TW200302262A

TW200302262A - Doped lithium quinolate

Info

Publication number: TW200302262A
Application number: TW091134053A
Authority: TW
Inventors: Poopathy Kathirgamanathan
Original assignee: Elam T Ltd
Priority date: 2001-11-23
Filing date: 2002-11-22
Publication date: 2003-08-01
Also published as: US20050106412A1; EP1458834A1; JP2005510838A; WO2003046107A1; GB0128074D0; AU2002343070A1

Description

200302262 玖、發明說明發明所屬之技術領域本發明關於電致發光裝置及顯示器。先前技術在被電流通過時能發出光線的材料係周知的且用於廣範圍的顯示器應用中。液晶裝置及以無機半導體系統爲基礎的裝置係被廣用著，然而這些具有缺點爲高能量消耗、高製造成本、低量子效率及不能製造平板顯示器。專利申請案WO98/58037敘述一範圍的鑭系錯合物，其可用於電致發光裝置中，而且具有改良的特性及給予較佳的結果。專利申請案 PCT/GB98/01773、PCT/GB99/03619、 PCT/GB99/04030 > PCT/GB99/04024、PCT/GB99/04028、 PCT/GB00/00268敘述使用稀土族螯合物的電致發光錯合物、結構及裝置。專利申請案WOOO/32717揭示以酸鋰在電致發光裝置中S作電:發光材料的用途。醒酸鋰具有較大的電子遷移率，約45%高於廣用的醌酸鋁和醌酸鋁衍生物，使得其可成爲更有效的電致發光材料。 C· Schmitz，H Scmidt 和 Thekalakat 在化里教迷\2 3012-3019 fBitm翻l之文章中揭示酸鋰層連同電洞傳輸致發光裝置中之用途。我們現已經發現在電致發光裝置中使用接雜組成物當作電致發光材料係產生改良的性能。、’ 200302262 發明內容本發明提供一種電致發光裝置，其依序包括⑴第一電極，（ii)電致發光材料層，其包含經摻雜劑所摻雜的醌酸鋰，及（iii)第二電極。本發明亦提供一種組成物，其包含一倂有摻雜劑的醌酸鋰。實施方式較佳的摻雜劑係如下式的香豆素

其中R!、心和R3係氫或烷基，如甲基或乙基、胺基及經取代的胺基，例如

其中R3係氫或烷基如甲基或乙基。第17和18圖中給予香豆素的例子。其它摻雜劑包括雙苯磺酸之鹽，如 200302262

及北和北衍生物，及第19至21圖中的摻雜劑，其中 R!、、R3和R4係R、心、R2、R3和r4，它們可爲相同或不同且係選自於氫、烴基、經取代或未經取代的芳族、雜環或多環結構’氟碳化物如三氟甲基，鹵素如氟或硫苯基 ;R、Ri、Ha、R3和R4亦可形成經取代或未經取代的稠合芳族、雜環和多環結構，且可與單體如苯乙烯共聚合。R、

Ri、R2、R3和R4亦可爲不飽和伸烷基，如乙烯基或以下基一 C- CH2= CH2- R 其中R係如上。

可用的其它摻雜劑係有機金屬錯合物，如通式（L〇〇nM ，其中Μ係稀土元素、鑭系元素或锕系元素，係有機錯合物，而η係Μ的價態。本發明中可用的其它摻雜劑化合物係爲下式 (La)n> Lp 其中La和Lp係有機配位體，M係稀土元素、過渡金屬、鑭系兀素或锕系元素，且n係金屬M的價態。配位體 La可爲相同或不同，而且可有許多相同或不同的配位體Lp 例如（Ll)(L2)(L3)(L..)M(Lp)，其中Μ係稀土元素、過渡 200302262 金屬、鑭系元素或锕系元素，（LDa^KLaL...)係相同或不同的有機錯合物，而（Lp)係中性配位體。配位體 (LDO^KL^KL。.）的總電荷係等於金屬Μ的價態。若有對應於Μ之III價態的三個基La，則錯合物具有式 (LDO^KDMap)且不同的基〇^)仏2)仏3)可爲相同或相異。

