TW200809803A - Trailing shield design for reducing wide area track erasure(water) in a perpendicular recording system - Google Patents

Description

200809803 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於垂直磁記錄，且更明確地說，係關於一種 具有減少之雜散場敏感性之新穎的磁拖矣屏蔽設計。 【先前技術】 電腦之長期記憶體之核心為稱作磁碟驅動機之組件。磁 碟驅動機包括：一旋轉磁碟；寫入頭及讀取頭，其由與旋 轉磁碟之表面相鄰之吊桿臂懸吊；及一致動器，其擺動吊 桿臂以將讀取頭及寫入頭置於旋轉磁碟上選定之圓形磁軌 上。將讀取頭及寫入頭直接定位在具有空氣軸承表面 (ABS)之滑動器上。吊桿臂將滑動器朝向磁碟之表面偏 置’且當磁碟旋轉時，與磁碟相鄰之空氣沿磁碟之表面移 動。在此移動氣墊上之滑動器在磁碟之表面上掠過。當滑 動器在空氣轴承上轉動時，寫入頭及讀取頭用於將磁轉變 寫入旋轉磁碟及自旋轉磁碟讀取磁轉變。讀取頭及寫入頭 連接至處理電路，該處理電路根據一電腦程式操作以實施 寫入及讀取功能。 寫入頭傳統地包括一嵌入第一絕緣層、第二絕緣層及第 二絕緣層（絕緣堆疊）中之線圈層，該絕緣堆疊夾於第一磁 極片層與第二磁極片層之間。由寫入頭之空氣軸承表面 (ABS)處之一間隙層在第一磁極片層與第二磁極片層之間 形成一間隙，且該等磁極片層在/後間隙處連接。傳導至 線圈層之電流包括一在磁極片中之磁通量，該磁通量使磁 場在ABS處之寫入間隙處散射以用於將上述磁轉變寫入移 118874.doc 200809803 動介質上之磁軌（諸如，上述旋轉磁碟上之圓形磁轨)中。 在近來的讀取頭設計中，一自旋閥感測器（亦稱作巨型 磁阻（GMR)感測器）已被用於感應來自該旋轉磁碟之磁場。 感測器包括非磁導層，在下文稱作間隔層，其夾於第一鐵 磁性層與第二鐵磁性層之間，第一鐵磁性層與第二鐵磁性 層在下文稱作固定層及自由層。第一導線及第二導線連接 至自旋閥感測器以用於傳導穿過其中之感應電流。固定層 之磁化係垂直於空氣軸承表面（ABS)而固定，且自由層之 磁矩平行於ABS而定位，但是其回應於外部磁場而自由旋 轉。固疋層之磁化通常由與反鐵磁性層之交換耦合來固 定。 間隔層之厚度經選擇小於穿過感測器之傳導電子之平均 自由路徑。在此配置下，傳導電子之一部分被間隔層與固 定層及自由層中之每一者的界面散射。當固定層之磁化與 自由層之磁化相對於彼此而平行時，散射最小，且當固定 層之磁化與自由層之磁化反平行時，散射被最大化。散射 之變化改變與cose成比例之自旋閥感測器之電阻，其中e 為固定層之磁化與自由層之磁化之間的角度。在讀取模式 中’自旋閥感測器之電阻與來自旋轉磁碟之磁場之量值成 比例地變化。當感應電流傳導穿過自旋閥感測器時，電阻 變化引起電位變化，該等電位變化被偵測到並作為回放信 號而處理。 當自旋閥感測器利用一單一固定層時，其稱作簡單自旋 閥。當自旋閥利用反平行（AP)固定層時，其稱作AP固定自 118874.doc 200809803 旋闕。AP自旋闕包括由薄的非磁性輕合層（諸如，釘）分離 的第-磁性層與第二磁性層。間隔層之厚度經選擇以便反 千灯輕合^層之鐵磁性層的磁化。視固定層是否位於頂 部(在自由層之後形成)或位於底部(在自由層之前)而定， 自旋閥亦已知為頂部或底部自旋閥。 自走閥感;貝j器疋位在第一非磁電絕緣讀取間隙層與第二 非磁電絕緣讀取間隙層之間’且第一讀取間隙層與第二； 取間隙層定位在鐵磁性[屏蔽層與鐵磁性第三屏蔽層二 間。在經合併之磁頭中，單-鐵磁性層充當讀取頭之第二 屏蔽層且充當寫入頭之第一磁極片層。在背負頭 (piggyback head)中，第二屏蔽層及第一磁極片層為分離 層0

