TW200409422A - Laser system for dual wavelength and chip scale marker having the same - Google Patents

Description

200409422 五、發明說明（1) 本申請案主張對於在2 0 0 2年11月27日於韓國智慧財產 局提出之編號為2002-74350之韓國專利申請案之優先權， 在此完整揭露其内容以作為參考。 發明所屬之技術領域 本發明是有關於一種雙波長雷射系統以及具備此系統 之晶片尺度標示器（chip scale marker)，且特別是有關 於一種根據標記表面所呈現之塗佈（coating)來選擇一雷 射波長以執行標記（marking)之晶片尺度標示器。 先前技術 有數十萬個或數萬個晶片形成於一個半導體製程中所 使用之晶圓（wafer)。為了根據生產批次來分類晶片，因 此將文字及/或數字標記在每一晶片的表面。一種使用雷 射光束之晶片尺度標示器用以 號標記在已經切割的小晶片上 關科技的發展而變得愈小且愈 大量生產，因此先在晶圓之每 執行切割。上述晶圓在其一側 5虎則標記於其另一側。 作為標記設備。從前，將批 。當積體電路（ICs)由於相 輕時，為了增進工作效率及 一晶片上執行標記，然後才 具有安裝於表面之電路而批 並且3有ΐ ^厚度變薄而將晶片予以多層沈積 利用一種對於矽晶圓呈右L面。一般而言，矽晶圓表面 夕曰曰囫具有南吸收率及高解析度之532奈米

200409422 發明說明 (n m )波長氖氬（n d : γ A G )雷射予以標記，而同時已經塗佈環 氧樹脂模封材料（EMC)之表面最好利用一種1〇64奈米（nm) 波長氖氬（Nd:YAG)雷射予以標記。 第1圖為包括晶圓保持器及晶圓之一般雷射系統之結 構之不思圖。第2圖為採用第}圖之雷射系統之習知晶片尺 度標示器之結構之平面圖。 抑參照第1圖，雷射系統丨〇包括提供雷射光束之雷射振 盈α 11與循序排列在雷射振盪器丨丨所發射之雷射光束光徑 上之偏轉鏡（Galvano scanner)13及f—㊀透鏡15。偏轉鏡 13包括X及^鏡片13a及13b與一個驅動X及γ鏡片及13b之 馬達（未顯不）’並且藉由調整上述鏡片13a及13b之位置而 於X 方向在一預定區域上掃描上述雷射光束。卜㊀透鏡 15使得入射雷射光束在整個標記區域上形成相同的焦距。 上述雷射系統揭露於編號為H9 —248 692之日本專利公報。 曰:曰圓保持器20排列在雷射系統1〇的上方，而晶_則放置 在晶圓保持器2 〇上。 參照第2圖，雷射系統丨〇排列在上述用以放置想要標 :之晶圓w之晶圓保持器2〇的正下方（為了方便起見，將雷 射^先ίο繪示於晶圓保持器2〇之下）。機器人手臂（r〇b〇t arm)30排列在離晶圓保持器20 —預定距離之處。同樣地， 準直儀（pre-aligner)4〇、包含標記前的晶圓之晶 以及包3標記後的晶圓之晶圓匣5 2都排列在機器 人手臂30可觸及的範圍内。 對於具有上述構造之晶片尺度標示器之操作，首先，

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臂30從晶圓匣51抽出一個想要標記之晶圓並且將 於I Ξ Ϊ置在預準直儀40上。然後，預準直儀4〇以形成 路迹曰日圓表面之v字型刻痕（n〇tch)N 所不)'為參考來校準上述晶圓。 圓保i ί9’η機！人手臂30將上述預先校準之晶圓轉移至晶 纪‘ B ^ 由雷射系統1 〇標記上述晶圓之表面。已經標 δ己之=Hw被轉移至晶圓匣52並留在那裡。 用單5具雷射系統10及晶片尺度標示器被製造成利 $ ί辑光束來標記晶。當需要兩種波長時， :身ΐί;:;有不同波長之不同雷射系、统，如此將增加 田射糸統之安裝成本。 發明内 為 了解決 雙波長雷射系 於單一 雷射系 據本發 波長之 射光束 雷射光 列在上 雷射光 光束於 述雷射 根 (nm)雙 振盪雷 器接收 離地排 裝在一 之雷射 裝在上 上述及/或其他問題，因此本發明提供一種 、、充以及種此夠藉以有選擇地使用兩種波長 統之晶片尺度標示器。 2之一觀點，提供一種具有1〇64/532奈米 田射系統，其中包括：一雷射振盪器，用以 ,二二倍頻產生模組，用以從上述雷射振盪 束並產生一倍頻波長；以及一反射鏡，可分 述振盛器與上述二倍頻產生模組之間，當安 f光從上時用以反射上述雷射振盪器所振盪 、方向’其中上述雷射系統當上述反射鏡安 光束光徑上時將振盪具有1064奈米（nm)波長

