TW200831812A - Low vapor pressure high purity gas delivery system - Google Patents

Description

200831812 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明大體上係有關於有效率地輸送來自輸送槽之低 蒸汽壓高純度氣體。更明確地，本發明係有關於有效率地 輸送來自複數個被加熱的供應槽之低蒸汽壓高純度氣體的 方法與設備。 【先前技術】 非空氣氣體（即，不是得自於空氣的氣體）常被使用 在像是半導體，LCD，LED及太陽能電池等產品的製造上 。例如，三氟化氮被用作爲室清潔氣體，而矽烷與氨子分 別被用作爲在化學汽相常積（CVD )處理期間矽及氮化矽 的沉積之用。 半導體，LCD，LED及太陽能電池製造商通常需要一 汽相之高或超高純度的非空氣氣體供應，其係在具有能夠 以非連續流模式以汽相供應氣體的能力的高流率下提供。 在這些氣體中之低揮發性污染物（即，比非空氣氣體的揮 發性還低的污染物）是特別不被需要的，因爲它們會沉積 在產品基材上且對產品性能造成不利的影響。例如，水是 常見之低揮發性氨污染物，它會沉積在LED青玉基材上 ，造成LED亮度降低及利潤損失。對於這些應用而言， 在氨中超過lppb的汽相濕氣對於該處理以及產製造的產 品而言即是有害的。 新的半導體產品具有大的產量因此需要大量的非空氣 -5- 200831812 氣體。因此，由於半導體處理工具操作之批次本質，使用 非空氣氣體的模式較佳地爲非連續模式。 許多非空氣氣體係以液體或氣/液混合物被輸送及儲 存。此等氣體被稱爲低蒸汽壓氣體且包括氨，氯化氫，二 氧化碳及二氯矽烷。低蒸汽壓氣體典型地在約70 °F的溫 度下具有一低約1 500psig的蒸汽壓力。根據已知的方法 ，因爲低蒸汽壓氣體係以液體及/或蒸汽/液體混合物的形 式被提供，所以需要一用來加熱/煮沸這些氣體的裝置， 使得汽相產物可被供應至所想要的終端使用，譬如，半導 體，LCD，LED及太陽能電池等應用。此煮沸一般係藉由 施加熱至該供應槽外壁來達成，如描述於美國專利第 6，025,576號或第6,614，412號中者。在這些系統中，汽相 低蒸汽壓氣體從該供應槽被抽出。充分的熱被供應用以中 將液相低蒸汽壓氣體煮沸，其速率與汽相低蒸汽壓氣體從 該供應槽被抽出的速率相同，藉以理論上地保持供應槽壓 力。 美國專利第6,025,5 76號描述一種結構，其中汽相低 蒸汽壓氣體從一被加熱的輸送槽被抽出，該被加熱的輸送 槽使用只與它非永久性地接觸的加熱器。揮發性比該低蒸 汽壓氣體的揮發性地之污染物被留在該液體內，產生低污 染物程度的蒸汽。蒸汽從該槽被被抽出直到液化的氣體只 佔該槽的約10%的體積爲止，這讓該液化氣體的接觸區域 低於該加熱器高度。 美國專利第6，6 1 4，0 0 9號揭示一種系統結構’其中汽 200831812 相低蒸汽壓氣體從一包括永久性地設置的加熱器之大型被 加熱的輸送槽（如，運送槽）中被抽出。這些加熱器較佳 地係設置成可將位在被預期之最低的液面高度（liquid level )上方的直接加熱減至最少用以將純度最大化。然而 ，此專利並沒有揭示藉由將一供應槽保持在服務中直到濕 度水平超過某數値時將低蒸汽壓氣體運用最大化的機構。 