固疋層之磁化通常藉由交換耦合鐵磁性層（Αρι)中之一 者與一反鐵磁性材料（諸如，PtMn)層來固定。雖然反鐵磁 性（AFM)材料（諸如，PtMn)本身不會具有磁化，但當與一 磁性材料交換耦合時，其可牢固固定鐵磁性層之磁化。 為滿足不斷增加的對經改良之資料速率及資料容量的需 求，研究者最近已集中精力於垂直記錄系統之研發上。諸 如一併入上述寫入頭之記錄系統的傳統縱向記錄系統將資 料作為沿磁碟之表面之平面中的磁執而縱向定向之磁性位 7G而儲存。此縱向資料位元由形成於被寫入間隙分離之磁 極對之間的邊緣場記錄。 相反，垂直記錄系統將資料作為垂直於磁碟之平面而定 向之磁化來記錄。磁碟具有由薄的磁性硬式頂層覆蓋之磁 118874.doc 200809803 性軟式下層。垂直寫入頭具有：一寫入磁極，其具有非常 小的横截面；及一返回磁極，其具有一大得多的橫截面。 強的、咼度集中磁場自寫入磁極在一垂直於磁碟表面之方 向中發射，從而磁化磁性硬式頂層。接著，所得磁通量行 進牙過軟式下層’從而返回返回磁極，在該返回磁極處， 磁通量經充分散佈且為弱的，使得當磁通量在穿過磁性硬 式頂層而返回至返回磁極時，其將不會使寫入磁極記錄之 信號消磁。 垂直δ己錄糸統之特徵中之一者在於磁介質之高矯頑性頂 層具有高轉換磁場。此意謂當寫入磁性資料位元時，需強 的磁場來轉換介質之磁矩。為減小轉換磁場且增加記錄速 度’已¥试使自寫入磁極發射之寫入場成一角度或"傾斜，，。 以相對於介質之法線之角度傾斜寫入場藉由減小轉換磁場 而使介質之磁矩更易於轉換。若根據單一粒子之St〇ner-Wohlfarth模型’使有效通量磁場成角度，則模型化已展示 垂直§己錄系統中之單極寫入器可顯示改良之轉變銳度（亦 即’更好的場梯度及解析度）、達成更佳的介質信號雜訊 比且允許更高的矯頑場介質以用於更高的面積密度磁記 錄。研究出的使磁場傾斜之方法已提供與寫入頭相鄰之拖 良磁屏蔽，以磁性吸引寫入磁極之磁場。 拖曳屏蔽可為浮動設計，因為磁拖曳屏蔽並非與寫入頭 之其他結構直接磁性連接。來自寫入磁極之磁場導致屏蔽 中本貝上行進穿過磁介質而返回寫入頭之返回磁極的通 S。或者，屏蔽可為一缝合設計，其中屏蔽與返回磁極磁 118874.doc 200809803 性連接。屏蔽之各種尺寸對拖良屏蔽之正確操作而言係關 鍵的。舉例而言，當寫入磁極至拖曳屏蔽分離（間隙）約等 於頭至軟式下層間隔（HUS)且拖曳屏蔽喉高大略等於寫入 磁極之磁轨寬度的一半時，對有效通量磁場之有效成角产 或傾斜被最佳化。此設計以有效通量磁場為代價改良寫入 場梯度。為使拖良屏蔽所損失之有效通量磁場最小化且仍 達成所要的效應，間隙及屏蔽厚度經調整以分別使屏蔽處 之飽和及屏蔽所損失之有效通量磁場最小化。為使拖矣屏 蔽最佳地起作用，必須緊密控制拖曳屏蔽間隙之厚度。因 此’需要一種在製造期間精確控制此拖曳間隙厚度之構 件。 ;、二而，對垂直磁έ己錄糸統之使用存在關於對磁介質之無 思的、不期望的寫入的挑戰。垂直記錄系統之磁介質產生 關於資料消磁之問題，縱向記錄系統通常不會遭遇該等問 題。磁介質包括一薄的磁性硬式頂層及一低矯頑性下層。 由於軟式下層之低矯頑性及相對大的尺寸，軟式下層極其 容易受磁場影響。 諸如上述拖夷屏蔽之拖曳屏蔽可自來自拖曳屏蔽之後的 方向（在喉高方向）之寫入磁極的擴張區拾取雜散磁場。與 來自寫入磁極之極尖部分之磁場組合的此等磁場可導致拖 髮屏蔽之在寫入頭之磁執寬度外側的區中之磁飽和。此飽 和可使磁場自拖复屏蔽在感測器之磁軌寬度之外侧的區域 中發射。此可引起所謂的廣角磁執消磁（WATER)。 因此’強烈需要一種拖曳屏蔽設計，其可提供有效的所 118874.doc 200809803 要場傾斜，同時亦避免非所要的、無意的對介質之寫入 諸如廣角磁軌消磁（WATER)。使用現有的、士”"入， 』具有極少或盔 額外花費之製造過程較佳易於實施此設計。 “、、 【發明内容】 本發明提供-種在垂直磁記錄中之寫人頭使用的磁拖$ ^蔽結構。寫人頭包括-結構，其具有_朝向abs安置之

