TW200832052A - Device for generating haze on a photomask - Google Patents

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TW200832052A
TW200832052A TW96145173A TW96145173A TW200832052A TW 200832052 A TW200832052 A TW 200832052A TW 96145173 A TW96145173 A TW 96145173A TW 96145173 A TW96145173 A TW 96145173A TW 200832052 A TW200832052 A TW 200832052A
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Gun-Sup Go
Hyun-Jung Kim
Seung-Hwan Eom
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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Description

200832052 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種在光罩上座』 特別是有關於這樣一種在光罩上 ^扠糊的裳置,並且 成長缺陷(growth defect)。 、先罩的表面上之 【先前技術】 或更短波^^= 7為遍臟 波長為193nm之雷射身的ArF進心衣耘。例如,發射 泛地使用。然而,當波長為200和刀:(excimer)雷射器被廣 射到光罩坏^罩^2=她峨的雷射束照 糊。姓果,光、、上產生成長缺陷形式的模 1 了 ϋ 變差且光罩的壽命也被脑。因此, 2 2的毒生原因以及提供防止模糊產生的方法 ’而θ種在光罩上人為地產生模糊的裝置。 一立圖1 7^會不在光罩上產生模糊的習知裝置魔之構造 1 ’模糊產生裝置1〇0’包括發射波長為 二ϊίΓΐ射束的雷射發射單元1〇,;處理雷射束使 1Γ ^ ^ΓέΓ fI ^ ^ ^ ^ if (energy distribution) ,先子糸、洗’以及其中設置光罩1的處理室40,。光學系統 =夕個鏡片31、32’以及33,;處理雷射束之形狀的^遠 均勻地處理雷射束之能量的均勻器35’ ;以及調節 田射束之焦點和尺寸的聚焦透鏡36,。窗口 41,和42,安裝於 處理室4〇’的上部和下部,雷射束通過窗口 4Γ和42,。^束 200832052 AWHZjpif.doc 1〜及能量計避和 ,於處理室4G,的上方和下方,能量 ^ 束…t之雷射束的能量。電二1义里測^刀 (Charge-coupled device_ 9,ι二二輕 測在光罩的表面上是否產於處理室雜,上方並監 氣體的氣體供應請/及^^=4㈣連接到供應 同樣,騎在鮮上:^^元心 台匕旦斗ςΓη,仏曰丨 耵束的/尹月匕I (net energy)由 月匕里计502所1測的雷射束能量以及分束器$ I) 決定,並且在模糊產生之前B„身$ ° 、、射午 处 則植生之L到光罩上之雷射束的累積 此里(accumulated energy)藉由將模糊產沾二、 束的每個淨能量相加而成。域生之政射的雷射 同日寸’月b影響权糊之產生的變量竇古 立1 累積在光罩上之雷射束能量的大 所希望地、些變量應該由研究者如 然而,在上述模糊產生裝置中,研究 ^ 生之前將所希望的能量強度之泰4+击 ’、、、去在杈糊產 η木干6 田射束照射到光罩上。