美國專利第6,581，412號描述一種系統，其中汽相低 蒸汽壓氣體從一被加熱的輸送槽被抽出，該被加熱的輸送 槽使用與它接觸的加熱器。此專利描述一種用來控制在一 供應槽內之液化的壓縮氣體的溫度的方法，其包含：將一 溫度測量機構放置在該壓縮氣體供應槽的壁上，監測該供 應槽的溫度控制加熱器機構用以加熱在該供應槽內的液化 氣體。然而，此專利並沒有描述一種可以指出可在何時將 該供應槽從服務中移出的機構。 美國專利第6,3 63,72 8號描述一種用來控制熱輸入至 一裝在一被加熱的槽內之低蒸汽壓氣體的機構。該系統包 含一設置在一輸送槽上的加交換器用以提供至或從一液化 氣體帶走能量，壓力控制器用來監測壓力及用於調整送至 該槽內容物的能量之機構。然而，此專利並沒有描述一種 可以指出可在何時將該供應槽從服務中移出的機構。 對付業界現有操作上的挑戰的一種典型的習知手段爲 在存留於該供應槽內的低蒸汽壓氣體的質量低於一預設的 數値（典型地爲初始質量的約10%至約20%之間）時將該 供應槽從服務中移除。然而，此方式無法體認到關鍵的液 200831812 面高度（即，該槽應從服務中被移除的液面高度）是與所 定的關鍵參數（如，槽壓力，壁溫度或水位）相關連。 在此技術領域中存在的一個嚴重的問題爲，對於有效 率地決定一低蒸汽壓氣體供應槽何時應從服務中被移除並 沒有一有用的機構存在。現有的系統不是將供應槽太早移 除就是太晚移除。因此，如果該供應槽太早從服務中被移 除的話，則低蒸汽壓氣體將會被浪費掉。如果該供應槽太 早從服務中被移除的話，則會發生數種不利的影響。例如 ，污染的程度會累積超過容忍極限，對終端使用，譬如半 導體，LCD，LED及太陽能電池等製程，造成不利的影響 。這些潛在的不利影響包括利潤的損失。 【發明內容】 依據一實施例，本發明係有關於用來將汽相流體輸送 至所想要的終端使用的方法與設備，其中該系統的狀況被 監測用以決定水的濃度或供應槽表面溫度何時超過一限定 値或該低蒸汽壓流體壓力何時降至低於一限定値，用以藉 由中斷來自一第一供應槽的蒸汽流並啓動來自一第二供應 槽的蒸汽流來達到將該第一供應槽從服務中移除的目的。 較佳地，發生上述情形之液面高度係位在靠近由該等加熱 器的上緣所決定的平面處。 在另一實施例中，本發明係有關於一種方法其藉由提 供至少一第一槽及一第二槽，每一槽都具有一槽壁，從該 第一槽或第二槽提供一汽相流體量並提供至少一加熱器與 -8- 200831812 該第一槽壁連通及至少一加熱器與該第二槽壁連通來輸送 來自一槽之壓力下的汽相流體。每一槽在被放到線上之前 都被加熱用以如所需地達到在該第一及第二槽內之一預定 的壓力。至少一加熱控制器被提供於該等加熱器相連通用 以控制輸送至該第一及第二槽壁與裝在該第一及第二槽內 之液相流體的熱量。一種用來監測一選自於包含汽相流體 壓力，槽壁溫度及在該第一與第二槽內之汽相流體水濃度 的組群的條件的裝置被提供來監測該選自於包含汽相流體 壓力，槽壁溫度及在該第一與第二槽內之汽相流體水濃度 的組群的條件，用以決定在該第一與第二槽內之關鍵液面 高度。一第二控制器被提供與該裝置相連通及至少一閥其 具有開/關（no/off )位置。藉由該第二控制器操縱該閥的 on/off位置並在該關鍵流體液面高度到達一槽內的預定液 面高度時將該閥操控制一 off位置，並開啓一閥用以將汽 相流體層一第二槽導引至該終端使用，該閥可將流體流從 該槽引導至一終端使用。 