TW201028460A

TW201028460A - Liquid crystal composition and liquid crystal display device

Info

Publication number: TW201028460A
Application number: TW098144301A
Authority: TW
Inventors: Norikatsu Hattori; Masayuki Saito
Original assignee: Chisso Corp; Chisso Petrochemical Corp
Priority date: 2009-01-20
Filing date: 2009-12-22
Publication date: 2010-08-01
Also published as: JPWO2010084810A1; US20110278501A1; JP5522407B2; WO2010084810A1; US8343596B2

Description

201028460 33341pif 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明主要是有關於一種適於主動矩陣（active matrix，AM )元件等的液晶組成物以及含有該組成物的 AM元件等。本發明特別是有關於一種介電各向異性為負的液晶組成物，以及有關於一種含有該組成物的橫向電場切換（in_plane switching，IPS)模式、垂直配向（vertical alignment ’ VA )核式或聚合物穩定配向（p〇iymer sustained alignment ’ PSA)模式的元件等。【先前技術】於液晶顯示元件中’基於液晶的動作模式的分類為相變化（phase change ’ PC)、扭轉向列（twisted nematic， TN)、超扭轉向列（super twisted nematic，STN)、電控雙折射（electrically controlled birefringence，ECB)、光學補償彎曲（optically compensated bend，OCB)、橫向電場切換（in-plane switching，IPS )、垂直配向（vertical alignment， VA )、聚合物穩定配向（polymer sustained alignment ’ PS A ) 模式等。基於元件的驅動方式的分類為被動矩陣（passive matrix，PM )與主動矩陣（active matrix，AM )。PM 分類為靜態（static )與多路（multiplex )等，AM分類為薄膜電晶體（thin film transistor，TFT )、金屬-絕緣體-金屬（metal insulator metal ’ MIM )等。TFT 的分類為非晶石夕（amorphous silicon)及多晶石夕（polycrystal silicon)。後者根據製程分 201028460 類為高溫型與低溫型。基於光源的分類為利用自然光的反射型、利用背光（backlight)的穿透型、以及利用自然光與背光兩者的半穿透型。

該等元件含有具有適當特性的液晶組成物。該液晶組成物具有向列相（nematic phase)。為了獲得具有良好的一般特性的AM元件而提高組成物的一般特性。將兩者的一般特性中的關係匯總於下述表i中。基於市售的AM元件來進一步說明組成物的一般特性。向列相的溫度範圍與元件可使用的溫度範圍相關。向列相的較佳上限溫度大於等於70°C，並且向列相的較佳下限溫度小於等於_1〇。〇。组成物的黏度與元件的響應時間相關。為了以元件顯示動態圖像，較好的是響應時間短。因此，較好的是組成物中的黏度小。更好的是較低溫度下的黏度小。

No 組成物的一般特性 AM元件的一船倍抖丄向列相的溫度範圍廣使用的Ί唐笳，圊瘙 2 黏度小υ 響應時間短 i 丁羌學各向異性適當 "Ϊ或負向異性大_ 對比度大____ ^55?^^耗電力小、對比度大 6 電阻率大對紫外綠乃i接企大、對比度大 A· λΓ 二 ])可縮入至

組成物的光學各向異性與元件的對比度（c〇ntrast ratio)相關。將組成物的辟各向異性（Δη)與讀的單元間隙（cell gap)⑷的乘積（Ληχ(ΐ)設計成使對比度達到最大。適當的乘積值取決於動作模式的種類。於VA 5 201028460 33341pif 模式的元件中為0.30 " m至〇 4〇 # m的範圍，於奶模，的元，中為0.20 至〇 3〇 "m的範圍。於此情形時’於單元間隙較小的元件中，較好的是組成物具有較大的光于各向異{ 生。組成物中的絕對值較大的介電各向異性有助於達成元件的較低的臨界電壓、較小的消耗電力及較大的對比度。因此’較好的是麟值較大的介電各向異性。組成物中雜大的電阻率有助於達成元件陳大的電縣 ' 持率及較大的對比度。因此，較好的是在初期階段不僅於 . 室溫下具有較大的電阻率、且於高溫下亦具有較大的電卩且 ❹ 率的組成物。較好的是長時間使用後不僅於室溫下具有較大的電阻率、且於高溫下亦具有較大的電阻率的組成物。組成物對紫外線及熱的穩定性與液晶顯示元件的壽命相關。該等穩定性高時，該元件的壽命長。此種特性對於液 ’ 晶投影器（liquid crystal projector )、液晶電視（iiquid crystal television)等中所使用的AM元件而言較佳。於具有TN模式的AM元件中’使用具有正介電各向異性的組成物。另一方面，於具有VA模式的AM元件中， ❹ 使用具有負介電各向異性的組成物。於具有IPS模式的AM · 元件中’使用具有正或負介電各向異性的組成物。於具有 * PSA模式的AM元件中’使用具有正或負介電各向異性的組成物。具有負介電各向異性的液晶組成物的例子揭示於如下所述的專利文獻1至3中。 [先前技術文獻] [專利文獻] 6 201028460 利文獻1]日本專鄉開2刪·16G857號公報利文獻2]日本專利特開2006_160727號公報利文獻3]日本專利特開平10_291945號公報 * 比度大、臨界電壓低、電壓保持率大、 1 ° ， ❹ 鲁黏产+、目的上限溫度高、向列相的下限溫度低、阻;大、對;2異性適當、正或負介電各向異性大、電阻羊大料外線的穩定性高、對熱的穩定性高等。【發明内容】上限、個:的為一種液晶組成物，其在向列相的上限，皿度同、向列相的下限溫度低、，負介電各向異性大、電阻率大?料 ^明穩定性高料性中，至少充分具備」個特性。衡;bT 的為一種在至少兩種特性中具有適當的平衡（balance)的液晶組成物。本發，成物的液晶顯示元件。本:；：:二=種: 的rc學各向異性、或較大的光學各向異性即適當稃性、較大的負介電各向異性、對紫外線的高穩疋_的組成物’以及一種具有較短的電壓保持率、較大的對比度、長壽：夺間、較大本發明是一種液晶組成物以及_M7〇/f。液晶顯示元件，該液晶組成物含有作為有第 201028460 33341pif 式（1)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物、以及作為第二成分的選自以式（2)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物，

此處，R1、R2、R3及R4獨立為碳數1至12的烷基 (alkyl)、碳數1至12的烷氧基（alk〇xy)、碳數2至12 的烯基（处6町1)、碳數2至11的烯氧基（业卿1(^)或任意的氫被氟取代的碳數2至π的烯基；環A及環B獨立為 1,4-伸環己基（l，4_Cycl〇hexylene )、伸苯基 (l，4-phenylene)'2_氟_M_伸苯基（2_flu〇r〇_14_phenylene) 或3-1-1,4-伸苯基；環C獨立為

或 9 且至少一個環C為 -(3- ，或w x、x、x及χ4獨立為氟或氯；Z1及Z2 獨立為單鍵、伸乙基（ethylene )、/ ,, 、兒r軋基（methyleneoxy)或羰氧基 (Carb〇nyl〇Xy);m為〇'1 或 ^為！或2。 [發明效果] 201028460 本發明的優點是-種液晶組成物，其在向列相的上限溫度高、向列相的下限溫度低、黏度小、光學各向異性適當、負介電各向異性大、電阻率大、對紫外線的穩定性高、對熱的穩定性尚等特性中至少充分具備一種特性。本發明 _ mi是-種在至少兩㈣性中具有適t的平衡的液晶组成物。本發明的另-型態是—種含有此種組成物的液晶、冑示元件。本發明的又—型態是··種具有適當的光學各向 ❹ 祕、較大的負介電各向異性、對料__定性等的組成物，以及具有較短的響應時間、較大的電壓保持率、較大的對比度、長壽命等的am元件。為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。【實施方式】本說明書中的用語的使用方法如下。有時將本發明的液晶組成物或本發明的液晶顯示元件分別簡稱為「組成物_ 或「元件」。液晶顯示元件為液晶顯示面板（panel)及液

晶顯示模組（module)的總稱。「液晶性化合物」是指具有向列相、近晶相（smectic phase)等液晶相的化合物或者不具有液相但作為組成物的成分有用的化合物。該有用 ^匕合物例如具有1，4_伸環己基或14•伸苯基之類的六元環，其分子結構為棒狀（r〇d like)。有時將光學活性化合物及可聚合的化合物添加於喊物巾。即便鱗化合物為液晶性化合物，此處亦被分類為添加物。有時將選自以式 201028460 33341pif (1)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物簡稱為厂化合物（1)」。「化合物（1)」是指以式（1)所表示的一種化合物或者兩種或兩種以上的化合物。以其他通式所表示的化合物亦同樣。「任意的」不僅指位置為任意，亦指個數為任意’但不包括個數為〇的情況。有時將向列相的上限溫度簡稱為「上限溫度」。有時將向列相的下限溫度簡稱為「下限溫度」。「電阻率大」是指組成物在初期階段不僅於室溫下並且在與㈣相的= 溫度接近的溫度下亦具有較大的電阻率，並且在長時間使用後不僅々室溫下並且在與向列相的上限溫度接近的溫度下亦具有較大的電阻率。「電壓保持率大」是指耕在初ς 階段不僅於室溫下並且在與向列相的上限溫度接近的溫度下亦具有較大的f壓保持率，並且在長時間使用後不僅於室溫下並且在與向列相的上限溫度接近的溫度下亦具有較大的電壓保持率。在說明光學各向異性等特性時，使用藉由實驗例中所記載的測定方法而獲得的值。第一成分為二種化合物或者兩種或兩種以上的化合物。「第一成分的比例」是指基於液晶組成物的總重量的第一成分的重量百分比（wt% )。第二成分的比例等亦同樣。組成物中所混合的添加物的比例是指基於液晶組成物的總重量的重量百分比 (wt%)或重量百萬分率（ppm)。 71 於成分化合物的化學式中，將Rl的符號用於多種化合物。於該等化合物中的任意兩個化合物中，R1的含義可相同，亦可不同。例如，存在化合物d)的r1為乙基 201028460 3J^4ipif (ethyl)、化合物（1-1)的R1為乙基的實例（case)。亦存在化合物（1 )的R1為乙基、化合物（1-1 )的R1為丙基（propyl)的實例。該規則亦適用於R2、X1等。本發明為下述項等。

