TW201011892A - Light emitting apparatus and semiconductor apparatus - Google Patents

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201011892 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種發光裝置及半導體裝置。 【先前技術】 隨著半導體製造技術發展的成熟，各式各樣的半導體 元件也普遍地應用於各種電子裝置中。其中，將半導體元 件中之發光二極體（LightEmittingDiode，LED)應用於發 光裝置作為光源時，由於發光二極體具有高亮度及省電等 優點，因此，其應用領域也越來越廣泛’例如用於照明設 備及液晶顯示裝置之背光源。 請參照圖1所示’ 一種習知的發光裝置1包括一電路 板Η及複數個發光二極體12 °其中’該等發光二極體12 你設置於電路板11上’並利用打線接合（wire bonding) 的方式’將二條導線13由各個發光二極體12的二個電極 (p、n)分別與電路板η上的電性連接墊111電性連接， 9 而電性連接整in疋屬於设置於電路板π上的電路層的一 部分。於發光裝置1中，驅動控制電路（圖中未顯示）係 經由電路板11上之電性連接墊in來對該等發光二極體 12進行驅動控制。 然而，當發光二極體Π設置數量增加，電路層電 佈局的複雜度及線路密度亦會增加，從而會造成電S 的導線13與電路層的材料與製作成本增加，且發 : 的生產效能亦會降低。 < 3 201011892 因此，如何提供-種能降低材料及製作成本並提 產效能的發光裝置，已成為重要課題之一。 $ 【發明内容】 有鑑於上述課題，本發明之目的為提供—種能降低材 料成本並提高生產效能的發光裝置及半導體裝置。 為達上述目的，依據本發明之—種發光裝置包括—光 反射基材、複數發光·一極體及至少一導線。該等發光-極 體設置於光反射基材之上’導線一端連接於該等發光二極 體之一發光二極體，其另一端連接於另一發光二極體。 為達上述目的，依據本發明之一種半導體裝置包括— 光反射基材、複數第一半導體元件及至少一導線。該等第 一半導體元件設置於光反射基材之上，導線其一端連接於 該等第一半導體元件之一第一半導體元件，其另一端連捿 於另一第一半導體元件。 承上所述’依據本發明之發光裝置的導線，其—端連 接於该等發光二極體之一發光二極體’其另一端則連接於 另一發光二極體。因此，相鄰的發光二極體可直接藉由一 導線彼此電性連接，而不需再間接經由一電路層來電性連 接。藉此，光反射基材上即可不需要設置電路層，以減少 大約一半的導線數量，故可節省設置電路層以及部分導線 所需的材料及製程成本，進而可降低發光裝置的整體成 本，並可提高發光裝置的生產效能。另外，當光反射基材 為一金屬基板時，則可增進發光裝置的散熱效能。再者， 201011892 若本發明之發光二極體為其他半導體元件，則該等半導體 元件所構成的半導體裝置，同樣可得到如上述發光裝置的 功能與效果。 【實施方式】 以下將參照相關圖式’說明依據本發明較佳實施例之 半導體裝置及發光裝置。 第一實施例 _ 請參照圖2A及圖2B所示’其中圖2A為本發明第一 實施例之發光裝置2的示意圖’圖2B為發光裝置2沿圖 2A中A-A直線的剖面圖。發光裝置2包括一光反射基材 21、複數發光二極體22及至少一導線23。於本實施例中， 發光裝置2可為一照明裝置、或一交通號钱、或一廣告燈 箱、或一電子裝置的光源模組或一液晶顯示裝置的背光源 模組等，於此以一照明裝置為例。 _ 光反射基材21的材質例如可為金屬、或合金、或陶 瓷，只要表面平滑，即可有部分的光線被反射（鏡反射或 散射反射）’即可稱為光反射基材21，而光線被反射的比 例，本實施例中並不作限制，且光線並不會穿透光反射基 材21。值得一提的是，當光反射基材21利用陶瓷材質時， 若其未進行I面拋力，則其粗輪的表面對光線可產生散射 (scattering)效果。