在另一實施例中，本發明係有關於一種用來有效率地 將汽相流體輸送至終端使用的設備與系統。該設備包含至 少一第一及第二槽，每一槽都具有一槽壁，且每一槽都裝 有一數量的汽相流體。一加熱器被放置成與該第一及第二 容器相連通。一加熱器控制器與該加熱器相連通，其中該 加熱器控制器控制輸送至該第一及第二槽壁與裝在該第一 及第二槽內之液相流體的熱量。一種用來監測一選自於包 含汽相流體壓力，槽壁溫度及在該第一與第二槽內之汽相 -9 - 200831812 流體水濃度的組群的條件的裝置被設置成與該汽相流體相 連通。一第二控制器被設置成與該裝置相連通具有至少一 閥其具有開/關（n0/0ff )位置。藉由該第二控制器操縱該 閥的on/off位置並在該關鍵流體液面高度到達一槽內的預 定液面高度時將該閥操控制一 off位置，並開啓一閥用以 將汽相流體層一第二槽導引至該終端使用，該閥可將流體 流從該槽引導至一終端使用。 【實施方式】 在低蒸汽壓高純度氣體輸送系統領域中之習知技術並 沒有體認到關鍵液面高度將會因爲壓力是否降低而改變， 槽壁溫度升高或水位提高是最重要的。在描述於美國專利 第6,025,576號中的例子中，允許液面高度降低到加熱器 之下會造成在該槽從服務中被移除之前，壓力降低且水位 提高。此專利亦沒有體認到關鍵液面高度將會因爲設備及 操作上的參數，譬如加熱器結構與蒸汽抽吸率，而改變。 本案申請人於2006年6月28日提申之美國專利申請 案第1 1 /476,042號的某些實施例描述了一種將加熱器附 裝到一裝了低蒸汽壓氣體的供應槽的下部的機構。此申請 案提到習知的低蒸汽壓氣體供應系統會製造“熱點”及有活 力的低蒸汽壓氣體沸煮，這會產生將污染物輸送給客戶的 結果。此申請案進一步描述了導因於單純的蒸汽/液體平 衡的濕度累積，且因爲基於濕度累積的此平衡，一部分的 低蒸汽壓氣體必需被拋棄（通常是1〇%-20°/。）。此美國專 -10- 200831812 利申請案的內容藉由此參照而被倂作爲本案的一部分。 因此，在習知的系統中，該供應槽很可能會太早（即 ，在到達列於上文中的挑戰之前）或太晚（在供應槽壁溫 度，水位已超過可接受的極限之後）從服務上被移除。如 果供應槽太早從服務上被移除的話，則會有一些可被使用 的低蒸汽壓氣體被浪費掉。如果該供應槽太晚由服務上被 移除的話，則關鍵參數中的一者會超過可接受的極限。例 如，水位可能會變得過高，這對於半導體，LCD，LED及 太陽能電池等製程，會造成不利的影響，導致不良的產品 品質或產品損失。讓水位超過可接受的極限亦會增加該供 應槽的下游氨純化系統所在之處之氨純化的成本。 依據本發明的一實施例，本發明的系統與設備知道並 使用這些變化來將低蒸汽壓產品的利用最大化且對於半導 體，LCD，LED及太陽能電池等製程不會造成不利的影響 〇 對於統的低蒸汽壓氣體供應系統而言一貫地符合半導 體，LCD，LED及太陽能電池等製造商的要求是很困難的 。例如，熱傳遞在一大部分的熱被施加到該供應槽壁之沒 有與液相低蒸汽壓氣體接觸的部分上時會變得非常沒有效 率。實驗被實施用以決定當液面高度下降造成該供應槽壁 與液相氨接觸的部分減少時將熱傳遞到液相氨的能力。