201023123 • 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種顯示裝置與電子裝置,且特別係有關 於具有局部非平坦結構的顯示裝置與電子裝置。 * 、 【先前技術】 近年來,隨著科技的進步,許多不同的顯示裝置,例如液 晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)或電激發光(Electro Luminenscence,EL)顯示裝置已廣泛地應用於平面顯示器。 ® 請參照圖1,其顯示依照一種現有顯示裝置的局部刹面示 意圖。以電激發光顯示裝置900為例來說明,電激發光顯示裝 置900包括基板9(Π、絕緣層902、陽極903、電洞傳輸層904、 發光層905、電子傳輸層906及陰極907。絕緣層902、陽極 903、電洞傳輸層904、發光層905、電子傳輸層906及陰極907 係依序地堆疊於基板901上,其中絕緣層902的全部表面具有 凹凸結構,因而後續所堆疊之結構層的全部表面亦可具有凹凸 結構。因此,電激發光顯示裝置900可利用此凹凸結構來增加 發光層905的實際發光表面,進而提高顯示裝置900的發光亮 度。 然而,上述顯示裝置900的凹凸結構容易影響顯示對比 度,造成整體對比度的下降,因而影響上述顯示裝置900的顯 示品質。 【發明内容】 因此本發明之一方面係在於提供一種顯示裝置與電子裝 置,藉以形成部分平坦結構和部分非平坦結構,來減少對比度 201023123 不佳的問題。 根據本發明之實施例,本發明之顯示裝置包含第一基板、 ::結構層、顯示層、第一電極及第二電極。第一基板包括像 a光學結構層形成於第-基板上,並包括平坦結構和非平 坦結構’其中平坦結構係對位於像素區的局部區域,非平坦結 構係㈣於像素區的其㈣域。第—電極形成於光學結構層 上’顯示層形成於第-電極層上,第二電極係形成於顯示層上。 又,根據本發明之實施例,上述顯示裝置可應用於 裝置中。 、 因此,根據本發明之顯示裝置與電子裝置,可改善光學效 果,同時減少對比度不佳的問題,以端保顯示品質。 【實施方式】 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更 明顯易僅,本說明書將特舉出一系列實施例來加以說明。但值 得注意的是,此些實施例只係用以說明本發明之實施方式而 非用以限定本發明。 以下具體實施例之“述與相關之圖示應同時讀取,圖式被 認為是本案說明書描述之一部分,於本案說明書中使用一些比 較性的文字,例如:“較低,,、“較上,,、“水平”、“水平”、 “垂直”、“之上”、“之下,,、“上,,、“下”、“頂端” 及底端”’以及由上述比較性文字所延伸出的,例如“水平 地’、“朝下地”或“朝上地”等,這些比較應參考如說明書 所述或如圖式中所顯示之位置,以獲得較佳的瞭解,這些相對 性的文字是以方便描述的方法來呈現於說明書中,同時並不要 求所描述之裝置需位於一特定位置上,於圖式中,相似之參考 201023123 數字代表相同之元件。 請參照圖2,其顯示依照本發明之第一實施例之顯示裝置 的局部剖面示意圖。本實施例之顯示裳置刚可為自發光型顯 _不裝置’例如有機發光二極體(OLED)顯示裝置,其包含第一基 *板110與第二基板12〇。反射層130、光學結構層(〇ptical / EnhanceLayer)14〇、平坦層 150、第一電極 160、顯示層 17〇 及第二電極180可依序地堆疊於第一基板11〇上,並位於第一 基板110與第二基板120之間。 • 如圖2所示’本實施例的第一基板110可例如為玻璃基板、 可撓性塑膠基板、晶圓基板或散熱基板,第一基板110可包括 複數個像素區m、複數條信號線(未繪示)及開關元件(未身 不)’信號線可用以傳送信號,例如掃描信號、資料信號或測試 信號》這些信號線例如可為垂直配置的資料線和水平配置的問 極線’其相互交錯地配置,而形成矩陣式排列的像素區⑴, 用以顯示影像。開關元件例如為薄膜電晶體(TFT),其設置於每 -像素區ill中,並電性連接於相鄰的信號線,且第一電極⑽ ®亦形成於每一像素區111中,並電性連接於開關元件,亦即第 -電極160可為像素電極,其可經由開關元件的控制來導通電 流》 不貫施例的第二基板
A 或可撓性塑膠基板,用以封裝和保護顯示裝置_第二基 120可包括遮光層121及彩色濾光層122。遮光層⑵的材 例如為金屬(例如鉻)、石墨或樹脂型材料,其形成於第二基 120上’並可形成黑色矩陣(BiackMatrix)結構,用以分隔不 顏色的彩色濾光層122。彩色濾光層122係分別以不同顏色 彩色光阻材料所形成,用以形成彩色影像效果。此時,顯示> 201023123 170較佳可提供白光來通過彩色濾光層122,而形成彩色光線。 在一實施例中,顯示層170亦可直接提供不同顏色的色光,此 時’第二基板120可省略設置彩色濾光層122 » 本實施例的顯示裝置100可更包含間隔單元(Spacer)190, * 用以支撐於第一基板110與第二基板120之間,間隔單元190 .· 的材料例如為:矽、高分子材料或光阻材料,其可例如呈球形 或柱形。 本實施例的反射層130係以高反射率材料所製成,用以反 ❿ 射光線朝第二基板120發出,此高反射率材料例如為銀、鋁、 金、路、鋼、銦、銥、鎳、鉑、銖、铑、錫、鈕、鎢、猛、上 述任意合金或耐黃化且耐熱之白色反射漆料(如二氧化鈦)。 本實施例的光學結構層140係可以絕緣材料製成,例如: 耐尚溫塑膠、環氧樹脂、玻璃纖維、聚_鄰_苯二甲醯胺(ppA)、 氮化硼、氮化鋁、氮化矽、氮氧化矽、氧化矽、氧化鋁、氧化 鈦、氧化鈣、三氧化二鋁、矽、砷化鎵、陶瓷或其任意組合, 其形成於第一基板110與第一電極16〇之間。在本實施例中, Φ光學結構層M0可形成於反射層130上,此時,光學結構層14〇 可具有透光性。 如圖2所示,本實施例的光學結構層14〇 區111的局部區域,而非平坦結構142係對位於每一像素區⑴ 的其餘區域’亦即在光學結構層⑽對應於像素區lu的整個 j域中,同時形成有平坦結構141和非平坦結構142β於此區 域中,非平坦結構142所佔的面積比率⑽10〜90%。非平挺 可以係由多個大小相同或不同的連續微凸部或微凹部 其可利用顯影曝光、餘刻等圖案化方式來形成。每一 201023123 微凸部或微凹部的尺寸大小約為2〜5 Mm,並可例如呈半球狀、 錐狀、金字塔形、矩形方塊結構或任何適合的形狀。 請參照圖2以及圖3A至圖3D,其顯示依照本發明之光學 結構層在像素區中的上視示意圖。如圏2和圖3A所示,在非 ^ 平坦區係對位於像素區111之部分區域的情況下,非平坦結構 : 142可對位於像素區U1的外圍區域,並可擴至像素區in以 外的區域,亦即也對位於遮光層121的區域,而平坦結構141 亦可對位於像素區111的中間區域。如圖3B所示,在另一實 φ 施例中,非平坦結構14^可對位於像素區U1的中間區域,而 平坦結構141可對位於像素區111的外圍區域。然不限於此, 在一些實施例中’平坦結構141與非平坦結構142的配置方式 可為任意形式’例如環層交錯形式(如圖3C所示)或棋盤交錯形 式(如圓3D所示)。 如圖2所示’本實施例的平坦層150係形成於光學結構層 140上’平坦層15〇可為具有透光性的有機材料或氧化材料所 製成。