TW200940182A - Nozzle plate of a spray apparatus and fabrication method thereof - Google Patents

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Description

200940182 凡、贫《月說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種液體霧化技術，更具體言之，係 有關於一種喷霧裝置之喷嘴片及其製法。 【先前技術】 目前利用霧化系統進行液體霧化之技術的應用領域 越來越廣泛，從生物醫學的藥物給藥系統應用於喷霧裝置 之喷嘴片、提供引擎燃燒所需要的燃油噴射霧化系統、乃 ⑩至於藉由液體相變化所達到的散熱冷卻系統等需要充分 霧化之領域，皆使用霧化原理，其相關之專利例如包括美 國專利公告第4, 465, 234號案、美國專利公告第 4’ 605, 1 67號案、美國專利公告第6, 〇89, 698號案、美國 專利公告第6,235，177號案、美國專利公告第6 629，'646 號案、台灣專利公告第407529號案、台灣專利公告第 449486號案、台灣專利公告第5〇3129號案、台灣專利公 告第506855號案、台灣專利公告第5627〇4號案、以及台 ©灣專利證書號第1222899號案等技術。 請參閱第8A及8B圖所示，習知應用於噴霧裝置之噴 嘴片多利用壓電致動器作為振動器並搭配具複數喷孔 之喷嘴片20,令該喷嘴片20直接與待霧化之液體21 接觸，藉由已施加電壓之壓電致動器振盪該待霧化之液體 21並經由該些喷孔201而噴射脫離該本體2〇，藉此產生 霧化效果。然而，由於習知之喷嘴片多設計為對稱的幾何 形狀，裝置中之液體201係以垂直於該本體表面之方向脫 110770 5 200940182 雕νπ矛.8B_圖所示），使其喷霧面積受限於喷嘴片之噴孔 開孔位置及開孔範圍，進而令霧化範圍過於狹窄，以致於 影響霧化效果。再者，由於霧化範圍太狹窄，使得霧化液 滴（Droplet)彼此互相撞擊累積，不僅增加霧化液滴之 尺寸，更令霧化效果不彰，倘若要變化霧化範圍，則必須 相對地改變噴孔分布範圍或調整驅動頻率，如此勢必增加 系統體積，且在進行大面積驅動時需更高共振模態，亦較 消耗能源。 蠹 美國專利公告第4,465,234號案中係揭露_種藉由 改變喷嘴片之幾何形狀來增加霧化面積之應用於喷霧裝 置之半圓形噴嘴片，該應用於喷霧裝置之喷嘴片係包括具 有凹部供容納液體之噴嘴片、設於該噴嘴片並與該凹部連 通之喷嘴、設於該噴嘴片並可週期性地加壓該液體之壓電 驅動振動器、注入及保持該液體於該凹部中之注入工具、 施加父流電至該壓電驅動振動器之工具、以及結合該注入 工具以進行液體傳送之工具。當該凹部中之液體經加壓而 ©呈霧狀微滴噴出時’藉由具有圓弧形噴孔之喷嘴片可增加 霧化範圍。 θ 美國專利公告第4,605，167號案中係提出一種超音 波應用於噴霧裝置之噴嘴片，該應用於喷霧裝置之喷嘴片 係藉由擴大噴孔之噴射範圍來加大霧化範圍。然而，利用 此種習知技術雖然可加大霧化範圍，但噴孔的噴射範圍越 大，勢必需要較高階之壓電操作頻率，如此亦相對增加驅 動噴霧裝置時所需能量，並造成喷霧裝置體積過大的缺 6 110770 200940182 弟*’ ‘且的無’法改善霧化液滴堆積之問題。 _利公告第6,〇89’698號案中提出—種形成, 1方法及裝置，該方法係利用雷射之高能量光束嘴 片表面進行喷孔製作，藉此控制液滴之 、角 ^表面形成f孔’以控制液滴之噴出方向。