200524751 九、發明說明： 【發明所屬技術領域】 本發明係有關於曝光裝置，尤其係關於複數之發光元 件，於主掃描方向以特定間隔排列之元件列，係複數排列於 副掃描方向之曝光裝置。 【先前技術】 將螢光性之有機物質用於發光層之有機電場發光元 件，稱之爲有機EL元件，相較於其他發光元件將易於製造， 藉由可構成薄型且輕型之發光元件等之優點，先前乃以薄型 顯示器用元件方向進行硏究開發。於近年來，由於發光亮 度、發光效率、耐久性等，亦可獲得匹敵於發光二極體（LED ) 之高性能有機EL元件，故將朝著應用到將鹵化銀感光體等 感光體曝光之曝光裝置進行檢討。 作爲使用有機EL元件之曝光裝置，譬如，如第8圖所 示，有一將發光成紅色（R)綠色（G)藍色（B)各色之有 機EL元件80，依各色以複數排列於主掃描方向所形成之元 件列，以RGB三色一組，而排列複數組（於第8圖上爲2 組）於副掃描方向者。又，於第8圖上，爲了區別RGB各 色之有機EL元件80,將附加表示對應於符號末尾之顏色之 英文字母（R/G/B )以顯示。於該曝光裝置上，因各元件間 之光量不均，使得於畫像上將於副掃描方向產生條紋重疊。 爲了解決此問題，揭示有一種技術，藉由於副掃描方向 排列複數之元件列，且以複數之元件列將1主掃描線反覆曝 光（多重曝光），將元件間之光量不均平均化進而解決條紋 200524751 重疊（專利文獻1 )。 [專利文獻1]日本特開200 1 -356422號公報 但是，於先前之多重曝光裝置中，雖然藉由排列於副掃 描方向之複數元件列，將1主掃描線上多重曝光，但是因曝 光位置於副掃描方向偏移而將會有降低解析度之問題產生。 本發明乃係針對解決上述問題而發明之，本發明之目 的，係於副掃描方向中防止曝光位置偏移，進而提供可進行 以高解析度曝光之曝光裝置。 【發明內容】 爲了達成上述目的，本發明之第1曝光裝置，其特徵爲 具備：發光元件列，可各獨立驅動控制之發光元件係沿著與 前述副掃描方向交叉之主掃描方向而將排列複數個之元件 列，於前述副掃描方向排列複數個，使複數之發光元件對感 光材料並排在副掃描方向；和驅動控制手段，驅動控制前述 各發光元件，使排列於前述副掃描方向之複數元件列以時間 比例依序點亮；當前述複數之元件列於相同於副掃描方向之 方向依序點亮時，以下述式（1 )所示之間距排列前述元件 列，同時，當前述複數之元件列以逆向於副掃描方向依序點 亮時，以下述式（2 )所示之間距排列前述元件列。 [式5] T= ( m - 1/η ) /P....... ·· ( 1 ) Τ= ( m + 1/η ) /P....... ..(2) 式（1 )及式（ 2)中 ，P爲曝光畫素之間距，1 η爲2以 上之整數，η爲排列於副掃描方向之元件列數目。 200524751 於本發明之第1曝光裝置中，最好係以下述式（3 )所 示之副掃描速度V，掃描曝光感光材料。 [式6] v= P/ ( η · t ) ............. ( 3 ) 式（3 )中，P爲曝光畫素之間距，n爲排列於副掃描方 向之元件列數目，t爲各元件列之發光時間。 本發明之第1曝光裝置具備發光件列，爲了使複數之發 光元件對感光材料並排於副掃描方向，將可各獨立驅動控制 之發光元件係沿著與副掃描方向交叉之主掃描方向而排列 複數個之元件列，於前述副掃描方向排列複數個，藉由並排 於副掃描方向之複數發光元件，將感光材料之相同位置多重 曝光。驅動手段係將發光元件列之排列於副掃描方向之複數 元件列以時間比例依序點亮，亦即，爲了被動驅動而驅動控 制各發光元件。 