1.一種液晶組成物，其含有作為第一成分的選自以式 (1)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物、以及作為第二成分的選自以式（2)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物， X1 X2 (1) (2) 1至12的烷基、 r1K5^^z1)^0"r2 h3c 令 z2)^r4 此處，R1、R2、R3及R4獨立為碳數碳數1至12的烷氧基、碳數2至12的烯基、碳數2至11 的烯氧基或任意的氫被氟取代的碳數2至12的烯基；環A 及環B獨立為1，4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或3-氣-1，4-伸苯基，環C獨立為 'Or 5 ? ? Sc ，且至少一個環C為，或； X、X2、X3及X4獨立為氟或氣；Z1及Z2獨立為單鍵、 11 201028460 33341pif 伸乙基、亞曱氧基或羰氧基；m為〇、1或2;n為1或2。 2. 如第1項所述之液晶組成物，其中第一成分為選自以式（1-1)及式（丨-2)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物’ X1 X2 (1-1) r1-〇z3^r2 h3c X1 χ2 (1-2) 魯 H3c 此處’ R1及R2獨立為碳數1至12的烷基、碳數l至 12的烷氧基、碳數2至12的烯基、碳數2至11的烯氧基或任意的氫被氟取代的碳數2至12的烯基；環B獨立為 1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或3-氟-1,4-伸苯基，X及X2獨立為氟或氯；Z3為單鍵、伸乙基或亞甲氧基。 3. 如第2項所述之液晶組成物，其中第一成分為選自以式（1-2)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物。 Θ 4. 如第2項所述之液晶組成物，其中第一成分為選自以式（1-1 )所表示的化合物的組群中的至少一種化合物、以及選自以式（1_2)所表示的化合物的組群中的至少一種，化合物的混合物。 5. 如第1項至第4項中任一項所述之液晶組成物，其中第二成分為選自以式（2-1)至式（2-7)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物， 12 201028460 3334ipif (2-1) (2-2) (2-3)

(2-4) (2-5) (2-6) (2-7)

此處，R3及R4獨立為碳數1至12的烷基、碳數1至 12的烷氧基、碳數2至12的烯基、碳數2至11的烯氧基或任意的氫被氟取代的碳數2至12的烯基。 6. 如第5項所述之液晶組成物，其中第二成分為選自以式（2-1)至式（2-3)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物。 7. 如第5項所述之液晶組成物，其中第二成分為選自以式（2-4)至式（2-7)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物。 8. 如第1項至第7項中任一項所述之液晶組成物，其 13 201028460 33341pif 總重量，第—成分的比例為5 ^至卜a圍’並且第一成分的比例為5wt%S6〇w 範圍。 f人項至第8項中任—項所述之液晶組成物，其 =作為第三成分的選自以式(3)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物， R5

(3) 此處，R5及R6獨立為碳數丨至12的烷基、碳數！至 =的院氧基、碳數2至12的烯基或任意的氫被氧取代的石反數2^至12的烯基；環D及環E獨立為14伸環己基、 Μγ伸笨基、2-氟·1，4-伸笨基或孓氟-^伸苯基；z4獨立為單鍵、伸乙基、亞甲氧基錢氧基；p為丨、2或3。 10.如第9項所述之液晶組成物，其中第三成分為選自以式（3-1)至式（3-12)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物， 201028460

(3-1) r5_hO^O^r6 (3_2) r5^O^O^r6 (3_3) r5^0^〇-O^r6 (3_4) (3-5) (3-6) (3-7) (3-8) (3-9) (3-10) (3-11) (3-12) 此處，R5及R6獨立為碳數1至12的烷基、碳數1至 12的烷氧基、碳數2至12的烯基或任意的氫被氟取代的 15 201028460 33341pif 碳數2至12的烯基。 11. 如第10項所述之液晶組成物，其中第三成分為選自以式（3-1)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物。 12. 如第10項所述之液晶組成物，其中第三成分為選自以式（3-1)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物、以及選自以式（3-4)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物的混合物。 13. 如第10項所述之液晶組成物，其中第三成分為選自以式（3-6 )所表示的化合物的組群中的至少一種化合物、以及選自以式（3-12)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物的混合物。 14. 如第9項至第13項中任一項所述之液晶組成物，其中基於液晶組成物的總重量，第三成分的比例為1〇 wt〇/〇至75 wt%的範圍。 15. 如第1項至第14項中任一項所述之液晶組成物，其更含有作為第四成分的選自以式（4_1)及式（4_2)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物， X5 X6

12的烷氧基、碳數2至12的烯基或任意的氫被氟取代的 201028460 碳數2至12的稀基；環F及環G獨立為⑷ Μ·伸苯基；z5、心z7獨立為單鍵、伸乙基、= 或缝基；X5及χ6為氟或氯；q為卜2或3 ; r及s獨= 為〇、1、2或3，並且r與s的和小於等於3。 16.如第15項所述之液晶組成物，其中第四成分為選自以式（4-M)至式（4-1-9)、以及式（4-2-1)至式（4-2-5) 所表示的化合物的組群中的至少一種化合物， 201028460 3334ipif

(4-1-1) (4-1-2) (4-1-3) (4-1-4) Θ (4-1-5) (4-1-6) (4-1-7) (4-1-8) 〇 (4-1-9) 18 201028460

R8 (4-2-1) R8 (4-2-2) F (4-2-3) F -/ \3-r8 (4-2-4) F (4-2-5) 此處，R及R8獨立為碳數〗至12的烷基、碳數i至 12的烧氧基、碳數2至12的烯基或任意的氫被氟取代的碳數2至12的烯基。

17.如第16項所述之液晶組成物，其中第四成分為選自以式（4-1-1)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物。 18. 如第16項所述之液晶組成物，其中第四成分為選自以式（4-1-1)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物、以及選自以式（4-1-7)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物的混合物。 19. 如第15項至第18項中任一項所述之液晶組成物，其中基於液晶組成物的總重量，第四成分的比例為5 wt〇/。 19 201028460

其中向列相的上限溫度大於等於7(TC，；光學各向雜⑵。C)大轉於_，j 時的介電各向雜（坑）小於等於_2。 1.一種液晶顯示元件，其包含如第i項至第2〇項中任一項所述之液晶組成物。 - 22.如第21項所述之液晶顯示元件，其中液晶顯示元 · 牛的動作模式為VA模式、lps模式或pSA模式液晶顯 ❿ 示元件的驅動方式為主動矩陣方式。、、本發明亦包含如下項：〇更含有光學活性化合物的上述組成物’ 2)更含有抗氧化劑、紫外線吸收劑、消泡劑等添力u物的上述組成物，3)含有上述組成物的AM元件， 4)含有上述組成物並且具有TN、ECB、〇cb、ips、或PSA模式的元件’5)含有上述組成物的穿透型元件，使用上述組成物作為具有向列相的組成物，7)藉由於上述組成物中添加光學活性化合物而用作光學活性組成物。以如下順序來說明本發明的組成物。第一，說明組成 . 物中的成分化合物的構成。第二，說明成分化合物的主要特性、以及該化合物對組成物所帶來的主要效果。第三，說明組成物中的成分組合、成分化合物的較佳比例及其根據。第四’說明成分化合物的較佳形態。第五，揭示成分化合物的具體例。第六，說明可混合於組成物中的添加物。第七，說明成分化合物的合成法。最後，說明組成物的用 20 201028460 途0 ❹ 參第一’說明組成物中的成分化合物的構成。將本發明的組成物分類為組成物A與組成物b。組成物A亦可更含有其他液晶性化合物、添加物、雜質等。「其他液晶性化合物」是指與化合物（1)、化合物⑵、化合物（3)、化合物（=-1)及化合物（4_2)不同的液晶性化合物。此種化合物是以進一步調整特性為目的而混合至組成物中的。在 f他液晶性化合物巾’就雜或料_穩定性的觀點而 s ’較好的是氰基化合物較少。氰基化合物的更好的比例為〇 wt%。添加物為光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、可聚合的化合物、聚合起始劑等。雜質疋在成分化合物的合成等步驟中所混入的化合物等。該化合物即便為液晶性化合物，此處亦被分類為雜質。組成物B實質上僅由選自化合物⑴、化合物⑵、化^物⑴、化合物⑷）及化合物⑷）中的化合物所才成。「實質上」是指組成物亦可含有添加物及雜質，但不含有與該等化合物不_液晶性化合物。與組成物比^成物B的成分數量較少。就降低成本的觀點而言，優於組成物A。就可藉由混合其他液晶性化合物而進:步難物㈣齡而言，組絲A優於組成物B。

第一’制成分化合物的主要紐、以及該化合物組成物特性所帶來的主要效果。基於本發明的分化合物的主要特性匯總於表2。果J 大或高，M是指中等程度，s_、或低。符； 21 201028460 33341pif 是基於成分化合物之間的定性比較的分類，〇 (零）表示值大致為零。表2.化合物的特性

化合物 (1) (2) (3) (4-1) (4-2) 上限溫度 Μ〜L S〜Μ S〜L Μ〜L 黏度 Μ〜L S〜L S〜Μ Μ〜L 光學各向異性 Μ〜L Μ〜L S〜Μ Μ〜L 介電各向異性 Μ 〜L1) Μ 〜L1) 0 Μ 〜L1) 電阻率 1、人雨办人》 L L L L 1)介電各向異性的值為負，符號表示的是絕對值的大小