前邊緣及-背離而安置之後邊緣，前邊緣與後邊緣之 間的距離界定在屏蔽上任何給定位置處之喉高。 具有-具妹定喉高（SH2)之中心、定位區或部分，且:有 定位在第一橫向外端與第二橫向外端處的第一外區及第二 外區’第—外區及第二外區具有—大於纽2之喉高（s叫。 第-中間部分及第二中間部分各自定位在外區中之一者與 中心區之間。中間部分各自具有一界定可變喉高之錐形後 邊緣。 中間部分之每一者之後邊緣可界定一隨與結構之中心的 橫向距離而線性變化之喉高。中間部分之每一者之後邊緣 :相對於ABS形成1G度至2G度或約⑽之角度，且可自喉 南SH2(後邊緣在該處會合中心部分）變化至則（後邊緣在 該處會合各別外部部分）。 喉高TH1可為加之匕至5倍，且中心部分可具有〇8_ 1.0微米之橫向寬度（與ABS平行）。 #據本發月之屏蔽之組態有利地提供所要的通量阻塞量 以防止來自屏蔽之外部部分之過多通量抵達屏蔽之中心部 刀’其中此通里可影響寫入。然而，中間區之平緩、逐漸 118874.doc 200809803 曰加之喉回有利地防止通量集中引㈣散場寫人或廣角磁 執消磁（WATERS。 始終指示類似元件） 將顯而易見本發明 田閱續結合諸圖（其中類似參考數字 進打之較佳實施例的以下詳細描述時， 之此等及其他特徵及優點。 【實施方式】 用於進行本發明之最佳模式

以下描述為目前預期用於進行本發明之最佳實施例。進 行此描述之目的為説a月本發明之—般原理且並非意謂限制 本文所主張之發明性概念。 現參看圖1，其展示一體現本發明之磁碟驅動機ι〇〇。如 圖1所示，至少一可旋轉磁碟112被支撐在轴114上且由磁 碟驅動機馬達1職轉m之磁記錄為在磁碟ιΐ2 上之同心資料磁執（未圖示）的環形圖案形式。 至少一滑動器113定位在磁碟112附近，每一滑動器113 支撐一或多個磁頭組件221。當磁碟旋轉時，滑動器ιΐ3在 磁碟表面122之上徑向移入或移出以使得磁頭組件i2i可存 取磁碟寫入了所要資料之不同磁執。每一滑動器ιΐ3借助 於吊桿115附接至致動器臂119。吊桿115提供一將滑動器 113偏置並抵靠在磁碟表面122上之微小的彈力。每一致動 器臂119附接至致動器構件127。如圖i所示之致動器構件 127可為音圈馬達（VCM)。VCM包含一可在固定磁場内移 動之線圈’線圈之方向及速度由控制器129所供應之馬達 電流信號控制。 118874.doc -12- 200809803 在操作磁碟儲存系統期間，磁碟112之旋轉在滑動号⑴ 與磁碟表面m之間產生空氣軸承，其對滑動器施加一向 上力或升力。因此’在正常操作期間，空氣軸承抵消吊桿 us之微小彈力且支撐滑動器⑴離開且稍微高於磁碟表面 一小的、大體恆定的間隔。