也就 二束與氧g時’雷#束的能量降低。铁而,習 ,考慮雷1束雜量肩麵補況 失由處理室内的氧引起,因而雷射击从 里此此1相 存在誤差。束的淨能量和累積能量 此外,儘管在產生模糊之前應該將 強 射東照射到光罩1±,但在習知、^度的岳 衣置中,從雷射發射單元 200832052 ^pii.doc 10’發射的雷射束由光學系統處理後 = 40,沒有調節雷射東的咖 畜入射到光罩的雷射束能量隨著時間因牛^ ^即使 I:時;方法能防止雷射束的心 此外,當由處理室内始护样m 王又化。 度、濕度以及氣體成分)引起理室内的溫 :?!:沒有f處理室内的這些環 的>尹能1以及累積能量無法精確地確 所〜射束 r翔產生之前如所希望地控制處理室:中:= 以及上=二系統、窗“一, 口和分束ϋ反應。結果,0 =:別與光學系統、窗 染,並且通過被污染的光學:絲、、、办* 口以及分束器被污 的能量降低。因此,雷射束的淨能:以 =内;r射束的能量強度無法恆定二r法準確 本發明是有關於-種具有改良 —她咖丄献良馳!射模糊產生模 度的雷射束照射到光罩上,準妯旦了 量肆 射束能量大小以及控制處理室内的二 =在光罩 J0 200832052 ^~ττ^ριΓ. doc 的形狀以及能量分佈;處理室,財絲於處魏上並 由透明材質形成的窗口以及形成於處理室中的:射 束通過此窗Π,此空間可設置光罩並填充處理氣體,: 與外界隔離;以及衰減器控制單元.,.基於入射 射束的入射能量強度來控制衰減I,使得預 = 度的雷射束照射到光罩上。 1此里鉍 根據本發明,照射到光罩上的雷射束的淨能量強产以 及在模糊產生之前照賴光罩上的雷射束㈣雜量ς準 確地量測。 同樣,預定能量強度的雷射束可持續地照射到光罩上 此外,可如所希望地控制處理室内的濕度。 【實施方式】 …又 在下文中,將參照附圖詳細地描述本發明的實施例。 圖2是繪示根據本發明的一示範性實施例在光罩上產 生模糊的裝置之構造示意圖。圖3是方塊示意圖,綠示用 於圖2所不的在光罩上產生模糊的裝置内的衰減器的控制 過程。圖4疋方塊示意圖,繪示當圖2所示的在光罩上產 生模糊的裝置内產生模糊時發.出警報的報警單元。圖5是 —一方塊示—意圖,繪示控制_ 2一所示的〜處理室内的濕度之渴二 控制單元。 ^ ^ 參照圖2至圖5,根據本發明的實施例之在光罩上產 生模糊的裝置100包括雷射發射單元丨〇、衰減器2〇、光學 系統30、處理室40、監測單元49、能量量測單元5〇和= 以及濕氣供應單元60。 11 f.doc 200832052 元 雷射發射單元10產生並發射雷射束。雷 10產生並發射波長為2〇0nm或更短波長的雷射走x,士單 波長為193nm的準分子雷射束。 、,例如 '衰減器_20_衰減並控制從雷射發射單元1〇 量。藉由調節衰減器2。的角度來控制雷‘束 光學系統3G處理雷射束,使得f射有 學系統3。包括第一鏡片31、= μ弟二,33,各鏡片分別反射雷射束;設置於第一鏡 狀3L1:;鏡:32之間的望遠鏡34以處理雷射束的形 、’ °又;罘一鏡片32和第三鏡片33之間的均勻器35 f射束的能量;設置於均勻器35和第三鏡片 以防止藉由雷射束的燒射(撕action)形 1、‘。/’士以^調節雷射束之焦點的投影透胁roj ection φ 5例中,能量強度由衰減器20調節的雷射 入叙々:二t系統3〇以進行處理並朝處理室40發射。 安狀空間形成於處理室40内。臺架(未圖示) 1 Γ ^ ^ 4〇 ^41 光:夺統:〇以„6的透明材料(例如玻璃)形成。因此,由 氧氣(〇2;、二40填充處理氣體,例如,氨氣(蘭3)、 平才、2 Μ 2、二氧化硫(S〇2)等的混合物。量測處 12 xf.doc 200832052 理室内的處理氣體之成分比率的氣體傳感器43以及量測 處理g室内,度之濕度傳感器44安裝於處理室4〇内。“ 監測單7L 49安裝於處理室40上方。監測單元49於制 在光^的表面上是否產生模糊。使g 荷耦:::式相機作為監測單元49。 用電 能量量測單元50和51分別安裝於處理室40的上方和 下方。能量量測單元5〇包括分束器、5〇1和量測從分
