TW201016455A - Optical film and method of making the same - Google Patents

Description

201016455 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一種光學薄膜及其製作方法，其可同時提供抗反 射、抗油污（anti-fouling)與抗靜電（anti_static)之複合功能。 【先前技術】

❿ 於習知顯示裝置巾，為了避免影像受反射光的干擾，通常會 於習知顯示裝置之各基材或各膜層絲__層減射（1〇w reflection)之反射層來降低反射率。然而低反射層之材料一般都包 含絕緣性的樹脂，所以特別容易在表面累積電荷而產生表面靜 電進而成灰塵吸附專污染的問題。為了減少靜電造成的污染 問題’-般是在絕緣的樹脂中添加人導電的抗靜電劑，例如離子 型界面活_或導電高分子，歧金職化物錄，例如氧化辞 (Zn〇)、氧化錫（Sn0)、氧化銻錫（ΑΤΟ)或氧化銦錫（IT〇) 等來提高伽的導電紅_抗靜電的效果。然而，由於前述抗 靜電劑與金屬氧化㈣屬崎群極高的㈣，因此會導致抗靜 電樹脂層的折射率過高，反而減少反射層之效果。 生 為了兼顧低反射率與抗靜電效果，—種複麵層結構應運而 日本之大日本印刷公司申請之美國專利公開號us 膜層㈣中揭露—種抗反射膜與抗靜電膜疊合而成之複合 上八如第1騎示，複合卿結構1G是在—透明基材12 上刀別麵兩層或兩層以上之光學薄膜，例如—用以抗靜電之導 201016455 電薄膜14、一硬塗層16與一低反射膜i8。導電薄膜w可提供 靜電之效果，㈣倾高反料叫低抗反射賴果且膜層的几 耐磨性(scratch麵tance)也不足，因此需要另外設置硬塗層“盥 低反射膜18來提供保護與抗反射之效果。 /、 雖然美國專利公開號US 2006/0029818A之申請案可兼顧低 反射率與抗靜電效果，但是複合膜層結構之製程需要多次塗佈& ❹ 或貼合等製程’大幅增加製程複雜度，不僅增加製程 也容易導致製程良率下降。因此，如何開發出一種可簡化製鋪 ^度且提供更佳性能之光學_，仍為#界極力改善之—重要課 【發明内容】 本發明之主要目的在於提供一種光學薄膜及其製作方法，以 珍同時提供抗反射、抗油污與抗靜電之複合功能。 為達上述之目的’本發明提供一種光學薄膜，其包含有一氟 改質之魏化合物、複數辦空孔洞與—導電材料。巾空孔洞分 布於亂改質之石夕氧化合物之内部與表面，使纽質之石夕氧化合物 成為-多孔性光學薄臈，城多孔性光學_具有—不平滑: 面，而導電材料分散摻雜於多孔性光學薄臈中。 此外’本發明另提供一種光學薄膜之製作方法。首先，混合 7 201016455 一第一溶劑、一烷氧基矽烷（alkoxysilane)、一氟改質之烷氧基矽 烧（fluoride-modified alkoxy silane )、一導電材料與一孔洞成形劑， 以形成一塗液。接著，固化塗液而形成一臈層。之後，將孔洞成 形劑從膜層中溶解而出，以形成一多孔性光學薄膜。多孔性光學 薄膜之内部與表面具有複數個中空孔洞。 本發明提供之光學薄膜可以具有含氟素之矽氧化合物、摻雜 φ 於其中之導電材料與三度空間之微小孔洞，因此可同時具備有抗 油污、抗靜電與抗反射之複合功能。 【實施方式】 請參考第2圖’第2圖為本發明一較佳實施例製作光學薄膜 之流程示意圖。如第2圖之步驟50所示，首先，混合一第一溶劑、 一烷氧基矽烷、一氟改質之烷氧基矽烷、一導電材料與一孔洞成 形劑’利用溶膠凝膠法形成一塗液。 ❹ 前述烧氧基矽烷實質上可包含任何種類之石夕氧化合物前驅 物’例如四甲氧基矽烷（tetramethylorthosilicate，TM0S)、四乙 氧基矽烷（tetraethyl orthosilicate，簡稱 TE0S，亦稱為 tetraethoxysilane、四乙基矽氧烷、四乙基氧矽烷、原矽酸四乙酯或 矽酸乙酯）或其組合物。