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之雷射光束，而當上述反射鏡從上 將振盪具有532奈米（nm)波長之#射光束^束先c分 上述雷射系統更包括—水平轉移 用以將上述反射鏡從上述雷射光束 雷射光束光徑。 刀雕：¾丨付者在 器，其 光束之 光束並 離地排 鏡，一 束並掃 使來自 同的焦 一 f - Θ 上述反 振盪器 射光束 二偏轉 及一第 鏡之雷 上 第二卜㊀透鏡，用以使來自上述第 離時 元， 上述 =有1〇64/532奈米(nm)雙波長之晶片尺度桿亍 ::括 雷射系統，其中包括一 盪： Π振！器，一個用以從上述雷射振堡器接 彳0頻波長之二倍頻產生模組，以及一 與上述二倍頻產生模組之間的。 走二以f收上述反射鏡所反射之雷射光 向；一第-f-㊀透鏡，用以 距ί::Ϊ鏡之雷射光束在整個標記區域形成相 护弟一曰曰曰圓保持器、，用以支撑一個通過上述 2之雷射光束所照射之晶圓；一第二偏轉 射鏡從雷射光束光徑分離時用以接收來自上述雷射 土通過上述二倍頻產生模組之雷射光束並掃描此雷 於X-γ方向； “ 鏡之雷射光束在整個標記區域形成相同的焦距；以 —晶圓保持器，用以支撐一個通過上述第二卜㊀透 射光束所照射之晶圓。 述晶片尺度標示器更包括—水平轉移單元或一旋轉 ^以將上述反射鏡從上述雷射光束光徑分離或附著 雷射光束光徑。 XJX3 — 早兀 ， 在上述

200409422 五、發明說明（5) 根據本發明之另一觀點，提供一種具有丨〇 64/ 3 5 5奈米 (nm)雙波長之雷射系統及晶片尺度標示器，其中包括一個 代替上述二倍頻產生模組之三倍頻產生模組（third harmonic generation module)。 根據本發明之又另一觀點，提供一種具有丨〇 6 4 / 2 6 6奈 米（nm)雙波長之雷射系統及晶片尺度標示器，其中包括一 個代替上述二倍頻產生模組之四倍頻產生模組（f 〇urth harmonic generation module)。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉其較佳實施例，並配合所附圖式，作詳 細說明如下： 實施方式 於下列說明當中，與習知科技所述相同之組成元件， 其相關詳細說明將予以省略。 參照第4圖，雷射振盪器1 〇 1所振盪之具有丨0 6 4奈米 (nm)波長之雷射光束將由第一反射鏡1〇2反射並沿著第一 光fe P 1行進。第一反射鏡丨〇 2所反射之雷射光束經由一個 包括偏轉鏡106及f-㊀透鏡108之光學單元105而照射在晶 ’上。偏轉鏡106包括X鏡片l〇6a及Y鏡片l〇6b。第一晶 圓保持器121及晶圓w，排列在光學單元1〇5的正上方，使得 雷射振盪器1 0 1所振盪之雷射光束照射在晶圓w，上。 同時，當第一反射鏡102從上述雷射光束之行進光徑 分離時，上述雷射光束將沿著第二光徑P2行進。將基本波