另外，光反射基材21例如可為板狀 或柱狀，於本實施例中，係以反射基材21為板狀來作說 明。又’光反射基材21的厚度係可大於等於G 3毫米，而 5 201011892 面積則可大於等於200平方毫米，以有別於一般的導線架 (lead frame)，然其非用以限制本發明。 該等發光二極體22設置於光反射基材21之上。發光 二極體22例如為紅光發光二極體、或綠光發光二極體、 或藍光發光二極體、或白光發光二極體、或紫外光二極體 或其組合。換言之’該等發光二極體22係可為相同發光 頻譜或不同發光頻譜之發光二極體22所組成，於此不予 X限制另外，發光二極體22係可為垂直導通型或打線 接口型的發光二極體22。於本實施例以該等發光二極體❹ 為垂直導通型的發光二極體22作說明，因此該等發光 —才上體22之上表面僅具有—P極或- N極的電極區域作 為頂電極（t0pdectrode)，而光反射基材21則以鋁基板為

=’其可為電性接地（g_d)。又，該等發光二極體U 刀別可為發光一極體晶粒（如圖2A及圖2B所示）或一 發光二極體封裝體（如圖2C所示，其為露出頂電極的發 光二極體封裝體）。 請再參照圖2A及圖2B所示，本實施例中以發光裝置❹ /、有複數導線23為例作說明。藉由打線接合方式，導 «的:端連接於該等發光二極趙22之一發光二:體2導2線- 另=端連接於另-發光二極體22，該等發光二極體22並 :、’卞由導線23串聯或並聯，本實施例中，係以同列的該 等發光二極體Μ相互電性並聯為例。另外，該等發光二 =體22設置於光反射基材21之—表面s，導線23之二: J與表面S具有一距離D ,也就是說，導線的二端 6 201011892 並不與光反射基材21直接接觸。 藉此’該等發光二極體22可直接藉由導線23彼此電 性連接，而不需再間接經由基材上的一電路層來電性連 接，因此光反射基材21上不需設置電路層，再加上導線 23直接連接二個發光二極體22’因此本發明導線23的數 量會比習知的導線數量減少約一半。綜上所述，本發明的 發光裝置2能節省設置電路層以及部分導線所需的材料與 製作成本，進而可降低發光裝置2的整體成本，並提高發 魯 光裝置2的生產效能。 請參照圖3A至圖3C所示’其為本實施例之發光裝置 另一組變化態樣的剖面示意圖。光反射基材21a、21b、21c 的厚度可隨產品需求而變化，例如當光反射基材21a、 21b、21c的厚度小至一定程度時，即可對光反射基材2U、 21b、21c進行彎折（bending)加工，使光反射基材21a 之凹面朝向發光二極體22 (如圖·3Α)、或光反射基材21b 鲁 之凹面背對發光二極體22 (如圖3B)或光反射基材21χ 具有一段差（如圖3C)。其中，當光反射基材21a、21b、 21c的厚度愈小，則其可撓性愈好。利用光反射基材2U、 21b、21c具有可撓性的特點，即可讓發光裝置2a、2b 2c 貼附於更多物件的表面，進而增加了發光裝置2a、2b、2c 的應用範圍。值得一提的是，光反射基材21a、21b、 依不同的要求亦可加工為其他形狀。 另外，凊參照圖12A所示，其係顯示圖3C之發光裝 置2c具有一封膠體29，且封膠體29包覆發光二極體22: 201011892 由前述可知，光反射基材21經過彎折後可視為具有一凸 部P1，部分發光二極體22設置於凸部P1，而另一部分發 光二極體22設置於光反射基材21〇相對較低之位置，且導 線23b之二端具有一高度差。而此種相對位置之關係會對 封膠體29之熱膨脹所產生之應力有較佳之抵抗能力，理 由如下所述。如圖12A所示，當封膠體29受熱膨脹時， 所產生應力會如箭頭E方向來傳送，而對於連結位於凸部 P1及較低位置之發光二極體之導線23b而言，應力傳送方 向恰與導線23b之線性方向垂直，使得導線23不易受到春 應力之拉扯，因而維持電性的可靠度。 另外，圖12B至圖12D分別顯示上述凸部可具有之不 同變化態樣。