磁碟儲存系統之各種部件在操料由控制單元129所產 生之控制信號（諸如，存取控制信號及内部時脈信號）來控 制i通第，控制單元129包含邏輯控制電路、儲存構件及 :微處理器。控制單元129產生控制信號以控制各種系統 操作該等控制信號諸如線路123上之驅動機馬達控制信 號及線路128上之頭定位及搜尋控制信號。線路128上之控 制t旎提供所要的電流分佈以最佳地移動且定位滑動器 113至磁碟112上所要的資料磁轨。寫入信號及讀取信號借 助於記錄通道125而傳遞至寫入頭及讀取頭121且自寫入頭 及讀取頭121傳遞。 參看圖2，可更詳細觀察到滑動器113中磁頭m之定 向。圖2為滑動器113之ABS圖，且如可見，包括一電感寫 入頭及讀取感測器之磁頭定位在滑動器之尾邊緣處。以上 對典型磁碟儲存系統之描述及圖1之隨附說明僅為了表示 之目的。明顯地，磁碟儲存系統可含有大量磁碟及致動 器’且每一致動器可支撐許多滑動器。 現參看圖3，描述在垂直磁記錄系統中使用之磁頭221。 磁頭221包括一寫入元件3〇2及一讀取感測器304。讀取感 測器較佳為一巨型磁阻（GMr)感測器且較佳為一電流垂直 118874.doc -13- 200809803 於平面（CPP)之GMR感測器。CPP GMR感測器尤其非常適 用於垂直記錄系統。然而，感測器304可為諸如電流在平 面内（CIP)之GMR感測器或穿隧接面感測器（TMR)或一些其 他類型之感測器的另一類型之感測器。感測器304定位在 第一磁屏蔽306與第二磁屏蔽308之間且與第一磁屏蔽306 與第二磁屏蔽308絕緣，且嵌入介電材料307中。可由（例 如）CoFe或NiFe構造之磁屏蔽吸收諸如來自上磁執或下磁 執資料信號之磁場的磁場，從而確保讀取感測器304僅偵 測定位在屏蔽306、308之間的所要資料磁執。非磁性電絕 緣間隙層309可提供於屏蔽308與寫入頭302之間。 繼續參看圖3，寫入元件302包括一寫入磁極310，該寫 入磁極310與磁性成形層312磁性連接且嵌入絕緣材料311 内。如圖4所示，寫入磁極在空氣軸承表面處具有一小的 橫截面且由具有高飽和磁矩之材料（諸如，NiFe或CoFe)構 造。返回磁極層320由磁性材料（諸如，CoFe或NiFe)構 造，且具有一平行於ABS表面之橫截面（如圖4所示，該橫 截面顯著大於寫入磁極310之橫截面）。如圖3所示，返回 磁極314藉由後間隙部分316與成形層312磁性連接。返回 磁極314及後間隙316可由（例如）NiFe、CoFe或一些其他磁 性材料構造。 如圖3中橫截面所示，導電寫入線圈317穿過成形層312 與返回磁極314之間的寫入元件302。寫入線圈317由電絕 緣材料320包圍，電絕緣材料320使線圈317之各匝彼此電 絕緣且使線圈317與周圍磁結構310、312、316、314隔 118874.doc • 14- 200809803 離。當電流穿過線圈317時，所得磁場使磁通量流過返回 磁極314、後間隙316^成形層312及寫入磁極31()。此磁通 量使寫入場321朝向相鄰磁介質發射。成形層312亦被將成 形層312與ABS分離之絕緣層321包圍。絕緣層32〇、321、 311皆可由相同材料（諸如，氧化鋁（a12〇3))或不同的電絕 緣材料構造。 寫入頭元件302亦包括一拖曳屏蔽322。寫入磁極31〇具 有尾邊緣402及前導邊緣404。術語π尾，，及”前導，，係當寫入 頭302在使用中時關於沿資料磁執之行進方向。寫入磁極 310亦較佳具有第一橫向相對側4〇6及第二橫向相對侧 408，兩個側經組態以界定前導邊緣4〇4處之寬度（其窄於 尾邊緣402處之寬度），從而形成具有梯形形狀之寫入磁極 310。當寫入頭302定位在磁碟上極外部位置或極内部位置 處時，此梯形形狀有效防止歸因於寫入頭3〇2之偏斜的相 鄰磁轨寫入。然而，寫入頭310之此梯形形狀無需實施本 發明。 繼續參看圖4，藉由拖曳間隙412(其填充有諸如铑或氧 化鋁之類的非磁性材料）將磁拖髮屏蔽322與寫入磁極3ι〇 分離。在不會引起太多磁場洩漏至屏蔽322(此洩漏將導致 寫入場效能之損耗）時，拖良屏蔽間隙由一用以提供所要 的寫入場傾斜量的厚度構造。拖曳屏蔽322可由磁性材料 (諸如，NiFe)構造。 