當將成分化合物混合至組成物中時，成分化合物對組成物特性所帶來的主要效果如下。化合物（ο提高介電各向異性的絕對值，並且提高光學各向異性。化合物（2)提南”電各向異性的絕對值。化合物（3 )降低黏度，調節適當的光學各向異性，提高上限溫度，降低下限溫度。化合 ❹ 物（4-1)及化合物（4_2)提高介電各向異性的絕對值，並且降低下限溫度。第二’說明組成物中的成分組合、成分化合物的較佳比例及其根據。組成物中的成分組合為：第一成分+第二成为、第一成分+第二成分+第三成分、第一成分+第二成分+第四成分、以及第一成分+第二成分+第三成分+ 第四成分。 22 201028460 3J341pif 電各向異性的絕聰，組成物中的較好的成刀^為第一成分+第二成分，為了降低黏度、或者了上限溫度’组成物中的較好的成分组合為第分 + ★—成分+第三成分，為了進一步提高介電各 =或ί為了提高上限溫度，組成物中的較好的J 、且口為4-成分+第二成分+第三成分+第四成分。 ❹ ❹ 例為高介電各向異性⑽對值，第—齡的較佳比 ^ MW ’為了降低下限溫度，第—成分的較 =列為小☆等於7〇wt%。第一成分的更佳_ 1〇_ 的翻。第—成分的特佳比例為W wt%至30 wt%的範圍。，了提高介電各向異性的絕對值，第二成分的較佳比圭ΙΟ:等於5 Wt%,為了提高上限溫度，第二成分的較例為小於等於6〇wt%。為了降低黏度，第二成分的更好的比例為10 wt%至30 wt%的範圍。為了降低黏度’第三成分的較佳關為小於等於ι〇為了降低下限溫度，第三成分陳佳_為小於等圖。二％。第三成分的更佳比例為2〇加％至恥福的範。第二成分的特佳比例為40 wt%至60 wt%的範圍。 ^了提高介電各向異性的絕對值，第四成分的較佳比 # 等於5游°’為了降低下限溫度，細成分的較列為小於等於60wt%。第四成分的更佳比例為

Wt%的範圍。第四成分的特佳比例為20 wt%至35 wt%的範圍。 23 201028460 33341pif 第四，說明成分化合物的較佳形態。 R1、R2、R3及R4獨立為碳數！至12的炫基、碳數ι 至12的烧氧基、碳數2至12的烯基、碳數2至u的稀氧基或任意的氫被氟取代的碳數2至12的烯基。R5、Μ、 R7及R8獨立為碳數i至12的燒基、碳數i至12的院氧基、碳數2至12的烯基或任意的氫被氟取代的碳數2至 12的烯基。為了降低下限溫度’或者為了降低黏度，較好的r1、 · R2 ' R3、R4、R7或R8為碳數！至12的烷基、或碳數2至 ❹ 12的烯基，為了提高介電各向異性的絕對值，較好的r1、 R2、R3、R4、R7或R8為碳數i至12的烧氧基。為了降低下限溫度，或者為了降低黏度，較好的尺5或R6為碳數i 至12的烷基、碳數2至12的烯基或任意的氫被氟取代的碳數2至12的烯基。為了提高對紫外線或對熱的穩定性等’更好的R1、R2、R3、R4、r5、r6、r7或r8為碳數1 至12的烷基。較好的烷基為甲基（methyi )、乙基（ethyl )、丙基 ❹ (propyl)、丁基（butyl)、戊基（pentyl)、己基（hexyl)、 · 庚基（heptyl)或辛基（octyl)。為了降低黏度，更好的烷 - 基為乙基、丙基、丁基、戊基或庚基。較好的炫氧基為甲氧基（meth〇Xy)、乙氧基（eth〇xy)、丙氧基（pmpoxy )、丁氧基（butoxy )、戊氧基（pentyloXy )、己氧基（hexyloxy )或庚氧基（heptyl〇Xy )。為了降低黏度，更好的烷氧基為曱氧基或乙氧基。 24 201028460 •3”外 ipif 較好的烯基為乙烯基（vinyD]-丙稀基（1_pr〇penyl)、 2-丙烯基、丨_丁烯基（i—butenyo、2_丁稀基、丁稀基、 1-戊烯基（1-pemenyD、2_戊烯基、3_戊烯基、心戍稀基、 1-己稀基（l-heXenyl)、2-己烯基、3_己烯基、4_己稀基或 5-己烯基。& 了降低黏度’更好的稀基為乙稀基、工-丙稀基3 丁烯基或3·戊婦基。该等烯基中的_ch=ch的較佳立體構型（steric configuration)取決於雙鍵的位置。為了 ❹降低黏度等，於1-丙稀基、1-丁烯基、戊烯基、上己烯基、3-戊烯基、3_己烯基之類的烯基中，較好的是反式 (trans)。於2-丁烯基、2-戊烯基、2_己烯基之類的烯基中，較好的是順式（cis)。該等烯基中，直鏈的烯基優於支鏈的稀基。車乂好的稀氧基為乙稀氧基（vinyl〇Xy )、丙稀氧基 (allyloxy )、3- 丁烯氧基（butenyloxy )、3-戊稀氧基 (pentenyloxy)或4-戊烯氧基。為了降低黏度，更好的稀氧基為丙烯氧基或3-丁烯氧基。 Ο 任意的氳被氟取代的晞基的較好的例子為2,2-二氣乙烯基（2,2-difluorovinyl )、3,3-二氟 _2_ 丙婦基 (3,3-difluoro-2-propenyl )、4,4-二氟 _3 丁烯基 (4,4-difluoro-3-butenyl )、5,5-二氟-4-戊稀基 (5,5-difluoro-4-pentenyl )及 6,6-二氟-5-己稀基 (6,6-difluoro-5-hexenyl)。為了降低黏度，更好的例子為 2,2-二氟乙烯基及4,4-二氟-3 丁烯基。環A、環B、環D及環E獨立為1，4-伸環己基、i 4_ 25 201028460 33341pif 伸苯基、HM_料 B可相同，亦可不同伸本基，坊為2時環同，亦可不同。為了提高上限溫度 j兩個環D可相較好的環A、環B、環 :或者為了降低黏度，南光學各向異性’較好的環申：己基’為了提伸苯基。％1)或環£為1，4_

環C為且至少一個環C為办’，A

或〇 η為2時兩個環。可相各向異丨^的絕對值，較好的枣c為 5為了提高介電或環F及環G獨立為Μ•伸 Γ為2或3時任意的兩個環F可相土 £ 1,4·伸苯基，q或 3時任意的兩個環G可相同，亦可π 一亦可不同，S為2或 .溫 Θ 3時任意的兩個環G可相同，亦^同’亦可不同，s為2 π 度，或者為了降低黏度，較好1=同為了提高上限溫環己基’為了提高光學各向衣或環G分別為14-伸為込木伸苯基。、，較好的環F或環Θ分別 χ1'Χ2>χ3^χ4^^4Λ 好的X1、X2、X3或Χ4為氟。f、。為了降低黏度，較及X為氟或氯。為了降 26 201028460 z】、J $ fX:為氟。氧基或幾氧基发^、Z獨立為單鍵、伸乙基、亞甲 2時兩個Z2可相同二時兩個Zl可相同，亦可不同，η為 Ζ4可相同，亦可不 1不同’Ρ為2或3時任意的兩個亦可不同，r為2 J 3 1或3時任意的兩個Z5可相同， …或増任意 ==二;相同，亦可不同’ 下限溫度，較好的21、Z2 f ’:亦可不同。為了降低了降低黏度^交好的匕/^口或^為伸乙基’為 Z3為單鍵、伸乙美、、Z或27為單鍵。的Z3為單鍵，為了 ^甲=。為了降低點度，較好 Z3為亞曱氧基。旧電各向魏醜龍，較好的 m為G 1或2°為了提高上限溫度較或2。11為1或2。為了提高上限溫度，較好的n、二為1 了降低黏度’較好的_ 為2,為 ❹ 限:度，較好的p為2或3,為了降低黏二為了提高上 q為1、2或3。為了提高上限溫度，較好 P為1。為了降低黏度’較好的P為W及S獨立為0?、，’ 遂且的和小於等於3。為了提高上限=或3，或s為2或3 ’為了降低黏度，較好的^或:：广好的r 第五，揭示成分化合物的具體例。 π 。於下述較佳化合物中，χ1及χ2 ，立為石炭數i至12的直鏈燒基、碳蜀數$ =，^及峻數2至12 鏈縣、及碳數2至u的 27 201028460 33341pif R11及R12獨立為碳數1至12的直鏈烷基、碳數1至12的烧氧基、後數2至12的直鏈烯基。於該等化合物中，關於 1，4-伸環己基的立體構型，為了提高上限溫度，反式較順式更佳。較好的化合物（1)為化合物（1-1-1)至化合物（丨-2-6)。更好的化合物（1)為化合物（1-2-2)、化合物（U-3)、及化合物（1-2-6)。較好的化合物（2)為化合物（2_M) 至化合物（2-7-1)。更好的化合物（2)為化合物（2-4-1) 至化合物（2-7_1 )。特別好的化合物（2)為化合物（2_4_1 )、化合物（2-5-1 )、及化合物（2-7-1 )。較好的化合物（3) 為化合物（3-1-1)至化合物（3-12-1)。更好的化合物（3) 為化合物（3-1-1)至化合物（3-4-1)、以及化合物（3 6_i) 至化合物（3-12-1 )。特別好的化合物（3)為化合物（yu)、化合物Ο·4·1)、化合物（3-6-1)、及化合物（mo。較好的化合物（4)為化合物（4—1^)至化合物（4 2 51)。更好的化合物（4)為化合物（心丨心—^至化合物^^])、 =及化合物（4-2小1)至化合物（‘⑷）。特別好的化 s物（4)為化合物（u + i)、化合物^、化合物（U-4·1)、化合物（4-1-6-1 )、及化合物（h+D。 201028460 3^J41pif