雖 然氨是爲了舉例的目的而被選取的，但本發明的方法與設 備亦可對包括但不侷限於三氯化硼，二氧化碳，二氯矽烷 ’鹵化碳，溴化氫，氯化氫，氟化氫，甲基砂院（ -11 - 200831812 methylsilane )，一氧化二氮，三氟化氮，二氯砂垸’及 它們的混合物的氣體的處理提供重大的好處。如圖1所示 ，汽相氨經由導管4及13在一定的速率下從供應槽被抽 出。爲了要補充被抽走的蒸汽及保持供應槽壓力，熱藉由 使用表面安裝的加熱器3及1 2而被施加到該供應槽的外 側，底面上。將熱傳遞到液相氨上的能力係藉由使用壓力 監測裝置6及1 5來監測該槽壓力。如果熱傳遞沒有效率 的話，該供應槽壓力將會下降。 圖2顯示壓力與液面高度函數關係（X軸的正値代表 液面高度在加熱器之上，而負値則是在加熱器下方）。應 注意的是當該液面高度是在加熱器之上時，該供應槽壓力 大致被維持（熱傳遞是有效的）。當液面高度接近加熱器 時，該供應槽壓力沒有被維持（熱傳遞是無效的）。因此 ，在液面高度被稱爲“關鍵壓力液面高度”時，該供應槽壓 力將不再是可被維持的。此關鍵壓力液面高度會隨著系統 的不同而不同且與數種變數有關，譬如像是蒸汽抽出率， 加熱器配置，加熱器溫度加熱器與供應槽壁之間的接觸緊 密度。該關鍵壓力液面高度可能會比加熱器所在的平面要 來得低，但亦可圖2所示位在高於加熱器的地方。 該關鍵液面高度亦會根據蒸汽抽出率，加熱器配置， 加熱器溫度加熱器與供應槽壁之間的接觸緊密度而隨著系 統的不同而不同。例如，在低蒸汽抽出率下，該關鍵壓力 液面高度將會比高蒸汽抽出率的關鍵壓力液面高度低，因 爲維持供應槽壓力所需之加熱器面積在低蒸汽抽出率的例 -12 - 200831812 子中是較小的。 該供應槽壁溫度會在一大部分的熱被供應到沒有與該 液相低蒸汽壓氣體接觸的供應槽部分上時局部地超過設計 的極限。實驗被實施用以決定液面高度對於供應槽壁溫度 的影響。實驗結果示於圖3中（X軸的正値代表液面高度 在加熱器之上，而負値則是在加熱器下方）。有圖中可得 知，當液面高度降低至關鍵壓力液面高度以下時，沒有與 該液相低蒸汽壓氣體接觸的供應槽部分的供應槽壁溫度會 開始升高。供應槽被設計來在接近環境溫度下操作且典型 地具有一極低的最大可接受操作溫度。一典型的最大可接 受的操作溫度約爲1 25 °F。在超過該最大可接受操作溫度 之上的溫度下操作會造成安全上的問題且會造成槽的故障 。如圖3所示，此溫度級極限在該液面高度降至該關鍵溫 度液面高度之下時被達到的。該關鍵溫度液面高度（-0.7 英吋，低於加熱器的液面高度）不同於關鍵壓力液面高度 (0.35英寸，高於加熱器的液面高度）。 當一大部分的熱被施加到沒有與該液相低蒸汽壓氣體 接觸的供應槽部分上時，在該汽相中之低揮發性污染物水 準實質上超過平衡水準。因爲污染物不會輕易地蒸發，所 以當汽相低壓氣體從供應槽被抽吸走時，低揮發性污染物 仍維持液相。因此，如上文中解釋過的，汽相與液相的該 低揮發性污染物的濃度會隨著時間提高。 導因於此現象之低揮發性污染物水準被稱爲平衡污染 物水準。實驗被實施用以決定當液面高度下降造成與該液 -13- 200831812 相氨接觸的供應槽部分減少時在由該供應槽中抽吸出的氨 中觀察到的低揮發性污染物水準。在這些實驗中，該低揮 發性污染物是水。實驗結果顯示於圖4中。當液面高度降 低時被觀察到的水濃度反映出預估的平衡濃度直到到達該 關鍵的水液面高度高度爲止。在該關鍵的水液面高度高度 ，水的濃度實質上超過預測的平衡數値。