如圖12B所示，發光裝置2f之凸部p2具有 一微結構Ml ,微結構M1可例如為凹槽、或v型槽、或 凸塊，於此係以凹槽為例。發光二極體22設置於微結構 Ml内，且其所發出之光線會被凹槽之圍牆反射而增加向 上出光之指向性。如圖12C所示，發光裝置2g之凸部P3 具有一微結構M2，於此係以v型槽為例，v型槽同樣可_ 使發光一極體22之向上出光的指向性提高。如圖丨2D所 不，發光裝置2h之凸部P4具有微結構M3，於此係以凸 塊為例，凸塊同樣可使發光二極體22之向上出光的指向 性提高。 除了上述利用凸部而使導線之二端具有高度差之 外’亦可利用二發光二極體之尺寸高度不同，而使連接該 等發光二極體之導線之二端具有高度差。 201011892 請參照圖4所示’其為本實施例之發光裝置2d又一 變化態樣的示意圖。發光裝置2d更可包括一電性連結件 24，其係結合於光反射基材21，並與該等發光二極體22 電性連接。其中，電性連結件24例如可為一電路板（例 如一印刷電路板或一軟性電路板）或一導線架，圖4中電 性連結件24係以一印刷電路板為例。 電性連結件24與光反射基材21的結合方式包括黏 合 '或卡合、或鎖合、或螺合、或嵌合、或融合、或焊接 • 等。本實施例中，電性連結件24與光反射基材21以黏合 為例作說明，然其非限制性。而該等發光二極體22其中 之一係藉由另一導線23a與電性連結件24電性連接，例如 另一導線23a係與印刷電路板上的電性連接墊241電性連 接。 在電性連結件24上可設置驅動控制電路，因此，該 等發光二極體22可藉由電性連結件24來進行驅動控制。 φ 由於電性連結件24上僅需設置必要的驅動控制電路，而 不需再設置該等發光二極體22以及該等發光二極體22間 的連接電路，藉此，即可降低電性連結件24之電路的複 雜度’進而可降低發光裝置2d整體製程成本並提高生產 效能。 本實施例中，發光裝置2d更可包括一反射層25，其 係設置於光反射基材21，該等發光二極體22介由反射層 25設置於光反射基材21之上。反射層25之材質例如可為 鉻（C〇等金屬。藉由反射層25可進—步提升光反射基 9 201011892 材21對於該等發光二極體22所發出光線的反射率，以提 高發光裝置2d的光線利用率。 又，請參照圖5所示，其為本實施例之發光裝置2e 再一變化態樣剖面示意圖。除了反射層25之外，發光裝 置2e更可包括一絕緣層26，其係設置於光反射基材21， 該等發光二極體22藉由絕緣層26設置於光反射基材21 之上。其中，絕緣層26的材質可為介電材料，例如水玻 璃（water glass )。藉由絕緣層26的設置，可使該等發光 二極體22與光反射基材21之間絕緣，並可降低光反射基 材21上之反射層25的氧化速率。由於該等發光二極體22 與光反射基材21之間可為絕緣，因此光反射基材21可非 電性接地。如此一來，該等發光二極體22的電性連結方 式可有更多的態樣變化。 另外，由圖5可知，導線23c之二端具有一高度差， 其中與電性連結件2 4連結的導線2 3 c端高度比與發光二極 體22連結的導線23c端高度低，進而在若以封裝膠封裝 時，導線23c可對封裝膠之熱膨脹所引起的應力具有較強 抵抗力，而能維持電性可靠度。 第二實施例 請參照圖6所示，其為本發明第二實施例之發光裝置 3的示意圖。本實施例之發光裝置3與第一實施例的差異 在於：發光裝置3更包括一晶片37,其係控制或驅動該等 發光二極體32。其中，晶片37可設置於光反射基材31或 電性連結件34,於此以晶片37設置於光反射基材31為例 201011892 作說明。另外，本實施例中，電性連結件34仍以一電路 板為例，而該等發光二極體32則以打線接合型的發光二 極體為例。因此，將第一個發光二極體32的N極接到第 二個發光二極體32的P極，第二個發光二極體32的N極 接到第三個發光二極體32的P極，第三個發光二極體32 的N極則接到第四個發光二極體32的P極，以此類推即 可形成該等發光二極體32的電性串聯。 