現參看圖5,拖曳屏蔽之自頂向下圖說明藉由在垂直磁 記錄系統中使用拖曳屏蔽502所提出的挑戰。展示一拖髮 118874.do< -15- 200809803 屏蔽’其具有在喉而方向中量測之AB S邊緣5 0 4及後邊緣 506。拖曳屏蔽502具有一在其中心之較窄喉高508且拖曳 屏蔽502在外端處擴張成較寬喉高510。圖5中之虛線中展 示寫入磁極310，且在圖5所示之圖式中，寫入磁極310定 位在拖曳屏蔽502下方。來自寫入磁極310之極尖之磁通量 512自寫入磁極所定位之中心行進至此通量可被屏蔽吸收 之外端。然而，其他雜散磁場514可自寫入磁極之擴張區 516發射且甚至自下伏成形層312或線圈317發射（圖5未圖 示）。 此等雜散場可與磁通量512組合以引起磁飽和，磁飽和 又引起磁場518自屏蔽502之ABS邊緣504發射。為了使情 況更糟，通量集中點（諸如，恆定窄的擴張區508會合被擴 張區520之點）可在此發射場中引起尖峰522。此尖峰522當 然為不想要的，因為其可引起如先前所論述之廣域磁軌消 磁（WATER)。 參看圖6，不能完美地執行拖曳屏蔽502之圖案化的事實 進一步加劇場尖峰WATER問題。由於圖案化及電鍍製程中 之特定變化，喉高之窄化或收縮可如位置602處所指示地 發生。另外，參看圖7，用於形成ABS 504之搭接過程的變 化可引起搭接深度變化，從而再次導致諸如位置702處之 窄化或收縮。此亦導致場尖峰522之增加。 現參看圖8，根據本發明之實施例之拖曳屏蔽800在圖8 中之頁平面中經展示被構造在寫入磁極310(其在屏蔽800 下方）上方。屏蔽800由磁性材料（諸如（但不限於）NiFe)構 118874.doc -16- 200809803 造。儘管特定變化及非對稱為可能的，屏蔽800較佳通常 關於中心線804對稱。屏蔽800具有一 ABS邊緣806及一與 ABS邊緣806相對之後邊緣808。屏蔽具有一中心恆定淺喉 高區810、擴張錐形中間區812及恆定深喉高外部區814。 如熟習此項技術者將認識到，術語”喉高"涉及自ABS 806 至屏蔽800之後邊緣808的距離。 為了簡單起見，術語11橫向π在本文中將被界定成涉及自 中心線804(亦即，至圖8所示之右及左）之距離。類似地， 術語"前向”將涉及朝向或超過ABS之方向（亦即，朝向圖8 中頁之底部）。術語"後”將涉及背離ABS之方向（亦即，喉 高方向或朝向圖8所示之頁之頂部）。 恆定深喉高區814形成於拖曳屏蔽800之橫向朝外位置 處，且錐形區812中之每一者均定位在外部恆定喉高區814 與中心怪定淺喉局區810之間的橫向中間位置處。 恆定較深喉高區814較佳具有為恆定淺喉高中心區810之 喉高TH2的1.5至5倍的喉高TH1。恆定淺喉高區較佳自中 心線延伸0.4-0.5 μπι之距離。錐形部分812之後邊緣808相 對於ABS 806較佳形成10至20度或約15度之角度。 由錐形部分提供之阻塞防止過多通量進入TS中心部分， 諸如防止過多通量進入可被較大外部部分814拾取之雜散 場。喉高之錐形化亦避免飽和以及防止過多電荷。外部恆 定喉高區814在具有十分有限的面積以便防止該等外部部 分過度地拾取雜散磁場的同時提供足夠屏蔽面積以自中心 部分810吸收所要的通量。 118874.doc -17- 200809803 現參看圖9,在本發明之可能實施例中，屏蔽9〇〇可由錯 墊（anchor pad) 902組態。錨墊902可自屏蔽9〇〇之一端延 伸。在屏蔽900之一端或兩端上可存在錨墊。錨墊9〇2可自 外部恆定喉高部分814之端延伸（例如）5 μιη之距離9〇4。錨 墊部分902可在喉高方向中延伸得顯著遠於屏蔽9〇〇之剩餘 部分，錨墊部分902具有大於ΤΗ1或ΤΗ2之喉高Th3。