對這些實驗而言 ，該關鍵的水液面高度高度是在液面高度下降至大致等於 加熱器高度時發生的。 如上文中提及的，習知的系統並沒有體認到關鍵液面 高度將會因爲壓力是否降低而改變，槽壁溫度升高或水位 提高是最重要的。允許液面高度降低到加熱器之下會造成 在該槽從服務中被移除之前，壓力降低且水位提高。傳統 的系統亦未能體認到關鍵液面高度將會因爲設備及操作上 的參數，譬如加熱器結構與蒸汽抽吸率，而改變。依據本 發明的一較佳實施例，本發明知道並使用這些變化來將低 蒸汽壓產品的利用最大化且對於半導體，LCD，LED及太 陽能電池等製程不會造成不利的影響。 又，目前已知的方法與系統並沒有描述一種藉由在濕 度水準，壁溫或壓力超過一數値之前都將一供應槽保持在 服務中來將低蒸汽壓氣體的利用最大化的機構，亦未能提 供一種可明確指出將一供應槽從服務中移除的適當時間的 機構。 當水濃度或供應槽表面溫度超過一特定的數値或當該 第蒸汽壓流體壓力下降至一特定的數値之下時，藉由中斷 -14- 200831812 來自一第一供應槽的蒸汽流並啓動來自一第二供應槽的蒸 汽流來達到將該供應槽從服務中移除。發生上述情形之液 面高度係位在靠近由該等加熱器的上緣所決定的平面處。 依據一實施例，本發明提供一種機構可在沒有供應槽 壓力降低，供應槽過度加熱或高水濃度產品輸送至半導體 ，LCD，LED及太陽能電池等製程之下，將低蒸汽壓氣體 的使用最大化。供應槽過熱是一項與操作安全性相關的課 題。壓力降低及高濕度水準爲與半導體，LCD，LED及太 陽能電池良率有關的課題。 圖5顯示出一種傳統的低蒸汽壓流體供應結構。大體 上，該系統的目的是要將裝在一供應槽內之液體或二相態 低蒸汽壓流體輸送至半導體，LCD，LED及太陽能電池製 造工廠並將它轉換爲汽相蒸汽壓流體。其內裝了汽相及液 相氨的供應槽20及3 0被並聯地安裝，使得當一個槽用完 時，另一槽可在不中斷對半導體，LCD，LED及太陽能電 池製造商的供應下將另一槽放到服務中。汽相氨經由導管 2 1或31從任何一在服務中的槽中被抽吸出。它然後被輸 送至一氣體面板40，該氣體面板在透過導管41輸送至半 導體，LCD，LED及太陽能電池製造設備之前調節氨的壓 力與溫度。 當汽相氨從供應槽2 0或3 0中被抽出時，該供應槽壓 力會藉由使用一或多個加熱器系統22及23與一閉式迴路 控制機構來加以保持。典型地，一壓力換能器23或3 3監 測該供應槽壓力並送出一訊號給一可程式的邏輯控制器 -15- 200831812 24或34，該訊號於該控制器處被拿來與一設定 較。從加熱器系統22或32送至該供應槽20或 據這兩兩者的差異來加以調整。這有助於氨的汽 保持所需要的供應槽壓力。 雖然有多種加熱器可被使用，但一般的加熱 一矽橡膠毯加熱器。此矽橡膠毯加熱器可用多種 該槽上。一種典型的矽橡膠毯加熱器可從設在美 州聖路易斯市的 Watlow Electric Manufacturing 購得。該加熱器較佳地被安裝成可讓它的熱被均 在該槽的底部，且不會升高到該槽的太高的水平 依據本發明的一個實施例，一種用來中斷來自該 的方法被使用。如果該加熱器升高到該槽的一太 高度的話，則一絕大部分的氨將會被浪費掉。該 型地涵蓋該槽圓周的約5%至約50，較佳地係介 周的且最佳地是介於1〇°/。至約40%且更佳地係介 周的約20%至約3 5%之間。