然而，應用 田射加工此技術不易控制液滴飛行方 狹窄、霧化效果不佳之問題。 仍存在務化範圍 φ 美國專利公告第6,235，177號案中則揭示 於噴霧裝置之喷嘴片之製法’藉由形成上表面血下表：二 為漸縮形狀之喷孔，使得液滴可沿著該等喷孔之;;a =地噴射出來；美國專利公告第7,〇4〇,〇16號案;斧 由钮刻製程形成中心軸向對稱結構之喷孔，惟，習错 技術係將該制於喷霧裝置之噴嘴片中之噴孔設 ； 稱結構，應用此技術會限制液滴垂直飛行，仍將 而 =限於喷孔開孔位置及開孔範圍。如此，亦存在前= ❾利中之缺失，以致於造成霧化效果不佳。 由上可知，由於習知霧化液體之技術有著造成液 =片脫離喷射霧化、令霧化面積受限於喷孔區域、噴 ，、中喷射造成顆粒堆積、噴霧裝置體積較大、且、 片製程複雜㈣種缺失，以致令霧化效果不佳、能 費、難以將產品微小化、且不利於產業利用。 ’、 =此，如城出—-種可克服先前技術之種種缺失的嘴 、之1片’實已成爲目前亟待克服之難題。、 Π0770 7 200940182 — m r〇容，】 本發明提供一種可擴大霧化面積之噴霧裝置之噴嘴 片及其製法。 貝務衣直之贺噶 本發明提供一種可濟:爲h 置之喷嘴片及其製：均句之霧化液體之喷霧裝 本發明提供一種可使產。外 月及其製法。 使產-微小化之喷霧裝置之噴嘴 φ 本發明提供—種不㈣外消耗 嘴片及其製法。 <項務哀置之實 提供f露一種喷霧襄置之喷嘴片之製法，係包括. 層之圖㈣呈重心位置偏移；^些絕緣 何結構；於該導電層上形仏之幾 以及移除該導電層及哕嗜❹ {外路部分絕緣層； =二具有…及出σ端之噴=== ❿構係王重〜位置偏移中心點且左右對稱之幾何处 ❹構’其中’該中心點為該幾何結構之外接圓圓心，^ 心則為該幾何結構之質心，亦即，該幾何二：亥重 角形、錐形或心形等具尖端之幾❸ ’·，、等腰二 本發明亦揭示一種噴霧裝置之噴嘴 t體’設有複數喷孔，各該噴孔係具有供液體進人〉'包括： 端以及供該液體脫離之出口端， ^組 之入口 重心偏移中心且左右對稱之幾何結構口::=::係呈 專腰三角形、錐形或心形等具尖端之幾何結構、了用 110770 8 200940182 吻狀"肢曰該•出口端脫離之角度及飛行方向。 士雕/噴嘴片本體係可結合致動罴，並將設有該致動叉之 Γ設置於液體容器之-側，以供霧化容置於該液 _中，待霧化液體，同時藉由該本體之噴嘴的之入口端及出。 口化為重心位置偏移圖案中心點且左右對稱之幾何杜構 =:=以預定角度及飛行方向而脫離，亦即可依照 使用者之以藉由改變喷孔幾何結構的設計及搭配整體 f孔配置分布’使液體以同向傾斜、集 ρ g改變賀孔配置分布，可降低霧化液體互相撞 旦，需額外增加喷霧裝置體積，亦不需額外消耗能 ^ ，可於该本體上形成陣列分布之溝渠，以提供喷 嘴片之排水性，避免霧化液體堆積、體積增大等問題。、 2明之噴霧裝置之喷嘴片及其製法主要係於喷嘴 片上形成複數具有入口端及出口端之喷孔，該喷孔之入口 端及出口端係呈重心位詈偽 ❿幾何結構，如等腰-自# 中 右對稱之 構，俾藉由該噴^二角形、t形或心形等具尖端之幾何結 飞—片之出口端之幾何結構控制液體喷霧之 同時以相同之噴孔分布面積下達到擴大噴霧範 ^效果’使產品微小化，更不需額外消耗能量，而有利 於節約能源。 【實施方式】 式，二係技藉41=實例：明本發明之實施方 在之人士可由本說明書所揭示之内容輕易地 110770 9 200940182 二:二之其他優點與功效。