TW200831394A - Ultra-low pressure sensor and method of fabrication of same - Google Patents

Description

200831394 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種感測器，尤其是一種超低壓感測器 及其製造方法。明確地說，本發明係關於一種用於聲音應 用的超低壓感測器，舉例來說，其具有矽麥克風（Silicon Microphone)的形式，以及用於製造此感測器的方法。 【先前技術】 電容式麥克風通常包含一隔膜，其具有一被附接至一 抗性部件的電極以及一平行於被附接至另一電極的該撓性 部件的背板。該背板的剛性非常強且通常包含複數個孔 洞，用以讓空氣在該背板與該撓性部件之間移動。該背板 與該撓性部件係形成一電容器的該等平行板。該隔膜之上 的耸壓會使其偏離，這會改變該電容器的電容。電容的改 變係由電子電路來處理，用以提供—對應於該變化的電作 號。 ° 包含微型麥克風的微電子機械裝置⑽Ms)係以常用於 製造積體電路的技術來製造。MEMS #克風的包 含用於助聽器與行動電話的麥 ' 愿力感測器。 及用於運輪工具的 眾多可用的MEMS麥克風均涉及_包 與餘刻步驟的複雜製程。隨著製程複雜性的提罩步驟 置無法通過職過㈣缝便會提高並且^ 等裝 本案申請人已經提出數種壓 / 。 π (例如矽麥克風） 7 200831394 的製造方法。舉例來說， 號便㈣ n t ± Φ 開㈣ WG2GG4105428 广 有Μ類型的石夕麥克風，其&含一延伸在 一孔桎上方的撓性隔膜。1 ^ , ^ , ^ ^ 楗仏一背板來結合該撓性隔 腰用以幵/成該麥克風的電衮 範例以及眾多先前技衍_ :的㈣平行板。不過’此 哭。m 技★减均係所謂#「頂面」塗敷感測 :說，;亍：：:吏用中，該感測器係被封農在-裝置(舉例 电。舌之中，俾使一聲音信號係前進通過該裝置 ::的：孔洞並且會被該感測器間接收到。下文將會進一 v评細說明此種配置。 【發明内容】 本發明的優點係提供一種有助於一感測器之底面塗敷 」、配置’從而縮短與使用中之感測器的信號路徑（舉例來 况，聲音信號路徑）。 含：根據本發明的其中一項觀點係提供一種感測器，其包 的背板，該背板包含複 一由導電或半導體材料所製成 數個背板孔； 兮北由導電或半導體材料所製成的隔膜，其係被連接至 〜7板並且與該背板絕緣，該隔膜係界定一撓性部件以及 >、σ亥撓性部件相關聯的空氣間隙； 一接合墊，其係形成在該背板之圍繞凹腔的一區域上； 以及 接合墊，其係形成在該隔膜之圍繞空氣間隙的一區 8 200831394 域上； 其中，由該隔膜所界定的該繞性 尸 伸在該等複數個背板孔的下面。 〃二乳間隙係延 應5亥明白的是，該p 感測器運作。可以夢由=須與該背板絕緣，方能讓該 過，較佳的方=Γ 的方式來達成此目的。不 絕緣。 物層末讓該隔膜與該背板 用於形成该感測器的背板與 网联的材枓可以選自本技 術中已知的材料。也就是， y 、形成该月板與隔膜的材料 了以疋任何高度摻雜的材料，舉 u 牛1幻木次，任何P+或n+材 2。較佳的是，該背板係由在其至少一側處包含一氧化物 曰的矽晶囫所構成；而該隔膜則係由包含一重度摻雜的矽 層、一♦層、以及-中間氧化物層的絕緣體切（s〇i)晶圓 所構成。或者’該隔膜亦可由摻雜的多晶⑦所構成。 *若需要的話，該感測器可包含一與該隔膜相關聯的支 杈部件。若如此的話，該支撐部件較佳的是包含一與該隔 膜接合的玻璃晶圓。該玻璃晶圓可由Schott所製造的 Borofl〇atTM玻璃所構成，或者係由c〇rning所製造的 PyrexTM之類的硼矽酸玻璃所構成。 