F F

X1 X2

(1-2-1) (1-2-2) (1-2-3) (1-2-4) (1-2-5) (1-2-6) 29 201028460 33341pif

(2-1-1) (2-2-1) (2-3-1) (2-4-1) (2-5-1) Ρ·6·1) P-7-1)

30 201028460 ：)：5：54ipif r11^X>r12必 <y〇r^

(3-1-1) (3-2-1) (3-3-1) (3-4-1) (3-5-1) (3-6-1) (3-7-1) (3-8-1) (3-9-1) (3-10-1) (3-11-1) (3-12-1) 31 201028460 33341pif

F F

(4-1-1-1) (4-1-2-1) (4-1-3-1) (4-1-4-1)❿ (4-1-5-1) (4-1-6-1) (4-1-7-1) (4-1-8-1)❹ (4-1-9-1) 32 201028460

(4-2-1-1) (4-2-2-1) R12 (4-2-3-1) R12 (4-2-4-1) •R12 (4-2-5-1) 第/、’說明可混合於組成物中的添加物。此種添加物為光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、可聚合的化合物、聚合起始劑等。為了誘發液晶的螺旋結構（helical structure)來賦予扭轉角，而將光學活性化合物混合至組成物中。此種化合物的例子為化合物 (5-1)至化合物（5-4)。光學活性化合物的較佳比例為小於等於5 wt%。更佳比例為0.(^ wt〇/〇至2 wt%的範圍。 33 201028460 33341pif

為了防止由於在大氣中進行加熱所導致的電阻率下降’或者為了在長時間使用元件後不僅於室溫下並且在與向列相的上限溫度接近的溫度下亦維持較大的電壓保持率’而將抗氧化劑混合至組成物中。

抗氧化劑的較好的例子是W為1至9的整數的化合物 34 201028460 州 41pif 參 ⑷等。於化合物⑷中’較好的w為卜3、5、7或9。 2的w為i或7。w為i的化合物⑷因揮發性較大， ;防止由於在大氣巾進行加熱所導致的電阻率下降時效杜w為7的化合物⑷因揮發性較小，故在長時間使用 ^牛後不僅於室訂並且在與㈣相的上限溫度接近的溫度下亦維持較大的電壓保持率方面有效。為了獲得其效果，抗氧化劑的較佳比例為大於等於5 〇 pp m，為了不使上限溫度下降’或者為了不使下限溫度上升，抗氧化劑的較佳比例為小於等於6GG Ppm。抗氧化劑的更佳比例為1〇〇 ppm至300 ppm的範圍。紫外線吸收劑的較好的例子為二苯甲酮 (benzophenone)衍生物、苯曱酸酯（benz〇ate)衍生物、三唑（triazole)衍生物等。具有位阻（sterichindrance)的胺（amine)之類的光穩定劑亦較好。為了獲得其效果該等吸收劑或穩定劑中的較佳比例為大於等於刈卯瓜，且^ 了不使上限溫度下降、或者不使下限溫度上升，該等吸收劑或穩定劑中的較佳比例為小於等於1〇〇〇〇 ppn^該等吸收劑或穩定劑中的更佳比例為丨㈨卯瓜至1〇〇〇〇ppm的範圍。為了適於賓主（guest host，GH)模式的元件，而將偶氮（azo )系色素、蒽酿（anthraqUin〇ne )系色素等之類的二色性色素（dichroicdye)混合至組成物中。色素的較佳比例為0.01 Wt%至10 Wt%的範圍。為了防止起泡，將二甲基矽油（dimethyl silicone oil )、甲基苯基矽油等消泡劑 35 201028460 3334lpif 混合至組成物中。為了獲得其效果，消泡劑的較佳比例為大於等於1 ppm，為了防止顯示不良，消泡劑的較佳比例為小於等於l〇〇〇ppm。消泡劑的更佳比例為！至5〇〇 ppm的範圍。 ❿ 為了適於聚合物穩定配向（p〇lymer sustained alignment ’ PSA)模式的元件，而將可聚合的化合物混合至組成物中。可聚合的化合物的較好的例子為丙烯酸酯 (acrylate)、甲基丙烯酸酯（methacrylate)、乙稀基化合物、乙稀氧基化合物、丙稀基鱗（pr〇penyl ether)、環氧（叩〇xy) 化合物（環氧乙烷（oxirane)、環氧丙烷（〇xetane乃乙稀基綱等具有可t合的基團的化合物。特別好的例子為丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的衍生物。為了獲得其效果，可聚合的化合物的較佳比例為大於等於〇〇5wt%，為了防止顯示不良可I合的化合物的較佳比例為小於等於。可聚合的化合物的更佳比例為〇 ] wt%至2 wt%的範圍。可 ❹ ，合的化t物較好的是於光聚合起始劑等適當的起始劑的子在下’藉由紫外線（Utlravi〇let，UV)照射等而聚合。用於聚0的適當條件、起始劑的適當類型及適 3=員所知，並且記載於文獻中。例如作為光ί 二η 娜祕51 (5主冊商標）、kgaCUrel84 (註冊商 :由^广:二173 (註冊商標）（CibaJapanK.K.)對於 (滅⑴聚合而言較為合適。可聚合的化合物較別好^ Μ Wt%至5 Wt%的範圍内含有光聚合起始劑。特㈣的d i wt%至3 wt%的範圍内含有光聚合起始劑。 36 201028460 3JJ4ipif 第七，說明成分化合物的合成法。該等化合物可已知的方法來合成。對合成法加以例示。化合物（m藉

是藉由林專利制平1G韻945號公報中所揭示的而合成。化合物（2M )是藉由日本專利特開鳩罐〇4〇號公報中所揭不的方法而合成。化合物是藉由曰本專利特公平4-G3G382巾_示的方a合成。化合物 (3-4-1)是藉由曰本專利特開昭57_165328中所揭示的方法而合成。化合物（4-1-1 )是藉由曰本專利特開 2000_053602號公報中所記載的方法而合成。抗氧化劑為市售品。式（6)的w為i的化合物可自Aldrich公司 (Sigma-Aldrich Corporation)購得。w 為 7 的化合物（6) 等是藉由美國專利第3660505號說明書中所記載的方法而合成。未記載合成法的化合物可藉由有機合成（〇rganic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc)、有機反應（〇rganic Reactions, John Wiley & Sons，Inc )、有機合成大全 (Comprehensive Organic Synthesis，Pergamon Press)、新實驗化學講座（丸善）等書籍中所記載的方法來合成。組成物可藉由公知的方法由以上述方式所獲得的化合物來製備。例如，將成分化合物加以混合，然後藉由加熱使其相互溶解。最後，說明組成物的用途。大部分組成物具有小於等於-10°C的下限溫度、大於等於70°c的上限溫度、以及0.07 至0.20的範圍的光學各向異性。含有該組成物的元件具有 37 201028460 33341pif 較大的電壓保持率。該組成物適於AM元件。該組成物特別適於穿透型的AM元件。藉由控制成分化合物的比例’ 或者藉由混合其他液晶性化合物，亦可製備具有〇.〇8至 0.25的範圍的光學各向異性的組成物。該組成物可用作具有向列相的組成物，並可藉由添加光學活性化合物而用作光學活性組成物。該組成物可用於AM元件中。進而亦可用於PM元件中。該組成物可用於具有PC、TN、STN、ECB、〇CB、Ips、 VA、PSA等模式的AM元件及PM元件中。特別好的是用 _ 於具有IPS或VA模式的AM元件中。該等元件亦可為反射型、穿透型或半穿透型。較好的是用於穿透型的元件中。亦可用於非晶矽-TFT元件或多晶矽-TFT元件中。亦可用於將該組成物微膠囊（micr〇capSUle)化而製作的向列曲線排列相（nematic curvilinear aligned phase，NCAP )型的 _ 件、或者在組成物中形成三維網狀高分子而成的聚合物$ 散（polymer dispersed，PD)型的元件中。刀 [實驗例] 為了評價組成物及組成物中所含有的化合物性’而將組成物及上述化合物作為測定目標物。°卜特標物為組成物時，將該組成物直接作為試樣:二疋目記載所獲得的值。當峡目標物為化合物時並 f物⑴，混合至母液晶(85wt%)中 -式樣。利用外推法（extrapGlati()n)，由推用值來算出化合物的特性值。（外推值卜{(上== 38 201028460 測定值）一〇.85x (母液晶的測定值）}/〇 15。在以該比例於25°C下析出近晶相（或結晶）時，將化合物與母^晶的比例依序變更為 10 Wt% : 90 wt%、5 wt% : 95 wt%、1 99 wt%。利用該外推法來求出與化合物相關的上限溫度、光學各向異性、黏度以及介電各向異性的值。酿又

