TW201037854A - A organic-inorganic lighting device and a method for fabricating the same - Google Patents

Description

.201037854 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種發光技術’特別是關於一種有機無機發光元件 及其製作方法。 【先前技術】 Ο 〇 自從1960年代發光二極體開始商品化以來，由於具有高耐震性、 壽命長，同時耗電量少、發熱度小，所以其應用範圍遍及日常生活中 的各項用品’如家電製品及各式儀器之指示燈或光源等。近年來因 多色彩及兩亮度化之發展，應用範圍更朝向戶外顯示器發展，如大型 戶外顯示看板及交通號誌燈。紅藍綠是全彩的三原色，對於全彩色戶 外顯示看板而言，高亮度藍色或綠色發光二極體是不可或缺的。 在平面顯示器的發展上，有機發光二極體顯示器尤其重要。顧名 思義’有機發光二極體顯示器係利用有機發光二極體陶她…加 Em_g Diodes)來作為發光源’且其依照所採用的發光材料可劃分 為兩為小分竹，另"~為高分子型。由於有機發光二極體具備 媒m顯示器的特性要求之優點’如無視角的限制、低 ΐΐί(為液晶㈣倍以上）、省電、可使用於可攜式機 ίί且可隨，設備小型化及薄型化等，因此，有 有祕平面顯不盗的系統中，具有極大的發展潛力，使 ίΐ""? 11可望成為下—世代的卿平面顯示器。 導較忒利極體的發展上，大部分的有機材料對電洞傳 而難以提昇。但反觀對於無機發光二極體 不利。除此之外，在一般域^傳導較為有利’而對電洞傳導較為 是複雜且昂貴的長二極體的發展上，所必須考慮的就 因此其製作成本相當高舉都在攝氏3⑻度以上， 來°兒，一般驾知的技術若欲在4-亞苯基 201037854 亞乙婦基（MEHPPV)所形·有機層上成長氧化鋅_，通常 真空環境絲作成权奸减_eGt「Qn beam 法。 因此，本發明係在針對上述之困擾，提出一種有機無機發光元件 及其製作方法’以解決習知所產生的問題。 【發明内容】 本發明之主要目的，錄提供-種雜域贱元件及其製作方 法，其係利用p型有機導電薄膜層結合0型無機之氧化辞微奈米線陣 列，其中有機薄膜以旋轉塗布法形成，微奈米線陣列以水敎法形成， 此種方式可祕有機㈣稍於電子_輸與無機二紐需複雜昂貴 且高溫的真空長晶製程馨題，另外更可大幅降低製作成本。 為達上述目的，本發明提供一種有機無機發光元件包含一導電 基板:在導電基板上依序对—P财解電薄騎、—種子層與一 η型氧化鋅微奈米線陣列’且在氧化辞微奈米線陣列上更 層。 本發明亦提供-種有機無機發光元件之製作方法首先提供一導 ^基板並在導電紐上侧旋轉塗布法形成—ρ财機導電 ί田有機導電薄膜層上形成—種子層，再來彻種子層於其上 形成—η型氧化辞微奈米線陣列，最後於氧化鋅微奈米線 陣列上开> 成一電極層。 茲為使貴審查委員對本發明之結構特徵及所達成之功效更有進 -步之瞭解與認識，謹佐以較佳之實施湖及配合詳細之說明，說明 如德： 【實施方式】 2了解決有機材料在電子傳輸與在無機材料在製作成本上的問 4，本發明提出—種有機無機發光元件，以下請參閱第1圖。 本發明之結構包含一絕緣基板1〇，其上依序設有—第一電極層 201037854 化鋅微與—料層16 ’在此種子層16上設有一氧 —第-電％ ’且此氧化鋅微奈米線陣列彳8之頂端處上設有 弟-電極層22,為了不讓第二電 16，因此在此第二雷炻屉“ 有機會直接接觸種子層 此絕绫屉9n 與種子層16之間，更設有一絕緣層20， 内’且絕緣層於氧化辞微奈米線陣列18之每一條線材彼此的空隙 絕[層^1觸氧化辞微奈米線陣列18之表面。此處是以 氧化辞微奈米線陣列18之線材長度為例。 ο 陣列閱第2圖由電子顯微鏡觀察本發明之氧化鋅微奈米線 往m條線材之頂端處’發現其並非只有單一垂直種子層16 線陣列18^向’而是有多種往上成長的方向，因此在氧化鋅微奈来 m _丄母一條線材的頂端處彼此之間的空隙相當小，如此能使得 易Ϊ接^ 22可以僅設於氧化辞微奈米線陣列18的頂端處，而不容 易直接接觸到種子層16。 