本發明亦可藉由 或應用’本說明書中的各項細節亦可 基於不冋械點與應用，在不恃離本發明之精神下推= 修飾與變更。 a之精神下進仃各種 蓋一實施你丨 體及==第1，用以顯示本發明之喷嘴片之本 二及應用於編置之第-實施態樣示意 =成=二主要係與致動器12"液體容器1- ❹嘴月係設置於該液體容器m之一 側，该液體容器130用以容置待霧化之 動器120係結合該喷嘴片 而該致 體14。。 亥”片，以震動該嘴嘴片進而霧化該液 電乂二/示’係提供導電層101，並於該導 複數絕緣層1〇2,可以黃光製程或印刷製 私於該絕緣層1G2上定義圖案，使該絕緣層ig2形成重心 ❹ 立置偏移圖案中心點且左右對稱之幾何結構，其中，該中 該幾何結構之外接圓圓心’而該重心則為該幾㈣ ^貝:亦即，令該絕緣層1G2形成等腰三角形、錐形 或心形寺具尖端之幾何結構。 上如第1C至1D圖所示，利用電鍍製程於該導電層101 及該絕緣層102外形成電鍍層1〇4 ’同時外露出部分該絕 緣層102，接著移除該導電们01及該絕緣層102，以於 該電鍍層104形成複數具有入口端1〇5及出口端1〇6之喷 孔1〇〇,且該入口端1〇5及該出口端1〇6係呈重心位置偏 110770 10 200940182 秒圆·系r心’點且左右對稱之幾何結構，其中，該電鍍製程 係可利用如胺基磺酸鎳（Nlckel sulfamate)電鍍液以橫 向成長與直向成長比例為i :丨於該導電層1〇1及該絕緣 層102外形成電鍍層1 〇4，應注意的是，該橫向成長與直 向成長比例可k電鑛液之添加劑的不同改變。 如第1F至1G圖所示，藉由上述之步驟以形成具有複 數噴孔100之喷嘴片本體10，該喷孔1〇〇可呈陣列分布 或環狀分布，且該噴孔1〇〇之入口端1〇5及出口端1〇6 ❹係呈重心位置偏移圖案中心點且左右對稱之幾何結構，亦 即可形成如等腰三角形、錐形或心形等具尖端之幾何結 構。該喷嘴片本體10係可結合致動罴120，再提供一用 以容置待霧化之液體140的液體容器130，並將設有該致 動罴120之本體10設置於液體容器13〇之一側，以供霧 化該液體140。 ’、 於本實施例中，該致動器120係可為例如具壓電特性 (PieZOelectric pr〇perties)之諸如鍅鈦酸鉛 ❾ ZirCOnate Titanate ’ ρζτ)固溶液（s〇lids〇iuti〇n)材料 所製成之壓電致動器，例如壓電環、壓電片、壓電塊材等 元件。由於具有機電轉換力的壓電材料可提供質輕、體積 小、反應快等特性，並能在低輸入電壓的驅動下有較高的 位，輸出，因而適於作為致動器，再者，該致動罴12〇 可藉由壓電效應產生振盪動能，使其可令所結合之喷嘴片 產生震動，進而驅動霧化液體。另外，該些喷孔1〇〇係可 位於該噴嘴片本體1〇與該致動器12〇之接著區域，即該 110770 11 200940182 翁可分布於”片接著區域，藉由凹凸結構以強 化該喷嘴片本體1 〇與該致動器丨2〇之接著效果。 因此，本發明亦揭示一種喷霧裝置之噴嘴片，係至少 包括：本體10,設有複數噴孔100,各該噴幻〇〇係且^ 供液體140進入之入口端105以及供該液體14〇脫離ς出 口端106’該入口端1〇5及該出口端1〇6係呈重心位置偏 移圖案中心點且左右對稱之幾何結構，該幾何結構可為如 專腰二角形、錐形或心形等具尖端之幾何結構，用以控制 ❹该液體之預定角度及飛行方向而脫離。 第2Α至2C圖係為本發明之喷霧裝置之嘴嘴片於液體 :的嘴片之飛行方向示意圖，如圖所示，於本實施例 =，錢何結構係為等腰三㈣，#欲霧化容置於液體容 為，待霧化液體140時，藉由該致動器12〇之壓電特性可 使。