TW200303252A - Method and apparatus of eddy current monitoring for chemical mechanical polishing - Google Patents

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TW200303252A TW92102460A TW92102460A TW200303252A TW 200303252 A TW200303252 A TW 200303252A TW 92102460 A TW92102460 A TW 92102460A TW 92102460 A TW92102460 A TW 92102460A TW 200303252 A TW200303252 A TW 200303252A
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Boguslaw A Swedek
Hyeong-Cheol Kim
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Description

200303252 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在化學機械研磨時,監測一金屬層之方 法和設備。 【先前技術】 一積體電路典型係藉著在一矽晶圓基材上連續沈積導 體層、半導體層或絕緣層來製備。其中—製造步驟包括沈 積一填料層在非平坦面上,然後使該填料層平坦化直到該 非平坦面暴露出來為止。例如,一導體填料層可被沈積到 圖案化的絕緣層上,來填滿絕緣層的凹陷處或坑洞。然後 磨光該填料層,直到絕緣層的凸起圖案暴露出來為止。在 平坦化之後,可於殘存在絕緣層的凸起圖案之間的部分導 體層中形成貫穿孔、检塞和配線,以在基材的薄膜線路之 間提供一些傳導路徑。此外,微影製程期間,亦需要平坦 化製程藉以磨光基材表面。 化學機械研磨(CMP)是一可行的平坦化方法。該平坦化 之方法典型上需要將基材放置在載具或研磨頭(p〇Hshing head)上。該基材暴露之表面正面朝下,正對著一轉動研磨 」,或者是一有 久粗糙的表面, 圓形墊或帶狀墊。研磨塾可以是「標準的 研磨劑固定其上。一標準的研磨墊具有長 而有研磨劑固定其上的研磨墊則在中間的容器内有研磨粒 子。該載具頭提供一向下推進的系統,使基材能推送到研 磨塾上。一研磨研漿被運送到研磨墊的表面,該研磨研漿 4 200303252 括研磨粒予。
化學活性劑,如果使用標準的研磨墊,則又包 是否一基材已平坦化到所需要的平坦 中有個問題是如何判定研磨程序是否
間的函數並不能判斷研磨終點。 測足研磨終點的方法之一係利用諸如光學感應器或電 感應器’來監測原位置上基材的研磨情況。一監測技術是 在金屬層上導入一旋渦電流並伴隨一磁場,當金屬層被移 除時’會祭覺磁通量的改變。簡單來說,由旋滿電流產生 的磁通量和激發通量線方向相反。該磁通量與旋渦電流成 正比’旋滿電流和金屬層的電組成正比,電阻又和層的厚 度成正比。因此,金屬層厚度的改變導致由旋渦電流產生 的磁通量改變。磁通量的改變會導致原始線圈電流的改變, 亦可測量到阻抗的改變。因此,線圈阻抗之改變即可反映 金屬層厚度的改變。 【發明内容】 本發明一態樣係關於一研磨系統,包括具研磨表面之 5 200303252 研磨墊、能夠緊握基材使之正面對著研磨载 、 <研磨表面之 載具、和包括線圈的旋渦電流監測系統。此—、線圈放H 研磨表面的一邊且正對著基材,且至少部分通過研磨塾。 本發明之實施方式,包括一或多個以下的特徵。該研 磨墊包括在表面底部形成之凹槽,線圈至少部分放置在卞 凹槽内。該線圈固定在研磨墊,例如埋在研磨塾中,且被 纏繞在核心處,並至少部分通過光學監測系統的一透明窗。 該研磨墊被放置在研磨平台的最上方表面上,該平台可支 撐線圈。 本發明另一態樣係關於一研磨系統,其包括具研磨表 面的研磨螯、能夠緊握基材使之正面對著研磨墊之研磨表 面之載具、和包括一強磁體之旋渦電流監測系統。該強磁 體位於研磨表面的一邊且正對著基材,且至少部分通過研 磨墊。 本發明之貫施方式,包括一或多個以下的特徵。—凹 槽在研磨墊的底部表面形成,且強磁體被放置在該凹槽中。 研磨塾附著在一平台上,該平台支撐著強磁體。有一小孔 將強磁體和研磨墊分開。