TW201103681A - Methods and systems for laser-scribed line alignment - Google Patents

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TW201103681A
TW201103681A TW099119179A TW99119179A TW201103681A TW 201103681 A TW201103681 A TW 201103681A TW 099119179 A TW099119179 A TW 099119179A TW 99119179 A TW99119179 A TW 99119179A TW 201103681 A TW201103681 A TW 201103681A
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Bassam Shamoun
Antoine P Manens
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Applied Materials Inc
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Description

201103681 六、發明說明: 【交互參照之相關申請案】 本申請案主張美國臨時專利申請案號61/186,735、名 稱為「用於雷射切劃線校準之方法及系統(Methods and
Systems For Laser-Scribed Line Alignment)」、西元 2009 年6月12日申請(代理人文件編號016301_094700us)之 申請案的權益,其全文一併附上供作參考。 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於用於雷射切劃線校準之方法及系統。 【先前技術】 在此所述之各種實施例大體上是關於材料的雷射切 劃、熔接或圖案化,且特別是有關用於形成相對先前形 成特徵結構置於工件上之特徵結構的系統和方法。這些 系統和方法對雷射切劃薄膜單一接合面和多重接合面太 陽能電池特別有用。 目刖用於形成薄膜太陽能電池的方法涉及沉積或以其 他方式形成多層至基板上,例如適於形成一或多個pn 接合面的玻璃、金屬或聚合物基板。示例薄膜太陽能電 池包括透明導電氧化物(TC〇)層、複數個摻雜與未摻雜矽 層、和金屬煮層。一連串的雷射切劃線一般用於形成串 聯連接的個別電池。可用於形成太陽能電池的材料實例 201103681 及用於形成電池的方法和設備例如描述於共同申請之美 國專利申請案號11/671,988、西元2007年2月6曰申請、
名稱為「多重接合面太陽能電池及其形成方法和設備 (MULTI-JUNCTION SOLAR CELLS AND METHODS AND APPARATUSES FOR FORMING THE SAME)」之申 請案’其一併附上供作參考。 當面板由大基板形成時,一連串的雷射切劃線一般用 於各層内,以描繪個別電池。第i圖示圖說明示例太陽 能電池組件1 〇 ’彡包括切劃線,例如雷射切劃線。太陽 能電池組件10可藉由沉積一些層至玻璃基板12上及 在層内切sij些線而製造。製造製程始於沉積TCO層14 至玻璃基S 12上。第-組線16(「ρι」線)接著切劃於 tco層14内。複數個摻雜與未摻雜之非晶矽^^)層18 接著沉積在tco | 14上和第一組線16内。第二組線 2〇(「P2」線)接著切劃於梦層18内。金屬層22接著沉 積在矽層18上和第二組線2〇内。接著如所示切劃第三 組線24(「P3」線和「P3」隔離線)。 ‘-、s大化薄膜太陽能面板的功率輸出將切劃製程造 成對功率生產無用的表面積減到最小是很重要的。為 此一 -條線(所謂!>卜P2和p3)彼此需盡可能靠近、又仍 隔達電ϋ絕緣目的所需的最小量。故切劃Μ線時,希 望形成Ρ2線鄰接ρ“線’且間隔為盡量 減到最小、又X合、告=β Α ^ Γβ1 ^ ?2繳亦、炊 會違反所需最小間隔,此對Ρ3線相對 但上述堆層及切劃程序將導致本身變成以不 201103681 同工具切劃各組線(p 1、、认制& P2和P3)的製程,其造成協調放 置以某一工具形成之線組和 砰匕以另一工具形成之現存線 組的困難。 因此’希望開發系統和方法,用以相對先前切劃的線, 準確切劃線,特別是相對以不同工具形成的切劃線。另 外’尚可看出此需要更佳的校準或相對放置切劃線或 亦存於熔接或其他圖案化系統的其他特徵結構。 【發明内容】 以下簡略總結本發明之一些實施例,以提供本發明之 基本理解。此發明内容並非廣泛概述本發明。其無意確 定本發明之主要/關鍵元件、或限定本發明之範圍。其唯 一目的為以簡化形式呈現本發明之一些實施例以作為 後續詳細說明的序言。 根據許多實施例之方法和相關系統提供用於形成特徵 結構至工件上,其相對先前形成於工件上之特徵結構設 置。這些方法和相關系統對雷射切劃薄膜多重接合面太 陽能電池的製造特別有用。 在一第一態樣中,提供使用雷射切劃裝置來切劃工件 的方法。方法包含提供具複數個先前切劃線的工件;形 成第一鄰接切劃線鄰接於第一先前切劃線;使用影像裝 置測量先前切劃線的位置;使用影像裝置測量第—鄰接 切劃線的位置;以及利用測量位置來控制第二鄰接切劃 201103681 線形成鄰接於第二先前切劃線。 在另—態樣中,提供用於雷射切劃具複數個先前切劃 線之工件的系統。系統包含雷射,可操作用以產生能自 工件移除材料的輸出;掃描裝置,可操作用以控制來自 雷射之輸出相對工件的位置;影像裝置,配置以回應拍 攝工件之切劃線位置而輸出影像資料;以及處理器耦 接至掃描裝置和影像裝置。