TW200528232A - System, method and apparatus for applying liquid to a CMP polishing pad - Google Patents

Description

200528232 九、發明說明： 一、 【發明所屬之技術領域】 本發明-般侧於-化學機械平坦化(Q{p)f 一或多種液體於CMP研磨墊的方法與系統。 係靶加 二、 【先前技術】 半‘體裝置-般係以形成層層相疊之多層在半導體 =出多層結構。因為多層是—層疊—層形成的，晶圓表面形狀 、支付不賴。未修正之不規難__層 ^ 坦邮MP)是用來平坦化半導體晶圓表面而去除形狀不規 运私序。CMP也能用來進行其他製造程序，包含研磨、擦光、^、 。CMP也包含對如平面顯示器、硬碟等等應用所用之丄板 來進行清潔、擦光、研磨與其他處理。 般來說，0製程包含在控繼力下相對於製作表面（即研 ίΐ表而鱗、婦基板。典削陳備包含有錄帶狀處理 中個以上的鼓輪或滾筒之間支持有具有製作表面的 f㈣。祕經由旋轉路徑移㈣子而形成晶圓施加之平坦製 作表面。-般來說，基板以載體（即研磨頭）支持及旋轉 位於帶子下方。研磨台提供帶子行經其上之穩定表面，在研磨^ 之穩定表面上基板施加至帶子之製作表面。 口 CMP设備也包含具有圓形研磨墊組態製作表面之旋轉 工具、類似於旋轉CMP»程玉具之執道GMP製紅具 、 Ϊΐί與工^’以及多重組態系統，其利用摩擦力^ _~ 研磨“光、π %、處理基板表面，此基板是例如具有 積體電路或其他結構在其上之半導體晶團。 八 、、主、切程一甘般係包含使用一或多種研磨料、化學品、濕潤液或 ^液##，甚至各種組合，來極大化基板製作中磨擦力的有效 使用。研磨料通常懸浮在水溶液中（稱為研黎） 面上。在一些組態中，研磨料用作為製作表面的一部:在= 200528232 固定研磨料組態。 /圖1A顯示一典型的直線帶狀CMp處理系統1〇。直線帶狀〇^處 理系統10包含施加於直線處理帶14之晶圓12，晶圓12附在載體16 上，載體16能旋轉晶圓12，並以力18施加晶圓12直線處理帶14上。 平台22提供一穩定牢靠的表面來支撐晶圓12與直線處理帶丨4。直 線士理帶位麵個鼓獅上或周邊，鼓輪20支撐触轉直線處 理帶14。單點研漿分配設備26分配研漿24在晶圓12的上游，所以 直線處理帶14能載送研漿24給晶圓12。 圖1B顯不另一種的研漿分配系統。另一種研漿分配系統包含 研桌歧管30，研漿歧管30顯示在直線帶狀CMp處理系、_，的頂視 圖:研桌歧管30(即研漿槓)在晶圓η的上游橫跨直線處理帶 ^經由多重分配出口32滴出研漿。研漿歧管_優點在於研浆 月匕分_製作表面整個寬度上，賴作表面的各種寬度上， ^於多重分配出口32所用的數量及間距，以確絲板多重尺寸的 漿組態或研漿歧管組態的先前研聚分配系統之缺 ' :研水一般以流速100-200 cc/min來分配。因為研漿是水溶 的流速（即小於議cc/min)會讓溶液分離或在研漿横中 =勾勻为佈。另一缺點在於研漿僅可能從一或多研漿分配出口中 而Ϊ得研漿滴在相對少位置的製作表面上。因此，研襞在 製作表面寬度4均自杨。 心* ίΐΐί效地ί配製程化學品。過量製程化學品也造成過量廢棄 “ίί關副產品流會更進—步增加操作成本，因為^ 廢棄Ί目關的處理或循環回收成本。所需的是-種在流速100 化他製?化學品也可能非常昂貴。因此，較高的製程 广口口机速專同杈尚的〇^操作成本。在許#CMp操作中，小於 =min，流速能提供與聊Ge/min或以上研聚流速相同的結 :士▲典型製程化學品分配系統在流魂小於100 cc/min下不 cc/nun或以下均自施加贿和其他錄化學品到gMP製作表面的 200528232 系統與方法 上 舉例而a *研沒與製作表面從晶圓表面去除材艇，本 材料與研漿以在製作表面的凹坑與裂隙（即孔洞）帶離開晶圓^、 面:14些孔洞在製作表面經常是相對地深。