TW201003140A - Color filter substrate, electric apparatus and manufacturing method thereof - Google Patents

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TW201003140A
TW201003140A TW097126185A TW97126185A TW201003140A TW 201003140 A TW201003140 A TW 201003140A TW 097126185 A TW097126185 A TW 097126185A TW 97126185 A TW97126185 A TW 97126185A TW 201003140 A TW201003140 A TW 201003140A
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Description

27342twf.doc/n 201003140 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種彩色濾光基板及其製作方法,且 特別是有種可期於半穿透半反射顯示面= (transflective liquid crystal display panel)的彩色濾光基板 及其製作方法。 【先前技術】 由於液晶顯示器為非自發光的顯示器,因此液晶 面板必須獅絲包含:背絲、前光源或環境光源方 可進订影像的顯示。依照光源的利用方式不同,可曰 顯示器分為穿透式液晶顯⑽、半穿透半補式液晶^ 益與反射式液晶顯示H三種。目前,由於半穿透半反 =顯示器能夠同時運用環境光源與背光源所提供之^ 線’有利於_在頭式產品上,因此已逐漸受到嘱目。 ί
J ,丨I:習知—種半穿透半反射式液晶顯示器的局 圖。衫料反射歧晶顯示器⑼ ^ 光模組(未繪示),其中顯示面板刚主 1〇0、一位於彩色濾光基板100之對 和束Γι其:列土板112以及—位於彩色濾光基板與晝 tm2 hm 114所構成。細慮光基板 與第二幸光層:、多個由第一圖案i3〇a — ^ 斤成的衫色濾光圖案130(圖中僅繪示 以Π應光圖案130為例)、—平坦層逝(qv⑽at) 、月電極104 ’其中平坦層102與透明電極104覆 5 201003140^ 27342twf.doc/n 蓋遮光層m以及彩色慮光圖案⑽。晝素陣列基板m 具有-晝素陣列(圖m中僅繪示—個晝素U2p為例)以 及-與晝素陣列(未緣示)連接之周邊線路(未緣示), 其中畫素陣列(未!會示)具有分別與第—圖案i施與第二 圖案i施對應之穿透顯示_T1以及反射顯示區域幻。
周邊線路用以驅動晝素陣列中的晝素⑽,使穿透頌 示區域Ti可藉由背光模組所提供的背光肌,來顯示晝 面,而反射顯示區域R1可藉由反射顯示區域r 的反射電極mR將所反射的環境光EL;來顯示麵。然 而,反射顯不區域R1中的光線會經過彩色濾光基板1〇〇 兩次,相騎’穿賴示區域T1㈣光線㈣光源直接 射出而只經過彩色濾光基板丨〇 〇 —次。此時,半穿透半反 射式液晶顯示器150的同一個晝素ll2p中,反射顯示區 域R1與穿透騎區域T1賴抑影像料有色料= 的情形發生。
為了改善上述色彩不協調的情形,可以對彩色渡光美 板1〇〇巾之彩色濾光_ 130的厚度進行調整,以形成ς 同厚度的第-圖案130a及第二圖案13%。而調整方式曰 使對應於穿透顯示區域T1之第一圖案13〇a的厚度= 加,或是使對應於反射顯示區域R1之第二圖案13& ^ 度tb減少。一般來說,第一圖案13〇a的厚度、大致為第二 圖案的厚度tb之兩倍。如此,㈣透顯示區域 反射顯示區域R1巾的光線受到彩色濾光圖# 130作用^ 程度可以大致相同,而達到色彩協調的效果。 6 20l003140t 27342twfdoc/n 藉由遮光層12G的作為間隔物以獲得 的彩色濾光圖案130,麸而,、疮土 a , m 遮先層12G的配置會導致半 二= 顯示器15〇之開口率(Aperture R—, =,進^響半穿透半反射核晶顯示器⑽的整 體=表現:,外’以微影(ph。滅th。卿hy)、 步驟來形成不同厚度的彩色渡光圖案 130,則會增加製程的複雜度,造成成本上的增加。
月,圖二=,知另—種半穿透半反射式液晶顯示器的 f5〇m ® ιβ,半穿透半反射式液晶顯示器 的構^圖a中之半穿透半反射式液晶顯示器15〇
U =,一者主要差異在於半穿透半反射式液晶顯示器150, …投置平坦層’且彩色濾光圖t lso,包括對應於穿透顯示 ,域T2之第-圖案130a,以及對應於反射顯示區域们之 第二圖案130b,,且第一圖案130a,及第二圖案13%,之厚 度相等。半穿透半反射式液晶顯示器15G,採用兩種不同二 材料以分別形成第一圖案130a,與第二圖案13%,,此嗖叶 雖可使色彩不協調的情形獲得改善,但以不同材料來&作 彩色濾光圖案130’會增加製程的困難度。 【發明内容】 本發明提供一種彩色濾光基板’其可具有兩種 彩色濾光圖案。 本發明另提供一種彩色濾光基板的製作方法,此方法 可減低製作出上述之彩色濾光基板的製程複雜度。 本發明又提供一種電子裝置,其具有上迷之彩色滤光 7 201003140 1 27342twf.doc/n 基板。 本發明再提供一種電子裝置的製作方法,以製作出具 有上述之彩色濾光基板的電子裝置。 一本發明提出一種彩色濾光基板,此彩色濾光基板包括 基板、—遮光層以及多個彩色濾光圖案。基板具有多個 ,狀凹槽、多個中心區域以及一位於環狀凹槽之間的遮光 區域其中各環狀凹槽分別具有一與各中心區域連接之内 緣以及一與遮光區域連接之外緣。遮光層配置於遮光區域 上=且從各外緣延伸至環狀凹槽上方。彩色濾光圖案配置 於%狀凹槽與中心區域上,且會與遮光層的側表面以及部 分的底表面接觸。 本發明另提出-種彩色渡光基板的製作方法,此彩色 f光基板的㈣方法包括:提供—已形成有-遮光層之基 反i其中基板具有多個環狀凹槽、多個中心區域以及一位 ^裒狀凹槽之間的遮光區域,而各環狀凹槽分別具有一與 中心區域連接之内緣以及一與遮光區域連接之 ^ ’遮光層配置於遮光區域上,且遮光層從各外緣延伸至 槽上方二於環狀凹槽與中心區域上形成多個彩色濾 ’以細色濾光圖案與戟層的侧表面 底表面接觸。 人I刀π 此電子裝置包含如上述 本發明又提出一種電子裝置, 之彩色濾光基板。 述之彩色濾置的製作方法,其包含如上 201003140 27342twf.doc/n 本發明之彩色濾光基板可具有兩種厚度的彩色濾光 圖案,因此’本發明之彩色濾光圖案可應用於半穿透半反 射式液晶顯示器。此外,利用本發明之彩色濾光基板的製 作方法,可使彩色濾光圖案的上表面更為平坦。