處理器包含有形媒體,其包 含指令且執行時,促使處理器致使第一鄰接切劃線形成 鄰接於第一先前切劃線;處理影像裝置輸出的影像資 料,以測量先前切劃線的位置;處理影像裝置輸出的影 像資料,以測量第一鄰接切劃線的位置;以及利用測量 位置,控制第二鄰接切劃線形成鄰接於第二先前切劃線。 在又一態樣中,提供利用雷射切劃裝置在工件上形成 圖案的方法《方法包含提供具複數個先前切劃線的工 件,引導雷射光束,以於離第一先前切劃線的第一目標 間隔處形成第一鄰接切劃線;使用影像裝置以確定第一 先前切劃線與第一鄰接線間的實際間隔;利用第一目標 間隔與確定之實際間隔的差異,調整引導雷射光束而於 離第二先前切劃線的第二目標間隔處形成第二鄰接切劃 線。 為充分理解本發明之本質和優點,可參照詳細說明和 所附圖式。本發明之其他態樣、目的和優點從圖式和以 下詳細說明將變得更清楚易僅。 7 201103681 【實施方式】 根據許多實施例之方法和系統大體上是關於材料的雷 射切劃、料或圖案化,且許多實施例特別是有關用於 雷射切劃線校準的方法m許多實施例提供使用影 像裝置測量先前形成雷射切劃線的一或多個位置、和最 近形成雷射切⑽的,戈多個位sα更精_校準雷射 切劃線和先前形成雷射切劃線。所得測量可用來對準先 前形成切劃線在嚴密控制的間隔内形成切劃線。此外, 所得測量可用來校正測量位置和形成位置。校正是藉由 補償影像裝置測量之雷射切劃線位置與雷射切劃線形成 位置間的偏移,以提供相對先前形成雷射切劃線,更準 確形成雷射切劃線的能力。這些方法和系統對雷射切劃 薄膜多重接合面太陽能電池特別有用。 雷射切劃裝置 第2圖繪示可根據許多實施例使用之雷射切劃裝置 100。雷射切劃裝置100包括實質平面床或平臺1〇2,其 一般呈水平’用以接收及操縱工件104,例如具至少一 層沉積於上的基板。在許多實施例中,工件能沿著單一 方向向量、以高達或高於2公尺/秒(m/s)的速度來回移 動。在許多實施例中’工件對準固定位向,且工件長轴 實質平行工件於雷射切劃裝置丨〇〇中的移動。使用影像 裝置(如照相機)取得工件上的標識可協助對準。在雷射 切劃裝置100中,雷射(顯示於後續圖式)設在工件底下 8 201103681 且在排氣機構1〇8之橋 Μ 108 α, 接15 106托住部分對面,排氣機 移除的材料。工件104=自基板剝_或以其… 可裝载至平臺102的第-末端上, 署 側朝下(朝向雷射)且層側朝上(朝向排氣裝 。工4可接_滾轴11G的陣列上,但也可用此技藝 所熟知的其他軸承或平移型物件來接收及移動工件。在 雷射:劃裝置⑽中’滾軸110的陣列全沿著工件行進 °向單方向’使得工件相對雷射組件朝縱向來回 移動。裝置包括至少-可控制驅動機構112,用以控制 工件104在平| 1G2上的方向和移動速度。㈣。统的進 步描述和其使用可參見共同申請之美國臨時專利申請 案號61/044,390,其一併附上供作參考。 第3圖為雷射切劃裝置1〇〇的末端視圖,其繪示一系 列的雷射組件114,用以切劃工件的膜層。在雷射切劃 裝置100中,有四個雷射組件114,其各自包括雷射和 元件,例如透鏡和其他光學元件,用以聚焦或以其他方 式調整雷射長寬。雷射可為任何適合雷射,其可操作來 剝離或以其他方式切劃工件的至少一層,例如脈衝式固 態雷射。可以看出’部分排氣裝置108相對工件置於各 雷射組件的對面,以有效排放透過各雷射組件自工件剝 離或以其他方式移除的材料。每一雷射組件實際上產生 二個有助於切劃工件的有效光束。為提供一對光束,每 一雷射組件可包括至少一分束裝置。 第4圖繪示可根據許多實施例使用之雷射組件200的 201103681 基本元件,然應理解也可適當增設附加或其他元件。在 雷射組件2GG中,單-雷射2。2產生光束,其由擴束器 擴展、接著通過分束器2()6(如部分透射鏡半塗銀 鏡、棱鏡組件等)而形成第一和第二光束部分。在雷射組 件200中,各光束部分通過衰減元件而減弱光束部 分、調整此部分的脈衝強度、和遮光# 21〇以控制光束 部分各自的脈衝形狀。各光束部分接 元件-,以將光束部分聚焦至掃……= 描頭214包括至少一能調整光束部分 為方向偏折機構的震鏡掃描器。在許多實施例中此為 能沿著緯度方向(垂直於工件的移動向量)調整光束位置 的旋轉鏡,其容許相對預定切劃位置調整光束位置。 在許多實施例中,各掃描頭214包括一對旋轉鏡216 或至少-能二維(2D歸雷射光束位置的元#。各掃描 頭包括至少-驅動元件218,其可操作接收控制訊號, 以調整光纟「點」在掃描場内且相對工#的位置。在許 多實施例中’工件上的點尺寸在約6〇毫米—WO· 之掃描場内為數十微米1亦可為各種其他尺寸。此方 式不僅可改善卫件上的光束位置校正,其還可形成圖案 或其他非線性切劃特徵結構至工件上。另外,二維掃描 光束的能力意味著透過切劃可於工件上形成任何圖案, 又不需旋轉卫件。例如,第5圖繪示根據許多實施例之 示例雷射組件的透視圖。出自各雷射22()的脈衝光束沿 著二路徑分裂’其各自引導到2D掃描頭222。如圖所示, 201103681 ^用2D掃私頭222將對各光束產生實質方形的掃描場, 其以離開各掃描頭222的三角錐224表示。藉由控制尺 =和方形掃描場相對工件的位置,雷射⑽能有效切劃 板上的任何位置,同時造成最少次數通過基板。若掃 描場的位置實質會合或重#,則以相對雷射組件軍次通 過基板的方式切劃整個表面。 第A圖示圖說明根據許多實施例之雷射組件300。雷 射組件300類似前述第4圖雷射組件·,但另包括二 影像裝置320(如戶斤千费人从 1所不電何耦合裝置(CCD)照相機)整合於 雷射組件3GG’如此各影像裝置32()可經由連結掃描器 314觀察工件°如圖所示,影像裝置320可利用雙色分 束器3〇6整合’使影像裝置的觀察方向實質對應沿著提 供個別雷射光束部分至各掃描器314的方向。