當製作表面後^ 晶圓時’ CMP副產品能接觸或再沉積在晶圓表面上。沉 品，能造成日日日圓表面料規則如微粒污染、刮痕、槽孔就g 或去除CMP副產品堆積的系統以及方法存有f求午。彳效地減乂 三、【發明内容】 盘方明藉由提供分配液體到cmp研磨墊之改良系統 乂一s 。應瞭解本發明能以數種方式實行，包含作 二¥個=例糸統、電腦可讀取媒介或裝置。以下將說明本 二實施例提供-種傳送液體到化學機械平坦化(CMP)研磨墊 ’。此方法包含供應液體到喷嘴，此喷嘴朝向CMp研磨墊的研 ° 二日^。液體從噴嘴實質上均勻地喷灑在cmp研磨塾上。液體可 以疋研漿、去離子水(DIW)、清潔液或濕潤液。 骑。從喷嘴中喷灑時，加壓載體氣體的氣壓不足以霧化液

Hi體氣體的氣壓在從約lpsi至1QPsi的範圍内。載體氣體 可以疋二氣、壓縮乾燥空氣(CDA)或惰性氣體。 m另方面’當液體從喷嘴中傭時，加壓載體氣體的氣壓可 1霧化液體。加壓載體氣體的氣壓在從_如至5Gpsi的範 圍内。 ，嘴也包含多重喷嘴。施加到至少—個喷嘴的流量率與氣壓 可以與施加咖餘噴嘴的流量率與氣壓獨立控制。 供應液體進喷嘴可以包含依序供應第—液體與第二液體進喷 200528232 嘴。第一液體可以是研漿，第二液體可以是濕潤液。 另一實施例提供一種濕潤化學機械平坦化(QJP)研磨墊之方 法。此方法包含供應濕潤液與加壓載體氣體到喷嘴。從喷嘴產生 噴液朝向CMP胃研磨墊。噴液具有足以從CMP研磨墊實質移除CMp副產 品污染的力量。足以從CMP研磨墊實質移除CMP副產品污染可以包 含足以打斷CMP研磨墊與副產品污染之間的靜電結合。加壓包含注 入載體氣體與液體進入喷嘴，載體氣體可以具有約丨时以至训 的氣壓。 a ，一實施例提供一種處理晶圓的方法。此方法包含經由喷嘴 施加第-研_0ίΡ研雜上。加壓載體氣體也供應射嘴。濕潤 液經由噴嘴施加，並且第二研漿經由噴嘴施加。喷嘴可以包含多 重噴嘴。 、 ，一貫知^列提供一種施加液體到化學機械平坦化研磨 墊之糸統。此系統包含朝向CMP研磨墊的喷嘴。此喷嘴具有第一輸 一輸入部連接第一供應部，、第:輸入部連 ^體乳體（、應和喷嘴可吨含裝有歧管的多重喷嘴。施加到 氣的流量率與氣壓可以與施加到剩餘喷嘴的流量率與 歧管包含一歧管主體，其具有貫通歧管主體設置之至 與沿著歧管主體設置之至少—液體供應通道，以提供至 置主體外部之間流通。每—液體供應通道設 機械平坦化(CMP)研磨墊之系統也可以包含 小ϋ二此&制益可以包含一配方。也可以包含每一喷嘴的至 乂欢母一閥連通控制器，所以控制器可以操作每一= 少-優點•減 200528232 從下述之詳細說明與附圖以例示本發明原則之方式 發明之其他實施態樣與優點是呈為顯著的。 四、【實施方式】 以下將說明施加液體到化學機械平坦化(CMp)研磨墊之系 統、、方法與設備之數個實施例。對熟習此技藝人士而言，本發明 可以在欠缺這些部分或所有特定細節下實行乃為顯然之事。x 半導體製作程序的降低成本是在半導體製作中的永恆目標。 =低成本可以是崎低製程卫具的成本或是製程王具的更有效使 =(即增加產能）的赋。半導難料低成本的其他方法包含其 誤::他ΪΪ低原材料用量與成本、降低廢物流量、減少生產& 的曰，研賴其他製程化學品可能是CMP製程I具操作成本 制I °因此在減少製程化學品使用下而得到相似結果的CMP ίϊ將=降低CMP操作的成本。本發明一實施例包含均勻地施加 二：，机動速率（即約l〇〇cc/min或更少）到CMp研磨墊製作表面之 統與方法。加壓氣體能用來經由分配槓載送研漿（或其他製 包含—或多個喷嘴，載體氣體與研聚經由 Liif研磨塾的製作表面。