於一較佳的實施例中，該背板包含一延伸在該等複數 個背板孔上方的凹腔。此優點係會最小化該等複數個孔洞 的開口與該空氣間隙之間的距離，所以，便會最小化與該 隔膜的撓性部件的相隔距離。 根據本發明的另一項觀點係提供一種製造感測器的方 9 200831394 法，其包含： ^供一第一晶圓，其包含一重度摻雜的石夕層、一石夕層、 以及一中間氧化物層，該重度摻雜的石夕層係界定該第一晶 圓的一第一主表面，而該矽層則會界定該第一晶圓的一第 二主表面； 提供一第二重度摻雜的矽晶圓，其具有一第一主表面 與一第二主表面； 在至少該第一晶圓的該第一主表面上形成一氧化物 層， 在至J该第二晶圓的該第一主表面上形成一氧化物 層； 圖案化與蝕刻一凹腔，貫穿該第一晶圓的該第一主表 面之上的該氧化物層以及進入該第一晶圓的該重度摻雜的 石夕層； 圖案化與蝕刻複數個接觸 第一主表面之上的該氧化物層 度摻雜的石夕層； 將該第一晶圓的該第一主 第一主表面，俾使被形成在該 中的凹腔係在該第一晶圓與該 隙； 凹腔，貫穿該第一晶圓的該 以及貫穿該第一晶圓的該重 表面接合至該第二晶圓的該 第一晶圓的該第一主表面之 第二晶圓之間界定一空氣間 在界定該第 與餘刻一凹腔， ~撓性部件，該 :晶圓的該第二主表面的矽層之中圖案化 k而由该第一晶圓的該重度摻雜矽層形成 撓性部件係與形成在該第一晶圓與二 10 200831394 晶圓之間的空氣間隙相關聯； 在該第二晶圓的第二主表面處薄化該第二晶圓； :該第二晶圓的該第二主表面之中圖案化；:’刻複數 該等複數個孔洞係與形成在該第_晶圓與該第二 曰日51之間的空氣間隙相關聯；以及 在該第一晶圓的該重度摻雜矽 墊以雅7層之上形成至少-接合 在"亥弟一晶圓之上形成至少一接合墊。 所：Γ意的本發明之方法的上述；驟並未必要依照 α、順序來貫施。熟習本技術的 變太ir妬、+、A J八士便會明白，可以改 格贫+丄 逞成相同的結果。此等變里 句洛在本發明之方法的範圍内。 … 同樣地，在特定實施例與應用处 去，与w斗 T J月匕會希望包含一 牙。牛。就此來說，該方法較佳的是包 晶圓的該第—±主^ μ 3在界疋该第一 弟—主表面的石夕層之Φ闰安/L· I· 後，於紅, 中圖案化與餘刻該凹腔之 * ;可階段處來將-支撐部件接合至一曰。 第二主# r5=i 弟一晶圓的該 "〇该支撐部件可能係利用上 宜材料所形成。 曲所付淪的任何合 上面所強调，為最小化形成一 主表面之中的笨^ # Μ弟一晶圓的該第二 中的寻複數個孔洞的開口至該 進㈣，該方法較佳的是包 丨件之間的打 面之中圖案化與蝕刻，簟口曰^亥弟—主表 弟一日日圓的該第二主表面 j便先在該 4日# T圖案化與蝕刻一凹脒 根據本發明的進一步觀 1。 乂 ^點係提供一種裝置，J： &入 —印刷電路板（PCB);以及 其包含： 200831394 一與該印刷電路板相關聯之如上所述的感測器； 其中’該印刷電路板包含一孔徑，於該孔徑之上安置 著該感測器，俾使通過該孔徑的任何信號均會與該感測器 之隔膜的撓性部件進行直接通信。 如前面所述，本發明之感測器的一特殊應用係聲音感 測器。所以，於一較佳的實施例中，該信號便係一聲音信 號0 【實施方式】 見在將蒼考本發明之感測器的一特定實施例來說明本 發明的感測器及製造該感測器的方法。應該明白的是，如 ^面了述’本說明的目的並非要限制本發明。還應該要注 意的是，本文的圖式並未依比例緣製且僅係為達圖解的目 曰。圖！所示的係用於製造一感測器的第一晶圓1〇與第二 曰日圓11的側視圖。第一晶圓i 〇 七沾锋 ^ 5 由重度摻雜矽所製 成勺弟-層12、一由矽基板所製 山日日p 人乐一層13、以及一 中間虱化物層14。該第一層12 % - μ η ^ 了匕3 Ρ++摻雜矽，而該 弟-層13可包含一 η型基板 η+ +摻雜矽，而哼第- .