5η ^ ^ ^ *tf 502 5 * * "',J 胃Α 1以及置測從分束器511反射之雷射束的 =二512。設置於處理室4〇上方的能量計; 測入射到上窗口 41卜夕爺身+击Α 里 下方的能量計5^13,置,並且設置於處理室 量。 十12里測攸下自口 42發射的雷射束的能 二二括儲存水的水管61以及加熱元件62,在 ^由〜^七、^件62產生熱量以加熱水管61 °水管61 猎由澈氣供應管63連 / 應管64連接麻腐f處理室4〇°水管61藉域^ :木_ 性氣體(例如,氮氣)的氣體供庠哭 加熱元件62 的f巧㈣- 理室40的空間内。此外,、:氣供應管63供應到處 據引入水管61内的惰夂=處理室40的濕氣的量根 水管6!的惰性氣體越多= 的改變。也就是,供應到 同時,當施加動力時產生埶量^ \理室4〇的濕氣就越多。 熟里的加熱器67安裝於濕氣供應 13 200832052^ if^doc 料,魅6 W露雄w) 氣管66,if曰坌问日日 上撫氣供應管63連接到排 641 642 貫施例中,使用質量流I批 ^ 處理室4。連接到氣贿‘ 理室的内部供應處理氣體 飞m 45向處 應管46,氣赌縣46騎^二―f稍到氣體供 理室彳目、連接乳肢供應器45,並且處 内白^體第排氣管47 ’排氣管47排放處理室 切&刀I工制為48安裝到排氣管47 _ 控制排^的體積以悝定地維持處理室4 &空。^48 麵^咸器20、光學系統3〇以及上分束器划置於 =H破體39上形成流入痒39!和流出璋者惰 埠391引入並經流出埠心 山了哀減态20、光學系統3〇以及 露於惰性氣體環境,以防止& g /刀別暴 —光學·.—上分束器501的 不會降低,這在習知技術量— 下分束器5Π配置於獨立的殼體513,二 流入蟑5H和流出埠515並且情性氣_;:3 2 :=出物排出,防止由雷^^ •I氣體發射器η安裝在上窗D和下窗口^口幻 14 200832052
^u-r-f^pix.d〇C 附近並分別朝窗口 41 < 4 ^ 射束時可防止由於雷射束引==性氣體,使得當照射雷 括二模糊產生加 警單元8〇。 、早7°72、哀減器控制單元73以及報 射束:能量損失率儲::應:^理氣=各成分比率的雷 射束與處理氣體反應使得^束的能量損失率表示當雷 降低程度的數值。4:;:束 弓I起,但除了氧氣外的二失大部分是由氧氣 雷射東的能量損失率爻;^體,可以引起損失。因此, 射束的能量損失率可軋肢的成分比率而變化。雷 演算單元72 Z 錢·财賴得。 能量損失率,⑽=的人射能量強度和雷射束的 度,其中入射能量;度、由能= 情能量強 損失率從儲存單元 计)02里測而雷射束的能量 失率所表示的雷射束二旦。此時,讀取的雷射束之能量損 氣體的成分比率,此^率對應於處理 室内之處理 綠來說私實施^^由氣體,器43量測,並且 ^率。此外’演算單元72藉2束为1量€ 強度。 ^ A a 1次异雷射束的淨能量 200832052^ 厶 上 ί · doe 公式i '…1 其中Ep表示照射到光 ’ E!表示由能量計502 每射束的淨能量強度