以此方法，研聚與其他製程化 者減少’藉以降低操作成本。另—方面，改良分配系 巧M1P操作成本下使収昂貴的研漿與製程化學品。 攸製作表面去除CMp副產品也是必須的，用來減少或消除⑶p 田:產，所造成的不規律與污染與確保一致的CMP操作。本發明一實 M2以ί潤液來濕潤製作表面之系統與方法。濕潤液喷灑到 ^制主載體氣體用來增加濕潤液的氣壓，以增加濕潤液施加 。屏丨、ΐ的力量。以此方法，在製作表面孔洞深處的CMP副產品 夜安全有效地去除。濕潤液與載體氣體的組合能 夠力量來打斷在CMP副產品（即微米立)與製作表面之間的靜 冤結合。 200528232 圖2A與2B顯示如本發明一實施例之改良CMp設備2〇〇。CMp設備 200包含一改良分配喷嘴208，能施加溶液（即研漿或其他溶液）到 CMP帶14的製作表面上。分配喷嘴2〇8施加溶液在一實質均勻的扇 狀圖幵>216中。扇狀圖形216均勻分配溶液在cmp帶14的製作表面 上。分配喷嘴208固著於分配歧管21〇。分配歧管21〇包含多重輸入 部212與214。第一輸入部212供應溶液到分配歧管21〇。第二輸入 部214供應載體氣體到分配歧管21〇。 广載體氣體可以是任何或多種適合的載體氣體，包含壓縮乾燥 空氣(CDA，compressed dry air)、氮氣、氬氣或其他適合氣體。 載，氣體可以是惰性氣體或與溶液細p操作反應之反應氣體。載 體氣體可以是約3psi到5psi相對低的壓力，然而較高或較低壓力 能用在不同溶液及/或不同溶液流動速率上。例如在一典型水溶液 研漿中，載體氣體可以限於約5psi或更低，使得研漿不^顯著地霧 化。 載體氣體在歧管210及/或喷嘴2〇8組合以經由喷嘴載送溶液 到實質均勻的扇狀圖形216。使用載體氣體經由喷嘴載送溶液讓溶 液以極低流速（即小於約l〇〇cc/min)均勻分配在CMp墊14的製作表 面上。雖然使用載體氣體來讓溶液以低流速均勻分配，大於 100cc/min的流速也能以載體氣體經過喷嘴2〇8輸送。 喷嘴208能從任何適合的材料來製作。例示喷嘴2〇8是用聚對 苯二曱酸乙二酯（PET ’ Polyethylene Terephthalate)製作，然而 也可以使用其他材料，如耐綸、塑膠、陶瓷、金屬、複合材料或 其他材料。扇狀圖形216能有固定或變動角度，由特定溶液與QJP 操作所選之噴嘴形狀來決定。 〃 雖然於此以帶狀CMP製程工具來說明改良分配噴嘴2〇8，應明 瞭改良分配喷嘴208能使用在任何一種Qjp製程工具，包含圓形（即 旋轉）、軌道、次孔徑CMP製程工具與其他CMP製程工具。在另一實 施例，分配歧管210包含多重分配喷嘴。 圖3是如本發明一實施例之分配歧管21〇之細部圖。分配歧管 200528232 210包含第一孔洞212A，經由第一孔洞212A溶液輸送至喷嘴208。 分配歧管210也包含第二孔洞214A，經由第二孔洞214人載體氣體輸 送至喷鳴208。相對應通道212B與214B形成在歧管210以連接喷嘴 208到各別孔洞212A與214A。 ' 圖4-6顯示如本發明一實施例之另一歧管4〇〇。歧管4〇〇包含多 重喷嘴208A-E。多重喷嘴208A-E每一個喷嘴能造成如圖5所示的對 應扇狀圖形216A-E。對應扇狀圖形216A-E彼此鄰接或擇一能彼此 覆蓋，以在CMP帶14製作表面上提供期望的分配。歧管也包含 閥（未顯示），用來選擇一或多個喷嘴208A-208E。舉例而言，能關 上;谷液及/或載體氣體到喷嘴208C的供應來控制到喷嘴208C的流 動。 圖6顯示如本發明一實施例之另一歧管4〇〇的等角視圖。顯示 喷嘴208A從孔洞212A、214A移出來說明喷嘴2〇8A與孔洞212A、214A 的連接。