二雷ίίΐ辞微奈米線陣列18之每一條線材的間距本來就很小，則第 2可以很容纽設置於氧化鋅微奈米鱗列18的頂端處， 會接觸到種子層16，在此種情況下，設計上也不用在第二電極層 〇 。種子層16之間設置絕緣層2q，仍可使發光元件有良好的作動。 ^外，絕緣基板10與其上的第一電極層12可用一導電基板來取 、材質如發或軟性導電材質，使有機導電薄臈層14可直 電基板上。 上述各元件在材料使用上，絕緣基板1〇之材 璃、石英或軟性絕緣材質；第-、第二電極層12、22之材質$為金玻 銀、錦、銘、白金、透明電極材料、氧化銦錫（|Τ〇)、氧化鎵铜錫 (gallium-indium-tin oxide，GITO)、氧化鋅銦錫（zinc_indium_tjn 〇>(咖 ’ ZITO)、氧化錫掺氟（fluorine-doped tin oxide，FTO)、氧化 鋅、氧化鋁辞[AZ0(AI: ZnO)]或氧化銦辞（IZO);絕緣層20之材料可 為聚曱基丙烯酸曱酯[p〇ly(methy| methacrylate，PMMA)]、聚苯乙烯 201037854 [poly(styrene)]、旋塗玻璃材料（s〇G)、二氧化矽（Si〇2)、氮化矽 (SbN4);種子層16之材料係可為氧化鋅、金、錫或鈷。 另外’有機導電薄膜層14之材料可為高分子材料、小分子材料、 可幫助電流通過之有機半導體材料、螢光發光分子、螢光發光分子摻 雜磷光發光分子或螢光發光分子摻雜有機絕緣分子，其中，有機絕緣 分子可為聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯；有機半導體材料為聚3_己基 噻吩[poly(3-hexylthiophene，P3HT)]、[poly(3-octylthiophene， P30T)]、聚[N-乙稀基吟嗅][p〇|y(N-vinylcarbazole，PVK)]、聚〔2-甲 氧基-5-[2-乙基己氧基亞苯基亞乙烯基]〕 [P〇ly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-(1,4-phenylenevinylene)， MEHPPV]〕、聚[2_甲氧基_5_(3·，7·_乙烧辛基氧H4_苯基乙烯基] (P〇,y[2-methoxy-5-(3,,7,-dimethyloctyloxy)-1,4-phenylenevinylene ’ MDM0PPV1〕、聚l[P〇ly(fluorine)，PF]或 N，-二苯基-N，N，-二(3-甲 基苯基 聯 苯 ]_4,4·- 二 胺 (N，-diPhenyl-N,N^bis[3-methylphenyl]-[1 J '-biphenylj-^^-diamin^^ 在上述各元件的尺寸設計上介紹如下，有機導電薄膜層14之厚度 在1〇奈米到1_奈米之間；種子層16的厚度在1奈米到1〇〇奈$ 之間；絕緣層20之厚度在1奈米到50微米之間；氧化鋅微奈米^陳 列之每一條線材彼此間的空隙距離在0.5奈米到500微米之^，且 該每:條線材與種子層16接觸之截面寬度在2奈米到扣微米之間， si ^線材長度在2奈米到㈤微米之間；若將氧化辞微夺米線陣 ^到==長度加上種子層16的厚度，則其總長度則在β 第圖之第一實施例後’請繼續參閱其製作方法，請參閱 在絕緣Α板1〇敎如第3⑻_示，提供-絕緣基板10，並 1子序形成一第一電極層12、一有機導電薄膜層14與 。其中形成有機導電薄膜層14之方法可為旋轉塗布法、 201037854 浸潰塗布法或喷墨印概，且在使用上述方法時所制的溶液為氣仿 (chloroform)、二氣甲烷(dichioromethane)、甲苯⑽uene)、四氫扶喃 (tetrahydrfuran)、1,2—二氣苯(1,2_dich丨〇r〇benzene)、，4一二氣苯 (1,4-dichlorobenzene)、氣苯(Ch|or〇benzene)或正己烷(n_hexane) 〇 另外形成種子層16的方法為旋轉塗布法、浸潰塗布法、蒸鍵法、 濺鍍法、原子層沈積法、電化學沈積法、脈衝雷射沈積法、金屬有機 物化學氣相沈積法。