示分束器训的_= 之雷財f入射能量強度,Tl I 表示演算之雷射束的能量σ 41的透射率,而I 如上文所描述的,淨管tm — 處理氣體利起之,+ =早7° 72藉由將處理室40内纪 入射能量強度來::f二%:的雷:束的 制單兀73基於演管的帝 在本,、苑例中,哀減器控 2 〇。也就是,衰減哭押制1、_之淨能量強度來控制衰減器 孩定的參考能量強r=;:t7,3#t5^f_度與 使得雷射束的淨能量強度變得^ f:2 0的角度, 此,1產轉_之_具有了^能罝強度相同。因 光罩I上。同樣,可以強度的雷数產照射到 光罩】上之雷射束的產生之前準確地量測照射到 報警單元80基於d 的時間點發出¥報^、未、發射能量強度在模糊產生 512量测。報警單元8〇 ^括=射能量強度由能量計 匕括心k'體81、確定器82以及報 16 200832052
^ yxf4 d〇C 警器S3。 -在記憶體81申#六魁― 時,處理條件藉由處理室子4。:於各處理條件的參考值。此 度以及照射到先罩. π的處理氣體的成分比率和濕 且參考值表示在各種處理度來確定,並 糊時之雷射束的發射 在光罩3的表面上產生模 m 驗來f,並且參考S據處又理考值藉由實 確定㈣接收處㈣:,件而發生變化。 壤度以及料料料氣m齡比率和 處理室之處理條件的 又、仗4體8】中讀取對應於 與參考值相同時的時間作為模束的發射能量 柄糊產生於光罩 生的蚪間。也就是,當 發射的雷射束的菸射\ β %,通過光罩1並從下窗口 42 報警5!!量強度變成與參考值相同。 知聲器用來作為報警器83。確定哭82在上本J施例中, 聲器輸出報警信號,使得揚聲器^聲Ϊ核糊產生時向揚 元卯根據本實施__產生裝置刚更包括濕度控制單 λΓ^ 40_ ^ 勺濕度維持在預定的參考渴度。渴;#^制罩5二—至内- 制單^ 9 i w乐二^門661 m閥門642的閥門控 92。 及控触量控㈣641的流量控彻控制單元 當濕度傳感器44所量測的濕度等於或小於預定的參 17
200832052 么 v7-rt外af,d〇C 考濕度時,閥門控制單元91控制第一和第二闕門631 661分別打開和關閉,使得濕氣供應到處理室4〇的空^ 内。此外,當濕度傳感器44所量測的濕度超過預定參 ^ 5 Μ H^f-IΨκ, 91^f1 -^ 631^ 661 ^ 關閉和打開,使得水管61 _濕氣經排氣f的排出」 防止濕氣供應到處理室4〇内的空間。此外,當模糊產生梦 t1〇0 f作時’閥門控制單元91控制第三閥門642 一直 開’使得惰性氣體供制減供解元的水管Μ。 同日士 tfi生裝置1〇0操作之前,第三閥門642打開, 二和弟二闕門631 *661分別關閉和打開,使得惰 姆66排出,以藉此移除形成於濕氣供應單: 白勺内i上:J壁上以及形成於濕氣供應管63和排氣管66 的内.土上的露水。因而,固宁旦 以維持期望的濕度 疋里的純供應到處理室40 ’ ,由流量控制器控制單元92可以增加或減少供應 濕度能夠在__參=^。’讀_40内的 引起tirr述的’在本實施例中,考慮由處理氣體所 失來演算雷射束的細。絲 糊產生之前光罩上之雷射束的淨能量以及在模 技術中不可能預期的。上之雷射束的累積能量,這是習知 18 200832052 zo^zpif.doc 此外,不像習知技術,由於調節衰減器的角度,可在 模糊產生之前將參考能量強度的雷射束持續地照射到光 罩。 ……此外、宙於研究者可如所希望地控制處理室—内的濕 度,由濕度的變化引起之雷射束的能量損失可以被最小 化。同樣,安裝在濕氣供應管外侧的加熱器防止形成於濕 氣供應管的内部上的露水引入到處理室内,以精確控制處 理室的空間内的濕度。 此外,由於光學系統、窗口、衰減器以及分束器暴露 於惰性氣體環境,防止雷射束污染光學系統、窗口以及分 束器以最小化雷射束的能量損耗。 