於發光元件列之中，當複數之元件列於相同於副掃描方 向之方向依序點亮時，以上述式（1 )所示之間距排列元件 列。同時，當複數之元件列以逆向於副掃描方向依序點亮 時，以上列式（2 )所示之間距排列元件列。於式（1 )及式 (2)中，需事先考量曝光裝置之副掃描方向之移動量及移 動方向，即使於已移動曝光裝置之情況下，爲了曝光特定位 置之畫素位置，由於已定位各發光部之副掃描方向間距Τ’ 故於副掃描方向中，可加以防止曝光位置之偏移。另外’由 於係藉由被動驅動而進行曝光，故將會縮小於副掃描方向之 曝光量分佈。結果，將可利用高解析度進行多重曝光。 -7- 200524751 爲了達成上述目的，本發明之第2曝光裝置，其特徵係 具備：發光元件列，可各獨立驅動控制之發光元件係沿著與 前述副掃描方向交叉之主掃描方向而將排列複數個之元件 列，於前述副掃描方向排列複數個，使複數之發光元件對感 光材料並排在副掃描方向；和驅動控制手段，驅動控制前述 各發光元件，使排列於前述副掃描方向之複數元件列以時間 比例依序點亮；於各元件列之發光時間爲t，圖框間之間隔 時間爲11條件下，當前述複數之元件列在相同於副掃描方 向之方向依序點亮時，以下述式（4 )所示之間距排列前述 元件列，同時，當前述複數之元件列以逆向於副掃描方向依 序點亮時，以下述式（5 )所示之間距排列前述元件列。 [式7] T，= { m — t/ (η · t + ti) } P····· ....( 4) T，= { m + t / (η · t + tl ) } p ····· ....( 5 ) 式（4)及式（5)中，P爲曝光畫素之間距，m爲2以 上之整數，η爲排列於副掃描方向之元件列數目。 於本發明之第2曝光裝置之中，最好係以下列式（6 ) 所示之副掃描速度ν，掃描曝光感光材料。 [式8] ν’ = Ρ/ ( η · t + h ) ............. ( 6 ) 式（6 )中，P爲曝光畫素之間距，η爲排列於副掃描方 向之元件列數目，t爲各元件列之發光時間，h爲圖框間之 間隔時間。 於第2曝光裝置上，除了曝光裝置之副掃描方向之移動 200524751 量及移動方向之外，亦須事先考量圖框間之間隔時間，即使 於已移動曝光裝置之情況下，爲了曝光特定之畫素位置，由 於已定位各發光部之副掃描方向間距T，故以實際之驅動循 序’可加以防止於副掃描方向曝光位置之偏移。另外，由於 係藉由被動驅動而進行曝光，故將會縮小於副掃描方向之曝 光量分佈。結果，將可利用高解析度進行多重曝光。 於上述之第1曝光裝置中，將以上述式（3)所示之副 掃描速度V，掃描曝光感光材料。另外，於上述之第2曝光 裝置中，將以上述式（6)所示之副掃描速度ν’，掃描曝光 感光材料。又，對發光元件列，最好係使用有機EL元件， 且’此種情況，有機EL元件之各發光部乃相當於本發明之 「發光元件」。 [發明效果] 根據本發明時，將於副掃描方向中防止曝光裝置之偏 進而可獲得進行以高解析度之曝光效果。 【實施形態】 以下，茲參照圖面，詳細說明本發明之實施型態。 如第1圖所示，本實施型態之曝光裝置，乃具備：透明 基板10、於透明基板10上藉由蒸鍍法所形成之有機EL元 件20、聚光有機El元件20之發出光線而照射於感光材料 40之自聚焦透鏡陣列（selfoc lens arry)(以下，稱之「SLA」） 30、支撐透明基板10或SLA30之支撐體50。 有機EL元件20，係於透明基板10上，依序積層透明 陽極21、包含發光層之有機化合物層22、金屬陰極23而形 200524751 成之。