舉例來說，若種子層16之材料為金、錫或鈷時， 則形成種子層16的方料_紐法或麵法將金、錫絲之微奈米 粒子鋪在有機導電薄膜層14上，其中金之微奈米粒子的粒徑可設計在 〇 2奈米到10微米之間。若種子層16之材料為該氧化辞、金、錫或鈷 時’則形成種子層16的方法為利用浸潰塗布法或旋轉塗布法將金、 錫、鈷或氧化鋅之微奈米粒子鋪在有機導電薄膜層14上，其中金之微 奈米粒子的粒徑可設計在2奈米到1〇微米之間，氧化鋅之微奈米粒子 的粒徑在2奈米到10微米之間，且在使用浸潰塗布法或旋轉塗布法時 所採取的溶液為可改變種子層16的親水性之異丙醇(iS〇pr〇pan〇丨）、曱 醇(methanol)、乙醇(ethyl alcohol)、丙三醇(g|ycer0|)或丙醇(pr〇pan〇 丨)。 接著如第3(b)圖所和利用種子層16在其上形成氧化鋅微奈米線 陣列18 ’其形成方法可為水熱法（hydrothermalmethod)、熱蒸鑛法 〇 ( therma丨evaP〇ratbn )、化學氣相沈積法（chemica丨卿or deposition)、分子束蠢晶法（mo丨ecular beam epitaxy)、陽極氧化銘 多孔模板法（AAO)、電化學法。 下一步驟如第3(c)圖所示’在種子層16上形成一絕緣層2〇，使 此絕緣層20覆蓋種子層16與氧化鋅微奈米線陣列18,形成方法可為 旋轉塗布法、浸潰塗布法、蒸鍍法、濺鍍法（Sputtering)、原子層沈 積法（atomic layer deposition)、電化學沈積法、脈衝雷射沈積法 (plused laser deposition )、金屬有機物化學氣相沈積法 (metalorganic chemical vapor deposition)。之後如第 3(d)圖所示， 利用姓刻方式將絕緣層20之厚度姓刻至小於或等於氧化鋅微奈米線 7 201037854 =::=處是™之厚度小於氧化鋅微奈米線 成一第二電極層22，使絕緣層20設於第 ^處表面形 間’並位於氧化辞微奈米線陣雜之每—條線^彼此^^層16之 本發明之發光元件若缺少絕緣層2〇時 第^内。 3(d)圖之步驟。 略第3(c)圖與第 另外^上述第3_中提供—絕緣基板1〇與形成 ，峨_膜層14 請參閱第4圖，此為本發明之第二實施例，其與第 =-電極層12係被分為複數個第—電極賊24，骑—個 =塊24係以制隔設置，另外有機導電薄膜層彳4 個有顧塊26與_塊28，__ _== =數組氣化鋅微陣列30，第二電極層22係被 ς ，塊拉，在每-個第-電極區塊24上方分別依 30 · m且絕緣層2〇之頂面係低於氧化鋅微奈米線陣列18 請繼，參閱本發明之第二實施例的製作方法，如第5⑻圖至第⑽ =一斤不，八形成方法與第-實施例幾乎相同，差異如下。如第5⑻圖 不’-電極層12是以複數個第一電極區塊24形成於絕緣基板扣 ，且每-個第-電極區塊24係以等間隔設置，另外在每一個第一電 =塊24上方分別依序形成—有機區塊％與一種子區塊28。接著如 第5(b)圖所示’在每一個種子區塊2β上係形成一組氧化辞微陣列3〇。 如第5⑹圖所示’在種子層16上形成一絕緣層2()，使此絕緣層 覆蓋種子層16、絕緣基板1〇與氧化職奈米線_彳^之後如第 5(d)圖所示’利祕刻方式將絕緣層2〇之頂面侧至低於氧化辞微奈 201037854 米線陣列18的頂端處。最後如第5⑹圖所示，於 3〇之頂端處表师成—第二電極區塊％。 叫化鋅微陣列 第此為本發明之第三實施例，其結構上與第3圖之 12: 差異的地方僅在於絕緣基板10與第-電極層 取代，此導電基板34具有複數個導電區塊36, 二導電區塊36以等間隔並排’每__個導電區塊泥上方依序設有一 有機區塊26、-種子區塊28與一組氧化鋅微陣列3〇。 Ο