^ 一層12可包含 亥弟-層13可包含-P型基板。 —般來說’該第一層12的厚 化物…厚度等級為2微米：：二為二米’且該氧 據該感測器所需要的特徵而定。該第的厚度通常會依 一層12盥該氧卟铷恳1/( . ^ —目13可大於該第 〆、化物層14。舉例來說，該第二層U的厚度 12 200831394 等級可以是400至600微米。 第二晶圓11係、由石夕所構成。該第二晶圓11係被重产 接雜並且可以是P型或n型石夕。在特定實施例中，該第: 晶圓11係、由<100>石夕所構成。於其它實施例中，則可能會 使用不同的矽表面或結構。 曰 應該明白的是，第一晶圓10包含一由該第—層12的 重度摻雜石夕所構成的第一主表面15以及一由該第二層 的^構成的第二主表面16。同樣地，第二晶圓U包含 由該第二晶圓11的重度摻雜矽所構成的-第-主表面17 以及一第二主表面18。 在製造該感測器巾，第一晶si 10與第二晶® 1 i在被 接合在一起之前會先被分開處理並且接著會作進一 理。 y呢 圖2所不的係已經在該等晶圓丨〇與晶圓11的主表面 15至17之上形成氧化物層19之後的第一晶圓1〇盥第二 晶圓U。氧化物層19通常會經由熱成長或沉積製程而被 形成在該等晶圓10與晶圓U的主表面15至17之上。在 第—晶圓1〇與第二晶81 11的主表面15至16以及主表面 17至18兩者之上都形成氧化物層19會降低倘若僅在每一 個曰曰圓之上的其中一個主表面上形成氧化物時而可能出現 的扭曲該晶圓的風險。也就是說’在其所解釋的替代實施 例中:僅會在第-晶圓H)的第一主表面15以及第二晶圓 U的弟-主表面17之上形成氧化物層19。該等氧化物層 19的厚度係小於該等第—晶圓1〇與第二晶圓"的厚度。 13 200831394 ”應該瞭解的是，可以使用任何其它合宜的介電材料或 緣材料來取代該等氧化物層19，舉例來說，氮化石夕。〆 圖3所示的係已經圖案化與蝕刻一凹腔2〇之後的第一 晶圓10。明確地說’該凹腔20 6經被圖案化錢刻貫穿 该弟一晶圓10的第一層 氧化物層並且進入”一曰 5之上的該 口亥弟一日日圓10的該第一層12之中。 於此步驟中，形成該第一層12㈣重度摻 係被歸1以產生該第4 12的該重度摻㈣的= 區段2 1。 ’ 專區段 '的厚度將會決定最後所製造出來的感測器 寸…因為此薄區段21 #重度#时會構 的隔膜的撓性部件，即如下面圖式中所示。 於此步驟中可以運用濕式石夕敍刻或乾式石夕姓刻。於宜 中-貫施例中，會使用反應離子韻刻(RIE)來形成該凹腔 般來說，該蝕刻係-種時間蝕刻。所以，該薄區段 、取終厚度且因㈣隔膜的撓性部件的最終厚度均合 據蝕刻時間而定。進一牛丄 曰 當合步吕之，该凹腔20的所要形狀通 吊曰由4感測器的所要特性來決定。 在該第-晶圓10的該第一層12之中餘刻該凹腔20之 ® 4中所不’便會在該第一晶圓1〇的該第一層12 圖案化且姓刻複數個接觸凹腔22，貫穿該氧化❹ 。該些凹腔22係延伸穿過該第一層12而抵達該第―： 製程1的乳化物層14。同樣地’可以運用任何合宜的蝕刻 衣壬來形成該等接觸凹腔2 2。 14 200831394 現在參考圖4A，於此階段處，可藉由圖案化與蝕刻被 形成在該第一晶圓1〇的該第一層12的第一主表面15之 上的氧化物層19來視情況形成一接合墊凹腔23。這同樣 可以經由任何合宜的钱刻製程來達成。 如圖5中所示，該等第一晶圓1〇與第二晶圓^係被 接合在一起。透過個別氧化物層19被接合在一起的主表 面為第一晶圓ίο的第一主表面15與第二晶圓u的第一 主表面17。於一實施例中，該等晶圓1〇與11係利用熔接 的方式藉由它們個別的氧化物層19而被接合在一起。 在將該等晶圓丨。與u接合在_起時：會在該等晶圓 與η之間形成一空氣間隙24，其係對應於在先前蝕刻 步驟之中所形成的凹腔20。 