Lp可爲單齒、二齒或多齒的，且可有一或多個配位體

Lp 〇較宜地，Μ係爲具有未經塡滿的內殻之金屬離子，且較佳的金屬係選自於 Sm(III)、Eu(II)、Eu(III)、Tb(III)、 Dy(III)、Yb(III)、Lu(III)、Gd(III)、Gd(III)U(III)、Tm(III)、 Ce(III)、Pr(III)、Nd(III)、Pm(III)、Dy(III)、Ho(III)、Er(III) 、Yb(III)，及更佳 Eu(III)、Tb(III)、Dy(III)、Gd(III)、 Er(III)、Yt(III)。本發明中可用的其它摻雜劑化合物係爲通式（La^MiM: 的錯合物，其中％係與上述Μ相同，M2係非稀土金屬， La係如上，而η係％和M2的組合價態。該錯合物可亦包括一或多個中性配位體Lp，俾錯合物具有通式 (LahMiMJLp)，其中Lp係如上。金屬M2可爲任何不是稀土元素、過渡金屬、鑭系元素或锕系元素的金屬，可用的金屬之例子包括鋰、鈉、鉀、铷、鉋、鈹、鎂、耗、緦、鋇、銅⑴、銅（II)、銀、金、鋅、鎘、硼、鋁、鎵、銦、鍺、錫（II)、錫（IV)、銻（II)、銻（IV)、鉛（II)、鉛（IV)，在不同價態的過渡金屬之第一、第二和第三族金屬，例如錳、鐵、釕、餓、鈷、鎳、鈀（II)、鈀（IV)、鈷（II)、鈾（IV)、鎘、 200302262 鉻、鈦、釩、鍩、鉅、鉬、铑、銥、鈦、鈮、航、釔。例如（Ll)(L2)(L3)(L.")M(LP)-其中Μ係稀土元素、過渡金屬、鋼系元素或锕系元素-及（Li)(L2)(L3)(L..m(Lp)可爲相同或不同的有機錯合物。本發明中可用當作摻雜劑的其它有機金屬錯合物係二核、三核及多核有機金屬錯合物，例如爲下式者 (LnOxMi — MJLiOy，例如 (Lm )ΧΜ1 省M2(Ln)y 其中L係橋連配位體，Mi係稀土金屬，而M2爲吣或非稀土金屬，Lm和Ln爲相同或不同的如上定義的有機配位體La，X係％的價態，y係M2的價態。在這些錯合物中，可有金屬對金屬的鍵結，或於％和 M2間可有一或多個橋連配位體，而基Lm和Ln可爲相同或不同。三核的意思爲有三個稀土金屬經由金屬對金屬的鍵結而連接，即下式 (Lm)xM 1 M3 (Ln )y —M2( Lp )z 或 (Lm)xM 1- M3(Ln)y 200302262 其中Μ!、M2和M3係相同或不同的稀土金屬，而Lm、 Ln和Lp係有機配位體La，X係A的價態’ y係M2的價態，z係M3的價態，Lp可相同或不同於Lm和Ln。可經由金屬對金屬之鍵結及/或經由中間的橋連原子、配位體或分子團將稀土金屬與非稀土金屬連接在一起。例如，金屬可由橋連配位體所連接，例如 (Lm)xM ! M3(Ln)y M2(Lp)z 或 mi m2 —L i，、 M3 其中L係橋連配位體。多核係意味有超過三個金屬被金屬對金屬之鍵結及/或經由中間的配位體所連接 Μ 广M2—Μ广M4 或 Μ 广M2—M4—M3 或

ίο 200302262 y^L\，L、 M1 M2 M4 M3 KLy ^Ly ^Ly 其中、Μ:、％和係稀土金屬，而L係橋連配位體。較且地，La係選自於β·二酮，如下式者