研磨墊可包括一穿過該研磨墊的 小孔’且該強磁體可以放置在該孔中。當研磨墊固定在平 台上時’旋滿電流監測系統的核心會和強磁體對準。該強 磁版至少部分通過光學監測系統之透明窗。強磁體固定在 研磨塾上’例如用一環氧化聚亞胺酯加以固定或埋在研磨 藝中。一線圈被纏繞在強磁體上,且該線圈至少部分穿過 研磨塾。該強磁體可對研磨墊可施加偏壓。 6 200303252 本發明另一樣態係關於一研磨系統,其包括具研磨表 面的研磨整和内邵有凹槽之一背面(backing surface);以及 一旋渦電流監測系統,該旋渦電流監測系統包括至少部分 位於凹槽内之謗導線圈。 本發明另一樣態係關於一研磨系統,其包括具研磨表 面的研磨墊和内部有凹槽之一背面;以及一旋渦電流監剛 系統,該旋渦電流監測系統包括至少部分位於該凹槽内之 強磁體。 本發明另一樣態係關於一研磨塾,其包括具研磨表面 之研磨層,一位於該研磨層上之堅固透明窗。該透明窗具 一上表面,大體上和研磨表面齊平;還有一下表面,至少 一凹槽在其中形成。 本發明之實施方式,包括一或多個以下的特徵。透明 窗是由聚亞胺酯組成。一背層位於研磨表面另一側之研磨 層的一邊。一孔在該背層中形成且和窗對準。 本發明另一樣態係關於一研磨墊,其具有一研磨層和 固定於該研磨層上的謗導線圈。 本發明之實施方式,包括一或多個以下的特徵。該誘 導線圈被埋在研磨墊中。一凹槽在研磨墊的底部表面形成, 且該線圈可以被放置於其中。線圈可以放置在研磨層的表 面垂直軸上,亦可以放置在研磨層的表面大於零度和小於 九十度的軸上。 本發明另一樣態係關於具研磨層之研磨墊,和一固定 於該研磨層上之強磁體。 200303252 本發明之實施方式,包括一或多個以下的特 磨層包括在底部表面形成之一凹槽,且強磁體被 凹槽中。研磨層可包括多個凹槽,以及被放置在 中之多個強磁體。該研磨層可包括穿過該研磨層 以強磁體可以放置在該孔中。一拴塞可以緊握住 的強磁體。該拴塞具一上表面,大體上和研磨層表 強礤體的位置可相對於該研磨層表面進行調整。 上層表面會暴露在研磨環境下。強磁體可以放置 的表面垂直柏線上’或者是可以放置在研磨層的 零度和小於九十度的軸線上。該強磁體可用一環 定於該研磨層上。透明窗可以通過該研磨層,且 可以固定於該透明窗上。一凹槽或孔可在該透明窗 一線圈圍繞在該強磁體。 本發明另一樣態係關於用於研磨系統之载具 一基材接收面和在基材接收面背後的一強磁體。 本發明另一樣禮係關於一研磨方法。該方法 和研磨墊的研磨表面接觸,放置一謗導線圈在研 一邊並且正對著基材,以致於至少部分誘導線圈 墊’造成該基材和研磨墊相對運動,並以該誘導 測一磁場。 本發明另一樣態係關於一研磨方法。該方法 和研磨塾的研磨表面接觸,放置一強磁體在研磨 邊並且正對著基材,以致於至少部分強磁體通過 造成該基材和研磨墊相對運動,並以磁性耦合至 徵。該研 放置在該 該些G3槽 的孔,所 在該孔中 面齊平。 強磁體的 在研磨層 表面大於 氧樹脂固 該強磁體 中形成。 頭,其具 係將基材 磨表面的 通過研磨 線圈來監 係將基材 表面的一 研磨墊, 該強磁體 8 200303252 的誘導線圈來監測一磁場。 本發明另一樣態係關於製作一研磨墊的方法。該方法 係在一堅固的透明窗底部表面下形成一凹槽,且安置該透 明窗在一研磨層裡,以致於該堅固的透明窗之頂面可以和 研磨塾的表面齊平。
本發明之實施方式,包括一或多個以下的特徵。形成 凹槽包括機械製作該凹槽和模製該窗戶。安置窗戶的動作 包括在研磨層裡形成一孔,且以諸如黏著劑之類的方式將 窗戶固定到該孔裡。 本發明之一或多個詳細實施例會在所附的圖例中及以 下的敘述裡提出說明。其他的特徵、物件和發明優點將會 在描述中、圖例、以及申請專利範圍中清楚可見。 【實施方式】
根據第1A圖,一或多個基材10可以藉由一化學機械 研磨設備2 0研磨。一合適的研磨設備之描述可見於美國專 利號5,73 8,5 74號,該專利之全部内容作為本發明的參考資 料。 該研磨設備20包括可轉動平台24及置於其上之研磨 墊30。該研磨墊30是兩層的研磨墊,其中一層為堅固耐久 的外層32,及另一軟的背層 34。該研磨機台亦可包括一研 磨墊狀態調節裝置,其係可讓研磨墊維持在可有效研磨基 材的狀態下。 在一研磨步驟裡,研漿3 8包括一液體和一酸鹼值調節 9 200303252 劑’讀研漿係能夠藉由一研漿供應口或一研漿/清洗臂組合 39 ’被供應到研磨墊3〇的表面上。