前述氟改質之烧氧基矽烧實質上可包含 任何含有氟素之烷氧基石夕烷’例如十三氟_1，1,2,2_四氫辛烷基·三甲 氧基石夕烧（tridecafluoro-1，1，2,2, -tetrahydrooctyl -trimethoxysilane , 201016455 TDF-TMOS) ° 導電材料可包含絲尺寸之金屬材料、奈米尺寸之金屬氧化 物微粒、離子型界面活性劑或導電高分子，例如聚苯胺 (Polyaniline，PAn)、聚塞吩（p〇iythi〇phene，PTh)、含有奈米金 粒子之溶液、含有奈米銀粒子之溶液、含有奈米碳管（c扯 腿otube)之溶液、氧化鋅、氧化錫、氧化錄錫、氧化銦錫或其組 ❹合物。於其他實施射，導電材料亦可包含導電高分子聚合物， 例如由聚氧化丙烯（p〇lypr〇pylene〇xide，pp〇)以及聚氧化乙烯 (Po_iyleneoxide ’ PE0)兩種高分子聚合物所共同聚合而成之 具有父聯塊狀的共聚合高分子’由相同單體組成的高分子聚合 物，例如聚氧化丙烯或聚氧化乙烯，但不限於此。 歧孔洞成_可包含任何卿性轉之小分子材料。所謂 之選擇性溶觸表示賴成賴可—第二溶継解而出，且 所述之第二溶劑對於孔洞成形劑與光學薄膜之主要材料之溶解選 ，比遠大於1。例如制成形舰佳可包含葡萄糖、尿素、篇糖、 聚乙烯醇（polyvinyl alc〇h〇卜 PVA)、 (_ethylenglycol，PEG)或其組合物。其中，前述塗液中亦可 以進-步混合一酸驗值調整劑或其他所需之添加物，例如鹽酸， 來協助進行溶膠凝膠法產生水解反應或是提供其他效果或功能， 但不限於此，酸驗值調整劑可以為任何可調整酸驗值之材料，其 種類或分子量並無特別限制。 201016455 如第2圖之步驟52所示’接著，固化塗液而形成一膜層，其 中固化塗液之步驟可包含：先將塗液均句塗佈於一基材之表面， 再烘烤塗液而成為一膜層。烘烤後之膜層較佳為透明薄膜，主要 為氟改質（fluoride-modified)之網狀交聯之矽氧化合物（silicide oxide compound) ’例如膜層包括含氟之二氧化石夕，且包含混雜於 其中的孔洞成形劑與導電材料。根據一具體實施例，本發明所述 ❹ 之I改質之石夕氧化合物主要包含網狀交聯之二氧化矽，且二氧化 矽會與二氟甲基（_CF3)間產生鍵結效果。將塗液塗佈於基材表 面之方式可包含空氣刮刀塗佈法、到刀塗佈法、喷霧塗佈法、浸 潰塗佈法、旋轉塗佈法、網印法或捲帶式塗佈等塗佈法。 前述基材不限於任何材質，可以為液晶顯示面板之彩色濾光 片基板或薄膜電晶體陣列基板、液晶顯示器、陰極射線顯示器、 電漿顯示器或發光二極體顯示器之任意膜層，或是光學元件玻 ® 璃，所述基材較佳為透明基板，但不限於此，可為一玻璃基材、 一熱塑性基材或一熱固性塑膠基材，例如基材之材料可包含聚對 苯二曱酸乙二醇酯（polyethylene terephthalate，PET)、三醋酸纖 維素（triacetylcellulose，TAC)、環烯烴聚合物（cycl〇〇iefm polymer，COP)、聚曱基丙烯酸甲酯（polymethylmethacrylate， PMMA)、聚碳酸酯（polycarbonate，PC)或其組合物。 如第2圖之步驟54所示，之後，利用一第二溶劑將孔洞成形 201016455 舰膜射雜Μ，以軸-纽性絲薄膜。乡孔 ==表面均具有複數個中空孔洞。第二溶劑之選用是:使 第一溶劑對於孔洞成形劑與光學薄臈之主要材料（二& 受便 溶解選擇比遠大於i，以方便孔洞成形劑之溶解可=== 劑、有機溶劑或其組合物，例如為乙醇與水比例為！ Μ : 溶液。本發明所形成之各中空孔洞之直徑實質上約介於！太^ 5〇奈米之間’以達到抗油污與抗反射功能，較佳直捏實質=介 ❹於1絲錢絲之間，可提供健之抗騎魏反射功能，然 而不限於此。