第三實施例的製作方法如第7⑻圖至第7⑹圖所示首先如第了⑻ 圖所不’提供-具有複數導電區塊36之導電基板34，此些導電區塊 36以等間隔並排’接著在每一個導電區塊％上方依序形成一有機區 塊26與-種子區塊28。之後的第7_至帛7⑹圖之步驟與第5⑼ 圖至第5(θ)圖之步驟相同，故不再贅述。 以下介紹實際製備本發明之有機無機發光元件㈣程，請參閱第 8(a)圖至第8(e)圖’首先如第8⑻圖所示，提供-材質為丨了〇之導電 基板40。接著利用旋轉塗布法於導電基板4〇上形成一材質為ρ型之 Ρ3ΗΤ的有機導電薄膜層42 ’形成之後將整個樣品置人攝氏12〇度的 %境下2小時，以進行熱退火(annea|jng)，使樣品中的溶劑揮發掉。 熱退火完紅彳1，彻雜鮮法並合異丙料藉氧化鋅微奈米 粒子鋪設在有機導電薄膜層42上，之後再加熱至攝氏 120度，以形 成種子層44。之所以使用丙三醇溶液，是由於一般的有機導電薄膜層 42為斥水性(hydrophobic)，而氧化鋅種子層44為親水性(hydrophilic) 的材料，兩者容易產生排斥，不容易結合在一起，因此在氧化鋅種子 層44製作上，只要加入了醇類物質，就可以改變種子層44親水性的 特質，使其能夠成功地成膜在有機導電薄膜層42上，且此作法可以用 於任何基板，進而大幅提昇元件應用性。 在種子層44形成完之後，如第8(b)圖所示，可將整個樣品置入硝 化鋅與四氮六甲園(hexamethylenetetramine)的水溶液中，並外加攝氏 90度的低溫，並持續3小時，以進行水熱法，如此便可在種子層44 9 201037854 上开滅n型之氧化鋅微奈米線陣列46。 材質I 如第8⑹圖所示，利用旋轉塗布法在種子層44上形成一 線陣列46 +的絕緣層48，使其同時覆蓋種子層44與氧化鋅微奈米 線付。此絕緣層46可電性隔離氧化辞微奈米線陣列46之每-條 便㈣卿騎7F，细^plasma)^緣層48 it緣層48之頂面低魏彳_奈輯_ 46之頂端處。 ，3 8(e)圖所*，於氧化鋅微奈米線陣列46之頂端處形成一材質 液〇極層5卜由上述可知，本發明所有製程均為低成本低溫的溶 Μ用，’ Γ#發明之技術並不偈限在硬式基板上，對於軟式基板依 :’可大面積的製作，使的其制細大大提升此外本發明 文f材料與基板晶騎數秘_關，職麟長晶時遇到的 从1貝i14有別於以往昂貴、複雜、小面積的長晶製程，並大大降低製 作成本，因此具有相當大的實用價值。 請參閱第9圖’此_上述實際製備後完成樣品之氧化鋅微奈米 、：陣列的X絲射圖，此處使㈣彩嫌據包含蘭(Cu)Ka輻射線作 為X光光源，操作電壓與電流分別為40k伏特肖25m安培掃晦速率 為3度’分(degree/min)。在圖中，繞射峰值係位於2<y(The⑻=3174。、 二、36.26。、47.48。、56.66。、62.93·，上述角度分別對應氧化辞的晶 (，〇〇)、（002)、（1〇1)、（102)、⑴〇)、（1〇3)。由此可證明本發明之 氧化鋅微奈米鱗列為六方晶权纖輔型結構，且氧化辞微奈米線 降列之每-條線材並非只有單—垂直種子層往上成長的方向，而 多種往上成長的方向。 請參閱第1G圖’長短麟為上述實際製備散成樣品之測量數 據’其中有機導電細層的厚度為240奈米，以下稱樣品a ;實線為 上述實際製備後完成樣品之測量數據，其巾有機導電薄膜層的厚度為 300奈米，以下稱樣品B ;長虛線為一丨τ〇基板上依序成長有ρ3Ητ 之有機導電薄膜層與一鋁電極層之樣品的測量數據，以下稱樣品c。 201037854 由圖可知，樣品A與樣品B的驅動電㈣約在2伏特，係比樣品c之 驅動電壓低’且在約1G伏特時，樣品a的電流大於樣品B的電流， 樣品B的較大於樣品c的電流。這些絲的朗如下，其一為載子 在氧化鋅齡树_財解電賴層之異質接面巾^率 在有機導電薄朗_移料高，其二域子在氧化賴奈米線 與有機導電細層之異質接財的注人面積，亦比在有解電薄膜層 裡的注入面積大’綜合上述兩種理由，可知樣品A的電流會大於樣品 c之電流，樣品c之驅動電壓高於樣品A之驅動電壓。另外，樣品: 的電流之所以大於樣品B的電流，是因為樣品之有機導電薄膜層之 Q 度要樣品B薄的緣故。 為了更瞭解樣品A與樣品B的關係，請繼續參閱第μ圖，長虛 線代表樣品A，實線代表樣品β，長短虛線代表樣品c。