研漿38也可包括研磨 顆粒。 載具頭70握持著基材,使其正對著研磨墊30。該 載具頭70被一支撐結構72懸吊起來,好像一旋轉木馬, 且以载具轉軸74連接到載具頭旋轉馬達76。這樣載具頭便 可繞著軸7 1旋轉。此外,該載具頭可以在支撐結構72裡 面的轉射狀孔中做橫向的擺動移動。一合適的載具頭之描 述可見於美國專利申請序號〇9/47〇,82〇和〇9/535,575中, 其分別於1999年12月23日和2000年3月27日提出申請。 該專利之全邵内容作為本發明的參考資料。在操作中,平 台繞著其中心軸25旋轉,而載具頭繞著其中心軸7 1旋轉, 且可在研磨墊的表面上橫向移動。 凹槽26在平台24裡,且一原位監測模組5〇安置在該 凹槽26中。透明窗36安裝在模組50之一部分上。該透明 窗36具一上表面’和研磨塾3〇的頂面齊平。模組50和窗 3 6的置放位置係可使其在部份平台轉動時,可由基材1 〇下 方通過。 該透明窗36可以整合成模組5〇的一部份,或者是整 合成研磨墊3 〇的一部分。在早期的情況中,可於形成研磨 整時同時形成一符合窗之大小尺寸的孔。當研磨|裝上去 時,該孔恰可環繞該窗。在後來的情況中,研磨墊係被安 置在平台24上’讓窗和模組50對準。該透明窗36可以由 一相當純的聚合物或聚亞胺酯來製成,例如不必填充料就 10 200303252 可形成,或者是窗可由鐵弗龍或聚碳酸脂所製成。通常, 窗3 6的材料應該為非磁性且不導電。 該原位監測模組5 0包括一原位電流監測系統40和一 光學監測系統1 4〇。在此將不詳述該光學監測系統1 40,其 係包括一光源14 4,比方說雷射,和一偵測為1 4 6。該光源 產生一光束1 4 2,穿過透明窗3 6以及研漿,照射到該基材 10之暴露出的表面。從該基材反射出去的光被偵測器146 偵測。通常,光學監測系統的作用,正如美國專利申請號 09/184,775,申請日 1998 年 11 月 2 曰,以及 〇9/184,676, 申請日1998年11月2日中所述,該些專利之全部内容作 為本發明的參考資料。 旋渦電流監測系統40包栝一置放於凹槽26中的核 42,該核心可與平台一起旋轉。一驅動線圈44纏繞在核 42的第一部份,以及一感應線圈46纏繞在核心42第二部 分。在操作中,簡諧器驅使該驅動線圈44產生-簡諧磁場 48,能夠穿過整個核心42,至少一部份的磁場48會通過窗 36到達基材ίο。如果該基材10上有一金屬層’該簡諧磁 場48即會產生一旋满電流。該旋滿電流會產生-與謗導滅 場方向相反的磁通量,,⑨該磁通量會誘導主要或感應線 m ± , a,六拍反的向後電流(back current)。 圈產生一方向和驅動電流相瓜J 、, 該電流變化結果可以藉由測量該線圈之阻抗變化得知。當 金屬層的厚度改變,金屬層的電阻也會改變。目此,當旅 滿電流和其誘導的磁通量強度都改變了,…主要線圈 的阻抗改變。#著益測這些改變,例如測量該線圈電流的 11 200303252 振幅、或線圈電流相對於驅動線圈電流的相位’旋滿電流 感應監測器能夠偵測到金屬層厚度的改變。 用於旋渦電流監測系統之驅動系統和感應系統將不詳 述,因適宜系統的描述,可參見美國專利申請號09/574,008、 09/847,867 和 09/91 8,591 分別於 2000 年 2 月 16 日、2001 年5月2曰、2001年7月27日申請。該些專利之全部内容 作為本發明的參考資料。 光學和旋渦電流監測系統的各種電子組件能裝在模組 50裡的一印刷電路板160。該印刷電路板160包括了一電 路系統,例如一普通功能的微處理器或特殊應用整合線路, 來轉換從旋渦電流感應系統和光學監測系統測量到的訊號 數位資料。 正如先前所返,綠狹狗电監測糸統40包括一置於凹槽 26内的核心42。若放置核心42在靠近基材的地方,就能 改善該旋滿電流監測系統的空間解析度。 請參照第1A圖,孩核心42是一 U字型、由諸如鐵酸 鹽(ferrite)這類非導電強磁材料所組成的主體。驅動線圈q 被纏繞在該核心42底部橫桿上,以及感應線圈被纏銬 在核心42的雨旁縱柱42a和42b上。在一示範實施例中: 每一縱柱有一大約4.3公釐χ 6·4公釐的長方形剖面,且兩 端縱柱距離大约20.5公釐。在另一示範實施例中,每一 > 柱有-大約15…U公變的長方形剖面,且兩:: 距離大約6.3公釐。一核心適合的大小和形狀可根據實驗決 定。