TW200919526A - Interface device for photomultiplier tube - Google Patents

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200919526 九、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 之連接介面裝置 本發明係有關一種連接介面，★、立a 垃種光電倍增管 【先前技術】 ? 1953 ^Browe11 掃描^ (ΡΕΠ)二如嶋an發明正子射出性電腦斷層 ^Z7 tlon detect〇^^^ ^ 曰曰，scnitmahon crystal，將厂ray光子轉換成閃燦光 减。晶财謂著光電倍增f phGt_ltiplier她，其 中彳©光陰；pho toca thode利用光電效應將閃爍晶體發 出的閃光訊號轉成光電子射出，f接著為料加有綱侧V 電壓的dynode，光電子撞擊dyn〇de發生二次射出咖⑽細 em1SS1〇n放出許多二次電子，經過數個dyn〇de的碰撞、再射 出’逐漸的將電子訊號放大，最後由陽極_de收集所有的 射出電子，變成脈衝訊號輸出，輸出訊號的高低正比於光陰 極接收到的嶋光子數。經由光電倍增管，—個微弱的光訊 號可放大極高的倍率’放大率與加在dyn()deJi的電壓大小有 關。 早期PET採用Nal(Tl)晶體，但是由於光子能量達到 5111eV Nal(Tl)晶體無法非常有效的將^—ray光子轉換成閃 爍光訊號，必須增加晶體厚度，但是如此卻使影像解析度降 低。接著’偵測效率較高的 BGO(Bi3Ge4〇,2)(BismuthGermanate) 200919526 晶f被廣泛的使用在正子掃描儀上，目前市面上的正子掃描 儀白採用 BG0 日日體。Ls〇(LutetiUm 〇xy〇rthosilicate)晶體 比^⑶晶體密度高’良好的阻擋本領stoppingpower轉換效 率南’但由於造價和製造技術問題尚未被市場大量採用。 一=茶閱圖一所示，該圖係為習用之閃爍晶體偵測模組立 ，示〜圖名用之閃爍晶體偵測模組1結構具有一閃螺晶體 f兀」°、一光電倍增管模組11以及一電路基板13。該閃爍 r 曰曰曰體單凡10 *由複數個閃爍晶體如Nal、LS0或者是BG〇等 晶體排列成_的方式所構成。絲電倍增管戯u之一端 則與該_晶體單元1G相偶接，以接收__晶體單元1〇 所，遞之光訊號並將糾訊號轉換成電訊。該光電倍增管模 ^之另-端具有複數個針腳12與該電路基板 連 =電路基㈣係為一電路板，該電路板上面 =2 ,接的接點14。在電路基板13之中_立呈有 電性連接座15，該電性遠 I位具有 mm…連接座係與该電性接點14相連接， 、士t、連接^ 150與影像解析系統( 是單光子造影系統等）相連接，以將雷心糸統或者 統。 Μ目連接M將電轉遞至影像解析系 些缺點， 例如： 不過在圖一之閃爍晶體偵測模組中丨存在著— ♦ 1. ，於該針聊12與該電路基板13間並無料 容易造成針腳12的損壞，而且針腳12外^易 頻雜訊，且使用者容易嘩總古两▲ 路易產生咼 2. 另外’對於光電倍增管模組=危險。 的方式連接到電路基板13上，因此不但在 200919526 便，而且當光電倍增營右和^ ± 用者之_。 ’更_品也成為使 3. 電路基板13與另一雷敗 座15配合排針連接，因装間只使用電性連接 不易穩固，因此必須與電路基板16 的電路使用面積。員外加上螺絲固定，造成不必要 4. 為避免ΡΜΤ針腳12誤觸電路基板 必需將ΡΜΤ針腳12向内之包14電路， 13貼合。綜合上述，因此二致*無法與電路基板 面裝置以及使㈣裝置之=此亟$—種錢倍增管連接介 所產生之問題。 AU晶體偵測模組來解決習用技術 【發明内容】 本發明提供一種光電仵 倍增管與該連接介面間裝置，其中該光電 :管之電性接腳，增力他 制於連接 保護；倍增=連: 在一 能性之基板的連接更具便利性 置，包括二1二3_供一種光電倍增管連接介_ 路基板，=有複數個電性接卿； 面係具有稷數電性接點，其係分別與 200919526 該複數個電性接腳作電 具有了 _，其係與該電，二= 蝶晶體單元相偶接，該光電倍其係與該閃 接腳；以及-電路基板，^之别端具有複數個電性 係分別與該複數個電性接腳電有複數電性接點，其 側面在周圍具有—連接座，板之另— 在另一實施例中，[接，站作電性連接。 