將本發明 之彩色濾光圖案應用於顯示器中,則可提升顯示器的光學 表現。 為了讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂,下文 特舉本發明之實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。 【實施方式】 【第一實施例】 圖2A繪示本發明之一實施例之彩色濾光基板的局部 上視圖。請參照圖2A,本實施例之彩色濾光基板2〇〇包括 一基板210、一遮光層22〇以及多個彩色濾光圖案23〇。基 板210中或内具有多個環狀凹槽a、多個中心區域B以及 一位於環狀凹槽A之間的遮光區域C。 圖2B為根據圖2A中沿,剖面線的剖面圖,其中 圖2B僅纷示-個彩色濾光圖案23〇及一個環狀凹槽a為 例。請參照圖犯’基板21〇上的中心區域B與遮光區域c, 較佳地’例如是位於同一平面S1上為例。環狀凹槽A且 有一内緣八乂以及一外緣Αγ,其中内緣&與中心區域b 連接,而外緣AY與遮光區域c連接。此外,遮光層22〇 配置於遮气區域C上’且遮光層22〇從環狀凹槽A的外緣 ΑΥ^伸至%狀㈣A的上方。而彩色濾光圖案230配置 於%狀凹t A與中^區域B上,且彩色濾光圖案23〇會與 9 27342twf.doc/n 201003140 遮光層220的側表面C1 ^ ^ 220 Μ tC2 ° A皿住邛刀的衫色濾光圖案23〇。 承上述,本貝靶例之環狀凹 — 如平坦底部或不平Μ部,本發賴糾·;底^^ r=::最::;rA3處所量測出之環狀= 的冰度疋㈣取大冰度d,此最大深度4例如 米(micron) ’且深度值可為容 ’、、' 微 g 為平均數值或單點數值。
此外,減_處X與靠近外賴γ之環狀凹槽A 度實質上會小於最切度d,城遠離平坦底部A3,環狀 凹槽A的深度會越小。換句話說,環狀凹槽A的在 近内緣處X與靠近外緣處γ會逐漸減少。 罪 請繼續參照圖2B,在本實施例中,彩色濾光圖案 230,較佳地’具有實質上平坦的上表面S2為例,但不限 於此’亦可為不平坦的上表自。另外’彩色濾光圖案挪 包括一第一圖案230a以及一第二圖案23%,其中第—圖 案230a位於環狀凹槽A上,而第二圖案23%位於中心^ 域B上。舉例而言,當第一圖案23〇a的厚度义較佳地實 質上為第二圖案23Gb的厚度⑽2倍,則彩色濾光圖案 230的上表面S2呈現平坦的狀態,因此,本實施例之彩色 濾光圖案230之第二圖案230b的厚度t2大小實質上等於 環狀凹槽A之最大深度d的大小,但不限於此。在其它實 施例中,第一圖案230a的厚度tl實質上為第二圖案23% 的厚度t2的其它倍數’如大於〇之自然數,亦即厚度t!實 質上大於厚度t2即可。 、 i 27342twf.doc/n 201003140 • 較佳地本貝施例採贺墨印刷(ink-j et printing, IJP ) 技術將彩色顏料230c噴印至基板21〇上以形成上述彩色遽 光圖案230,但不限於此,亦可使用傳統之塗佈、微影及 蝕刻製程 '或網版製程。圖3A及圖3B繪示本發明之一實 施例之利用喷墨印刷製程以形成彩色濾光圖案的剖面流程 不意圖,其中圖3A及圖3B為圖2A中沿Li_Li,剖面線的 部份。+凊先參照圖3A,利用喷墨印刷製程IJp將彩色顏料 (230c喷印至基板21〇上的環狀凹槽A及中心區域B時, 會發生些許的彩色顏料23〇c被喷印或殘留於遮光層 220a 上的情形。為了改善彩色顏料23〇c殘留於遮光層2篇上 的,形,遮光層220a,較佳地,需具備疏水性質,因此, 本貝施例之遮光層220a可為一疏水層(hydr〇ph〇bic layer ) 220a,以使彩色顏料23〇c不易集中在遮光層22如上。然 而,在其他實施例t ’疏水層220a,較佳地,也可以是一 外表面經過疏水處理之黑矩陣層。此外,於其它實施例中 亦可不用疏水層或疏水處理,因遮光層22〇a上的彩色顏料 ϋ 通常不會顯色,而可不必顧慮要不要去除遮光層22〇a上的 彩色顏料。 當彩色顏料230c喷印至基板21〇上時,疏水層22〇a 的疏水特性有助於防止彩色顏料23〇c溢出環狀凹槽a,或 減^不同顏色之彩色顏料23〇c發生相互混染的現象,以確 保彩色濾光圖案230的品質。 明參照圖3B,由於基板210在靠近外緣處γ呈現底 切(undercut)的現象,因此,當彩色顏料23加被噴印至 11 201003140i 27342twf.doc/n •環狀凹槽A時,便不容易在靠近外緣處¥而發生彩色顏料 230c未填滿的問題。換句話說’靠近外 有助於提升彩色濾光圖案23〇之平坦上表面象 圖4繪示本發明之-實施例之彩色濾絲板的製作方 法流程圖。請同時參照圖2A、圖2B及圖4,首先,在步 驟S401中,提供一已形成有一遮光層22〇之基板直 中基才f 210具有多個環狀凹槽A、多個中心區域B以及L ,狀凹槽A之間的遮光區域c,而各環狀凹槽A分別 c、查姑與各中心區域B連接之内緣Αχ以及—與遮光區域 之外緣Αγ。此外,遮光層220配置於遮光區域c ^遮光層22〇從各外緣αυ延伸至環狀凹槽a上方。 來說_,上述之環狀凹槽A的形成方法如下。圖 程剖面D圖,之第一實施例之環狀凹槽的製作流 的部份咬:中圖Α〜圖5Ε為圖2Α中沿LrV剖面線 之材質伽Γ照圖5A,首先提供一基材510,其中基材510 U 材質、2是無機透明材質(如:玻璃、石英、或其它合適 類、奄航*述之組合)、有機透明材質(如:聚烯類、聚酼 物、聚芳類、橡膠、熱塑性聚合物、熱固性聚合 類、或二颁、聚甲基丙醯酸甲酯類、塑膠、聚碳酸酯 或上適上狀衍生物、或上述之組合卜 例,但不限硬貝或軟質透光材料。本發明以玻璃為 層520妾者、茶照圖5B,於基材510上形成一罩幕材料 亚較佳地以半調式光罩(Half Tone Mask,HTM) 12 27342twf.doc/n 201003140 i 對罩幕材料層52〇,進行製程為例,其中罩幕材料層豐 例如是-正型光阻。此外,半調式光罩Μ可具有透光區 Ma、遮光區Mb以及半曝光(Half Tone ExP〇sure)區mc, 而光源LS的級透過糊式光罩Μ對罩幕㈣層520,進 行微影製程。H在其他實施财,罩幕材制52〇,也 可以是-負型細,則半調式光罩Μ上的透光區Ma以及 遮光區Mb的位置就必需作相對應的調整。 承上述’對罩幕材料層WO,進行半調式光罩製程之 後:罩幕材料層520,便得以圖案化,使基材51〇上形成一 罩幕層520,如圖5C所示,其中罩幕層S2〇包括一第一罩 幕圖案520a以及多個第二罩幕圖案52%(圖5C僅繪示一 個第二罩幕圖案52〇b為例)。值得—提的是,由於第一罩 幕圖案520a及第二罩幕圖案52〇b分別對應至半調式光罩 Μ (繪示於圖5B)的遮光區Mb及半曝光區,因此,第 一罩幕圖案520b的厚度V實質上小於第一罩幕圖案52如 的厚度t3。 八