餘多雜絲薄縣面之巾轨概得纽性弁、 學二專膜具有一不平滑之粗糖表面，而位於多孔性光學薄膜内部之 中空孔洞的雜、數量與密度均不受圖式所揭限，可為細長筒形、 圓形、_形或不規卿狀之·，且部分之孔洞可能彼此相連。 請參考第3圖’第3圖為本發明利用前述方法所製作之光學薄 获膜之剖面結構*意圖。如第3圖所示，光學薄膜η〇設置於一基 材U2表面，包含有一氟改質之石夕氧化合物ιΐ4、複數個中空孔洞 ”導電材料118。令空孔洞ία分布於氟改質之石夕氧化合物 114之内部絲面，使氟改質之魏化合物叫成為一多孔性光學 薄膜，且使多孔性光學薄膜具有不平滑之粗趟表面12〇，而導電材 料118分散摻雜於多孔性光學薄膜中。 導電材料II8糾纏於多孔性光學薄膜之網狀交聯骨架中，不易 脫離且可提供抗靜電之特性。氟改質之石夕氧化合物叫所構成的 11 201016455 網狀交聯結構，材料本身即具有低折射率與低内聚力等特性。告 孔洞成形劑被溶解出來後，在光學薄膜110内層會形成三度空; 2奈米等級中空孔洞116，各中空孔洞116在光學薄膜110f面曰形 土凹凸的細微結構，其中中空孔洞116中的空氣與中空孔洞116 造成之表面細微結構能再進—步降低光學_ 110的反射率。另 外由於氣改質之石夕氧化合物114本身具有較低的内聚力，再加 '^中二孔洞116造成光學薄膜110本身具有類似絨毛的細微奈米 ❹結構’使得光學薄膜110產生蓮花效應而進-步增加其抗油污的 能力。 本發月光學薄膜之應用範圍沒有特殊限制，可應用於液晶顯 示面板之彩色遽光片基板或薄膜電晶體陣列基板、液晶顯示器、 陰極射線顯示器、電漿顯示器或發光二極體顯示器之任意膜層， 或是光學元件玻璃。 ❹ 下，特舉數個具體實施例以說明本發明之光學薄膜與其製 作方法，並與比較例進行比較。 實施例一 請參考第4圖，第4圖為實施例一之反應流程示意圖。首先 取四乙氧基矽烷（TEOS)約20.8公克、十三氟_1，1，2,2_四氫辛烷 基-三甲氧基矽烧 (tridecafluoro-1,1,2,2,-tetrahydrooctyl-trimethoxysilane > 12 201016455 TDF-TMOS)約7公克、反應溶劑異两醇（IpA)約2〇公克與〇 JR 的鹽酸溶液（HaW)約7公克置於反應瓶中，於室溫下_摔 器攪拌3〇分鐘直到完全均相，接著停止游，將均相的透明容液 在7(TC的反應溫度下持續反應2小時’再將混合溶液降至室溫。 接著，將已預先配置好的約3公克之右旋葡萄糖（1)咖_) 水溶液（濃度約為每公升0.8莫耳）倒入上述黏稠的混合溶液中激 ❹烈攪拌至均勻相為止，另外取約7公克之聚苯胺水溶液（固含量 約l〇wt%)倒入上述黏稠溶液中勝至均勻，_用脱稀釋前 述混合溶液而形成一塗液。 其後，將塗液塗佈於透明基材如PET或TAC上並在80°C下 供烤5小時以上而形成一薄膜。最後將薄膜浸至於乙醇與水（比 例1. 1)之屍合液中數秒以溶解葡萄糖，供乾後即可得到一透明 之光學薄膜。 Ο 隨後，可針對實施例一所形成之光學薄膜進行光學測試，第 5圖即為實施例—所形成之光學薄膜之反賴譜示意圖。如第5 圖所不’實施例-之光學薄膜於可見光波長範圍内具有良好之抗 反射效果’尤其是針對波長範圍介於400奈米（nm)至500奈米 之光波可維持較低之反射率（2%以下）。 實施例二 13 201016455 貫施例一之反應流程與實施例一之反應流程相似’但實施例二 將添加之十三氟_U，2,2-四氫辛烷基-三甲氧基矽烷增量為約1〇公 克，並且將添加之聚苯胺水溶液減量為約5公克，而經過第4圖 所示之流程後製得一透明之光學薄膜。 比較例一 比較例一與實施例二之主要差別在於，比較例一不包含添加 ❹葡萄糖之步驟、添加聚苯胺水溶液之步驟，與溶解葡萄糖之步驟。 