然而’應該要注意的是,降低—核心的大+,會導致 12 200303252 磁場變小,且將涵蓋更小的基材面積。故結論是’旋滿 流監測系統的空間解析度能夠改善,一適宜的縷繞結構 核心成分亦可以經由實驗決定。 該透明窗36的較低表面包括雨個長方形的回、,宿邛 52,使得在該研磨墊上有兩個薄的部分53。该核心的縱 42a和42b延伸到回縮部分52,使得部分縱拄通過該研 墊。在本實施例中,可建造一研磨墊,包括一凹槽在窗 較低表面裡。當該研磨墊3 0被固定於該平台上’这時窗 就可以合適地安裝於平台内凹槽26上面’且回縮部分 合適地安裝在核心之縱柱末端。因此,該核心可以被一 撐結構撐住,讓縱柱42a和42b可以投射超過該平台24 上層表面之平面。藉由置放該核心42到更靠近基材處’ 會有較少的磁場發散出去,且空間解析度也可以改善。 凹槽的形成可以透過機器,在固體窗元件的底部表 建造凹槽,或者模製出一具有凹槽的窗,也就是藉由射 成形或壓製模鑄進行鑄造,使得窗的材料在具有可形成 槽的模組内硬化成形。一旦窗製造完成,就可以將其固 於研磨墊上。舉例來說,可在上層的研磨層裡形成一孔 並可用一黏著劑將窗固定於該孔裡,例如用黏著劑和膠 劑。此外’也可將窗插進該孔内,然後將液態亞聚胺酯 入窗和研磨墊中間的空隙,之後將液態亞聚胺酯固化。 設該研磨墊有兩層,可在背層形成可和窗對準的孔,且 的底部可以用黏著劑與背層的暴露端相附著。 叫參肊第2圖,在另一操作中,盡可能在製造研磨 電 和 分 拄 磨 的 36 52 支 的 將 面 出 凹 定 1 黏 注 假 窗 墊 13 200303252 時’將一或多個強磁元件固定到研磨墊上。透明窗3 6的較 低表面包括兩個長方形的回縮部分52,和兩個藉由環氧樹 月田’固定於該回縮邵分5 2的延伸縱柱5 4 a和5 4 b。該延伸 縱柱54a和5 4b和核心42的縱柱42a和42b有著大體上相 同大小的長方形剖面。延伸縱柱54a和54b由強礙材料形 成,和核心42的材料一樣。當窗36固定於模組4〇之上, 延伸縱柱54 a與54b幾乎和42a與42b很緊密地對準。因此, 延伸縱柱54a與54b讓磁場48可通過窗36之薄的部分53, 使得核心可以有效地緊靠在基材。一小缺口 5 8可將縱柱和 延伸縱柱分開’但卻不會影響旋渦電流監測系統的執行。 請參照第3圖,在另一操作中,載具頭是設計過的, 能夠讓磁力線在通過基材時更集中或更準確。正如圖所示, 該載具頭包括了 一基座102; —可加壓的氣室1〇6,其係由 固定於基座102上的彈性薄膜1〇4形成的;以及一停留環 108,用來握住薄膜104下面的基材。藉著強迫流體進入氣 室106,將該薄膜104往下壓,而施加一向下的載重在基材 10上。 該載具頭包括由諸如鐵酸鹽(ferrite)之類的強磁材料所 形成的平台100。該平台100置放於可加壓氣室1〇6内且 τ 口 ιυο比其周圍的載具 可以靠在彈性薄膜 頭有更好的磁力上穿透性,所以磁場可以優先穿過該平台 且磁力線通過基材1〇時依然保持相對集中或瞄準。因2 磁場通過基材的部分相對來說是小部分,因此也改善了旋 渦電流監測系統40的空間解析度。 14 200303252 此外,若不用彈性薄膜及可加壓的氣室’則載具頭可 用一強磁材料組成的剛性内構件(rigid backing member)。一 薄的可壓縮層,例如一載具膜,可加於剛性内構件的外表 面0 請參照第4圖,在另一操作中,核心42 ’是一簡單的強 磁棒,而非U型主體。在一示範例子中,核心42,是一直徑 大約1 6公爱且高約5公董的圓柱。也可以選擇核心42 ’是 梯形截面的。將併在一起的驅動器和感應線圈一起圍繞在 核心42,的底部。此外亦可個別地將單獨的驅動器和感應線 圈’地圍繞在核心42,上。 基本上線圈42,要垂直地放,換言之,其長軸要和研磨 表面之平面垂直。窗36包括一回縮部分52,,讓核心42’可 以固定於其中,使得核心42,延伸到回縮部分5 2,裡面。當 驅動器和感應線圈4 4,被啟動,磁場就會通過薄的部分5 3 ’, 並且與基材上的金屬層反應。用諸如環氧化聚亞胺酯之類 的環氧樹脂,或是用一液態環氧化聚亞胺酯將核心42,經固 化後固定於其位置。 線圈44,可以是一固著到核心42,上的元件,也可以是 一固定於模組5 〇上的斿固著元件。在後者情況下,當研磨 塾30和窗36都固定於斗·台24,該核心42,可以滑進核心42’ 裡面的圓柱空間。至於在前者的情況下,線圈的末端是處 於一電性連接狀態,該電性連接狀態係可自研磨系統中剩 餘的電子組件中被韓合和去耦合。例如,該線圈可連結到 兩個接觸墊上,且兩導線可以從印刷線路板1 6 0延伸出去。 15 200303252 當研磨整30和窗36固定於該平台24時,該接觸墊就會鮮 準並從印刷電路板1 60上吸引導線。