母液晶的成分及其比例如下述所示。 C3H7-〇-C00-^K0C2H5 17.2wt〇/〇

27. 6wt%

20. 7wt°/〇 20. 7wt%

13. 8wt% 特性值的測定是依照下述方法進行。該等方法大多為日本電子機械工業會標準（Standard of Electric IndustjJs Association of Japan) EIAJ.ED-2521A 中戶斤記載的方法、或者對其加以修改而得的方法。向列相的上限溫度（NI ; °C ):將試樣置於具備偏光顯微鏡的熔點測定裝置的加熱板（hotplate)上，以rc/inin 的速度進行加熱。測定試樣的一部分自向列相變化為各向同性液體時的溫度。有時將向列相的上限溫度簡稱為「上 39 201028460 33341pif 限溫度」。向列相的下限溫度（Tc ; °C ):將具有向列相的試樣放入玻璃瓶中’於0°C、-1(TC、-2(TC、-3(TC及-40Ϊ的冷凍器（freezer)中保管10日後，觀察液晶相。例如，在^ 樣於-20°C下保持向列相的狀態、於_3〇它下變化為結晶戋近晶相時，將Tc記載為g-2(TC。有時將向列相的下限^ 度簡稱為「下限溫度」。 '皿黏度（谷積黏度（bulk viscosity) ; ;於20°C下、、貝丨】定；mPa.s):於測定中使用E型旋轉黏度計。 “ 光學各向異性（折射率各向異性；An ;於25。匚下測疋）.測疋疋使用波長為589 nm的光，利用在接目鏡上安裝有偏光板的阿貝折射計（Abbe refractometer )來進行。沿-個方向摩擦主稜鏡（prism)的表面後，將試樣滴加至 J棱鏡上。折料n ||是於偏光方向與摩擦方向平行時測定。折射率η丄是於偏光方向與摩擦方向垂直時測定。光學各向異性的值是由Δη = η|| —η丄的公式來計算。介電各向異性（Δε ;於坑下測定）：介電各向異的值是由△ ε = ε |卜ε丄的公式來計算。介電常數（£ 丨丨以及ε丄）是以如下方式測定。 υ介電常數（ε II )的測定：於經充分洗淨的玻璃基板上塗佈十八烧基三乙氧基碎烧 octadecyltnethoxysilane) (0.16 mL) (ethan〇1) 德容液。利用旋轉器（spinner)使玻璃基板旋轉 GC下加熱1小時。將試樣放人2片玻璃基板的 201028460 間隔（單元間隙）為4 /zm的VA元件中，藉由利用紫外線硬化的黏接劑將該元件密封。對該元件施加正弦波（0.5 V’ 1 kHz)’ 2秒後測定液晶分子的長轴方向上的介電常數 (ε丨丨）。 2)介電常數（ε丄）的測定：於經充分洗淨的玻璃基板上塗佈聚醯亞胺（P〇lyimide)溶液。煅燒該玻璃基板後’對所得配向膜進行摩擦處理。將試樣放入2片玻璃基 ❹ 板的間隔（單元間隙）為9 "m、扭轉角為80度的TN元件中。對該元件施加正弦波（05 v , 1 kHz)，2秒後測定液晶分子的短軸方向上的介電常數（ε丄）。臨界電壓（Vth ;於25°C下測定；V):於測定中使用大塚電子股份有限公司製造的LCD5100型亮度計。光源為函素燈。將試樣放入2枚玻璃基板的間隔（單元間隙）為 4以111、摩擦方向為反平行的常黑模式（normally black mode)的VA元件中’使用uv硬化的黏接劑將該元件密封。使施加於該元件的電壓（60 Hz、矩形波）自0 V至 20 V以母次0.02 V來階段性地增加。此時，自垂直方向對 70件照射光’並測定穿透元件的光量。製作該光量達到最大時的透射率為1〇〇%、該光量最小時的透射率為〇%的電壓-透射率曲線。臨界電壓為透射率達到10%時的電壓。電壓保持率（VHR-1 ; 25。(：；％):測定時所使用的 TN^tg件具有聚醯亞胺配向膜，並且2片玻璃基板的間隔兀間隙）為5 。在將試樣放入該元件後，藉由利用紫外線進行聚合的黏接劑將該元件密封。對該TN元件 201028460 33341pif 施加脈衝（pulse)電壓（以5 v施加60微秒（microsecond)) 進行充電。利用高速電壓計在16 7毫秒的期間測定衰減的電壓’求出單位週期中的電壓曲線與橫軸之間的面積A。面積B為未衰減時的面積。電壓保持率為面積a相對於面積B的百分比。電壓保持率（VHR_2 ; 80°C ; 0/〇):測定時所使用的 TN元件具有聚酿亞胺配向膜，並且2片玻璃基板的間隔 (單兀間隙）為5 "m。在將試樣放入該元件中後，藉由利用紫外線進行聚合的黏接劑將該元件密封。向該TN元 ❹ =施加脈衝電壓（以5 V施加60微秒）*進行充電。利用南速電壓計在16.7毫秒的期間内測定衰減的電壓，求出單位週期中的電壓曲線與橫轴之間的面積A。面積B為未衰減時的面積。電壓保持率為面積A相對於面積B的百分比。 —電壓保持率（VHR-3 ; 25t ; :在照射紫外線後，測疋電壓保持率’並評價對紫外線的穩定性。具有較大的 VHR 3的組成物對紫外線具有較大的穩定性。測定時所使用的TN元件具有㈣亞魏向膜，並且單元隱為$《將試樣注人該元件巾，然後照械2G分鐘。統為超❹ 高壓水銀燈USH-500D (USHIO電機製造），元件與光源的間隔為20 cm。於VHR_3的測定中，在16 7毫秒的期間、内測定衰減的電壓。VHR_3較好的是大於等於慨的是大於等於95%。電壓保持率（響4 ; 25t ; %):將注入有試樣的 TN兀件於80。〇的怪溫槽内加熱5〇〇小時後測定電壓保 42 201028460 ^^34lpif 持率，並評價對熱的穩定性。具有較大的VHR-4的組成物對熱具有較大的穩定性。於VHR-4的測定中，在16.7毫秒的期間内測定衰減的電壓。響應時間（r ; 25°CT、測定；ms):於測定中使用大塚電子股份有限公司製造的LCD5100型亮度計。光源為鹵素燈（halogen lamp )。低通濾、波器（Low-pass filter )設定為5 kHz。將試樣放入2片玻璃基板的間隔（單元間隙）馨為4 、摩擦方向為反平行（antipamllel)的常黑模式 (normally black mode)的VA元件中，使用UV硬化的黏接劑將該元件密封。對該元件施加矩形波（60 Hz，10 V， 0.5秒）。此時’自垂直方向對元件照射光，並測定透射元件的光量。該光量達到最大時的透射率為100%，該光量最小時的透射率為0%。響應時間為透射率自90%變化為 10%所需的時間（下降時間；fall time ;毫秒）。電阻率（p ;於25°C下測定；Qcm):將l.OmL試樣注入至具備電極的容器中。對該容器施加直流電壓（1〇參 V)’測定10秒後的直流電流。電阻率是根據下式算出。（電阻率）={(電壓）x(容器的電容）}/{(直流電流）：< (真空的介電常數）}。氣相層析分析：於測定中使用島津製作所製造的 GC-14B 型氣相層析儀（gas chromatograph )。載氣（carrier gas)為氦氣（helium) (2 mL/min)。將試樣氣化室設定為 280 C ’ 將偵測器（Flame Ionization Detector，FID)設定為300°C。在進行成分化合物的分離時，使用Agilent 43 201028460 33341pif

Technologies Inc.製造的毛細管柱（capillary column ) DB-1 (長度為30 m，内徑為0.32 mm，膜厚為0.25 // m ;固定液相為二甲基聚石夕氧烧（dimethylpolysiloxane );無極性）。將該管柱於200°C下保持2分鐘後，以5°C/min的速率升溫至280°C。將試樣製備成丙嗣（acetone)溶液（0.1 wt%) 後，將其1 //L注入至試樣氣化室中。記錄計為島津製作所製造的C-R5A型Chromatopac或其同等品。所獲得的氣相層析圖（gas chromatogram )表示與成分化合物相對應的波峰（peak)的滯留時間（retention time)以及波峰的面〇積0 用以稀釋試樣的溶劑亦可使用氯仿（chloroform)、已燒（hexane )等。為了將成分化合物分離，亦可使用以下毛細管柱：Agilent Technologies Inc.製造的HP-1 (長度為 30 m，内徑為 0.32 mm，膜厚為 0.25 /zm)、Restek Corporation 製造的 Rtx-1 (長度為 30 m，内徑為 0.32 mm，膜厚為 0_25 " m )、SGE International Pty. Ltd 製造的 BP-1 (長度為30 m，内徑為0.32 mm，膜厚為0.25 /zm)。為了防止化合物波峰的重疊’亦可使用島津製作所製造的毛細管柱CBP1-M50-025 (長度為50 m，内徑為0.25 mm，膜厚為0.25 //m)。組成物中所含有的液晶性化合物的比例可藉由如下方法算出。液晶性化合物可利用氣相層析儀來進行積測。氣相層析圖中的波峰的面積比相當於液晶性化合物的比例 (莫耳數）。在使用上文所記載的毛細管柱時，亦可將各液 44 201028460 晶性化合物的校正係數視為1。因此，液晶性化合物的比例（wt%)是根據波峰的面積比算出。藉由貫驗例來詳細說明本發明。本發明不受下述質驗例限定。比較例以及實驗例中的化合物是基於下述表3的定義而利用符號來表示。 —於表3中，與1，4·伸環己基相關的立體構型為反式。於貫驗例巾’位於符號後的括號内的編號與化合物的嫉據相對應。符號㈠表示其他液晶性化合物。液晶性化舍妙的=例（百分比）是以液晶組成物的總重量為基準的爹聋 = 組成物中除此以外含有雜f。最壤，〇 45 201028460 33341pif 表3.使用符號的化合物的標記法 R—Z 厂.....-Zn-(An)-R， 1)左末端基R- 符號 CnH 2n+l~ n— CnH2n+i〇_ nO- CmH2m+10 C nH2n_ mOn- ch2=ch- V_ C„H2n+1-CH=CH- nV- CH尸CH-CnH2n- Vn- CmH2ffi+i_CH=CH-CnH2n- mVn- cf2=ch- VFF- CF2=CH-CnH2n- VFFn - 2)右末端基-R’ 符號 _CnH2n+l -η -〇CnH2n+i -On -ch=ch2 -V -CH=CH-CnH2n+1 -Vn -CnH2n-CH=CH2 - nV -ch=cf2 -VFF -COOCH3 -EMe 3)鍵結基-Zn_ 符號 -〇C„H2n〇- OnO _CnH2ti_ n -coo- E -CH=CH- V -ch2o- 10 _och2_ 01 -SiH2- Si 4)環結構-An- B(2Cl,3F,6Me)

