同子集相關聯。 在一實施例中，參看圖7(1)，單一分離透鏡242可附接於 每一個別可定址器件1〇2前方，且隨著個別可定址器件1〇2 而可移動（例如，圍繞軸線A可旋轉）。另外，透鏡242可經 由使用致動器244而相對於個別可定址器件1〇2可位移（例 如，在z方向上）。在一實施例中，參看圖7(乃，個別可定 址器件102及透鏡242可藉由致動器2料而相對於陣列2〇〇之 本體246—起位移。在一實施例中，致動器244經組態以僅 使透鏡242在Z方向上位移（亦即，相對於個別可定址器件 1 02或連同個別可定址器件102)。 在一貫施例中，致動器244經組態以使透鏡242在高達3 154230.doc -34· 201137539 個自由度中位移（z方向、圍繞x方向之旋轉，及/或圍繞y 方向之旋轉）。在一實施例中，致動器244經組態以使透鏡 242在高達6個自由度中位移。在透鏡242係相對於其個別 可定址器件102可移動時，可藉由致動器244移動透鏡242 以改變透鏡242相對於基板之聚焦位置。在透鏡242係隨著 其個別可定址器件1 〇2而可移動時，透鏡242之聚焦位置實 質上恆定，但相對於基板位移。在一實施例中，針對與陣 〇 列200之每一個別可定址器件102相關聯的每一透鏡242而 個別地控制透鏡242之移動。在一實施例中，複數個透鏡 242之子集係相對於或連同複數個透鏡242的複數個個別可 疋址器件102之關聯子集可一起移動。在此後者情形中， 可為了更低資料耗用及/或更快回應而損耗聚焦控制之精 細度。在一實施例中，可藉由散焦來調整藉由個別可定址 器件102提供之輻射之光點的大小，亦即，散焦得愈多， 則光點大小愈大。 〇 在一實施例中’參看圖7(Κ)，具有孔隙之孔隙結構248 可位於透鏡242下方。在一實施例中，孔隙結構248可在透 鏡242與關聯個別可定址器件1 〇2之間位於透鏡242上方。 孔隙結構248可限制透鏡242、關聯個別可定址器件1〇2及/ 或鄰近透鏡242/個別可定址器件1〇2之繞射效應。 在一實施例中，個別可定址器件1〇2可為輻射發射元 件’例如’雷射二極體。此輻射發射元件可具有高空間相 干性，且因此可呈現斑點問題。為了避免此斑點問題，應 藉由移位一光束部分相對於另一光束部分之相位來擾亂藉 154230.doc •35· 201137539 由輻射發射元件發射之輻射。在一實施例中，參看圖7(L) 及圖7(M) ’板250可位於（例如）框架16〇上，且個別可定址 裔件102相對於板250移動。隨著個別可定址器件1〇2相對 於且遍及板250移動，板250導致破壞藉由個別可定址器件 102發射朝向基板之輻射之空間相干性。在一實施例中， 隨著個別可定址器件102相對於且遍及板25〇移動，板25〇 位於透鏡242與其關聯個別可定址器件i 〇2之間。在一實施 例中，板250可位於透鏡242與基板之間。 在一實施例中，參看圖7(N)，空間相干性破壞元件252 可位於該基板與將輻射投影至曝光區域上之至少該等個別 可疋址态件1 02之間。在一實施例中，空間相干性破壞元 件252位於個別可定址器件1〇2與透鏡242之間，且可附接 至本體246。在一實施例中，空間相干性破壞元件252為相 位調變器、振動板或旋轉板。隨著個別可定址器件1〇2將 輻射投影朝向基板，空間相干性破壞元件252導致破壞藉 由個別可疋址器件1 〇2發射之輻射之空間相干性。 在實施例中’理想地經由高熱導率材料將透鏡陣列 (無响疋起作為部件或是作為個別透鏡）附接至陣列2〇〇， 以促進熱自透鏡陣列至陣列2〇〇之傳導，其中可更有利地 提供冷卻。 在實施例中，陣列200可包含一或多個聚焦或位階感 測器254，如同位階感測器150。舉例而言，感測器254可 經組態以針對陣列200之每一個別可定址器件102或針對陣 列200之複數個個別可定址器件ι〇2量測聚焦。因此，若偵 154230.doc -36 - 201137539 測到離焦條件，則可針對陣列200之每一個別可定址器件 102或針對陣列200之複數個個別可定址器件102校正聚 焦。可藉由（例如）在Z方向上（及/或圍繞X軸及/或圍繞γ軸） 移動透鏡242來校正聚焦。 在一實施例中，感測器254係與一個別可定址器件ι〇2成 . 整體（或可與陣列200之複數個個別可定址器件1 〇2成整 體）。參看圖7(0)，示意性地描繪實例感測器254。聚焦债 〇 測光束25 6經重新引導（例如，反射）離開基板表面、傳遞通 過透鏡242且藉由半鍵銀鏡面258引導朝向偵測器262。在 一實施例中，聚焦偵測光束256可為碰巧自基板重新引導 的用於曝光之輻射。在一實施例中，聚焦偵測光束256可 為引導於基板處且在藉由基板重新引導後隨即變為光束 256之專用光束。刀緣（knife edge)260(其可為孔隙）在光束 256照射偵測器262之前處於光束256之路徑中。在此實例 中，偵測器262包含在圖7(0)中藉由偵測器262之分裂所示 〇 的至少兩個輻射敏感部分（例如，區域或偵測器）。當基板 係聚焦時，清晰影像形成於刀緣260處，且因此，偵測器 262之輻射敏感部分接收相等量之輻射。當基板係離焦 時，光束256移位，且影像將形成於刀緣26〇前方或後方。 因此’刀緣260將截取光束256之特定部分，且偵測器262 之一輻射敏感部分相較於偵測器262之另一輻射敏感部分 將接收較少量之轄射。來自傾測器262之輻射敏感部分之 輸出信號的比較實現供重新引導光束256的基板之平面與 所要位置相差的量，及基板之平面不同於所要位置所在的 154230.doc •37· 201137539 方向。可電子地處理該4信號以給出（例如）可供調整透鏡 242之控制信號。鏡面258、刀緣260及偵測器262可安裝至 陣列200。在一實施例中，偵測器262可為四邊形單元 (quad cell)。 在一實施例中，可提供400個個別可定址器件丨〇2，其中 133個工作（在任一時間）。在一實施例中，6〇〇個至個 工作之個別可定址器件102可具備（視情況）額外個別可定址 器件102以作為（例如）儲備物及/或用於校正曝光（如（例如） 上文所論述）。工作之個別可定址器件1〇2之數目可取決於 (例如）抗蝕劑’抗蝕劑需要特定輻射劑量以用於圖案化。 在個別可定址器件102係可旋轉時（諸如個別可定址器件 102)，個別可定址器件102可隨著12〇〇個工作之個別可定 址器件102而在6赫茲之頻率下旋轉。若存在更少個別可定 址器件102，則可在更高頻率下旋轉個別可定址器件丨〇2 ; 若存在更多個別可定址器件102，則可在更低頻率下旋轉 個別可定址器件1 02。 在一實施例中，相較於一個別可定址器件1〇2陣列，可 使用可移動個別可定址器件i 〇2來減少個別可定址器件i 〇2 之數目。舉例而言’可提供600個至12〇〇個工作（在任一時 刻）之個別可定址器件1 〇2。此外，減少之數目可得到與一 個別可定址器件102陣列實質上類似但具有一或多個益處 的結果。舉例而言，對於使用紫藍色二極體陣列之足夠曝 光此力’可能需要100,〇〇〇個紫藍色二極體之陣列，例 如，以200個二極體乘5〇〇個二極體進行配置。在1〇千赫茲 154230.doc 38· 201137539 之頻率下操作的情況下’每雷射二極體之光學功率將為 0.33毫瓦特。每雷射二極體之電功率將為15〇 mAx4.1 V。因此，對於該陣列，電功率將為i5千瓦特。在 使用可移動個別可定址器件之實施例中，可提供4〇〇個紫 藍色二極體，其中133個工作。在9百萬赫茲之頻率下操作 的情況下，每雷射二極體之光學功率將為25〇毫瓦特。每 雷射二極體之電功率將為1000 mW=24〇 mAx4 2 V。因

Ο 此，對於該陣列，電功率將為133瓦特。因此，可在如（例 如）圖7(P)所示之光學輸出功率相對於前向電流曲線毫 安培相對於35毫安培）之陡峭部分中操作可移動個別可定 址器件配置之二極體，從而得到每二極體之高輸出功率 (250毫瓦特相對於〇.33毫瓦特）’但得到複數個個別可定址 器件之低電功率（133瓦特相對於15千瓦特）。因此，二極體 可被更有效率地使用且導致更少功率消耗及/或熱。 因此’在-實施例中’在功率，前向電流曲線之陡峭部 分中操作二極體。在功率/前向電流曲線之非陡峭部分中 操作可導致輻射之不相干性。在一實施例中以大於5毫 瓦特但小於或等於20毫瓦特或小於或等於3〇毫瓦特或小於 或等於40毫瓦特之光學功率操作二極體。在—實施例中， 不以大於300毫瓦特之光學功率操作二極體。在一實施例 中’在單模式而非多模式中操作二極體。 陣列200上之個別可定址器件1〇2的數目可尤其（且在一 定程度上亦如上文所敍述）取決於陣列2〇〇意欲覆蓋的曝光 區域之長度、在曝光期間移動該陣列之速率、光點大小 154230.doc •39· 201137539 (亦即，自個別可定址器件102投影於基板上之光點的橫截 面尺寸，例如，寬度/直徑）' 個別可定址器件中之每—者 應提供的所要強度（例如，無論是否需要遍及一個以上個 別可定址器件而擴展基板上之光點的所意欲劑量以避免對 基板或基板上之抗蝕劑的損害）、基板之所要掃描速率、 成本考慮、可開啟或關閉個別可定址器件之頻率，及針對 冗餘個別可定址器件102之需要（如早期所論述；例如，（例 如）在一或多個個別可定址器件發生故障的情況下用於校 正曝光或作為儲備物）^在一實施例中，陣列2〇〇包含至少 100個個別可定址器件1〇2，例如，至少2〇〇個個別可定址 器件、至少400個個別可定址器件、至少6〇〇個個別可定址 器件、至少1000個個別可定址器件、至少15〇〇個個別可定 址器件、至少2500個個別可定址器件，或至少5〇〇〇個個別 可定址器件。在一實施例中，陣列2〇〇包含5〇〇〇〇個以下個 別可定址器件102，例如，25000個以下個別可定址器件、 1 5000個以下個別可定址器件、10000個以下個別可定址器 件、7500個以下個別可定址器件、5〇〇〇個以下個別可定址 器件、2500個以下個別可定址器件、12〇〇個以下個別可定 址器件、600個以下個別可定址器件，或3〇〇個以下個別可 定址器件。 在一實施例中，對於每一 1 〇公分之曝光區域長度（亦 即’將一陣列中之個別可定址器件的數目正規化成丨〇公分 之曝光區域長度），陣列200包含至少1 〇〇個個別可定址器 件102，例如，至少2〇〇個個別可定址器件、至少400個個 154230.doc -40- 201137539 別可定址器件、至少600個個別可定址器件、至少1〇〇〇個 個別可定址器件、至少1500個個別可定址器件、至少25〇〇 個個別可定址器件，或至少5000個個別可定址器件。在— 實施例中，對於每一 10公分之曝光區域長度（亦即，將— - 陣列中之個別可定址器件的數目正規化成10公分之曝光區 • 域長度），陣列200包含50000個以下個別可定址器件1〇2, 例如，25000個以下個別可定址器件、15〇〇〇個以下個別可 〇 定址器件、1〇0〇〇個以下個別可定址器件、7500個以下個 別可疋址器件' 5000個以下個別可定址器件、25〇〇個以下 個別可定址器件、1200個以下個別可定址器件、6〇〇個以 下個別可定址器件，或3〇〇個以下個別可定址器件。 在一實施例中，陣列200包含75%以下冗餘個別可定址 器件102，例如，67%或67%以下、5〇〇/。或5〇〇/。以下、約 /〇 或 33 /〇 以下、25。/。或 25% 以下、20°/。或 20°/。以下、1 〇% 或0 /〇以下，或5%或5。/〇以下。在一實施例中，陣列包 ❹ 含至少5%冗餘個別可定址器件102 ,例如，至少1〇%、至 )25%、至少33%、至少5〇%，或至少㈣。在一實施例 中該陣歹】包含約67%冗餘個別可定址器件。 在H靶例中，基板上之個別可定址器件的光點大小為 ^微米或10微米以下、5微米或5微米以下例如，3微米 ，微米以下、2微米或2微米以下、1微米或1微米以下、 微米或0.5微米以下、〇 3微米或〇·3微米以下，或約 微米。在一f-M /rt , <J中’基板上之個別可定址器件的光點大 小為0.1微米或〇 1與业 .1喊未以上、0.2微米或0.2微米以上、0.3 154230.doc -41- 201137539 微米或0.3微米以上、〇·5微米或〇5微米以上、〇·7微米或 .7微米以上、1微米或i微米以上、15微米或Μ微米以 上、2微米或2微米以上，或5微米或5微米以上。在一實施 例中，光點大小為約（M微米。在—實施例中光點大小 為約0.5微米。在一實施例中，光點大小為。 在微影裂置100之操作中，使用（例如）機器人處置器（圖 中未繪_基板114|載至基板台⑽上。接著使基板ιΐ4 在框架160及個別可定址器件1〇2下方於χ方向上位移。藉 由位階感測器及/或對準感測器15〇量測基板ιΐ4，且接著 使用個別可定址器件102將基板114曝光至圖案，如上文所 描述。可操作個別可定址器件1〇2，例如，以提供本文中 所論述之像素栅格成像。 圖8描緣根據本發明之—實施例之微影裝置的示意性側 視圖。如圖8所示，微影裝置⑽包含圖案化元件1〇4及投 〜系統108。投影系統108包含兩個透鏡1 %、m。第一透 鏡176經配置以自圖案化元件1〇4接收經調變輻射光束 11〇，且將其聚焦通過孔徑光閣174中之對比孔隙。另外透 鏡（圖中未繪示）可位於該孔隙中。輻射光束ιι〇接著發散且 藉由第二透鏡172(例如，場透鏡）聚焦。 投影系統108進一步包含經配置以接收經調變輻射光束 110之透鏡陣列170。對應於圖案化元件丨〇4中之個別可控 制器件中之一或多者的經調變輻射光束11〇之不同部分傳 遞通過透斜列17〇巾之各別不同透鏡。每—透鏡將經調 變輻射光束110之各別部分聚焦至位於基板114上之點。以 154230.doc -42· 201137539 此方式，將輻射光點S陣列（見圖12)曝光至基板114上。應 瞭解，儘官僅展示所說明之透鏡陣列丨70之五個透鏡，但 該透鏡陣列▼包含數百㈤或數千個透鏡（用錢案化元件 104之個別可控制器件亦如此）。 ， 如圖8所示，自由工作距離FWD提供於基板114與透鏡陣 列170之間。此距離允許移動基板丨丨4及/或透鏡陣列1以 允許（例如）♦焦校正。在一實施例中，自由工作距離係在1 0 笔米至3毫米之範圍内，例如，約1.4毫米。圖案化元件 1〇4之個別可定址器件係以間—而配置此情形導致基板 114處之成像光點的關聯間距ρ。在一實施例中，透鏡陣列 170可提供〇.15或〇18之财。在-實施例中，成像光點大 小為大約1.6微米。 在此實施例中，投影系統1〇8可為1:1投影系统，此在 於.基板114上之影像光點的陣列間隔係與圖案化元件104 之像素的陣列間隔相同。為了提供改良型解析度，影像光 ◎ 點可顯著地小於圖案化元件1〇4之像素。 圖9描緣根據本發明之—實施例之微影裝置的示意性側 視圖。在此實施例中，除了透鏡陣列170以外，在圖案化 元件104與基板114之間不存在光學器件。 圖9之微影裝置100包含圖案化元件1〇4及投影系統1〇8。 在此If况下，投影系統1〇8僅包含經配置以接收經調變輕 射光束110之透鏡陣列m。對應於圖案化元件⑽中之個 別可控制盗件中之一或多者的經調變輕射光束㈣之不同 部分傳遞通過透鏡陣列170中之各別不同透鏡。每一透鏡 154230.doc -43· 201137539 將經調變輻射光束11 〇之各別部分聚焦至位於基板u 4上之 點。以此方式’將輻射光點S陣列（見圖12)曝光至基板114 上。應瞭解’儘管僅展示所說明之透鏡陣列1 7〇之五個透 鏡’但該透鏡陣列可包含數百個或數千個透鏡（用作圖案 化元件104之個別可控制器件亦如此）。 如同在圖8中，自由工作距離FWD提供於基板114與透鏡 陣列170之間。此距離允許移動基板114及/或透鏡陣列17〇 以允弄（例如）聚焦校正。圖案化元件1 〇4之個別可定址器件 係以間距P而配置，此情形導致基板114處之成像光點的關 聯間距P。在一實施例中’透鏡陣列170可提供〇.丨5之NA。 在一貫施例中，成像光點大小為大約1 6微米。 圖10描繪使用如上文關於圖5所描述之可移動個別可定 址器件102的根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性 側視圖。在此實施例中，除了透鏡陣列17〇以外在圖案 化元件104與基板114之間不存在其他光學器件。 圖1〇之微影裝置1〇〇包含圖案化元件104及投影系統 。在此情況下，投影系統1〇8僅包含經配置以接收經調 變輻射光束11〇之透鏡陣列170。對應於圖案化元件ι〇4中 之個別可控制器件中之-或多者的經調變輻射光束ιι〇之 不同部分傳遞通過透鏡陣列170中之各別不同透鏡。每一 透鏡將經調變輻射光束m之各別部分聚焦至位於基板ιΐ4 上之點。以此方式，將輻射光點s陣列（見圖12)曝光至基 板m上。應瞭解，儘管僅展示所說明之透鏡陣列丨心 個透鏡，但該透鏡陣列可包含數百個或數千個透鏡（用作 154230.doc -44- 201137539 圖案化元件104之個別可控制器件亦如此p 如同在圖8中，自由工作距離FWD提供於基板114與透鏡 陣列170之間。此距離允許移動基板114及/或透鏡陣列 以允♦(例如）聚焦校正。圖案化元件1 之個別可定址考件 係以間距P而配置，此情形導致基板114處之成像光點的關 聯間距P。在一實施例中，透鏡陣列17〇可提供〇152Na。 在一實施例中，成像光點大小為大約1 · 6微米。 圖11說明複數個個別可定址器件1〇2，特別為六個個別 可定址器件102。在此實施例中，個別可定址器件丨〇2中之 母一者為一輻射發射二極體，例如，藍紫色雷射二極體。 每一輻射發射二極體橋接兩條電線，以將電流供應至輻射 發射一極體以控制二極體。因此，二極體形成可定址柵 格。兩條電線之間的寬度為大約250微米，且輻射發射二 極體具有大約500微米之間距。 圖12示意性地說明可如何產生基板114上之圖案。實心 圓圈表示藉由投影系統108中之透鏡陣列MLA投影至基板 114上的光點S陣列。當一系列曝光被曝光於基板丨〖4上 時，在X方向上相對於投影系統108移動該基板。空心圓圈 表示先前已被曝光於基板上之光點曝光SE。如所展示，藉 由投影系統108内之透鏡陣列170投影至基板丨14上的每_ 光點將光點曝光之列R曝光於基板114上。藉由光點8中之 每一者所曝光之光點曝光SE之所有列r的總和來產生用於 基板114之完整圖案。此配置通常被稱作「像素栅格成 像」。應瞭解’圖12為示意性圖式且光點s實務上可重疊。 154230.doc -45- 201137539 可看出，輻射光點s陣列係以相對於基板114之角度 配置(基板m之邊緣平行於χ方向及γ方向進二過 程’使得當在掃描方向（X方向）上移動基板114時，每一輕 射光點將傳遞遍及該基板之*同區域，藉此允許藉由輕射 光點SP車列來覆蓋整個基板。在—實施例中，角度α為至多 ，、10。，例如，至多5。、至多3。、至灼。、至多〇5。、 至多0.25。、至多0.10。、至多〇 〇5。，或至多〇 〇1。。在一實 施例中，角度《為至少0.0001。，例如，至少〇〇〇1。。根據 在垂直於掃描方向之方向上的影像光點大小及陣列間隔而 判定在掃描方向上陣列之傾斜角α及寬度，以確保定址基 板114之整個表面區域。 圖I3不意性地展示可如何藉由使用複數個光學引擎而在 單··人掃描中曝光整個基板114，每一光學引擎包含—戋多 個個別可定址器件。藉由八個光學引擎產生八個輻射光點 S陣列SA(圖中未繪示），該等光學引擎係以「棋盤形」或 交錯組態而配置成兩列尺丨、R2，使得一輻射光點s陣列之 邊緣與鄰近輻射光點S陣列之邊緣略微重疊。在一實施例 中，光學引擎經配置成至少3列，例如，4列或5列。以此 方式，輻射頻帶延伸橫越基板W之寬度，從而允許在單次 掃描中執行整個基板之曝光。此「全寬度」單次通過曝光 有助於避免連接兩次或兩次以上通過之可能壓合問題且 亦可減少機器佔據面積，此係因為基板可能無需在橫向於 基板通過方向之方向上移動。應瞭解，可使用任何適當數 目個光學引擎。在一實施例中，光學引擎之數目為至少 154230.doc •46- 201137539 1，例如，至少2、至少4、至少8、至少1〇、至少12、至少 14,或至少17。在一實施例中，光學引擎之數目少於仂， 例如，少於30或少於20。每一光學引擎可包含一分離圖案 化元件104,及（視情況）如上文所描述之一分離投影系統 108及/或輻射系統。然而，應瞭解，兩個或兩個以上光學 引擎可共用輻射系統、圖案化元件⑽及/或投影系統10予8 中之一或多者的至少一部分。