亥喷嘴片本體1〇產生震動而驅動霧化該液體 時可迫使該液體140以傾斜角度α脫離該出口端ι〇6，並 :貝：角度α係沿著軸心及液體圓心作為計算依 例 ❹如45、60度角等角度，再者，由於該入口端i〇5 j :端刚係為呈重心位置偏移圖案中心點且左右對稱^ 結構’俾供該液體140之飛行方向D隨該等腰三角形 裀敕邊5向：移，其偏移角度則是藉由該等腰三角形比例 \正—右4等腰二角形的高越大，其偏移的角度越大。如 ★’精由該喷嘴片本體10可擴大液體140之噴霧範圍， 據該入口端1〇5及該出口端106之幾何結構控制 液肢噴霧之飛行方向。 Π0770 12 200940182 矛 一 η & Μ 請參閱第3Α至3Ε圖所示，本發明之喷霧裝置之噴嘴 片及其1法之第二實施態樣示意圖。本發明第二實施例與 則述第一實施例大致相同，主要差異在於該絕緣層^ 復包括第一絕緣層l〇2a及第二絕緣層l〇2]b，亦即，於該 導電層101上形成複數第一絕緣層102a，以及於該些絕 緣層102上分別形成面積小於該第一絕緣層1 〇2a之第二 絕緣層102b，同時以黃光製程或印刷製程於該第—絕緣 ❹層102a及該第二絕緣層1〇2b上定義圖案，使該第—絕緣 層102a及該第二絕緣層1〇2b形成重心位置偏移圖案中心 點且左右對稱之幾何結構。接著’利用電鍍製程於該導電 層ιοί及該第一絕緣層102a外形成電鍍層1〇4，同時外 露出該第二絕緣層102b’接著移除該導電層1〇卜該第一 絕緣層102a及該第二絕緣層1〇2b，以於該電鍍層形 成複數具有入口端105及出口端1〇6之噴孔1〇〇，且該二 口端105及該出口端1〇6係呈重心位置偏移圖案中心=且 ©左右對稱之幾何結構。 第三實施例
請參閱第4U4B圖所示，係為本發明之應用於喷霧 裝置之喷嘴片之第三實施態樣示意圖，如圖所示，本發明 第三實施例與前述第一實施例大致相同，主要差異在^嗜 入口端105及該出口端1〇6之幾何結構之尖端係朝向本： 10’之内側，以該液體140之飛行方向D隨該幾何結構之 短邊方向偏移，即可控制該液體14〇霧化之飛行方向D 110770 13 200940182、 句v狀’達’到分散噴射液體之效果，以擴大液體霧化之範 圍。 第四實施你j_ 。月茶閱第5A至5B圖所示’係為本發明之應用於噴霧 裝置之喷嘴片之第四實施態樣示意圖，如圖所示，本發明 第四實施例與前述第一實施例大致相同，主要差異在於該 入，^端105及該出口端1〇6之幾何結構之尖端係朝向本體 1〇之外側，以該液體140之飛行方向D隨該幾何結構之
❿短邊方向偏移，即可控制該液體140霧化之飛行方向D 為集中，以控制液體霧化範圍於一定角度之内。 第五實施例 月^閱第6A至6E圖所示，係為本發明之應用於嘴霧 裝置之噴嘴片之第五實施態樣示意圖，如圖所示’本發 第五實施例與前述第一實施例大致相同，主要差異在於於 =嘴片之本體1G，，，上形成溝渠1H)，以提供喷嘴片之排 ❹ 如第6A至6B圖所示，係提供導電層ι〇ι，並於 電層101上形成複數絕緣層1〇2，並於該導電層㈧ 該絕緣層1G2周圍形成第三絕緣層1()3，同時以 =製程於該絕緣層1〇2上定義圖案，使該絕緣二2 置偏移圖案中^點且左右對稱之幾何 中，料心點為該幾何結構之外接圓圓心，而該重= 該幾何結構之k，亦即，令該絕緣層1()2形 ^ 形、錐形或心形等具尖端之幾何結構。 、腰二角 】10770 14 200940182 βΓ „ '.