其中I、I和&可爲相同或不同且係選自於氫，及經取代和未經取代的烴基，如經取代和未經取代的脂族基，經取代和未經取代的芳族、雜環和多環結構，碳氟化物，如二氟甲基，鹵素，如氟，或硫苯基；R1、和&亦可形成經取代或未經取代的稠合芳族、雜環和多環結構，且可與單體如苯乙烯共聚合。X係Se、s或〇，γ可爲氫、經取代或未經取代的烴基，如經取代和未經取代的芳族、雜環和多環結構，氟，碳氟化物，如三氟甲基，鹵素，如氟或硫苯基或腈。 h及/或R2及/或R3的例子包括脂族、芳族及雜環烷氧基、芳氧基及羧基，經取代和未經取代的苯基、氟苯基、聯苯基、菲、憩、萘基及苐基烷基如第三丁基，雜環基如咔唑。某些不同基La亦可爲相同或不同的帶電荷基，如羧酸醋基，俾基Li可如上定義且基L2、L3…可爲帶電荷的基如 11 200302262

(IV) 其中R係如上定義的Ri，或基L!、L2可如上定義，且L3... 等係其它帶電荷的基。

Ri、R2和亦可爲

丫 (V) 其中X係〇、S、Se或NH。較佳的成分h係三氟甲基CF3,而該二酮的例子係苯甲醯三氟丙酮、對氯苯甲醯三氟丙酮、對溴三氟丙酮、對苯基三氟丙酮、1-萘甲醯基三氟丙酮、2-萘甲醯基三氟丙酮、2-菲醯基三氟丙酮、3-菲醯基三氟丙酮、9-憩醯基三氟丙酮三氟丙酮、肉桂醯基三氟丙酮及2-噻吩甲醯基三氟丙酮不同的基La可爲相同或不同的下式配位體 200302262

其中X係〇、S或Se，而&、Rjt] R3係如上。

不同的基La可爲相同或不同的醌酸酯衍生物，如

(VIII) λ 或

其中R係烴基、脂族、芳族或雜環羧基、芳氧基、羥基或烷氧基，例如8羥基醌酸酯衍生物或

Ri

(IX) R2

ο 〇或 (X) 13 200302262 其中、心和R3係如上或係Η或F，例如I和R2係烷基或烷氧基

(XI) (XII) 如上述，不同的基Loc亦可爲相同或不同的羧酸酯基，例如 c

ραιΐ) 其中R5係經取代或未經取代的芳族、多環或雜環聚吡啶基，R5亦可爲2-乙基己基，俾！^係2_乙基己酸酯，或r5 可爲鏈結構，俾Ln係2-乙醯基環己酸酯，或La可爲 14 200302262

其中R係如上，例如烷基、烯基、胺基或稠環，如環狀或多環之環。不同的基La亦可爲

(XVII) (XVIIa) 其中R、Ri和1係如上。與非稀土螯合物一起使用的β-二酮之例子爲參-(1，3-二 15

200302262 苯基-1，3-丙二酮）(DBM)，而適合的金屬錯合物係a1(dbm)3 、Zn(DBM)2& Mg(DBM)2、Sc(DBM)3 等。較佳的β-二酮係當h及或r3爲烷氧基如甲氧基且金屬爲鋁或钪，即錯合物具有下式

(XVIII) (XIX) 其中R4係烷基，較佳甲基，而R3係氫、烷基如甲基或r4〇以上式（A)中的基Lp可選自於 Ph I Ph I 1 0=P——N—— 1 ：P ——Ph Ph Ph (XX) 其中各Ph可爲相同或不同且可爲苯基（OPNP)或經取代的苯基、其它經取代或未經取代的芳基、經取代或未經取代的雜環或多環基、經取代或未經取代的稠合芳基，如蔡基、憩、菲或芘基。取代基例如可爲烷基、芳烷基、烷氧基、芳族、雜環、多環基、鹵素如氟、氰基、胺基、經取代的胺基等。第1和2圖中給予例子，其中R、R!、R2、R3和 200302262 I可爲相同或不同且係選自於氫、烴基、經取代或未經取代的芳族、雜環或多環結構，碳氟化物如三氟甲基，齒素如氟或硫苯基；R、Ri、R2、&和&亦可形成經取代或未經取代的稠合芳族、雜環和多環結構，且可與單體如苯乙烯共聚合。R、h、R2、&和R4亦可爲不飽和烯基，如乙烯基或以下基