適當選擇包含發光層之有機化合物層22之材料，可 獲得所期望之顏色發出光線，於透明基板1 0上，發出紅色 (R)光之發光部20R，發出綠色（G)光之發光部2 0G，及 發出藍色（B)光之發光部20B，係以後述之特定圖案而加 以形成。又，當有機EL元件時，各發光部則相當於本發明 之「發光元件」。 該有機EL元件20，譬如，係藉由第1圖所示之不銹鋼 製瓶罐等之密封構件60而覆蓋之。接合於密封構件60之邊 緣部和透明基板1 0，於以乾燥氮氣所置換之密封構件60 內，密封有機EL元件20。當於該有機EL元件20之透明陽 極21和金屬陰極23之間施加特定電壓時，包含於有機化合 物層22之發光層將發光，發出光線乃經由透明陽極21及透 明基板10而釋放出。又，有機EL元件20具有波長穩定性 佳之特性。 另外，有機EL元件20之透明電極21和金屬電極23 之兩電極，係連接於獨立驅動（被動驅動）複數之各發光部 之驅動電路（未圖示）。該驅動電路係藉由圖框記憶體（未 圖示）而連接於控制部（未圖示）。 驅動電路，係包含施加電壓於兩電極間之電源（未圖示） 及以電晶體或閘流體（thyristor)構成之開關元件（未圖示） 所構成，經由圖框記憶體而基於從控制部所輸入之控制信 號，產生驅動信號，將複數之各發光部發光驅動。 透明基板1 0係對發出光爲透明之基板，可使用玻璃基 板，塑膠基板等。另外，於透明基板1 0，乃要求一般之基板 -10- 200524751 特性之耐熱性、尺寸穩定性、耐溶劑性、電氣絕緣性、加工 性、低通氣性、低吸濕性等。 透明陽極21，於可見光400nm〜700nm之波長區域中， 至少50%以上爲佳，最好爲具有70%以上之光透過率者。 作爲構成透明陽極21之材料，除了熟知之化合物氧化錫、 銦錫氧化物（ITO )、氧化鋅銦等之透明電極材料之外，亦 可使用由金或白金等功函數較大的金屬所組成之薄膜。另 外，聚苯胺，聚噻吩，聚吡咯或者該等之介電體等之有機化 合物亦可。關於透明導電膜，詳細記載於澤田豐監修「透明 導電膜之新開發」CMC刊物（1999年），將可使用於本發 明。另外，透明陽極21係藉由真空蒸鍍法、濺鍍（sputtering) 法，離子塗布（ion plating)法等可形成於透明基板10上。 有機化合物層22亦可僅由發光層所組成之單層構造， 除了發光層外，亦可爲適當具有電洞注入層、電洞輸送層、 電子注入層、電子輸送層等之其他層之積層構造。作爲有機 化合物層22之具體構造（包含電極），可舉出陽極/電洞注 入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極、陽極/發光層/ 電子輸送層/陰極、陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰 極等。同時，亦可複數設置發光層、電洞輸送層、電洞注入 層、電子注入層。 有機化合物層22之各層，可從透明電極2 1側層藉由蒸 鍍低分子系之各有機材料而依序形成薄膜，使其積層而形 成。此時，使用蒸鍍光罩將可簡單地形成圖形。 200524751 金屬陰極23，最好係工作函數較低之Li、K等之鹼性 金屬，Mg、Ca等之鹼性土類金屬，及由該等金屬和Ag，或 A1等之合金，或混合物等之金屬材料所形成之。爲了使陰極 之保存穩定性和電子注入性並存，以工作函數較大且導電性 高之Ag、Au，A1等再覆蓋用上述材料已形成之電極亦可。 