製備步驟如下： 首先取TEOS約2〇.8公克、十王氟^^氫辛院基王甲 氧基石夕烧約10公克、IPA約20公克與〇 1N的鹽酸溶液約7公克 置於反應瓶中，於室溫下以攪拌器攪拌3〇分鐘直到完全均相，接 著停止赫，將均相的透明溶液在贼的反應溫度下持續反應2 小時，再將混合溶液降至室溫。接著，利用似稀釋㈣混合溶 ❹液’再將溶液塗佈於透縣材如PET或TAC上並在⑽。c下洪烤$ 小時，供乾後即可得到一透明之光學薄膜。 比較例二 “比較例二與實施例二之主要差別在於，比較例二不包含添加 聚苯胺水溶液之步驟與添加聚苯胺水溶液後之IpA添加步驟，且 將添加之葡萄糖減量為3公克。製備步驟如下： 201016455 取TEOS肖20.8公克、十三氟{山书氫辛絲·三甲氧基 矽燒約10公克、IPA約20公克與〇.1N的鹽酸溶液約7公克置於 反應瓶中’於室溫下授拌3〇分鐘直到完全均相為止接著將均相 的透明溶液在7G°C的反應溫度下持續反應2小時後降至室溫。之 後’將約3公克之右旋葡萄糖水溶液（濃度約為每公升Μ莫耳） 倒入上述黏稠的混合溶液中激烈攪拌至均勻相為止。其後，將溶 液塗佈於透明基材上並在8叱下烘烤5小時以上祕成一薄膜。 ❹最後將_浸至於乙醇與水（關1 : 1)之混合液巾數秒以溶解 葡萄糖，烘乾後即可得到一透明之光學薄膜。 比較例三 比較例三與實施例一之主要差別在於，比較例三不包含添加 葡萄糖之步驟與溶解葡萄糖之步驟。製備步驟如下： 取TEOS約20.8公克、十三氟_1，1，2,2_四氫辛烷基_三甲氧基 © 石夕炫約7公克、PA約20公克與0.1N的鹽酸溶液約7公克置於反 應瓶中，於室溫下以攪拌器攪拌30分鐘直到完全均相為止，接著 將均相的透明溶液在7〇。〇的反應溫度下持續反應2小時後降至室 溫。接著，取約7公克之聚苯胺水溶液（固含量約10 wt%)倒入 上述黏稠溶液中攪拌至均勻，再利用！pA稀釋前述混合溶液。其 後，將溶液塗佈於透明基材如PET或TAC上並在8〇〇c下烘烤5 小時以上，即可得到一透明之光學薄膜。 15 201016455 、為了更明確地說明本發明光學賴之功效，第6關由多項 測試來檢測本發明之實施例與比較例之光學薄膜，其中由於比較 例-與比較例二並未添加抗靜電之導電材料，不具抗靜電效果， 因此不具有表面阻抗值之測試結果。如第6圖所示，相較於本發 明之實施例-與實施例二，未添加葡萄糖與聚苯胺之比較例1 光學薄膜穿透度略低、反射率明顯較高（抗反射效果較差），且水 接觸角明顯較小（抗油污效果較差）；葡萄糖減量且未添加聚苯胺 之比較例二的光學薄膜穿透度及水接觸角大小與實施例一、二相 去不遠，且可餅較低之反射率，但是料具有抗魏之效果， 可能導致微塵吸附的問題；添加了聚苯胺卻未添加葡萄糖之比較 :三的綱賴編靜電娜，蚁崎較低（光 學效果較差）、反射率明顯偏高（抗反射效果較差），且水接觸角 明顯較小（抗油污效果較差）。 ❹ 综上所述，本發明提供之光學薄膜可以具有含氣素之石夕氣化 5物、摻祕其中之導紐料與三度郎之微小孔洞，這三個特 徵之搭配使得本發明之單一光學薄膜即可同時具備有良好之抗油 與抗反射之複合魏。，本㈣之絲薄膜不但 匕製程複雜度、維持良好之光學效果，且可以提供更完備的 複合功能。 16 201016455 【圖式簡單說明】 第1圖為傳統複合膜層結構之剖面示意圖。 第2圖為本發明—較佳實施㈣作光學賴之_示意圖。 第3圖為本發明利用前述方法所製作之先學薄膜之剖面結構示意 圖。 、、 第4圖為實施例一之反應流程示意圖。 φ 第5圖為實施例一所形成之光學薄膜之反射圖譜示意圖。 第ό圖為本發明之實施例及比較例的光學薄膜之測試數據表。 【主要元件符號說明】 10 複合膜層結構 12 透明基材 14 導電薄膜 16 硬塗層 18 低反射膜 50 步驟 52 步驟 54 步驟 110 光學薄膜 112 基材 114 氟改質之矽氧化合物 116 中空孔洞 118 導電材料 120 粗链表面 17