一 C-CH2=CH2—R 其中R係如上。

Lp亦可爲下式化合物

其中R!、R2和R3係如上定義，例如第3圖中所示的紅菲（bathophen)，其中R係如上或

Ri Ri Ri R! R1

(XXIV) (XXV) 其中Ri、R2和R3係如上定義。 17 200302262

Lp亦可爲 Ph I Ph 1 Ph I Ph I 1 -S P -N I 1 —P=S I 0= 1 - =P -N一 1 —p= 0 I 1 Ph 1 Ph Ph 1 Ph 或 (XXVI) (XXVII) 其中Ph係如上。第4圖中顯示Lp螯合物的其它例子，第5圖中顯示荛和蒔衍生物例子，而第6至8圖顯示如所示的式之化合物〇

La和Lp的具體實例係三毗啶基和TMHD，及TMHD錯合物、a,a’，a”三吡啶基、皇冠醚、環烷、冷烷、酞花青、噗啉、伸乙二胺四胺(EDTA)、DCTA、DTPA及TTHA。其中丁“1^係2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸基，而〇？阶係二苯膦醯胺、三苯基正磷。第9圖中顯示多胺的式子。在醌酸鋰中，摻雜劑的存在量較佳爲0.01至5重量％，更佳0.01至2重量％。可直接藉由醌酸鋰和摻雜劑的混合物之真空蒸發或藉由在有機溶劑中的溶劑之蒸發或藉由醌酸鋰和摻雜劑的共蒸發’以沈積摻雜之醌酸鋰。所用的溶劑係視材料而定，但是氯化烴如二氯甲烷及正甲基毗咯啶酮、二甲亞楓、四氫呋喃、二甲基甲醯胺在許多情況中係適合的。或者，可由旋塗來自溶液的醌酸鋰和摻雜劑，或由固 18 200302262 態作真空沈積，例如濺鍍，藉由熔融沈積醌酸鋰和摻雜劑等的混合物，或任何其它方法，來沈積摻雜之醌酸鋰。較佳爲藉由烷基鋰或烷氧化鋰與8-羥基喹咐或經取代的8-羥基喹啉在溶劑（其包含乙腈）中的溶液之反應，且更佳爲藉由8-羥基喹咐與丁基鋰在含乙腈的溶劑中之反應，以製造醌酸鋰，該溶劑可爲乙腈或一由乙腈和另一種液體如甲苯所構成的混合物。在本發明的電致發光裝置中，第一電極較佳係一種透明基板，如導電玻璃或塑膠材料，其充當陽極，較佳的基板係導電玻璃，如經銦錫氧化物塗覆的玻璃或經銦鋅氧化物塗覆的玻璃，但是可以使用任何導電性或具有導電層的玻璃。亦可使用導電性聚合物和經導電性聚合物所塗覆的玻璃或塑膠材料當作基板。較佳爲有一電洞傳輸層沈積在透明基板上，及將摻雜之醌酸鋰沈積在電洞傳輸層上。電洞傳輸層係用於傳輸電洞及阻止電子，因此防止電子移動進入電極內而沒有與電洞再結合。因此，載體的再結合主要係發生在發射極層。電洞傳輸層可由芳族胺錯合物的薄膜所製成，如由聚（乙烯基咔唑）、N，N’-二苯基-N，N’-雙（3-甲基苯基聯苯基-4,4’-二胺（TPD)、聚苯胺、經取代的聚苯胺、聚_吩、經取代的聚噻吩、聚矽烷等。聚苯胺的例子係爲以下之聚合