〇 Α在本文令所描述之實施例中，提供控制器以控制個別可 定址器件。舉例而t，在個別可定址器件為輻射發射元件 之實例中，控制器可控制何時開啟或關閉個別可定址器 件’且實現個別可定址器件之高頻率調變。控制器可控制 藉。由個別可之—或多者發射之輕射的功率。控 制器可調變藉由個別可定址器件中之—或多者發射之輕射 的強度。控制器可橫越個別可^址器件陣列之全部或部分 而控制/調整強度均—性。控制器可調整個別可定址器件 之輻射輸出以校正成像誤差，例如，光像 (例如’營形像差、像散性，等等學像差 夂儆影中 史评f王地將丞扳上之抗蝕劑層曝光至 3射（例如’ ϋ由將抗钮劑層曝光至經圖案化輻射）而在美 7產生所要特徵。接收特定最小輻射劑量（「劑量臨限 變」=抗姓劑之區域經歷化學反應，而其他區域保持不 =抗_層中之因此產生的化學差異允許顯影抗钱劑， 亦Ρ，選擇性地移除$小ρ拉丨^丨1 未接收到m/、 劑量之區域或移除 、炤量之區域。結果，基板之部分仍受到抗蝕 154230.doc -47· 201137539 劑保漠，*曝光供移除抗㈣彳的基板之區域，從而允許 (例如)額外處理步驟，例如，基板之選擇性蝕刻、選擇性 金屬沈積，等等’藉此產生所要特徵。圖案化輻射可藉由 如下操作實現.設定圖案化元件中之個別可控制器件，使 得在所要特徵内透射至基板上之抗蝕劑層之區域的輻射係 在足夠高之強度下以使得該區域在曝光期間接收高於劑量 臨限值之輻射劑量’而基板上之其他區域藉由設定對應個 別可控制器件以提供零或顯著更低輻射強度來接收低於劑 量臨限值之輻射劑量。 實務上，即使設定個別可控制器件以在特徵邊界之一側 上提供最大輻射強度且在另一側上提供最小輻射強度，所 要特徵之邊緣處的輻射劑量亦可能不會自給定最大劑量突 然地改變至零劑量。取而代之，歸因於繞射效應輻射劑 量之位準可橫越過渡區而下降。接著藉由經接收劑量下降 至低於輻射劑量臨限值時之位置來判定在顯影抗蝕劑之後 最終形成之所要特徵之邊界的位置。可藉由設定將輻射提 供至處於特徵邊界上或附近的基板上之點的個別可控制器 件不僅達最大強度位準或最小強度位準而且達在最大強度 位準與最小強度位準之間的強度位準來更精確地控制橫越 過渡區之輻射劑量下降之輪廓，且因此更精確地控制特徵 邊界之精確位置。此情形通常被稱作「灰階化」（graySealing) 或「灰階層次化」（grayleveling)。 相較於在一微影系統中可能提供之控制，灰階調整化可 提供特徵邊界之位置的更大控制，在該微影系統中，僅可 154230.doc -48- 201137539 將藉由給定個別可控制器件提供至基板之輻射強度設定至 兩個值（即，僅僅最大值及最小值）。在一實施例中，可將 至少三個不同輻射強度值投影至基板上，例如，至少4個 輻射強度值、至少8個輻射強度值、至少16個輻射強度 值、至少32個輻射強度值、至少“個輻射強度值、至少 。1G0個輻射強度值、至少128個輻射強度值，或至少⑸個 輻射強度值。若圖案化元件為輻射源自身(例如，發光二 〇 S體或雷射二極體陣列），則可（例如）藉由控制經透射之轄 射的強度位準來實現灰階調整化。若對比元件為微鏡面: 件，則可(例如)藉由控制微鏡面之傾斜角來實現灰階調整 化。又，可藉由分組對比元件中之複數個可程式化器件且 控制在給定時間開啟或關閉的群組内之器件的數目來實現 灰階調整化。 在一實例中’圖案化it件可具有-系列狀態，該等狀態 包括：（a)所提供輻射對其對應像素之強度分佈有最小貢獻 〇 或甚至有零貢獻的黑色狀態；（b)所提供輻射產生最大貢獻 之最白狀態；及（c)所提供輻射產生中間貢獻之複數個狀 態。該等狀態被劃分成用於正常光束圖案化/印刷之正常 集合，及用於補償有缺陷器件之效應的補償集合。正常集 合包含黑色狀態，及中間狀態之第一群組。此第一群組將 被描述為灰色狀態，且該等灰色狀態係可選擇以向對應像 素強度提供自最小黑色值直至特定正常最大值之逐漸增加 的貢獻。補償集合包含中間狀態之剩餘第二群組，連同最 白狀態。中間狀態之此第二群組將被描述為白色狀態，且 154230.doc •49- 201137539 該等白色狀態係可選擇以提供大於正常最大值之貢獻，從 而逐漸地增加直至對應於最白狀態之真實最大值。儘管中 間狀態之第二群組被描述為白色狀態，但應瞭解，此情形 僅僅係促進區別正常曝光步驟與補償曝光步驟。或者，整 個複數個狀態可被描述為在里色 牡"、、邑與白色之間的灰色狀態序 列，該等灰色狀態係可選擇以實現灰階印刷。 應瞭解，可出於上文所描述 9的之額外或替代目的而 調整化。舉例而言，可調諧在曝光之後基板之處 摘使传取決於經接收輕射劑量位準，存在基板之區域的 射劑量的基板之部分以第—方第—臨限值之輕 臨限值但低於第-”值之以作出回應；接收高於第一 方… 值之輪射劑量的基板之部分以第二 万式作出回應；且接此古女 之部分以第—士斗 ν、弟—I限值之輻射劑量的基板 越美板而； 出回應。因此，灰階調整化可用以橫 越基板而提供具有兩個 廓。在一管浐以士 所要劑置位準之輻射劑量輪 位準，例如^ , 輪廓具有至少2個所要劑量 至>、3個所要輻射劑量 射劑量位準、至少6個所要_劑量斤要輻 輻射劑量位準。 ％里位》《至少8個所要 應進—步瞭解，可藉由除 制在基板上之每 :在°上文所描述的藉由僅僅控 控制輻射劑量於施與射之強度以外的方法來 之每-點接收：二:：”，或者或另外，藉由基板上 間進行控制。作為HI精由控制該點之曝光的持續時 作為一另外貫例，基板上之每—點可在複數 154230.doc -50- 201137539 :順次曝光中潛在地接收輻射。因此，或者或另外，藉由 母—點接收之輻射劑量可藉由使用該複數次順次曝光之選 定子集來曝光該點進行控制。 為了在基板上形成圖案，有必要在曝光程序期間之每一 • ^ #又將圖案化元件中之個別可控制器件中之每-者設定至 '、 心因此，必須將表示必需狀態之控制信號傳輸至 個別可控制益件中之每一者。理想地，微影裝置包括產生 〇 信號之控制器400。可將待形成於基板上之圖案以向 量定義格式（例如’ GDSII)提供至微影裝置。為了將設計 貧訊轉換成用於每一個別可控制器件之控制信號，控制器 包括-或多個資料操縱元件，該一或多個資料操縱元件各 自經組態以對表示圖案之資料_流執行處理步驟。資料操 縱疋件可被共同地稱作「資料路徑」（datapath)。 一資料路徑之資料操縱元件可經組態以執行以下功能中之 2或多者：將以向量為基礎之設計資訊轉換成位元映像圖 0案請m映像圖案資料轉換成所需輻射劑量映像 (即，橫越基板之所需輻射劑量輪靡）；將所需輻射劑量映 像轉換成每一個別可控制器件之所需輕射強度值；及將每 個別可控制器件之所需輻射強度值轉換成對應控制信 在-實施例中，可藉由有線或無線通信將 至個別可㈣ϋ㈣2及/或—❹個 遠供應 -)。另外’可將來自個別可控制器件1〇2及/或來自一或多 個其他以牛(例如，感測器)之信號傳達至控制器你 154230.doc •51 _ 201137539 參看圖14(A)，在一無線實施例中，收發器（或僅僅傳輸 器）406發射體現用於藉由收發器（或僅僅接收器）4〇2接收之 控制信號的信號。藉由一或多條線404將控制信號傳輸至 各別個別可控制器件102。在一實施例中，來自收發器4〇6 之信號可體現多個控制信號’且收發器402可將信號解多 工成用於各別個別可控制器件！ 〇2及/或一或多個其他元件 (例如，感測器）之多個控制信號。在一實施例中，無線傳 輸可藉由射頻（RF)。 參看圖14(B) ’在一有線實施例中，一或多條線4〇4可將 控制器400連接至個別可控制器件1〇2及/或一或多個其他 兀*件（例如，感測器）。在一實施例中，可提供單一線4〇4以 將控制信號中之每一者攜載至陣列2〇〇本體及/或自陣列 2〇〇本體攜載控制信號中之每一者。在陣列2〇〇本體處，可 接著將控制信號個別地提供至個別可控制器件丨〇2及/或一 或多個其他元件（例如，感測器）。舉例而言，如同無線實 例，控制信號可經多工以用於傳輸於單一線上，且接著經 解多工以用於提供至個別可控制器件102及/或一或多個其 他元件（例如，感測H)。在—實施财，可提供複數條線 4〇4以攜_別可控制器件1〇2及/或一或多個其他元件（例 如’感測II)之各別_信號^在_2嶋可旋轉之實施 例中，可沿著旋轉轴線A提供線4G4。在一實施例中，可經 由在馬達2 16處或周圍之滑動接點將信號提供至陣列鹰本 ^ 遐杈供L旎。此情形可對於可旋轉實施 命ί係、有利的。該滑動接馱π 154230.doc -52. 201137539 在一實施例中，線404可為光學線。在該情況下，信號 可為光學信號，其中（例如）可在不同波長下攜載不同控制 信號。 以與控制信號類似之方式，可藉由有線或無線手段將功 - 率供應至個別可控制器件102或一或多個其他元件（例如， - 感測器）。舉例而言，在一有線實施例中，可藉由一或多 條線404供應功率，而無論線4〇4是與攜載該等信號之線相 Q 同或是不同。可如上文所論述而提供滑動接點配置以傳輸 功率。在一無線實施例中，可藉由RF-合傳送功率。 雖然先前論述集中於供應至個別可控制器件1〇2及/或一 或多個其他元件（例如，感測器）之控制信號，但或者或此 外，該等控制信號應被理解為經由適當組態而涵蓋俨沪 個別可控制器件102及/或自一或多個其他元件(例如：：測 器）至控制器400之傳輪。因此，通信可為單向的（例如，僅 至或自個別可控制器件1〇2及/或一或多個其他元細如， 〇 f測器））或雙向的（亦即，自及至個別可控制器件102及/或 -或多個其他元件(例如’感測器))。舉例而言，收發器 彻可多工來自個別可控制器件102及/或來自—或多個其 他几件（例如，感測器）之多個信號以用於傳輸至收發薄 該信號在收發器概處可經解多工成個別信號。。 可ΐ響中’可更改用以提供圖案之控制信號以考量 :響基板上之圖案之適當供應及/或實現的因素。舉例 心，可將校正應用於控制信號以考量陣列2〇〇中之一或 夕的加熱。此加熱可導致個別可控制器件1〇2之指向方 154230.doc -53- 201137539 向改變、來自個別可控制器件102之輻射之均一性改變， 等等。在一實施例中，可使用來自（例如）感測器234的與陣 列200(例如，個別可控制器件1〇2中之一或多者之陣列㈣ 相關聯之經量測溫度及/或膨脹/收縮以更改原本被提供以 形成圖案之控制信號。因此，例如，在曝光期間，個別可 控制器件102之溫度可變化，該變化導致將在單一恆定溫 度：所提供之經投影圖案改變。因此，可更改控制信號： 考里此變化。類似地，在—實施例中，可使用來自對準感 測器及/或位階感測器150之結果以更改藉由個別可控制器 件102提供之圖案。可更改圖案以校正（例如）可由⑽如）個 別可控制器件102與基板114之間@光學器件（若存在）而引 起的失真、基板U4之定位中的不規則性、基板114之不均 勻度，等等。 在-實施例中，可基於由經量測參數（例如，經量測溫 度、藉由位階感測器之經量測距離，等等)而引起的關於 要圖案之物理/光學結果的理論而判定控制信號之改 變在ϋ施例中，可基於由經量測參數而引起的關於所 要圖案之物理/光學結果的實驗或經驗模型而判定控制信 號之改變。在一實施例巾，可以前饋及/或回饋方式應用 控制信號之改變。 /在實施例中，微影裝置可包含感測器5〇〇以量測已或 待藉由-或多個個別可控制器件102透射朝向基板之輻射 的:…此感測器可為光點感測器或透射影像感測器。感 、、^7可用以（例如）判定來自個別可控制器件1 之輻射的強 154230.doc -54- 201137539 度、來自個別可控制器件102之輻射的均一性、來自個別 可控制器件102之輻射之光點的橫截面大小或面積，及，或 來自個別可控制器件102之輻射之光點的部位（在χ_γ平面 中）。 圖1 5彳田繪展不感測器500之一些實例部位的根據本發明 之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖。在一實施例中， 一或多個感測器5〇〇提供於用以固持基板j 14之基板台1〇6 中或上。舉例而言，感測器5〇〇可提供於基板台1〇6之前邊 緣及/或基板台106之後邊緣處。在此實例中，展示四個感 測器500，每一陣列200係針對一個感測器。理想地，該等 感測器位於將不藉由基板116覆蓋之位置處。在一替代或 額外實例中’感測器可提供於基板台106之側邊緣處，理 想地提供於將不藉由基板Π 6覆蓋之部位處。基板台！ 〇6之 前邊緣處的感測器500可用於個別可控制器件1 〇2之曝光前 偵測。基板台106之後邊緣處的感測器5〇〇可用於個別可控 制器件102之曝光後偵測。基板台1 〇6之側邊緣處的感測器 5〇〇可用於個別可控制器件102在曝光期間之偵測（「在運 作中」（on-the-fly)之偵測）。 參看圖16(A) ’描繪·根據本發明之一實施例之微影裝置 之部分的示意性側視圖。在此實例中，僅描繪單一陣列 200，且出於清晰起見而省略微影裝置之其他部分；本文 中所描述之感測器可應用於陣列200中之每一者或一些。 圖16(A)中描繪感測器5〇〇之部位的一些額外或替代實例 (除了基板台106之感測器500以外）。第一實例為經由光束 154230.doc -55- 201137539 重新引導結構502(例如，反射鏡面配置）自個別可控制器件 102接收輻射的在框架160上之感測器5〇〇。在此第一實例 中，個別可控制器件102在X-Y平面中移動，且因此，可定 位個別可控制器件1 02中之不同個別可控制器件以將輻射 提供至光束重新引導結構5〇2。第二額外或替代實例為自 個別可控制器件102之背側（亦即，與供提供曝光輻射之侧 對置的側）接收來自個別可控制器件1〇2之輻射的在框架 160上之感測器500。在此第二實例中，個別可控制器件 102在X-Y平面中移動，且因此，可定位個別可控制器件 102中之不同個別可控制器件以將輻射提供至感測器5〇〇。 雖然在第二實例中於曝光區域2〇4處之個別可控制器件1〇2 的路徑中展示感測器500，但感測器500可位於描繪感測器 51〇之處。在一實施例中，在框架16〇上之感測器5〇〇處於 固定位置中，或另外可依靠（例如）關聯致動器而可移動。 除了曝光前及/或曝光後感測以外或替代曝光前及/或曝光 後感測，上文之第一實例及第二實例亦可用以提供「在運 作中」之感測。第三實例為在結構5〇4、506上之感測器 500。結構504、506可藉由致動器508而可移動。在一實施 例中，結構504位於路徑下方的基板台將移動之處（如圖 16(A)所示）或位於路徑之側處。在一實施例中，結構5〇4 可藉由致動器508移動至圖16(A)中展示基板台1〇6之感測 器5〇0所在的位置（若基板台1〇6不處於此處），此移動可在 Z方向上（如圖16(A)所示）或在X方向及/或γ方向上（若結構 5〇4處於路徑之側處）。在一實施例中，結構5〇6位於路徑 154230.doc -56· 201137539 上方的基板台將移動之處（如圖16(A)所示）或位於路徑之側 處。在一實施例中，結構506可藉由致動器508移動至圖 16(A)中展示基板台1〇6之感測器500所在的位置（若基板台 106不處於此處）。結構506可附接至框架160且係相對於框 架160可位移。 在用以量測已或待藉由一或多個個別可控制器件1 〇2透 射朝向基板之輻射之特性的操作中，藉由移動感測器5〇0 〇 及/或移動個別可控制器件102之輻射光束而使感測器500 位於來自個別可控制器件1 〇2之輻射的路徑中。因此，作 為一實例’可移動基板台106以將感測器500定位於來自個 別可控制器件102之輕射的路徑中，如圖16(A)所示。在此 情況下，感測器500定位至曝光區域204處之個別可控制器 件102的路徑中。在一實施例中，感測器5〇〇可定位至曝光 區域204外部之個別可控制器件1〇2(例如，在左側所展示 之個別可控制器件1〇2(若光束重新引導結構5〇2不處於此 Q 處））的路徑中。一旦位於輻射之路徑中，感測器500隨即可 偵測輻射且量測輻射之特性。為了促進感測，感測器5〇〇 可相對於個別可控制器件1〇2移動，及/或個別可控制器件 102可相對於感測器500移動。 作為一另外實例，可將個別可控制器件1〇2移動至一位 置，使得來自個別可控制器件1〇2之輻射照射光束重新引 導結構502 ^光束重新引導結構5〇2將光束引導至在框架 160上之感測器500。為了促進感測，感測器5〇〇可相對於 個別可控制器件102移動，及/或個別可控制器件1〇2可相 154230.doc •57- 201137539 對於感測器500移動。在此實例中，在曝光區域2〇4外部量 測個別可控制器件102。 在一實施例中，感測器500可為固定或移動的。若為固 定的’則個別可控制器件102理想地係相對於固定感測器 5 00可移動以促進感測。舉例而言，可相對於感測考 500(例如’在框架160上之感測器500)移動（例如，旋轉或 平移）陣列200以促進藉由感測器5〇〇之感測。若感測器5〇〇 係可移動的（例如，在基板台106上之感測器5〇〇)，則可使 個別可控制器件102保持靜止以用於感測，或另外使其移 動以（例如）加速感測。 可使用感測器500以校準個別可控制器件1〇2中之一或多 者。舉例而言，可在曝光之前藉由感測器5〇〇偵測個別可 控制器件102之光點的部位且相應地校準系統。可接著基 於光點之此預期部位而調控曝光（例如，控制基板丨14之位 置、控制個別可控制器件1〇2之位置、控制個別可控制器 件102之關閉或開啟，等等）。另外，可隨後進行校準。舉 例而言，可使用（例如）在基板台1〇6之後邊緣上的感測器 500而立即在曝光之後且在另外曝光之前進行校準。可在 每一曝光之前、在特定數目次曝光之後等等進行校準。另 外’可使用m 500l^「在運作中」<貞測個別可控制器 件102之光點的部位，且相應地調控曝光。或許可基於 在運作中」之感測而重新校準個別可控制器件1 〇2。 在貫把例中，可編碼一或多個個別可控制器件1 〇2， 以便能夠偵測哪一個別可控制器件102處於特定位置或正 154230.doc -58. 201137539 被使用。在一實施例中，個別可控制器件102可具有標 記，且感測器5 10可用以偵測可為RFID、條碼等等之標 記。舉例而言，可移動複數個個別可控制器件丨〇2中之每 一者以鄰近於感測器510以讀取標記。在認識到哪一個別 可控制器件102鄰近於感測器5 10的情況下，有可能知道哪 一個別可控制器件102鄰近於感測器500、處於曝光區域 204中’等等。在一實施例中，每一個別可控制器件1 02可 用以提供具有不同頻率之輻射，且感測器500、5 1 0可用以 〇 债測哪一個別可控制器件102鄰近於感測器50〇、5 1〇。舉 例而言’可移動複數個個別可控制器件丨〇2中之每一者以 鄰近於感測器500、510以自個別可控制器件1〇2接收輻 射，且接著’感測器500、5 10可解多工經接收輕射以判定 在特定時間哪一個別可控制器件1〇2鄰近於感測器5〇〇、 5 10。在此認識的情況下，有可能知道哪一個別可控制器 件102鄰近於感測器5〇〇、處於曝光區域204中，等等。 〇 在一實施例中，如上文所論述’可提供位置感測器以判 定在高達ό個自由度中個別可控制器件1〇2中之一或多者之 位置。舉例而言’感測器5 10可用於位置偵測。在一實施 例中，感測器5 1 〇可包含干涉計。在一實施例中，感測器 5 10可包含編碼器’該編碼器可用以偵測一或多個單維編 碼器光柵及/或一或多個二維編碼器光柵。 在一實施例中’可提供感測器52〇以判定已透射至基板 之輕射的特性。在此實施例中，感測器52〇捕獲藉由基板 重新引導之韓射。在一實例使用中，藉由感測器52〇捕獲 154230.doc •59· 201137539 之丄重新引導輻射可用以促 102之Μ紅， j疋來自個別可控制器件 102之輻射之光點的部位 $ M, 來自個別可控制器件102 :射之光點的未對準)。詳言之，感測 f之剛剛經曝光部分重新引導的輕射(亦即，潛影)= 重：引導輻射之強度的量測可給出是否已適當地對準 光點之指示。舉例而言，此〃 b尾之重後量測可給出重複性 心號，自該重複性信號 _ 〜I偏差將私不光點之未對準（例 如4相信號可指示未對準）116(B)描綠感測器520之债 測£域相對於基板114之經曝光區域522的示意性位置。在 此實施例中，展示三個偵測區域，該等读測區域之結果可 經比較及/或組合以促進辨識未對準。僅需要使用一個偵 測區域，例如，在左側之偵測區域。在一實施例中，可以 與感測器520類似之方式使用個別可控制器件1〇2之偵測器 犯言’可使用在右側之陣列細之曝光區域剔 外部的一或多個個別可控制器件1〇2以偵測自基板上之潛 影重新引導的輻射。 圖1 7描纷微影裝置之一實施例。在此實施例中，複數個 们另j 了控制器件1 〇2將輻射引導朝向可旋轉多邊形6〇〇。輻 射所照射的多邊形600之表面6〇4將輻射重新引導朝向透鏡 陣歹】1 70。透鏡陣列1 70將輻射引導朝向基板114。在曝光 』間多邊形圍繞軸線602旋轉，從而導致來自複數個 個別可控制器件丨〇2中之每一者的各別光束橫越透鏡陣列 170在γ方向上移動。具體而言，當用輻射照射多邊形6〇〇 之每一新刻面時，光束將橫越透鏡陣列170在正γ方向上重 154230.doc -60 - 201137539 複地掃描。在曝光期間調變個別可控制器件ι〇2以提供本 文中所論述之所要圖案。多邊形可具有任何數目個適# 側另外，用旋轉多邊形600在時序方面調變個別可控制 器件102，使得各別光束照射透鏡陣列17〇之透鏡。在一實 . 施例中，可將另外複數個個別可控制器件1 〇2提供於多邊 幵;^對置侧上（亦~，在右側），則更導致輕射照射多邊形 600之表面606。 0 在一實施例中，可使用振動光學器件以代替多邊形 600。振動光學器件具有相對於透鏡陣列17〇之特定固定角 度，且可在Y方向上來回地平移以導致光束在γ方向上橫 越透鏡陣列170而來回地進行掃描。在一實施例中，可使 用圍繞軸線602經由弧而來回地旋轉之光學器件以代替多 邊形600。藉由經由弧而來回地旋轉光學器件，導致光束 在Y方向上橫越透鏡陣列170而來回地進行掃描。在一實施 例中，多邊形600、振動光學器件及/或旋轉光學器件具有 ◎ 一或多個鏡面表面。在一實施例中，多邊形600、振動光 學器件及/或旋轉光學器件包含棱鏡。在一實施例中，可 使用聲光調變器以代替多邊形600。可使用聲光調變器以 使光束橫越透鏡陣列170進行掃描》在一實施例中，透鏡 陣列170可置放於複數個個別可控制器件ι〇2與多邊形 600、振動光學器件、旋轉光學器件及/或聲光調變器之間 的輻射路徑中。 因此’通常’曝光區域（例如’基板）之寬度相較於被劃 分成曝光區域之寬度的該等輻射輸出之寬度可被覆蓋有更 154230.doc • 61 · 201137539 少輻射輸出。在一實施例中，此情形可包含相對於曝光區 域移動輻射光束源，或相對於曝光區域移動輻射光束。 圖1 8描繪具有可移動個別可控制器件丨〇2的根據本發明 之一實施例之微影裝置的示意性橫截面側視圖。如同圖5 所不之微影裝置100，微影裝置100包含：基板台1〇6，基 板台106係用以固持基板；及定位元件116，定位元件116 係用以在高達6個自由度中移動基板台1〇6。 微影裝置100進一步包含配置於框架16〇上之複數個個別 可控制器件1 02。在此實施例中，個別可控制器件丨〇2中之 每一者為一輻射發射二極體，例如，雷射二極體（例如，