Claims (1)

1. 201016455 十、申請專利範圍： 1· 一種光學薄膜，包括： 一氟改質之石夕氧化合物（fluoride-modified silicon oxide compound); 複數個中空孔洞，分布於該氟改質之石夕氧化合物之内部與表 面’使該氟改質之矽氧化合物成為一多孔性光學薄膜，且 使該多孔性光學薄膜具有一不平滑表面；以及 ⑩ 一導電材料，分散摻雜於該多孔性光學薄膜中。 2. 如申請範圍第1項所述之光學薄膜，其中該氟改質之矽氧化合 物包含氟改質之二氧化矽。 3. 如申請範圍第1項所述之光學薄膜，其中該氟改質之矽氧化合 物包含三氟甲基（_Cf3)。 參 4.如申請範圍第1項所述之光學薄膜，其中該等中空孔洞係為奈 米等級之孔洞。 5. 如申請範圍第1項所述之光學薄膜，其中該導電材料包含導電 局分子。 6. 如申請範圍第5項所述之光學薄膜，其中該導電材料包含聚笨 胺（Polyaniline ’ PAn)、聚塞吩（polythiophene，PTh)或其組 201016455 合物。 7. 如申請範圍第1項所述之光學薄膜，其中該導電材料包含奈米 尺寸之金屬材料。 8. 如申請範圍第1項所述之光學薄膜，其中該導電材料包含奈米 金粒子、奈米銀粒子、奈米碳管（carbon nanotube )或其組合物。 ❹ 9· 一種光學薄膜之製作方法，包括·· 混合一第一溶劑、一烷氧基矽烷（alkoxysilane)、一氟改質之 烷氧基矽烷、一導電材料與一孔洞成形劑，以形成一塗液； 固化該塗液而形成一膜層；以及 將該孔洞成形劑從該膜層中溶解而出，以形成一多孔性光學薄 膜，該多孔性光學薄膜之内部與表面具有複數個中空孔洞。 ® 1〇.如申請範圍第9項所述之製作方法，其中固化該塗液之步驟包 含： 將該塗液塗佈於一基材之表面，·以及 烘烤該塗液成為該膜層。 11. 如申凊範圍第1〇項所述之製作方法，其中該基材包含一玻璃 基材、一熱塑性基材或一熱固性塑膠基材。 12. 如申請範圍第11項所述之製作方法，其中該基材包含聚對苯 201016455 二甲酸乙二醇g旨（polyethylene terephthalate，PET)、三醋酸纖 維素（triacetylcellulose，TAC)、環烯烴聚合物（cycloolefin polymer，COP)、聚甲基丙稀酸甲醋（polymethyl methacrylate， PMMA)、聚碳酸醋（polycarbonate，PC)或其組合物。 13. 如申請範圍第9項所述之製作方法，其中該烧氧基石夕烧包含四 曱氧基矽烧（tetramethyl orthosilicate，TMOS)、四乙氧基石夕院 (tetraethylorthosilicate，TEOS)或盆组合物。 ❿ 14. 如申請範圍第9項所述之製作方法，其中該混合步驟包含有混 合一酸鹼值調整劑、該第一溶劑、該烷氧基矽烷、該氟改質之 烷氧基矽烷、該導電材料與該孔洞成形劑。 15. 如申請範圍第9項所述之製作方法，其中該孔洞成形劑包含葡 萄糖、尿素、森糖、聚乙稀醇（polyyinyl alc〇h〇l，PVA)、聚乙 ❹ 烯乙二醇（polyethylenglycol，PEG)或其組合物。 16. 如申請範圍第9項所述之製作方法，其中該氟改質之烷氧基矽 烷包含十三敗-1，1，2,2-四氫辛烷基_三曱氧基矽烷 (tridecafluoro-1,1,2,2,-tetrahydrooctyl-trimethoxysilane » TDF-TMOS ) ° Π·如申請範圍第9項所述之製作方法，其中該導電材料包含導電 20 201016455 / 高分子或奈米尺寸之金屬材料。 18.如申請範圍第17項所述之製作方法，其中該導電材料包含聚 苯胺、聚塞吩、奈米金粒子、奈米銀粒子、奈米碳管或其組合 物。 十一、囷式： ❹ ❿ 21