TW200931514A - Method of forming etching mask, control program, and program storage medium - Google Patents

Description

200931514 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 【0001】 本發明係關於一種蝕刻遮罩之形成方法、控制 程式及程式記憶媒體，其用來形成對半導體晶圓等基板實施電漿 姓刻等姓刻處理時所使用的银刻遮罩。 7 【先前技術】 【_2】 在習知的半導體裝置的製造步驟中，係對半導

Ο =圓等基板實施電雜刻等的侧處理，以形成微細的電路圖 案等。該等侧處理步驟，顧由制光_微影步驟 刻遮罩。 目·^U 步驟’為了對應形成圖案的細微化， 不關技術。其中之…有所謂雙重圖案成 莖ΓίΓ成形技術，係先實行第1遮罩圖案形成步驟， 驟H用! 步Γ之後再實行第2鮮圖案形成步 驟比起利用1次圖案成形步驟就形成姓 丨·！又，就使用於光阻曝光之初縮遮罩應用光學近 correction; op« 對於單純直線i的=荦在的初縮遮罩中，相 如，开π如圖“ f罩案成較簡單的圖案，然而，例 等的所不那樣的L字型的遮罩圖案（光阻圖案）1 2 罩圖案時’則使用於曝光的初縮遮罩會形成如 圖4 (b)所不圖案2那樣複雜形狀的圖案。 [專利文獻丨]特開2007 — 027742號公報 200931514 【發明内容】 [發明所欲解決的問題] 罢<^ii〇05】 如上所述，在習知技術中，於形成L·字形之垆 雜厂❾非直線狀的細微遮罩圖案時，初縮遮罩的圖案會變複 ❹ ❹ ^0006】 又，該等L字型的遮罩圖案等，若利用镩番圖 ^，技術’喃㈣1鮮圖絲成轉卿成的直線狀圖案， ^ 2料圖轉成步騎戦的直雜職所構成的話义如 34個直線狀圖案之間空有間隔的話，則2個直線狀圖占 2狀態，若使用該等遮罩圖案形成閉極等^圖^^ 會處於通電連接被切_狀態。 ㈣則該’ 【0007】因此’必須使2個直線狀圖案的端部突出而重 疊’以免2個圖案分開未連接。但是，哕穿屮吾 圖案接觸而產生短路。是故，雖有考慮利用钱刻將Σ月出匕 的方法，惟重疊部分的控制（綴合控制）卻變成很繁雜 =G8】冑鑑於相關問題，本發明提供-種钱刻遮罩之 制ΐ式以及程式記憶媒體，其不使關案複雜的初 ΪΪί 的精密度形成具有非直線狀之細微圖案的姓 [解決問題之技術手段] ^si°+〇〇9]請求項1係一種爛遮罩的形成方法，該敍刻 遮罩用來對絲上的祕㈣侧既定_，其特徵為：具有第ι ，罩圖案形成步驟’以及在該第丨遮罩圖案形成步驟之後進行的 ^遮罩圖娜成步驟；該第丨鮮圖飾成步騎形成的第工 圖案，與該第2遮罩圖案形成步驟所形成的第2圖案，至少具有工 個重疊部位；該第1遮罩圖案形成步驟，具有第（圖案修整步驟， 以及第1遮罩侧步驟；該第2遮罩圖案形成步驟，具有第2圖 案修整步驟，以及第2遮罩蝕刻步驟；至少i個的該重疊部位， 200931514 _ =案=使突出部分的突纖少。 記載之侧遮革的形成方法之===成方法，，如請求項1 罩t以二成於該第2遮罩層具二成ιΤ: 案；在該第2遮罩圖案形成步驟mi罩層上形成τ1圖 圖案。 於这弟2遮罩層上形成該第2 ❹ ❹ 或是形成方法，如請求項1 圖案【2?叠部，中的同—直線上不存ί第1圖案與該第2 〜3中任-項記載=3遮4罩m鮮的形成方法，如請求項1 步驟同時進行修整，將mum中，該第2圖案修整 【_】請S第Λ i的長度修整到既定長度。 控制姓刻遮罩形成裝置，在電腦上運作’ 徵工執載^ 上運=程式請 2ί:Γ基板上的被‘==:軍=: 形成裝置執行請=】 [對照先前技術之功效] 罩方法【:二;=:媒口 便能卿嶋 200931514 【實施方式】 【0016】 以下，參照圖面就本發明一實施形態説明之。 【0017】_ 圖1係本發明之實施形態的半導體晶圓W其一 擴大示意圖。該實施形態，如圖中一點鏈線所示的，係使 ς直線狀之曝光圖案1〇的初縮光罩，以及具有直線狀之曝光 — it的初縮光罩共2個初縮光罩，並以直線端部重疊的方式進 ί :，而在半導體晶圓w上形成約略L·字型的蝕刻遮罩。像這 有肖部之非直線狀轉細案，而係使用具有直線狀之 固初縮遮罩’可簡化0Pc模型，如圖4所示的，便 〇 無/頁使用複雜圖案的初縮遮罩。 印直口體晶圓w上的光阻11進行曝光，轉 形狀對光阻11進行顯影處理，留下曝光圖案 s；%f2 a1)1： 案收=L〇i寬度接第1圖案修整步驟，使光阻11的圖 © 【0021】接著，將收縮過的光阻u圖荦告作逆置 i遮罩侧步驟，_作騎丨鱗層的==進二丁第 ⑷。在此狀態下，除了 阻u 層（第2遮罩層）13。 1 77會露出下層的ShN4 【0022】 以上的步驟，係第 半導體晶圓W上形成直線狀的第i _，、、、』，成步驟，其在 遮罩層的制2層12所形成。接著，繼續二：案:二乍為第1 圖案形成步驟。 丁乂下所不的第2遮罩 【0023】第2遮罩圖案形成步驟，先在轉 %隹牛導體晶圓f上 200931514 再次塗布光阻14 ’使用第2初縮遮罩，對光阻14進行曝 直線狀的曝，圖案15 (e)。又，圖2 (e)係表示光阻u經^ 影之後的狀悲。在該步驟中，先對準位置再轉印曝光圖案你 案二的突層12所形成之直線狀的第1圖案的： 【0024】 接著’上述顯影處理後留下曝光圖案形狀φ ❹ 【0025】 接著，進行第2圖案健步驟，將光阻14 ===度，、(g)。此時，控制收縮量，= 出罝C圖2 (f)所不長度l)在既定量以下。 杆莖’把經過收縮的光阻14的圖案當作遮罩進 16， 【0027】 藉由以上步驟’便可形成約略l字型的細碑 j，使用該約略L字型的侧 ❹ 刻，將多晶石夕層16形成約略L字型。 夕曰曰7層ib進仃钱 的構造的G2—i施例n用來實施上述_遮罩形成方法之裝置 導體晶圓内部财用來運送半 33，其可载置收納有半導體曰f數的載置部32、 置I其用來測量期望在半;體晶圓; 200931514