請參照第5圖,在另一操作中,透明窗%包括整個穿 過透明窗的孔H0,而不是僅在底部的凹槽。用一聚亞胺酸 检塞112將核心42’固定於孔11〇中。聚亞胺酯拴塞ιΐ2的 上表面和透明窗36的表面齊平。該拴塞112覆蓋核心42, 的頂端和上迻,這樣核心42,相對於窗36的表面來說是後 縮的。同樣地,線圈44,可被固著到核心42,上,也可以是 一固定於模組5 0上的非固著元件。 請參照第6圖,在另一操作中,透明窗3 6包括整個穿 過透明窗的孔110,而且核心42,係被固定到孔11〇,同時 讓核心的上表面暴露到環境中,但是要稍微低於窗3 6的表 面。核心4 2 ’的兩側則是用環氧化聚亞胺酯黏住。
請參照第7圖,在另一操作中,核心42,可上下校正。 透明窗3 6包括整個穿過透明窗的孔丨丨〇,而一環氧樹脂圓 拄體被固定於孔11 〇中。將核心42,的外層刻上螺紋或形成 溝槽,同時環氧樹脂圓柱體的内層亦刻上能和核心42,的外 層相端合的螺紋或溝槽。這樣’藉由旋轉核心4 2 ’,便可將 核心42 ’轉到Z軸(垂直於窗表面的軸)上正確的位置。如此 即可選擇核心42 ’的置放位置使其不致刮到正在研磨中的 基材但又幾乎和窗36的上表面齊平。此外,還可隨著研磨 勢的磨損情形,調整核心42,的位置,藉以在基材和核心之 間保持一定的距離(在基材間的基礎上)。然而,有一潛在的 缺點是核心裡面的螺紋或溝槽會集中磁力線,導致磁力線 16 200303252 在那裸會變得比較大。 請參照第8圖,在另一操作中’核心 Λ 灰了一畲裁彈 簧12〇,核心被迫靠在透明窗36的回 ”戰平 是一很軟的彈簧(低彈性常數)且窗和塾的其他部分不需要被 支撐,因此在研磨程序中,施加在薄的部分53之# “ 損速率就能夠比墊的其他地方還低。 男力和磨 請參照第9圖,在另一操作中 μ ^ ‘以水平方 定於透明窗36的回繪部分52’也就是說磁場的主轴和窗的 表=Γ:Γ2,可相對於研磨表面的轉動輪,成轴向或 徑向封準’抑或以任-袖向和徑向之中間角度對準。用 著劑56’,例如環氧樹脂,將核心42 器更…位,操作者將有更多的選擇可將 或2間解析度最佳化。 請參照帛!〇圖,在另-操作中,核心42,係以相對於 垂直袖成α的角度傾斜。α角度大於〇。小於%。,比方說 45。。一回縮部分52,’要形成能夠讓核心42,以—定角度固^ 於,、中的形狀。用-黏著劑或環氧樹脂,抑或機械連接裝 置,讓核心 4 2,固定於辞虚。# μ,_,, 口疋於4處核心42,可相對於研磨表面的 轉動軸’ Α車由向或㉟向料,抑或則壬一轴向和徑向之中 ’角度對τ ϋ由提供感應器更多的定位,操作者將有更 夕的選擇可將ϋ對雜訊比或空間解析度最佳化。 叫參知、第1 1圖,在另一操作中,一或多個強磁元件⑵ 被埋在研磨墊或窗36,中,例如說,該些元件i22是當窗固 化時,被研磨 1包圍住的鐵酸鹽塊。#研磨塾接^平台 17 200303252 時’該些元件122就和核心42的縱柱42a和42b對準 作是延伸縱柱。 請參照第1 2圖,在另一操作中,旋渦電流監測系 不包括—核心,而是只有一線圈44”。該研磨墊36包 窗36的底部表面裡形成之一回縮部分52。當研磨墊安 平台時’窗36也與其對準,導致該線圈44”延伸進回 分52之中。如果線圈44”以一高頻率執行之,該設備 行的。 請參照第1 3圖,在另一操作中,同樣也是缺少核 該線圈44,,實際上是埋在研磨墊或窗36,裡。線圈44,, 到兩個導電接觸墊124。當研磨墊36,固定於平台24上 該接觸墊1 24開始執行且吸引旋渦電流監測系統40 線’來達成該電流回路。 請參照第14A-14C圖,旋渦電流監測系統可以有 的核心形狀,例如馬蹄形核心1 3 〇、1 3 2和1 3 6。藉由 更多的核心形狀,操作者將有更多的選擇可將信號對 比或空間解析度最佳化。比較特別地,第1 4A-1 4C圖 在馬蹄形的核心之前端分叉部分,之間有著很短的距 如此造成磁場只會從分叉邵分的末端散佈一很短的距 因此,馬蹄形的線圈改善了空間解析度。 