如上所 述,儘管可採用不同相對位置,然影像裝i 320可整合 雷射組件300,使其觀察中心和切劃雷射搬的輸出指 向掃描器314對準工件上的同一位置。 如第6B ®所#,使用未整合於雷射組件的影像裝置 320。例如,影像裝置32〇和掃描器314裝設在共用移動 平臺,以維持影像裝置32〇與掃描器3 14間有固定相對 偏移。影像裝置320亦可不裝設在裝設掃描器314的移 動平臺,例如裝設於固定位置、裝設到另一移動平臺。 切劃線放置及測量 在許多實施例中,不同組雷射切劃線(如ρι、p2和p3 例如’第一雷射切劃 線)由一些雷射切劃裝置劃入工件。 11 201103681 在工件上切劃P丨線組(如第1圖所示 接著傳送到第_之線16)。工件 圖所心= ,在此切劃P2線組(如第1 切刻裝置V 線組。工件接著傳送到第三雷射 P2線扯 切劃?3線組(如第1圖所示之線24)鄰接 圖所示,P1線組相隔預定間隔,例如ι〇職。 圖示圖說明利用多個掃描器來形成ρι線支組。在許 掃,P1、線1-28(即Ρ11·Ρ128)由第一掃描器(如 掃描器編號υ形成,線29(即Ρ129)由第二掃描器(如掃 描器編號2)形成》第二掃描器可用於形成附加η線例 如Ρ】線30-56(未繪示)。附加掃描器可用於形成附加支 組’例如第三掃描器和第四掃描器^亦應理解各掃描器 可依任何掃描圓案數量形成任何適當數量的ρι或其他 線在許夕實施例中,各掃描器透過一連争的重疊雷射 亲J離而形成個$ P1、線’同時工件相對掃描器移動。例 如’第-掃描器用於朝向前方向(即從第7圖底部往頂部) 形成線Ρ11’同時工件相對掃描器移動如此掃描器相 對工件朝向前方向移動。接著使卫件反向並讓第一掃描 器轉向,以朝相反方向形成線ρΐ2(即從第7圖頂部往底 部)。利用一或多個掃描器來引導一連串的重疊雷射剝 離,同時使工件相對一或多個掃描器向前和反向移動, 可形成Ρ1線組。 第8Α至8F圖繪示根據許多實施例之一些方式,其可 用於測量先前形成雷射切劃線的一或多個位置、和最近 12 201103681 形成雷射切劃線的一或多個位置。所得測量可用來對準 先前形成切劃線在嚴密控制的間隔内形成切劃線。此 外’所得測量可用來校正測量位置和形成位置。藉由校 正測量位置和形成位置’可更緊密校準切劃線和先前形 成切劃線》 第8A圖示圖說明相對工件,向前(如從第8a圖底部 往頂部)移動影像裝置322(如線掃描照相機,例如具4〇〇〇 晝素(7微米晝素)之線性CCD陣列、二維影像裝置參與 區域等),以測量一或多個基準標識(如F1)及/或一或多 個切劃線(如P11和P12)的位置。在許多實施例中,影像 裝置322與工件間的相對移動由工件的縱向(如γ方向 移動產生,同時影像裝置322間歇橫向移動(如朝χ方向 步進)’以將影像裝置322定位成適合工件縱向通過。一 或多個基準標識及/或—或多個切線標示的特殊畫素 可用於讀定特徵結構的位置。例如’提供畫素所在與方 位間之相應處的校正資料可用於位置判斷。測量位置可 用於形成後續形成切劃線期間’以更緊密校準形成切劃 線和先前形成切劃線。因工件移動方向造成差異,故朝 相同方向移動影像裝置322以測量切劃線位置是有益 的,其中將形成鄰接切劃線。例如’若朝向前方向形成 線P11旁的切劃線(如第8C圖形成之線P21),則藉由相 對工件向前移動影像裝置322所測量的位置,比目 相對工件反向移動影像裝置322所測量的位 確校準線P21和線P1卜向前移動拍攝操作 13 201103681 作」)為選擇性步驟,其例如可省略,、 ^ ^ A M免影響產量。 在許多實施例中,測量位置用來建 别甘-r m 構剛量線的分析模 型,其可用於更緊密校準後續切劃線 啊冽量線。例如, 内插法可用來預測測量位置間的測量線位置1用已知 的曲線擬合技術產生測量線方程式, 缸级Μ , 亦可建立測量線的 數子模型。在許多實施例中,數學模 型涉及範圍從簡易 直線方程式到曲線方程式,例如多項式曲線方程式及/或 具振盛函數(如正弦、餘弦)的方程式,以說明沿著測量 線的位置變化,其乃因測量線形成 取朋間,雷射切劃裝置 的振盪震動所致。例如’當測量線包含頻率約5G赫兹㈣ 之振盪部件時,2嶋或以上之測量頻率每次振盈將提 供四或更多偏資料點’其可料將包括㈣函數之曲線 方程式擬合測量位置》 在許多實施例中’測量位置用於判斷二測量位置間的 相對間隔。例如’測量位置可用來判斷線pu與基準標 識F1間(△(PU-FD)及/或線P12與線pu間 的一或多個相對間隔。 在許多實施例中’二固定影像褒置用於找出基準標識 位置(如一固定影像裝置設置找出基準標識η的位置, 另-固定影像裝置設置找出工件對側Λ的基準標識位 置)。採用專用基準標識影像裝置免除了用以找出基準標 識位置的個別操作,故可提高產量。 在許多實施例中,校正資料提供影像裝置之二畫素位 置與拍攝特徵結構(其標示於二畫素位置)間之實際距離 201103681 間的相應處並可用來判斷拍攝特徵結構間的相對間隔β 例如’在帛8圖之向前拍攝移動期間,&準標識F1的位 置標示於第一晝素位置’ pu線的鄰接位置標示於第二 畫素位置。分隔第—與第二畫素位置的畫素數量可配合 校正資料使用,其提供畫素間隔與距離間的相應處而確 疋Δ(Ρ11-F1)。Δ(ρ12_ρι丨)可以類似方式確定。 用以將晝素間隔轉換成實際距離的校正資料可為影像 裝置相對拍攝特徵結構之位置的函數。例如,在第8A 圖所示之向前操作巾,由於影像裝置相對基準標識F1、 線P11和P12的位置所致,用於確定Δ(Ρ12Ρ11)的畫素 間隔與實際間隔的轉換不同於用於確定的轉 換。在許多實施例中,從—影像通過另—影像時,影像 裝置相對測量線的位置實質相仿,故可採用相同的畫素 間隔與實際間隔的轉換來確定類似間隔。 