R (XXX) 200302262 其中R係在鄰位或間位且係氫、C1-18烷基、C1-6院氧基、胺基、氯、溴、羥基或以下基

其中R係烷基或芳基，而R’係氫、C1-6烷基或芳基，與至少一個以上式I之其它單體。

本發明中可用的聚苯胺係具有通式

(XXXII)

其中P係1至10，而η係1至20，R係如上定義，X係陰離子，較佳選自於 Π、Br、S〇4、BF4、PF6、H2P〇3、H2PC)4 、芳基磺酸根、芳烴二竣酸根、聚苯乙烯磺酸根、聚丙烯酸根、烷基磺酸根、乙烯苯磺酸根、纖維素磺酸根、樟腦磺酸根、纖維素磺酸根或全氟化聚陰離子。芳基磺酸根的例子爲對甲苯磺酸根、苯磺酸根、9，1〇_ 憩醌磺酸根及蔥磺酸根，芳烴二羧酸根的例子爲肽酸根，而芳烴羧酸根的例子爲苯甲酸根。較佳的共聚物係苯胺與鄰茴香胺、間胺苯磺酸或鄰胺基酚之共聚物或鄰甲苯胺與鄰胺基酚、鄰乙基苯胺或鄰伸苯二胺之共聚物。 20 200302262 第Π、12、13和14圖顯示某些其它電洞傳輸材料的結構式’其中Ri、I和R3可爲相同或不同且係選自於氫、及經取代和未經取代的烴基，如經取代和未經取代的脂族基，經取代和未經取代的芳族、雜環和多環結構，氟碳化物’如二氟甲基，鹵素，如氟，或硫苯基；&、&和&亦可形成經取代或未經取代的稠合芳族、雜環和多環結構，且可與單體如苯乙烯共聚合。X係Se、3或〇，丫可爲氫、經取代或未經取代的烴基，如經取代和未經取代的芳族、雜環和多環結構，氟，氟碳化物，如三氟甲基，鹵素，如氛或硫本基或膳。 R!及/或1及/或r3的例子包括脂族、芳族及雜環烷氧基、芳氧基及羧基，經取代和未經取代的苯基、氟苯基、聯苯基、菲、憩、萘基及苐基烷基如第三丁基，雜環基如咔唑。電洞傳輸材料可與摻雜之醌酸鋰混合以形成一層，例如以5-95%電洞傳輸材料相對95至5%發光金屬化合物的比例。可有一緩衝層如銅肽花青層或環狀芳族化合物如聚苯胺的聚合物介於陽極和電洞傳輸材料層之間。視需要地，可有一電子傳輸材料層介於陰極與摻雜之廳酸鋰層之間。電子傳輸材料係一種當被電流通過時會傳輸電子的材料，電子傳輸材料包含金屬錯合物，如金屬醌酸鹽，例如醌酸鋁、醌酸鋰、氰基憩，如9,1〇_二氰基憩、聚苯乙烯磺酸鹽，及第1〇圖所示結構式的化合物。不作爲 21 200302262 分開的層，電子傳輸材料可與摻雜之醌酸鋰混合以形成一層，例如以5-95%電子傳輸材料相對95至5%發光金屬化合物的比例。電致發光層可包括摻雜之醌酸鋰與電洞傳輸材料和電子傳輸材料之混合物。第二電極的功能爲當作陰極且可爲任何低功函數的金屬，例如鋁、鈣、鋰、銀/鎂合金等，其中鋁係較佳的金屬。可使用在玻璃基板上的金屬之透明層所形成的透明陰極，而光線將經過陰極發射。具有適當功函數的透明電極，例如由經銦鋅氧化物塗覆的玻璃所形成者，其中銦鋅氧化物具有低功函數。陽極可具有金屬的透明塗層形成在其上，而給予適當的功函數。兩個電極之一或全部可由砂所形成，而電致發光材料和電洞傳輸及電子傳輸材料的中介層可形成在矽基板上當作畫素。較宜地，各畫素包括至少一層稀土螯合電致發光材料，且一（至少半）透明電極在遠離基板的一面係與有機層接觸。較宜地，基板係屬結晶矽者，且基板的表面可被拋光或平滑化，以在電極或電致發光化合物沈積之前產生平坦的表面。或者，可用一層導電性聚合物來塗覆非平面化的砂基板，以便在沈積其它材料之前產生光滑、平坦的表面〇在一具體態樣中，各畫素包括與基板接觸的金屬電極。視金屬和透明電極的相對功函數而定，任一者皆可當作 22 200302262 陽極，而以另一者當作陰極。當矽基板係陰極時，一經銦錫氧化物塗覆的玻璃可充當陽極，而光線係經過陽極發射出。當砂基板當作陽極時，陰極可由一具有適當工作函數的透明電極所形成，例如由一經銦鋅氧化物塗覆的玻璃，其中銦鋅氧化物具有低工作函數。陽極可具有一形成在上的金屬透明塗層，其給予適當的工作函數。這些裝置有時稱爲頂部發射裝置或背部發射裝置。金屬電極可由數金屬層所構成，例如由較高工作函數的金屬如鋁沈積在基板上，且一較低功函數的金屬如鈣沈積在該較高功函數的金屬上。在另一例子中，更一層導電性聚合物係位於一穩定的金屬如鋁之頂上。較宜地，電極亦充當各畫素之背後的鏡子，且係沈積在基板之平面化表面上或沈入其內。然而替代地，可有一田比鄰於基板的光線吸收用黑層。在猶另一具體態樣中，藉由暴露於適當的水溶液中以形成導電性畫素墊之陣列（其充當畫素電極的底部接觸），而使得底部導電性聚合物層之選擇區域成爲不導電的。如WO00/60669中所述的，各畫素所發出的光線亮度較佳係爲可用類比方式控制的，即藉由調整矩陣電路所施加的電壓或電流或藉由輸入一在各畫素電路中被轉變成類比信號的數位信號。基板較佳亦提供數據驅動器、數據轉換器及掃描驅動器，以便處理資訊、將畫素陣列定址，俾產生影像。當使用視外加電壓而發出不同顏色光線的電致發 23 200302262 光材料時，可藉由調整矩陣變換電路來控制各畫素的顏色〇在一具體態樣中，藉由一包括電壓控制元件及可變電阻元件（它們可方便地由金屬-氧化物-半導體場效應電晶體 (MOSFET)所形成）的開關或由一主動矩陣電晶體來控制各畫素。本發明將於實施例中說明。實施例1 醯酸鋰的製備使2.32克（0.016莫耳羥基喹啉溶解於乙腈中，及添加10毫升1.6M正丁基鋰（0.016莫耳）。於室溫攪拌溶液一小時，及濾出白色沈澱物。用水洗沈澱物，接著用乙腈洗，然後在真空中乾燥。顯示固體爲醌酸鋰。實施例2 使實施例1中所製備的醌酸鋰與摻雜劑混合，所用的摻雜劑爲 24 200302262 C450