錨墊 提供具有機械硬度之屏蔽且防止屏蔽9〇2自其所要位置移 • 動。 雖然以上已描述各種實施例，但是應理解，其僅借助舉 例提出而不限制。對於熟習此項技術者而言，在本發明之 範疇内的其他實施例亦變得顯而易見。因此，本發明之範 圍及範疇不應受上述例示性實施例之任一者的限制，而應 僅根據以下申請專利範圍及其均等物來界定。 【圖式簡單說明】 圖1為可體現本發明之磁碟驅動機系統之示意性說明； _ 圖2為自圖1之線2_2截取之滑動器之ABS圖，其說明磁 頭在該滑動器上之位置； 圖3為自圖2之線3_3截取之磁頭之橫截面圖，其經放大 且逆時針方向旋轉90度； 圖4為根據本發明之實施例之磁頭之ABS圖，其自圖3之 線4-4截取且旋轉180度； 圖5-7為拖曳磁屏蔽之自頂向下圖，其說明藉由使用此 等拖食磁屏蔽所提出之挑戰； 圖8為拖曳屏蔽之自頂向下圖，其說明本發明之實施 118874.doc 200809803 例； 圖9為拖曳屏蔽之自頂向下圖，其說明本發明之另一實 施例。 【主要元件符號說明】 2 線 3 線 4 線 100 • 磁碟驅動機 112 可旋轉磁碟 113 滑動器 114 軸 115 吊桿 118 磁碟驅動機馬達 119 致動器臂 121 磁頭組件 • 122 磁碟表面 123 線路 125 記錄通道 ’ 127 致動器構件 • 128 線路 129 控制器/控制單元 221 磁頭 302 寫入頭/寫入兀件 304 讀取感測器 118874.doc 19- 200809803

306 第一磁屏蔽 307 介電質材料 308 第二磁屏蔽 309 間隙層 310 寫入磁極 311 絕緣層 312 成形層 314 返回磁極 316 後間隙部分 317 導電寫入線圈 320 絕緣層 321 絕緣層 322 拖良屏蔽 402 尾邊緣 404 前導邊緣 406 第一橫向相對側 408 第二橫向相對側 412 拖曳間隙 502 拖曳屏蔽 504 ABS邊緣 506 後邊緣 508 喉高 510 喉高 512 磁通量 118874.doc -20- 200809803

514 516 518 520 522 602 702 800 804 806 808 810 812 814 902 TH1 TH2 TH3 雜散磁場 擴張區 磁場 擴張區 尖峰 位置 位置 拖曳屏蔽 中心線 AB S邊緣 後邊緣 中心區 中間區 外部區 錯塾 喉高 喉高 喉高 118874.doc -21-

Claims (1)

1. 200809803 十、申請專利範圍： 1. 一種在/垂直磁寫入頭中使用之磁屏蔽，該磁屏蔽包 含： 一大體直的空氣軸承表面（ABS); -一中區， 一外區；及 一中間區’其安置於該中心區與該外區之間，其中： 該外區具有一界定一如自該ABS量測之大體恆定的喉 ⑩ 高（TH1)之後邊緣，該中心區具有一界定一小於TH1之大 體恆定的喉高（TH2)之後邊緣，且該中間區具有一界定 一變化之喉高的後邊緣，該後邊緣係自一朝向該中心區 之較小喉高至一朝向該外區之較大喉高錐形化。 2·如請求項1之磁屏蔽’其中該中間區具有一會合該中心 區之一外端之内端，且具有一會合該外區之一内端之外 端’且其中該中間區之該内端具有一等於ΤΉ2之喉高且 φ 該中間區之該外端具有一等於ΤΗ1之喉高。 3·如請求項2之磁屏蔽，其中該中間區具有一自該中間區 之該内端至該中間區之該外端線性變化之後邊緣。 ’ 4.如請求項1之磁屏蔽，其中ΤΗ1為ΤΗ2之1.5_5倍。 - 5·如請求項1之磁屏蔽，其中該屏蔽關於一中心線大體對 稱’且其中該中心區自該中心線延伸一 〇 4至〇 5 μπι的距 離。 