請參考圖7，本實施例中，電性連結件34a也可以是 參 一導線架，晶片37則設置於導線架上，再與導線33a銲接。 藉此，該等發光二極體32可經由晶片37來控制或驅動。 請參考圖13,其係顯示第二實施例之另一態樣之發光 裝置3b。其中，發光裝置3b之光反射基材31b具有一凸 部P5，且凸部P5呈階梯狀，當然凸部在其他實施例中可 為任何形狀，並不限制，例如可為角錐、或圓柱、或方體 等等。發光二極體32設置於凸部P5之階梯面上。電性連 結件34b環設於凸部P5，在本實施例中，電性連結件34b 為一印刷電路板且具有一開孔0,並藉由開孔Ο而套設凸 部P5而與光反射基材31b連結。晶片37b設置於電性連 結件34b，並藉由一導線33b與發光二極體32連結。發光 裝置3b更具有一擋止元件38,可作為一封膠體39的封裝 界線。封膠體39包覆發光二極體32及晶片37b。在本實 施例中，由於連結發光二極體32及晶片37b之導線33b 之二端皆具有一高度差，故可對封膠體39之熱膨脹所產 生應力具有較佳的抵抗性，而提升電性可靠度。 11 201011892 另外，本實施例之晶片37b具有易受光線影響之電子 元件，例如半導體元件（如二極體、三極體、場效電晶體、 石夕基（silicon-based )電阻）及電容（兩電極層夾設一氧化 層）元件等。為使晶片37b不受發光二極體32之光線影 響，故晶片37b内可具有一遮光層（light shielding layer)， 遮光層可設置於晶片37b内的走線層（wiring layer)之上 或之下，遮光層可反射或吸收光線，並用以遮蓋會受光線 影響之電子元件，進而大幅提升晶片37b之使用壽命及可 靠度。遮光層可利用濺鍍、蒸鍍或塗佈方式形成，例如鍍 ❿ 紹或塗佈聚亞醯胺（polyimide，PI)。當然，晶片37b内具 有遮光層之技術特徵亦可單獨存在於與發光二極體32 — 同封裝的態樣中。另外，除利用遮光層之外，晶片37b亦 可藉由遮光材（例如黑膠）或反射材料設置於晶片37b之 外表面而達到遮光效果。 第三實施例 請參照圖8所示，其為本發明第三實施例之發光裝置 _ 4的示意圖。本實施例之發光裝置4與前述實施例的差異 在於：發光裝置4除包括光反射基材41、複數發光二極體 42、複數導線43及電性連結件44外，更包括一透光殼體 48。另外，於本實施例中，以二電性連結件44為例作說 明，該等電性連結件44可作為發光裝置4的電性接頭， 以與外部的電源電性連接。 透光殼體48具有一空腔C，光反射基材41設置於空 腔C，圖8中為了觀看方便，將透光殼體48鏤空了一部分。 12 201011892 藉由將發光二極體42設置於空腔C内，可使發光裝置4 不需再利用高厚度封膠體將發光二極體42整個包覆，並 可保護發光二極體42不受水氣或灰塵等外界環境因素的 影響。藉此，即可避免導線43因高厚度封膠體受熱而產 生之熱應力的擠壓或拉扯而產生變形或斷裂的情形。 另外，空腔C内亦可充填膠體或流體（圖未顯示）。 膠體例如可為熔融態的膠體、半固化的膠體、具彈性的膠 體或已固化的膠體；流體則可例如為氣體或液體，氣體可 &為空氣或惰性氣體，而液體例如為油或溶劑。 藉由特定折射率之膠體或流體的選擇，例如折射率介 於發光二極體42與空氣之間，即可提高發光二極體42的 出光效率（light extraction efficiency )，且若利用液知勝體 或流體’則更可藉由熱對流效應提高發光裝置4的散熱效 果。 請參照圖9所示，其為本實施例之發光裝置4a另一變 化態樣的示意圖。於發光褒置4a中，空腔C係由透光殼 體48a與光反射基材41結合所形成。藉此可簡化發光裝置 4a製程以及減少透光殼體48a的材料成本，進而可降低發 光裝置4a整體製程成本並提高生產效能。 請參照圖10A及圖10B所示，其為本實施例之發光裝 置4b又一變化態樣示意圖，其中圖丨〇B為圖1 〇A之發光 裝置4b的組合示意圖。