CH C2H5\ N

H C440 ch3

及北。實施例3 裝置製作製作第22圖中所示的雙層裝置，裝置係由ITO塗覆的玻璃陽極（1)、銅肽花青層（2)、電洞傳輸層（3)、摻雜之醌酸鋰層（4)、氟化鋰層（5)及鋁陰極⑹所構成；在裝置中，ΙΤΟ 塗覆的玻璃係具有約10歐姆的電阻。ΙΤ0塗覆的玻璃片件 (lxlcm2)具有一經濃鹽酸蝕刻出以去除ΙΤ0及經淸洗和乾燥的部分。藉由在依序在IT0上形成、藉由在1x10_5托的真空蒸發銅酞花青緩衝層、M-MTDATA電洞傳輸層和摻雜之醌酸鋰電致發光層，以製作裝置。將可變電壓施加經過裝置，而第23至26圖中顯示所測量的光譜和性能及結果。 25 200302262 圖式簡單說明第1及2圖表示基LP的例子。第3圖表示紅菲的例子。第4圖顯示LP螯合物的例子。第5圖顯示蒔及苐衍生物的例子。第6至8圖顯示如所示的式之化合物。第9圖顯示多胺的例子。第10圖顯示電子傳輸材料之例子。第11至14圖顯示電洞傳輸材料的結構式。第17及18圖顯示香豆素的例子。第19至21圖顯示摻雜劑的例子。第22圖顯示雙層裝置。第23至26圖顯示所量測之光譜和性能及結果。符號說明= 1 TO塗覆的玻璃陽極 2 銅酞花青層 3 電洞傳輸層 4 摻雜之醌酸鋰層 5 氟化鋰層 6 鋁陰極 26