該矽橡膠加熱器典型 l〇〇°F至約500°F範圍內，較佳地在約120°F至約 更佳地係在130°F至約200°F之間的溫度下操作 熱配置較佳地可用在數種供應槽上。例如，可使 安裝式的Y型筒（Y-cylinder )，其最初含有約 氨。 氨從供應槽20或3 0中被抽出直到剩餘的質 始質量的約1〇 %至約30%之間爲止。當達到此程 供應槽從該服務中被移除且剩餘的液體（其被稱 點數値比 3 0的熱根 化，用以 器種類爲 方式附在 國密蘇里 Company 与地分佈 高度處。 槽的流體 高的水平 加熱器典 於該槽圓 於該槽圓 地係在約 3 0 0 °F 及 。此一加 用一水平 5〇〇磅的 量掉到原 度時，該 爲下腳料 -16- 200831812 (heel ))被丟棄。該下腳料充滿了蒸汽壓比氨低的污染 物，如水。 本發明的較佳實施例被示於圖6，7及8中。如之前 描述過的，依據本發明的實施例，本發明的系統與設備可 決定供應槽2 0或3 0應從服務線上被移除的時間點。詳言 之，圖6顯示一種根據壓力來決定供應槽2 0或3 0應從服 務線上被移除的時間點的機構。在每一供應槽2 0及3 0的 出口處的壓力分別使用壓力換能器23及3 3來加以監測。 此壓力被保持在約50psig至約250psig，較佳地在約100 至約200psig，更佳地係在約120至約180psig的範圍之 內。當供應槽2 0或3 0的液體內容物降到所想要的壓力無 打法被保持的程度且低於預定的數値時，控制器64將依 據哪一個槽是在使用中而將閥2 5或3 5關閉藉以促使來自 使用中的供應槽之蒸汽流停止。該切換壓力典型地是在壓 力降低了約1至l〇〇psi時，較佳地是在壓力降低了約5 至5 Op si時及更佳地是在壓力降低了約5至約20p si時發 生的。流體流然後藉由打開閥25或3 5而開始從沒有在始 用中的供應槽開始流出。 圖7顯示本發明的另一實施例，即一種根據供應槽壁 溫度來決定決定供應槽2 0或3 0應從服務線上被移除的時 間點的機構。該槽壁溫度係分別使用溫度元件來加以監測 。此溫度典型地是在約0°F至約125°F的範圍之內，較佳 地是在約3 0 °F至約1 2 5 °F的範圍之內且更佳地是在約6 0 T至約125°F之內。當該供應槽內的液體內容物下降至該 -17- 200831812 表面溫度接近設定點的範圍，其典型地在約70 T至約125 °F的範圍之內，較佳地在約1 〇 〇卞至約1 2 5 Τ的範圍之內 及更佳地在約1 1 5 °F至約1 2 5 T的範圍之內的一水準時， 控制器7 8將依據哪一個槽是在使用中而將閥2 5或3 5關 閉藉以促使來自使用中的供應槽之蒸汽流停止。流體流然 後藉由打開閥25或3 5而開始從沒有在始用中的供應槽開 始流出。 圖8顯示本發明的另一實施例，即一種根據水濃度來 決定決定供應槽20或30應從服務線上被移除的時間點的 機構。在每一供應槽20或30的出口處的水濃度係使用濕 度分析器80來監測。該水濃度典型地是在約o.ooi ppm至 約lOppm的範圍內，較佳地是在約〇.〇ippm至約5ppm的 範圍之內及更佳地是在約O.lppm至約2ppm的範圍之內 。當該供應槽20或3 0內的液體內容物下降至水濃度增加 至超過預測的蒸汽/液體平衡程度的水準時，控制器90將 依據哪一個槽是在使用中而將閥25或35關閉藉以促使來 自使用中的供應槽之蒸汽流停止。