於發光裝置仆中，空腔C係由一 第一子殼體481及一第二子殼體482結合所形成，光反射 基材41設置於空腔C。因此，藉由不同的殼體481、482 13 201011892 設計方式以及空腔c的不同形成方式，可增加發光裝置扑 的應用範圍。 第四實施例 -月參…、圖11所7F ’其為本發明第四實施例之發光農 置5的示意圖。本實施例之發光裝置5與前述實施例的差 =在於：發光裝置5除包括光反射基材51、複數發光二極 體52、複數導線53及電性連結件54外，更包括一封膠體 59以及一散熱元件η。 % 封膠體59係至少覆蓋部分發光二極體52。其中，本 實施狀封膠體59僅作為提高發光二極體”之出光效率 及出光範圍的功能，因此並未完全包覆導線53。 封膠體59例如可為一單層折射率材料或一多層折射 $材料結構’多層折射率材料結構其材料特性為隨著金發 ^極體52的距離由近到遠，材料的折射率由大至小作 % 二it，藉由封勝體59多層折射率材料結構的特性， ==極體52的出光效率，進而提升發光裝置5 =另外，由於封膠體59之體積厚度甚小，甚至並 因：=覆發光二極體52及導線53，藉此可避免導線53 因间厚度封膠體59受埶而產 產生熱應力的縣或拉扯而 ^八戈斷裂的情形，而可使發光單元5具有較佳的可 可為一散熱片“一)、或 或其組合。於此’係以散熱元 ”、、散熱鰭片為例。藉由散熱元件Μ增進發光裝置 14 201011892 5的散熱速率，以確保發光裝置5的發光效率及其壽命。 另外，本發明亦揭露一種半導體裝置包括一光反射基 材、複數第一半導體元件及至少一導線。其中，第一半導 體元件例如可為控制晶片、運算晶片、感測晶片、驅動晶 片或發光二極體等。其中，半導體裝置之結構特徵與功效 係與前述實施例之發光裝置2a〜2h、3、4、4a、仆、5相 同，於此不再贅述。又，半導體裝置可更包括一第二半導 體元件，其係與s亥等第一半導體元件至少其中之一電性連

接。例如，第二實施例中之圖6，發光二極體32可為第一 半導體το件’而晶# 37可為第二半導體元件，然其非限 制陡曰曰片37亦可為第一半導體元件，而發光二極體32 為第二半導體元件。 、二，所述，依據本發明之發光裝置的導線，其—端連 接於：等發光一極體之—發光二極體，其另-端則連接於 =么光—極體。因此，相鄰的發光二極體可直接藉由一 線彼此電性連接’而不需再間接經由-電路層來電性連 :大:此、:光反射基材上即可不需要再設置電路層，以減 1 、、'、半的導線數量，故可節省設置電路層以及部分導 及製程成本，進而可降低發紐置的整體成 為一二:提阿發光裝置的生產效能。另外，當光反射基材 ^用騎時’射增進發絲置的散熱效能。再者， 多物件的2撓性的光反射基材，可讓發光裝置貼附於更 面’進而增加了發光裝置的應用範圍。 本發明之發光裝置可更包括—電性連結件，例如 15 201011892 為電路板或導線架，用以驅動或控制該等發光二極體。由 於電性連結件上僅需設置必要的驅動控制電路，而不需再 設置該等發光二極體以及該等發光二極體間的連接電 路，藉此，即可降低電性連結件之電路的複雜度，以降低 發光裝置的製程成本並提高發光裝置的生產效能。 本發明之發光裝置更可將發光二極體設置於一空腔 内，以使發光裝置不需再利用高厚度封膠體將發光二極體 及導線整個包覆’並可保護發光二極體不受水氣或灰塵等 外界料因素的影響。藉此，即可避免導線因高厚度封膠❿ 體叉熱而產生之熱應力的擠壓或拉扯而產生變形 ㈣形。當然’本發明之發光裝置亦可藉由封膠體至少覆 蓋4刀♦光一極體’以提高發光二極體之出光效率及出光 範圍的功能。 另外，若本發明之發光二極體為其他半導體元件，則 該等半導體元件所構成的半導體裝置，同樣可得到如上述 發光裝置的功能與效果。 以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離© 柄明之精神與範脅’而對其進行之等效修改或變更，均 應包括於後附之申請專利範圍中。 