之後’請繼續參照圖W,對基材51〇進行钱刻製程, 以移除部分未被罩幕層520覆蓋之基材510,並形成具 環狀凹槽A、對應於第一罩幕圖案52〇a之遮光區域c、以 及對應於第一罩幕圖案520b之中心區域b的基板如 圖5D所示。從另-個角度來看,請同時參照圖2a及圖 5D,遮光區域C位於環狀凹槽A之間,且環狀凹槽a具 有-與中心區域B連接之内緣~以及一與遮光區連 接之外緣Αγ。 ~ ^ 13 27342twf.doc/n 201003140 • 值得一提的是,上述之蝕刻製程較佳地是一等向性 (Isotropic)蝕刻製程為例,使第一罩幕圖案52〇&以及第 二罩幕圖案520b下方的基板21〇呈現底切的現象。換句話 说,第一罩幕圖案520a會從外緣Αγ延伸至環狀凹槽A上 方,而第二罩幕圖案520b會從内緣Αχ延伸至環狀凹槽A 上方。 而後,移除第二罩幕圖案520b,如圖5E所示。詳言 r 之,在本實施例中,移除第二罩幕圖案52〇b的方式,較^ 地以一灰化(Ashing)製程為例。灰化製程是利用氣體電 漿對第一罩幕圖案520a以及第二罩幕圖案52〇b進行—非 等向性(Anisotropic)蝕刻製程為例,而進一步移除第二 罩幕圖520b案並形成一從外緣八¥延伸至環狀凹槽A上方 遮光層220。其中,氣體電漿包含其中至少一者,例如: 含氧氣體(如:氧氣、臭氧、或其它合適的氣體、或上述 之組點)、含氮氣體(如:氮氣、氧化氮、氧化亞氮、或 其它合適的氣體、或上述之組合)、含氫氣體(如:氫氣、 G 水蒸氣、或其它合適的氣體、或上述之組合。)、或其它 合適的氣體、或上述之組合。本發明以氧氣電漿為例,'二 不限於此。因此,圖5E中之遮光層220的厚度t4實質上 小於圖5D中之第一罩幕圖案520a的厚度&。上述至此, 本實施例之具有遮光層220的基板210已大致製作完成。 接下來,繼續說明彩色濾光基板2〇〇的後續製作步 驟。圖5F繪示本發明之一實施例之形成彩色濾光圖案的 剖面圖。請同時參照圖4及圖5F,在步驟S403中,於環 14 27342twf.doc/n 201003140 狀凹槽A與中心區域B上形成多個彩色濾光圖案230 (圖 5F僅繪示一個彩色濾光圖案230為例)。此外,由於遮光 層220從外緣Αγ延伸至環狀凹槽A上方,因此,彩色濾 光圖案230會與遮光層220的側表面C1以及部分的底表 面C2接觸。換句話說,遮光層220下方之基板210的底 切現象可使彩色濾光圖案230填滿環狀凹槽A中之靠近外 緣處Y。 再者’本實施例所述之第一罩幕圖案52〇a以及第二 罩幕圖案520b之材質皆以光阻為例,但不限於此,亦可採 用其它感光性材料,例如:笨並環丁烯(enz〇cyd〇butane, BCB)、ί衣烯類、聚醯亞胺類、聚醯胺類、聚酯類、聚醇類、 聚%氧乙燒類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、㈣類、或其 它材料、或上述之組合。料,於其它實施 遮 JS, OOA 1 » ...... 例 金 金 或 於
光層220之材質反射材質、非透光材質、吸光材質等 =:金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物 二物:金屬侧、金屬合金、金屬合錢化物 氧化物、金屬合金碳化物、金屬合金石夕化物 導電或非導電材料、或上述之組合。因此,於 其匕只施例之製造方法,舉例 、 及以光阻為例之第-罩篡^ 射材質層(未繪示) 上。然後,利用光源LS ^層道依序形成於基板610 罩幕材料層52〇,進行第!?線透過半調式光罩Μ對第一 便得以_化,使幕材料層⑽, 幕層520包括成—罩幕層52G,其中罩 罩幕圖案52〇a以及多個第二罩幕圖案 15 27342twf.doc/n 201003140 520b,且因第一罩幕圖案52〇a對應至遮光區Mb,而第二 罩幕圖案520b對應至半透光區Mc,因此,第二罩幕圖^ 520b的厚度V實質上小於第一罩幕圖案52〇a的厚度 利用蝕刻去除暴露出的反射材料層(未繪示p此外^暴露 出的反射材料層(未%示)所被|虫刻的量大於第二罩幕圖汽 520b下的反射材料層(未繪示)所被蝕刻的量。所以,對2 於透光區Ma之暴露出的反射材料層會被移除而暴露出基 板510、對應於遮光區Mb之反射材料層因被第一罩幕圖案 520a所保護而使得位於其下的反射材料之厚度最厚以^ 對應於半透光區]vic之反射材料層因被第二罩幕圖案52〇b 暫時的保護而使得位於其下的反射材料之厚度次之。然 後,蝕刻基板510以獲得本實施例所述之設計,再移除^ 餘之對應於半透光區]\4。之反射材料層及第一罩幕圖案 520a。 〃 【弟二貫施例】 本實施例與第一實施例類似,相同之處於此不多加贅 述,其中本實施例之彩色濾光圖案的架構與製作過程可參 考第一實施例中的圖2A、圖2B、圖3A、圖3B、圖4及 其圖示說明。然而,本實施例與第一實施例主要不同之處 在於:在本實施例中,彩色濾光基板之環狀凹槽的形成方 法疋以兩道光罩製程來取代第一實施例中之半調式光罩製 程,以下說明本實施例之環狀凹槽的製作過程。 圖6A〜圖6G繪示本發明之第二實施例之環狀凹槽的 製作流程剖面圖,其中圖6A〜圖6G為圖2A中沿Li_Li, 16 201003140 27342twf.doc/n 。附。請參關6A,首先提供—基材6i〇,1中 之材質例如是無機透明材質(如:玻璃、石英、或 :、匕j材質、或上述之組合)、有機透明材f (如:聚婦 類、,類、聚醇類、聚賴、橡環、熱塑性聚合物、埶 固性聚合物、聚芳香烴類、聚甲基丙_甲§旨類、塑膠了 聚碳酸_、或其它合雜f、或上述之社物、紅述
之組合)、或上叙組合等硬質或軟f透光㈣。本發明以 玻璃為例,但不限於此。 接著,請參照圖6B,於基材610上形成一厚度為t 的第-罩幕材料層620 ’並對第一罩幕材料層㈣:行第5 -次微影製程Ρ卜詳言之’第—罩幕材料層㈣較佳地以 一正型光阻為例,而本實施例是利用光源LS1的光線透過 光罩Ml對第一罩幕材料層620進行第一 其中光罩m可具有透光區Ma以及遮光區t艺P1在 其他實施例中,第一罩幕材料層620也可以是一負型光 阻,則光罩Ml上的透光區MaW及遮光區Mb的位置就必 需作相對應的調整。 承上述’對第一罩幕材料層620進行第一次微影製程 P1之後,第一罩幕材料層620便得以圖案化,使基材61〇 上形成一弟一罩幕圖案220,如圖6C所示。其中,第一罩 幕圖案220又可稱作遮光層220。 接下來’請參照圖6D ’於基材610上形成一第二罩 幕材料層630 ’其中弟一罩幕材料層630’的厚度t5’實質上 小於第一罩幕圖案220的厚度ts。此外,第一罩幕材料層 17 201003140, 27342twf.doc/n 620與第二罩幕材料層之材質可以不同或實質上相