第8Β圖示圖說明相對工件,反向(如從第8α圓頂部往 底部)移動影像裝置322,以測量一或多個基準標識(如 F1)及/或一或多個切劃線(如P11和ρΐ2)的位置。反向移 動期間測量的位置可以類似方式用於上述向前移動期間 測量的位置。例如,利用後續形成切劃線(如第8D圖形 成之線22)形成時反向測量的位置是有益的,因後續形成 切劃線亦反向形成。利用反向移動時測量之位置確定的 一或多個相對間隔可配合利用向前移動時測量之位置確 定的一或多個間隔使用達到一些目的,例如確定及/或補 充確定間隔。反向移動拍攝操作(「虛擬R_操作」)為選 15 201103681 擇性步驟’其例如可省略,以免影響產量β 如上所述’ 一或多個相對間隔可利用晝素間隔與距離 校正資料確定,例如,適合影像裝置相對拍攝特徵結構 之位置的畫素間隔資料與距離校正資料。在許多實施例 中,影像裝置與拍攝特徵結構間的相對位置將類似另一 操作的相對位置,例如,第8Α圖向前操作的相對位置類 似第8Β圖反向操作的相對位置。在許多實施例中,同樣 的校正資料用於影像裝置與拍攝特徵結構間具類似相對 位置的操作。 各雷射切劃裝置測量之切劃線間的相對間隔可用於說 明裝置至裝置的相對間隔變化。例如,因工件溫度變化 (如工件上各層(如矽層)形成相關的溫度差異)引起的熱 膨脹及/或收縮會造成相對間隔變化。 除了測量切劃線間的相對間隔外,還可測量切劃線的 絕對位置。切劃線的絕對位置可由一或多個雷射切劃裝 置測量,並可用於後續製程及/或品質控制。例如,絕對 位置測量可用於判斷裝置至裝置的變化,其可經統計分 析(如判斷裝置至裝置的變化是否可預測(和所達準喊 度)、辨識趨勢等)。 第8C圖示圖說明在切劃操作期間,相對工件,向前移 動影像裝i 322,其中線P21切劃鄰接線Η。在許多實 施例中,例如,在先前移動期間 ^ _ 1如上述第8Α圖向前移 動期間)測量P11的位置時,利 ^ L 】用則靶LT切劃線P21, 如此影像裝置可測量線P21的 和一或多個先前形成 201103681 特徵結構(如基準標識F1、線P11、pi2)的位置…則量位 置可用於確定一或多個相對間隔Δ(ΡΙΙβΙ)、 △(P2W υ、Δ(Ρ12-Ρ1 υ。如上所述,相對間隔可利用畫 素間隔與距離;k正資料確定,例如,對應影像裝置相對 測量特徵結構之位置的校正資料。在許多實施例中,例 如,在先前移動期間未測量P11的位置時,利用後靶ττ 切劃線Ρ21 ’如此影像裝置可測量線pi i的位置(和其他 先前形成特徵結構的位置),其可用來校準形成線p2i和 線P11則乾LT或後乾· TT可脫離影像裝置322,使得 來自雷射剝離脈衝的反射光不會干涉影像裝置322的測 量,例如,在一些實施例中,相隔1〇〇mm。在許多實施 例申,只有一影像裝置(如裝設在掃描器一侧),故若向 前移動時利用前靶LT,則反向移動時利用後靶ττ ;反 之亦然。在許多實施例中,使用二影像裝置,故前靶LT 及/或後靶ΤΤ均可用於向前和反向移動。 在許多實施例中,最初鄰接切劃線(如線Ρ21)的形成可 利用剝離脈衝目標位置達成,其是利用例如離預定標稱 位置或離先前形成切劃線(如線P1丨)之測量位置的增加 間隔確定。增加間隔可用於說明先前形成切劃線位置的 未知變化。例如’任何特定先前切劃線的實際位置可能 偏離其預定標稱位置某些程度。此外,當先前切劃線的 位置已由影像裝置測量時,影像裝置測量之位置與掃描 器引導雷射剝離脈衝而於離測量切劃線的預定間隔處形 成特徵結構所需之位置間有一些未知變化。此未知變化 17 201103681 可能由一些來源引起,例如影像裝置測量之特徵結構位 置與掃描器使位置遭遇雷射剝離脈衝所需之對應位置間 隨時間產生的漂移。至少對不會大幅改變處理工件的變 化來說,得自先前工件的資料可用來減少或實質消除增 加間隔量,其受用於提供切劃線之測量位置與在離切劃 線之預定間隔處剝離位置所需之指示位置間一或多個最 近確定的相應處。在許多實施例中,得自先前工件的資 料可用於產生校正參數,以匹配影像裝置測量之位置和 剝離測量位置所需之指示位置。 第8D圖示圖說明在切劃操作期間,相對工件反向移 動影像裝置322,其中線P22切劃鄰接線pi2。在許多實 施例中,例如,在先前移動期間(如上述第8Β圖反向移 動期間、上述第8C圖向前移動期間)測量ρΐ2的位置時, 利用别乾LT切劃線Ρ22 ’如此影像裝置可測量線ρ22的 置和或多個先則形成特徵結構(如線ριι、ρΐ2、Ρ13) 的位置。測量位置可用於確定切劃線位置間的一或多個 相對間隔(如 Δ(Ρ21_Ρ11)、Δ(ρΐ3_ρ21)、△㈣川))。如 所述,相對間隔可利用晝素間隔與距離校正資料確 疋例如,對應影像裝置相對測量特徵結構之位置的校 正資料。在許多實施例中,利用後靶ΤΤ切劃線Ρ22,如 此影像裝置可測量線Ρ12的位置(和其他先前形成特徵結 構的位置),其可用來校準形成線Ρ22和線Ρ12。在許多 實施例中’如同上述線Ρ21形成相對線Ρ11,線Ρ22的 多成可利用相距線ρ丨2的增加間隔達成。在許多實施例 18 201103681 中,線P12與另一切劃線(如線pil)間的一或多個測量位 置可配合線P21與另一切劃線(如線pil)間的一或多個測 量間隔使用,以確定需偏離線p21的標示形成位置多 遠,使線P22形成接近相距線p2丨的預定間隔。在許多 實施例中,線P21與另一切劃線間的一或多個測量間隔 可用於更新上述校正參數。 第8E圖示圖說明在切劃操作期間,相對工件向前移 動影像裝置322,其中線P23切劃鄰接線p 1 3。在許多實 施例中,利用前耙LT切劃線P23,如此影像裝置可測量 線P23的位置和一或多個先前形成特徵結構(如線P12、 P22、P13、P14)的位置。