第一電極160和第二電極180係可以透明導電材料所製 • 成,例如:ITO、IZO、AZO、GZO、TCO或ZnO。在本實施例 中,顯示層170可為有機發光二極體顯示裝置(OLED)的有機發 光層,第一電極160係形成於平坦層150上,用以作為陽極, 而第二電極180係形成於顯示層170上,用以作為陰極》此時, 顯示層170可包括電洞注入層、電洞傳輸層、發光材料層(例如 白光有機發光材料層)、電子傳輸層及電子注入層,其依序堆疊 於第一電極160上。顯示層170可經由開關元件所提供的電流 來驅動發光,再經由透光的第二電極180及第二基板120向外 部發光。 因此,當本實施例的顯示裝置100進行影像顯示時,顯示 201023123 層170可發出光線,例如白光,並可經由第二基板丨2〇的彩色 濾光層122來形成色光。而朝第一基板11〇的光線,可經由反 射層130來反射,並可經由光學結構層14〇的非平坦結構Μ】 來改善光學效果,以擴散光線、提高光線亮度及増加可視角 度同時,由於非平坦結構142僅形成在對位於像素區u丨之 ' 部分區域的位置,因而可減少對比度不佳的問題,以確保顯示 品質。 ' 請參照圓4,其顯示依照本發明之第二實施例之顯示裝置 • 的局部剖面示意圖。相較於第一實施例,第二實施例之顯示裝 置100可未設有平坦層,此時,第一電極26〇可直接形成於光 學結構層140上《此時,位於非平坦結構142上的顯示層 的表面可利用其形成厚度來選擇是否形成非平坦表面,亦即當 顯示層170的厚度較大,且足以填平此非平坦結構142時則 顯示層170可為全部平坦表面;反之,當顯示層17〇的厚度較 小,而不足以填平此非平坦結構142,則顯示層17〇可形成部 分非平坦表面,以增加顯示層17〇的發光面積,且可提升發光 . 亮度。 請參照圓5 ,其顯示依照本發明之第三實施例之顧示裝置 的局部剖面示意圓《相較於第一實施例,第三實施例之顯示裝 置100之光學結構層340的非平坦結構342可由多個獨立的、 非連續形成的微Λ部所組成,其可形成於反射層13〇上並位 於部分像素區m巾,且可形成平坦表面341(平坦結構)於非平 坦結構342的微凸部之㈤。當形成非平坦結構342的此些微凸 邓時,可先形成一絕緣材料層(未繪示)於反射層13〇或第一基 板1H)上,再對此絕緣材料層進行顯影曝光、蚀刻等圓案化步 驟,以形成此些微凸部,因而組成光學結構層34〇的非平坦結 201023123 • 構 342。 請參照圖6,其顯示依照本發明之第四實施例之顯示裝置 的局部剖面示意圖。相較於第一實施例,第四實施例之顯示裝 置100的光學結構層440係直接形成於第一基板11〇上,而反 射層430係形成於光學結構層44〇上。此時,位於非平坦結構 442上的反射層430可具有非平坦表面,因而可增加反射層43〇 的反射面積’以提升發光亮度,且由於非平坦結構442僅形成 在對位於像素區111之部分區域的位置,因而可確保顯示裝置 1〇〇的顯示對比度。又,此時,光學結構層44〇可選擇未具有 透光性,且顯示裝置1〇〇亦可選擇性地設置平坦層15〇(如圖6 所示)於反射層430上,或者亦可未設有平坦層。當顯示裝置 1〇〇未設有平坦層時,位於光學結構層440上的反射層43〇和 第一電極160可隨光學結構層440的非平坦結構442,而具有 非平坦表面》 請參照圖7A和圖7B,其顯示依照本發明之第五實施例之 顯示裝置的局部剖面示意圖。相冑於上述實施例的顯示裝置為 自發光型顯示裝置,第五實施例之顯示裝置5〇〇例如為半穿透 半反射液晶顯示裝置,此時,顯示裝置5〇〇可更包含背光模組 (未繪示)’用以提供背光。顯示層57〇為液晶層,每一像素區 511包括穿透區514和反射㊣515,並可省略平坦層,光學結構 層54〇係形成於第-基板u〇上’且光學結構層wo的非平坦 結構542可對位於反射1 515之全部區域(如圖7a所示)或部分 區域(如圖7B所示)’且光學結構層54〇的平坦結構541亦可 未形成於穿透區514上,而與非平坦結構542 —同形成於反射 區515(如圖7B所示)。第一電極56〇包括穿透電極561和反射 電極败。穿透電極561為透明導電材料所製成,而形成於穿 201023123