現在參考圖6’在將該等兩個晶圓1〇與Η接合在一 起之後’便會圖案化與蝕刻一㈣25，其係貫穿形成在第 -晶圓ίο的第二主表面16之上的氧化物層19， 晶圓10的第二層13的石夕，並且貫穿第一晶圓1〇、 氧化物層14。該凹腔係形成在對應於該空氣間隙24之位 置的位置處。因此，先前所形成的薄區段二立 該凹腔25中。 曰路在 倘若希望有一支標部件（例如一玻璃晶圓支撐體）的 話’那麼便可如圖6A，6B中所示的方式 :b實施例中，形成在第-晶圓10的第二主表面i:二： 乳化物層19以及該第二主表面16的一部份 作 業，用以薄化第-晶…第二層13。這會產 15 200831394 晶0 ίο之上的經研磨表面26。不過，應該瞭解的是，可 以運用任何並它人皆从+ /、 且的方法來移除該氧化物層19並且薄 化該第二層13。 於薄化該第二層13之後，先前已經製備的玻璃晶圓27 便會被接合至該第二層13的該等經研磨表面％。該玻璃 晶圓 2 7包含一中止了丨。 、從28 ’其係配合先前所形成的凹腔 25來共同運作。這會確保該感測器於完成製造之後會具有 正確的功能。 倘右4玻璃曰曰圓27並未具備一孔徑的話，便可能會在 :玻璃晶圓」7之中形成一孔徑。舉例來說，搞若該玻璃 Ώ 7疋貝心的洁，那麼其本身便可以被圖案化與蝕刻， 、提仏4孔扛28。於此情況中，可能會在該玻璃晶圓27 、及利用濕式姓刻或乾式鍅刻（舉例來說，使肖明所形成 的孔徑28之上沉積一鉻遮罩層。 女圖7中所示，在第一晶圓丨〇的第二層丨3之中蝕刻 。亥凹I 25之後，且視情況在將該玻璃晶圓27接合至該第 二層13之後，便會研磨第二晶圓u的第二主表面18以 及其上所形成的氧化物層19。這會露出第二晶圓n之中 絰研磨的表面29。視情況，可以藉由圖案化與蝕刻第二 晶圓11的經研磨表面29而在該第二晶圓n之中形成一 凹腔30。應該明白的是，可以在蝕刻該凹腔乃之前先進 仃该第二晶圓U的第二主表面18以及氧化物層19的研 磨。 接著便會在一與該空氣間隙24相關聯且因而與該薄區 16 200831394 ί又1相關驷的區域之中，在該第二晶圓i工的該重度摻雜 矽，中圖案化與蝕刻複數個孔洞31。在該第二晶圓u之 申了 :蝕刻另一小型凹腔32。此凹腔32係與在將該等第 曰曰曰圓1〇與第二晶圓11接合在一起時（如圖5中所示）， 、干接墊凹月：23(圖4A中所示）所形成的空氣間隙33相關 聯。當形成該等孔洞31與小型凹腔32之後，便會進行全 域蝕刻’俾使該等孔洞3 i會延伸貫穿至該空氣間隙Μ， ::J 1L凹L 32則會延伸貫穿至該空氣間隙33。實際上， 曰形成稷數條通道34延伸貫穿該第二晶圓"而 間隙24’並且會形成-更深的凹腔35。 _ ί考固1 〇，在藉由全域钱刻形成該等通道3 4之 便會在該第二晶圓"上方的正確位置處設置一遮蔽 ^罩36亚且會藉由進行鋁的沉積來沉積接合墊37與38。 弟—接合塾37係被沉積在該第-晶圓1〇之中經由該凹腔 3_5曰露出的—區域上，而第二接合墊38則會被沉積在該第 —晶圓11之中的一區域上。 田衣k凡成日守，便會提供如圖丨丨中所示的感測器切。 二包含一由包含複數條通道34的第二晶圓η所構成的背 心。該等複數條通道34係延伸至由該第一晶圓1〇所界 疋的空乳間隙24。-薄區段21係與該空氣間隙24相關聯 亚且會界㈣隔膜41的撓性部件。有—對接合塾η與％ :分別與第一晶圓10與第二晶圓"相關聯。從圖η便 :明白’在形成該感測器時會讓背板Μ並且從 伸貫穿該背板39的該等通道34位於由該薄區心所界 17 200831394 定的撓性部件上方。這有刺於代#面 ⑺於促成圖12中所示的所謂「底 面」塗敷。 