為了讓三種 樣品發光，所施加的直流_為10伏特。從圖中可知，樣品A的發 光強度為樣品C的1.5倍，且樣品A之最強發光強度的波長為啦奈 米，樣品C之最強發光強度的波長為670奈米。這是由於在有機導電 薄膜層上成長氧化鋅奈錢㈣會導致有解電薄膜層表面的電子社 構有所改變，且此改變是由於P3HT分子與氧化辞奈米線陣列的氮^ 根離子群互相個所造成的，因此當載子在氧化辞奈祕陣列與有機 〇導電薄膜層的介面覆合時，就會發生如圖所示之波長藍移⑽ue_shjfted) 及發光強度增強的情形。除此之外，氧化鋅奈鱗陣_存在可以加 強载子注入以使電子電洞覆合的機率提高。此種樣品A之發光元件可 以應用製作於白、紅、藍、綠光之電激發光元件上。 但反觀樣品B，它的最強發光強度的波長與樣品c相同，由圖中 所看到的結果可歸納-結論，其係為電子電洞覆合驗置與有機導電 溥膜層的厚度有關，且樣品B的有機導電薄膜層的厚度較樣品A厚， 因此樣品B之載子無法在氧化鋅奈米線陣列與有機導電薄膜層的介面 覆合，同樣地也沒有藍移現象發生。

"月參閱第12圖’其中虛線所代表的是樣品D的測量數據樣品D 201037854 與上述樣品c之結構類似，差異僅在於有機導電薄膜層之材質以pF 代替P3HT ;實線所代表岐私E賴量㈣，#品E與上述樣品 A之結構類似，差異僅在於有機導電薄膜層之材質以pF代替p3H丁。 由圖可知，在f科於1G伏特時，樣品E的電流約是樣品D的5倍。 清繼續參閱第13囷，虛線代表樣品〇的測量數據，實線代表樣 品E的測量數據，為了讓此二種樣品發光，所施加的直流電壓為 伏特。由圖可知，樣品D之發光強度峰值波長為426奈米、45〇奈米、 491奈米，樣品E之發光強度峰值波長則為483奈米、566奈米，故 此種樣品E可以應用製作於白光之電激發光元件上，另從樣品D與樣 品E比較起來，發現樣品E相對於樣品D產生了波長紅移(red_shjfted) 現象。會產生此現象的原因在於，樣品日在進行水熱法的過程中，氧 化鋅表面的氫氧根離子群已經與PF產生反應，且Pf之聚合物鏈係與 氧化鋅微奈米線陣列之表面結合在一起，此種結合反應會導致發光能 量的降低與紅移現象的發生。 綜上所述，本發明提出的有機無機發光元件及其製作方法，不但 可以解決有機材料不利於電子的傳輸與無機二極體需複雜昂貴且高溫 的真空長晶製程的難題，另外更可大幅降低製作成本，相當具有實用 價值。 以上所述者，僅為本發明一較佳實施例而已，並非用來限定本發 明實施之範圍，故舉凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特 徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍 内。 【圖式簡單說明】 第1圊為本發明之第一實施例的結構立體圖。 第2圖為本發明之氧化鋅微奈米線陣列之掃瞄式電子顯微鏡圖。 第3(a)圖至第3(e)圖為本發明製作第一實施例之各步驟結構剖視圖。 第4圖為本發明之第二實施例的結構立體圖。 12 .201037854 第5(a)圖至第5(e)圖為本發明製作第二實施例之各步驟结構剖視圖。 第6圖為本發明之第三實施例的結構立體圖。 第7(a)圖至帛7(e)圖為本發明製作第三實施例之各步驟结構剖視圖。 第8⑻圖至第8(e)圖為本發b月之實際製備發光元件之各步驟結構剖視圖。 第9圖為本發明之氧化鋅微奈米線陣列的χ光繞射圖。 第10圖為本發明之以聚3_己基售吩形成有機導電薄膜層之發光元件 結構，與其餘發光元件結構之電流與電壓比較曲線圖。 第11圖為本發明之以聚3-己基嗟吩形成有機導電薄膜層之發光元件 〇 、结構，與其餘發光元件結構之發光強度與波長比較曲線圖。 第12圖為本發明之以聚敦形成有機導電薄膜層之發光元件結構，與其 餘發光元件結構之電流與電壓比較曲線圖β 第13圖為本發明之以聚氟形成有機導電薄膜層之發光元件結構，與其 餘發光元件結構之正規化發光強度與波長比較曲線圖。 【主要元件符號說明】 12第一電極層 16種子層 20絕緣層 24第一電極區塊 28種子區塊 32第二電極區塊 36導電區塊 40導電基板 44種子層 48絕緣層 1〇絕緣基板 14有機導電薄膜層 18氧化鋅微奈米線陣列 22第二電極層 26有機區塊 3〇氧化鋅微陣列 34導電基板 38電極區塊 42有機導電薄膜層 46氧化鋅微奈米線陣列 50電極層 13