P P

F、 C1

Cl、 F

符號

Η ch B B CF) B C3F) B 6F,3F) B (SF,3CL) B (2CL,3F) dh DhB(2Cl，3F,6Me)B(2Cl,3F,6Me) Cio(7F,8F) 5)標記例例 1 3-HH10 B 6F’3F，6M e)-0 2 例 2 3-DhHB(2F,3F)-0 2

〇c2h5 C3H7

例 3 5-HBB ㈣B_3 例 4 3-HBB (2F,3F)-〇2

F F

C3H7_O''^^^^0C2HS 46 201028460 3JJ41plf [比較例1] 自曰本專利特開2006 160857號公報中所揭示的組成物中選擇實驗例7。其根據在於’該組成物含有化合物（1-2-3)、化合物 (3-1-1)、化合物（3斗1：)、化合物（心丨小丨）、化合物

、以及化合物（4-1-7-1)，且黏度最小。該組成物的成分及特性如下所述。 3-HH10B (2F，3F，6Me) -02 (1-2-3) 8% 5-HH10B (2F ’ 3F，6Me) -02 (1-2-3) 8% 2-HH-5 (3-1-1) 5% 3-HH-4 (3-1-1) 15% 3-HH-5 (3-1-1) 8% 3-HHB-l (3-4-1) 5% 3-HHB-Ol (3-4-1) 3% 3-HHB-3 (3-4-1) 5% 3-HH10H-3 (3) 3% 3-HB (2F，3F) -02 (4-1-1-1 ) 10% 3-HB (2F，3F) _〇4 (4-1-1-1 ) 10% 3-HHB (2F，3F) -02 (4-1-4-1) 5% 3-HBB (2F，3F) -02 (4-1-7-1) 5% 3_HB(3F)B(2F，3F)_02 (-) 5% 3-HB(2F)B(2F，3F)-02 (-) 5% NI=88.1〇C ； Tc^-20°C ^ Δη= 0.078 ； η =24.7 mPa· s ； Δ ε =-3.4 ； VHR-l = 99.4°/〇. 47 201028460 33341pif [實驗例1] 3-HH10B (2F ，3F，6Me) -02 (1-2-3) 8% 5-HHlOB (2F ，3F，6Me) -02 (1-2-3) 7% 2-DhHB ( 2F， 3F) -02 (2-4-1) 4% 3-DhHB (2F， 3F) -02 (2-4-1) 5% 5-DhHB ( 2F， 3F) -02 (2-4-1) 5% 3-HDhB (2F， 3F) -02 (2-5-1) 7% 5-HDhB ( 2F， 3F) -02 (2-5-1) 6% 2-HH-3 0-1-1) 10% 2-HH-5 (3-1-1) 10% 3-HH-Ol (3-1-1) 8% 5-HH-V (3-1-1) 18% 3-HHB-l (3-4-1) 3% 3-HHB-3 (3-4-1) 4% lOl-HBBH-5 (-) 5% NI=90.9〇C ； Tc^-20°C ； Δη = 0.072； 77=22.4mPa* △ ε = -2.3 ; VHR_1 = 99.4% ; VHR_2 = 98.1% ; VHR-3 97.9%. [實驗例2] 3-HH2B (2F， 3F，6Me) -02 (1-2-2) 7% 5-HH2B ( 2F， 3F，6Me) -02 (1-2-2) 8% 3-HH10B (2F ，3F，6Me ) -02 (1-2-3) 6% 5-HHlOB (2F ，3F，6Me ) -02 (1-2-3) 6% 3-DhHB (2F， 3F) -02 (2-4-1) 4%

48 201028460 WMipif

4-DhHB (2F，3F) -02 (2-4-1) 3% 5-DhHB (2F，3F) -02 (2-4-1) 4% 3-HDhB (2F，3F) -02 (2-5-1) 5% 5-HDhB (2F，3F) -02 (2-5-1) 7% 3-HH-4 (3-1-1) 5% 3-HH-5 (3-1-1) 5% 3-HH-V (3-1-1) 30% 3-HH-V1 (3-1-1) 7% 101-HBBH-4 (-) 3% NI = 90.5〇C ； Tc^-20°C ； Δη- 0.075 » η =22.0 mPa* △ ε = -2.5 ; VHR-1 = 99.4% ; VHR-2 = 98.0% ; 97.8%. [實驗例3] VHR-3 3-H2B (2F，3F，6Me) -02 (1-1-2) 7% 5-H2B (2F，3F，6Me) -02 (1-1-2) 7% 3-HHlOB (2F，3F，6Me) -02 (1-2-3) 7% 2-DhHB (2F，3F) -02 (2-4-1) 3% 3-DhHB (2F，3F) -02 (2-4-1) 5% 5-DhHB (2F，3F) -02 (2-4-1) 5% 3-HDhB (2F，3F) -02 (2-5-1) 6% 5-HDhB (2F，3F) -02 (2-5-1) 5% 2-HH-3 (3-1-1) 15% 3-HH-5 (3-1-1) 3% 3-HH-V (3-1-1) 7% 49 201028460 33341pif 3-HHB-l (3-4-1) 5% 3-HHB-Ol (3-4-1) 5% V-HHB-1 (3-4-1) 10% V2-HHB-1 (3-4-1) 10% NI=90.6〇C ； Tc^-20°C ； Δη = 0.082 ； η =22.5 mPa· Δ £ =-2.3 ； VHR-1 = 99.6% ； VHR-2 = 98.1% ； VHR-3 98.0%. [實驗例4] 3-HlOB (2F，3F，6Me) _02 (1-1-3) 8% 5-HlOB (2F，3F，6Me) -02 (1-1-3) 8% 3-HHlOB (2F，3F，6Me) -02 (1-2-3) 5% 5-HHlOB (2F，3F，6Me) -02 (1-2-3) 5% 2-DhHB (2F，3F) -02 (2-4-1) 5% 3_DhHB (2F，3F) -02 (2-4-1) 5% 5-HDhB (2F > 3F) -02 (2-5-1) 5% 3_DhBB (2F，3F) -02 (2-6-1) 3% 2-HH-3 (3-1-1) 19% 3-HH-5 (3-1-1) 8% 3-HH-V (3-1-1) 3% 3-HH-V1 (3-1-1) 8% 3-HHB-Ol (3-4-1) 2% 2-BB (3F) B-3 (3-6-1) 3% 5-HBB (3F) B-2 (3-12-1) 6% 5-HBB (3F) B-3 (3-12-1) 7%

50 201028460 NI=90.4〇C ； Tc^-20°C ϊ Δ n = 0.099 ； rj =22.7mPa· s > Δ £ ~ -2.3. ❹

[實驗例5] 5-HlOB (2F，3F，6Me) -02 (1-1-3) 8% 3-HH10B (2F，3F，6Me) _02 (1-2-3) 5% 5-HH10B (2F，3F，6Me) _〇2 (1-2-3) 5% 3_HB2B (2F，3F，6Me) -02 (1-2-5) 5% 5-DhB (2F，3F) -02 (2-1-1) 7% 3-DhHB (2F，3F) -02 (2-4-1) 4% 5-DhHB (2F，3F) -02 (2-4-1) 5% 3-HDhB (2F，3F) -02 (2-5-1) 5% 2-HH-3 (3-1-1) 5% 3-HH-V (3-1-1) 20% 5-HB-02 (3-2-1) 3% V2-BB-1 (3-3-1) 3% 3-HHB-l (3-4-1) 7% 3-HHB-Ol (3-4-1) 4% 1-BB (3F) B-2V (3-6-1) 3% 3-HHEH-5 (3-7-1) 3% 3-HHEBH-3 (3-8-1) 5% 5-HBB (3F) B-2 (3-12-1) 3% NI=90.1°C ; TcS-20°C ; Δ n = 0.093 i 7] =22.7 mPa* s » Δ £ --2.3. [實驗例6] 51 201028460 33341pif 3-HlOB (2F，3F，6Me) -02 (1-1-3) 10% 3-HH10B (2F，3F，6Me) -02 (1-2-3) 5% 3-Dh2B (2F，3F) -04 (2-2-1) 5% 3_DhHB (2F，3F) -02 (2-4-1) 3% V-DhHB (2F，3F) -02 (2-4-1) 3% 3-HDhB (2F，3F) -02 (2-5-1) 5% 2-HH-5 (3-1-1) 9% 3-HH-V (3-1-1) 20% 3-HHB-l (3-4-1) 5% 3-HHB-3 (3-4-1) 5% 3-HHEBH-5 (3-8-1) 3% 5-HBB (3F) B-3 (3-12-1) 8% V_HB (2F，3F) -02 (4-1-1-1) 5% 3-HBB (2F，3F) -02 (4-1-7-1) 7% V2-HBB (2F，3F) _02 (4-1-7-1) 7% NI = 92.4〇C ； Tc^-20°C ； Δη = 0.099 ； 77 =21.4 mPa* A ε = -2.5. [實驗例7] 5-HlOB (2F，3F，6Me) -02 (1-1-3) 6% 3-HH10B (2F，3F，6Me) -02 (1-2-3) 4% 5-HHlOB (2F，3F，6Me) -02 (1-2-3) 5% 3-DhB (2F，3F) -02 (2-1-1) 5% 3_DhHB (2F，3F) -02 (2-4-1) 5% 5_HDhB (2F，3F) -02 (2-5-1) 3%