測量位置可用於確定切劃線位 置間的一或多個相對間隔(如Δ(Ρ22_Ρ12)、Δ(ρΐ4_ρ22)、 Δ(Ρ23-Ρ13)) »如上所述,相對間隔可利用畫素間隔與距 離校正資料確定’例如,對應影像裝置相對測量特徵結 構之位置的校正資料。在許多實施例中,利用後靶ττ 切劃線Ρ23 ’如此可在用以校準線Ρ23和線Ρ13的向前 移動期間’測量線Ρ13的位置。在許多實施例中,線Ρ13 與線Ρ21間的先前測量間隔可用於確定需偏離形成線 Ρ21的目標位置多遠,使線Ρ23形成接近相距線Ρ13的 預定間隔。利用線Ρ13與線Ρ21間的先前測量間隔有益 於避免利用和線Ρ23有相同形成方向的參考線Ρ21可能 引起的變化來源。或者,線Ρ13與線Ρ22間的先前測量 間隔可用於確定需偏離形成線Ρ22的目標位置多遠,使 線Ρ23形成接近相距線ρ 13的預定間隔。在許多實施例 19 201103681 中,線P23與另一切劃線(如線p丨3)間的一或多個測量間 隔及/或線P22與另一切劃線(如線P12)間的一或多個測 量間隔用於更新上述校正參數。在許多實施例中,上述 校正參數配合線P1 3的測量位置使用,以確定目標位置 而於接近相距線P13的預定間隔形成線p23。 第8F圖示圖說明在切劃操作期間,相對工件,反向移 動影像裝置322’其中線P24切劃鄰接線pi4。在許多實 施例中,利用前靶LT切劃線P24,如此影像裝置可測量 線P24的位置和一或多個先前形成特徵結構(如線pi3、 P23、P14、P15)的位置。測量位置可用於確定切劃線位 置間的一或多個相對間隔(如Δ(ρ23_ρΐ3)、Δ(ρΐ5 ρ23)、 △ (Ρ24-Ρ14))。如上所述,相對間隔可利用晝素間隔與距 離校正資料確定,例如,對應影像裝置相對測量特徵結 構之位置的校正資料。在許多實施例中,影像裝置與拍 攝特徵結構間的相對位置將類似另一操作的相對位置, 例如,第8D圖反向操作中影像裝置相對測量線的位置類 似第8Ε圖向前操作中影像裝置相對測量線的位置,其類 似第8F圖反向操作中影像裝置相對測量線的位置等。在 許多實施例中’同樣的校正資料可用於影像裝置與拍攝 特徵結構間有類似相對位置的操作。在許多實施例中, 利用後靶ττ切劃線Ρ24,如此可在用以校準線ρ24和線 Ρ14的反向移動期間,測量線ρ14的位置。在許多實施 例中’線Ρ14與線Ρ22間的先前測量間隔可用於碟定需 偏離形成線Ρ22的目標位置多遠,使線ρ24形成接近相 20 201103681 距線P14的預定間隔。利用線Pl4與線p22間的先前測 量間隔有益於避免利用和線P24有相同形成方向的參考 線P22可能引起的變化來源。或者,線pl4與線p23間 的先前測量間隔可用於確定需偏離形成線p23的目標位 置多遠’使線P24形成接近相距線pi4的預定間隔。在 許多實施例中,線P24與另一切劃線(如線p丨4)間的一或 多個測量間隔及/或線P23與另一切劃線(如線P13)間的 一或多個測量間隔用於更新上述校正參數。在許多實施 例中’上述校正參數配合線p丨4的測量位置使用,以確 定目標位置而於接近相距線P14的預定間隔形成線p24。 第9A至9F圖分別為連結第8A至8F圖之操作的簡化 方塊圖’其可用於形成切劃線靠近相距先前形成切劃線 的預定間隔。在操作402(第9A圖)中,提供具一組切劃 線的工件(如第7圖所示之一組切劃線P1)。在操作404 中’透過第一移動,相對工件移動影像裝置(如影像裝置 322朝第8A圖所示之向前方向移動)。在操作406中, 影像裝置用於測量基準標識、第一切劃線或第二切劃線 (如基準標識F1、第一切劃線p 11、第二切劃線p丨2)之至 少其一的位置。在操作408中,確定第一移動期間測量 之位置間的一或多個相對距離(如A(P11_F1)、 Δ(Ρ12-Ρ11)) ο 第9Β圖表述之操作類似第9Α圖之操作,但是透過另 一移動,移動影像裝置(如相較於第8Α圖向前方向的第 8Β圖相反方向)。在操作41〇中,透過第二移動,相對 21 201103681 工件移動影像裝置(如影像装署 、那沁1豕聚置322朝第8Β圖所示之相 反方向移動)。在操作412 Φ,岁你壯屯 4 12中’影像裝置用於測量基準標 識、第一切劃線或第-切倉丨丨給,l . 昂一刀劃線(如基準標識F1、第一切劃 線P11、第二切劃線Pl2)之至少其一的位置。在操作412 中’確疋第一移動期間測量之位置間的一或多個相對距 離(如 A(Pll-Fl)、△(p12pil))。 第9C圖表述之操作可能會或可能不會由第9A圖及/ 或第9B圖之操作繼續進行。在操作414中若尚未提供, 則提供具-組切劃線的工件(如第7圖所示之一組切劃線 P1)在操作416中’透過第一移動’相對工件移動影像 裝置(如影像裝置322朝第8C圖所示之向前方向移動)。 在操作418中,於第一移動期間’形成第一鄰接切劃線 鄰接第切劃線(如第8C圖所示,利用前輕lt或後乾 TT將線P21切劃鄰接& P1 i)。在操# 42〇中影像裝置 用於測量基準標識、第一切劃線、第一鄰接切劃線或第 二切劃線(如基準標識F1、第一切劃線pn、第一鄰接切 劃線P21、第二切劃線p丨2)之至少其一的位置。在操作 422中,確定第一移動期間測量之位置間的一或多個相 對距離(如 Δ(Ρΐΐ_ρι)、△(p21_p11)、Δ(ρΐ2_ρι1))β 在操作 424中,確定測量位置與形成位置間的一或多個偏移及/ 或校正,例如,利用么(1>12-1>11)和^(1>21_1>11),確定需偏 離形成線P21的目標位置多遠,以形成線p22(第8D圖)。 在另一實例中’比較線P21與P11間之測量相對間隔(即 △ (?21-卩11))和線1>21形成時所用之目標間隔’以確定使 22 201103681 目標間隔更緊密匹配實際產生間隔所需 正。此校正可採取許多形式, 或多個校 轉換、非線性轉換等。 