又，金屬陰極23相同於透明陽極21，亦可使用真空蒸鍍法， 濺鍍法，離子塗布法等熟知方法形成。 SLA 30係以複數之自聚焦透鏡31構成。自聚焦透鏡 (selfoc lens)31係於剖面之半徑方向具有折射率分部之棒狀 之厚透鏡。入射於自聚焦透鏡31之光線係對光軸，一邊蛇 行成正弦波浪狀而一邊進行，爲了於感光材料40表面上成 像且連結曝光點70，而朝感光材料40輸出。 另外，聚集曝光點，爲了控制串音（cross talk )，此自 聚焦透鏡3 1的開口部係形成相較於有機EL元件20之各發 光部之發光領域較大，且，相鄰之自聚焦透鏡3 1彼此，係 排列成相互銜接。又，自聚焦透鏡3 1可設置成對應以1比1 於發光部，亦可設置爲各自聚焦透鏡31對應於複數之發光 部，對並列於副掃描方向之1組發光部20R、20G、20B成1 個或2個。 其次，說明有關有機EL元件20之發光部配置。 如第2圖所示，於透明基板10上形成著發光部20R、 2 0G、2 0B。更詳細爲複數之發光部20R於主掃描方向各區 隔特定間距而排列之發光部R，係複數列排列於副掃描方 向。相同之，於主掃描方向各區隔特定間隔而排列複數之發 200524751 光部20G之發光部列G，係複數排列於副掃描方向，於主掃 描方向各區隔特定間隔而排列複數之發光部20B之發光部 列B，係複數排列於副掃描方向。有機EL元件，具有R之 發光強度較小之特性。因此，發光部列R之列數最好係多 數。於此例子上，4列之發光部列R，2列之發光部列G及2 列之發光部列B將依RGB順序排列於副掃描方向。因此， 總計7個發光部爲並列於副掃描方向。 於如同以上構造之曝光裝置上，從排列於有機EL元件 20之副掃描方向之各發光部（20R、20G、20B )之發出光係 藉由SLA30聚光而曝光感光材料40之相同位置，而形成曝 光點70。另外，該曝光裝置對於感光材料40係相對移動於 副掃描方向，而掃描曝光感光材料40。 其次，說明有關各發光部之副掃描方向之間距。 如上所述，複數之各發光部，係藉由驅動電路（未圖示） 而被動驅動。所謂被動驅動，係依時間比例線順序掃描沿著 金屬陰極之發光部列（陰極線），因應於驅動信號而驅動交 差於掃描中之陰極線之發光部（陽極線），在所有陰極線順序 通過掃描之驅動方法。 當複數之陰極線於相同於副掃描方向之方向，以發光時 間t依序點亮時，預先考慮陰極線之移動量及移動方向，亦 即，曝光裝置之副掃描方向之移動量及移動方向，以下列式 (1 )來表示各發光部之副掃描方向之間距T之値。 [式9]
(m- 1/n ) /P T = 200524751 式（1)中，P爲曝光畫素之間距，m爲2以上之整數， η爲排列於副掃描方向之發光部列之數目。藉由排列於副掃 描方向之η個發光部，使得η次多重曝光相同畫素。 如第3 ( A )圖所示，當將依序點亮之第1陰極線和第2 陰極線間之間距T設爲曝光畫素之間距P整數倍（於圖上爲 3倍）時，當點亮第1陰極線時，雖然可以曝光感光材料上 之特定畫素位置，但是於t秒後，當熄滅第1陰極線而點亮 第2陰極線時，第2陰極線將P/n移動於副掃描方向，能夠 從特定畫素位置往副掃描方向下游側，曝光偏差P/n之位置。 又，陰極線之副掃描方向之移動量爲P/n，係因當以1 條陰極線將1主掃描線曝光時（若爲主動驅動時），於發光 時間之間，陰極線雖然僅移動曝光畫素間距P即可，但是於 被動驅動上，若以η條陰極線將1主掃描線多重曝光時，各 陰極線之發光時間t爲主動驅動時之1/η。換言之，將以下 列式（3 )表示副掃描速度v。 