【圖式簡單說明】 圖1為一種習知之發光裝置的示意圖； 圖2A為本發明第一實施例之發光裝置的示意圖，圖 16 201011892 2B為發光裝置沿圖2A中A-A直線的剖面圖； 圖2C為本發明之發光裝置的發光二極體另一態樣示 意圖； 圖3A至圖3C為本發明第一實施例之發光裝置另一組 變化態樣剖面示意圖； 圖4及圖5為本發明第一實施例之發光裝置不同變化 態樣示意圖； 圖6及圖7為本發明第二實施例之發光裝置的示意 ❿ 圖； 圖8為本發明第三實施例之發光裝置的示意圖； 圖9、圖10A及圖10B為本發明第三實施例之發光裝 置不同變化態樣示意圖； 圖11為本發明第四實施例之發光裝置的示意圖； 圖12A至圖12D為本發明較佳實施例之發光裝置具有 凸部的不同示意圖；以及 、 0 圖13為本發明第二實施例之發光裝置不同變化態樣 的示意圖。 【主要元件符號說明】 1、2、2a〜2h、3、3b、4、4a、4b、5 :發光裝置 11 :電路板 111、241 :電性連接墊 12、 22、32、42、52 :發光二極體 13、 23、23a、23b、23c、33、33a、33b、43、53 :導線 17 201011892 21、21a、21b、21c、21f、21g、21h、31、31b、41、51 : 光反射基材 24、34、34a、34b、44、54 :電性連結件 25 :反射層 26 :絕緣層 29、39、59 :封膠體 37、37b :晶片 38 :擋止元件 48、48a :透光殼體 ❿ 481 :第一子殼體 482 :第二子殼體 A-A ·直線 C :空腔 D :距離 E :箭頭 H:散熱元件 ·

Ml〜M3 :微結構 Ο :開孔 P1〜P5 :凸部 S :表面 18

Claims (1)

1. 201011892 七、申請專利範圍： 1、 一種發光裝置，包括： 一光反射基材， 複數發光二極體，設置於該光反射基材之上；以及 至少一導線，其一端連接於該等發光二極體之一發光 二極體，其另一端連接於另一發光二極體。 2、 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該光反 射基材為板狀。 ❹ 3、如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該光反 射基材係為電性接地。 4、 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該光反 射基材係具有可撓性。 5、 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該光反 射基材的厚度大於等於0.3毫米。 6、 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該光反 射基材的面積大於等於200平方毫米。 7、 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該光反 射基材的材質為金屬、或合金、或陶瓷。 8、 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該光反 射基材具有一凸部，該發光二極體設置於該凸部。 9、 如申請專利範圍第8項所述之發光裝置，其中該凸部 為階梯狀。 10、 如申請專利範圍第8項所述之發光裝置，其中該凸部 具有一微結構。 19 201011892 Π 12 13 Η 15 16 17 18 專利範圍第1〇項所述之發光裝置，其中該微 、、、°構係為凹槽、或V型槽、或凸塊。 ^申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括： —反射層，其係設置於該光反射基材，該等發光二極 體藉由該反射層設置於該光反射基材之上。 如^請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括： 絕緣層，其係設置於該光反射基材，該等發光二極 體藉由該笮緣層設置於該光反射基材之上。 