200409422 五、發明說明（β) 長轉換成二倍頻波長之二倍頻產生模組1 1 3、第二反射鏡 114、以及構成光學單元115之偏轉鏡116與卜㊀透鏡η/都 沿著第二光徑Ρ2循序排列。因為第二晶圓保持器丨22及另 一晶圓w”排列在光學單元1 1 5的正上方’所以雷射振蘯器 1 0 1所振盪之雷射光束將照射在晶圓w ”上。 藉由可分離地將第一反射鏡丨0 2移入或移出上述帝射 光束光徑能夠有選擇地使用基本波長或二倍頻波長。$由 此’能夠方便地根據晶圓之標記表面所呈現之塗佈來選 所需要之波長。 、 ^為了彳心上述雷射光束光徑分離第一反射鏡丨02 ,因此 第一反射鏡1 02能夠利用一水平轉移單元（未顯示）來移至 左邊或右邊’如第4圖之虛線所示。或者，如第6圖所示， 用以支撐第一反射鏡1 02之支撐元件1 07將藉由一旋轉單元 (未顯示^^相對於支樓轴1〇9旋轉，以便從上述雷射光束 先從为離第一反射鏡102。 對於具有上述結構之雷射系統之操作，首先，當使用 雷射光束日寺，第一反射鏡102將排列在上 ^田、、、光徑上並且雷射振盪器1 〇 1將振盪一雷射光 g 一 ： 5田射光束將由第-反射鏡1 0 2反射，並沿著 二产=行進，且在通過偏轉鏡106及f - Θ透鏡1〇8之後 A?、射在日日圓w ’上。 κ、+、ί = 1當使用二倍頻波長時，先將第一反射鏡102從 上述語射光束光經公雜 . 鏡102移至/、毐—即’如第4圖所示將第一反射 、’ 工邊’或如第6圖所示藉由上述旋轉單元繞著支

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撐軸1 0 9旋轉一預定角度。再去，者 雷射光束時，上述具有基本波吾W射振盪器1 0 1振盪一 另土不’反長之雷射光走蔣I楚-止 =過二倍頻產生模組113並轉換成二倍頻波。長。； ΐ，C改變上述二倍頻波長光束之行：方 二 于述一心頻波長光束在通過偏轉鏡11 6及卜Θ透 鏡1 1 8之後照射在晶圓w "上。 為^第4圖之雷射系統之晶片尺度標示器之結 ΐΐ! 參照第5圖，用以支撐具有基本波長之雷射 光束所照射之晶圓之第一晶圓保持器121與用以支撐呈有

二倍頻波長之雷射光束所照射之晶圓之第二晶圓保持器 122彼此隔離地排列著。包括偏轉鏡1〇6與116及卜^透鏡 1〇8與118之光學單元1〇5與115和反射鏡1〇2與114分別排列 f晶圓保持器121與122的正下方（為了方便起見，第5圖將 其繪不於晶圓保持器121與122之下）。二倍頻產生模 排列在第-反射鏡m與第二反射鏡114之間。同樣地且^ 排列f用以將晶圓放在或取自晶圓保持器1 2 1與1 2 2之機器 人手臂1 3 0、兩個用以容納晶圓之晶圓匣丨5 1與丨5 2、以及 用以預先校準晶圓之預準直儀丨4〇。

^ 藉由將第一反射鏡1 02從上述雷射光束光徑分離或附 著在上述雷射光束光徑，能夠有選擇地使用基本波長或二 倍頻波長，如此能夠方便地根據晶圓之標記表面所呈現之 塗佈來選擇所需要之波長。 為了從上述雷射光束光徑分離第一反射鏡1 〇 2，因此 如第5圖之虛線所示利用上述水平轉移單元（未顯示）來上