藍兔色雷射二極體）。個別可控制器件1〇2經配置成沿著Y 方向延伸之個別可控制器件1〇2陣列2〇〇。雖然展示一個陣 列200,但微影裝置可具有如（例如）圖5所示之複數個陣列 200 ° 在此實施例中，陣列200為可旋轉板，該可旋轉板具有 圍繞該板所配置之複數個空間分離個別可控制器件1〇2。 在使用中，該板（例如）在藉由圖5中之箭頭所示之方向上圍 繞其自有轴線206旋轉。使用馬達216圍繞軸線2〇6旋轉陣 列200之板。另外，可藉由馬達叫在冗方向上移動陣列 之板，使得可使個別可控制器件1〇2相對於基板台1〇6位 移。 在此實施例中，陣列2〇〇可具有一或多個散熱片23〇以增 加用於熱耗散之表面區域。散熱片23〇可(例如)處於陣列 200之頂表面上。視情況，可提供一或多個另外散熱片 154230.doc 201137539 232以與散熱片230合作以促進熱耗散。舉例而言，散熱片 232能夠自散熱片230吸收熱’且可類似於如圖7(F)所示且 關於圖7(F)所描述而包含流體（例如，液體）傳導通道及關 聯熱交換器/泵。 在此實施例中，透鏡242可位於每一個別可控制器件j 〇2 前方’且係隨著個別可控制器件1 〇2而可移動（例如，圍繞 軸線A可旋轉）。在圖18中，兩個透鏡242經展示且附接至 陣列200。另外，透鏡242可相對於個別可控制器件1 〇2可 Γ) ° 位移（例如，在z方向上）。 在此實施例中，具有孔隙之孔隙結構248可在透鏡242與 關聯個別可控制器件1 〇 2之間位於透鏡2 4 2上方。孔隙結構 248可限制透鏡242、關聯個別可控制器件102及/或鄰近透 鏡242/個別可控制器件1〇2之繞射效應。 在此實施例中’感測器254可具備個別可定址器件 102(或具備陣列200之複數個個別可定址器件1〇2)。在此實 Q 施例中，感測器254經配置以偵測聚焦。聚焦偵測光束256 經重新引導（例如，反射）離開基板表面、傳遞通過透鏡242 且藉由（例如）半鍍銀鏡面258引導朝向偵測器262。在一實 施例中’表焦债測光束2 5 6可為碰巧自基板重新引導的用 於曝光之輻射。在一實施例中，聚焦偵測光束256可為引 導於基板處且在藉由基板重新引導後隨即變為光束256之 專用光束。上文關於圖7(0)描述實例聚焦感測器。鏡面 258及偵測器262可安裝至陣列200。 在此實施例中’可藉由有線或無線通信將控制信號供應 154230.doc •63· 201137539 至個別可控㈣件丨〇2及/或—或多個其他元件（例如，感測 斋）。另外，可將來自個別可控制器件1〇2及/或來自一或多 個其他元件(例如，感測器)之信號傳達至控制器。在圖a 中，可沿著旋轉轴線206提供線4〇4β在—實施例中，線 4〇4可為光學線。在該情況下，信號可為光學信號 (例如)可在不同波長下攜載不同控制信號。以與控制芦號 類似之方式’可藉由有線或無線手段將功率供應至個二 控制器件1〇2或一或多個其他元件(例如，感測器)。舉例而 言，在-有線實施例中，可藉由一或多條線4〇4供應功 率，而無論線404是與攜載該等信號之線相同或是不同。 在一無線實施例中’可藉由如700處所示2RF耦合傳送功 率 〇 在此實施例中，微影裝置可包含感測器5〇〇以量測已或 待藉由多個個別可㈣器件1〇2透㈣向基板之輻射 的特性。此感測H可為光點感測器或透射影像感測器。感 測器可用以（例如）判定來自個別可控制器件！ G 2之輻射的強 度、來自個別可控制器件102之輻射的均一性、來自個別 可控制器件102之輻射之光點的橫截面大小或面積，及/或 來自個別可控制器件1 〇2之輻射之光點的部位（在χ_γ平面 )在此實施例中，感測器500處於框架1 6〇上，且可鄰 近於基板台106或係經由基板台1〇6可近接。 在—實施例中，在曝光基板期間，個別可控制器件1〇2 在χ-γ平面中實質上靜止，而非使個別可控制器件1〇2在 Y平面中可移動。此情形並非意味著可控制器件1 可能 154230.doc 201137539 不在Χ-Υ平面中可软紅 動。舉例而言’該等可控制器件可在 Χ-Υ平面中可蔣叙 什』在 移動U校正該等可控制器件之位置。使可 制器件102實質上籍— 靜止之可能優點為更容易將功率及/或資 料轉移至可控制器件⑽。另外或替代可能優點為局域地 調整聚焦以補償基板之高度差的改良型能力，高度差大於 系統之聚焦冰度且係在比移動可控制器件之間距高的空間 頻率上。 Ο 在此實施例十’雖然可控制器件1G2實質上靜止，但存 在相對於個別可控制器件1〇2移動之至少一光學器件。在 下文中描述在χ_γ平面中實質上靜止之個別可控制器件 及相對於個別可控制器件1〇2可移動之光學器件的各種配 置。 在下文之描述中，術語「透鏡」在内容背景允許時應通 常被理解為涵蓋各種類型之光學組件中之任—者嘎其組 合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件，諸如 Q 提供與參考透鏡之功能相同的功能之任何折射、反射及/ 或繞射光學器件。舉例而言，可以具有光學功率之習知折 射透鏡的形式、以具有光學功率之史瓦茲西耳德 (Schwarzschild)反射系統的形式及/或以具有光學功率之波 帶片（zone plate)的形式體現成像透鏡。此外，若所得效應 係在基板上產生收斂光束，則成像透鏡可包含非成像光學 器件。 另外，在下文之描述中，參考複數個個別可控制器件 102 ’諸如鏡面陣列調變器之鏡面或複數個輻射源。然 154230.doc -65- 201137539 而’該描述應更通常被理解為涉及經配置以輸出複數個光 束之調變器。舉例而言，調變器可為聲光調變器以自藉由 輻射源提供之光束輸出複數個光束。 圖19描繪微影裝置之部分的示意性俯視圖佈局，微影裝 置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止 之複數個個別可控制器件102(例如，雷射二極體）及相對於 個別可控制器件102可移動之光學器件242。在此實施例 中，複數個個別可控制器件102附接至框架且在χ_γ平面中 實質上靜止’複數個成像透鏡242相對於該等個別可控制 益件102實質上在χ_γ平面中移動（如在圖19中藉由轉輪 之旋轉之指示所示），且基板在方向8〇3上移動。在一實施 例中，成像透鏡242藉由圍繞軸線旋轉而相對於個別可控 制器件102移動。在一實施例中，成像透鏡242安裝於圍繞 軸線旋轉（例如，在圖19所示之方向上）且以圓形方式所配 置（例如，如圖19部分地所示）之結構上。 個別可控制器件1 〇2中之每一者將經準直光束提供至移 動成像透鏡242。在一實施例中，個別可控制器件1〇2係與 用以提供經準直光束之一或多個準直透鏡相關聯。在一實 施例中，準直透鏡在Χ_Υ平面中實質上靜止，騎接至個 別可控制器件1〇2被附接至之框架。 在此實施例中，經準直光束之橫截面寬度小於成像透鏡 242之橫載面寬度。因此，—旦經準直光束完全地落入成 像透鏡242之光學透射部分内，$即可開啟個別可控制器 件102(例如’一極體雷射ρ當光束落入成像透鏡Μ?之光 154230.doc -66 - 201137539 i射1^刀外時，則關閉個別可控制器件102(例如，二極 體雷射）S此，在一實施例中，來自個別可控制器件102 之光束在任—時間傳遞通過單一成像透鏡242。成像透鏡 2 4 2㈣於來自個別可控制器件1〇 2之光束的所得橫穿自開 _ &之每—個別可控制器件1G2在基板上得到關聯的經成像 •、二_。在圖19中’相對於圖19中之三個實例個別可控制 态件102中之每一者而展示三個經成像線8〇〇，但將顯而易 見，圖19中之其他個別可控制器件102可在基板上產生關 聯的經成像線8〇〇。 在圖19佈局中，成像透鏡242間距可為1_5毫米，且來自 個別可控制器件1〇2中之每一者之光束的橫截面寬度⑼ 如，直徑）稍微小於〇.5毫米。在此組態的情況下，有可能 用每一個別可控制器件1〇2書寫長度為約】毫米之線。因 此，在0.5毫米之光束直徑及K5毫米之成像透鏡242直徑的 此配置中’作用時間德環可南達6 7 %。在個別可控制器件 Q 102相對於成像透鏡242之適當定位的情況下，橫越基板之 寬度之全覆蓋係可能的。因此，例如，若僅使用標準5 6 毫米直徑雷射二極體，則可使用雷射二極體之若干同心環 (如圖19所示）以獲取橫越基板之寬度之全覆蓋。因此，在 此實施例中，也許有可能使用比僅僅使用固定個別可控制 器件102陣列之情況下或或許比本文中所描述之移動個別 可控制器件102之情況下更少的個別可控制器件1〇2(例 如’雷射二極體）。 在此實施例中，成像透鏡242中之每一者應相同，此係 154230.doc •67- 201137539 因為每個別可控制器件102將藉由所有移動成像透鏡242 成像。在此實施例中，所有成像透鏡242均無需成像場， 但需要更高NA透鏡，例如，大於〇3、大於〇18或大於 0.15。在此單器件光學器件的情況下，繞射有限成像係可 能的。 基板上之光束的聚焦固定至成像透鏡242之光軸，而獨 立於經準直光束進入該透鏡之處（見（例如）圖20 ,其描繪圖 1 9之微影裝置之部分的示意性三維圖式）。此配置之缺點 在於.自成像透鏡242朝向基板之光束並非遠心的，且因 此’可能發生聚焦誤差，從而可能導致疊對誤差。 在此實施例中’藉由使用不在X-Y平面中（例如，在個別 可控制益件102處）移動之器件來調整聚焦將很可能導致漸 暈（vignetting)。因此，應在移動成像透鏡242中發生所要 聚焦調整。因此，此情形可能需要比移動成像透鏡242更 高之頻率的致動器。 圖2 1描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝 置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止 之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學 器件’且展示成像透鏡242集合相對於個別可控制器件之 三個不同旋轉位置。在此實施例中，圖丨9及圖2〇之微影裝 置係精由使成像透鏡242包含兩個透鏡802、804以自個別 可控制器件102接收經準直光束而擴充。如同在圖19中， 成像透鏡242在X-Y平面中相對於個別可控制器件1 〇2移動 (例如’圍繞一軸線旋轉，在該軸線中，至少部分地以圓 154230.doc •68- 201137539 形方式配置成像透鏡242)。在此實施例中，來自個別可控 制1§件102之光束在到達成像透鏡242之前係藉由透鏡806 準直，但在一實施例中，無需提供此透鏡。透鏡806在X-Y 平面中實質上靜止。基板在X方向上移動。 兩個透鏡802、804配置於自個別可控制器件1 〇2至基板 之經準直光束的光徑中，以使朝向基板之光束係遠心的。 在個別可控制器件102與透鏡804之間，透鏡802包含具有 實質上相等焦距之兩個透鏡802A、802B。來自個別可控 制器件102之經準直光束聚焦於兩個透鏡8〇2A、802B之 間’使得透鏡802B將光束準直朝向成像透鏡804。成像透 鏡804將光束成像至基板上。 在此實施例中’透鏡802相對於個別可控制器件1 〇2在X-Y平面中以特定速率移動（例如，特定的每分鐘轉數 (RPM))。因此，在此實施例中，若移動成像透鏡804正以 與透鏡802之速率相同的速率移動，則來自透鏡802之射出 經準直光束將在X-Y平面中具有兩倍於移動成像透鏡804之 速率的速率》因此，在此實施例中，成像透鏡8〇4相對於 個別可控制器件102以不同於透鏡802之速率的速率移動。 詳言之，成像透鏡804在X-Y平面中以兩倍於透鏡802之速 率（例如，兩倍於透鏡802之RPM)的速率移動，使得光束將 遠心地聚焦於基板上。圖21中之三個實例位置中示意性地 展示自透鏡802至成像透鏡8 04之射出經準直光束的此對 準。另外，因為相較於圖19之實例將以兩倍的速率進行在 基板上之實際書寫，所以應加倍個別可控制器件1〇2之功 154230.doc •69· 201137539 率。 在此實施例中，藉由使用不在χ_γ平面中（例如，在個別 可控制器件1 02處）移動之器件來調整聚焦將很可能導致遠 心性知失且導致漸暈。因此，應在移動成像透鏡242中發 生所要聚焦調整。 另外，在此實施例中，所有成像透鏡242均無需成像 場。在此單器件光學器件的情況下，繞射有限成像係可能 的。約65%之作用時間循環係可能的。在一實施例中，透 鏡806、8〇2Α、802Β及804可包含2個非球面透鏡及2個球 面透鏡。 在一實施例中，可使用約380個個別可控制器件1〇2(例 如，標準雷射二極體）。在一實施例中，可使用約14〇〇個 成像透鏡242集合。在使用標準雷射二極體之實施例中， 可使用約4200個成像透鏡242集合，該等集合可以6個同心 環配置於一轉輪上。在一實施例中，成像透鏡之旋轉轉輪 將以約12,000 RPM旋轉。 圖22描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝 置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止 之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學 器件’且展示成像透鏡242集合相對於個別可控制器件之 二個不同旋轉位置。在此實施例中’為了避免如關於圖2 j 所描述之以不同速率移動透鏡，可如圖22所示而使用用於 移動成像透鏡242之所謂的4f遠心縮進（telecentric in)/遠心 伸出（telecentric out)成像系統。移動成像透鏡242包含在 154230.doc -70- 201137539 χ_γ平面中以實質上相同速率移動（例如，圍繞一軸線旋 轉’在該轴線中，至少部分地以圓形方式配置成像透鏡 242)之兩個成像透鏡議、81()，且接收遠心光束以作為輸 入，且將遠心成像光束輸出至基板。在放大率為丨之此配 - 置中，基板上之影像比移動成像透鏡242快兩倍而移動。 |板在X方向上移動。在此配置中，光學器件將很可能需 要以相對較大NA成像場，例如，大於〇3、大於〇18或大 〇 於〇·15。在兩個單器件光學器件的情況下，此配置也許不 係可能的。可能需要具有極準確之對準容許度之六個或六 個以上器件以獲取繞射有限影像。約65%之作用時間循環 係可能的。在此實施例中，亦相對易於用不沿著或結合可 移動成像透鏡242移動之器件局域地聚焦。 圖23描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝 置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止 之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學 〇 器件，且展示成像透鏡242集合相對於個別可控制器件之 五個不同旋轉位置。在此實施例中，為了避免如關於圖2ι 所描述之以不同速率移動透鏡且為了使光學器件不會如關 於圖22所敍述之成像場，將在Χ-Υ平面中實質上靜止之透 鏡的組合與移動成像透鏡242組合。參看圖23，提供在 平面中實質上靜止之個別可控制器件102。提供在χ_γ平面 中實質上靜止之選用準直透鏡806，以準直來自個別可控 制器件102之光束，且將經準直光束（具有（例如）〇5毫米之 橫截面寬度（例如’直徑）)提供至透鏡812。 154230.doc -71 - 201137539 透鏡812在Χ-Υ平面中亦實質上靜止，且將緝準直光束 聚焦至移動成像透鏡242之場透鏡814(具有（例如）1.5毫米 之橫截面寬度（例如，直徑））。透鏡814具有相對較大焦距 (例如，f=20毫米）。 可移動成像透鏡242之場透鏡8 14相對於個別可控制器件 102移動（例如，圍繞一軸線旋轉，在該轴線中，至少部分 地以圓形方式配置成像透鏡242)。場透鏡8丨4將光束引導 朝向可移動成像透鏡242之成像透鏡8 1 8。如同場透鏡 814，成像透鏡818相對於個別可控制器件102移動（例如， 圍繞一軸線旋轉，在該轴線中，至少部分地以圓形方式配 置成像透鏡242)。在此實施例中，場透鏡8丨4以與成像透 鏡818之速率實質上相同的速率移動。一對場透鏡814與成 像透鏡818相對於彼此對準。基板在X方向上移動。 透鏡816處於場透鏡814與成像透鏡818之間。透鏡816在 X-Y平面中實質上靜止，且將來自場透鏡814之光束準直至 成像透鏡8 1 8。透鏡8 1 6具有相對較大焦距（例如，f=2〇毫 米）。 在此實施例中，場透鏡814之光軸應與對應成像透鏡816 之光軸重合。場透鏡8 14經設計成使得將摺疊光束，使得 藉由透鏡816準直的光束之主光線與成像透鏡818之光軸重 合。以此方式，朝向基板之光束係遠心的。 透鏡812及816可歸因於大f數而為簡單球面透鏡。場透 鏡8 14應不影響影像品質且亦可為球面器件。在此實施例 中，準直透鏡806及成像透鏡818為無需成像場之透鏡。在 154230.doc •72· 201137539 此單器件光學器件的情況下，繞射有限成像係可能的。約 65%之作用時間循環係可能的。 在可移動成像透鏡242係可旋轉之實施例中，提供透鏡 及個別可控制器件102之至少兩個同心環以獲得橫越基板 • t寬度之全覆蓋。在一實施例中，此等環上之個別可控制 器件102係以1.5毫米之間距而配置。若使用具有5.6毫米之 直徑的標準雷射二極體，則對於全覆蓋可能需要至少6個 0 同^ %圖24及圖25描繪根據此等配置之個別可控制器件 102之同心環的配置。在一實施例中，此配置將導致具有 在X-Y平面中實質上靜止之對應透鏡的大約3 8〇個個別可控 制器件102。移動成像透鏡242將具有7〇〇χ6個環=42〇〇個透 鏡814、818集合❹在此組態的情況下，有可能用每一個別 可匕·制器件102書寫長度為約1毫米之線。在一實施例中， 可使用約1400個成像透鏡242集合。在一實施例中，透鏡 812、814、816及8 18可包含4個非球面透鏡。 ❹ 在此實施例中，藉由使用不在X-Y平面中（例如，在個別 可控制器件102處）移動之器件來調整聚焦將很可能導致遠 心性損失且導致漸暈。因此，應在移動成像透鏡242中發 生所要聚焦調整。因此，此情形可能需要比移動成像透鏡 242更高之頻率的致動器。 圖26描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝 置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止 之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學 器件。在此實施例中，使用光學反旋轉器（der〇tat〇r)以將 154230.doc -73- 201137539 在χ-γ平面中實質上靜止之個別可控制器件102耦合至移動 成像透鏡242。 在此實施例中’以一環配置個別可控制器件1 〇2連同選 用準直透鏡。兩個拋物面鏡面820、822將來自個別可控制 器件1 02之經準直光束之環減少至用於反旋轉器824之可接 受直徑。在圖26中，將別漢棱鏡（pechan prism)用作反旋轉 器824。若反旋轉器以相較於成像透鏡242之速率的一半的 速率旋轉，則每一個別可控制器件1〇2相對於其各別成像 透鏡242顯現為實質上靜止。兩個另外抛物面鏡面82 6、 828將來自反旋轉器824之經反旋轉光束之環擴展至用於移 動成像透鏡242之可接受直徑^基板在χ方向上移動。 在此實施例中，每一個別可控制器件i 〇2係與一成像透 鏡242成對。因此，也許不可能將個別可控制器件1〇2安裝 於同心環上，且因此，可能不會獲得橫越基板之寬度之全 覆蓋。約33%之作用時間循環係可能的。在此實施例中， 成像透鏡24 2為無需成像場之透鏡。 圖27描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝 置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止 之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學 器件在此配置中，成像透鏡242經配置以圍繞延伸於χ_γ 平面中之方向旋轉（例如，旋轉轉鼓，而非如（例如）關於圖 19至圖26所描述之旋轉轉輪）。參看圖，可移動成像透 鏡242配置於經配置以圍繞(例如)γ方向旋轉之轉鼓上。可 移動成像透鏡242自在轉鼓之旋轉軸線與移動成像透鏡242 154230.doc •74· 201137539 之間於γ方向上以一綾狃籼从7 ' ^伸的個別可控制器件102接收輻 射。原則上，將藉由此榦劼 轉政之可移動成像透鏡242書寫之 線將平行於基板之掃描方南8 巾佃万向831。因此，在45〇下所安裝之 反旋轉器8 3 0經配置以將兹士 ά 將猎由轉豉之可移動成像透鏡242產 生之線旋轉達90。，佶锃M a 使传、1成像線垂直於基板之掃描方 向。基板在X方向上移動。