尺寸（critical dimension ; CD)。又，沿著運、篆A 向在另-邊（圖中上側）設有複數的電浆 =31的長邊方 其用來對半導體晶圓W施以麵刻處理。 處理# 35、36、37， 【0030】又，在運送部31-邊端部卜执$ 導體晶圓W位置的位置對準裝置抑。° ^置^用來對準半 機構從載置部32、33所載置之卡£或是箱部31的運送 之後，先運送到位置對準裝置34，;:内取出半導體晶圓W 到各電漿钱刻處理部35、36，以及測置之後，再送 並測量圖案所期望部位的臨界尺 / =進仃蝕刻處理 w會再次被送入載置部32、33 ^ 半導體晶圓 【0031】 上述穿詈的夂m Λ^卡匣戍疋裀盒内收納。 :。程序控制器50連接著使用者介ϋ係===50所控 部52【:】_=ί==ίΓί=52，該記憶 式’或因應處理條件讓裝置的各 义只丁^種處理的控制程 ❹ 入記憶部52的既定位置進柄財域舰内再放置 透過專用線路，傳送指令群。再者，亦可從其他裝置’例如 控制下讓該裝置進行吾人軸實行，雜序控制器5〇的 C® 2 餘刻處理，便可形成钱刻ii _刻處理，以及祕層16的 200931514 【圖式簡單說明】 圖1係本發明一實施形態的概略構造的示意圖。 圖2(a)〜（i)係本發明一實施形態的步驟的説明圖。 圖3係示意圖，表示實施本發明之裝置的一實施形態的概略 構造。 圖4(a)〜(b)係習知技術説明圖。 【主要元件符號說明】 W〜半導體晶圓 1、2〜遮罩圖案 ❹ 10〜曝光圖案 11〜光阻 12〜Si〇2層 13〜Si3N4 層 14〜光阻 15〜曝光圖案 16〜多晶矽層 31〜運送部 32、33〜載置部 Q 34〜位置對準裝置 35、36、37〜電漿蝕刻處理部 38〜測量裝置 50〜程序控制器 51〜使用者介面 52〜記憶部 11

Claims (1)

1. 200931514 十、申請專利範圍： 上的 _ 該第1遮罩圖案形成步驟所形成的第i圖案， 圖案形成步驟所形祕第2 _，具有至少 重、二$，'、罩 〇 遮罩=罩圖案形成步驟’具有第1圖案修整步二第〖 罩圖案形成步驟，具有第2圖案修整步驟，以及^ 使刪第2圖齡整步驟進行修正， 2、 如申請專利顧第i項之_遮罩的形成方法， 圖案在該第！遮罩圖案形成步驟中’於該第1遮罩層上形成該第ι 圖案在該第2遮罩圖案形成步驟中’於該第2遮罩層上形成該第2 3、 如圍第1或2項之侧遮罩的形成方法，复中， 4、 專該重疊部位非在同-直線上。 其中申縳如圍第〗至3項中任一項之侧遮罩的形成方法， 定長ίϋ整圖案修整步驟同時進行將該第2圖案的長度製作成既 控^程式產品’錢腦上運作，控槪形成穿詈， 執仃時’會控制_刻遮罩形成裝置，使該裝1實；;寺#專 12 200931514 利範圍1至4射任—項之侧遮罩的形成方法。 6置;巧^記憶?體’記鳴有控制程式，該控制程式可在雷r卜 運作，该電腦用來控制蝕刻遮罩形成 ，細上 板上的被蝴層姓刻出既定宰^二用來對基姓刻遮罩形絲置實J 繼侧鮮戦裝置，使該遮罩的形成方法/的睛專利翻第m射任—項之_ 十一、圖式： Ο 〇 13