52 201028460

2-HH-3 (3-1-1) 10% 3-HH-V (3-1-1) 14% V2-HHB-1 (3-4-1) 5% 1V-HBB-2 (3-5-1) 3% V2-BB (3F) B-l (3-6-1) 3% 3-HHEBH-3 (3-8-1) 3% 5-HBB (3F) B-3 (3-12-1) 3% V-HB ( 2F » 3F ) -02 (4-1-1-1) 5% 5-H2B (2F，3F) -02 (4-1-2-1) 5% 5-HHB (2F，3F) -02 (4-1-4-1) 5% 3-HHB (2F，3F) -1 (4-1-4-1) 3% 3-HH2B (2F，3F) -02 (4-1-5-1 ) 5% 3-HH10B (2F，3F) -02 (4-1-6-1) 5% 5-HHB (2F，3CL) -02 (4-1-8-1) 3% NI = 92.5〇C ; TdC ; Δη = 0.092 ; 7/ =21.9 mPa. Δ £ = -3.0. [實驗例8] 3-H2B (2F，3F，6Me) -02 (1-1-2) 7% 3-HlOB (2F，3F，6Me) _02 (1-1-3) 5% 5-HH10B (2F，3F，6Me) -02 (1-2-3) 5% 3_DhHB (2F，3F) -02 (2-4-1) 5% 3-HDhB (2F，3F) -02 (2-5-1) 5% 2-HH-3 (3-1-1) 18% 3-HH-V1 (3-1-1) 5% 53 201028460 33341pif 5-HB-3 (3-2-1) 3% 3-HB-Ol (3-2-1) 3% V2-BB-1 (3-3-1) 3% 3-HHB-3 (3-4-1) 5% V2-HHB-1 (3-4-1) 5% 3-HBB-2 (3-5-1) 3% 3-HHEBH-3 (3-8-1) 5% 3-HBBH-3 (3-9-1) 3% 3-HB (3F) BH-3 (3-11-1) 3% V-HB (2F，3F) -04 (4-1-1-1) 5% 5-HHlOB (2F，3F) -02 (4-1-6-1) 3% 3-HBB (2F，3F) -02 (4-1-7-1) 3% V-HBB (2F，3F) -02 (4-1-7-1) 3% 5-HBB (2F，3CL) -02 (4-1-9-1) 3% NI=91.1°C ；Tc^-20°C ； Δη-0.094 ； 7?=20.2mPa· s ； Δ ε = -2.3.

[實驗例9] 3-HlOB (2F，3F，6Me) -02 (1-1-3) 5% 5-HHlOB (2F，3F，6Me) -02 (1-2-3) 5% 3-dhBB (2F，3F) -02 (2-7-1) 3% 4-dhBB ( 2F，3F ) -02 (2-7-1) 3% 5-dhBB (2F，3F) -02 (2-7-1) 3% 2-HH-3 (3-1-1) 11% 3-HH-V (3-1-1) 14% 201028460 V2-BB-1 (3-3-1) 5% V2-HHB-1 (3-4-1) 5% 2-BB (3F) B-3 (3-6-1) 3% 3-HHEBH-3 (3-8-1) 5% 5-HB (2F，3F) -02 (4-1-1-1) 3% V-HB (2F，3F) -02 (4-1-1-1) 5% 5-HHB (2F，3F) -02 (4-1-4-1) 5% V2-HHB (2F，3F) -02 (4-1-4-1) 5% 1V2-HHB (2F，3F) -02 (4-1-4-1) 3% 5-HBB (2F，3F) -02 (4-1-7-1) 4% 5-HHB (2F，3CL) -02 (4-1-8-1) 4% 5-HlOCro (7F，8F) 5 (4-2-2-1) 3% 3-HHlOCro (7F，8F) -5 (4-2-4-1) 3% 2_BB (2F，3F) B-3 (-) 3%

NI = 92.3〇C ； Tc^-20°C ； Δη = 0.102 ； rj =22.6 mPa* s > Δ ε ~ -2.7.

[實驗例10] 3-HlOB (2F，3F，6Me) -02 (1-1-3) 5% 3-HH10B (2F，3F，6Me) -02 (1-2-3) 5% 5-DhHB (2F，3F) -02 (2-4-1) 3% V-HDhB (2F，3F) -02 (2-5-1) 3% 2-HH-3 (3-1-1) 5% 3-HH-V (3-1-1) 25% 3-HHB-Ol (3-4-1) 5% 55 201028460 33341pif V2-HHB-1 (3-4-1) 5% 3-HHEBH-5 (3-8-1) 5% 5-HBB (3F) B-2 (3-12-1) 3% V-HB (2F，3F) -02 (4-1-1-1) 3% 5-H2B (2F，3F) -02 (4-1-2-1) 4% 2-HlOB (2F，3F) -02 (4-1-3-1) 3% 3-HHB (2F，3F) -02 (4-1-4-1) 3% V-HHB (2F，3F) -02 (4-1-4-1) 3% 5-HH2B ( 2F，3F ) -02 (4-1-5-1) 5% 5-HBB (2F，3F) -02 (4-1-7-1) 5% 40_Cro ( 7F，8F ) H-3 (4-2) 5% 3-HH10Cro (7F，8F) -5 (4-2-4-1 ) 5%

NI=91.7〇C ；Tc^-20°C ； Δη = 0.085 ； 7y=22.2mPa· s > Δ £ ~ -2.8.

[實驗例11] 3-HlOB (2F，3F，6Me) -02 (1-1-3) 10% 3-HH2B (2F，3CL，6Me) -02 (1-2-2) 5% 3-HH10B (2F，3F，6Me) -02 (1-2-3) 5% 5-HHlOB (2F，3F，6Me) -02 (1-2-3) 5% 3-Dh2B (2F，3F) -04 (2-2-1) 5% 5-HDhB ( 2F，3F ) -02 (2-5-1) 3% 2-HH-3 (3-1-1) 6% 3-HH-V (3-1-1) 20% V2-BB-1 (3-3-1) 3% 56 201028460 3-HHB-01 (3-4-1) 5% 3-HBB-2 (3-5-1) 5% 3-HBBH-3 (3-9-1) 3% 5-HBB (3F) B-2 (3-12-1) 5% 5-HBB (3F) B-3 (3-12-1) 3% V-HB ( 2F，3F ) -04 (4-1-1-1) 5% 3-HBB (2F，3F) -02 (4-1-7-1) 5% 5-HBB (2F > 3F) -02 (4-1-7-1) 4% 5-HBB (2F，3CL) -02 (4-1-9-1) 3% NI = 90.3〇C ； Tc^-20°C ； Δη = 0.104 ； η =22, .7 mPa s ； Δ ε = -2.4.

[實驗例12] 3-H2B (2F，3F，6Me) -02 (1-1-2) 8% 3-HHlOB (2CL，3F，6Me) -02 (1-2-3) 5% 5-DhB (2F，3F) -02 (2-1-1) 5% 3-DhHB (2F，3F) -02 (2-4-1) 5% 5-HDhB (2F，3F) -02 (2-5-1) 5% 2-HH-3 (3-1-1) 10% 3-HH-V (3-1-1) 20% 3-HHB-l (3-4-1) 10% 3-HHB-01 (3-4-1) 5% 5-HBB (3F) B-3 (3-12-1) 5% 3-HB (3F) HH-5 (3-10-1) 3% V-HB (2F，3F) -02 (4-1-1-1) 5% 57 201028460 33341pif 3-HBB (2F，3F) -02 (4-1-7-1) 7% V2-HBB (2F，3F) -02 (4-1-7-1) 7〇/〇 NI —91.9 C > Tc^-20°C * » V =22.6inPa· s，△ £ = -2.4. 實驗例1至12的組成物與比較例1相比’具有較高的上限溫度及較小的黏度。因此，本發明的液晶組成物具有較專利文獻1所示的液晶組成物更優異的特性。 [產業上的可利用性] ❹ 本發明的液晶組成物在向列相的上限溫度高、向列相的下限溫度低、黏度小、光學各向異性適當、負介電各向，性大、電阻率大、對紫外線的穩定性高、對熱的穩定性 2特性巾’充分具備至少—麟性，或者在至少兩種特件的平衡。由於含有此種組成物的液晶顯示元時間'較大的電壓保持率、較大的液晶電視等。’ ΑΜ71•件，因此可用於液晶投影器、本發實施觸露如上，然其並_以限定本發明之精神和範2領域巾具有通常知識者，在不脫離發明之保護範圍⑼’ §可作些許之更動朗飾，故本谈附之申請專利範圍所界定者為準。【圖式簡單說明】 0\y\ 58 201028460 【主要元件符號說明】無

Claims

201028460 33341pif 七、申請專利範圍： ⑴1 二種液晶組成物，其含有作為第一成分的選自以式上)所^不的化合物的組群中的至少一種化合物、以及作為第二成分的選自以式⑺所表示的化合物的少一種化合物，町丁刃主 X1 X2

⑴ X3 X4

(2) 此處’ R、R2、R\R4獨立為碳數i至12的院基、 ^ ^至12的烧氧基、碳數2至12的稀基、碳數2至n =稀氧基或任意的氫被氟取代的碳數2至及環B獨立為14·伸環己其你奸贫。#邓丞， ,Λ β ，1甲壞己基、h4-伸苯基、2-氟-1，4-伸笈其或3_氟_1，4_伸苯基； 1甲本暴環C獨立為

或且至少一個環c為 <y ~<y ，或 w 柚』、χ2、χ3及χ4獨立為氟或氣；/及22獨立為單鐽、土、亞曱氧基或羰氧基；m為〇、1或2;1!為i或2。 2·如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中第 201028460 3J341pif -成分為選自以式（M)及式⑽所表示的化組群中的至少一種化合物， X1 X2

(1-1) r1-〇-5 h3c χΐ χ2

α-2) ❹

此處，R1及R2獨立為碳數i至12的烷基、碳數i至 12的烷氧基、碳數2至12的烯基、碳數2至u的烯氧基或任意的氫被氟取代的碳數2至12的烯基；環B獨立 Μ-伸環己基、1,4-伸苯基、2_氟-认伸苯基或3氣-14•伸苯基；X1及X2獨立為氟或氯；zs為單鍵、伸乙基或亞甲氧基。 3. 如申請專利範圍第2項所述之液晶組成物，其中第一成分為選自以式（1_2)所表示的化合物的組群中的至一種化合物。 4. 如申請專利範圍第2項所述之液晶組成物，其中第成分為選自以式（M)所表示的化合物的組群中的至少種化合物、以及選自以式（1_2)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物的混合物。 5. 如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中第二成分為選自以式（2-1)至式（2-7)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物， 61 201028460 33341pif R3