同。ΪΪ ’對^二罩幕材料層63°’進行第二次微影製程 P2。詳δ = ’第二罩幕材料層63〇,較佳地以一正型光阻為 例而本只施例是利用光源LS2的光線透過光罩Μ2對第 二罩幕材料層630’進行第二次微影製程ρ2,立中光罩Μ2 可具有透规Ma以及遮规Mb。當然,在其他實施例中, 第二罩幕材料層630,也可以是一負型光阻,則光罩M2上 的透光區Ma以及遮光區叫的位置就必需作相對應的調 7处’對第二罩幕材料層630,進行第二次微影製程 P2之後,第=罩幕材料層㈣,便得關案化,使基材61〇 上形成多個第二罩幕圖案63〇,如圖6E所示,其中圖紐 ^會不-個第二罩幕圖案㈣為例。此時,基材⑽上的 第-罩幕圖案22〇及第二罩幕圖案⑽可構成 640 ’且第二罩幕圖案63〇的厚度ν實質上小於 ^ 圖案220的厚度t5。 %
之後’ f错材61Q進行侧製程,以移除科未被罩 幕,6 0復皿之基材,並形成具有環狀凹槽a、對應 於第罩幕圖案22G之遮光區域c以及對應於第二罩幕圖 案630之中^區域b的基板21〇,如圖6F所示。從另一個 角度來看’請同時參照目2A及圖6F,遮光區域C位於環 狀凹槽A之間,且環狀凹槽a具有—與中心區域b連接 之内緣Ax以及一與遮光區域c連接之外緣Αγ。 杈特別的是,上述之蝕刻製程例如是一等向性蝕刻製 18 27342twf.doc/n 201003140, Λ. A- >_/ ^ I λ. W W Λ 程’使環狀凹槽Α上方的第一罩幕圖案220 (遮光層220) 以及弟^一罩幕圖案630呈現底切的現象。換句話說,第„ 罩幕圖案220 (遮光層220)會從外緣Αγ延伸至環狀凹槽 Α上方’而第二罩幕圖案630會從内緣Αχ延伸至環狀凹 槽Α上方。 而後’於基板210上進行去光阻製程以移除第二罩幕 圖案630,如圖6G所示。上述至此,本實施例之具有遮光 層220的基板210已大致製作完成。 接下來’可進行彩色濾光基板2〇〇的後續製作步驟, 由於這部份的製作步驟與第一實施例相類似,因此,請參 戶、?、圖5F及其说明’在此不加以累述。如圖坏所示,彩色 濾光圖案230會與遮光層220的側表面C1以及部分的底 表面C2接觸,以使彩色濾光圖案230可填滿環狀凹槽a 中之靠近外緣處Y。 、在本實施例中之遮光層220及第二罩幕圖案63〇皆以 感光性材料,例如:光阻、苯並環丁烯(enz〇cycl〇butane, BCB)環烯類、聚酿亞胺類、聚酿胺類、聚醋類、聚醇類、 來%氧乙烷類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類、或其 匕材料、或上述之組合,且以光阻為例,但不限於此。在 其它實施例,遮光層220及第二罩幕圖案63〇其中至少一 者亦可使用反射材質、非透光材質、吸光材質等,例如: 金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳 =金屬矽化物、金屬合金、金屬合金氮化物、金屬合 i亂乳化物、金屬合金碳化物、金屬合金石夕化物、或其它 19 27342twf.doc/n 201003140, Λ. t. ». ~· i- •合適的導電或非導電材料、或上述之組合。因此,於其它 實施例之製造方法舉例而言:將反射材質層(未繪示)及第 一罩幕材料層620依序形成於基板61〇上。然後,利用光 源LSI的光線透過光罩M1對第一罩幕材料層62〇進行第 一次微影製程P1 ’使第一罩幕材料層62〇暴露出部份的反 射材質層(树示)’且進行㈣步雜除被暴露出的反射 材質層(未繪示)’並移除第一罩幕材料層62〇,則可以獲得 (' 反射材質圖案層,以當作遮光層22〇,其會暴露出部份的 基,6=,如圖6C所示。第二罩幕圖案63〇製造方法可採 用第二實施例的實施方式或是其它實施方式。於其它實施 方式,舉例說明:將另一反射材質層(未繪示)及第二罩幕 材料層630’依序形成於基板61〇上並覆蓋遮光層22〇與基 板610。然後,利用光源LS2的光線透過光罩對第二 罩幕材料層630,進行第二次微影製程p2,使第二罩幕材料 層620暴露出部份的另一反射材質層(未繪示),且進行蝕 步驟移除被暴露出的另一反射材質層(未繪示),並移除 第二罩幕材料層630,’則可以獲得反射材質圖案層(第二罩 幕圖案630),其會暴露出基板61〇與遮光層22〇,如圖卯 所示。其中,反射材質層(未緣示)的厚度實質上大於另一 反射材質層的厚度,且二者材質層之材質可實質上相同或 不门。其後續的製程如圖6G所示’亦不再說明。 圖7A繪示本發明之一實施例之具有彩色濾光基板之 *、,'貝不器的上視圖。請參照圖7A,本實施例之顯示器75〇 包括i示面板740以及-背光模組72〇,其中顯示面板 20 27342twf.doc/n 201003140 740主要由一彩色濾光基板7〇〇、一位於彩色濾光基板7〇〇 之對向的畫素陣列基板712以及一位於彩色濾光基板7〇〇 與晝素陣列基板712之間的顯示介質714所構成。 圖7B為根據圖7A中沿L2-L;2’剖面線的剖面圖。請參 圖7B ’在本貫施例中’彩色濾、光基板7〇〇除了包括前述 之彩色濾光基板200的構件(在此不重複這些構件的相關 敘述),還包括一平坦層702以及一透明電極704其中至 少一者,本發明以包含平坦層702及透明電極704為例, 但不限於此,其中平坦層7〇2與透明電極7〇4覆蓋環狀凹 槽A、中心區域b以及遮光區域c。另外,畫素陣列基板 712 了具有一晝素陣列712P以及一與晝素陣列712P連接 之周邊線路(未繪示),其中畫素陣列712p可具有分別 與環狀凹槽A、中心區域B以及遮光區域c對應之穿透顯 示區域τ、反射顯示區域R以及對向遮光區域σ。 承上述,周邊線路(未繪示)用以驅動晝素陣列7ΐ2ρ, 使穿透顯示區域Τ可藉由背光模組72〇所提供的背光BL 示晝面,而反射顯示區域尺則可藉由顯示器75〇外的 裱境光EL反射至每個反射顯示區域R内所設置的反射電 極712R來顯示畫面。為使穿透顯示區域τ貼與反射顯示 區域R的顯示晝面更加協調,在本實施例中,彩色滤光圖 案230之第一圖案23〇a的厚度、實質上為第二圖荦概 的厚度W 2倍為例’但不限於此,亦可如第—實施例所 述。必需說_是,本實施例之顯示介s 714以光線調控 材料(hght modulated material)為例,其材質例如液晶,但 21 201003140 i 27342twf.doc/n 不限於此 材料·^;==先 此:_714可同時_-:控 示)結構以晶體(未標 電晶體型態。其中,簡單地舉例ΐ明 ,3間極、覆蓋閘極之絕緣層、形成於絕緣層上之;;曰 體層、源極及汲極分卿成於部份半導體層上, 盘 沒極二者分離。