Claims (1)

1. 201037854 七、申請專利範圍： 1· 一種有機無機發光元件，包含： 一導電基板； 一有機導電薄膜層，位於該導電基板上； 一種子層’其係設於該有機導電薄膜層上； 氧化鋅微奈米線陣列，其係設於該種子層上；以及 —第一電極層’其係設於該氧化鋅微奈米線陣列上。 2.如申請專利範圍第1項所述之有機無機發光元件，其中該導電基板 包含： 一絕緣基板；以及 一第二電極層，其係設於該絕緣基板上，以供該有機導電薄膜層設 於其上。 3. 4. 5. 申月專利範圍第2項所述之有機無機發光元件，其中該絕緣基板 之材質為藍寶石、玻璃、石英或軟性絕緣材質。 申凊專利範圍第2項所述之有機無機發光元件，其中該第一、第 ^電極層之材質為金、銀、鎳、銘、白金、透明電極材料、氧化銦 。了〇)、氧化鎵銦錫（9a丨丨ium-丨ndium-tin ox丨de，GITO)、氧化 鋅銦踢(zinc一 indiurTMin〇xjde，z|T〇)、氧化錫賴 f|u〇ri_〇ped ’ FT〇)、氧化辞、氧化銘辞[az〇(a丨：z_或氧化姻辞 專利範圍第i項所述之有機無機發光元件，其中該第一電極 2由複數個電極層區塊所組斜，該導電基板係由複數個導電區 ^所、、且成，且該有機導電薄膜層係位於該些導電區塊上。 申^^難第彳顧狀械無機發光元件，更包含一絕緣 米续陵該第—電極層無種子層之間，錄於該氧化鋅微奈 ϋ μ，—條線材的彼此空隙内’且該第—電極層係直接接觸 μ氣化鋅微奈米線陣列之表面。 如申凊專利範圍第6項所述之有機無機發光元件，其中該絕緣層之 14 6. 201037854 材料為聚甲基丙稀酸甲酯[p〇|y(methyl methacrylate，PMMA)]、聚 苯乙烯[poly(styrene)】、旋塗玻璃材料（S0G)、二氧化石夕（s丨〇2)、 氮化梦（Si3N4)。 8. 如申請專利範圍第6項所述之有機無機發光元件，其中該絕緣層之 厚度係小於或等於該氧化辞微奈米線陣列之每一條線材的長度。 9. 如申請專利範圍第6項所述之有機無機發光元件，其中該絕緣層之 厚度在1奈米到50微米之間。 10. 如申請專利範圍第1項所述之有機無機發光元件，其中該有機導電 薄膜層之材料為高分子材料、小分子材料、有機半導體材料、螢光 〇 發光分子、螢光發光分子摻雜罐光發光分子或螢光發光分子摻雜有 機絕緣分子。 11. 如申請專利範圍第1〇項所述之有機無機發光元件，其中該有機絕 緣分子為聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯。 12. 如申請專利範圍第1〇項所述之有機無機發光元件，其中該有機半 導體材料為聚 3·己基嗟吩[p〇|y(3-hexylthiophene，P3HT)]、 [poly(3-octylthiophene ，P30T)]、聚[N-乙婦基吟 唑】[poly(N-vinylcarbazole ’ PVK)]、聚〔2_甲氧基·5-[2-乙基己氧 基 ΗΜ- 亞苯基亞己烯基]〕 Ο [ P〇ly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-(1,4-phenylenevinylene) > MEHPPV]〕、聚[2-甲氧基-5·(3’，7’·乙烷辛基氧H4-苯基乙烯基] 〔poly[2-methoxy-5-(3’，7’-dimethyloctyloxy)，1,4-phenylenevinyle ne，MDMOPPV]〕、聚氟[poly(fluorine)，PI=]或 Ν·-二苯基-N，N，-二 (3-曱基苯基）-[1-1·-聯苯]-4,4·- 二胺 〔N’-diphenyl-N,N’-bis[3-methylphenyl]-[1，1 ’-biphenyl]-[4,4，-diam ine]，TPD〕。 