Claims

200302262 拾、申請專利範匱 1. 一種電致發光裝置，其依序包括：（1)第一電極；（11) 電致發光材料層，其包含經摻雜劑所摻雜的醌酸鋰；及（iii) 第二電極。 2. 如申請專利範圍第1項之電致發光裝置，其中摻雜劑係香豆素或香豆素衍生物、北或北衍生物或雙苯磺酸之鹽〇 3. 如申請專利範圍第1項之電致發光裝置，其中摻雜劑係本文中的式（A)、（B)或（C)化合物，或第10和11圖中的化合物。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電致發光裝置，其中醌酸鋰係由烷基鋰或烷氧化鋰與8-羥基喹啉或經取代的8-羥基喹啉在一含乙腈的溶劑之溶液中反應而製成。 5. 如申請專利範圍第4項之電致發光裝置，其中醌酸鋰係由8-羥基喹啉與丁基鋰在乙腈溶劑中反應而製成。 6. 如申請專利範圍第4項之電致發光裝置，其中醌酸鋰係由8-羥基喹啉與丁基鋰在含乙腈和另一種液體的混合物之溶劑中反應而製成。 7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之電致發光裝置，其中摻雜劑係通式（La)nM，式中Μ係稀土元素、鑭系元素或锕系元素，La係有機錯合物，而η係Μ的價態。 8. 如申請專利範圍第7項之電致發光裝置，其中螢光材料係通式 27 200302262 (La)n>M-~Lp 式中La和Lp係有機配位體，M係稀土元素、過渡金屬、鑭系元素或锕系元素，且η係金屬Μ的價態，配位體 La可爲相同或不同，而且可有許多相同或不同的配位體Lp 〇 9·如申請專利範圍第8項之電致發光裝置，其中螢光材料係通式（LoOnM!]^，式中係與上述Μ相同，M2係非稀土金屬’ La係本文中定義，而n係％和M2的組合價態。 10. 如申請專利範圍第8或9項之電致發光裝置，其中錯合物亦包括一或多個中性配位體，且錯合物具有式（La; ，其中Μι係與上述Μ相同,M2係非稀土金屬。 11. 如申請專利範圍第9或10項之電致發光裝置，其中金屬Μ:係任何不是稀土元素、過渡金屬、鑭系元素或锕系元素的金屬， 12. 如申請專利範圍第11項之電致發光裝置，其中錯合物係選自於下式的二核、三核及多核有機金屬錯合物 (Lm^Mi —M2(Ln)y，或 (Lm )XM(广M2(Ln)y 式中L係橋連配位體，Μ!係稀土金屬，而M2爲Μ!或非稀土金屬，Lm和Ln爲相同或不同的如上定義的有機配位體 La，X係％的價態，7係M2的價態，或 (Lm)xM 1 M3(Ln )y —M2(Lp )z 或 28 200302262 (Lm)xM ι — M3(Ln ) “P)z 式中、M2和M3係相同或不同的稀土金屬，而Lm、Ln 和Lp係有機配位體La，x係Μ!的價態，y係M2的價態， z係皿3的價態，Lp可相同或不同於Lm和Ln，或八 \ (Lm)xM 1 M3(Ln)y M2(Lp)z # V. ^ Vi / 或