如申請專利範圍第！項所述之發光裝置，其中該等發參 ，二極體設置於該光反射基材之一表面，該導線之二 端分別與該表面具有一距離。 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該導線 之二端具有一高度差。 如申請專利範圍第i項所述之發光裝置，其中該導線 係藉由打線接合方式形成。 如申請專利範圍第i項所述之發光I置，其中該等發 光二極體經由該導線串聯或並聯。 鲁 如申請專利範圍第丨項所述之發光裝置，其中該等發 光二極體係為紅光發光二極體、或綠光發光二極體、 或藍光發光二極體、或白光發光二極體、或紫外光二 極體或其組合。 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括： —電性連結件，其係結合於該光反射基材，並與該等 發光二極體電性連接。 20 19 201011892 20、 如申請專利範圍第19項所述之發光裝置，其中該電 性連結件與該光反射基材的結合方式包括黏合、或卡 合、或鎖合、或螺合、或欲合、或融合、或焊接。 21、 如申請專利範圍第19項所述之發光裝置，其中該等 發光二極體其中之一係藉由另一導線與該電性連結 件電性連接。 22、 如申請專利範圍第21項所述之發光裝置，其中另一 導線之二端具有一高度差。 • 23、如申請專利範圍第19項所述之發光裝置，其中該電 性連結件為一電路板或一導線架。 24、 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括： 一晶片，其係控制或驅動該等發光二極體。 25、 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該等發 光二極體分別為一發光二極體晶粒或一發光二極體 封裝體。 26、 一種半導體裝置，包括： # 一光反射基材； 複數第一半導體元件，設置於該光反射基材之上；以 及 至少一導線，其一端連接於該等第一半導體元件之一 第一半導體元件，其另一端連接於另一第一半導體 元件。 27、 如申請專利範圍第26項所述之半導體裝置，其中該 等第一半導體元件經由該導線串聯或並聯。 21 201011892 28如申凊專利圍第26項所述之半導體裝置，其中該 光反射基材的厚度大於等於0.3毫米。 29、如申請專利範圍第％項所述之半導體裝置，其中另 該導線之二端具有一高度差。 3〇、如中請專利範圍第26項所述之半導體裝置，其中該 光反射基材具有一凸部，該第一半導體元件設置於該 凸部。 如申明專利圍第3〇項所述之半導體裝置，其中該 凸部為階梯狀。 肩 Λ 如申吻專利範圍第30項所述之半導體裝置，其中該 凸部具有一微結構。 33、 ^中請專利範圍第32項所述之半導體裝置，其中該 微結構係為凹槽、或V型槽或凸塊。 34、 如申請專利範圍第％項所述之半導體裝置，更包括： 反射層，其係設置於該光反射基材，該等第一半導 體元件藉由該反射層設置於該光反射基材之上。 5、如申請專利範圍帛26項所述之半導體裝置，t包括：β —絕緣層，其係設置於該光反射基材，該等第一半導 36 體元件藉由該絕緣層設置於該光反射基材之上。 如申请專利範圍第26項所述之半導體裝置，更包括： —電性連結件，其係結合於該光反射基材，並與該等 第一半導體元件電性連接。 37 如申睛專利範圍第36項所述之半導體裝置，其中該 電性連結件與該光反射基材的結合方式包括黏合、或 22 201011892 卡合、或鎖合、或螺人 38、如申續專利r 、°、或嵌&、或融合、或痒接。 ^月專利知圍第36項所述之半導體裝置，其中該 等第一半導體元件里一 連結件電性連接。—藉由另一導線與該電性 月專利範圍第38項所述之半導體裝置， 4〇 —導線之二端具有一高度差。 、=請專利範圍第26項所述之半導體裝置，更包括： 第二半導體元件，其係與該等第—半導體元件至少 其中之一電性連接。 23