13_如申請專利範圍第1項所述之有機無機發光元件，其中該種子層之 材料係為氧化鋅、金、錫或鈷。 14.如申請專利範圍第1項所述之有機無機發光元件，其中該導電基板 15 201037854 之材質為石夕或軟性導電材質β 申請專概_ 1項騎之有機無機發光元件，其中該氧化鋅微 奈米線陣列之每一條線材長度在2奈米到5〇微米之間。 6·如申請專利範圓第彳項所述之有機無機發光元件，其巾該氧化辞微 奈米線陣列之每一條線材與該種子層接觸之截面宽度在2奈米到 1〇微米之間。 J 17，t申請專利範園第1項所述之有機無機發光元件，其中該氧化鋅微 奈米線陣列之每一條線材彼此間的空隙距離在0.5奈米到500微米 之間。 ★申3專彳成g第1項所述之有機無機發光元件，其巾該有機導電 薄膜層之厚度在1〇奈米到1〇〇〇奈米之間。 19·如申料纖_彳項所述之有機無機發光元件，其巾該種子層的 厚度在1奈米到1〇〇奈米之間。 20·=請專利範圍第，項所述之有機無機發光元件其中該氧化辞微 '丁、米線陣列之每一條線材長度加上該種子層的厚度之總長 奈米到50微米之間。 21·:種有機無機發光元件之製作方法，包含下列步驟·· 提供一導電基板，並德導電絲上軸—有解電薄 於該有機導電薄膜層上形成一種子層； 利用，種子層於其上形成—氧化鋅微奈錄陣列；以及 於該氧化鋅微奈米線陣列上形成一第一電極層。 22.如申請專利範圍第21項所述之有機無機發光胃元件之 盆 中提供該導電基板之步驟包含下列步驟： 八 提供一絕緣基板；以及 於=緣基板上形成-第二電極層，以供該有機導電薄膜層形成於 具上。 23·如申請專利範圍第22項所述之有機無機發光元件 中該絕緣基板之材質為藍寶石、玻璃、石英或軟性絕緣材質。- 16 201037854 利ϊ圍第22項所之有機無機發光元件之製作方法，其 :化之材質為金、銀、錄、銘、白金、透明電極 GITO)、氧化、氧化嫁轉（gaHium-indium—tin _e， 氟（fluori⑽/ 職一⑽⑽一此〇Xide，ZIT〇)、氧化錫掺 Zn〇)]^^,^T(!LTde J FT〇)' ' ^^^^CA2〇(A，： =明專利範®第21項所述之有機無機發光元件之製作方法，其 與該第—電極層之間更可形成—絕緣層，且其係位二 Ο

   :, 不米線陣列之每一條線材的彼此空隙内，又該第一電極 層係直接接觸該氧化鋅微奈米線陣列之表面。 26_如申^專利範圍第25項所述之有機無機發光元件之製作方法，其 中在《亥氧化鋅微奈米線陣列與該種子層上，可先开)成該絕緣層，再 用蚀刻方式將H緣層之厚度似彳至小於或等於該氧化鋅微奈米 線陣列之線材長度，再於該絕緣層與該氧化鋅微奈米線陣 該第一電極層》 27.如申請專利範圍第25項所述之有機無機發光元件之製作方法，其 中开>成該絕緣層之方法為旋轉塗布法（Spin⑺油叩）、浸潰塗布法 (dip coatin9)、蒸鍍法（evaporation)、濺鍍法（sputtering)、原 子層沈積法（atomic layer deposition )、電化學沈積法 (electrochemica丨 deposition)、脈衝雷射沈積法（P|used laser deposition)、金屬有機物化學氣相沈積法（metalorganic chemical vapor deposition ) ° 28. 如申請專利範圍第25項所述之有機無機發光元件之製作方法，其 中該絕緣層之材料為聚甲基丙烯酸曱酯[p〇ly(methy| methacrylate ’ PMMA)】、聚苯乙烯[poly(styrene)]、旋塗玻璃材料 (S0G)、二氧化矽（Si〇2)、氮化矽（Si3N4)。 29. 如申請專利範圍第21項所述之有機無機發光元件之製作方法，其 中形成該種子層的方法為旋轉塗布法、浸潰塗布法、蒸鍵法、賤鑛 17 201037854 法、原子層沈積法、電化學沈積法、脈衝雷射沈積法、金屬有機物 化學氣相沈積法。 30. 如申請專利範圍第21項所述之有機無機發光元件之製作方法，其 中該種子層之材料係為氧化鋅、金、錫或鈷。 