匕簡單偏移、線性 第9D圖表述之操作類似第9c -移動,移動影像裝置(如相較於第8C二但是透過另 8D His G 前方向的第 8D圖相反方向)。在操作426 罘 认 远過第二移動,相划· 工件移動影像裝置(如影像裝置 i 朝第8D圖 反方向移動)。在操作428中,於笛#闽所丁之相 T 於第二移動期間,形成笫 二鄰接切劃線鄰接第二切劃線(如第奶圖所示利用前 乾LT或後乾ΤΤ將線Ρ22切劃鄰接線ρΐ2)β在操作㈣ 中,影像裝置用於測量第一切劃線、第一鄰接切劃線、 第二切劃線、第二鄰接切劃線或第三切劃線(如第一切劃 線Ρ11、第一鄰接切劃線P21、第二切劃線Ρ12、第二鄰 接切劃線Ρ22、第三切劃線Ρ13)之至少其一的位置。在 操作432中,確定第二移動期間測量之位置間的一或多 個相對距離(如 Δ(Ρ21-Ρ11)、Α(ρΐ3-Ρ21)、Α(Ρ22-Ρ12))。 在操作434中,確定測量位置與形成位置間的一或多個 偏移及/或校正,例如,利用Δ(Ρ12-Ρ11)和Δ(Ρ13-Ρ21), 確定需偏離形成線Ρ21的目標位置多遠,以形成線 Ρ23(第8Ε圖)。在另一實例中,比較線Ρ21與線Ρ11間 之測量相對間隔(即Α(Ρ21·Ρ11))及/或線Ρ22與線Ρ12間 之測量相對間隔(即Α(Ρ22-Ρ12))和分別形成線P21及/或 線P22時所用之目標間隔,以確定使目標間隔更緊密匹 配實際產生間隔所需的一或多個校正。 23 201103681 ^9E圖表述之操作類似第扣圖之㈣,但是透μ 一移動’㈣影像裝置(如相較於第8D0相反方向 :向前方向)。在操作436中,透過第三移動,相對 工件移動影像裝置(如影像裝置322朝第8e圖所示之向 前方向移動)。在操作43”,於第三移動期間,形成第 二鄰接切劃線鄰接第三切劃線(如第8E圖所示,利用前 $ LT或後乾TT將線p23切劃鄰接線pi3)。在操作_ 中’影像裝置用於測量第:切劃線、第二鄰接切劃線、 刀畫J線帛二鄰接切劃線或第四切劃線(如第三切畫j 線P12帛-鄰接切劃線P22、第三切劃線P13、第三鄰 接切劃線P23、第四切劃線pi4)之至少其一的位置。在 操作442中,確定第三移動期間測量之位置間的一或多 個相對距離(如△(pss-pi〗)、卜△(pn.pu))。 在操作444中,確定測量位置與形成位置間的一或多個 偏移及/或校正,例如,利用△(p22_pi2)和Δ(ρΐ4_ρ22), 確定需偏離形成線Ρ22的目標位置多遠,以形成線 Ρ24(第8F圖)。在另一實例中,比較線ρ22與線ρι2間 之測量相對間隔(即Α(Ρ22_Ρ12))及/或線Ρ23與線ρι3間 之測量相對間隔(即Α(Ρ23·Ρ13))和分別形成線Ρ22及/或 線Ρ23時所用之目標間隔,以確定使目標間隔更緊密匹 配實際產生間隔所需的一或多個校正。 第9F圖表述之操作類似第9Ε圖之操作,但是透過另 一移動,移動影像裝置(如相較於第8Ε圖向前方向的第 8F圖相反方向)。在操作446中,透過第四移動,相對工 24 201103681 件移動影像裝置(如影像裝置322朝第8F圖所示之相反 方向移動)。在操作448中’於第四移動期間,形成第四 鄰接切劃線鄰接第四切劃線(如第8F圖所示利用前靶 LT或後靶TT將線P24切劃鄰接線pi4)。在操作々π中, 影像裝置用於測量第三切劃線、第三鄰接切劃線、第四 切劃線、第四鄰接切劃線或第五切劃線("三切劃線 Ρ13、第三鄰接切劃線Ρ23、第四切劃線ρΐ4、第四鄰接 切劃線Ρ24、第五切料ρΐ5)之至少其一的位置。在操 作452中,確定第四移動期間測量之至少二位置間的一 或多個相對距離(如Δ(Ρ23_ρΐ3)、Δ(ρΐ5 ρ23)、 △(Ρ24_Ρ14))。在操作454巾’確定測量位置與形成位置 間的或多個偏移及/或校正’例如,利用和 △ (Ρ15-Ρ23),確定需偏離形成線ρ23的目標位置多遠, 以形成線Ρ26(未㈣)H實财,比㈣pa與線 P13間之測量相對間隔(即△(⑵扣))及/或線p24與線 PM間之測量相對間隔(即和分別形成線p23 及/或線P24時所用之目標間隔,以確定使目標間隔更緊 密匹配實際產生間隔所需的一或多個校正。 上述操作(第8八至8F圖和第9八至9F圖)可重複進行 用於後續切劃線’處理工件時所得之資料可保留用於處 理後續工件。例如,處理工件時確定的位置校正可用於 切劃-或多個切劃線至後續工件上,例如,切劃第一和 第鄰接切劃線(如第8C圖所示之線p2 i和第犯圖所 不之線P22)確定的校正可用於減少這些線形成時增加的 25 201103681 額外間隔量。 第10圖為根據許多實施例之方法450的簡化方塊圖, 其可用於控制切劃線形成鄰接先前切劃線。在操作452 中,提供具複數個先前切劃線的工件。在操作454中, 第一鄰接切劃線形成鄰接第一先前切劃線。在操作4 5 6 中,影像裝置用於測量先前切劃線的位置。在操作458 中,影像裝置用於測量第一先前切劃線的位置。在操作 460中,測量位置用於控制第二鄰接切劃線形成鄰接第 一先别切劃線。 控制系統 第U圖為可根據許多實施例使用之控制系統5〇〇的簡 化方塊圖。控制系統500包括至少一處理器502,其經 由匯流排次系統5G4通信連接—些周邊裝置。周邊 可包括儲存次系統5G6(記憶次系統谓和標案儲存次系 統510)和一組使用者介面輸入與輸出裝置512。、 使用者介面輸入震置可包括鍵盤,且可另包括 :和掃描器。指向裝置可為間接指向裝置,例心鼠、 顯示器的觸控勞幕。其他類型的使用例如併入 了採用’例如語音辨識系統。 嚴置也 使用者介面輸出t置可包括印表機· =括顯示控制11和為接控制器的顯示裝置=系統,其 :陰極射線管⑽τ)、諸如液晶 =裝置可 置、或投影裝置。H (LCD)之平面裝 顯不-人系統還可提供非 凡剛不,例 26 201103681 如聲音輸出。 儲存次系統506可維護基本程式設計和資料結構,其 =控制圖案化裝置。