第11頁 200409422 五、發明說明（8) 了移動第-反射鏡102，或如第6圖所示利用上 來相對於支撐軸1 〇 9旋轉。 疋轉早兀 晶圓保持器121及122、預準直儀14()、以 及152都排列在機器人手臂130可觸及的範圍内。第〇一 =51 二晶圓Ε151及152最好分別容納以不同波長之雷射 =§己之晶®。當僅利料—波長執行雷射標記時，上述曰 二=7可容納標記前的晶圓而另-晶圓Ε可容納標記= 之操：了將參考附圖說明具有上述結構之晶片尺度標示器 方法百2哭T::利用具有基本波長之雷射光束來標記之 模封材料手臂1 30從用以容納具有一個塗佈S氧樹脂 要卜:）之表面之晶圓之第—晶圓匣151取出-個想 預ϋΪΐ 將此晶圓放在預準直儀140上。然後’ 作為ί H 用形成於上述晶圓之V字型刻痕Ν或參考線R 作為參考來執行預先校準。 在第^ ^ 機器人手臂1 Μ將上述已經預先校準之晶圓放 射器121 "。當第一反射鏡1〇2排列在上述雷 雷射ΪΪ徑 雷射振盪器1〇1振盪一雷射光束時，上述 在上曰將由第一反射鏡1 0 2反射並經由光學單元1 0 5照射 晶圓‘ 。機器人手臂13〇將已經標記之晶圓從第- 151。”持為121移至第一晶圓！15ΐ並儲存於第一晶圓Ε 其次，將說明利用具有二倍頻波長之雷射光束來標記 第12頁 200409422 五、發明說明（9) " ，方法。首先，將第一反射鏡1 〇 2從上述雷射光束光徑分 離。亦即，如第5圖所示利用上述水平轉移單元，或如第6 圖所不利用上述旋轉單元將第一反射鏡丨〇2從上述雷射光 束光徑分離。機器人手臂丨30從用以容納不具有塗佈環氧 樹脂塑模封材料（EMC)之表面之晶圓之第二晶圓匣152取出 一個想要標記之晶圓，並將此晶圓放在預準直儀丨4〇上。 然後，預準直儀丨4 〇利用形成於上述晶圓之V字型刻痕N或 茶考線R作為參考來執行預先校準。 #其次，機器人手臂130將上述已經預先校準之晶圓放 在$二晶圓保持器丨22上。當雷射振盪器丨〇 1振盪一雷射光 束守，此Μ射光束將沿著第二光徑Ρ 2通過二倍頻產生模組 11 3 ’並且此雷射光束之波長將轉換成二倍頻波長。上述 f ^二倍頻波長之雷射光束將由第二反射鏡丨14反射並沿 =弟二光徑P2通過光學單元115以便照射在晶圓〜，，上。機 ^ ^ t臂1 30將已經標記之晶圓w”從第二晶圓保持器1 22移 至弟二晶圓匣152並儲存於第二晶圓匣152。 曰於上述較佳實施例，已經說明將雷射振盪器丨〇1所振 f之具有基本波長之雷射光束轉換成具有二倍頻波長之帝 巧束之二倍頻產生模組113。然而，利用三倍頻產長生之模田 四倍頻產生模組代替二倍頻產生模組1 1 3，能夠在與 相同之結構下將基本波長（1 0 6 4nm)轉換成三倍頻波長 種、、古^或四倍頻波長（ 2 6 6nm)。因為用以振盪具有上述兩 ^ i 之雷射光束之雷射系統之結構及操作與上述較佳實 也歹目同，所以將省略其詳細說明。

第13頁 200409422 五、發明說明（ίο) 如上所述，根據本發明之雙波長雷射系統及晶片尺度 標示器能夠利用單一雷射振盪器來方便地選擇及使用具有 兩種波長之雷射光束其中一種。 雖然本發明已經以其較佳實施例揭露如上，然其並非 用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之 精神的情況下，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之 權利保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

第14頁 200409422 圖式簡單說明 第1圖為包括晶圓保持器及晶圓之一般雷射系統之結 構之示意圖。 第2圖為採用第1圖之雷射系統之習知晶片尺度標示器 之結構之平面圖。 第3圖為形成於晶圓之V字型刻痕或參考線之實例之示 意圖。 第4圖為如本發明之一實施例所述之一種1 0 6 4 / 5 3 2奈 米（n m)波長之雷射系統之結構之示意圖。 第5圖為採用第4圖之雷射系統之晶片尺度標示器之結 構之平面圖。 第6圖為第4圖之第一反射鏡之旋轉單元之示意圖。 圖式標記說明 1 0 1 :雷射振盪器 105、1 15 :光學單元 1 0 7 :支撐元件 I 0 9 :支撐軸 II 3 :二倍頻產生模組 11 4 :第二反射鏡 1 3 0 ··機器人手臂 1 5 1 、1 5 2 :晶圓匣 圖式標記說明 10 雷射系統 11 雷射振盪器