同時,在本實施例中,儘管衰減器控制單元和濕度控 制單元是分開的元件,但它們也可以整合在一起。 同樣,在本實施例中,儘管考慮由處理室内的處理氣 體引起的雷射束能量損失來確定照射到光罩上之雷射束的 淨能量強度,並且控制衰減器使得確定的淨能量強度與參 考能量強度相同,但還可以考慮影響雷射束的能量損失以 及處理室内的處理氣體的其他因素,使得由如圖6所示的 演算單元72a來確定淨能量強度。 一般來說,雷射束的能量損失由各種因素引起,包括 處理氣體在内的環境條件,例如處理室内的溫度和濕度, 以及長時間使用所引起的光學系統屬性的變化。因而,當 僅考慮由處理氣體所引起之雷射的能量損失時,照射到光 罩上之雷射束的淨能量無法準確量測。因而,在本實施例 19 200832052
if, d〇C 中,更包括校正單元75,使7 ^ 校正由處理室40内的環境條雷射束的發射能量來 控制衰減器20,此環境條件除處理氣=量= 失,並藉此 =的溫度和濕度’此_的發射能量由== 所量測的雷射束的發射能量強度等於=二在?計512 時,校正單元75輪出校正信號_二:口疋的標準值 信號的演算單元72a校 "::早70 72a。接收校正 量損失率。例如,基於之雷射束的能 失率。此ί,ί ’J"校正讀取之雷射束的能量損 量之間的差值;定的; 的處理气雕以羊值射束此置的降低由處理室内 的處里氧w起’並—般設定在小於此差值的範圍内。 於描述的,當量測之雷射束的發射能量強度等 Τΐί於仏準值時,校正信號輸出到演算單元瓜,並且 ==元瓜補償讀取之雷射束的能量損失率,以基於補 ㈣崎損失率和雷射束的入射能量強度來演算照射到光 罩1上之雷射束的淨能量強度。同時,當量測之雷射束的 f射能量強度超過標準值時,不輪出校正信號,並且演算 早=I2a基於讀取之雷射束的能量損失率以及雷射束的入 射能置強度來演算照射到光罩!上之雷射束的淨能量強 20
200832052 ^u-rT^,jjiJf.d〇C 、、卜在/秀异單元的演算過程中,接 干’ ##射能量強度等於或小於標準值 /、枚之毎射束的能量損失率,並且發H 表 #之每射束的淨能量強度輪入声诘π a ’亚且衰減器控制單元73制二f控制單元 之雷射束的淨能量強声鐵彳制哀減°σ 2〇,使得演算 如上μΓ 读料能錢度彳目同。 俨供&文所插述的,在本實施例中,者廣ά南 %%條件(例如理6 j宁考尨由處理室内的 能量減少以及W 内的▲度和濕度)引起之雷射束的 及由處理室内的處田对束的 減〉、來演算雷射束的淨能量,、, (之Μ射束的能量 淨能且控制衰減器 獲得照射顺罩上d^ ’與f知技術她能更準確地 射到光罩上之雷射束==量以及模糊產生之前照 儘管已經參昭特宏每二此里 明乾圍所定_本㈣6 以在不祕由所附專利申 細節上的各崎化。\、#私範_情況下進行形式和 【圖式簡單說明】 圖1是繪示在光罩 示意圖。 產生模糊的習知裝置100’之構造 圖3是錢示意圖^示用於在圖2所示的在光罩上
200832052 , Z- . U-0 C 產生模糊的裝置内之衰減器的控制過程。 圖4是方塊示意圖,繪示當圖2所示的在光罩上產生 模糊的裝置内產生模糊時發出警報的報警單元。 圖5是方塊示意雷,繪示控制圖2所示的處理室·内的 濕度之濕度控制單元。 圖6是方塊示意圖,繪示根據本發明的另一實施例的 衰減器控制單元的控制過程。 