間更具有-電性基座。母—個光電倍增管與該 電性間點之 與該電性接點作電:連;:電更開設複數個電性通孔 過 通孔可提供該電性接腳通 【實施方式】 為使貝審查委員能對本 進一步的認知與瞭解，τ =\目的及功能有更 構以及設計的理念源由進行訓χ 的相亂細部結 本發明之特點，詳細__如下：審查匈可以了解 接裝二為本發明之光電倍增管介面連 面連接裝置本實施财，該光電倍增管介 該光電倍增雜ί ；〇 |^_組2G Μ—電路基板… 例中，係利用四支：==z201，在本實施 曰吕201、，且成個早—光電倍增管 200919526 模組20。至於光電倍增模袓2〇 而定，並不以本發明之實施例為^倍增管數量可根據需求 為本發明之光電倍增管料另—’^如®人所示，該圖係 施例中，該光電倍增管模 y ^立體不意肩。在本實 請參閱圖三以及圖四所干^先電倍增管202所組成。 示意圖;而_為光 之電性基座組合立體示意 仏U與電路基板上 Γ 僅以其中之-光電倍增管2〇1^ /該光電倍增管模組 耵端具有複數個電性接腳2〇1〇。而、:個光屯倍增官201 增管模組對應之—側面 路基板21與該光電倍 基板21上具細_:有23^電._叫。該電路 230’每一個電性基座23與-光3電ϋ具:二广電性插孔 性基座23上夕带认以， 工电彳口、官2〇1相對應。該電 2010相對j 23G則與光電倍增f 2G1之電性接腳 子對應以楗供容置電性接腳2010。 電倍;;1:=二：五β所示，該圖係為本發明之光 °^7Κ" t之電性接點此 土板21上間设電性通孔212與圖三 倍增管212可提供光電 , 电接腳2010通過，使得光電倍i#管201 者Ϊ產二Γ讓電性接聊_免於裸露以產生高頻雜訊或 的上的問題。藉由圖四以及圖五A之設計成插座 唯^ 避免料的_，使得光電倍增管之組裝以及 ，准修更為方便與簡便。 再回到圖二以及圖三所示，該電路基板21之另-側面周 200919526 ，二有、电性連接座22’其係與電路基杯 作電性連接，紐接點21。與電性接二之紐接點21。 :係=該電性連接座22可與該光電 連接在本貫施例中，該電性連接座 &作電性 接座，但不以此為限。藉由電性連接座22、0^岭狀的連 路基板21之空間更為完整以利日後進可以讓電 而避免如圖一之設置於中間之電 ===進 設計的不便。 阳化成電路佈局 請參閱圖六所示，該圖係為本發明之 實施例立體示意圖。在本實施财 =^貞剛模組 日+ 〇 ^ J T ^閃爍晶體偵測桓紐q ，、有-閃肆晶體單元30、一光電倍增管模組3ι以及一命段 板32。該閃燦晶體摘測模組3可以利用正子造^檢^ (Positron Emission Tomography，PET)或者是單光子造^檢 測（Single Photon Eniission ToHiography，SPET)等，{曰不 此為限。至於該閃燦晶體單元3〇與光電倍增管模組Μ間之 運作方式，係為習用之技術，在此不作贅述。另外，該閃爍 晶體單元30，主要是由複數個閃爍晶體排列成陣列的形式二 在本實施例中，該閃爍晶體係可選擇為碘化鈉（NaI)、錯酸 ^ ( Bismuth Germanate, BG0 )或石夕酸镥（Lutetium Oxyorthosi 1 icate，LS0)等晶體，但不以此為限。至於該光電 倍增模組31以及該電路基板32之結構特徵係與圖二相同， 在此不作贅述。 請參閱圖七所示，該圖係為本發明之閃爍晶體偵挪模組 另一實施例立體示意圖。在本實施例中，該閃燦晶體價測模 組4具有一閃爍晶體單元40、一光電倍增管模組41、〜第一 200919526 電路基板42、一第二命 該閃爍晶體單元4(^\；^4^及—第三電路基板仏 42係與圖六相同， 曰呙、'且41以及該第一電路基板 具有可與該第1路其述。該第二電路基板45之一侧 之連接座44。該電性^接庙電性連接座43作電性連接 因此可使該第一電路A拓盥、邊連接座44由於相互偶接， 电路基板42與該第-雷玫 更為穩固，並保護光電倍 弟一電路基板45間之結構 -t^47 曰^之電性接腳針腳不外露。該第 f、' 連=第插座46 _二電_ 45作電性 功能之丨45以及該第三電路基板47整合了多 路4 ’以利後續進行訊號處理。此外，由於夢由 ΐ路連接Φ座43之設計，使得第—電路基板42與第二 t基之中間區域空出空間，因此可以做較完整之電路 明亚且有效減少電路面積。唯以上所述者，僅為本發 明之較佳實施例’當不能以之限制本發明範圍。即大凡