別牙至6D圖所示，利用電鍍製程於該導電層 101、該絕緣層102外形成電鍍層1〇4，同時外露出部分 絕緣層102，接著移除該導電層1〇1、該絕緣層1〇2及該 第三絕緣層103,以於該電鍍層1〇4形成複數具有入口端 105及出口端106之噴孔1〇〇，以及於該電鍍層1〇4上形 成溝渠110，且該入口端1 〇5及該出口端^ 係呈重心位 置偏移圖案中心點且左右對稱之幾何結構，而該溝渠可呈 陣列分布。 Ο 如第6Ε圖所不，藉由上述之步驟以形成具有複數噴 孔100之喷嘴片本體i 0，，’，該噴孔i 〇〇可呈陣列分布，而 該溝渠110則為陣列分布，且該噴孔1〇〇之入口端 及出口端106係呈重心位置偏移圖案中心點且左右對稱 之幾何結構。 。。該喷嘴片本體1G”’係可結合致動H，並將設有該致 動之本體1 〇 6又置於液體容器之一侧，以供霧化容置於 =體容器中之待霧化液體，同時藉由該本體1〇”，之喷嘴 •、、赴的之入口端105及出口端106為重心位置偏移圖案中 二1 =右對稱之幾何結構以控制該液體之預定角度及 傾:IΓ脫離’亦即可依照使用者之需求使液體以同向 同時；—77散等角度霧化’藉此有效控制霧化範圍， =嘴^由陣列分布於該本體心上之溝渠U0,以提 靡、、12排水性’避免霧化液體堆積、體積增大等問題。 同時二：=是’上述各實施例中之幾何結構之尖端可為 朝向本體之内侧、外侧或同-方向，但並非以此限制 110770 15 200940182 个贫听，所屬技術領域中
、次宁/、有通⑦知識者可依實際黨I 设计加以改變霧化區域，如第以至 ::要或 之噴孔100為部分尖端凑Θ "不，5亥賀嘴片 太…“丨 柒朝向本體之内側、部分尖端則朝向 版卜以猎此改變液體向外噴出之角度，達到播女 霧化面積之效果，並可辑 擴大 改變噴孔配置分布，可降极震πj 稭由 外增加體積，亦不需額外消耗能量。 不而頜 此外’上述各實施例中該喷嘴片之喷孔的出 ❹ 可塗佈抗潤濕材料，避旁露 私表面 孔上 足充霧化的液滴堆積於該喷嘴片之嘴 發明之喷霧震置之喷嘴片及其製法主要係於喷嘴 片山上形成複數具有人口端及出口端之噴孔，該喷孔之入口 端及出口端係呈重心位置偏移圖案中心點且左右對稱之 幾何^構，如等腰三角形、錐形或心形等具尖端之幾何# 構:將該喷嘴片結合致動黑，同時將設有該致動黑之喷嘴 片設置於液體容H之―側，俾欲霧化容置於液體容器之待 霧化液體時，藉由该致動器之壓電特性可使該喷嘴片本體 產生震動而驅動霧化該液體，同時可迫使該液體以傾斜角 度α脫離該喷嘴片之出口端，再者，由於該入口端及該出 口 k係為呈重〜位置偏移圖案中心點且左右對稱之幾何 結構，俾藉由該嘴嘴片之出口端之幾何結構控制液體喷霧 之飛行方向。 相較於習知技術，本發明係藉由改變噴孔幾何結構的 設計及搭配整體喷孔配置分布，以相同之喷孔分布面積下 110770 16 200940182 , 達到擴大喷霧範圍之效果’使產品微小化，更不需額外 耗能量，而有利於節約能源。同時，藉由該噴孔之幾何、社 構以控制液體霧化飛行方向，並依據使用者需求改變該噴 孔之分布方向，使液體以同向傾斜、集中、分散等角度霧 化，藉此有效控制霧化範圍、降低霧化液體互相撞擊了且 不需額外增加噴霧裝置體積，亦不需額外消耗能量，實已 解決先前技術所存在之問題。 ' 上述實施例僅例示性說明本發明之原理及其功效，而 ❹非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違 背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修飾與改 變。