孔洞214A經由鄰接孔洞212A(在一實施例是實質環繞孔洞 212A)之一通道連接到喷嘴208A。喷嘴208A也利用襯墊208· 2與喷 嘴環208· 1。雖然另一歧管4〇〇顯示為一排喷嘴，應明瞭多重喷嘴 208A-E能安排成超過一排。 μ 、 圖7是如本發明一實施例之包含另一歧管4〇〇，之溶液分配系 統700之不意圖。歧管4〇〇’包含多重喷嘴2〇8Α—Ε。第一供應部源 722供應溶液到歧管棚’。溶液可以是清潔、濕潤液或製程所需 的任何其他製程化學品。第二供應部源724供應第二輸人部到歧管 400’ 。第二輸入部可以是載體氣體源。在一實施例中，也包含額 外供應源來供應一或多個閥7〇2Α-710Β，不包含第一供應部源722 與第二供應部源724的其中之一或二者。 ^ 也包含流量計及/或流量控制器730、732來監測、控 應部源722與第二供應部源724各職流動速率。流量控制哭糊: 732連接到監測、控制流量控制器73〇、伽的控制器72〇。^ 720包含配方740，其包含溶液控制系統期的期望流動速率 控制參數。控制器720也包含輸出’如顯示器或其他指示器讓^孕作 11 200528232 者監測目f操作。控制器720也包含輸入裝置，如圖形使用者介 面、鍵盤等，以讓操作者手動操作目前操作。控制器720能包含在 CMP系統控制器中。 旦舉例而，，配方740能指定來自第一供應部722的5〇cc/min流 篁率與來自^第二供應部724的5psi載體氣體流量率。流量控制器 730二732,測、控制各別流量、壓力以確保維持適當流量率與壓 力。從流量控制器730、732到控制器720的資料回饋用來作封閉迴 圈控制，所以操作者能監測目前操作。 歧管400也包含一或多個閥702A-710B來控制相對應喷嘴 208A-E的流量率。閥702A-710B的每一個連接到系統控制器720， φ 所以各別噴嘴208Α-Ε的流量率能由控制器72〇選擇性控制。閥 702Α-710Β也包含流量計，所以每個噴嘴的流量率能由控制器72〇 精密地監測控制。 舉，而言，可能希望在製程帶丨4的中央增多流量，因此閥7〇6八 可以從第一供應部722增加流量，流經中央喷嘴2〇8c。流量計可以 包含在閥706Α中或與其配對以提供回饋資料到控制器72〇。控制器 720也可以调整從閥7〇 6Β的壓力及/或流量率來維持預選的混合設 定點。 也可以包含第三（或第四或更多）供應726。閥咒从與728Β提供 Λ 在供應源722與726之間的切換能力。閥728Α與728Β也連接到控制 器720 ’所以控制器能操作（即開與關）閥728績72祕。舉例而言， 在CMP操作的第一部分，研漿從第一供應部源722供應。在CMp操作 的後續部分，閥728A關上，閥728B打開，以從第三供應部源726供 ， 應去離子水(DIW)。以此方法，在CMP操作期間可以改變供應的溶 液。 圖8是如本發明一實施例之施加液體操作方法8〇〇之流程圖。 在操作805中，液體供應到喷嘴，例如如上述之研漿供應到喷嘴 208。供應液體到喷嘴也可以包含控制液體到喷嘴的流速，例如用 閥、流量計或流量控制器。 12 200528232 在操作810中，載體氣體也供應到喷嘴。如上述載體氣沪以足 夠流量率與壓力來供應以提供期望之結果。在一實施例期3望結 果可以是不霧化液體。因此，壓力限於不霧化液體。準確壓 是液體種類、液體流量率、喷嘴設計與期望分配圖案的函數。^ 例而言，如果施加超過8psi的載體氣體，研漿會霧化，而直到二 加15psi的載體氣體，去離子水才會霧化。因此，當分配去離子i 時，載體氣體壓力可以高於分配研漿的壓力。 7 在才呆作815中，液體與載體氣體的混合物從噴嘴以實併 案來輸出。液體藉以實質均勻施加到如上述之製作表面。、^此方 法，相對低流量率的液體可以在製作表面上均^分g2(即喷灑）。 