發明申請專難_做之均等變化及修飾，仍將不失本發明 之要義所在，故都應視為本發明的進一步實施狀況。 X 綜合上述，本發明提供之光電倍增管連接介面裝置以及 使用該裝置之閃爍晶體偵測模組，具有保護光電倍增管接腳 以及便於組裝以及更換之優點。因此，可以滿足業界求， 提高該產業之競爭力，誠已符合發明專利法所規定申^發明 所需具備之要件，故爰依法呈提發明專利之申請，謹唷"主 審查委員允撥時間惠予審視，並賜准專利為禱。 貝 1200919526 【圖式簡單說明 圖一係為習用之 圖二係為本發明 圖。 =明體偵測模組立體示意圖。 光電倍增管介面連接裝置實施例立體示意 圖三係為本發明之電路基板電性接點示意圖。 圖四，為光電倍增管與電路基板上之電性基座 體示意圖。

1::五β係為光電倍增管與電路基板連接另-實施例 圖六係為本發明之閃爍晶體制模組實施例立體示意圖。 圖七係為本發明之_晶體❹m組側視示意圖。〜 圖j為本發明之光電倍增管介面連接裝置另—實施例立體 【主要元件符號說明】 〇 1 -閃爍晶體偵測模組 10-閃爍晶體單元 1卜光電倍增管模組 12-電性接腳 13 ' 16-電路基板 14- 電性接點 15- 電性連接座 U0-連接端 200919526 2- 光電倍增管連接介面裝置 20- 光電倍增管模組 201-光電倍增管 21- 電路基板 210、211-電性接點 212-電性通孔 22- 電性連接座 220-電性插孔 23- 電性基座 230-電性插孔 3- 閃爍晶體偵測模組 30- 閃爍晶體單元 31- 光電倍增管模組 32- 電路基板 33- 電性連接座 4- 閃爍晶體偵測模組 40- 閃爍晶體單元 41- 光電倍增管模組 42- 第一電路基板 43- 電性連接座 44- 連接座 45 -第二電路基板 46- 插座 47- 第二電路基板

Claims (1)

1. 200919526 十、_請專利範圚_· i. 一種光電倍增營連接介岭置，包括·· 光電倍增模聋且，立二山 ―電路基H側=具有概個電性接聊；以及 該複數個電性接腳作數妾點，其係分別與 Γ 周園具有1性連接座，愈^路基板之另〜側面 2接。 I其係與该電性接點作電性連 如申請專利範圚第 其令該光電倍增模更電倍增管連接介面裝 電倍增管、更有稷數個光電倍增管，畚 h申姓曰直^刚端具有該複數個電性接腳。曰s母〜個光 F凊專利範園第2愈、+、 安判 其令每-個光電;^之光電倍增管連接介面裝 4广座。 “與輪間點之間更具有3性 ^專利範園第] ::該光電倍增模組更具有二=物面裝置， 5,請專她，複數個電性接腳。 ’ 其令每=4項所叙光電倍增管連接八㈣ y母一個光電 曰g連接η面裝置， 6 /座。 與5亥電性間點之間更具有1性 二專利範圍第】項所述之 中垓電路基板上# 、> 曰吕連接介面褽置， 7作電性連接，該ΐ生^:f電性通孔與該電性接點 •、銜氣日日體_模二包=供該電性接腳通過。 〜閃爍晶體單元； 14 200919526 :增模組之前端具有複數個 —電路基板，其—側面係^生接腳；以及 該複數個電性接聊作電性^數^接點，其係分顺 8 4與錢性接點作電性連 η °月專利範圍第7項所 光電倍增楔組更且右μ爍晶體偵測模組，发 ㈢犋、'且更具有m數個光電户择总^ 其中該 9.如申可端具有該複數㈣性接腳。…’母〜個光電倍增 所述，晶體偵測模組，其中每 10·如申^ 與该電性間點之間更具有1性心 >專利範圍第7項所述之閃 丨土座。 2倍增模組更具有四個光電倍增管，i =組:其中ΐ U ”財該複數個電性㈣。 《電倍增官 12•如;具有二性基座: 讀閉Γ專„弟7項所述之閃爍晶體偵·組，其中 l3. ★、晶體單元係為一陣列式之閃爍晶體單元。/、 14，晶體單元係由二晶 4=範圍項所，晶體偵㈣組，其中 15 樂日日肢早兀係為BGO閃爍晶體所構成。 ^申f專利範圍第7項所述之閃燦晶體_模組，其中 Θ爍晶體單元係為Ls〇閃爍晶體所構成。 15 200919526 16.如申請專利範圍第7項所述之閃爍晶體偵測模組，其中該 電路基板上更開設複數個電性通孔與該電性接點作電性 連接，該電性通孔可提供該電性接腳通過。

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