如圖中所示，感測器40係被安置在一 pcB 42之上， 俾使該感測器40係跨坐於該pcB 42之中的孔徑43上。 就此來說’通過該孔徑43的任何信號均會與由該感測器4〇 之膜41的薄區段2 1所界定的撓性部件進行直接通信。 該等接合墊37與38會與可和—裝置的其它組件45相連 接的電線44相關聯。該裝置的蓋部46係在該感測器4〇 周圍界定一背體積47。 現在苓考圖13至14，圖中顯示出數個封裝。在圖i 3 :顯示—種配置中’會將—先前技術的頂面塗敷感測 态40安置在一 PCB 42之上。於該蓋部46之中會提供一 孔徑48，以便讓一信號（例如聲音信號）（圖13至15中的箭 頭所示者）通過該蓋部46以抵達該感測器4〇,。 圖1 4中所示的係先前技術的另一替代例，其中，會將 一感測器40”安置在一 PCB 42之上。於此配置中，係在該 PCB 42之中設置一孔徑43，而非在該蓋部46之中設置。 不過’因為該感測器40”係一頂面塗敷感測器，所以，無 法將其安置在該孔徑43上方。而是，其必須被安置在遠 離該孔徑43的位置之中。 如前面所述，本發明的感測器4〇的優點是能夠被安置 在該孔徑43上方，如圖15中為達對照目的所圖解者。所 以’信號（箭頭所示者）便能夠直接行進至該感測器4()，且 明確地說，能夠直接行進至該感測器40的撓性部件。 18 200831394 根據本發明的感測器可提供數項優點。明確地說，上 面所述之該感測器定位在一 PCB之上的優點係可減輕和進 入該封裝之中的濕氣相關聯的問題。更重要的是，該感剛 器可達成具有大型背體積的配置。就聲音應用來說，背體 積對一裝置的聲音效能而言非常重要，因為其會影響靈敏 1*生。底面塗敷方法可讓總體積完全被圍成該背體積，從而 會大幅地改良靈敏性。另外，利用底面塗敷，便可以在該 裝置的正面（舉例來說，行動電話的正面小鍵盤區）擊穿二 孔洞’並且在該PCB之中_一孔洞，讓聲音能夠直接行 進至該感；則器。皮匕較短的行進路徑能夠產生一較低的裝置 輪靡，因為在該孔洞下方並不需要有任何空氣通道。 丽面已經說明本發明的較佳形式。不過，熟習本技術 勺人士便可幸工易地明白’在隨附的申請專利範圍所界定的 本發明的範疇中希望涵蓋各種變化與修改。 【圖式簡單說明】 前面已經參考附圖透過範例來詳細地說明過本發明。 不過，應該明白的是， 限制束癸_ ^ 不输如何，該等圖式並不應被視為 丨良制本發明。該等圖式如下： 晶圓與第二晶圓的剖面側視 圖1所示的係製造前第一 圖； 圖2所示的係 圓的剖面側視圖； 圖3所示的係 經過氧化物 沉積之後第一晶圓與第 曰曰 、、二過圖案化與蝕刻一凹腔之後第一晶圓 19 200831394 的剖面側視圖； 圖4所示的係經過額外圖案化與蝕刻接觸凹腔之後第 一晶圓的剖面側視圖； 圖4A所不的係經過額外圖案化與蝕刻氧化物層之後 第一晶圓的剖面側視圖； 圖5所不的係被接合在一起的第_晶圓與第二晶圓的 剖面側視圖； 圖6所示的係經過圖案化與钱刻以形成該撓性部件之 後该等已接合晶圓的剖面側視圖； 圖6A所示的係經過薄化該第—晶圓之第二主表面之 後該等已接合晶圓的剖面側視圖； 圖6B戶斤不的係經過接合一支撐部件之後言亥等已接合 晶圓的剖面側視圖； ^圖7所示的係經過薄化該第二晶圓之第二主表面之後 該等已接合晶圓的剖面側視圖； 圖7A所示的係經過在該第二晶圓之中圖案化與触刻 -凹腔之後該等已接合晶圓的剖面側視圖； 、圖8所示的係經過在該第二晶圓之中圖案化與姓刻孔 洞之後該等已接合晶圓的剖面側視圖； 圖9所示的係經過在該第二晶圓之中全域餘刻該等孔 洞之後該等已接合晶圓的剖面側視圖； 圖1〇所示的係藉由沉積在該第-晶圓與該第二曰圓之 上形成接合墊的剖面側視圖； U & 圖11所示的係一超低壓感測器的剖面側視圖； 20 200831394 圖12所示的係含有一先前技術感測器之裝 且W。