R3

R3

(2-1) P-2) (2-3)

R3

(2-4) (2-5) (2-6) (2-7)

此處，R3及R4獨立為碳數1至12的烷基、碳數1至 12的烷氧基、碳數2至12的烯基、碳數2至11的烯氧基或任意的氫被氟取代的碳數2至12的烯基。 6. 如申請專利範圍第5項所述之液晶組成物，其中第二成分為選自以式（2-1)至式（2-3)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物。 7. 如申請專利範圍第5項所述之液晶組成物，其中第二成分為選自以式（2-4)至式（2-7)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物。 8. 如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中基 62 201028460 33341pif 於液晶組成物的總重量，第一成分的比例為5 wt%至7〇 wt%的範圍，並且第二成分的比例為5以0/〇至6〇 wt%的範圍。 9·如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其更含有作為第三成分的選自以式（3)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物，

此處，R及R6獨立為碳數丨至12的烷基、碳數i至 12的烷氧基、碳數2至12的烯基或任意的氫被氟取代的碳數2至12的烯基；環D及環E獨立為14伸環己基、 1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或3_氟_14_伸苯基；z4獨立為單鍵、伸乙基、亞曱氧基或羰氧基；p為1、2或3。 10.如申請專利範圍第9項所述之液晶組成物，其中第三成分為選自以式（3-1)至式（3-12)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物， 63 201028460 33341pif

(3-1) (3-2) (3-3) (3-4) (3-5) (3-6) (3-7) (3-8) (3-9) (3-10) (3-11) (3-12) 此處，R5及R6獨立為碳數1至12的烷基、碳數1至 12的烷氧基、碳數2至12的烯基或任意的氫被氟取代的 R5

❿

❿ 64 201028460 碳數2至12的烯基。 11^如申請專利範圍第1〇項所述之液晶組成物，其中成刀為選自以式（3_1 )所表示的化合物的組群中少一種化合物。至

一 12乂如申請專利範圍第1〇項所述之液晶組成物，其中 ^成刀為選自以式（3-1)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物、以及選自以式（3-4)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物的混合物。，一 13·如申請專利範圍第1〇項所述之液晶組成物，其中，一成刀為選自以式（3_6)所表示的化合物的組群中的至 7、種化σ物、以及選自以式（3_i2 )所表示的化合物的群中的至少一種化合物的混合物。 14.如申請專利範圍第9項所述之液晶組成物，其中基於液晶組成物的總重量，第三成分的比例為丨〇 %〖％至 75 wt°/〇的範圍。人15.如申請專利範圍第丨項所述之液晶組成物，其更 3有作為第四成分的選自以式（4-1)及式（4-2)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物，

65 201028460 33341pif 12的烧氧基、碳數2至12 _基或任意的氫被氟取代的碳數2至12的稀基；環F及環G獨立為l，4-伸環己基或 1’4伸苯基，z、Z及Z7獨立為單鍵、伸乙基、亞曱氧基或幾氧基；Χ5及Χ6為氟或氣；q為卜2或3; rh獨立為〇、卜2或3 ’並且的和小於等於3。 φ 6’如申咐專利範圍第9項所述之液晶組成物，其更 "有作為第四成分的選自以式⑷）及式（4_2)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物， R8 (4-1)

Xs X6 q 一 F (4-2) Q 此處’ R及R8獨立為碳數i至12的烷基、碳數i至 12的烧氧基、碳數2至12的稀基或任意的氫被氟取代的碳數2至12的烯基；環F及環G獨立為14-伸環己基或 M-伸苯基；Z5、0及zv獨立為單鍵、伸乙基、亞甲氧基或幾氧基’ X及X為氟或氯；q為1>2或及s獨立為〇、1、2或3’並且！*與5的和小於等於3。 Π.如申請專利範圍帛15項所述之液晶組成物，其中第四成分為選自以式（4-⑷至式（4小9)、以及式至式（4-2-5)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物， 66 201028460 F F

(4-1-1) (4-1-2) (4-1-3) (4-1-4) (4-1-5) (4-1-6) (4-1-7) (4-1-8) (4-1-9) 67 201028460 33341pif

(4-2-1) (4-2-2) (4-2-3)

(4-2-4) (4-2-5) 此處，R7及R8獨立為碳數1至12的烷基、碳數1至 12的烷氧基、碳數2至12的烯基或任意的氫被氟取代的碳數2至12的烯基。

18.如申請專利範圍第16項所述之液晶組成物，其中第四成分為選自以式（4-1-1)至式（4-1-9)、以及式（4_2·1) 至式（4-2-5)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物， 68 201028460 33^4ipif

F Cl

(4-1-1) (4-1-2) (4-1-3) (4-1-4) (4-1-5) (4-1-6) (4-1-7) (4-1-8) (4-1-9) 69 201028460 33341pif

(4-2-1) (4-2-2) (4-2-3) (4-2-4) . (4-2-5) 此處，R7及R8獨立為碳數1至12的烷基、碳數1至 12的烷氧基、碳數2至12的烯基或任意的氫被氟取代的碳數2至12的烯基。 19. 如申請專利範圍第17項所述之液晶組成物，其中第四成分為選自以式（4-1-1)所表示的化合物的組群中的〇至少一種化合物。 20. 如申請專利範圍第18項所述之液晶組成物，其中第四成分為選自以式（4-1-1)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物。 21. 如申請專利範圍第17項所述之液晶組成物，其中第四成分為選自以式（4-1-1)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物、以及選自以式（4-1-7)所表示的化合物 70 201028460 的組群中的至少一種化合物的混合物。 22.如申請專利範圍第18項所述之液晶組成物，其中第四成分為選自以式（4-1-1)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物、以及選自以式（4-1-7)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物的混合物。

❷ 23·如申請專利範圍第15項所述之液晶組成物，其中基於液晶組成物的總重量，第四成分的比例為5 wt%至60 wt%的範圍。 24.如申請專利範圍第16項所述之液晶組成物，其中基於液晶組成物的總重量，第四成分的比例為5你1%至6〇 wt%的範圍。 25·如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中向列相的上限溫度大於等於7〇°C，波長589 nm下的光學各向異性（25。〇大於等於〇.〇8，並且頻率為丨kHz時的介電各向異性（25。〇小於等於-2。 26. —種液晶顯示元件，其含有如申請專利範圍第項所述之液晶組成物。 27. 如申請專利範圍第26項所述之液晶顯示元件，其中液晶顯示元件的動作模式為VA模式、IPS模式或psA 模式，液晶顯示元件的驅動方式為主動矩陣方式。 71 201028460 四、指定代表圖： (一）本案之指定代表圖：無 (二）本代表圖之元件符號簡單說明：無五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：無 201028460 “30】號中文說明書無_修正頁低黏度，較好的或χ6為氣。修職99年聊 Z、Z、24、25、26 : 77 据〜氧基或幾氧基，m為2 f立為單鍵、伸乙基、亞f , 〜時兩個相同，亦可不可相同，亦可不同，n4 Z可相同，亦可不同為2或3時任意的兩個亦可不同，r為2或3 H~、時任意的兩個可相同， s為2或3時任^ 了任7的兩個Z6可相同，亦可不同，下限溫度，較好二、/z了相f，f可不同。為了降低了降低黏度，較好的2〗、22、zf、、f或/:為伸乙基，為 Z3為單鍵、伸 Z、Z或Z7為單鍵。的Z3為單鍵，為亞甲氧基。為了降低黏度，較好 Ζ3為亞甲氧基/、了^兩介電各向異性的絕對值，較好的或2 5G1、Λ或2 °為了提高上限溫度，較好的《1為】 ”哪度較好的4 為限溫度，較好的？為2成3 ^3。為τ提高上 q為卜2或3。為了上3上:低黏度，較好的Ρ為i。為了降低靜t 度，較好的q為2或3 並且=:=“was_〇'i43: 或S為2或3，為了' 3。為了提向上限溫度，較好的r .吐飞為了降低黏度，較好的r或s兔】扪r 第五，揭示成分化合物的具體例。/ ’、、、。於Λ述較佳化合物中，Χΐ及Χ2獨立為敗或氣妒」〇為碳數1至12的直鏈烧基、碳數1至ιί的卜及反幻2的直鏈烯基、及碳數2至u的直缝稀H基、 27 201028460 33341pifl R11及R12獨立為碳數1至12的直鏈烷基、壤數1至12的烧氧基、碳數2至12的直鏈烯基。於該等化合物中，關於 1，4-伸環己基的立體構型，為了提高上限溫度，反式較順式更佳。較好的化合物（1)為化合物（丨小丨）至化合物（U6)。更好的化合物（1)為化合物（H2)、化合物（H3)、及化合物（1-2-6)。較好的化合物（2)為化合物（2-M) 至化合物（2-7-1)。更好的化合物（2)為化合物（2-4-1) 至化合物（2-7-1 )。特別好的化合物（2)為化合物（2-4，1)、化合物（2-5-1)、及化合物（2-7-1)。較好的化合物（3) 為化合物（3-1-1)至化合物（3_12-1 )«>更好的化合物（3) 為化合物（3-1-1)至化合物（3-4-1)、以及化合物（3γ6-1) 至化合物（3-12-1 )。特別好的化合物（3)為化合物（3-1-1 )、化合物（3-4-1 )、化合物（3-6-1 )、及化合物（ 3-12-1 )。較好的化合物（4)為化合物（4-1-1-1)至化合物（4-2-5-1 )。更好的化合物（4)為化合物（4-1-1-1)至化合物（4-1-7-1)、以及化合物（4-2-1-1)至化合物（4-2-4-1)。特別好的化合物（4)為化合物（4-1-1-1 )、化合物（4-1-2-1 )、化合物（4-1-4-1 )、化合物（4-1-6-1 )、及化合物（4-2-4-1 )。