回到第1圖’ 一普遍效用可執行程式的數位電腦 經過一轉動電子單元9 2,連接到平台裡的組件上,包 刷電路板1 60。該電腦90接收從旋渦電流監測系統和 監測系統傳回去的訊號。既然監測系統隨著平台的旋 ,當 洗40 括在 裝到 縮部 是可 心 , 連接 時, 的導 其他 提供 雜訊 中, 離。 離。 90, 括印 光學 轉, 18 200303252 在基材下掃射,令凰a ^ 隻屬層的厚度多寡,以及暴露出來之下層 的資訊就會以連績gp卩去γ τ ^ , $ ρ時(平台每轉一圈為一單位)模式在原位 置累積。當研磨程序進行時,金屬層的厚度或反射性改變, 4樣訊唬也曰隧時間改變。改變試樣訊號的時間可參照儀 态上的紀ί彔。從監视系統測量到的資料,可在研磨當中顯 丁到輸出* Ϊ 94 ’讓操作裝置的人員,直接目測監視研磨 木作的私序此外,正如以下所述,儀器上的紀錄要用來 控制研磨程序,以a 以及決定金屬層研磨搡作的終點。 在知作中’ CMP設備2〇用旋渦監測系統40以及光學 監測系,统1 40來決定何B寺大部*的填料層已經被移除,以 及決4何時下層結構大體上已經暴露出來。在程序控制及 终點偵測巾’ t腦9〇 *供試槔訊號—邏輯操作,來決定何 時該改變^ H以及㈣研磨終點。程序控制和終點 的標準之可能的邏輯偵丨則,包括局部最小最大值、斜率的 改變、振幅或斜率的初始值,或综合以上。 、《书流和光學監測系統能用在多樣的研磨系統中。 不是研磨参,# Θ 就疋載具頭,或兩者移動以提供在研磨表 和基材之間的相铒、忠# ^ 對運動。研磨墊可以是固定於平台的圓形(或 1«)塾、或在支撐和收起輪中間延伸出去的線帶1
Si:表在此係使用垂直放置的名詞,但是應該瞭解: :磨:了面和基材可以以垂直的方向或其他的方向放置 : 研磨操作中逐嶋,高於平 於平台上,」? 研磨當中,該塾可以固定 、 :疋有一碇體在平台和研磨墊中間被擠壓。 19 200303252
軟墊或有黏著物固定的墊。 或不包括亞聚胺酯)粗糙墊、一
本發明依然可實施。 置在同一個洞,但被放置在平 渦電流監測系統40,能夠有更 監測系統140和旋渦電流監 t置在平台的對面,這樣可選擇性地掃瞄基 若無光學監測系統且研磨墊完全不透光, 施。在這兩情況下,用來安置核心的凹槽 和空隙在一研磨層+ ^ ^ 4 Μ尽ψ形成,例如雙層研磨墊的最外層研磨 旋渦監測系統可包括分開、單獨的驅動器和感應線圈,
。在單一線圈的系統中, 振動器和感應電容器(以及其他感應線路)是連接到同一線圈 本發明之許多實施例已詳細敘述。然而,所要暸解的 是,對本發明之不同的修正將離不開本發明的精神和範疇。 因此,其他的實施例將落在以下所述的專利申請範園内。 【圖式簡單說明】 第1Α圖係一側視圖,部分是剎面圖,其為一化學機械 研磨機台,包括一旋渦電流監測系統和一光學監測系統。 第1 B圖係一放大圖,其為第1圖之旋渦電流監測系統, 第2圖係一剖面側視圖,舉例說明強磁元件固定於研 磨塾上; 20 200303252 第3圖係一釗面側視圖,舉例說明一載具頭,其為了 傳送旋渦電流監測系統所產生的磁場而做的修正; 第4圖係一剑面側視圖,舉例說明一棒狀的核心,其 固定於研磨|的透明窗之凹槽中; 第5圖係一剖面侧視圖,舉例說明用一環氧樹脂的拴 塞使一核心固定於研磨塾上; · 第6圖係一剖面側視圖,舉例說明一核心固定於研磨 蟄之孔中; 第7圖係一剖面側視圖,舉例說明用一可調整的垂直 座使一核心固定於研磨墊上; 第8圖係一别面側視圖,舉例說明用一負載彈簧使一 核心避免碰到研磨墊的底部表面; 第9圖係一剖面側視圖,舉例說明一核心水平地固定 於研磨塾上; 第1 0圖係一剖面側視圖,舉例說明一核心傾斜地固定 於研磨墊上; 第1 1圖係一剖面侧視圖,舉例說明一強磁元件埋在研 磨墊中; 第1 2圖係一剖面侧視圖,舉例說明含有一旋渦電流監 測系統中的線圈其延伸到研磨墊裡的凹槽; 第13圖係一剖面側視圖,舉例說明含有一旋渦電流監 測系統中的線圈其埋在研磨墊中;以及 第14A-14C圖係一剖面側視圖,舉例說明該些馬蹄狀 的核心。 21 200303252 在不一樣圖中之相同元件符號 【元件代表符號簡單說明】 ,代表相同的元件。