圖9顯示如本發明一實施例之製作表面清潔系統_。势 面清潔系統900包含朝向製作絲的一或多個喷嘴9〇2 、 多個位置_、912。喷嘴以足夠力量噴灑濕潤液(即去 cmp4。絲面上，峨製餘_仙中去除 CMP釗產。載體氣體加入濕潤液以增加噴灑濕潤液的 喷嘴902可以包含與上述圖2Α_8實質相似的一或多個喷嘴。喷 可以包+含並列的多重噴嘴，以在製作表面寬度_望上 k供濕潤覆蓋。倾氣體壓力與㈣濕·流量率可 上述施加液體到製作表面的壓力與流量率 ®2A—8所㈣嘴纖_職_方法，藉控制器 10ί如本發明—實施例之—濕潤製作表面操作方法1000之 離’驗供應_嘴°溶液可以是濕潤液， 面的2 的，會減少造成哪副產品附著在製作表 嘴時在t°L〇: ’載體氣體供應部到喷嘴。當載體氣體喷出噴 鳥時，“來增加鎌_力。增加賴力能給製作表面^夕^ 13 200528232 物理力量，更能從製作表面去除CMP副產品。 在操作1015中，喷嘴朝向製作表面。喷嘴可以朝向一角度， 例如顯示在圖9的位置910與912，溶液從喷嘴以此一角度喷灑 溶液推擠CMP副產品往帶14移動的相反方向。以此方法，在製作表 面通過載體16之前，可以有效從製作表面去除如微粒盥1 九 之CMP副產品。 ο木 、在了實施例，改良分配喷嘴208與歧管210或分配系統7〇〇可以 與濕潤系統900組合，所以在製作表面接觸載體ΐβ與晶圓a之前， 研漿（或其他製程溶液）可以均勻分配在製作表面上。在接觸載 16與晶圓12之後，濕潤製作表面以去除qip副產品，接著因為^^ 繼，循環而重複製程。以類似方法，分配噴嘴2〇8與歧管21〇^八 配系統700與濕潤系統9〇〇可以用在其他種CMp製程工具（即圓刀 形、軌道、次孔徑與其他CMP製程工具）。 ^ 於此所述形成部分發明之任何操作是有用的機械操作 執，f作的裝置與設備。設備可以是為所需目的4 财轉在f腦之電腦程式來選 根^示所寫之電腦程式，或是較方便建造特別設備$份斤 亡發明以實施為在電腦可讀媒介上之電腦可讀程式 電 媒介是能儲存資料且之後能為電腦系統所讀取之任;資料

If1； ^ mmZlf =AS ’ network attached st〇rage)、唯讀記憶體⑽m)

署、㈣、㈣W、磁帶與其他光學和C 上’所以電腦可讀程式可以时散式_存魏行連、先 應明瞭圖8與圖10之操作所表示之指令不需 所述之製程也可以以儲存在RAM、_、硬碟之—或組4軟=來 200528232 施行。 &雖然ί述發明已為了清楚了解之目的作了一些詳細說明，在 申請^利範圍的範疇内可以進行某些改變與變更是至為明顯。因 ^ ’實施例考慮作為說明性而非限制性，本發明不侷限於所述細 喊’而可以在申請專利範圍的範疇與均等物内修改。 五、【圖式簡單說明】 以下述之詳細說明與附圖將很快暸解本發明，相似束考 標識相似的結構元件。 圖1Α顯示一典型直帶CMP處理系統。 圖1B顯示另一種研漿分配系統。 馨 圖2A與2B顯示如本發明一實施例之改良CMp設備。 圖3疋如本發明一實施例之分配歧管之細部圖。 圖4-6顯示如本發明一實施例之另一歧管4〇〇。 圖7是如本發明-實施例之包含另一歧管之溶液分配系統之 示意圖。 圖8是如本發明一實施例之施加液體操作方法之流程圖。 