頂閘型電晶體包含半導體層 半導體 層緣;、形成於絕緣層上之閉極、覆蓋間極及= 源極及没極分別形成於部份内層絕緣層: ,、+¥體連接,且祕與祕二者分離。在其它實施例中, :可:包ΐ反射電極712R,而是使用電晶體所使用的導體 層’如.祕/錄、資料線、或儲存電容之上/下電極, ^體層之具有反㈣線雜f,而可以反射光線, 來形成微反射區域,亦等同於本實_所述的反 712R。 1 從圖7B可知’由於遮光層22〇下方的基板21〇呈現 底切現象’ _色濾錢案23G便可顧雜凹槽A之靠 近内緣處X ’以使彩色滤光圖案挪的上表面a更為平 坦,進-步使顯示器75G所顯_晝面具有良好的光學特 性。此外’遮統域c通常所對應至對向遮紐域c,是以 界定晝素區域(未標示)之線路為例,線路包含閘極線及資 料線。但有時為了配合料上的需要,遮絲域c亦會對 22 201003140 1 27342twf.doc/n 應位於晝素區域中的配向元件,如:突出物、狹缝及上述 之組合。 【第三實施例】 本實施例與第一實施例類似’相同之處於此不多加贅 述’其中本實施例之彩色濾光圖案的架構與製作過程可參 考第一實施例中的圖2A、圖4及其圖示說明。然而,本實 施例與第一實施例主要不同之處在於:本實施例之彩色濾 光基板更包括多個反射層以及多個襯層(Liner Layer), 以下說明本實施例之彩色濾光基板的架構與製作過程。 圖8為根據圖2A中沿LrL;j’剖面線的剖面圖,其中 圖8僅繪示一個彩色濾光圖案230及一個環狀凹槽A。請 參照圖8,基板210上的中心區域B與遮光區域c較佳地 是位於同一平面S1’上為例。此外,環狀凹槽a具有—與 中心區域B連接的内緣Ax以及一與遮光區域c連接的外 緣Αγ。遮光層220配置於遮光區域c上,且遮光層22〇 從環狀凹槽A的外緣Αγ延伸至環狀凹槽a的上方。而梦 色濾光圖案230配置於環狀凹槽A與中心區域B上,且^ 色濾光圖案230會與遮光層220的側表面ci以及部分的 底表面C2接觸。也就是說,遮光層220不會完全覆葚彩 色濾光圖案230。 | ^ 承上述,本實施例之彩色濾光基板2〇〇更包括多個反 射層840R以及多個襯層840L (圖8僅繪示一個反射層 840R為例),其中反射層840R配置於中心區域b上,而 襯層840L配置於遮光層220與基板21〇之間。此外,反 23 1 27342twfdoc/n 201003140 射層840R會從内緣Αχ%伸至環狀凹槽A上方 說’遮光層220與反射層8概下方的基板21〇呈現切 的現象。 一 由圖8可知,在本實施例中,環狀凹槽A具有一底部 A3,例如平坦底部或不平坦底部,本發明紐地
部為例,但秘於此。在以平坦底部A3域準所量測出 之環狀凹槽A麟度為最大深度d,,其巾最切度^ 如約為1姆’且深度值可為乡點平職域單點數 此外’環狀凹槽A的深度在靠近⑽處χ與靠近 會逐漸減少。 '‘ 請繼續參照圖8 ’在本實施例中,彩色渡光圖宰23〇, 較佳地,具有實質上平坦的上表面S2,為例,但不限於此, 亦可為不平坦的上表面。另外,彩色濾光_23g 第一圖案830a以及一第二圖案8通,其中第—圖案 配置於環狀凹槽A上,第二圖案83%配置於中心區域b 上,且第一圖案830a的厚度^,較佳地實質上為第二^ 830b的厚度V的2倍,但不限於此。在其它實施例中第 -圖案830a的厚度tl實質上為第二圖案8地的厚度/ 其它倍數,如大於〇之自然數,亦即厚度ti實質上严 本實施例之遮光層220包括-具有疏水特性 820a。在其他實施例中,疏水層82〇a,較佳地,也可二f 一外表面經過疏水處理之黑矩陣層。抑或,利用其他製^ 技術來使遮光層220具有疏水特性。本發明並不限定上述 24 201003140 ▲-----— 1 27342twf.doc/n 之製程方法以使遮光層220具有疏水特性。 較特別的是,本實施例採喷墨印刷技術將彩色顏厂+ 印至基板210上以形成上述彩色濾光圖案23〇。圖8二料嘴 8B繪示本發明之另一實施例之利用噴墨印刷製程以及圖 彩色濾光圖案的剖面流程示意圖。由於本實施例之步^成 色濾光圖案230的製作過程與第一實施例相類似,衫 處便不多加贅述,而兩者不同之處在於:本實施例之 濾光基板200更包括反射層840R及襯層840L·,复中色 層840R配置於中心區域B上,而襯層84〇L配置於=射 2+1〇與遮光層220之間。然而,欲了解圖8A及圖犯$ = 喷墨印刷製程IJP,,可參考圖2Α、圖2Β及其圖示說明,、 其中相同或相似的標號代表相同或相似的構件。 簡言之,請同時參照圖2Α、圖8Α及圖8Β,當彩声 顏料83〇C噴印至基板210上時,疏水層820a的疏水特性 可避免衫色顏料830c溢出環狀凹槽A,或使不同顏色之奢 色顏料83 0c發生相互混染的現象獲得改善,進一步提升= ,遽光圖案230的品質。此外,基板21。在靠近外緣處^ 呈現底切的現象,可有效解決靠近外緣處Y發生彩色顏料 830c未填滿的問題。此外,於其它實施例中亦可不用蟓水 層或疏水處理,因遮光層上的彩色顧通常不會顯色 可不必顧慮要不要去除。 。:下說明本實施例之彩色濾光基板2 〇 〇的製作方法流 転二同日守參照圖2A、圖8及圖4,首先,在步驟S4〇i 中,提供—已形成有一遮光層220之基板210,其中基板 25 201003140 ---------1 27342t\vf.doc/n 之二 槽A、多個中心區域B以及-位於環 =A之間的遮光區域。,而各環狀凹槽A分別呈有一 之外缘Α。㈣t緣 —與遮光區域C連接 之外緣Αγ。此外,遮光層2 遮先層22〇從各外緣〜延伸至環狀凹上’且 =例來說’上述之環狀凹槽A的形成方法
^面0 =本發明之第三實施例之環狀凹槽的製作流 =心:圖9A ’首先提供一基材910,其中基材 91〇之材貝例如疋無機透明材質(如:玻璃、石英、或其它 、或上述之組合)、有機透明材質(如:聚稀類、 j讀、聚醇類、聚_、橡膠、熱塑性聚合物、熱固性 及δ物、聚芳香烴類、聚曱基丙酿酸甲賴、塑膠、聚石炭 ^曰類、或其它合適材質、或上狀触物 '或上述之組 :)或上述之組合等硬質或軟質透光材料。本發明以玻璃 為例’但不限於此。 再者,請參照圖9Β,於基材910上形成一反射材料 層940 ’其中反射材料層94〇的材質例如是金屬、金屬氧 化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬矽 化物、金屬合金、金屬合金氮化物、金屬合金氮氧化物、 金屬合金碳化物、金屬合金矽化物、或其它合適的導電或 非導電材料、或上述之組合。 接著,請參照圖9C,於反射材料層940上形成一罩 幕材料層920,,並較佳地以半調式光罩(HalfT〇neMask, HTM)對罩幕材料層920’進行製程為例,其中罩幕材料層 26 27342twf.doc/n 201003140, 920,為感光m制如是—正縣阻。此外,半 Μ可具有透光區Ma、遮光區Mb以及半曝舰M。:而光 源LS’的光線可透過半調式光罩M,對罩幕材料層働 微影製程n在其他實施例t,I幕㈣層92〇,也^ 以是-負型光阻,則半調式光_,上的透光區%以及遮 光區Mb的位置就必需作相對應的調整。 承上述’對罩幕材料層920,進行半調式光罩製程之