6·如請求項1之磁屏蔽，其中該屏蔽具有一中心線，且其 中该中心區自該中心線延伸一 0.4至0.5 μπι的距離。 118874.doc 200809803 7. —種在一垂直磁記錄頭中使用之磁拖曳屏蔽，該屏蔽包 含·· 一安置在一空氣軸承表面（ABS)處之前邊緣； 一中心區，其具有一界定自該ABS所量測之一中心區 喉高（TH2)之後邊緣； 第一中間區及第二中間區，其自該中心區之相對端横 向延伸’該專中間區之每一者具有一界定一隨著與該中 心區之距離之增加而增加之喉高的後邊緣；及 第一外區及第二外區，其每一者自該第一中間區及該 第二中間區中之一者向外橫向延伸，該等外區之每一者 具有一界定一如自該ABS量測之大體恆定的喉高（TH1)之 後邊緣，TH1大於TH2。 8·如請求項7之磁拖曳屏蔽，其中TH1為TH2之1.5至5倍。 9.如請求項7之磁拖曳屏蔽，其中該中心區具有一 〇.8至1 〇 μηι之橫向寬度。 φ 10·如請求項7之磁拖曳屏蔽，其中該等中間區之每一者具 有一界定一自ΤΗ2至ΤΗ1線性變.化之喉高之後邊緣。 11·如請求項7之磁拖曳屏蔽，其中該等中間區之每一者具 有一自該中間區會合該各別外區之ΤΗ 1變化至該中間區 會合該中心區之ΤΗ2之喉高。 12.如請求項7之磁拖曳屏蔽，其中該等中間區之每一者具 有一自該中間區.會合該各別外區之ΤΗ1線性變化至該中 間區會合該中心區之ΤΗ2之喉高。 13·如請求1之磁屏蔽，其中該中間區具有一界定一相對於 118874.doc 200809803 該ABS之10至20度的角度之後邊緣。 14·如請求7之磁拖曳屏蔽，其中該等中間區之每一者具有 一界定一相對於該ABS之10至20度的角度之後邊緣。、 15· —種在一垂直磁記錄系統中使用之磁寫入頭，該寫入頭 包含： 一磁性寫入磁極，其具有一尾邊緣； 一磁性返回磁極，其與該寫入磁極磁性連接； 一導電寫入線圈，其之一部分穿過該返回磁極與該寫 入磁極之間； 一磁拖曳屏蔽，其經形成以與該寫入磁極之該尾邊緣 相鄰且藉由一非磁拖曳屏蔽間隙層與該寫入磁極之該尾 邊緣分離’該磁拖曳屏蔽具有一朝向該寫入頭之一空氣 軸承表面（ABS)安置之前邊緣，及一與該八別相對之後 邊緣’該屏蔽具有一具有一喉高（SH2)之中心部分、各 自具有一可變喉高之第一中間部分及第二中間部分，及 具有一大體恆定的喉高（SH1)之第一外部部分及第二外 部部分，該第一喉高及該第二喉高係自該ABS至該屏蔽 之該後邊緣量測，SH1大於SH2，每一中間部分安置於 一外部部分與該中心部分之間。 16. 如請求項15之磁寫入頭，其中每一中間部分具有一自 SH2至SH1線性變化之喉高。 17. 如請求項15之磁寫入頭，其中8111為3112之15彳倍。 18·如請求項15之磁寫入頭，其中該中心部分具有一 〇·8_1〇 μηι之橫向寬度。 118874.doc 200809803 19. 如請求項15之磁寫入頭，其中每一中間部分具有一相對 於該ABS形成一 10-20度的角度之後邊緣。 20. 如請求項15之磁寫入頭，其中每一中間部分具有一相對 於該ABS形成一 10-20度的角度之後邊緣，且其中SH1為 SH2之1.5至5倍。 21 ·如請求項1之磁屏蔽，其進一步包含一自該外區之一外 * 端橫向延伸之錨墊，該錨墊具有一大於TH1之喉高 TH3 〇 ® 22·如請求項7之磁拖曳屏蔽，其進一步包含一自該等外區 中之至少一者之一端延伸的錨墊，該錨墊具有一大於 TH1之喉高TH3。 23.如請求項7之磁拖曳屏蔽，其進一步包含一自該等外區 中之每一者之一端延伸的錨墊，該錨墊具有一大於TH1 之喉高TH3。

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