圖9顯示如本發明一實施例之製作表面清潔系統二 圖10是如本發明一實施例之一濕潤製作表^喿作方法之流程 圖0 【主要元件符號說明】 10 直線帶狀CMP處理系統 10, 直線帶狀CMP處理系統 12 晶圓 14 處理帶 16 載體 18 力 20 鼓輪 15 200528232 22 平台 24 研漿 26 單點研漿分配設備 30 研漿歧管 32 多重分配出口 200 CMP設備 208 喷嘴 208A-E 喷嘴 208.1 喷嘴環 208.2 襯墊 210 歧管 212 第一輸入部 212A 孔洞 212B 通道 214 第二輸入部 214A 孔洞 214B 通道 216 扇狀圖形 216A-E 扇狀圖形 400 歧管 400， 歧管 700 溶液分配系統 702A-710B 閥 720 控制器 722 第一供應部 724 第二供應部 726 第三供應部 728A 閥 728B 閥 200528232 730 流量控制器 732 流量控制器 740 配方 800 施加液體操作方法 900 製作表面清潔系統 902 喷嘴 910 喷嘴902之可能位置 912 喷嘴902之可能位置 1000 濕潤製作表面操作方法

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Claims (1)

1. 200528232 十、申請專利範圍·· 1·含種傳达-液體到—化學機械平坦化(⑽研磨墊之方法，包 面，嘴，此喷嘴朝向該cmp研磨墊的一研磨表 供 2 嘴麵概體在細?研磨墊上。 _墊二法制—化學類平坦化(⑽ 其中之一。、體謂漿、子水师）、清潔液至少 t磨 傳送—膽卜化學賴平坦化(CMP) 化=當液雜從喷嘴中喷灑時，該加麗載趙氣體的 t二申傳ί:液雜到-化學機械平坦化(⑽ 的範圍内。〃 't載雜*趙的氣壓在從約lpsi至約1〇Psi 5·如申請專利範圍第1項之傳送一 各風』n 研磨塾之方法，射該健氣剧_) 性氣體所構成群組中至少其中之一。’、1鈿軋煉空亂與惰 6·如申請專利範圍第1項之傳送一液許 研^之綠，其"液體從料 氣壓足以霧化液體。 I戟體軋體的 7· ^申請專職Μ6歡傳送—液_—化學_平坦化(CMP) 的之^其+該峨峨的瓣__至約 8研利平坦化(⑽ 18 200528232 =可以與施加到該複數個喷嘴的剩餘喷嘴之流量率與氣壓獨立 10·如申請專利範圍第丨項之傳 (CMP)研磨塾之方法，其中供應該液體到—匕 應一第一液體與-第二液體進人喷嘴。、^的步驟包含依序供 =塾專之 濕潤液。 、T 4 ^為研漿，該第二液體為- 12· 機械平坦化㈣㈣磨塾之濕潤方法，包含： 仏應一濕潤液到噴嘴； 3 供應一加壓載體氣體到喷嘴； 磨塾塾，財_心萌研 申ίί利範圍第12項之化學機械平坦化(W)研磨墊之渴 ;研磨塾與產品包含足以打斷 15. 種日日圓處理方法，包含·· 體氣第-研_-*研磨墊上，其中-加鍊 經由该噴嘴施加一濕潤液；及 經由ό亥噴嘴施加一第二研聚。 =· 一種施加一液體到一化學機械平坦化(CMp)研磨墊之系統， 含· -於Ϊ'，朝向該⑶?研磨塾，此喷嘴具有-第-輸入部與-第 輸入部連接—第—供應部，該第二輸入部連接 載體氣體供應部。 17·如申請專·圍第16項之施加—液體到—化學機械平坦化 19 200528232 (CMP)研磨墊之系統，其中該喷嘴包含裝置在一歧管的複數個喷 嘴。 、 18·如申請專利範圍第17項之施加一液體到一化學機械平坦化 (CMP)研磨墊之系統，其中施加到該複數個喷嘴的至少一個的流量 率與氣壓可以與施加到該複數個喷嘴的剩餘喷嘴的流量率與氣壓 獨立控制。 19·如申請專利範圍第17項之施加一液體到一化學機械平坦化 (CMP)研磨墊之系統，其中該歧管包含： 一歧管主體，具有至少一液體供應孔，液體供應孔是貫通歧 管主體設置； ' 至少一液體供應通道，沿著歧管主體設置以提供該至少一液 體供應孔與歧管主體外部之間的流通，每一液體供應通道設置成 安裝在該複數個喷嘴之一上。 20·如申請專利範圍第17項之施加一液體到一化學機 (CMP)研磨墊之系統，更包含： 飞干一化 一控制器，此控制器包含一配方；以及 該複數個喷嘴中之每一喷嘴的至少一閥，該至少一 一閥連接於該控制器，使得該控制器可以操作該每一閥，T、# 十一、圖式：