後’罩幕材料層920,便得以圖案化,使基材91〇上形成— 罩幕層920,如圖9D所示,其中罩幕層92〇包括一第—罩 幕圖案920a以及多個第二罩幕圖案92%(目9D僅緣示— 個第二罩幕圖案92Gb為例)。值得—提的是,由於第—罩 幕圖案920a及第二罩幕圖案920b分別對應至半調式光罩 =(緣7F於圖9C)的遮光區Mb及半曝光區Mc,因此, 第二罩幕@案92Gb的厚度t6,實f ±小於第—罩幕 920a的厚度t6。 朱 之後,凊繼續參照圖9D,對反射材料層940與基材 91〇進行⑽製程,以移除部分未被罩幕層㈣覆蓋之反 射;^料層940與基材91〇,並形成具有環狀凹槽a、對應 於第一罩幕圖案92〇a之遮光區域c、對應於第二罩幕圖案 920b之中心區域B、反射層84〇R以及襯層84〇l的基板 210,如圖9E所示。反射層84〇R配置於中心區域B上, 襯層840L配置於遮光層與基板21〇之間。請同時參照圖 2A及圖9E,此時,遮光區域c位於環狀凹槽a之間,且 %狀凹槽A具有一與中心區域B連接之内緣Αχ以及一與 27 27342twf.doc/n 201003140 遮光區域C連接之外緣ay。 值得一提的是,上述之蝕刻製程較佳地是一等向性蝕 刻製程為例,使第一罩幕圖案92〇a與襯層84〇L下方的基 板210呈現底切的現象,同理,第二罩幕圖案92〇b與反射 層840R下方的基板210亦有底切的現象。換句話說,第 罩幕圖案920a與襯層840L會從外緣ay延伸至環狀凹 槽Α上方,而第二罩幕圖案92〇b與反射層84〇r會從内緣 Αχ延伸至環狀凹槽a上方。 而後,移除第二罩幕圖案920b。詳言之,在本實施例 中,移除第二罩幕圖案920b的方式,較佳地以一灰化製程 為例,其可利職體電漿對第—罩幕圖案92Ga以及第二罩 幕圖案920b進行一非等向性餘刻製程為例。進一步移除第 二罩幕圖案92Gb並形成—從外緣Αγ^伸至環狀凹槽八上 =光層220,如目9F所示。其中,氣體電漿包含其中至 ΐ:者二如:含氧氣體(如:氧氣、臭氧、或其它合適的 二/迷之組點)、含氮氣體(如:氮氣、氧化氮、氧 適的氣體、或上述之組合)、含氳氣體 7崧軋、或其它合適的氣體、或上述之組合。)、 適的氣體、或上述之組合。本發明 此。因此,圖9F中之遮光層雇,的厚= 有遮細22G的基板已大致製作完成。 驟鱼施例之彩色濾、光基板·的後續製作步 I、弟a施例相類似,請參考圖4中的步驟S4〇3並搭 28 201003140 > 1 27342twf.doc/n 配圖5F以了解製作過程,在此不加以累述。如圖5j7所示, 由於彩色濾光圖案230會與遮光層220的側表面C1以及 部分的底表面C2接觸。換句話說,遮光層220下方之基 板210的底切現象可使彩色濾光圖案230無法填滿靠近外 緣處Y的情形獲得改善。 再者,本實施例之罩幕層920以感光性材料為例,若 使用反射材質、非透光材質、吸光材質等,例如:金屬、 金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、 金屬石夕化物、金屬合金、金屬合金氮化物、金屬合金氮氣 化物、金屬合金碳化物、金屬合金矽化物、或其它合適的 導電或非導電材料、或上述之組合,則其實施方式,如第 一實施例所述之其它實施例之實施方式。 另外’本實施例之製造方法及所製造出來的結構,亦 可運用於上述實施例之圖7A與7B中或其它的合適的結構 中。 【第四實施例】 本實施例與第三實施例類似,相同之處於此不多加贅 述,其中本實施例之彩色濾光圖案的架構與製作過程可參 考第三實施例中的圖2A、圖8、圖8A、圖8B、圖4及其 圖示說明。然而,本實施例與第三實施例主要不同之處在 於:在本實施例中,彩色濾光基板之環狀凹槽的形成方法 是以兩道光罩製程來取代第三實施例中之半調式光罩製 程,以下說明本實施例之環狀凹槽的製作過程。 圖10A〜圖10H緣示本發明之第四實施例之環狀凹槽 29 201003140 27342twf.doc/n 6勺製作流程剖面圖,其令圖1Ga L;rL3,剖面線的部份。請參照μ 、,為圖2Α中沿 1010,其中基板1010之材質Θ ,首先提供一基板 f 璃、石英、或其它合適材質無機透明材質(如:玻 質(如:聚稀類、聚疏類、聚醇=之組合)、有機透明材 聚合物、熱固性聚合物、$芳:'二,酯類、橡膠、熱塑性 類、塑膠、聚破酸酷類、甲酷 物、或上述之•或上述之二 料。本發明以玻璃為例,但不限於此。"、先材 再者,請參照圖10B,於基材上形 :,其中反射材料層940的材f例如是金屬、金屬氧; 物、化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬石夕化 金、金屬合金氮化物、金屬合金氮氧化物、金 j 口金私化物、金屬合金魏物、或其它合適的導電或非 導電材料、或上述之組合 二 接著,請參照圖10c,於反射材料層94〇上形成一厚 度為t8的第一罩幕材料層1020’並對第一罩幕材料層1〇= 進行第一次微影製程P1,。詳言之,第一罩幕材料^ 1〇2〇 為感光性材料例如是一正型光阻,而本實施例是利用光源 LSI’的光線透過光罩M1,對第一罩幕材料層1〇2〇進行第 =次微影製程P1,,其中光罩M1,可具有透光區Ma以及遮 光區Mb。當然’在其他實施例中,第一罩幕材料層1〇2〇 也可以是—負型光阻,則光罩ΜΓ上的透光區Ma以及遮 光區Mb的位置就必需作相對應的調整。 30 1 27342twf.doc/n 201003140 承上述’對第一罩幕材料層1020進行第—次微影製 程ΡΓ之後,第一罩幕材料層1020便得以圖案化,使反射 材料層940上形成一第一罩幕圖案220,如圖10D所示。 其中,第一罩幕圖案220又可稱作遮光層220。 接下來,請參照圖10E,於反射材料層上形成一第二 罩幕材料層1030’,其中第二罩幕材料層1〇3〇,的厚度f 實質上小於第一罩幕圖案220的厚度此外,第ϋ 材料層1020與第二罩幕材料層1〇3〇’之材質可以實質上相 同或不同。然後’對弟一罩幕材料層進行第二次微影製程 Ρ2’。詳言之,第二罩幕材料層1〇3〇,為感光性材料例如 是一正型光阻’而本實施例是利用光源LS2,的光線透過光 罩M2’對第二罩幕材料層1〇3〇’進行第二次微影製程ρ2,, 其中光罩M2可具有透光區]y[a以及遮光區Mb。