【主要元件符號說明】 1 :光罩 10’ :雷射發射單元 l〇〇f :在光罩上產生模糊的裝置 31’ :鏡片 32、鏡片 33’ :鏡片 34’ :望遠鏡 351 :均勻器 36’ :聚焦透鏡 40τ :處理室 4Γ :窗口 42’ :窗口 45f :氣體供應器 49’ :電荷耦合元件式相機 5〇r :分束器 502f :分束器 51Γ:能量計 22 200832052 512’:能量計 - 60’ :濕氣供應單元 、 10 :雷射發射單元 100 :在光罩上產-生模糊的裝置 11 :氣體發射器 20 :衰減器 30 ··光學系統 31 :第一鏡片 ⑩ 32 :第二鏡片 33 :第三鏡片 34 :望遠鏡 35 :均勻器 36 :物鏡 37 :罩幕 38 :投影透鏡 39 :殼體 391 :流入埠 • 392:流出埠 40 處理室 41 窗口 42 窗口 43 氣體傳感器 44 濕度傳感器 45 氣體供應器 46 氣體供應管 23 200832052
ΖΌΗ-Η-^pil.dOC
461 :第四閥門 47 : 排氣管 48 : 自動壓力控制器 49 : 監測單元 50 : 能量量測單元 501 : :分束器 502 : :能量計 51 : 能量量測單元 511 分束器 512 能量計 513 殼體 514 流入埠 515 流出埠 60 : 濕氣供應單元 61 : 水管 62 : 加熱元件 63 : 濕氣供應管 631 : :第一閥門 64 : 氣體供應管 641 : :流量控制器 642 : :第三閥門 65 : 氣體供應器 66 : 排氣管 661 :第二閥門 67 : 加熱器 200832052 zoH-Hzpn.doc 71:儲存單元 … 72 :演算單元 • 72a :演算單元 73 :衰減器控制單元… 73a :衰減器控制單元 75 ··校正單元 80:報警單元 81 :記憶體 _ 82 :確定器 83:報警器 90 :濕度控制單元 91 :閥門控制單元 92 :流量控制器控制單元
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Claims (1)

  1. 200832052 ^uH-^pix.doc 十、申請專利範圍: 1·-種在光罩上產生模_裝置,包括·· 巧器、’控制所述雷射束的能量強度 、光學m理所述雷射束使得所述雷射柬具有預定 的开少狀和能量分佈; ^理至’具有安裝於所述處理室上部並由盡明材質形 扁的窗=以及形成於所述處理室中的空間,所述雷射束通 窗口,所述空間設置光罩並填充處理氣艘,所述空 間與外界隔離;以及 的衰;制單元,基於入射到所述窗口的所述雷射束 萨旦^此里如度來控制所述衰減器,使得將具有預定參考 心度的所述雷射束照射觀崎 請專利範圍第1 _述之在光罩上產生模糊的 所述’儲存對應於所述處理氣體的各成分比率之 延二射束的能量損失率;以及 與所基於賴㈣束的觀人射能量強度以及 越雷射束的if處理氣體的所述成分比率對應之所 述雷4 失率來演㈣ 讀取,^b心度,所述能量損失率從所述儲存單元 中所述衰減器控制單元控制所述衰減@ 句射束的涫嘗、、泰处旦&痒科π也《 、哀减态,使得所述 里邊付與所述參考能量強度相同? 26 200832052 3.如申請專利範圍第2項所述之在光罩上產生模糊的 裝置,更包括: 能量量測單元’設置於所述處理室上方,以量測入射 到所述處理室的所述窗1=7之所述雷射束的所述入射能貧強 度,並且包括分束裔以及能量計,所述能f叶量測從戶斤述 分束器反射的所述雷射束的能量強度, 其中所述演算單元藉由公式1演算所述雷射束的所述
    淨能量·強度:
    其中Ep表示知、射到所述光罩上的所述雷射束的所述淨 能量強度,Ει表示由所逑能量計所量測之所述雷射束的所 述入射能量強度,Τι表示所述能量量測單元的所述分束器 的透射率,丁2表示所述窗口的透射率,並且α表示所述雷 射束的所述讀取能量損失率。.