對於基板上之每-條紋，在轉鼓上將需要可移動成像透 鏡242之一圓圈°若一種此類圓圈可在基板上書寫3毫米寬 度之條紋且基板係3〇〇毫米寬，則在轉鼓上可能需要 7〇〇(轉鼓之®周上的光學器件）χ 1()g=7gggg個光學總成。 其在轉鼓上使用圓柱形光學器件之情況下可更少。另外， 在此實施例中，成像光學器件可能需要成像特定場，此情 形可使光學器件更複雜。約95%之作用時間循環係可能 的。此實施例之優點在於：經成像條紋可具有實質上相等 長又實質上平行且筆直。在此實施例中，相對易於用不 沿著或結合可移動成像透鏡2 4 2移動之器件局域地聚焦。 圖28描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝 置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止 之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學 器件’且展示成像透鏡242集合相對於個別可控制器件之 五個不同旋轉位置。 參看圖28 ’提供在χ_γ平面中實質上靜止之個別可控制 器件102 °可移動成像透鏡242包含複數個透鏡集合，每一 透鏡集合包含場透鏡814及成像透鏡818。基板在χ方向上 154230.doc •75- 201137539 移動。 可移動成像透鏡242之場透鏡8 14(例如，球面透鏡）在方 向815上相對於個別可控制器件1〇2移動（例如，圍繞一軸 線旋轉，在該軸線中，至少部分地以圓形方式配置成像透 鏡242)。場透鏡814將光束引導朝向可移動成像透鏡242之 成像透鏡818(例如，非球面透鏡，諸如雙重非球面表面透 鏡）。如同場透鏡8 1 4，成像透鏡8 1 8相對於個別可控制器 件102移動（例如，圍繞一軸線旋轉，在該軸線中，至少部 分地以圓形方式配置成像透鏡242)。在此實施例中，場透 鏡814以與成像透鏡818之速率實質上相同的速率移動。 場透鏡814之焦平面在部位815處與成像透鏡818之背焦 平面重合’此情形給出遠心縮進/遠心伸出系統。相反於 圖23之配置，成像透鏡818成像特定場。場透鏡814之焦距 係使得用於成像透鏡818之場大小小於2度至3度半角。在 此情況下’仍有可能用一單器件光學器件（例如，雙重非 球面表面單器件）獲取繞射有限成像。場透鏡814經配置為 在個別場透鏡814之間無間隔之情況下加以安裝。在此情 況下’個別可控制器件102之作用時間循環可為約95%。 成像透鏡8 1 8之焦距係使得在基板處具有0.2之NA的情況 下此等透鏡將不變得大於場透鏡814之直徑。等於場透 鏡814之直徑的成像透鏡818之焦距將給出成像透鏡818之 直徑’該直徑留下用於安裝成像透鏡818之足夠空間。 歸因於場角’可書寫比場透鏡814之間距略微更大之 線。此情形給出基板上之相鄰個別可控制器件1〇2之經成 154230.doc 201137539 像線之間的重疊，該重疊亦取決於成像透鏡8丨8之焦距。 因此’個別可控制器件102可以與成像透鏡242相同的間距 安裝於一環上。 圖29描繪圖28之微影裝置之部分的示意性三維圖式。在 • 此描繪中’描繪5個個別可控制器件i 〇2與5個關聯可移動 . 成像透鏡集合242。將顯而易見，可提供另外個別可控制 器件102及關聯可移動成像透鏡集合242。基板在如藉由箭 ❹ 頭829所示之X方向上移動。在一實施例中，場透鏡814係 在該等場透鏡之間無間隔的情況下進行配置。光瞳平面位 於817處。 為了避免相對較小之雙重非球面成像透鏡818、減少移 動成像透鏡242之光學器件的量及將標準雷射二極體用作 個別可控制器件1 02 ’在此實施例中存在用可移動成像透 鏡242之單一透鏡集合成像多個個別可控制器件ι〇2的可能 性。只要將個別可控制器件1〇2遠心地成像於每一可移動 Q 成像透鏡242之場透鏡814上，對應成像透鏡818便將遠心 地將來自個別可控制器件102之光束重新成像於基板上。 若（例如）同時地書寫8條線，則可以相同產出率而將場透鏡 814之直徑及成像透鏡818之焦距增加達8倍，而可將可移 動成像透鏡242之量減小為原先的1 /8。另外，可減少在χ_ Υ平面中實質上靜止之光學器件，此係因為將個別可控制 器件102成像於場透鏡814上所需要的光學器件之部分可為 共同的。圖30中示意性地描繪藉由單一可移動成像透鏡 242集合同時地書寫8條線之此配置，其中具有成像透鏡 154230.doc -77- 201137539 242集合之旋轉轴線821及成像透鏡242集合距旋轉軸線821 之半徑823。自1·5毫米之間距至12毫米之間距（當藉由單一 可移動成像透鏡242集合同時地書寫8條線時）留下用於安 裝標準雷射二極體以作為個別可控制器件1〇2之足夠空 間。在一實施例中’可使用224個個別可控制器件1〇2(例 如，標準雷射二極體）。在一實施例中，可使用12〇個成像 透鏡242集合。在一實施例中，28個實質上靜止光學器件 集合可用於224個個別可控制器件1 〇2。 在此實施例中，亦相對易於用不沿著或結合可移動成像 透鏡242移動之器件局域地聚焦。只要使場透鏡814上之個 別可控制器件102的遠心影像沿著光軸移動且保持遠心， 基板上之影像的聚焦便將僅改變且影像將保持遠心。圖Μ 描繪用以在圖28及圖29之配置中以移動脊頂來控制聚焦的 示意性配置。在場透鏡814之前將具有脊頂（例如，稜鏡或 鏡面集合）834之兩個摺疊鏡面832置放於來自個別可控制 器件102之遠心光束中。藉由在方向833上將脊頂834移動 遠離或朝向指疊鏡面832，使影像沿著光軸移位且因此亦 相對於基板移位。因為沿著光軸存在大的放大率(此係因 為軸向聚焦改變等於F/數目之二次比），所以在基板處以 F/2.5光束之25微米散焦將給出在場透鏡814處以5.625毫米 之f/37.5光束的聚焦移位(37 5/2 5)2。&情形意謂脊頂834 必須移動該聚焦移位的一半。 圖32描繪根據本發明之_實施例之微影裝置的示意性橫 截面側視圖，微影裝置具有根據本發明之-實施例的在 154230.doc -78- 201137539 X-Y 平面 47 實暂 μ 1 . /r_ ' 靜止之個別可控制器件及相對於個別可 控制器件可移動之光學器件。雖然圖32描繪類似於圖。之 置仁其可經適當地修改以適合圖19至圖22及/或圖24 至圖3 1之實施例中的任一者。 參看圖32，微影裝置1〇〇包含：基板台ι〇6，基板台1〇6 ^用以固持基板；及定位元件116，定位元件ιΐ6係用以在 高達6個自由度中移動基板台1〇6。 微影裝置1〇〇進一步包含配置於框架16〇上之複數個個別 可控制器件102。在此實施例中，個別可控制器件1〇2中之 每者為一輻射發射二極體，例如，雷射二極體（例如， 藍紫色雷射二極體）。個別可控制器件1〇2配置於框架838 上且沿著γ方向延伸。雖然展示一個框架838，但微影裝置 可具有如（例如）在圖5中被類似地展示為陣列2〇〇之複數個 框架83 8。透鏡812及816進一步配置於框架838上。框架 838在X-Y平面中實質上靜止，且因此，個別可控制器件 102以及透鏡812及816在X-Y平面中實質上靜止。框架 838、個別可控制器件1〇2以及透鏡812及816可藉由致動器 836在Z方向上移動。 在此實施例中’提供可旋轉之框架840。場透鏡8 14及成 像透鏡818配置於框架840上，其中場透鏡814與成像透鏡 818之組合形成可移動成像透鏡242 *在使用中，板（例如） 相對於陣列200在藉由圖5中之箭頭所示之方向上圍繞其自 有軸線206旋轉。使用馬達21 6圍繞軸線2〇6旋轉框架840。 另外，可藉由馬達216在Z方向上移動框架840，使得可使 154230.doc -79- 201137539 可移動成像透鏡242相對於基板台106位移。 在此實施例中’具有孔隙之孔隙結構248可在透鏡8 1 2與 關聯個別可控制器件102之間位於透鏡812上方。孔隙結構 248可限制透鏡812、關聯個別可控制器件1〇2及/或鄰近透 鏡8 1 2/個別可控制器件102之繞射效應。 在一實施例中，微影裝置100包含一或多個可移動板 890(例如，可旋轉板（例如，可旋轉圓盤）），該一或多個可 移動板890包含光學器件（例如，透鏡）。在圖32之實施例 中，展示具有場透鏡814之板890及具有成像透鏡818之板 890。在一實施例中，微影裝置不存在當在使用中時旋轉 之任何反射光學器件。在一實施例中，微影裝置不存在當 在使用巾時旋轉之任何反射光學#件，該等反射光學器件 自任何或所有個別可控制器件1〇2接收輻射。在一實施例 中，一或多個（例如，全部）板89〇實質上平坦例如不具

定位元件904係用 基板台902係用以固持基 904係用以在高達6個自由 154230.doc 201137539 度中移動基板台902。基板可為抗㈣塗佈基板（例如，石夕 晶圓或玻璃板）。 微影裝置900進一步包括複數個可控制器件，諸如個別 可控制輻射源9G6，個別可控制輕射源_經組態以發射複 们光束或者’可控制器件可包含用於結合光源來傳遞 光束=可控制器件（諸如可控制光學開關、可控制衰減 器，等等）。如圖33所描繪，輻射源9〇6為自發射對比元 〇 。在-實施例中，自發射對比元件9〇6為輻射發射二極 體，諸如發光二極體（LED)、有機led(oled)、聚合物 LED(PLED)或雷射二極體（例如，固態雷射二極體卜在一 貫施例中，個別可控制元件906中之每一者為一藍紫色雷 射二極體（例如，sanyo型號DL_3146_151)。此等二極體可 藉由諸如Sanyo、Nichia、〇sram& Nitride之公司供應。在 一實施例中，二極體發射具有約365奈米或約4〇5奈米之波 長的輻射。在一實施例中，二極體可提供選自毫瓦特 〇 至200毫瓦特之範圍的輸出功率。在一實施例中，雷射二 極體（裸晶粒）之大小係選自250微米至6〇〇微米之範圍。在 實施例中，雷射二極體具有選自〇5平方微米至5平方微 米之範圍的發射區域。在一實施例中，雷射二極體具有選 自5度至44度之範圍的發散角。在一實施例中，二極體具 有用以提供大於或等於约6 4χ1〇8 w/(m2⑺之總亮度的組 心（例如，發射區域、發散角、輸出功率，等等）。 個別可控制元件906配置於框架908上且可沿著γ方向及/ 或X方向延伸。雖然展示一個框架908，但微影裝置可具有 154230.doc -81 · 201137539 複數個框架908。透鏡920進一步配置於框架908上。框架 908在X-Y平面中實質上靜止，且因此，個別可控制自發射 對比元件906及透鏡920在X-Y平面中實質上靜止。可藉由 致動器91 0在Z方向上移動框架908、個別可控制對比元件 906及透鏡920。 自發射對比元件906可經組態以發射光束，且投影系統 920、924及930可經組態以將光束投影至基板之目標部分 上。自發射對比元件906及投影系統形成光學圓柱。微影 裝置900可包括致動器，致動器經組態以相對於基板移動 光學圓柱或其部分。經配置有場透鏡924及成像透鏡930之 框架912可藉由致動器而可旋轉。場透鏡924與成像透鏡 930之組合形成可移動光學器件914。在使用中，框架 9 1 2(例如）在藉由圖34中之箭頭所示之方向上圍繞其自有軸 線916旋轉。使用致動器（例如，馬達918)圍繞軸線916旋轉 框架912。另外，可藉由馬達910在Z方向上移動框架912, 使得可使可移動光學器件914相對於基板台902位移。 具有孔隙之孔隙結構922可在透鏡920與自發射對比元件 906之間位於透鏡920上方。孔隙結構922可限制透鏡920、 關聯個別可控制自發射對比元件906及/或鄰近透鏡920/個 別可控制自發射對比元件906之繞射效應。 可藉由旋轉框架912且同時地在光學圓柱下方移動基板 台902上之基板而使用所描繪裝置。當透鏡920、924及930 彼此實質上對準時，自發射對比元件906可通過該等透鏡 發射光束。藉由移動透鏡924及930，使基板上之光束之影 154230.doc -82- 201137539 像遍及基板之一部分進行掃描。藉由同時地在光學圓柱下 方移動基板台902上之基板，經受自發射對比元件906之影 像的基板之部分亦正移動。藉由在控制器（控制器亦控制 光學圓柱或其部分之旋轉且控制基板之速率）之控制下以 高速率開啟及關閉自發射對比元件906，可在基板上之抗 蝕劑層中成像所需圖案。 圖34描繪具有自發射對比元件906的圖33之微影裝置的 示意性俯視圖。如同圖33所示之微影裝置900，微影裝置 Ο 900包括：基板台902，基板台902係用以固持基板928 ;定 位元件904，定位元件904係用以在高達6個自由度中移動 基板台902 ;對準/位階感測器932，對準/位階感測器932係 用以判定個別可定址器件906與基板928之間的對準，且判 定基板928是否位於相對於自發射對比元件906之投影之位 階處。如所描繪，基板928具有圓形形狀，然而，亦可處 理矩形形狀基板。 自發射對比元件906配置於框架926上。自發射對比元件 Ο 906可為輻射發射二極體，例如，雷射二極體（例如，藍紫 色雷射二極體）。如圖34所示，對比元件906可經配置成在 X-Y平面中延伸之陣列934。 陣列934可為狹長線。在一實施例中，陣列934可為一或 多個個別可定址對比元件906之單維陣列。在一實施例 中，陣列934可為一或多個個別可定址對比元件906之二維 陣列。 可提供旋轉框架912，旋轉框架912可在藉由箭頭所描繪 之方向上旋轉。旋轉框架可具備透鏡924、930(圖33所示） 154230.doc -83- 201137539 以提供可移動個別對比元件906中之每一者之影像。 裝置可具備致動器，致動器經組態以相對於基板旋轉包 含框架912及透鏡924、930之光學圓柱。