當然,在 其他實施例中’第二罩幕材料層1〇30,也可以是一負型光 阻,則光罩M2’上的透光區Ma以及遮光區Mb的位置就必 需作相對應的調整。 承上述,對第二罩幕材料層1〇3〇,進行第二次微影製 程P2’之後,第二罩幕材料層1030’便得以圖案化,使反射 材料層940上形成多個第二罩幕圖案ι〇3〇,如圖1〇]F所 示,其中圖10F僅繪示一個第二罩幕圖案1〇3〇為例。此 時,反射材料層940上的第一罩幕圖案22〇及第二罩幕圖 案1030可構成一罩幕層104〇,且第二罩幕圖案1〇3〇的厚 度ts’實質上小於第一罩幕圖案220的厚度t8。 之後,對反射材料層940與基板1010進行蝕刻製程, 31 27342twf.doc/n 201003140 以移除部分未被罩幕層1G4G覆蓋之反射材料層94Q與基板 1010,亚形成具有環狀凹槽A、對應於第一罩幕圖案22〇 之遮光區域C以及對應於第二罩幕圖案1〇3〇之中心區域 B、反射層840R以及襯層84〇l的基板21〇,如圖1〇G所 不。反射層840R配置於中心區域B上,襯層84〇]L配置於 遮光層22〇與基板21〇之間。請同時參照圖2A及圖1〇〇,
此日守,遮光區域C位於環狀凹槽a之間,且環狀凹槽A /
具有一與中心區域B連接之内緣Ax以及-與遮光區域C 連接之外緣Αγ。 ,較特別的是,上述之蝕刻製程較佳地以一等向性蝕刻 例’使第-罩幕圖案細與襯層8慨下方的基板⑽ 呈現底切的現象’同理’第二罩幕圖案腦與反射層8術 下方的基4反210亦有底切的現象。換句話說,第一罩幕圖 案220與襯層840L會從外緣Αγ延伸至環狀凹槽Α上方, 而第二罩幕圖案咖與反射層會從⑽Ax延伸至 環狀凹槽A上方。 而後’於基板上1010進行去光阻製程以移除第 Ϊ圖案刪,如圖圆所示。上述至此,本實施例之具有 遮光層220的基板210已大致製作完成。 接下來,可進行彩色渡光基板的後續製作步驟, 由於這部份的製作步驟與第三實施例相齡 :㈣及其說明,在此不加以累述。如圖5F所示; ,光圖案230會與遮光層22G的側表面〇以及部分的 表面C2酬,麟有助於使環狀凹槽a之靠近外緣處γ 27342twf.doc/n 201003140. 填滿彩色濾光圖案230。 再者,本實施例之第一罩幕材料層1〇2〇與第二罩幕 材料層1_,以感光性材料為例,錢用反射材質、非透 光材質、吸光材質等,例如:金屬、金屬氧化物、金屬氮 化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬石夕化物、金屬合 金、金屬合金氮化物、金屬合金氮氧化物、金屬合金碳化 物、金屬合金矽化物、或其它合適的導電或非導電材料、 或上述之組合,則其實施方式,如第二實施例所述之其它 實施例之實施方式。 〃 另外,本實施例之製造方法及所製造出來的結構,亦 可運用於上述實施例之圖7A與7B或其它的合適的結構 中。 必需說明的是上述實施例皆以圖2A所述之彩色濾光 基板的局部上視圖為例,其中彩色濾光基板可包括紅色區 域、綠色區域與藍色區域為例,但不限於上述之色彩。而 其每個區域,例如以紅色區域包含一個環狀凹槽八及—個 中〜區域B為例,但不限於此個數。以上視圖形說明,舉 例而言:每個區域包含多個環狀區域及一個中心區域,每 個環狀區域之接點皆低於中心區域、每個區域包含多個中 域與一個環狀區域之設計方式如上述實施例所述、或 是每個區域包含多個中心區域與多個環狀區域之 ^ 如上述實施例所述。 α式 本發明上述貫加例之彩色慮光基板可運用於電子裝 置,且其製造方法亦包含上述實施例之彩色濾光基板製造 33 27342twf.doc/n 201003140 方法。請參照圖11,是包含上述實施 , 板的顯示面板111G可以跟電子 ^切色濾光基 元:ΤΓ件、處理元件、輪入元件、記: 料Μ ' #護元件 '感測元件、偵測 或”匕功旎兀件、或前述之組合。而電 j ^型包括可攜式產品(如手機、攝 ^ ,器、數位相片、或類似之;品 衫曰放映裔或類似之產品)、榮幕、電視、戶外/ 投影機内之面板等。 看板 ^所述,本發明之彩色濾光基板的製作方法,是利 的環狀凹槽及中心區域來形成不同厚度之彩色濾 化陳所以?成彩色濾光圖案的製程步驟便可加以i 以降低製程之成本及工時。此外,環狀凹样之 緣處的基板呈現底切的現象’促使彩色濾光圖“有‘ ,。因此,將本發明之彩色遽光基板應】; 中,則可有效提昇顯示器的光學品質。 4 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其 限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者 脫離本發明之精神和範圍内,當可作些許之更動與不 因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界去 為準。 34 201003140, 27342twf.doc/n 【圖式簡單說明】 圖1A繪示f知一種半穿透半反射式液晶顯 部剖面圖。 圖1B緣示習知另-種半穿透半反射式液晶 示器的局 局部剖面圖 顯 示器的 、圖2A緣示本發明之一實施例之彩色濾光基板的局部 上視圖。
圖2B為根據圖2A中沿Ll-Ll,剖面線的剖面圖。 ,圖3八及圖删會示本發明之一實施例之利用喷墨印刷 製程以升> 成彩色滤光圖案的剖面流程示意圖。 圖4繪示本發明之一實施例之彩色濾光基板的製作方 法流程圖。 圖5A〜圖5E纟會示本發明之弟一實施例之環狀凹槽的 製作流程剖面圖。 圖5F繪示本發明之一實施例之形成彩色濾光圖案的 剖面圖。
圖6A〜圖6G繪示本發明之第二實施例之環狀凹槽的 製作流程剖面圖。 圖7A繪示本發明之一實施例之具有彩色濾光基板之 顯示器的上視圖。 圖7B為根據圖7八中沿l2-L2’剖面線的剖面圖。 圖8為根據圖2A中沿L3-L3’剖面線的剖面圖。 ,圖8A及圖8B繪示本發明之另一實施例之利用噴墨印 刷製程以形成彩色濾光圖案的剖面流程示意圖。 35 27342twf.doc/n 201003140 圖9A〜圖9F繪示本發明之第三實施例之環狀凹槽的 製作流程剖面圖。 圖10A〜圖10H繪示本發明之第四實施例之環狀凹槽 的製作流程剖面圖。 圖11繪示本發明之一實施例之電子裝置的示意圖。 