在許多實施例中,儲存次系統506 包:記憶次系、统508和播案儲存次系統51〇。 §己憶次系統508 —般句杯 ,, 包括一些記憶體,包括用於程式 =储存指令與資料的主要隨機存取… (M)514和儲存固定指令的唯讀記憶體(職)516。 ^儲存次系統51〇提供永久性(非揮發性)儲 =料播案,且-般包括至少—硬碟機和至少—磁碟驅 動器(具相關可拆卸媒體)。亦可有其他裝置,例如 CD-ROM驅動器和光學 鞅、 和尤予駆動盗(全具其相關可拆卸媒 一 外,系統可包括具可拆卸媒體盒的驅動器類型。 :或多個驅動器可設於遠端位置,例如區域網路的伺服 器或網際網路的全球資訊網網站上。 在本文中’「匯流排次系統」泛指包括任何讓各種部件 ^次系統依需求彼此通料接的機構。除了輸人裝置和 a不器外’其他部件不需位於同樣的實體位置。例如, ^分播案儲存系統可由不同區域或廣域網路媒體連接, :括電話線。匯流排次系統5〇4圖示為單一匯流排,但 -型的系統具有一些匯流排’例如本機匯流排和一或多 :擴充匯流排(如 ADB、SCsi、ISa、eisa、mca、NuBus 或PCI)和串列與並列埠。 徠如L多實施例中,匯流排次系 '统5〇4用於搞接系統部 處理器如。例如,影像裝置M8透過匯流排次系 27 201103681 統504耦接處理器,以將影像資料傳遞到處理器5〇2。 田控制器520透過匯流排次系統5〇4耦接處理器以 接收位置資料及’或用於形成切劃線的校正。在許多實施 ·】中掃描控制器耦接一或多個雷射組件522和平臺移 動控制器524 ’以分別控制雷射剝離的對準和工件相對 一或多個雷射組件的移動。在許多實施例中影像裝置 518耦接平臺移動控制器524,以接收來自平臺移動控制 器524的觸發訊號(如位置基礎觸發訊號 上述方法和系統可用於說明偏斜,/或非線性雷射切 劃線》例如,僅僅兩個位置測量可用來確定雷射切劃線 的斜率.。也可額外進行測量來確定切劃線的非線性變 化。例如,可沿著切劃線測量三或更多點(如13〇、4〇〇), 以更完整描繪切劃線的形狀。直線内插及/或曲線擬合可 用於預測測量點間的線位置。多次測量可按控制間隔進 行(如100Hz之重複率、400Hz之重複率等)β確定之斜 率或雷射切劃線形狀可用於配置後續切劃之鄰接雷射切 劃線,以更佳地控制鄰接切劃線間的預定間隔。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以 限定本發明’任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精 神和範圍内’當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之 保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 28 201103681 第1圖繪示薄膜太陽能電池組件中的雷射切劃線。 第2圖繪示根據許多實施例之雷射切劃系統的透視 圖。 第3圖繪示根據許多實施例之雷射切劃系統的末端視 圖。 第4圖示圖說明根據許多實施例之雷射組件的部件。 第5圖繪示根據許多實施例之產生多個掃描區域。 第6A圖示圖說明根據許多實施例’將影像裝置整合於 雷射組件内。 第6B圖示圖說明根據許多實施例之雷射組件和設於 雷射組件外部的影像裝置。 第7圖示圖說明根據許多實施例之相應第一與第二雷 射組件的一組切劃線。 第8A及8B圖分別示圖說明根據許多實施例,相對工 件’向前或反向移動影像裝置,以測量一或多個切劃線 及/或基準標識位置。 第8C圖示圖說明根據許多實施例,相對工件,向前移 動影像裝置’以測量一或多個切劃線及/或基準標識位 置、及向前切劃第一雷射切劃線旁的線。 第8D圖示圖說明根據許多實施例,相對工件,反向移 像裝置’以測量一或多個切劃線及/或基準標識位 置、及反向切劃第二雷射切劃線旁的線。 第8E圖示圖說明根據許多實施例,相對工件’向前移 動影像裝置,以測量一或多個切劃線位置、及向前切劃 29 201103681 第三雷射切劃線旁的線。 第8F圖示圖說明根據許多實施例,相對工件,反向移 動影像裝置,以測量一或多個切劃線位置、及反向切劃 第四雷射切劃線旁的線。 第9A至9F圖為根據許多實施例,分別連結第8A至 8F圖之操作的簡化方塊圖。 第10圖為根據許多實施例之簡化方塊圖,其搶示使用 雷射切劃裝置來切劃工件的方法。 第11圖繪示根據許多實施例之控制系統的簡化方塊 圖0 【主要元件符號說明】 10 太陽能電池組件 12 基板 14 TCO層 16、 20 、 24 線 18 矽層 22 金屬層 100 雷射切劃裝置 102 平臺 104 工件 106 橋接器 108 排氣機構/敦置 110 滾轴 112 驅動機構 114 雷射組件 200 雷射組件 202 、220 雷射 204 擴束器 206 分束器 208 衰減元件 210 遮光片 212 自動聚焦元件 214 、222 掃描 30 201103681 216 旋轉鏡 224 三角錐 302 雷射 314 掃描器 218 驅動元件 3〇〇 雷射組件 306 分束器 320 ' 322 影像裝置 402、404、406、408、410、412、414、416、418、420、 422、424、426、428 ' 430、432、434、436 ' 438、440、 442 、 444 、 446 、 448 、 452 ' 454 、 456 ' 458 ' 460 操 作 450 操作/方法 502 處理器 506 儲存次系統 510 檔案儲存次系統 514 RAM 518 影像裝置 522 雷射組件 F1 基準標識 P1-P3 ' P11-P129 線 500 控制系統 504 匯流排次系統 508 記憶次系統 512 裝置 516 ROM 520 掃描控制器 524 平臺移動控制器 LT 前乾 TT 後靶 31