10 基材 20 研磨設備 24 可轉動平台 25 中心軸 26 凹槽 30 研磨塾 32 外層 34 背層 36 窗 38 研漿 39 研漿/沖洗棒 40 旋滿電流監測系統 42,42’,42” 核心 42a,42b 縱柱 44 驅動線圈 44, 線圈 46 感應線圈 48 磁場 50 模組 52 回縮部分 53,535 較薄區域 22 200303252 56 環氧化物 5 6’ 黏著劑 58 溝槽 70 載具頭 72 支撐裝置 74 載具驅動裝置 76 載具頭轉動馬達 90 數位電腦 92 轉動電子單元 94 輸出裝置 100 平台 102 基座 104 柔軟薄膜 106 可加壓氣室 108 保留環 110 孔 112 聚亞胺酯拴塞 114 環氧化聚亞胺酯 120 負載彈簧 122 強磁元件 130 馬蹄形核心 132 馬蹄形核心 136 馬蹄形核心 140 光學監測系統 200303252 142 光束 144 光源 146 偵測器 160 印刷電路板
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Claims (1)

  1. 200303252 拾、申請專利範圍 1. 一種研磨塾,包括: 一研磨層,其係具有一研磨表面;以及 至少下列之一 一位於該研磨層裡之固體透明窗,該透明窗具有一大 體上與該研磨表面齊平之上表面;以及至少有一凹槽形成 於其中之一底部表面,
    一誘導線圈,其係固定於該研磨層上,或 一強磁體,其係固定於該研磨層上。 ,其係包括該透明窗。 ,其中該透明窗是由聚亞 ,更包括一背層,其係位
    ,其中一孔係形成於該背 ,其包括一謗導線圈。 ,其中該線圈係埋在該研 2. 如申請專利範圍第1項之研磨墊 3. 如申請專利範圍第2項之研磨墊 胺酯所形成。 4. 如申請專利範圍第3項之研磨墊 於與該研磨表面對面之該研磨層 5 ·如申請專利範圍第4項之研磨墊 層中,且與該窗對準。 6. 如申請專利範圍第1項之研磨墊 7. 如申請專利範圍第6項之研磨墊 25 200303252 磨墊中。 8 .如申請專利範圍第6項之研磨墊,其中該研磨層包括在一 底部表面形成的一凹槽,且該線圈係位於該凹槽内。 9.如申請專利範圍第6項之研磨墊,其中該線圈以一主軸垂 直於該研磨層之一表面的方式放置。 1 0.如申請專利範圍第6項之研磨墊,其中該線圈以一主軸 與該研磨層之一表面呈一大於零度小於九十度的角度放 置。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之研磨墊,其包括該強磁體。 12.如申請專利範圍第1 1項之研磨墊,其中該研磨層包括在 一底部表面形成的一凹槽,且該強磁體係位於該槽内。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之研磨墊,其中該研磨層包括在 一底部表面形成之複數個凹槽,且複數個強磁體係位於 該複數個凹槽中。 14.如申請專利範圍第1 1項之研磨墊,其中該研磨層包括一 穿過其中的孔,且該強磁體係位於該孔中。 26 200303252 15.如申請專利範圍第】 4員心研磨墊,更包括一拴塞,其 可將該強磁體固持於該孔中。 16·如申請專利範圍第1 上與該研磨層之 5項之研磨墊,其中該拴塞有一大體 表面齊平之上表面。 7.如申請專利範圍第14 一背層 項之研磨墊,其中該研磨墊更包 括 1 8 ·如申請專利範圍 員<研磨墊,其中該強磁體之一上 表面係暴露於該研磨環境中。 1 9.如申請專利範 炫 圍弟11項〈研磨墊,其中該強磁體的位置 可相對於該研磨層表面位置進行調整。 2〇t申請專利範圍第11項之研磨塾,其中該強磁體以-長 軸垂直於該研磨層之-表面的方式放置。 4申明專利範圍第11項之研磨墊,其中該強磁體係以一 長轴與該研磨層之一表面成一大於零度小於九十度的角 度放置。 财:明專利範圍第1 !項之研磨墊,其中該強磁體係以一 環氧化物固定於該研磨層上。 27 2〇〇3〇3252 2 2 士 ϋ申靖專利範圍第1 1項之研磨墊,更包栝一穿過該研磨 曰之透明窗,且其中該強磁體係固定於該透明窗上。 申μ專利範圍第23項之研磨塾,其中該透明窗包括在 其底部表面形成的一凹槽,且該強磁體置放於該凹槽 内。 2 5戈 u中請專利範圍第24項之研磨墊,其中該透明窗包括一 孔穿過其中,且該強磁體係位於該孔中。 申清專利範圍第11項之研磨整,更包括一線圈園繞在 孩強磁體周圍。 27·一種研磨系統,包括·· 一具有一研磨表面之研磨塾; 一載具,用以固持一基材使其正對著該研磨墊的研磨表 面;以及一旋渦電流監測系統,該系統至少包括下列其中 之一 一謗導線圈,位於正對基材之該研磨表面的一邊,該 謗導線圈至少部分穿過該研磨墊,或 一強磁體,位於正對基材之該研磨表面的一邊,該強 磁體至少部分延伸穿過該研磨墊。 28 200303252 2 8.如申請專利範圍第2 7項之研磨系統,其包括該誘導線 圈。 29.如申請專利範圍第28項之研磨系統,其中該研磨墊包括 形成在其底部表面的一凹槽,且該線圈至少部分位於該 凹槽内。