108、1 18 : f - Θ 透鏡 1 2 1、1 2 2 :晶圓保持器 1 4 0 :預準直儀

第15頁 200409422 圖式簡單說明 13 偏轉鏡 13a X鏡片 13b Y鏡片 15 f _㊀透鏡 20 晶圓保持器 30 機器人手臂 40 預準直儀 51 晶圓匣 52 晶圓匣 101 雷射振盪器 102 第一反射鏡 105 光學單元 106 偏轉鏡 106a X鏡片 106b Y鏡片 107 支撐元件 108 f -㊀透鏡 109 支樓軸 113 二倍頻產生模 114 第二反射鏡 115 光學單元 116 偏轉鏡 116a X鏡片 116b Y鏡片

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Claims (1)

1. 200409422 六、申請專利範圍 射系統，該 1· 一種具有1 0 64/ 532奈米（nm)雙波長之雷 雷射糸統包括： ’ 一雷 .— 一 光束並產 一反 模組之間 射該雷射 其中 時將振盪 該反射鏡 奈米（nm) 2 ·如 水平轉移 束光徑分 3. 一 器，該晶 射振盪器，用以 倍頻產生模組， 生一二倍頻波長 射鏡，可分離地 ’當該反射鏡安 振盪器所振盪之 該雷射系統當該 一束具有一 1064 從該雷射光束光 波長之雷射光束 申請專利範圍第 單元或一旋轉單 離或附著在該雷 種具有1 0 64/ 5 32 片尺度標示器包 振盪一雷射光束； 用以從該雷射振盪器 ；以及 排列在§亥振盡器與該 裝在一雷射光束光徑 該雷射光束於一方向 反射鏡安裴在該雷射 奈米（nm)波長之雷射 徑分離時將振盪一束 〇 1項所述之雷射系統： 元’用以將該反射鏡 射光束光徑。 奈米（nm)雙波長之晶 括： 接收該雷射 ~倍頻產生 上時用以反 5 光束光徑上 光束，而當 具有一532 更包括一 從該雷射光 片尺度標示

   一雷射系統’其中包括一個用以振盪一雷射光束之雷 射振盪器，一個用以從該雷射振盪器接收該雷射光束並產 生一二倍頻波長之二倍頻產生模組，以及一個可分離地排 列在該振盪器與該二倍頻產生模組之間的反射鏡； 一第一偏轉鏡，用以接收一束由該反射鏡所反射之雷 射光束並掃描該雷射光束於X-Y方向； 一第一 f - Θ透鏡，用以使來自該第一偏轉鏡之該雷射

   第18頁 200409422 六、申請專利範圍 光束在整個標 第一 曰曰 鏡之該雷射光 一第二偏 用以接收來自 雷射光束並掃 一第二f- 光束在 鏡之該 整個標 第二晶 雷射光 如申請 水平轉 束光徑 一種具 統包括 一雷射振 一三倍頻 光束並產生一 4· 包括一 雷射光 雷射系 記區域形成 圓保持器， 束所照射之 轉鏡，當該 該雷射振盪 描該雷射光 ㊀透鏡，用 §己區域形成 圓保持器， 束所照射之 專利範圍第 移單元或一 分離或附著 有 1 0 64/3 5 5 一相同的焦距； 用以支撐·--個通過該第 f- Θ透 曰曰 圓 反射鏡從該雷射光束光徑分離時 器且通過該二倍頻產生模組之該 束於X-Y方向； 以使來自該第二偏轉鏡之該雷射 一相同的焦距；以及 用以支撐一個通過該第二f- Θ透 晶圓。 3項所述之晶片尺度標示器，更 旋轉單元，用以將該反射鏡從該 在該雷射光束光徑。 奈米（nm)雙波長之雷射系統，該 模組之 射該雷其 時將振 該反射 反射鏡 間，當 射振盪 中該雷 盪一束 鏡從該 盪器，用以振盪一雷射光束； 產生模組，用以從該雷射振盪器接收該雷射 三倍頻波長；以及 ’可分離地排列在該振盪器與該三倍頻產生 該反射鏡安裝在一雷射光束光徑上時用以反 器所振盈之该雷射光束於一方向， 射系統當該反射鏡安裝在該雷射光束光徑上 具有一 1064奈米（nm)波長之雷射光束，而當 雷射光束光徑分離時將振盪一束具有一 3 5 f