因此，本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利 範圍所列。 【圖式簡單說明】 第1A至1B圖及第^至丨!？圖係為本發明之噴嘴片之 本體及其製法之第一實施態樣示意圖； ❹ 第1c係為第1B圖之導線層之正視示意圖； 第1G係為第if圖之係為本發明之噴霧裝置之噴嘴片 之實施態樣示意圖； 第2A至2C圖係為本發明之喷霧裝置之噴嘴片於液體 脫離該噴嘴片後的飛行方向示意圖； 第3A至3B圖及第3D至3E圖係為本發明之噴霧裝置 之噴嘴片及其製法之第二實施態樣示意圖； 第3C係為第3B圖之導線層之正視示意圖； 第4A至4B圖係為本發明之噴霧裝置之喷嘴片之第三 17 110770 200940182 ( 貫施’態樣示意圖； 之第四 之第五 之其他 噴孔之 第5A至5B圖係為本發明之噴霧裝置之喷嘴片 實施態樣示意圖； 第6A至6E圖係為本發明之噴霧裝置之噴嘴片 實施態樣示意圖； 第7A至7B圖係為本發明之喷霧裝置之喷嘴片 實施態樣示意圖；以及 第8A至8B圖係為習知喷霧裝置及其液體脫離 ❹飛行方向示意圖。 【主要元件符號說明】 10, 10，，10”，10”， 噴嘴片本體 100 喷孔 101 導電層 102 絕緣層 102a 第一絕緣層 102b 第二絕緣層 103 第三絕緣層 104 電鍍層 105 入口端 106 出口端 110 溝渠 120 致動器 130 液體容器 140 液體 110770 18 200940182 ζυ ， 噴嘴片 210 噴孔 D 飛行方向 a 脫離角度 19 110770

Claims (1)

  1. 200940182 τ、肀請專利範圍： 1. 一種喷霧裝置之噴嘴片，係至少包括： 本體’設有複數喷孔，各該噴孔係具有〆入口端 以及一出口端，該入口端及該出口端係呈重心位置偏 移圖案中心點且左右對稱之幾何結構。 2. 如申請專利範圍第1項之噴霧裝置之噴嘴片，其中， 或中心點係為該幾何結構之外接圓圓心。 3·如申請專利範圍第1項之噴霧裝置之噴嘴片，其中， ❹ 該重心係為該幾何結構之質心。 4. 如申請專利範圍第丨項之噴霧裝置之喷嘴片，其中， 該本體復包括溝渠。 5. 如申請專利範圍第4項之噴霧裴置之喷嘴片，其中， 該溝渠係呈陣列分布。 6·如申請專利範圍第1項之噴霧裝置之喷嘴片，復包括 致動器，該致動罴結合於該本體，用以驅動該液體霧 化。 〇 7.如申請專利範圍帛6項之噴霧裝置之喷嘴片，其中， 該致動器係為壓電致動器。 8.如申請專利範圍第7項之喷霧裝置之喷嘴片，直中， 該壓電致動器係選自壓電環、壓電片及壓電㈣ 中一者。 9_如申請專利範圍第6項之喷霧裝置之喷嘴片之製法， 其中’該致動器與該本體之接著區域係包括複數噴 110ΠΟ 20 200940182 1〇·如申咕專利辜11圍第1項之噴霧裝置之噴嘴片，其中， 該本體係選自電鑄本體、金屬本體及非金屬本體之其 中一者。 、 1 ·如申明專利範圍第1項之噴霧裝置之喷嘴片，其中， 该喷孔係選自呈陣列分布及環狀分布之其中一者。 12·，申5月專利範圍帛1項之喷霧裝置之喷嘴片，其中， 5亥嘴孔之幾何結構係為具尖端之幾何結構。 13. 如申請專利範圍f 12項之喷霧裝置之喷嘴片，其中， 蟾該噴孔之幾何結構係選自等腰三角形、錐形及心形之 其中一者。 14. 如申晴專利範圍帛12項之噴霧裝置之噴嘴片，其中， 該喷孔之幾何結構之尖端係朝向本體之内侧。/、 15. 