v=P/(n· t) ............. ( 3 ) 對於此，如第3 ( B )圖所示，當以上述式（1 )表示間 距T之値時，點亮第2陰極線時亦可曝光特定畫素位置，進 而可防止因偏移曝光位置所造成之解析度降低。 另外，當於主動驅動時，如第4(A)圖及（B)所示， 陰極線由於僅移動曝光畫素間距P之間點亮，故藉由以第4 (C)圖所示之曝光量分佈進行曝光，曝光畫素將於副掃描 方向成爲延緩之形狀。因此，將會降低解析度。對於此，當 於被動驅動時，如第5 ( A )圖及（B )所示，陰極線由於僅 200524751 移動P/n之間點亮，故如第5 ( C )圖所示，曝光量分佈亦變 窄，而改善解析度。 如上述說明所述，於本實施型態之曝光裝置上，要事先 考量曝光裝置之副掃描方向之移動量及移動方向，當移動曝 光裝置時’爲了曝光特定之畫素位置’而決定各發光部之副 掃描方向之間距T，故於副掃描方向中，可防止偏移曝光裝 置。另外’由於係藉由被動驅動而曝光’故將縮小於副掃描 方向之曝光量分佈。結果，將可用高解析度進行多重曝光。 又，於上述實施型態上，雖然已說明複數之陰極線於相 同於副掃描方向，依發光時間t依序點亮之情況，但是對複 數之陰極線於逆向於副掃描方向依序點亮時，將用以下式 (2 )來表示各發光部之副掃描方向間距T之値。 [式 11] T= ( m + 1/n ) /Ρ......... ( 2 ) 如第6 ( Β )圖所示，當將間距Τ設爲間距Ρ之整數倍 時，當點亮第1陰極線時，雖然可曝光副掃描方向之特定畫 素位置，但是當點亮第2陰極線時，將能夠從副掃描方向之 特定畫素位置往副掃描方向上游側曝光偏移P/n之位置。對 於此，如第6 ( B )圖所示，當以上述式（2 )來表示間距T 之値時，對點亮第2陰極線時，亦可曝光特定畫素位置，進 而可防止因曝光位置之偏移所產生之解析度降低。 另外，於上述之實施型態上，雖然已說明複數之陰極線 以發光時間t順序點亮之情況，但是於實際之驅動循序中’ 如第7圖所示，將會考慮於各圖框爲了傳送1圖框部分資料 200524751 之傳送時間tD，於圖框與圖框之間’插入間隔時間“。間隔 時間U，係比傳送時間TD之最大値Max ( tD )較大之値。若 不考量此間隔時間h而進行曝光時’曝光於每1圖框之畫素 位置將偏移v · 11。於此之中，因偏移曝光位置’將會導致 降低解析度。因此，需要修正因上述之間隔時間Τι所造成 之曝光畫素之位置偏移。 當將包含間隔時間U而根據1圖框部分資料進行曝光時 所必要的時間設爲「1圖框時間」時，則1圖框時間爲η · t + h。以設計成於各1圖框時間，曝光裝置（頭部）僅移動 胃 曝光畫素間距P，而以1圖框時間全體即可吸收因間隔時間 1所造成之偏移量，可將曝光畫素之偏移位置作成最小量。 此時之頭部之移動速度（修正後之副掃描速度）V ’將以下述 式（ό )表示。 [式 12] ν ’ = Ρ/ ( η · t + 11 ) ............. ( 6 ) 因此，各發光部之副掃描方向之間距Τ’將以下述式表 不 ° [式 13] Τ ’ = m · Ρ ± ν ’ · t 若將ν’之値代入上述式時，將可獲得下述式（7)。 [式 14] T’= { m±t/ ( η · t+ti) } Ρ......... ( 7 ) 亦即，當複數之陰極線條於相同於副掃描方向之方向， 以發光時間t依序點亮時，將以下列式（4 )表示各發光部 -16- 200524751 之副掃描方向之間 掃描方向依序點亮 副掃描方向之間距 [式 15] T，= { m- t/ ( T，= { m+ t/ ( 如上所述，除_ 方向外，亦將事先: 之副掃描方向之間 偏移作爲最小限。 