流體流然後藉由打開閥 25或35而開始從沒有在始用中的供應槽開始流出。 此處所提出的控制機制可應用到任何大小的槽上，譬 如像是T型筒，Y型筒（大型容器），ISO容器，管狀拖 車或中盛任何所想要的液體或二相態低蒸汽壓氣體（如， 氨）的油罐車，藉產生汽相低蒸汽壓氣體流。例如，大型 容器典型地被水平地放置且是用413 0X合金鋼製成且滿 載時裝盛510磅的氨。這些槽可預先塡充且自給自足，或 -18- 200831812 如熟習氣體輸送系統者所能輕易瞭解的可從一來源進行塡 充。 有多種熱器可被用來將熱傳送至較大的槽。最一般的 是電阻式加熱器，其包括毯子加熱器，加熱棒，電纜及線 圏，帶式加熱器，及加熱電線。加熱器較佳地被安裝在槽 的下部且一加熱器控制器較佳地可調節傳送至該低蒸汽壓 氣體用來維持蒸汽輸出的熱量。其它可被使用的加熱器種 類包括浴式加熱器，感應式加熱器，包含一熱傳遞媒介（ 譬如，矽油）之熱交換器。 離開該第二槽之汽相低蒸汽壓非空氣氣體可藉由吸附 ，過濾或蒸餾機構被進一步純化用以進一步改善純度。該 氣體流可被送至一除霧器用以去除掉液相低蒸汽壓氣體液 滴，其係因爲劇烈的煮沸而從該供應槽被帶過來的。這些 液滴被除霧器所收集且能夠經由適當的輸送手段，譬如利 用重力，而被回送至該供應槽。 雖然本發明已參照特定的實施例加以詳細說明，但對 於熟習此技藝者而言各式的改變、修改及取代都將會是很 明顯的’且不偏離本發明的申請專利範圍所界定的範圍之 等效物的使用都將被涵蓋在本發明的範圍內。 【圖式簡單說明】 從下面本發明的較佳實施的描述與附圖中，熟習此技 藝者將可瞭解到本發明的其它目的，特徵，實施例及優點 ，其中： -19- 200831812 圖1 a及1 b爲傳統供應槽的剖面圖，其中加熱結構係 被設置在與外槽壁相鄰處。 圖2爲一圖表，其顯示出蒸汽壓爲槽內的液體液面高 度（liquid level)相關於加熱單元的一個函數。 圖3爲一圖表其顯示出槽壁溫度爲液面高度相關於加 熱單元的一個函數。 圖4爲一圖表其顯示汽相水濃度爲液面高度相關於加 熱器的一個函數。 圖5爲一傳統的低蒸汽壓流體供應系統的示意圖。 圖6-8爲本發明之低蒸汽壓流體供應系統的示意圖。 【主要元件符號說明】 4 :導管 13 :導管 3 :加熱器 1 2 :加熱器 6 :壓力測量裝置 1 5 :壓力測量裝置 21 :導管 31 :導管 20 :供應槽 3 0 :供應槽 40 :氣體面板 41 :導管 -20- 200831812 2 2 :加熱器系統 3 2 :加熱器系統 24 :可程式邏輯控制器 3 4 :可程式邏輯控制器 64 :控制器 2 5 :閥 3 5 ··閥 74 :溫度元件 76 :溫度元件 7 8 :控制器 80 :濕度分析器 90 :控制器 -21 -

Claims (1)

1. 200831812 十、申請專利範圍 1. 一種用來輸送來自一槽之受壓的汽相流體的方法， 其包含的步驟爲： 提供至少一其內裝有液體之第一及第二槽’每〜槽都 具有一槽壁； 提供一加熱器，其與該第一及第二槽的每一者連通； 加熱該槽用以在該第一及第二槽內達到一預定的壓力 9 提供一控制器與該加熱器連通； 將一數量的汽相流體從該第一或第二槽中抽出； 提供一感測器用來監測在該第一及第二槽內的至少一 條件，該條件係選自於由··汽相流體壓力；槽壁溫度’汽 相流體低蒸汽壓污染物濃度，及它們的組合所構成的組群 中，用以決定在該第一及第二槽內之關鍵流體液面高度（ level) 監測在該第一及第二槽內的該條件用以決定在該第一 及第二槽內之關鍵流體液面高度；及 提供一控制器與該感測器相連通及一閥其具有開/關 (no/off )位置，該閥將來自該第一槽或第二槽的流體流 引導至一終端始用，該感測器選擇上地作動該閥的開/關 位置。