Ik著可旋轉框架旋轉，光束入射於順次透鏡上，且每當 藉由光束輻照透鏡時，光束入射於透鏡之表面上所在之地 點移動。因為光束取決於光束在透鏡上之入射地點而不同 地（以（例如）不同偏轉）投影於基板上’所以光束（當到達基 板時）將隨著後繼透鏡之每次通過而進行掃描移動。 與藉由自發射對比元件形成圖案同時地旋轉轉輪（或以 更通用之術語：藉由自發射對比元件906及投影系統所形 成之光學圓柱之至少一部分的移動）可能需要高時序準確 度，以便將所要圖案準確地投影至基板上。藉此，需要使 藉由自發射對比元件發射光束之時間準確地匹配於光束被 投影所經由之透鏡之位置，此係因為透鏡之位置對光束之 可能偏轉有效應且因此對光束到達基板所在之位置有效 應。 圖35描繪經組態以固持透鏡924、93〇之可旋轉框架μ〕 的示〜、圖藉由致動器（在此實例中為馬達936)驅動可旋轉 才架以便知1轉可旋轉框架。感測器938經組態以感測可 旋轉框架912之（旋轉）位置’在此實例中，該感測器包括編 碼器938，諸如增量光學編碼器。此處可應用任何其他適 :類ί之感測器。將來自編碼器之位置信號提供至位置信 號處理單元（廣泛地被稱作「信號處理II」）94G，位置信號 處理單元可執行諸如线、放大等等之任務。編碼器938 154230.doc -84· 201137539 及處理單元940—起形成量測系統。將量測系統之輸出信 號提供至控制系統或控制器942，控制系統或控制器942經 配置以驅動自發射對比元件9〇6。藉由控制系統942開啟及 關閉（及/或調變）自發射對比元件9〇6會在使用中為將圖案 技影至基板上作準備。在可旋轉框架912及透鏡924、93〇 之移動與自發射對比元件906之操作之間的相關性可對於 圖案至基板上之正確投影係有關的，此係因為藉由自發射 ❹ 對比元件906提供之光束之偏轉取決於透鏡924、930及可 旋轉框架912之位置。為了實現此相關性，將量測系統之 輸出信號（其提供關於可旋轉框架912及透鏡924、93〇之位 置的肓訊）提供至控制器942。在圖36中描繪且參看圖36描 述參看圖3 5所描述之概念之實施例。 在回到圖36之前，將描述一些不準確度來源。藉由編碼 态93 8提供之信號可傾於各種誤差來源。舉例而言，可發 現雜訊為誤差來源，且雜訊（例如）對正弦編碼器輸出信號 〇 之零交又有效應。此外，編碼器之標記（光柵、柵格、條 纹專荨）之位置可展現某種容許度。此外’編瑪器938之 才示5己之圓形圖案可相對於可旋轉框架912之旋轉軸線 916(圖33所示）稍微離軸（偏心）。 類似於圖3 5 ’圖3 6描繪致動器9 3 6、經組態以固持透鏡 924、93〇之可旋轉框架912、編碼器938、處理單元或處理 器940控制系統或控制器942，及自發射對比元件906， 如上文已參看圖35所描述。在此實施例中，處理器940包 括鎖相迴路結構’鎖相迴路結構包括相位比較器944，相 154230.doc •85- 201137539 位比較器944經組態以比較來自編碼器938之信號之相位與 來自參考資料表950之信號之相位。將相位比較器944之輸 出仏號k供至渡波器9 4 6 (諸如低通渡波器、積累器，等 荨）’；慮波器9 4 6之輸出被提供至具有可控制振盡頻率之控 制振盪器948(諸如電壓控制振盈器）。控制振盪器948之輸 出信號作為時序信號被輸出至控制器942，且被提供至參 考資料表950(或更精確地，提供至其控制器），以允許在根 據控制振盪器948之輸出信號之頻率的頻率下讀出參考資 料表950。現可藉由相位比較器944、濾波器946、振盪器 948及參考資料表950形成鎖相迴路結構。類比至數位轉換 器及數位至類比轉換器（圖中未繪示）亦可包括於量測系統 中，例如，在編碼器938與相位比較器944之間的類比至數 位轉換益，類比至數位轉換器經組態以將感測器波形信號 轉換成數位信號；及在相位崎器州錢波^州之間的 4至類比轉換器，數位至類比轉換器經組態以將相位比 較器944之輸出信號轉換成至低通遽波器946之類比信號。 或者可在數位域中執行低通遽波。在—實施例中將分 頻器提供於振^ 948與資料表95()之間，以允許將比來自 感測Θ 93 8之號之頻率更高的頻率提供至控制器州。此 情形可允許取樣誤差之減小。 現回到上述誤差來源’可藉由圖％所示之鎖相迴路結構 :、波效應來減少雜訊對編碼器938之輸出信號的效應。 參考貝料表950之併入可允許減少上文所描述之兩種其他 編碼器誤差（即，編碼器標記之位置準確度及偏心率）的效 154230.doc -86 · 201137539 應/，可減少可再生干擾對由致動器導致的可旋轉框架 之方疋轉移動的效應，諸如所謂的致動器齒槽效應㈣uat〇r 叫啊）。參考資料表95G可經載人有參考圖案，參考圖案 重，關於編碼器938之誤差，諸如標記之偏心率誤差及位 置决差#此，可至少部分地補償此等誤差，此係因為藉 此將相同或類似誤差提供至相位比較器之兩個輸入，即， 來^編碼器之信號及來自參考資料表之信號。因此，可獲

得局：重複度。在使用致動器936之馬達控制（圖中未繪示） 及可旋轉框架912之慣性的情況下，可獲得可旋轉框架912 之足夠恆定旋轉。 為了使鎖相迴路結構中之資料序列同步於參考資料表資 料序歹u藉此至少減少再取樣誤差），將電壓控制振盡器之 振盪器輪出信號作為時脈信號提供至參考資料表及/或感 3之取樣電路（例如，取樣編碼器信號且將編碼器信號 轉換成數位彳5號之類比至數位轉換器之取樣電路）。為了 獲得編碼器信號之準確取樣及藉由鎖相迴路結構之準確遵 循，振盪器輸出信號之時脈頻率為至少10倍於一感測器信 號週期性，理想地，至少50倍於一感測器信號週期性。 了如下執行為了將資料載入於參考資料表中之校準： 操作致動器936’以便旋轉可旋轉框架912。在旋轉期 間’遍及可旋轉框架912之複數次繞轉而記錄（儲存）感測器 信號；在檢測經獲得信號的情況下’自經獲得信號判定週 期性；再取樣率現被判定為經判定週期性之分數，使得整 數個取樣率時間週期符合於經判定週期性時間週期。接 154230.doc -87- 201137539 著，將經記錄感測器信號再取樣至符合於該週期性之此再 取樣率’·且將經再取樣感測器信號儲存於參考資料表95〇 中。藉此，參考資料表950可填充有儘可能優良地匹配於 編碼器之輸出（亦即，「模仿」編碼器信號之可重複誤差（諸 如編碼器標記之偏心率及定位誤差）及上述致動器誘發性 、差(諸如致動器齒槽效應))的資料序列。可遍及複數個週 期性時間而自經記錄感測器信號執行再取樣，以便平均化 任何雜訊效應，等等。 應理解可以執行於可程式化元件（諸如微控制器、場 可程式化閘陣列、微處理器，等等）上之程式設計指令的 形式實施控制器942以及量測系統之部分。 下文亦在已編號條款中提供實施例： 1· 一種微影裝置，其包含： 基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板； 一調變器’該調變器經組態以將該基板之—曝光區域曝 光至根據一所要圖案所調變之複數個光束；及 一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上，且包含用以接收該複數個光束之一透鏡陣 列’該投影系統經組態以在曝光該曝光區域期間相對於該 調變器移動該透鏡陣列。 2. 如實施例！之微影裝置，其中每一透鏡包含至少兩個 透鏡’該至少兩個透鏡係沿著自該調變器至該基板的該複 數個光束中之至少一者之一光束路徑而配置。 3. 如實施例2之微影裝置，其中該至少兩個透鏡中之一 154230.doc -88- 201137539 第一透鏡包含一場透鏡，且該至少兩個透鏡中之一第二透 鏡包含一成像透鏡。 4_ 如實施例3之微影裝置，其中該場透鏡之焦平面與該 成像透鏡之背焦平面重合。 5· 如實施例3或實施例4之微影裝置，其中該成像透鏡包 含一雙重非球面表面透鏡。 6. 如實施例3至5中任一者之微影裝置，其中該場透鏡之 〇 焦距係使得用於該成像透鏡之場大小小於2度至3度半角。 7 · 如實施例3至6中任一者之微影裝置，其中該成像透鏡 之s玄焦距係使得在該基板處具有〇. 2之一數值孔徑（να)的 情況下，該成像透鏡不變得大於該場透鏡之直徑。 8. 如貫施例7之微影裝置’其中該成像透鏡之該焦距等 於該場透鏡之該直徑。 9. 如實施例3至8中任一者之微影裝置，其中複數個該等 光束係藉由該場透鏡與該成像透鏡之一單一組合而成像。 Q 10·如實施例3至9中任一者之微影裝置，其進一步包含一 聚焦控制元件’該聚焦控制元件係沿著自該調變器至該場 透鏡的該複數個光束中之至少一者之一光束路徑而配置。 11.如實施例10之微影裝置，其中該聚焦控制元件包含一 摺疊鏡面及一可移動脊頂。 12·如實施例3之微影裝置，其進一步包含用以準直自該 第一透鏡至該第二透鏡之該光束的在該路徑中之一透鏡。 13.如實施例12之微影裝置，其中用以準直該光束的在該 路徑中之該透鏡相對於該調變器實質上靜止。 154230.doc -89- 201137539 14. 如實施例3、12或13中任一者之微影裝置，其進—步 包含介於該調變器與該第—透鏡之間的用以將該複數個光 束中之至少一者聚焦朝向該第一透鏡的在該路徑中之—透 鏡。 15. 如實施例14之微影裝置’其中用以聚焦該光束的在該 路徑中之該透鏡相對於該調變器實質上靜止。 16. 如實施例3或12至15中任一者之微影裝置，其中該場 透鏡之光軸與該成像透鏡之光軸重合。 17. 如實施例2之微影裝置，其中該至少兩個透鏡中之一 第一透鏡包含至少兩個子透鏡，其中該複數個光束中之至 少一者聚焦於該兩個子透鏡中間。 18. 如實施例17之微影裝置，其中該至少兩個子透鏡中之 每一者具有一實質上相等焦距。 19. 如實施例2、17或18中任一者之微影裝置，其中該第 一透鏡經配置以將一經準直光束輸出朝向該至少兩個透鏡 中之一第二透鏡。 20. 如實施例2或17至19中任一者之微影裝置，其經組態 以使該至少兩個透鏡中之一第一透鏡以不同於該至少兩個 透鏡中之一第二透鏡的一速率移動。 21. 如實施例20之微影裝置，其中該第二透鏡之該速率係 兩倍於該第一透鏡之該速率。 22. 如實施例！之微影裝置，其中每一透鏡包含一竹遠心 縮進/遠心伸出成像系統。 23·如實施例22之微影裝置，其中該打遠心縮進/遠心伸 154230.doc -90- 201137539 出成像系統包含至少6個透鏡。 24. 如實施例1之微影裝置’其進一步包含介於該調變器 與該透鏡陣列之間的一反旋轉器。 25. 如實施例24之微影裝置，其中該反旋轉器包含一別漢 棱鏡。 26_如實施例24或實施例25之微影裝置，其中該反旋轉器 經配置成以δ亥透鏡陣列之速率的一半的速率移動。 〇 27·如實施例24至26中任一者之微影裝置，其進一步包含 用以減少介於該調變器與該反旋轉器之間的該等光束之大 小的一抛物面鏡面。 28. 如實施例24至27中任一者之微影裝置，其進一步包含 用以增加介於該反旋轉器與該透鏡陣列之間的該等光束之 該大小的一抛物面鏡面。 29. 如實施例1至28中任一者之微影裝置，其中該透鏡陣 列係相對於該調變器旋轉。 〇 30·如實施例1至29中任一者之微影裝置，其中該調變器 包含用以發射電磁輻射之複數個個別可控制輻射源。 3!.如實施例1至29中任一者之微影裝置，其中該調變器 包含一微鏡面陣列。 3 2.如貫施例1至29中任一者之微影裝置，其中該調變器 包含一輻射源及一聲光調變器。 33· —種元件製造方法，其包含： 提供根據一所要圖案所調變之複數個光束；及 使用接收忒複數個光束之一透鏡陣列將該複數個光束投 154230.doc -91- 201137539 影至一基板上；及 在該投影期間相對於該等光束移動該透鏡陣列。

34. 如實施例33之方法，其中| ^ . A 再中母一透鏡包含至少兩個透 鏡，該至少兩個透鏡係沿著自該複數個光束中之至少一者 之-源至該基板的該至少—光束之—光束路徑而配置。 35. 如實施例34之方法，其中該至少兩個透鏡中之一第一 透鏡包含—場透鏡，以至少兩個透鏡中之—第二透鏡包 含一成像透鏡。 36. 如實施例35之方法，其中矽媼# 丹甲忒％透鏡之焦平面與該成像 透鏡之背焦平面重合。 37. 如實施例35或實施例36之方法，其中該成像透鏡包含 一雙重非球面表面透鏡。 38. 如實施例35至37中任—者之方牛，甘士 — 日妥 有之万居，其中該場透鏡之焦 距係使得用於該成像透鏡之場大小小於2度至3度半角。 39. 如實施例35至38中任一者之方法，其中該成像透鏡之 該焦距係使得在該基板處具有〇·2之一數值孔徑（NA)的情 況下，該成像透鏡不變得大於該場透鏡之直徑。 4〇.如實施例39之方法，其中該成像透鏡之該焦距等於該 場透鏡之該直徑。 41. 如實施例35至40中任一者之方法，其中複數個該等光 束係藉由該場透鏡與該成像透鏡之一單一組合而成像。 42. 如實施例35至41中任一者之方法，其進一步包含在該 複數個光束中之至少一者之一源與該場透鏡之間使用—聚 焦控制元件。 154230.doc •92· 201137539 43. 如實施例42之方法，其中該聚焦控制元件包含一摺疊 鏡面及一可移動脊頂。 44. 如實施例35之方法，其進一步包含❹_透❹準| 介於該第一透鏡與該第二透鏡之間的該至少—光束。 45. 如實施例44之方法，其中用以準直該至少一光束之該 透鏡相對於該至少一光束實質上靜止。 46. 如實施例35、44或45中任一者之方法，其進一步包含 Ο Ο 在該複數個光束中之至少一者之—源與該第—透鏡之間的 該路徑中使用-透鏡將該至少_光束聚_向該第 鏡。 47. 如實施例46之方法，其中用以聚焦該至少一光束之該 透鏡相對於該至少一光束實質上靜止。 ^ 48·如實施例35或44至47中任一者之方法，其中該場透鏡 之光軸與該對應成像透鏡之光軸重合。 49. 如實施例34之方法，其中該至少兩個透鏡中之—第一 透鏡包含至少兩個子透鏡，其中該複數個光束中之至少一 者聚焦於該兩個子透鏡中間。 50. 如實施例49之方法，其中該至少兩個子透鏡中之每一 者具有一實質上相等焦距。 51. 如實施例34、49或50中任一者之方法，其中該第—透 鏡經配置以將-經準直光束輸出朝向該至少兩個透鏡中之 一第二透鏡。 52. 如實施例34或49至51中任一者之方法，其包含使該至 少兩個透鏡中之-第-透鏡以不同於該至少兩個透鏡中乂之 154230.doc -93· 201137539 一第一透鏡的一速率移動。 53. 如實施例52之方法，其中該第二透鏡之該速率係兩倍 於β玄第一透鏡之該速率。 54. 如實知例33之方法’其中每—透鏡包含—4f遠心縮進/ 遠心伸出成像系統。 55. 如Λ施例54之方法，其中該犲遠心縮進，遠心伸出成 像系統包含至少6個透鏡。 56·如貫施例33之方法，其進一步包含在該等光束之—源 與該透鏡陣列之間使用—反旋轉器來反旋轉該等光束。 57.如實施例56之方法，其中該反旋轉器包含一別漢稜 鏡。 从如實施例56或實施例57之方法，其包含以該透鏡陣列 之速率的一半的速率移動該反旋轉器。 从如實施例56至58中任一者之方法，其進一步包含使用 扎物面鏡面來減少介於該光束之一源與該反旋轉器之 的該等光束之大小。 6〇.如實施例56至59中任—者之方法，其進I"㈣ -抛物面鏡面來增加介於該反旋轉器與該透鏡陣列之間的 該等光束之該大小。 I如實施例33至60中任一者之方法，其包含相對於該等 光束旋轉該透鏡陣列。 以‘如實施例33至61中任一者之方法，其中複數個個別可 控制輻射源中之每一者發射該複數個光束中之每一者。 63.如實施例33至61中任一者之方法 其中一微鏡面陣列 154230.doc -94- 201137539 發射該複數個光束。 64，如實施例33至61中任一者之方法，其中一輻射源及一 聲光調變器產生該複數個光束。 65. —種微影裝置，其包含： 一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板； • 一調變器，該調變器包含用以發射電磁輻射之複數個個 別可控制輻射源，該調變器經組態以將該基板之一曝光區 0 域曝光至根據一所要圖案所調變之複數個光束；及 一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上，且包含用以接收該複數個光束之一透鏡陣 列，該投影系統經組態以在曝光該曝光區域期間相對於該 等個別可控制輻射源移動該透鏡陣列。 66. —種元件製造方法，其包含： 使用複數個個別可控制輕射源來提供根據㈣ 調變之複數個光束；及 〇 使賴收該複數個光束之-透斜列將該複數個光束投 影至一基板上；及 在該投影期間相對於該等個別可控制輻射源移動該透鏡 67. —種微影裝置，其包含： 一基板； 曝光區域曝 -基板固持器，該基板固持器經建構以固持 、調 '變益’該調變器經組態以將該基板之— 光至根據-所要圖案所調變之複數個光束；及 投影系統，該将勒么, , 茨才又影系統經組態以將該等經調變光束投 154230.doc -95· 201137539 各用以接收έ亥複數個光束之複數個透 鏡陣列，該等陣歹丨丨φ夕i ^^ 中之母一者係沁者該複數個光束之光束 路徑而分離地配置。 队如實施例67之微影裝置，其中該投影系統經組態以在 曝光祕光n域朗相對於該調變器移動料透鏡陣列。 69.如實施例67或實施例68之微影裝置，其中每一陣列之 該等透鏡係以一單一本體而配置。 7〇· —種微影裝置，其包含： 基板固持器，该基板固持器經建構以固持一基板； -調變器，該調變器包含用以發射電磁輕射之複數個個 別可控制輻射源，該調變器社態㈣該基板之—曝光區 域曝光至根據一所要圖案所調變之複數個光束，且經組態 以在曝光㈣光區域期間相對於該曝光區域移動該複數個 輻射源{吏传僅）於该複數個輕射源之全部的輕射源可在 任一時間曝光該曝光區域；及 扠衫系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 71. —種微影裝置，其包含： 複數個個別可控制M 、Ε — 」射源’該複數個個別可控制輻射源 經組悲以提供根據一所要園宏张布織々、包奴 1戈圖案所調變之複數個光束，該複