   200409422 六、申請專利範圍 奈米（nm)波長 6·如申請 水平轉移單元 束光徑分離或 7 · —種具 器，該晶片尺 一雷射系 射振盪器，— 倍頻波 生一 列在該振盪器 射光束 光束在 鏡之該 之雷射光束。 、 專利範圍第5項所述之雷射系統， 或一旋轉單元，用以將該反射鏡 附著在該雷射光束光徑。 有1 0 64/ 3 5 5奈米（nm)雙波長之晶 度標示器包括： 統，其中包括一個用以振盪一雷 個用以從該雷射振盘器接收該雷 長之二倍頻產生模組’以及一個 與該三倍頻產生模組之間的反射 第一偏轉鏡，用以接收一束由該反射鏡 該雷射光束於X-Y方向； ㊀透鏡，用以使來自該第一偏轉 記區域形成一相同的焦距； 圓保持器，用以支樓一個通過該 並掃描 一第一f- 整個標 一第 更包括一 從該雷射光 片尺度標示 射光束之雷 射光束並產 可分離地排 鏡； 所反射之雷 鏡之該雷射 第一 f- Θ透 用以接 雷射光 雷射光 第二偏 收來自 束並掃 一第二f -光束在整個標 一第二晶 鏡之該雷射光 8.如申請 束所照射之晶圓； 轉鏡’當該反射鏡從該雷射光束光徑分離時 該雷射振盪器且通過該三倍頻產生模組之該 描該雷射光束於X-Y方向； ㊀透鏡，用以使來自該第二偏轉鏡之該雷射 記區域形成一相同的焦距；以及 圓保持器，用以支撐一個通過該第二f - Θ透 束所照射之晶圓。 專利範圍第7項所述之晶片尺度標示器，更

   第20頁 200409422 六、申請專利範圍 包括一水平轉移單元或一旋轉單元 雷射光束光徑分離或附著在該雷射 9· 一種具有1 0 64/ 2 66奈米（nm) 雷射糸統包括： 一雷射振盪器，用以振盪一雷 一四倍頻產生模組，用以從該 光束並產生一四倍頻波長；以及 一反射鏡，可分離地排列在該 模組之間，當該反射鏡安裝在一雷 射该雷射振盪器所振盪之該雷射光 其中該雷射系統當該反射鏡安 時將振盪一束具有一 1064奈米（nm) 該反射鏡從該雷射光束光徑分離時 奈米（nm)波長之雷射光束。 1 0 ·如申請專利範圍第9項所述 水平轉移單元或一旋轉單元，用以 束光徑分離或附著在該雷射光束光 一 U· 一種具有1 064/266奈米（nm 不器’該晶片尺度標示器包括： 一雷射系統，其中包括一個用 射振盪器，一個用以從該雷射振盪 生一四倍頻波長之四倍頻產生模組 列在該振盪器與該四倍頻產生模組 一束 ”用以將該反射鏡從該 光束光徑。 雙波長之雷射系統，該 射光束； 雷射振盪器接收該雷射 振盪器與該四倍頻產生 射光束光徑上時用以反 束於一方向， 裝在該雷射光束光徑上 波長之雷射光束，而當 將振i 一束具有一 266 之雷射系統，更包括一 將該反射鏡從該雷射光 徑。 )雙波長之晶片尺度標 以振盪一雷射光束之雷 器接收該雷射光束並產 ’以及一個可分離地排 之間的反射鏡； 由該反射鏡所反射之雷 一弟一偏

   $ 21頁 200409422 六、申請專利範圍 射光束並掃描該雷射光束於X - Y方向、； 一第一 f - Θ透鏡，用以使來自該第一偏轉鏡之該雷射 光束在整個標記區域形成一相同的焦距； 一第一晶圓保持器，用以支撐一個通過該第一 f - Θ透 鏡之該雷射光束所照射之晶圓； 一第二偏轉鏡，當該反射鏡從該雷射光束光徑分離時 用以接收來自該雷射振盪器且通過該四倍頻產生模組之該 雷射光束並掃描該雷射光束於X-Y方向； 一第二f - Θ透鏡，用以使來自該第二偏轉鏡之該雷射 光束在整個標記區域形成一相同的焦距；以及 一第二晶圓保持器，用以支撐一個通過該第二f -㊀透 鏡之該雷射光束所照射之晶圓。 1 2.如申請專利範圍第11項所述之晶片尺度標示器， 更包括一水平轉移單元或一旋轉單元，用以將該反射鏡從 該雷射光束光徑分離或附著在該雷射光束光徑。

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