故將縮小於副掃描 度進行多重曝光。 另外，往各陰 將以發光部列R爲 爲4列，合計爲1 ( 素資料位元數設爲 一η表示。若將某S 該畫素之各陰極線 譬如，驅動各 灰階），n=4，k = 以下由於不會出現 1次1條分割成各P 第1陰極線至第8 至第1 6陰極線時， 距T ’之値，而當複數之陰極線於逆向於副 時，將以下述式（5)來表示各發光部之 Τ’之値。 η · t + 11 ) } P......... ( 4 ) η · t + ti ) } P......... ( 5 ) Γ曝光裝置之副掃描方向之移動量及移動 考量圖框間之間隔時間，而決定各發光部 距Τ’，於副掃描方向中，可將曝光裝置之 另外，由於係藉由被動驅動而進行曝光， 方向之曝光量分佈。結果，可利用高解析 極線之灰階比例，係於各顏色獨立進行。 8列，發光部列G爲4列，發光部列Β ;列排列之情況爲例子加以說明。當將畫 b時，驅動各陰極線之位元數a係以a = b I光畫素之灰階數設爲k時，k<2b，曝光 條之灰階數爲k/2a。 陰極線條之位元數，若b = 8位元（256 :200 時，爲 200/28= 12.5。又，小數點 灰階，故尾數部分（200 - 1 2x 1 6 = 8 )將 倉極線條。此種情況，若以1 3灰階曝光從 陰極線，再以12灰階曝光從第9陰極線 則可以20灰階曝光1畫素。 -17- 200524751 於上述之分割方式中，可於各陰極線大致均等地分割灰 階。因此，不會有一部分發光部之曝光時間變長等之偏移之 驅動，而可使各發光部之惡化率大致一定。結果，可改善曝 光裝置整體壽命。 又，於上述實施形態上，雖然已經說明有關使用有機 EL元件之例子，但是亦可使用無機EL元件或LED元件。 然而，當使用有機EL元件時，相較於使用無機EL元件時 具有可用低電壓驅動之優點，比使用LED元件時，由於可 藉由蒸鍍一起形成所有之元件，故易於將各元件正確易於配 置於特定位置，且具有各元件之光量不均較小之優點。 【圖式簡單說明】 第1圖爲表示本發明之實施型態之曝光裝置之構造剖面 圖。 第2圖爲表示有機EL元件之發光部之形成圖案之平面 圖。 第3 ( A )圖爲表示將陰極線條之間距τ設爲曝光畫素 間距P之整數倍時之陰極線條與曝光畫素之位置關係圖， (B )爲表示依照式（1 )制定陰極線條之間距τ時之陰極線 條與曝光畫素之位置關係圖。 第4圖爲表示主動驅動時，（A)爲點亮陰極線條之發 光光量圖表，（B )爲表示熄滅陰極線條時之發光光量圖表， (C)爲表示於感光材料表面之曝光量分布之圖表。 第5圖爲表示被動驅動時，（a )點亮陰極線條之發光 光量圖表’ （B )爲表示熄滅陰極線條時之發光光量圖表， -18- 200524751 (C)爲表示於感光材料表面之曝光量分部之圖表。 第6 ( A )圖爲表示將陰極線條之間距τ設爲曝光衋# 間距P之整數倍時之陰極線條與曝光畫素之位置關係圖’ (B )爲表示依照式（1 )制定陰極線條之間距T時之陰極線 條與曝光畫素之位置關係圖。 第7圖爲表示於各圖框發光各發光部之時序圖表。 第8圖爲表示使用有機EL元件之先前曝光裝置之構造 圖。
【元件符號說明】 10 透明基板 20 有機EL元件 20R，20G，20B 發光部 21 透明陽極 22 有機化合物層 23 金屬陰極
3〇 SLA
31 自聚焦透鏡（selfoclens) 40 感光材料 -19-