數個輻射源中之至少—輕M 鳊射源係可移動於其發射輻射之一 部位與其不發射輻射之—部位之間； 一基板㈣器，該基板固持諸建構關持-基板；及 一投影系統’該投影系統經組態以將該等經調變光束投 154230.doc -96- 201137539 影至該基板上。 72. —種微影襞置，其包含： 一基板固持器，該基板固 做U锝益經建構以固持一基板； 一調變器，該調變器包合 _ S用以發射電磁輻射之複數個個 別可控制柄射源，該調變装姑&社 /调變is經組態以將該基板之一曝光區 域曝光至根據一所要圖案所袖微、 、°周變之複數個光束，且經組態 以在曝光該曝光區域期間相 U相對於该曝光區域移動該複數個 Ο Ο 輻射源中之至少一輻射源 使传來自該至少一輻射源之輻 射同時鄰接於或重疊於爽白# 童於來自該複數個輻射源中之至少一另 一輻射源的輻射；及 一投影系統，該投影糸結At ’’、、、先、士組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 73. —種微影裝置，其包含： 一基板固持器，該基板固輯哭妹读磁 + 双u符态經建構以固持一基板； 极數個個別可控制輕射诉，j/ _ 原δ亥複數個個別可控制輻射源 經組態以將根據一所要圖幸％ >、fe & 耷圃粟所調變之複數個光束提供至該 土板之一曝光區域，該複數個輕 双幻輻射源令之至少一輻射源係 可移動於其可將輻射發射至該 王邊曝尤區域之—部位與其不能 將輻射發射至該曝光區域之一部位之間；及 一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 74. —種微影裝置，其包含·· 一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板. -調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻：源，該 154230.doc -97- 201137539 調變器經組態以將根據一所要圖案所調 供至該基板之一曝光區域，且經组離 先束提 m愍以在曝光該曝光區械 期間相對於該曝光區域移動該複數個轄射源，該^且 有該複數個光束至該曝光區域之一 # °° ^ 翰出，該輸出具有少於 该複數個輻射源之輸出之區域的一區域；及 、 一投影系統’該投料統肋態以將該等經 影至該基板上。 末才又 75. —種微影裝置，其包含： -基板固持器’該基板固持器經建構以固持—美板. -調變器’該調變器包含複數個個別可控制：射源陣 列，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個 先束提供至該基板之一各別曝光區域’且經組態以相對於 其各別曝光區域移動每一陣列，或相對於其各別曝光區域 移動來自每-㈣之該複數個光束，或相對於該各別曝光 區域移動該陣列及該複數個光束兩者，其令在使用中，节 複數個陣列中之-陣列的—各別曝光區域鄰接於或重疊: 該複數個陣列中之另一陣列的一各別曝光區域；及 一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 76· —種微影裝置，其包含： 一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板； 一調變器’該調變器包含複數個個別可控制㈣源’，該 調變器經組態以將根據—所要圖案所調變之複數個光束提 供至該基板之-曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域 154230.doc -98- 201137539 移動該複數個輕射源中之每一者’或相對於該曝光區域移 動該複數個光束，或相對於該曝光區域移動該複數個輻射 源中之每一者及該複數個光束兩者，其中在使用期間，該 等輻射源中之每一者係在其各別功率/前向電流曲線之陡 峭部分中操作；及 一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 77· —種微影袭置，其包含： 〇 一基板固持器’該基板固持器經建構以固持一基板； 調變器，該调變器包含複數個個別可控制輻射源，該 調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提 供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域 移動該複數個輻射源中之每一者，或相對於該曝光區域移 動該複數個光束，或相對於該曝光區域移動該複數個輻射 源中之每一者及該複數個光束兩者，其中該等個別可控制 〇 輻射源中之每一者包含一藍紫色雷射二極體；及 才又影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 78· —種微影裝置，其包含： 基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板； 一调變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該 調變益經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提 仏至6玄基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域 移動該複數個輻射源中之每一者，該複數個輻射源係以至 154230.doc -99. 201137539 少兩個同心圓形陣列而配置；及 一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 79.如實施例78之微影裝置，其中該等圓形陣列中之至少 :圓形陣列係以與該等圓形陣列中之至少―另—圓形陣列 父錯之一方式而配置。 8〇· —種微影裝置，其包含： 基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板. -調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該 調變器經組態以將根據-所要圖案所調變之複數個光束提 供至該基板之-曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域 料該複數個輻射源中之每一者，該複數個韓射源係圍繞 構之中。而配置，且該結構在該複數個輕射源内部 具有延伸通過該結構之一開口；及 —投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 81·如實施例80之微影裝置，其進一步包含—支撐件，該 支樓件係用以將支撐結構固持於該等㈣源處或外部。" 82·如實施例81之微影裝置，其中該支撐件包含一轴承， 該軸承係用以准許移動該結構。 认如實施例81或實施例82之微影裝置，其中該支標件包 含一馬達，該馬達係用以移動該結構。 84. —種微影裝置，其包含·· 基板固持器，該基板固持器經建構以固持—基板； 154230.doc •100· 201137539 一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該 調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提 供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域 移動5亥複數個輻射源中之每一者，該複數個輻射源係圍繞 —結構之—中心而配置； 支撐件，該支撐件係用以將該結構支撐於該等輻射源 處或外部，該支撐件經組態以旋轉或允許旋轉該結構；及 一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 Μ.如實施例84之微影裝置，其中該支撐件包含一軸承， 該軸承係用以准許旋轉該結構。 86. 如實施例84或實施例85之微影裝置，其中該支撐件包 含一馬達，該馬達係用以旋轉該結構。 87. —種微影裝置，其包含： 一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板； 〇 一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該 調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提 供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域 移動該複數個輻射源中之每一者，該複數個輻射源配置於 可移動結構上，該可移動結構又配置於一可移動板 上；及 一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 88. 如貫施例87之微影裝置，其中該可移動結構係可旋轉 154230.doc -101- 201137539 的。 如實施例87或實施例88之微影裝置，其 係可旋轉的。 y 實施例89之微影裝置，其中該可移動板之旋轉中心 係不與該可移動結構之旋轉中心重合。 91· 一種微影裝置，其包含： -基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板； -調變器’該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該 調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提 供至該基板之一曝光區域’且經組態以相對於該曝光區域 移動該複數個輻射源中之每一者，該複數個轄射源配置於 一可移動結構中或上； 一流體通道，該流體通道配置於該可移動結構中以提供 一溫度控制流體以至少鄰近於該複數個輻射源；及 一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 92. 如實施例91之微影裝置，其進—步包含—感測器，該 感測器位於該可移動結構中或上。 93. 如實施例91或實施例92之微影裝置，其進一步包含一 感測器，該感測器位於鄰近於該複數個轄射源中之至少_ 輻射源的一位置處’而非位於該可移動結構中咬上。 94. 如實施例92或實施例93之微影裝置，其中該感測器包 含一溫度感測器。 95. 如實施例92至94中任一者之微影裝置，其中該感測器 154230.doc -102- 201137539 包含經組態以量測該結構之一膨脹及/或收縮的一感測 器。 96. —種微影裝置，其包含： 一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一美板· -調變器’該調變器包含複數個個別可控編源’，該 調變器經組態以將根據-所要圖案所調變之複數個光束提 供至該基板之-曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域 Ο Ο 移動該複數個輻射源中之每-者，該複數個_、配置於 一可移動結構中或上； 一散熱片’該散熱片配置於該可移動結構中或上以提供 該結構之溫度控制；及 -投影系統，該投影系統經組態以將該等經 影至該基板上。 97. 如實施例96之微影裝置，其進一步包含一靜止散敎 片，該靜止散熱片係用以與在該可移動結構散 熱片合作。 & <邊政 98·如實施例97之微影裝置，其包含在該可移動結構中或 上之至少兩個散熱片，且該靜止散熱片位 構中或上之該等散埶片中之〇 T移動結 中之至少一散熱片與在該可移動，士 7或上之該等散熱片中之至少-另-散熱片之間。、 99. 一種微影裝置，其包含： 寺器，該基板固持器經建構以固持-基板，· 調變器經組態以將根據-所要圖案所調變束： 154230.doc 201137539 供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域 移動該複數個輻射源中之每—者，該複數個輻射源配置於 一可移動結構中或上； 抓體供應元件，該流體供應元件經組態以將一流體供 應至該結構之一外部表面以控制該結構之一溫度丨及 一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 100. 如實施例99之微影裝置，其中該流體供應元件經組態 以供應氣體。 101. 如實施例99之微影裝置，其中該流體供應元件經組態 以供應一液體。 102. 如實施例101之微影裝置，其進一步包含一流體限制 結構，該流體限制結構經組態以使該液體維持接觸該結 構。 W3.如實施例102之微影裝置，其中該流體限制結構經組 匕、以維持介於该結構與該流體限制結構之間的一密封。 104. —種微影裝置，其包含： —基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板； -調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該 調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提 供至該基板之-曝Μ域’且經組態以㈣於該曝光區域 移動該複數個輻射源中之每—者； 一結構分離透鏡，該結構分離透鏡經附接成接近或附接 至該複數個輻射源中之每-賴射源且隨著各別㈣㈣可 154230.doc •104, 201137539 移動。 105. 如實施例104之微影裝置，其進一步包含一致動器， 該致動器經組態以使一透鏡相對於其各別輻射源位移。 106. 如實施例104或實施例1〇5之微影裝置，其進一步包含 ' 一致動器，該致動器經組態以使一透鏡及其各別輻射源相 對於支撐該透鏡及其各別輻射源之一結構位移。 107. 如實施例1〇5或實施例1〇6之微影裝置，其中該致動器 經組態以在高達3個自由度中移動該透鏡。 〇 108. 如實施例104至107中任一者之微影裝置，其進一步包 含一孔隙結構，該孔隙結構位於該複數個輻射源中之至少 一輻射源下游。 109. 如實施例1〇4至107中任一者之微影裝置，其中該透鏡 係用一高熱導率材料附接至支撐該透鏡及其各別輻射源之 一結構。 110. —種微影裝置，其包含： Q 一基板固持器’該基板固持器經建構以固持一基板； 一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該 調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提 供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域 移動該複數個輻射源中之每一者； 一空間相干性破壞元件，該空間相干性破壞元件經組態 以擾亂來自該複數個輻射源中之至少一輻射源的輻射；及 一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 154230.doc •105· 201137539 111 •如實施例110之微影裝置， 件包含一靜止板，且該至少一 動0 其’該空間相干性破壞元 輻射源係相對於該板可移 112.如實施例11 〇之微影裝置 件包含選自以下各項之至少— 板或一振動板。 ，其中該空間相干性破壞元 者：—相位調變器、一旋轉 113. —種微影裝置，其包含： -基扳固持H，該基板固持器經建構以固持—笑板. -調變器，該調變器包含複數個個別可控制㈣源’，該 調變益經組態以將根據—所要圖案所調變之複數個光束提 供至該基板之-曝Μ域’且經組態以4目對於該曝光區域 移動該複數個轄射源中之每—者； 一感測器，該感測II經組態以量測與該複數個輻射源中 之至少一輻射源相關聯的聚焦，該感測器之至少一部分處 於該至少一輻射源中或上；及 一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 114·如實施例113之微影裝置，其中該感測器經組態以個 別地量測與該等輻射源中之每一者相關聯的聚焦。 115. 如實施例113或實施例114之微影裝置，其中該感測器 為刀緣聚焦偵測器。 116. —種微影裝置，其包含： 一基板固持器’該基板固持器經建構以固持一基板； 一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該 154230.doc •106· 201137539 調變益經組態以將根據_所要圖案所調變之複數個光束提 供至該基板之—曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域 移動該複數個輻射源中之每一者； 一傳輪器’該傳輸器經組態以將—信號及/或功率無線 地傳輸至该複數個輻射源以分別控制及/或供電給該複數 個輻射源；及 Ο 〇 杈影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 又 0 實％例116之微影裝置，其中該信號包含複數個信 號，且該微影裝置進一步包含用以將該複數個信號十之每 一者發送朝向一各別輻射源的一解多工器。 118. 一種微影裝置，其包含： 基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板； -調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源二亥 調變器經組態以將根據—所要圖案所調變之複數個光束提 供至該基板之—曝光區域，且經組態以㈣於該曝光區域 移動該複數個輻射財之每-者，該複數個輻射源配置於 一可移動結構中或上； 一單-線’該單-線將—控制器連接至該可移動結構， 以將複數個信號及/或功率傳輸至該複數個輻射源以分別 控制及/或供電給該複數個輻射源；及 一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 η9.如實施例118之微影裝置，纟中該信號包含複數個信 154230.doc •107- 201137539 號，且該微影裝置進一步包含用以將該複數個信號中之每 一者發送朝向一各別輻射源的一解多工器。 120. 如實施例118或實施例119之微影裝置，其中該線包含 一光學線。 121. —種微影裝置，其包含： 一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板； :調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻㈣’，該 調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提 供至該基板之-曝錢域，且經㈣q目對於料光區域 移動該複數個輻射源中之每_者； -感測器，該感測器係用以量測已或待藉由該複數個輻 射源中之至少一輻射源透射朝向該基板之輻射的一特 性；及 一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 衫至该基板上。 122.如實施例121之微影裝置 分位於該基板固持器中或上。 123 ·如實施例122之微影裝置 部分在該基板被支撐於該基板 的—位置處位於該基板固持器 124. 如實施例121至123中任一 盗之至少一部分位於在使用中 描方向上的該基板之一側處。 125. 如實施例121至124中任一 ’其中該感測器之至少一部 ’其中該感測器之該至少一 固持益上所在之一區域外部 中或上。 者之微影裝置，其中該感測 貫貝上延伸於該基板之一掃 者之微影裝置，其中該感測 154230.doc •108· 201137539 器之至少-部分安裝於用以支撐可移動結構之一框架中或 上。 126.如實施例121至125中任—者之微影裝置，其中該感測 器經組態以量測來自該曝光區域外部之該至少一輕射源的 - 輻射。 1J7.如實施例121至126中任-者之微影裝置，其中該感測 器之至少一部分係可移動的。 0 128·如實施例121至127中任—者之微影裝置，其進一步包 含一控制器，該控制器經組態以基於感測器結果而校準該 至少一輕射源。 129· —種微影裝置，其包含： 一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板； -調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該 調變器經組態以將根據—所要圖案所調變之複數個光束提 供至该基板之-曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域 〇 ㈣該複數個輻射源中之每—者’該複數㈣射源配置於 一可移動結構中或上； —感測器，該感測1係、心量測該可移動結構之一位 置；及 才又影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 1二如實施例129之微影裝置，其中該感測器之至少一部 /刀安裝於支撐該可移動結構之一框架中或上。 131·—種微影裝置，其包含： 154230.doc 201137539 一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板； -調變器’該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該 調變器經組態以將根據-所要圖案所調變之複數㈣束= 供至該基板之-曝光區域’且經組態以相對於該曝光區域 移動該複數個輻射源中之每—者，該複數個輻射源中之每 一者具有或提供一識別； 一感測器，該感測器經組態以偵測該識別；及 -投影系統’該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 132. 如實施例131之微影裝置，《中該感測器之至少—部 分安裝於支撐該複數個輻射源之一框架中或上。 133. 如實施例131或實施例132之料與驻 n 之碱衫裝置，其中該識別包 含來自一各別輻射源之輻射的一頻率。 134. 如實施例m至Π3中任一去夕料旦，壯 γ任者之微影裝置，其中該識別 包含選自以下各項之至少一者：一條 條瑪一射頻識別或一 標記。 135. —種微影裝置，其包含： -基板固持器’該基板固持器經建構以固持一芙板· -調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻：源：今 調變器經組態以將根據—所要圖案所調變之複數個光束提 供至5亥基板之一曝光區域，且經纟日能I'/ 、、土、、且心以相對於該曝光區域 移動該複數個輻射源中之每一者； 一感測器’該感測器經組態偵 心以俏測藉由該基板重新引導 的來自該複數個輻射源中之至少一鉉 ^ ν 知射源的輻射；及 154230.doc -110. 201137539 一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投 影至該基板上。 13 6·如實施例135之微影裝置，其中該感測器經組態以根 據該經重新引導輻射而判定入射於該基板上的來自該至少 一轄射源之該輕射之一·光點的·一部位。 137.如實施例70至136中任一者之微影裝置，其中該調變 器經組態以圍繞實質上平行於該複數個光束之一傳播方向 的一軸線旋轉至少一輻射源。 13 8.如實施例70至137中任一者之微影裝置，其中該調變 器經組態以在橫向於該複數個光束之一傳播方向的一方向 上平移至少一輻射源。 139. 如實施例70至138中任一者之微影裝置，其中該調變 器包含一光束偏轉器，該光束偏轉器經組態以移動該複數 個光束。 140. 如實施例139之微影裝置，其中該光束偏轉器係選自 由鏡面、棱鏡或聲光調變器組成之群組。 14〗.如實施例丨39之微影裝置，其中該光束偏轉器包含一 多邊形。 142.如實施例139之微影裝置，其中該光束偏轉器經組態 以振動。 U3·如實施即9之微影裝置，纟中該光東偏轉 以旋轉。 W4·如實施例70至143中任一者之微影裝置，其中該基板 固持器經組態以在提供該複數個光束所沿著之一方向上移 154230.doc 201137539 動該基板。 145. 如實施例丨44之微影裝置，其中該基板之該移動為一 旋轉。 146. 如實施例70至145中任一者之微影裝置，其中該複數 個輻射源係可一起移動的。 147·如實施例70至146中任一者之微影裝置，其中該複數 個輻射源係以一圓形方式而配置。 148. 如實施例70至147中任一者之微影裝置，其中該複數 個輪射源配置於一板中且彼此隔開。 149. 如實施例70至148中任一者之微影裝置，其中該投影 系統包含一透鏡陣列。 150. 如實施例70至149中任一者之微影裝置，其中該投影 系統基本上由一透鏡陣列組成。 151. 如實施例I49或實施例150之微影裝置，其中該透鏡陣 列之一透鏡具有一高數值孔徑，且該微影裝置經組態以使 該基板處於與該透鏡相關聯的該輻射之該聚焦外，以有效 地降低該透鏡之該數值孔徑。 152•如實施例70至151中任一者之微影裝置，其中該等輻 射源中之每一者包含一雷射二極體。 1 53·如實施例152之微影裝置，其中每一雷射二極體經組 態以發射具有約4〇5奈米之一波長的輻射。 i54.如實施例7〇至153中任一者之微影裝置，其進一步包 含—溫度控制器’該溫度控制器經組態以在曝光期間將該 複數個輻射源維持於一實質上恆定溫度下。 154230.doc •112· 201137539 155.如實施例154之微影裝置，其中該控制器經組態以在 曝光之前將該複數個輻射源加熱至處於或接近該實質上值 定溫度之一溫度。 156·如實施例70至155中任一者之微影裝置，其包含沿著 . 一方向所配置之至少3個分離陣列，該等陣列中之每—者 . 包含複數個輻射源。 157.如實施例70至156中任一者之微影襞置，其中該複數 個輻射源包含至少約1200個輕射源。 158·如實施例70至157中任一者之微影裝置，其進一步包 含-對準感測器，該對準感測器係用以判定該複數個輕^ 源中之至少一輻射源與該基板之間的對準。 159·如實施例70至158中任一者之微影裝置，其進一步包 含-位階感測器，該位階感測器係用以判定該基板相對: 該複數個光束中之至少一光束之一聚焦的_位置。 、 160·如實施例158或實施例159之微影裝置，其進一步包含 控制器，該控制器經組態以基於對準感測器結果及/或 位階感測器結果而更改該圖案。 161. 如實施例70至160中任一者之微影裝置，其進—步包 • + —控制器’該控制器經組態以基於該複數個輻射源中: 1少—輻射源之—溫度的—量測或與該複數個輕射源中之 至少一輻射源相關聯之一溫度的一量測而更改該圖案。 162. 如實施例70至161中任一者之微影裝置，其進—步包 含-感測器，該感測器係用以量測已或待藉由該複數個= 射源中之至少一輻射源透射朝向該基板之輕射的一特性。 154230.doc -113- 201137539 163. —種微影裝置，其包含： 複數個個別可控制輻射源，該複數個個別可控制輻射源 紐組態以提供根據一所要圖案所調變之複數個光束； 一透鏡陣列’該透鏡陣列包含複數個小透鏡；及 -基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板， 八中在使用期間’除了該透鏡陣列以外，在該複數個輕 射源與該基板之間不存在其他光學器件。 164· 一種可程式化圖案化元件，其包含： 一基板，在該基板上具有在至少一方向上隔開之一輻射 發射二極體陣列；及 一透鏡陣列，該透鏡陣列處於該等輻射發射二極體之一 輻射下游側上。 165. 如實施例164之可程式化圖案化元件，其中該透鏡陣 列包含具有複數個微透鏡之—微透鏡陣列，該等微透鏡之 數目對應於輻射發射二極體之數目，且經定位以將藉由該 等輻射發射二極射之各別輻射發射二極體選擇性地傳遞 之輪射聚焦成一微光點陣列。 166. 如實施例164或實施例165之可程式化圖案化元件，其 中該等輻射發射二極體係在至少兩個正交方向上隔開。 167. 如實施例164至166中任一者之可程式化圖案化元件， 其中該等輻射發射二極體嵌入於一低熱導率材料中。 1 68· —種元件製造方法，其包含： 使用複數個個別可控制輻射源將根據一所要圖案所調變 之複數個光束提供朝向一基板之一曝光區域； 154230.doc -114- 201137539 移動該複數個輻射源中之至少一者，同時提供該複數個 光束’使得僅少於該複數個輻射源之全部的輻射源可在任 一時間曝光該曝光區域；及 將該複數個光束投影至該基板上。 169. —種元件製造方法，其包含： 使用複數個個別可控制輻射源來提供根據—所要圖案所 調變之複數個光束； Ο Ο 使該複數個輻射源、中之至少一者移動於其發射輕射之一 部位與其不發射輻射之一部位之間；及 將該複數個光束投影至一基板上。 170. —種元件製造方法，其包会 — 八匕s .使用谩數個個別可控制 輻射源來提供根據一所要圖案所調變之一光束；及使用僅 -透鏡陣列將來自該複數個個別可控制輕射源之該經調變 光束投影至一基板。 171. —種元件製造方法，其包含： 使用複數個個別可控制輻射源來提供根據一所要圖案所 調變之複數個電磁輻射光束； 在曝光一曝光區域期間相對於該曝光區域移動該複數個 輻射源中之至少一輻射源，使得來自該至少一輻射源之輻 射同時鄰接於或重疊於來自該複數個輻射源中之至少一另 一輻射源的輻射；及 將該複數個光束投影至一基板上。 172·如實施例168至171中任一者之方法，其中該移動包含 圍繞實質上平行於該複數個光束之—傳播方向的一軸線旋 154230.doc -115- 201137539 轉至少一輻射源。 173.如實施例168至172中任一者之方法，其中該移動包含 在橫向於該複數個光束之一傳播方向的一方向上平移至少 一輕射源。 1?4_如實施例168至173中任一者之方法，其包含藉由使用 一光束偏轉器來移動該複數個光束。 175. 如實施例174之方法，其中該光束偏轉器係選自由鏡 面、稜鏡或聲光調變器組成之群組。 176. 如實施例174之方法，其中該光束偏轉器包含一多邊 形。 177. 如實施例174之方法，其中該光束偏轉器經組態以振 動。 178. 如實施例174之方法，其中該光束偏轉器經組態以旋 轉。 179·如實施例168至178中任一者之方法，其包含在提供該 複數個光束所沿著之一方向上移動該基板。 180. 如實施例179之方法，其中該基板之該移動為—旋 轉。 181. 如實施例168至180中任一者之方法，其包含一起移動 該複數個輻射源。 182. 如實施例168至181中任—者之方法，纟中該複數個輕 射源係以一圓形方式而配置。 ⑻·如實施例168至182中任—者之方法，纟中該複數個輕 射源配置於一板中且彼此隔開。 154230.doc -116· 201137539 1 84.如實施例168至183中任一者之方法，其中該投影包含 使用一透鏡陣列將該等光束中之每一者的一影像形成至該 基板上。 1 8 5 •如貫施例16 8至1 8 4中任一者之方法，其中該投影包含 ' 使用基本上僅一透鏡陣列將該等光束中之每一者的一影像 . 形成至該基板上。 186·如實施例168至185中任一者之方法，其中該等輻射源 〇 中之每一者包含一雷射二極體。 187. 如實施例186之方法，其中每一雷射二極體經紐態以 發射具有約405奈米之一波長的輕射。 188. —種平板顯不器，其係根據如實施例168至丨中任一 者之方法而製造。 U9. —種積體電路元件，其係根據如實施例168至〖π中任 一者之方法而製造。 190. —種輻射系統，其包含： 〇 複數個可移動輻射陣列，每-輻射陣列包含複數個個別 可控制輻射源’該複數個個別可控制輻射源經組態以提供 根據一所要圖案所調變的複數個光束；及 一馬達’該馬達經組態以移動該等輻射陣列中之每一 191·如實施例190之輻射系統 實質上平行於該複數個光束之 等輻射陣列中之每一者。 ’其中該馬達經組態以圍繞 一傳播方向的一軸線旋轉該 192. 如實施例190或實施例191之輻射系 統，其中該馬達經 154230.doc •117· 201137539 組態以在橫向於該複數個光束之—傳播方向的一方向上平 移該等轄射陣列中之每一者。 193.如實施例190至192中任一者之輻射系統，其進一步包 含一光束偏轉器，該光束偏轉器經組態以移動該複數個= 係選自 包含一 194.如實施例193之輻射系統，其中該光束偏轉器 由鏡面、稜鏡或聲光調變器組成之群組。 195·如實施例193之輻射系統，其中該光束偏轉器 多邊形。 196如實施例193之輻射系統’其中該光蚩 τ X 果偏轉窃經組態 以振動。 ‘ 197.如實施例193之輻射系統，其中哕# 、T °亥九束偏轉器經組態 以旋轉。 198·如實施例190至197中任一者之輻射系統，其中該等輻 射陣列中之每—者的該複數個輕射源係可—起移動的。 199.如實施例190至198中任一者之輻射系統，其中該等輻 射陣列中之每—者的該複數個輻射源係以1形方式而配 置。 脈如實施例⑽至199中任-者之輻射系统，其中該等韓 射陣列中之每—者的該複數個料源配置於—板中且彼此 隔開。 201 ·如實施例190至200中任一者之輕射系統 含一透鏡陣列，該透鏡陣列係與該等輻射陣 相關聯。 ’其進一步包 列中之每一者 154230.doc -118- 201137539 2〇2.如實施例201之輕射系統，其中該等轄射陣列中之每 一者的該複數純射源中之每—者係與—透鏡陣列之一透 鏡相關聯，該透鏡陣列係與該輻射陣列相關聯。 203. 如實施例削至2〇2中任一者之輻射系統，其中該等輻 ㈣列中之每一者的該複數個輻射源令之每一者包含一雷 射二極體。 田 204. 如實施例203之輻射系統’其中每一雷射二極體經組 〇 態以發射具有約405奈米之一波長的輻射。 205. —種用於將一基板曝光至輻射之微影裝置，該裝置包 含-可程式化圖案化元件，該可程式化圖案化元件具有 100個至25000個自發射個別可定址器件。 206. 如實施例205之微影裝置，其包含至少4〇〇個自發射個 別可定址器件。 207. 如實施例205之微影裝置，其包含至少1〇〇〇個自發射 個別可定址器件。 〇 2〇8·如實施例205至2〇7中任一者之微影裝置，其包含 10000個以下自發射個別可定址器件。 209. 如實施例205至207中任一者之微影裝置，其包含5〇〇〇 個以下自發射個別可定址器件。 210. 如實施例205至209中任一者之微影裝置，其中該等自 發射個別可定址器件為雷射二極體。 211. 如實施例205至209中任一者之微影裝置，其中該等自 發射個別可定址器件經配置以在該基板上具有選自〇1微 米至3微米之範圍的一光點大小。 154230.doc •119· 201137539 212. 如實施例205至209中任一者之微影裝置，其中該等自 發射個別可定址器件經配置以在該基板上具有約丨微米之 一光點大小。 213. —種用於將一基板曝光至輻射之微影裝置，該裝置包 含一可程式化圖案化元件，該可程式化圖案化元件在經正 規化至ίο公分之一曝光場長度的情況下具有1 〇〇個至25〇〇〇 個自發射個別可定址器件。 214. 如實施例213之微影裝置，其包含至少4〇〇個自發射個 別可定址器件。 2 1 5 ·如實施例213之微影裝置，其包含至少丨〇〇〇個自發射 個別可定址器件。 216·如實施例213至215中任一者之微影裝置，其包含 10000個以下自發射個別可定址器件。 217. 如實施例213至215中任一者之微影裝置，其包含5〇〇〇 個以下自發射個別可定址器件。 218. 如實施例213至217中任一者之微影裝置，其中該等自 發射個別可定址器件為雷射二極體。 219. 如實施例213至217中任一者之微影裝置，其中該等自 發射個別可定址器件經配置以在該基板上具有選自〇.丨微 米至3微米之範圍的一光點大小。 220. 如實施例213至217中任一者之微影裝置，其中該等自 發射個別可定址器件經配置以在該基板上具有約丨微米之 一光點大小。 221. —種包含一可旋轉圓盤之可程式化圖案化元件，該圓 154230.doc •120- 201137539 盤具有100個至25000個自發射個別可定址器件。 222. 如實施例221之可程式化圖案化元件，其中該圓盤包 含至少400個自發射個別可定址器件。 223. 如實施例221之可程式化圖案化元件，其中該圓盤包 含至少1000個自發射個別可定址器件。 224. 如實施例221至223中任一者之可程式化圖案化元件， 其中該圓盤包含10000個以下自發射個別可定址器件。 Ο Ο 225·如實施例221至223中任一者之可程式化圖案化元件， 其中該圓盤包含5000個以下自發射個別可定址器件。 226. 如實施例221至225中任—者之可程式化圖案化元件， 其中該等自發射個別可定址器件為雷射二極體。 227. -種本發明中之—或多者之用途，其係用於平板 器之製造中。 μ 228•—種本發明中之一或多者之用 < 再係用於積體電路 封裝中。 229· -種微影方法’其包含使用具有自發射器件之— 式化圖案化S件將-基板曝光至輻射，其中在該 間，用以操作該等自發射器件的該可程式化圖案化元件= 功率消耗小於10千瓦特。 〈 230.如實施例229之方法’其中該功率消耗小於5千瓦特 Β1.如實施例229或實施例230之大、土 “ <万去’其中該功率消 至少100毫瓦特。 月耗為 該等自發射 232.如實施例229至231中任一去夕+ 1 $ <方法，其中 器件為雷射二極體。 、 154230.doc -121· 201137539 231 2·如實施例232之方法 雷射二極體。 其中該等雷射 二極體為藍紫色 234. —種微影方法，其包含使用具 ,自發射器件之一可程 式化圖案化元件將一基板曝光至輕 也 > 射’其中當在使用中 犄’母發射器件之光學輸出為至少1毫瓦特 235. 如實施例234之方法，其中該光 4主 +輪出為至少10毫瓦 将0 236.如實施例234之方法， 特。 其中該光學輪 出為至少50毫瓦 其中該光學輸出 其中該等自發射 二極體為藍紫色 237.如實施例234至236中任一者之方法 小於200毫瓦特。 23 8.如實施例234至237中任一者之方、去 器件為雷射二極體。 239.如實施例238之方法’其中該等雷射 雷射二極體。 240·如實施例234之方法 但小於或等於20毫瓦特。 其中該光學輪 出大於5毫瓦特 2认如實施例234至242中任一者之方法 器件係在單模式中操作。 〃中及專自發射 244.—種微影裝置，其包含： 154230.doc 其中該光學輪出大於5毫瓦特， 242·如實施例234之方法 但小於或等於40毫瓦特。 其中該光學輸出 大於5毫瓦特 -122- 1 4 1.如實施例2 2 4·之方法 2 但小於或等於30毫瓦特。 201137539 一可程式化圖案化元件， 發射器件；及 該可程式化圖案化元件具有自 用於自該等自發射器 件為折射光學器件。 -可旋轉框架’該可旋轉框架具有 件接收輻射之光學器件，該等光學器 245. —種微影裝置，其包含： 一可程式化圖案化元件， 發射器件；及 該可程式化圖案化元件具有自 Ο