31. 如申請專利範圍第30項所述之有機無機發光元件之製作方法，其 中該種子層之材料為該金、錫或鈷時，則形成該種子層的方法為利 用蒸鍍法或濺鍍法將該金、錫或鈷之微奈米粒子鋪在該有機導電薄 膜層上。 32. 如申請專利範圍第3〇項所述之有機無機發光元件之製作方法，其 中該種子層之材料為該氧化鋅、金、錫或鈷時，則形成該種子層的 方法為利用浸潰塗布法或旋轉塗布法將該金、錫、鈷或氧化鋅之微 奈米粒子鋪在該有機導電薄膜層上。 33_如申請專利範圍第32項所述之有機無機發光元件之製作方法其 中該浸潰塗布法與該旋轉塗布法所使用的溶液為異丙醇 (isopr〇pan〇|)、曱醇(methano丨）、乙醇(e_ a丨c〇h⑻丙三醇 (glycerol)或丙醇(propanol)。 34.如申請專利範圍第32項所述之有機無機發光元件之製作方法，其 中該氧化鋅之微奈米粒子的粒徑在2奈米到1〇微米之間。 35·如申請專利範圍第31項或第32項所述之有機無機發光元件之製 作方法，其巾該金之微奈練子的祕在2奈麵1()微米之間。 36·如申請專利範圍第21項所述之有機無機發光元件之製作方法其 中形成該氧化鋅微奈米線陣列的方法為水熱法（_伽_ method)、熱蒸鍍法（thermal evap〇rati〇n)、化學氣相沈積法 (chem丨ca丨vapor _sition)、分子束磊晶法（巾〇丨咖丨沉匕湖 epitaxy)、陽極氧化銘多孔模板法（M〇)、電化學法。 37·如申請專利範圍第2彳項所述之有機無機發光元件之製作方法，其 中=4有機導電細層之方法為旋轉塗布法、浸潰塗布法或喷墨 tp m\ y4r ο 18 201037854 38. 如申請專利範圍第37項所述之有機無機發光元件之製作方法，其 中該旋轉塗布法、該浸潰塗布法或該喷墨印刷法所使用的溶液為氣 仿(chloroform)、二氣曱烧(dichloromethane)、甲苯(toluene)、四 氫扶喃(tetrahydrfuran)、1,2—二氣苯(1，2-dichlorobenzene)、1，4~ 二氣苯(1，4-dichlorobenzene)、氯苯(chlorobenzene)或正己燒 (η-hexane)〇 39. 如申請專利範圍第21項所述之有機無機發光元件之製作方法，其 中該有機導電薄膜層之材料為高分子材料、小分子材料、有機半導 體材料、螢光發光分子、螢光發光分子摻雜填光發光分子或螢光發 0 光分子摻雜有機絕緣分子。 40. 如申請專利範圍第39項所述之有機無機發光元件之製作方法，其 中該有機絕緣分子為聚曱基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯。 41. 如申請專利範圍第39項所述之有機無機發光元件之製作方法，其 中該有機半導體材料為聚3-己基"塞吩[p〇|y(3-hexylthiopherje， P3HT)]、[poly(3-octylthiophene，P30T)]、聚[N-乙烯基咔 °坐】[poly(N-vinylcarbazole，PVK)】、聚〔2-甲氧基-5-[2-乙基己氧 基 亞苯基亞 乙稀基]〕 〔poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-(1,4-phenylenevinylene)， Ο MEHPPV]〕、聚[2-甲氧基-5-(3·，7·-乙烷辛基氧H4_苯基乙稀基】 〔poly[2_methoxy-5-(3，，7’-dimethyloctyloxy)-l，4-phenylenevinyle ne，MDMOPPV]〕' 聚氟[poly(fluorine) ’ PF]或 Ν·-二苯基_n，n'-二 (3·甲基苯基）-[1-1·-聯苯]_4,4l 」胺 〔N’-diphenyl-N’N’-bisp-methylphenylHI，1，-biphenyl]-[4,4，-diam ine]，TPD〕。 42. 如申請專利範圍第21項所述之有機無機發光元件之製作方法，其 中該導電基板之材質為矽或軟性導電材質。 19