Claims (1)

  1. 201103681 七、申請專利範圍: . 1 · 一種使用一雷射切劃裝置來切劃一工件的方法,該方 法包含: 提供一具複數個先前切劃線的工件: 形成一第一鄰接切劃線鄰接於該等先前切劃線的一 第一線; 使用一影像裝置’測量該等先前切劃線之一者的一位 置; 使用該影像裝置,測量該第一鄰接切劃線的一位置; 以及 利用該等測量位置’控制一第二鄰接切劃線形成鄰接 於該等先前切劃線的一第二線。 2.如申請專利範圍第丨項所述之方法,更包含透過一相 對該工件的移動來移動該影像裝置。 3.如申請專利範圍第2項所述之方法,其中透過一移動 來移動該影像裝置的步驟包含在一實質平行該等先前切 劃線之一者的方向中移動該影像褒置。 4.如申請專利範圍第2項所述之方法,其中形成一第一 鄰接切劃線係在移動該影像裝置期間發生。 32 201103681 5.如申請專利範圍第丨項所述之方法, 切劃線係在與形成該第一鄰接切劃 $中該第二鄰接 形成。 貫質相同的方向中 6.如申請專利範圍第丨項所述之 ^ *其中兮楚:止 劃線之一者的測量位置包含該等先 先别切 一測量位置。 之第一線的 7.如申請專利範圍第6項所述之方 量位置的步驟包含在該等先前切劃線之第二::該等測 鄰接切劃線間產生—間隔。 —與該第一 8.如申請專利範圍第丨項所述之 量位置的步驟包含產生一或多個校正去參:中利用該等測 止翏數,以提供一岑 多個測量位置與-或多個形成位置間的—相應處。~ 9.如申請專利範圍第8項述 乃忐,更包含利用從 或多個先前工件產生的—或多個校 仅正參數’控制該第 鄰接切劃線的形成。 10.如中請專利範圍第2項所述之方法,更包含: 透過相對該工件的第二移動,移動該影像裝置; 使用該影像裝置,測量該第二鄰接切劃線的一位置; 以及 33 201103681 利用該第二鄰接切劃線的測量位置,控制一第三鄰接 切劃線形成鄰接於該等先前切劃線之一第三線。 η.如申請專利範圍第10項所述之方法,其中該第二鄰 接切劃線係在透過一相對該工件的第二移動而 像裝置期間形成。 項所述之方法’其中該第三鄰 二鄰接切劃線實質相同的方向 12·如申請專利範圍第10 接切劃線係在與形成該第 中形成。 13. -種用於雷射切劃一具複數個先前切劃線之 系統’該系統包含: 一雷射, 的輸出; 可操作用以產生一 能自該工件移除一材料 以控制來自該雷射之輸出相對 一掃描裝置’可操作用 該工件的一位置; 一影像裝置,配置以回應拍攝該工件之_切劃線的 位置而輪出一影像資料;以及 ,該處理器 且執行時, 處理器,耗接該掃描裝置和該影像裝置 包含—有形媒體,該有形媒體包含多個指令 促使該處理器: 致使一第一鄰接切劃線形成鄰接於該等先前切劃 線之一第一線; 34 201103681 處理該影像裝置輸出的影像資料,以測量該等先前 切劃線之一者的一位置; 處理該影像裝置輸出的一影像資料,以測量該第一 鄰接切劃線的一位置;以及 利用該等測量位置,控制一第二鄰接切劃線形成鄰 接於該等先前切劃線之一第二線。 如申請專利範圍第13項所述之系統其中該第二鄰 接切劃線係在與形成該第一鄰接切劃線實質相同的方向 中形成》 如中請專利範圍第13項所述之系統,其中該系統配 哕爭後生忒工件與該影像裝置間的-相對移動,且其中 〇影像裝置配置以回應在 ^ ^ 應在該工件與該影像裝置間的相對 攝該工件,而輸出-影像資料。 1 6.如申凊專利範圍第 平臺,可操作用以沿著::之系統’更包含一工件 該掃描裝置來移動該工件動方向而相對該影像裝置和 17.如申請專利範圍第 儀器平臺,可操作用系統,更包含一光學 向移動該影像 對該工件平臺的移動方向,橫 冢裝置和該掃描裝置。 35 201103681 其中該影像裝 18.如申請專利範圍帛13項所述之系統 置包含一線性電荷耦合裝置(CCD)陣列。 19.如f請專利範圍第13項所述之系統,其中該等指令 執行時’促使該處理器: 處理該影像裝置輸出的影像資料,以測量該等先前切 劃線之第二線的一位置; 在該等先前切劃線之第二線與該第一鄰接切劃線間 產生一間隔;以及 利用該間隔’控制該第二鄰接切劃線形成鄰接於該等 先前切劃線之第二線。 20·如申請專利範圍第13項所述之系統,其中該等指 執行時,促使該處理器利用該等測量位置,產生一‘ 個校正參數而提供一或多個測量位置與—或多個形成 置間的一相應處。 广如申請專利範圍第20項所述之系統,其中該等心 :仃時’促使該處理器利用由一或多個先前工件產生㈣ -或多個校正參數’控制該第一鄰接切劃線的形成。 如中請專利範圍第13項所述之系統,其中該等指令 執行時’促使該處理器: 處理該影像裝置輸出的影像資料,以測量該第二鄰接 36 201103681 切劃線的一位置;以及 利用該第二鄰接切劃線的該位置,控制一第 劃線形成鄰接於該等先前切劃線之一第三線。 23.如申請專利範圍第22項所述之系統,其中 接切劃線係在與形成該第二鄰接切劃線實質相 中形成。 24· —種利用一雷射切書丨丨獎要少 由明·切到裝置在一工件上形成 方法,該方法包含: 提供一具複數個先前切劃線的工件; 引導一雷射光束,以於離該等先前切劃線之 的-第-目標間隔處形成一第一鄰接切劃線; 使用-影像裝置,確定該等先前切劃線之第 第—鄰接線間的一實際間隔;以及 利用該第一目標間隔與確定 〈貫際間隔的 整弓丨導該雷射光束而於離該等 ^ 茨寻先刖切劃線之 的一第二目標間隔處形成—第_ 乐一鄰接切劏 -鄰接切 :第三鄰 1的方向 圖案的 •第一線 •線與該 差異,調 •第二線 37
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