    4.如申請專利範圍第1項所述之在光罩上產生模糊的 裝置,其中由所述雷射束可通過的透明材質形成之窗口安 裝於所述處理室的下部,並且所述之在光罩上產生模糊^ 裝置更包括報警單元,所述報警單元將從所述下窗^‘射 之所述雷射束的發射能量強度與預定參考值進行^比X、' 確定所述發射能ΐ強度與所述參考值相同時的# / 、 糊產生時間並發出警報。 、守曰乍為模 5·如申請專利範:圍第4項所述之在光罩上 ^ 裝置,其中所述報警單元包括:生模糊的 27 200832052 ^o^zpu.doc 記憶體,儲存對應於各處理條件的參考值; 確定器,從所述記憶體讀取對應於處理停件的矣考 .口3理條件由所述處理室内的所述處理氣體的成分 度双及照射到所述光罩上的所述贫物 找所述雷射束的所述發射能量與所述讀取 相同的時間作為模糊產生的時間,以輪.出報警信 出器,接收所述報警信號,以在所述模糊產生時發 壯置第1項所述之在鮮上產生模糊的 =述,㈣,並且當從所述;= =¾射施[強度筹於或小於預定標準值時,所述 ▲制早元基於所述入射能量強度和所述發射能量強 =控制所述衰減器’並當所述雷射束的所述發射能量強 票準值時,所述衰減器控制單元基於所述入射 月匕1強度來控制所述衰減器。 裝置7,m專:利範圍第6項所述之在光罩上產生模糊的 所職於所述處理魏的各齡比率之 所述雷射束的能量損失率;以及 基於细麟鮮值時, 沾%、+、老尸束々所述入射能置強度以及與所述處理室内 、处处理氣體的所述成分比率對應之所述雷射束的所述 28 200832052 ZOHH^pif.doc 能量損失率,所述演算星十 述雷射束的淨能量強度,算照射到所述光罩上的所 單元讀取,並且當所述發量損失率從所述儲存 失率,並基於所述校正之能㈣述讀取之能量槓
    f射㈣所較魅,使得所述 同。㈣錢錢度麟述參考能量強度相 裝^^____上產生模糊的 濕氣供應單元,向所述處理室的所述空間供應濕氣; 濕氣供應管,將所述處理室連接至所述濕氣供應單 元;以及 加熱器,加熱所述濕氣供應管。 9·如申請專利範圍第8項所述之在光罩上產生模糊的 裝置,其中所述濕氣供應單元連接至氣體管道,惰性氣體 供應至所述氣體管道,所述濕氣供應管與排氣管連通,並 且所述 >煞氣供應單元所產生的所述濕氣藉由所述惰性氣體 引入所述處理室的所述空間。 】〇·如申請專利範圍第9項所述之在光罩上產生模糊的 裝置,其中流量控制器安裝於所述氣體管道上並控制所述 惰性氣體的流量,並且第一閥門和第二閥門分別安農於所 29 200832052 z,pif.d〇C 述濕氣供應管和所述排氣管上。 11.如申請專利範圍第1〇項所 . 的裝置,更包括濕度控制單元、碎心危 產生模糊 預 述處理謂所絲控_述流餘顧、=於所 定的參考濕度。錢理室的所述濕度保持在 12·如申請專利範圍第n ^ β 间步U項所述之在先罩上產生模糊 的裝置,其中所述濕度控制單元包括·· 閥門控制單元,當所述處理室的所述濕度超過所述預 定的參考濕度時,控制所述第一和第二閥門分別打開和關 閉,並且當所述處理室的所述濕度低於所述預定參考濕度 時,控制所述第一和第二閥門分別關閉和打開;以及 流ΐ控制裔控制單元,控制所述流量控制器以增加或 滅小從所述濕氣供應單元排出的濕氣量。 13·如申請專利範圍第1項至第12項任意一項所述之在 光罩上產生模糊的裝置,其中所述衰減器、所述光學系統 和所述窗口分別暴露於惰性氣體環境。 30
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