如申请專利範圍帛11項之噴霧裝置之喷嘴片，其中， 該喷孔之幾何結構之尖端係朝向本體之外側。、 1申請專利範圍第i項之喷霧裝置之噴嘴片之製法， ❹ /、中，該出口端之表面係可塗佈抗潤濕材料。 •-種噴霧裝置之喷嘴片之製法，係包括： 提供導電層； 呈重上形成複數絕緣層’且該些絕緣層係 位置偏移圖案中心點且左右對稱之幾何 於該導電層外形成電制，並外露部分_層| 移除該導電層及該絕緣層以形成本體太 該電鑛層形成複數具有入口端及出口端之喷;:本= 110770 21 200940182 ,:口’端及該出口端係呈重心位置偏移圓案 左右對稱之幾何結構。 ”” i ，申：專利範圍第17項之噴霧裝置之喷嘴片之製 二其:，該中心點係為該幾何結構之外 心。 19.如申料利I㈣第17項之喷霧裝置之噴嘴片之製 法’其中’該重心係為該幾何結構之質心。 e 2〇·如申請專利範圍第17項之喷霧裝置之喷嘴片之製 2 ’其中，該本體於該電錄層形成複數溝渠，該導電 ^上形成的複數絕緣層包括複數用以形成該噴孔的 緣層以及複數用以形成該溝渠的第二二 層’利用電鑛製程於該導電層上形成電鑛層後而使部 /刀絕緣層外露的絕緣層係指該第-絕緣層，且該第二 絕緣層則被該電鍍層所覆蓋。 / 21.如申請專利範圍第17項之喷霧裝置之喷嘴片之製 法，其中，該本體於該電鑛層形成複數溝渠，該導電 層上形成的複數絕緣層包括複數用以形成該入口端 的第一絕緣層、複數用以形成該出口端的第二絕緣層 以及複數用以形成該溝渠的第三絕緣層，該第二絕緣 層係形成於第一絕緣層上’且該第二絕緣層的面積小 於該第—絕緣層，利用電鍍製程於該導電層上形成電 鍍層後而使部分絕緣層外露的絕緣層係指該第二絕 緣層三而該第-絕緣層則被該電鑛層及該第二絕緣層 所覆盍，且該第三絕緣層則被該電鍍層所覆蓋。 22·如申請專利範圍第2〇項之噴霧裝置之喷f片之製 Π0770 22 200940182 法’其+ ’該溝渠係呈陣列分布。 23·如申請專利範圍第17項之噴霧裝置之噴嘴片之製 中°亥貝孔係選自呈陣列分布及環狀分布之其 中一者。 24·如申請專利範圍第1?項之喷霧裝置之喷嘴片之製 法其中，肖喷孔之幾何結構係為具尖端之幾何結構。 5· 士申叫專利範圍帛24項之噴霧裝置之喷嘴片之製 法八中，戎噴孔之幾何結構係選自等腰三角形、錐 ❹ 形及心形之其中一者。 士申"月專利範圍第25項之噴霧裝置之喷嘴片之製 法其中，5亥喷孔之幾何結構之尖端係朝向本體之内 侧。 27. 如申叫專利範圍第託項之噴霧裝置之噴嘴片之製 法，其中，言亥幾何結構之尖端係朝向本體之外侧。 28. 如申切專利範圍第丨7項之喷霧裝置之喷嘴片之製
    法，復包括於該本體上結合用以驅動進入該入口端之 液體霧化的致動器。 29. 如申請專利範圍第28項之喷霧裝置之喷嘴片之製 法’其中，該致動器係為壓電致動器。 < 30.如申請專利範圍苐29項之喷霧裝置之 法’其中，該壓電致動器係選自壓電環、 電塊材之其令—者^ 喷嘴片之製 Μ電片及壓 31·如申請專利範圍第28項之喷霧裝置之喷嘴片之制 法，其令，該致動器與該本體之接著區域係包括複= ]]〇770 23 200940182 噴孔。 32. 如申請專利範圍第1 7項之噴霧裝置之噴嘴片之製 法，復包括於該出口端之表面塗佈抗潤濕材料。 33. 如申請專利範圍第17項之噴霧裝置之喷嘴片之製 法，其中，該些絕緣層係利用黃光製程及印刷製程之 其中一者形成於該導電層上。
    24 110770
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