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其更包含的步驟爲 將一與該第一槽相連通的一第一閥作動至該關的位置 -22- 200831812 ，該閥在該條件達到一預定的程度時，將由該第一槽流至 一終端使用的汽相流體的流體流減小：及 將一與該第二槽相連通的一第二閥作動至該開的位置 ，該閥在該條件達到一預定的程度時，將由該第二槽流至 一終端使用的汽相流體的流體流增加。 3 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該汽相流體爲 一選自於由：氨，三氯化硼，二氧化碳，氯，二氯矽烷， 鹵化碳，溴化氫，氯化氫，氟化氫，甲基矽烷（ methylsilane )，一氧化二氮，三氟化氮，三氯矽烷，及 匕們的混合物組成的組群中之非空氣基礎的（η ο η - a i r based )氣體。 4.如申請專利範圍第1項之方法，其中該低蒸汽壓污 染物是水。 5 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一及第二 槽是用選自於由：3 04不鏽鋼，316不鏽鋼，Hasteloy， 碳鋼及它們的混合物組成的組群中之物質製成的。 6 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該加熱器爲一 選自於由：砂毯子加熱器，帶式加熱器，加熱棒，加熱帶 及它們的組合所組成的組群中的電阻式加熱器。 7. —種用來輸送汽相流體的系統，其包含： 至少一第一及第二槽，每一槽都具有槽壁，每一槽都 容納了 一數量的液相流體； 一加熱器，其與該第一與第二槽相連通； 一與該加熱器連通之控制器，該控制器控制輸送至該 -23- 200831812 第一及第二槽的熱量及輸送至容納於該第一及 液相流體的熱量； 一感測器，用來監測該第一及第二槽內的 ，該條件係選自於由：汽相流體壓力，槽壁溫 體低蒸汽壓污染物濃度，及它們的組合所組成 及 一與該感測器相連通的控制器，及至少一 開/關位置，該閥將來自該第一或第二槽的流 一終端使用，該感測器在該條件達到一預定的 閥開/關位置作動至一關的位置。 8 .如申請專利範圍第7項之系統，其更包 一與該第一及第二槽以及一終端使用相連 體輸送控制迴圈，使得當來自該第一槽的流體 ，來自該第二槽的流體流即被增加。 9 .如申請專利範圍第7項之系統，其中該 槽是用選自於由：3 04不鏽鋼，316不鏽鋼， 碳鋼及它們的混合物組成的組群中之物質製成 1 0 .如申請專利範圍第7項之系統，其中 二槽係選自於由：ISO容器槽，大型（ton) 型容器槽組成的組群中。 第二槽內之 至少一條件 度，汽相流 的組群中； 閥其具有一 體流引導至 程度時將該 含： 通之汽相流 流被減少時 第一及第二 Hasteloy， 的。 該第一及第 容器槽及鼓 -24-