-可旋轉框架，該可旋轉框架具有用於自該等自發射器 件接收輻射之光學器件，該可旋轉框架不具有用以自該等 自發射器件中之任-者或全部接收輕射的反射光學器件。 246. —種微影裝置，其包含： 一可程式化圖案化元件；及 一可旋轉框架，該可旋轉框架包含具有光學器件之一 板，具有光學器件之該板的一表面係平坦的。 247· —種本發明中之一或多者之用途，其係用於平板顯示 器之製造中。 248. —種本發明中之一或多者之用途，其係用於積體電路 封裝中。 249. 種平板顯示器’其係根據該等方法中之任一者而製 造。 250. —種積體電路元件’其係根據該等方法中之任一者而 製造。 251. —種微影裝置，其包含： 一光學圓柱，該光學圓柱經組態以在一基板之一目標部 154230.doc -123- 201137539 分上產生一圖案，該光學圓柱包括： 一可控制器件’該可控制器件經組態以提供一光束；及 一投影系統，該投影系統經組態以將該光束投影至該 目標部分上； 一致動器，該致動器經組態以相對於該基板移動該光學 圓柱之至少一部分； 一篁測系統，該量測系統經組態以量測該光學圓柱之該 至少一部分之一位置；及 一控制器，該控制器經組態以驅動該可控制器件，該控 制器具備該量測系統之—輸出信號。 252.如實施例251之微影裝置，其中該量測系統包含： 一位置感測器’該位置感測器經組態以提供表示該光學 圓柱之4至J -部分之—位置的一位置感測器信號； 一參考資料表 信號；及 該參考資料表經組態以提供一位置參考 β丨口 <吩知稱躞肌芯Μ便用琢位」 感測器#號來導出該輸出信穿 琥該參考資料表併入於該4 相迴路結構中。 2 5 3 •如κ加例2 5 2之微影裝置，立中古夕賴知、 甲π茨鎖相迴路結構包乂 一比較器，該比較器之一第一 1 ^ L ± 弟輸入具備該位置感測器十 號，該比較器之一楚-认、β 該位置參相號。 備^㈣參考資料表提^ 二二把例253之微影裝置，其中該鎖相 一電壓控制振盪器，哕雪厫k ± <塔、、口稱a s -亥電廢控制振蘆器係藉由該比較器之 154230.doc •124- 201137539 一經濾波輸出信號進行饋入，該電壓控制振盪器之一振盪 ι§輸出信號作為該輸出信號被提供至該控制器。 255·如實施例254之微影裝置，其中該振盪器輸出信號作 為一時脈信號被提供至該參考資料表，或該位置感測器之 一取樣電路，或此兩者。 256. 如實施例254或實施例255之微影裝置其中該振盪器 輸出信號之一時脈頻率為至少1〇倍於一感測器信號週期 〇 性，理想地，至少50倍於一感測器信號週期性。 257. 如實施例251至256中任一者之微影裝置，其中該可控 制益件為一自發射對比元件。 258. —種元件製造方法，其包含： 藉由一光學圓柱將一圖案產生至一基板之一目標部分 上’該產生包括： 使用一可控制器件來提供一光束； 藉由一投影系統將該光束投影至該目標部分上；及 Q 相對於该基板移動該光學圓柱之至少一部分； 藉由一量測系統量測該光學圓柱之該至少一部分之一位 置；及 回應於該量測系統之一輸出信號來驅動該可控制器件。 259. 如實施例258之方法，其中量測該光學圓柱之該至少 一部分之該位置包含： 藉由一位置感測器提供表示該光學圓柱之該至少—部分 之該位置的一位置感測器信號； 藉由一參考資料表提供—位置參考信號；及 154230.doc -125· 201137539 。藉由-鎖相迴路結構自該位置感測器信號導出該輸出信 號，5亥參考資料表併入於該鎖相迴路結構中。 260. 如實施例259之方法，其中該鎖相迴路結構包含—比 較器，該方法包含藉由該比較器比較該位置感測器信號與 藉由該參考資料表提供之該位置參考信號。 261. 如實施例260之方法，其中該鎖相迴路結構包含—電 壓控制振盪器’該方法包含藉由該比較器之一經濾波輪出 信二而對該電屋控制振蘆器進行輸入，及與_控制振 盪器之一振盪器輸出信號同步地驅動該可控制器件。 262. 如實施例261之方法，其中將該振盪器輸出信號作為 一時脈信號提供至該參考資料表，或該位置感測器之—取 樣電路，或此兩者。 263. 如實施例261或實施例262之方法，其中該振盈器輸出 信號之一時脈頻率為至少1〇倍於一感測器信號週期性，理 想地，至少5 0倍於一感測器信號週期性。 264. 如實施例259至263中任一者之方法，其中藉由以下步 驟判定該參考資料表之一輸入項： 遍及移動的該光學圓柱之該至少一部分的複數次繞轉而 記錄該位置感測器信號； 自該經記錄位置感測器信號判定一週期性； 將该經§己錄位置感測器信號再取樣至符合於該週期性之 一再取樣率；及 將該經再取樣位置感測器信號儲存於該參考資料表中。 265. 如實施例264之方法，其中遍及複數個週期性時間而 154230.doc •126- 201137539 號執行該再取樣。 自5亥經§己錄感測器信 其中該可控制器 266.如實施例258至265中任一者之方法 件為一自發射對比元件。 7· —種具有機器可執行 由一德哭叔— 尾細產該等指令可藉 "π執仃以執行一方法，該方法包括： 精由-光學圓柱將一圖案產生至一基 上，該產生包括： 〈目橾邛刀

使用一可控制器件來提供一光束； 藉由-投影系統將該光束投影至該目標部分上及 相對於該基板移動該光學圓柱之至少—部分； 藉由一量測系統量測該光學圓柱之該至少-部分之一位 回應於该量測系統之一位置信號來驅動該可控制器件。 儘管在本文中可特定地參考微影裝置在特定㈣或結構 (例如，積體電路或平板顯示器)之製造中之使用，… 〇 解’本文中所描述之微影裝置及微影方法可具有其他應 用。應用包括（但不限於）製造積體電路、整合光學系統二 用於磁，記憶體之導引及债測圖案、平板顯示二D: OLED顯示器、薄膜磁頭、微機電元件⑽ms)、微光機電 系統（MOEMS)、DNA晶片、封裝（例如，覆晶、重新分 佈，等等）、可撓性顯示器或電子器件（該等可撓性顯示= 或電子器件為可為可捲動、可·響曲（比如紙張）且保持無變 形、適型的、結實的、薄及/或輕量的顯示器或電子器 件，例如，可撓性塑膠顯示器），等等。又，例如，在平 154230.doc -127- 201137539 板顯示器中，本裝置及方 ,—_ 左J用以輔助產生各種層，例 如，溥膜電晶體層及/或彩 m . 巳，慮先益層。熟習此項技術者 應瞭解，在此等替代應用 m曰门 用〈内办旁景中，可認為本文中對 術。口曰日圓」或「晶粒」之住打姑田、 「w α 任何使用分別與更通用之術語 基板」或「目標部分同羞。 義。可在曝光之前或之後在 (例如）塗佈顯影系統（例如， 逋*將抗蝕劑層施加至基板且 、光抗餘劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中 處理本文中所提及之基 低週用枯，可將本文中之揭示應 用於此等及其他基板處理 蛟埋具。另外，可將基板處理一次 （例如）以便產生多層Ic，使得本文中所使用之術語 土板」亦可私代已經含有多個經處理層之基板。 本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型 之電磁輻射’包括紫外線（uv)輻射（例如，具有為或為約 不米248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長） 及極紫外線（EUV)輻射（例如，具有在為5奈米至2〇奈米之 範圍内的波長）；以及粒子束（諸如離子束或電子束）。 平板顯不态基板可為矩形形狀。經設計以曝光此類型之 基㈣微影裝置可提供覆蓋矩形基板之全寬度或覆蓋寬度 之一❹（例如，寬度之一半）的曝光區域。可在曝光區域 下方掃描基板，同時經由經圖案化光束而同步地掃描圖案 化元件’或圖案化元件提供變化圖案。以此方式，將所要 圖案之全部或部分轉印至基板。若曝光區域覆蓋基板之全 寬度’則可以單次掃描來完成曝光。若曝光區域覆蓋（例 )基板之見度之一半，則可在第一次掃描之後橫向地移 154230.doc •128· 201137539 動基板’且通常執行另外掃描以曝光基板之剩餘部分。 本文中所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為 指代可用以調變輻射弁击> # # = 文細耵元束之橫截面以便在基板（之部分）中 產生圖案的任何元件。應注意’例如，若被賦予至輻射光 束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不 會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。類似地， 最終產生於基板上之圖案可能不會對應於在任—瞬間形成 Ο

於個別可控制器件陣列上之圖案。在如下配置中可為此情 況：其中遍及個別可控制器件陣列上之圖案及/或基板之 相對位置改變期間的給㈣段或給^數目次曝光而建置形 成於基板之每一部分上的最終圖案。通常 產生於基板之 目標部分上的圖案將對應於產生於目標部分中之元件(例 如，積體電路或平板顯示器）中的特定功能層（例如，平板 顯示器中之彩色濾光器層或平板顯示器中之薄膜電晶體 層）。此等圖案化元件之實例包括（例如）光罩、可程式化鏡 面陣列、雷射二極體陣列、發光二極體陣列、光柵光閥， 及LCD P車列。gj案係憑藉電子元件（例^〇，電腦）可程式化 之圖案化元件（例如，包含可各自調變輻射光束之部分之 強度之複數個可程式化器件的圖案化元件（例如，在前句 中所提及之除了光罩以外的所有元件）K包括具有藉由調變 輻射光束之部分相對於輻射光束之鄰近部分之相位而將圖 案賦予至輻射光束之複數個可程式化器件的電子可程式化 圖案化元件）在本文中被共同地稱作「對比元件」。在一實 施例中，圖案化元件包含至少10個可程式化器件，例如， 154230.doc -129- 201137539 至少loo個可程式化器件、至少looo個可程式化器件、至 少10000個可程式化器件、至少100000個可程式化器件' 至少1000000個可程式化器件或至少10000000個可程式化 器件。以下稍微更詳細地論述此等元件中之若干者的實施 例： 可程式化鏡面陣列。可程 彈性控制層之矩陣可定址表面及反射表面。此裝置所隱含 之基本原理在於（例如）：反射表面之經定址區域將入射輻 f'% 射反射為繞射輻射，而未經定址區域將入射輻射反射為非 繞射輻射。在使用適當空間濾光器的情況下，可將非繞射 輻射濾出反射光束，從而僅使繞射輻射到達基板。以此方 式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案化。 應瞭解，作為一替代例，滤光器可遽出繞射輻射，從而使 非繞射輻射到達基板。亦可以對應方式使用繞射光學 Μ围元件陣列。繞射光學職8元件可包含複數個反射 帶’該等反射帶可相對於彼此而變形以形成將入射韓射反 射為繞射輻射之光栅。可程式化鏡面陣列之另 用微小鏡面之矩陣配置，該等微小鏡面令之每一吏 由施加適當局域化電場戋藉 无 g , 次精由使用壓電致動構件而圍繞一 軸線個別地傾斜。傾斜度界定