透區514。反射電極562為高反射率導電材料所製成,例如·· A1 Ag Cr、Mo、Ti或AINd等金屬材料,而形成於反射區 515。且第二電極180係設置於第二基板12〇上用以與第一 電極560形成電場來_液晶分子的偏轉4於反射電極泌 係形成於非平坦結構542上,因而反射電極562可對應於非平 坦結構542而具非平坦表面,進而增加反射電極如的反射面 積。當顯示裝置500進行影像顯示時’光學結構層54〇的非平 坦結構542可增加反射電極562的反射面積,藉以改善光學效 果’提升顯示亮度並增加可視角度。 請參照圖8,其顯示具有根據本發明之顯示裝置的電子裝 置。本發明之顯示裝置100或500可為電子裝置6〇〇的一部分。 此電子裝置600包括根據本發明之顯示裝置1〇〇以及控制單元 601,控制單元6(n係電性連接於顯示裝置1〇〇,以傳輸訊號至 顯示裝置100’藉以使顯示裝置100顯示影像。此電子裝置6〇〇 可為手機、數位相機、個人數位助理、筆記型電腦、桌上型電 腦、電視、衛星導航、車上顯示器、航空用顯示器或可攜式dvd 放影機等。 由上述本發明的實施例可知,本發明之顯示裝置與電子裝 置可形成部分非平坦結構來改善光學效果,且減少對比度不佳 的問題,以確保顯示品質。 綜上所述,雖然本發明已用較佳實施例揭露如上,然其並 非用以限定本發明,本發明所屬技術領域中具有通常知識者, 在不脫離本發明之精神和範圍内’當可作各種之更動與淵飾, 因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為 準。 一 201023123 圖式簡單說明 為讓本發明之上述和其他目的、特徵 明顯易懂,所關式之詳細說明如下:優點與實施例說 圖1顯示-習知顯示裝置的局部剖面示意圖 圖2顯示依照本發明之第一實施例之顯示裝置的局部剖 更 示意圖 面 圖3A至圖3D顯示依照本發明之光學結構層在像素 上視示意圖。 區中的 參 圖4顯示依照本發明之第二實施例之顯示裳置的局部& 示意圖。 ° 到面 邹剖面 .ij面 示依照本發明之五實施例之顯示裝置的局 圖5顯示依照本發明之第三實施例之顯示裝置的局奇 示意圖。 圖6顯示依照本發明之第四實施例之顯示裝置的局部杳 示意圖。 圖7A和圖7B顯 部剖面示意圖。 圖8顯示具有根據本發明之顯示袭置的電子裝置 主要元件符號說明】 100、500、900 :顯示裝置 111、511 :像素區 121 :遮光層 130 :反射層 141、541 :平坦結構 150 :平坦層 170、570 :顯示層 110 :第一基板 120 :第二基板 122 :彩色濾光層 140、540 :光學結構層 142、542 :非平垣結構 160、560 :第一電極 180 :第二電極 11 201023123 190 : 514 : 間隔單元 穿透區 515 : 561 : 穿透電極 562 : 600 : 電子裝置 601 : 901 : 902 : 基板 絕緣層 903 : 904 : 電洞傳輸層 905 : 906 : 電子傳輸層 907 : 反射區 反射電極 控制單元 陽極 發光層 陰極
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