【主要元件符號說明】 f' 100:彩色濾光基板 102 :平坦層 104 :透明電極 110 :基板 112 :晝素陣列基板 112P :晝素 112R :反射電極 114 :液晶層 120 :遮光層 1/ 130、130’ :彩色濾光圖案 130a’、130a’ :第一圖案 130b’、130b’ :第二圖案 140 :顯示面板 150、150’ :半穿透半反射式液晶顯示器 . BL’ :背光 EL’ :環境光 _ Rl、R2 :反射顯示區域 36 201003140 /\UU / 1-dVJ 1 27342twf.doc/n T1、T2 :穿透顯示區域 ta、tb :厚度 200、700 :彩色濾光基板 210 :基板 220 :遮光層(第一罩幕圖案) 520a、920a :第一罩幕圖案 220a、820a :疏水層 / 230:彩色濾光圖案 230a、830a :第一圖案 230b、830b :第二圖案 230c、830c :彩色顏料 510、610、910、1010 :基材 520、640、920、1040 :罩幕層 520,、620、920’、1020 :罩幕材料層 520b、630、920b、1030 :第二罩幕圖案 620、1020 :第一罩幕材料層 U 630’、1030’ :第二罩幕材料層 702 :平坦層 704 :透明電極 712 :晝素陣列基板 712Ρ :晝素陣列 _ 712R:反射電極 714 :顯示介質 720 :背光模組 37 27342twf.doc/n 201003140
740、1110 :顯示面板 750 :顯示器 840L :襯層 840R :反射層 940 :反射材料層 1100 :電子裝置 1120 :電子元件 A :環狀凹槽 A3 平坦底部 Αχ 内緣 Ay 外緣 B :中心區域 BL :背光 C:遮光區域 C’ :對向遮光區域 C1 :側表面 C2 :底表面 d、d’ :最大深度 EL :環境光 IJP、IJP’ :喷墨印刷製程
LrLi’、L2-L2’、L3-L3,:剖面線 LS、LS,、LSI、LSI,、LS2、LS2’ :光源 Μ、Μ’ :半調式光罩 ΜΙ、ΜΓ、M2、M2’ :光罩 38 201003140i 27342twfdoc/n
Ma :透光區
Mb :遮光區
Mc :半曝光區 PI、ΡΓ :第一次微影製程 P2、P2’ :第二次微影製程 R:反射顯示區域 51、 S1’ :平面 52、 S2’ :上表面 r ' S401、S403 :步驟 T:穿透顯示區域 ti 、 V 、 h 、 t2’ 、 t3 、 t3’ 、 t4 、 t5 、 t5’ 、 t6 、 t6’ 、 t7 、 t8 、 V :厚度 X:靠近内緣處 Y:靠近外緣處
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Claims (1)

  1. 27342twf. doc/n 201003140 十、申請專利範圍: 1·—種彩色濾光基板,包括: ^ 板,具有多個環狀凹槽、多個中心區域以及一位 = 狀凹槽之間的遮光區域,其中各該環狀凹槽分別 ς —與各該中心區域連接之内緣以及該遮光區域連 接之外緣; 兮心遮光層’配置於該遮光區域上,其中該遮光層從各 Λ卜緣延伸至該些環狀凹槽上方;以及 f悔色濾糊案,配置於該麵狀凹槽與該些中心 及部分的遽光圖案會舆該遮光層的側表面以 ^亥環狀凹槽的深度在靠近該内 申清專利範圍第1項所述之彩色航基板,其中 '緣與該外緣處會逐漸減 U 基板,其中 各第3項所述之彩色継板,其中 Ιί一圖案’配置於該環狀凹槽上;以及 厚度實配置於該中心區域上,且該第-圖案的 又只貝上為該第二圖案的厚度的2俨。 --遮==第1項所述™基板’其中 .如申明專利乾圍第5項所述之彩色濾光基板,其中 201003140ι 27342twf.doc/n 該疏水層包括一外表面經過疏水處理之黑矩陣層。 7. 如申請專利範圍第1項所述之彩色濾光基板,更包 括多個反射層,其中各該反射層分別配置於其中一個中心 區域上。 8. 如申請專利範圍第7項所述之彩色濾光基板,其中 各該反射層從各該内緣延伸至對應之環狀凹槽上方。 9·如申請專利範圍第7項所述之彩色濾光基板,更包
    括多個襯層,且各該襯層分別配置於該遮光層與該基板之 間。 ^ 1〇.如申請專利範圍第1項所述之彩色濾光基板,其中 該基板上的該些中心區域與該遮光區域位於同一平面。 U· —種彩色濾光基板的製作方法,包括: s提供一已形成有一遮光層之基板,其中該基板具有多 裒狀凹槽夕個中心區域以及一位於該些環狀凹槽之間 =遮光區域,各該環狀凹槽分職有—與各該中心區域連
    接之=緣以及—與該遮光_連接之外緣,該遮光層配置 於=遮光區域上,且該遮光層從各該外緣延伸至該些 凹槽上方;以及 =些&狀凹槽與該些中心、區域上形成多個彩色渡 以使3亥些彩色濾光圖案與該遮光層的侧表面以及 部分的底表面接觸。 你古、12.如申請專鄉圍第11項所狀彩色就基板的製 /,其中該些環狀凹槽的形成方法包括: 提供一基材; 41 201003140 27342twf.doc/n 於該基材上形成一罩幕層,其中該罩幕層包括一第一 罩幕圖案以及多個第二罩幕圖案,且各該第二罩幕圖案的 厚度實質上小於該第一罩幕圖案的厚度; 移除部分未被該罩幕層覆蓋之該基材,以形成該些環 狀凹槽以及對應於該些第二罩幕圖案之該些中心區域;以 及 移除該些第二罩幕圖案。 13. 如申請專利範圍第12項所述之彩色濾光基板的製 作方法,其中該些第一罩幕圖案與該第二罩幕圖案是藉由 半調式光罩製程形成。 14. 如申請專利範圍第12項所述之彩色濾光基板的製 作方法,其中該些第一罩幕圖案與該第二罩幕圖案是藉由 二微影製程分別形成。 15. 如申請專利範圍第14項所述之彩色濾光基板的製 作方法,其中該些第一罩幕圖案與該第二罩幕圖案之材質 不同。 16. 如申請專利範圍第11項所述之彩色濾光基板的製 作方法,其中該些環狀凹槽的形成方法包括: 提供一基材; 於該基材上形成一反射材料層; 於該反射材料層上形成一罩幕層,其中該罩幕層包括 一第一罩幕圖案以及多個第二罩幕圖案,且各該第二罩幕 圖案的厚度實質上小於該第一罩幕圖案的厚度; 移除部分未被該罩幕層覆蓋之該反射材料層與該基 42 201003140 27342twf.doc/n 材,以形成該些環狀凹槽、對應於該些 些中心區域、多個反射層以及多個襯層,各 個中心區域上’而各該反射層從各該: 狀凹槽上方,且各該襯層分別配置 於该遮先層與该基板之間;以及 移除該些第二罩幕圖案。 作方ί·’如:二:::所述之彩色滤光基板的製 =光罩;單幕圖案與該第二罩幕圖案是藉由 作方16項㈣之料濾光基板的製 =^㈣—罩幕圖案與_二罩幕圖案是藉由 一破衫製私分別形成。 利範’18項所述之彩色爐光基板的製 作方法,其巾該㈣-罩幕圖案與”二轉圖案之材質 不同。 々讥-種電子裝置,&含如申請專利範圍帛i項所述 之彩色滤光基板。 # 21.-種電子裝置之製作方法,包含如申請專利範圍 第π項所述之彩色濾光基板的製作方法。 43
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