    3 0.如申請專利範圍第28項之研磨系統,其中該線圈係被固 定於研磨墊上。 3 1 ·如申請專利範圍第30項之研磨系統,其中該線圈埋在該 研磨塾裡。 32.如申請專利範圍第28項之研磨系統,其中該旋渦電流監 測系統包括一核心,且該線圈纏繞在該核心周圍。
    3 3.如申請車利範圍第28項之研磨系統,更包括具有一透明 窗之一光學監測系統,其中該線圈至少部分延伸穿過該 透明窗。 3 4.如申請拳利範圍第28項之研磨系統,其中該研磨墊係固 定在一平台的上表面,且該線圈靠該平台支撐。 3 5.如申請拳利範圍第27項之研磨系統,其包括該強磁體。 29 200303252 3 6.如申請專利範圍第3 5項之研磨系統,其中該研磨墊包括 形成在其底部表面的一凹槽,且該強磁體係位於該凹槽 内。 3 7 ·如申請專利範圍第3 6項之研磨系統,其中該研磨蟄和一 平台接觸,且該強磁體靠平台支撐。 3 8.如申請專利範圍第37項之研磨系統,其中一溝槽將該強 磁體與該研磨墊分開。 3 9.如申請專利範圍第35項之研磨系統,其中該研磨墊包括 一穿過其中的孔,且該強磁體係位於該孔中。 40. 如申請專利範圍第35項之研磨系統,其中該旋渦電流監 測系統包括一核心,且當研磨墊固定於該平台上時,該 核心係可和強磁體對準。 41. 如申請專利範圍第35項之研磨系統,更包括具有一透明 窗之一光學監測系統,其中該強磁體至少部分延伸穿過 該透明窗。 42. 如申請專利範圍第35項之研磨系統,其中該強磁體固定 於該研磨墊上。 30 200303252 43. 如申請專利範圍第42項之研磨系統,其中該強磁體係藉 由一環氧化聚亞胺酯將其固定於該研磨層上。 44. 如申請專利範圍第42項之研磨系統,其中該強磁體係埋 在該研磨墊裡。 45. 如申請專利範圍第35項之研磨系統,更包括一線圈圍繞 在該強磁體周圍。 46. 如申請專利範圍第42項之研磨系統,其中該線圈至少部 分延伸穿過該研磨墊。 47 ·如申請專利範圍第3 5項之研磨系統,更包括一可對該強 磁體施加偏壓使其靠在該研磨塾上的構件。 4 8 . —種研磨系統,包括: 一研磨整,其係具有一研磨表面和一具有凹槽形成於 其中之一背面; 一漩渦電流監測系統,其係包括一至少部分位於該凹 槽中的誘導線圈。 4 9. 一種研磨系統,包括: 一研磨塾,其係具有一研磨表面和一具有凹槽形成於 31 200303252 其中之一背面; 一旋渦電流監測系統,其係包括一至少部分位於該凹 槽中的強磁體。 5 0. —種用於一研磨系統的載具頭,包括: 一基材接收面;以及 一位於載具頭内的強磁體,其係位於正對著基材接收 面的一側。
    5 1. —種研磨方法,包括: 讓一基材與一研磨墊的一研磨表面接觸; 放置一誘導線圈於正對著基材之該研磨墊的一邊,讓 該誘導線圈至少部分延伸穿過該研磨墊; 造成該基材與該研磨墊間之相對運動;以及 使用該誘導線圈監測一磁場。
    5 2. —種研磨方法,包括: 讓一基材與一研磨墊的一研磨表面接觸; 放置一強磁體於正對著該基材之該研磨墊的一邊,讓 該強磁體至少部分延伸穿過該研磨墊; 造成該基材與該研磨墊之相對運動;以及 藉由使用以磁性耦合至該強磁體之謗導線圈來監測一 磁場。 32 200303252 5 3 . —種製造一研磨蟄的方法,包括: 在一固體透明窗底部表面形成一凹槽; 安裝該固體透明窗於一研磨層裡,使該固體透明窗的 一上表面大體上與該研磨蟄之一研磨表面齊平。 54.如申請專利範圍第53項之方法,其中形成該凹槽的步驟 包括機器建造該凹槽。 5 5.如申請專利範圍第53項之方法,其中形成該凹槽的步驟 包括用模鑄形成該窗。 56. 如申請專利範圍第53項之方法,其中安裝該窗的步驟包 括形成一孔在研磨層中,以及將該窗固定於該孔中。 57. 如申請專利範圍第56項之方法,其中該窗係以一黏著劑 將其固定於該孔中。 33
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