丨』面側 視圖以及封裝方法； 圖1 3所示的係含有一先前技術感測器之裝置的气面俱 視圖以及替代的封裝方法； 诗 圖1 4所不的係含有根據本發明之感測器之裝 ^ ^ . ___ % Μ 面 圖15所示的係含有被安置在一孔徑上方之根據本 之感测器之裝置的剖面側視圖。 【主 要元件符號說明】 10 第一晶圓 11 弟一晶圓 12 第一層 13 第二層 14 氧化物層 15 弟一晶圓的第一 主表面 16 弟一晶圓的第二 主表面 17 弟二晶圓的第一 主表面 18 弟二晶圓的第二 主表面 19 氧化物層 20 凹腔 21 薄區段 22 接觸凹腔 23 接合墊凹腔 21 200831394 24 空氣間隙 25 凹腔 26 經研磨表面 27 玻璃晶圓 28 中央孔徑 29 經研磨的表面 30 凹腔 31 孔洞 32 凹腔 33 空氣間隙 34 通道 35 凹腔 36 遮蔽遮罩 37 接合墊 38 接合墊 39 背板 40 感測器 405 感測器 40，， 感測器 41 隔膜 42 印刷電路板 43 孔徑 44 電線 45 其它組件 22 200831394 46 蓋部 47 背體積 48 孔徑 23

Claims (1)

1. 200831394 該背板包 7·如申請專利範圍第1項之感測器，其中 含一延伸在該等複數個背板孔上方的凹腔f 8 · 一種製造感測器的方法，其包含： 提供一第一晶圓 以及一中間氧化物層 圓的一第一主表面， 主表面； ’其包含一重度摻雜的矽層、一矽層、 ’該重度摻雜的矽層係界定該第一晶 而該石夕層係界定該第一晶圓的一第二 提供一第二重度掺雜的矽晶圓，其具有一第一主表面 與一第二主表面； 在该第一晶圓的至少該第一主表面上形成一氧化物 層； 在4第二晶圓的至少該第一主表面上形成一氧化物 層； 圖案化與餘刻一凹腔，貫穿該第一晶圓的該第一主表 之上的該氧化物層以及進入該第一晶圓的該重度摻雜的 石夕層； 圖案化與餘刻複數個接觸凹腔，貫穿該第一晶圓的該 主表面之上的該氧化物層以及貫穿該第一晶圓的該重 度穆雜的矽層； 將该第一晶圓的該第一主表面接合至該第二晶圓的該 第一+ 衣面’俾使被形成在該第一晶圓的該第一主表面之 中白勺 、凹腔係在該第一晶圓與該第二晶圓之間界定一空氣間 隙； 在界定該第一晶圓的該第二主表面的矽層之中圖案化 25 200831394 與蝕刻一凹腔，從而Λ 由该苐一晶圓的該重度摻雜夕； 一撓性部件，該撓性邱It ^層形成 視丨生。卩件係與形成在該第一晶圓 晶圓之間的空氣間隙相關聯； /弟- 在/第曰曰圓的第二主表面處薄化該第二晶圓； 在δ亥弟一晶圓的今玄笛_ +主 亥弟一主表面之中圖案化與蝕刻複數 個孔洞，該等複數個了丨 洞係14形成在該第一晶 晶圓之間的空氣間隙相關聯；以及 、在該第：晶圓的該重度摻雜石夕層之上形成至少一接合 墊以及在該第二晶圓之上形成至少一接合墊。 9. 如申請專利範圍第8項之製造感測器的方法，其包 含在界定該第一晶圓的該第二主表面的矽層之中圖案化盥 姓刻該凹腔之後’於任何階段來將—支揮部件接合至該第 一晶圓的該第二主表面。 10. 如申請專利範圍第8項之製造感測器的方法，盆包 含在該第二晶圓的該第二主表面之中圖案化與银刻該等複 數個孔洞的步驟之前便先在該第二晶圓的該第二主表面之 中圖案化與姓刻一凹腔。 11 · 一種裝置，其包含： 一印刷電路板（PCB);以及 一與該印刷電路板相關聯之申請專利範圍第丨至7項 中任一項的感測器； 其中，該印刷電路板包含一孔徑，於該孔徑之上安置 著該感測器，俾使通過該孔徑的任何信號均與該感測器之 隔膜的撓性部件進行直接通信。 26 200831394 12.如申請專利範圍第11項之裝置，其中，該信號係 一聲音信號。 十一、圖式： 如次頁。 27