缺胗0# - 母鏡面之狀態。當器件A 缺知時，鏡面可藉由來自控制器之適： 制。每—無缺陷器件係可控制的 …/丁控 任一者，以便調整經投与 系列狀遽中之 ’又〜幸田射圖案申之 度。再次’鏡面係矩陣可定 、ί應像素的強 疋址的，使得經定址鏡面在與未 154230.doc -130, 201137539 經定址鏡面不同之方向上反射人射輻射光束；卩此方式， 反射光束可根據矩陣可定址鏡面之定址圖案而圖案化。可 使用適當電子構件來執行所需矩陣定址。可（例如）自全文 以引用之方式併入本文中的美國專利第us 5,296,891號及 第US 5,523，193號以及pCT專利申請公開案第w〇 98/38597 號及第WO 98/33096號搜集關於此處所提及之鏡面陣列的 更多資訊》 -可程式化LCD陣列。全文以引用之方式併入本文中的 美國專利第US 5,229,872號中給出此構造之實例。 微影裝置可包含一或多個圖案化元件，例如，一或多個 ，比元件。舉例而言，微影裝置可具有複數個個別可控制 益件陣列，每一者彼此獨立地被控制。在此配置中，個別 可控制器件陣列中之—些或全部可具有共同照明系統（或 照明系統之部分）、用於個別可控制器件陣列之共同支撐 結構及/或共同投影系統（或投影系統之部分）中的至少一 者。 應瞭解，在（例如）使用特徵之預偏置、光學近接式校正 特倣、相位變化技術及/或多次曝光技術時，「經顯示」於 個別可控制器件陣列上之圖案可實質上不同於最終轉印至 土板之層或基板上之層的圖案。類似地，最終產生於基板 上之圖案可能不會對應於在任一瞬間形成於個別可控制器 件陣列上之圖案。在如下配置中可為此情況：丨中遍及個 別可控制器件陣列上之圖案及/或基板之相對位置改變期 間的給定時段或給定數目次曝光而建置形成於基板之每一 ^4230.(10, -131 - 201137539 部分上的最終圖案。 投影系統及/或照明系統可包括用於引導、塑形或控制 輻射光束的各種類型之光學組件’例如，折射、反射、磁 /生電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 2影裝置可為具有兩個(例如，雙載物台)或兩個以上基 板台(及/或兩個或兩個以上圖案化元件台)的類型。在此等 「多载物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在—或 多個台上進行預備步驟，同時將—或多個其他台用於眼 光。 士 微影襄置亦可為如下類型：其中基板之至少—部分可藉 由具有相對較高折射率之「浸沒液體」（例如，水）覆蓋，曰 以便填充介於投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液 體施加至微影裝置中之其他空間’例如，圖案化元件與投 影系統之間的空間。浸沒技術係用以增加投影系統之 NA本文中所使用之術語「浸沒」不意謂結構（例如，美 板)必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位二 投影系統與基板之間。 另外，裝置可具備流體處理單元以允許流體與基板之铖 輻照部分之間的相互作用(例如，以選擇性地將化學物附 接至基板或選擇性地修改基板之表面結構）。 在-實施例中，基板具有實質上圓形形狀，視情況，A 著其周邊之部分具有凹口及/或平坦化邊緣。在一實施例 中’基板具有多邊形形狀’例如矩形形狀。基板具有實 質上圓形形狀之實施例包括如下實施例：其中基板具有至 154230.doc •132、 201137539 少25毫米之直徑，例如，至少50毫米、至少75毫米、至少 100毫米、至少125毫米、至少150毫米、至少175毫米、至 少200毫米、至少250毫米或至少300毫米。在一實施例 中，基板具有至多500毫米、至多4〇〇毫米、至多35〇毫 ' 米、至多3〇〇宅米、至多250毫米、至多2〇〇毫米、至多15〇 • 毫米、至多100毫米或至多75毫米之直徑。基板係多邊形 (例如’矩形）之實施例包括如下實施例：其中基板之至少 〇 一側（例如，至少兩侧或至少三側）具有至少5公分之長度， 例如，至少25公分、至少50公分、至少10〇公分、至少15〇 公分、至少200公分或至少250公分。在一實施例中，基板 之至少一側具有至多1000公分之長度，例如，至多75〇公 分、至多500公分、至多350公分、至多25〇公分、至多15〇 公分或至多75公分。在一實施例中，基板為具有約25〇公 分至350公分之長度及約250公分至3〇〇公分之寬度的矩形 基板。基板之厚度可變化，且在一定程度上，可取決於 〇 (例如）基板材料及/或基板尺寸。在一實施例中，厚度為至 少50微米，例如，至少1〇〇微米、至少2〇〇微米、至少 微米、至少400微米、至少500微米或至少6〇〇微米。在一 實施例中，基板之厚度為至多5000微米，例如，至多35〇〇 微米、至多2500微米、至多175〇微米、至多η”微米、至 多1〇〇〇微米、至多8〇〇微米、至多600微米、至多5〇〇微 米、至多400微米或至多3〇〇微米。可在曝光之前或之後在 (例如）塗佈顯影系統（通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經 曝光抗蝕劑之工具）中處理本文中所提及之基板。可I曝 154230.doc -133- 201137539 光之前或之後在（例如）度量衡工具及/或檢測工具中量測基 板之屬性。 在一實施例中’抗蝕劑層提供於基板上。在一實施例 中，基板為晶圓，例如，半導體晶圓。在一實施例中，晶 圓材料係選自由 Si、siGe、SiGeC、SiC、Ge、GaAs、lnp 及InAs組成之群組。在一實施例中，晶圓gin/v化合物半 導體晶圓。在-實施例中，晶圓為矽晶。在一實施例 中’基板為陶瓷基板。在一實施例中，基板為玻璃基板。 玻璃基板可有用於（例如）平板顯示器及液晶顯示器面板之 製造中。在一實施例中，基板為塑膠基板。在一實施例 中，基板係透明的（對於人類肉眼而言）。在一實施例中， 基板係彩色的。在一實施例中，基板係無色的。 雖然在一實施例中將圖案化元件1〇4描述及/或描繪為處 於基板114上方，但其可代替地或另外位於基板Η#下方。 另外，在-實施例中，圖案化元件1〇4與基板ιΐ4可並排， 例士目案化元件1 04及基板!! 4垂直地延伸且圖案經水平 地投影。在-實施例中，提供圖案化元件1()4以曝光基板 H4之至少兩個對置側。舉例而言，至少在基板ιΐ4之每一 各別對置侧上可存在至少兩個圖案化元件iG4以曝光該等 側。在-實施例中，可存在用以投影基板ιΐ4之—側的單 -圖案化元件104,及用以將來自單一圖案化元件說圖 案投影至基板U4之另一侧上的適當光學器件(例如，光束 引導鏡面）。 雖然上文已描述本發明 之特定實施例’但應瞭解， 可以 I54230.doc -134- 201137539 :所搖述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而 -’本發明可採取如下形式：電腦程式，該電腦程 描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的—或多個= 列’或：料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光 碟），該貧料錯存媒體具有儲存於其中之此電腦程式。

此外，儘管已在敎實施例及實例之内容f景中揭示本 發明，但熟習此項技術者應理解，本發明超出特定揭示之 實施例而擴充至本發明之其他#代實施例及/或使用以及 其明顯修改及等效物。此外，雖然已詳細地展示及描述本 發明之許夕變化’但基於此揭示’對於熟習此項技術者而 言丄在本發明之範嘴内的其他修改將係顯而易見的。舉例 而口據預期’可進行該等實施例之特定特徵及態樣的各 種組合或子組合’且該等組合或子組合仍屬於本發明之範 °因此’應理解’可將所揭示實施例之各種特徵及態樣 彼此組合或彼此取代’以便形成本發明之變化模式。舉例 而吕，在一實施例中，可將圖5之可移動個別可控制器件 實施例與（例如）不可移動個別可控制器件陣列組合，以提 供或具有備用系統。 因此，雖然上文已描述本發明之各種實施例，但應理 解，该等實施例係僅藉由實例而非限制進行呈現。對於熟 習相關技術者將顯而易見，在不脫離本發明之精神及範疇 的情況下，可在該等實施例中進行形式及細節之各種改 變。因此，本發明之廣度及範疇不應受到上述例示性實施 例中之任一者限制，而應僅根據申請專利範圍及該等申請 154230.doc •135- 201137539 專利範圍之等效物進行界定。 【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發明 視圖。 圖2描繪根據本發明 視圖。 圖3描繪根據本發明 視圖。 圖4描繪根據本發明 視圖。 圖5描繪·根據本發明 視圖。 實施例之微影裝置的示意性側 之-實施例之微影裝置的示意性俯 之一實施例之微影裝置的示意性俯 之一實施例之微影裝置的示意性俯 之—實施例之微影裝置的示意性俯 圖（A)至圖6(D)描緣根據本發明之一實施例之微影裝置 之部分的示意性俯視圖及侧視圖。 圖7(A)至圖7(〇)描繪根據本發明之一實施例之微影裝 之部分的示意性俯視圖及側視圖。 t 圖7(P)4fe、、’a根據本發明之—實施例之個別可定址器件的 功率/前向電流圖解。 圖8描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性側 視圖。 圖9描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性側 視圖。 圖104田繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性側 視圖。 154230.doc -136- 201137539 圖11描繪根據本發明 <一實施例之用於微影裝置之個別 可控制器件陣列的示意性俯視圖。 圖12描繪使用本發明之—實施例將圖案轉印至基板之模 式。 • 圖13描繪光學引擎之示意性配置。 圖14⑷及圖i 4(B)料根據本發明之—實施例之微影裝 置之部分的示意性側視圖。 圖1 5描繪根據本發明之-實施例之微影裝置的示意性俯 、 視圖。 圖16⑷讀根據本發明之—實施例之微影裝置之部分 的示意性侧視圖。 圖啡)描繪感測器之偵測區域相對於基板之示意性位 置。 圖17描繪根據本發明之-實施例之微影裝置的示意性俯 視圖。 Ο 圖18描繪根據本發明之-實施例之微影裝置的示意性橫 截面側視圖。 圖19描繪微影裒置之部分的示意性俯視圖佈局，微影袭 置具有根據本發明之—實施例的在χ_γ平面中實質上靜止 之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學 器件。 圖2〇描繪圖19之微影裝置之部分的示意性三維圖式。 圖21描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局， 置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜： 154230.doc •137- 201137539 之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學 器件，且展示光學器件242集合相對於個別可控制器件之 三個不同旋轉位置。 圖22描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝 置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止 之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學 器件，且展示光學器件242集合相對於個別可控制器件之 三個不同旋轉位置。 圖23描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影事 置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止 之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學 器件，且展示光學器件242集合相對於個別可控制器件之 五個不同旋轉位置。 圖24描繪在使用具有5 6毫米之直徑的標準雷射二極體 以獲得橫越基板之寬度之全覆蓋時個別可控制器件i 之 部分的示意性佈局。 圖25描繪圖24之細節的示意性佈局。 圖26描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微景^事 置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止 之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學 器件。 予 圖27描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影穿 置具有根據本發明之一實施例的在χ_γ平面中實質上靜止 之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光Μ 154230.doc • 138- 201137539 器件。 圖28描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝 置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止 之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學 器件，且展示光學器件242集合相對於個別可控制器件之 五個不同旋轉位置。 圖29描繪圖28之微影裝置之部分的示意性三維圖式。 圖30示意性地描繪藉由圖28及圖29之單一可移動光學器 件242集合同時地書寫的8條線之配置。 圖31描繪用以在圖28及圖29之配置中以移動脊頂來控制 聚焦的示意性配置。 圖32描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性橫 截面側視圖，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控 制器件可移動之光學器件。 圖33描繪根據本發明之一實施例的微影裝置之部分。 圖34描繪圖33之微影裝置之部分的俯視圖。 圖35描繪根據本發明之一實施例的圖33之微影裝置之器 件的示意性方塊圖。 圖3 6描繪根據圖3 5之實施例的示意性方塊圖。 【主要元件符號說明】 100 微影投影裝置 102 個別可定址器件/個別可控制器件/輻射發射 二極體/輻射發射元件 154230.doc -139- 201137539 104 106 108 110 114 116 120 134 136 138 150 160 170 172 174 176 200 204 206 208 210 212 圖案化元件 物件固持器/物件台/基板台 投影系統 經圖案化輻射光束/經調變輻射光束 基板/晶圓 定位元件 目標部分 位置感測器 基座 干涉量測光束 對準感測器/位階感測器 框架 透鏡陣列 第二透鏡 孔徑光闌 第一透鏡 個別可定址器件1 02陣列/個別可控制器件1 02 陣列/二維輻射發射二極體陣列 曝光區域 軸線 方向 個別可定址器件102子陣列 開口 支撐件 214 154230.doc -140- 201137539 Ο ❹ 216 馬達 218 可旋轉結構 220 馬達 222 流體傳導通道 224 供應件 226 返回件 228 熱交換器及泵 230 散熱片 232 散熱片 234 感測器 236 流體限制結構 238 流體 240 流體供應元件 242 成像透鏡/光學器件 244 致動器 246 陣列200之本體 248 孔隙結構 250 板 252 空間相干性破壞元/ 254 聚焦或位階感測器 256 聚焦偵測光束 258 半鍍銀鏡面 260 刀緣 262 偵測器 154230.doc -141 201137539 400 控制器 402 收發器 404 線 406 收發器 500 感測器 502 光束重新引導結構 504 結構 506 結構 508 致動器 510 感測器 520 感測器 522 經曝光區域 600 可旋轉多邊形 602 軸線 604 多邊形600之表面 606 多邊形600之表面 700 RF耦合 800 經成像線 801 轉輪 802 透鏡 802A 透鏡 802B 透鏡 803 方向 804 成像透鏡 154230.doc - 142- 201137539

806 準直透鏡 808 成像透鏡 810 成像透鏡 812 透鏡 814 場透鏡 815 方向/部位 816 成像透鏡 817 光曈平面 818 成像透鏡 820 抛物面鏡面 821 旋轉軸線 822 抛物面鏡面 823 成像透鏡242集合距旋轉軸線82 1之半徑 824 反旋轉器 826 抛物面鏡面 828 抛物面鏡面 829 X方向 830 反旋轉器 831 掃描方向 832 摺疊鏡面 833 方向 834 脊頂 836 致動器 838 框架 154230.doc -143- 201137539 840 框架 890 可移動板 900 微影裝置 902 基板台 904 定位元件 906 個別可控制輕射源/自發射對比元件 908 框架 910 致動器/馬達 912 旋轉框架 914 可移動光學器件 916 轴線 918 馬達 920 透鏡/投影系統 922 孔隙結構 924 投影系統/場透鏡 926 框架 928 基板 930 投影系統/成像透鏡 932 對準/位階感測器 934 陣列 936 馬達/致動器 938 編碼器/感測器 940 位置信號處理單元/處理單元或處理器 942 控制系統或控制器 154230.doc -144· 201137539

944 相位比較器 946 渡波器 948 控制振盪器 950 參考資料表 A 旋轉軸線 B 旋轉軸線 FWD 自由工作距離 P 間距 R 光點曝光之列 R1 列 R2 列 S 輻射光點 SA 輻射光點S陣列 SE 光點曝光 X 方向 Y 方向 Z 方向 154230.doc 145-

Claims (1)

1. 201137539 七、申請專利範圍： 1· 一種微影裝置，其包含： 一光學圓杈，該光學圓柱經组態以在一基板之一目標 部分上產生—圖案，該光學圓柱包括： 一可控制器件，該可控制器件經组態以提供一光 束；及 一投影系統，該投影系統經組態以將該光束投影至 該目標部分上； Ο

   一致動器，該致動器經組態以相對於該基板移動該光 學圓柱之至少一部分； ϊ測系統，該量測系統經組態以量測該光學圓柱之 該至少一部分之一位置；及 控制器具備該量測系統之一輸出信號。 2.如«項i之微影裝置，其中該量測系統包含： 位置感測is，該位置感泪，丨哭八k ι级测态經組態以提供表示該光 學圓柱之該至少一部分之— . 位置的一位置感測器信號； 一參考資料表，該參考眘 考信號；及 續表經組態以提供-位置參 —鎖相迴路結構，該鑪士 £ ^ 3! r ^ ^ . 迴路結構經組態以使用該位 1级阌态k唬來導出該輪出 該鎖相迴路結構中。 。旎’该參考資料表併入於 3·如請求項2之微影裝置，苴 齡哭 ^ ”中該鎖相迴路結構包含一比 权态，該比較器之一第—鉍 傅匕3比 月3入具備該位置感測器信號， 154230.doc 201137539 該比較器之一 位置參考信號 第-輪人具備藉由該參考資料表提供之該 4·如請求項3之微影裴 壓控制振盈器，該電麼=鎖相迴路結構包含—電 經遽波輪出信號進行产：㈣器係藉由該比較器之- 器輸出信號作為該輪出二該電厂堅控制顧器之—振覆 3出偽諕被提供至該控制器。 求項4之微影裝置，其中 時脈信號被提供至該泉去〜l + 作為- 取樣電路，或此兩者。 或該位㈣測器之一 I Π::或請求項5之微影裝置，其中該_輸出信 ’U日’ R頻率為至少1〇倍於一感測器信號週期性 想地，至少50倍於一感測器信號週期性。 7·如請求項1至5中任—項之微影裝置，其中該可控制器件 為一自發射對比元件。 8. 一種元件製造方法，其包含： 目標部分 藉由一光學圓柱將一圖案產生至一基板之_ 上，該產生包括： 使用一可控制器件來提供一光束； 藉由一投影系統將該光束投影至該目標部分上；及 相對於該基板移動該光學圓柱之至少一部分； 藉由一量測系統量測該光學圓柱之該至少—部分之一 位置；及 回應於該量測系統之一輸出信號來驅動該可控制器 件0 154230.doc 201137539

   9.如請求項8之方法 分之該位置包含： 其中量測該光學圓柱之該至少 —部 10. 11. 12. 藉由—位置感測器提供表示該光學圓柱之該至 刀之該位置的一位置感測器信號； 藉由—參考資料表提供一位置參考信號；及 藉由—鎖相迴路結構自該位置感測器信號導出 信號，該參考資料表併入於該鎖相迴路結構中。 月长項9之方法，其中該鎖相迴路結構包含 該方法包含藉由該比較器比較該位置感測器 藉由该參考資料表提供之該位置參考信號。 少一部 該輪出 一比較 信號與 如請求項1G之方法，其中射貞相迴路結構包含_電壓控 制振盪器，該方法包含藉由該比較器之—經遽波輪出^ 號而對該電壓控制振盪器進行輸入，及與該電壓控· 盪器之一振盪器輸出信號同步地驅動該可控制器件。 如請求項11之方法，其中將該振盪器輸出信號作為一時 脈信號提供至該參考資料表，或該位置感測器之—取樣 電路，或此兩者。 13. 如請求項丨丨或請求項12之方法，其中該振盪器輸出信號 之一時脈頻率為至少10倍於一感測器信號週期性，理想 地，至少50倍於一感測器信號週期性。 14. 如請求項9至12中任一項之方法，其中藉由以下步驟判 定該參考資料表之一輸入項： 遍及移動的該光學圓柱之該至少一部分的複數次繞轉 而記錄該位置感測器信號； 154230.doc 201137539 自該經記錄位置威淛哭#咕 4而盗6號判定一週期性，· 將該經記錄位置感測哭户& 盗4號再取樣至符合於該週期性 之一再取樣率；及 將該經再取樣位置咸、、目丨丨上 直α冽态“號儲存於該參考資料表 15.如請求項14之方法 經記錄感測器信號執行該再取樣 r過及複數個週期性時間而自該 16.如请求項8至12中任一項之方法，其中該可控一自發射對比元件。 件為 17· -種具有機器可執行指令之電腦產品，該等指 -機器執行以執行一方法，該方法包括·· 藉由 藉由—光學圓柱將-圖案產生至一 上，該產生包括： 土板之目標部分 使用—可控制器件來提供一光束； 藉由投影系統將該光束投影至該目標部八 =對於該基板移動該光學圓柱之至少—部分；，及 藉由量測系統量測該光學圓柱之該至少—立 位置；及 °卩分之一 回應於該量測系 件。 統之一位置信號來驅動該可控制器 154230.doc