式中L係橋連配位體，且其中稀土金屬和非稀土金屬可藉由金屬對金屬之鍵結及/或經由中間的橋連原子、配位體或分子團所連接一起，或其中有超過三個金屬被金屬對金屬之鍵結及/或經由中間的配位體所連接。 13.如申請專利範圍第n或12項之電致發光裝置，其中金屬M2係選自於鋰、鈉、鉀、铷、鉋、鈹、鎂、鈣、緦、鋇、銅⑴、銅（II)、銀、金、鋅、鎘、硼、鋁、鎵、銦、鍺、錫（II)、錫（IV)、銻（II)、銻（IV)、鉛（II)、鉛（IV)，在不同價態的過渡金屬之第一、第二和第三族金屬，例如錳、鐵、釕、餓、鈷、鎳、鈀（II)、鈀（IV)、鉑（II)、鈾（IV)、鎘 29 200302262 、鉻、鈦、釩、锆、鉬、鉬、铑、銥、鈦、鈮、銃及釔。 14.如申請專利範圍第1至13項中任一項之電致發光裝置，其中在醌酸鋰中摻雜劑的存在量爲0.001至20重量 %。 15·如申請專利範圍第1至14項中任一項之電致發光裝置，其中有一電洞傳輸材料層介於第一電極與摻雜之醌酸鋰層之間。 16·如申請專利範圍第1至15項中任一項之電致發光裝置，其中電洞傳輸材料層與發光金屬化合物混合以形成一層。 17·如申請專利範圍第Η或15項之電致發光裝置，其中電洞傳輸材料係芳族胺錯合物。 18·如申請專利範圍第15或16項之電致發光裝置，其中電洞傳輸材料係爲一種選自於聚（乙烯基咔哩）、N，N，-二苯基-N，N’-雙（3·甲基苯基聯苯基-4,4’-二胺（TPD)、聚苯胺、經取代的聚苯胺、聚噻吩、經取代的聚噻吩、聚矽烷及經取代的聚矽烷之聚合物的薄膜。 19·如申請專利範圍第15或16項之電致發光裝置，其中電洞傳輸材料係環狀芳族化合物之聚合物的薄膜。 20. 如申請專利範圍第19項之電致發光裝置，其中電洞傳輸材料係本文中式（XXX)或(XXXII)或如第Η、12、13或 14圖的化合物。 21. 如申請專利範圍第1至20項中任一項之電致發光裝置，其中有一電子傳輸材料層介於陰極與電致發光材料層 30 200302262 之間。 22. 如申請專利範圍第1至21項中任一項之電致發光裝置，其中電子傳輸材料與發光金屬化合物混合以形成一層。 23. 如申請專利範圍第21或22項之電致發光裝置，其中電子傳輸材料係金屬醌酸鹽。 24. 如申請專利範圍第23項之電致發光裝置，其中金屬醌酸鹽係醌酸鋁或醌酸鋰。鲁 25. 如申請專利範圍第21或22項之電致發光裝置，其中電子傳輸材料係氰基憩如9，10-二氰基憩、聚苯乙烯磺酸鹽或第10圖中所示結構式的化合物。 26. 如申請專利範圍第21至25項中任一項之電致發光裝置，其中電洞傳輸材料與電子傳輸材料和發光金屬化合物混合以形成一層。 27. 如申請專利範圍前述任一項之電致發光裝置，其中第二電極係選自於鋁、鈣、鋰、銀/鎂合金。 ® 28. —種組成物，其包含倂有摻雜劑的醌酸鋰。 29. 如申請專利範圍第28項之組成物，其中摻雜劑係香豆素或香豆素衍生物、北或北衍生物或雙苯磺酸之鹽。 30. 如申請專利範圍第29項之組成物，其中摻雜劑係本文中的式（I)或（Π)化合物，或第10和11圖中的化合物。 31. 如申請專利範圍第18至30項中任一項之組成物，其中醌酸鋰係由8-羥基喹啉與丁基鋰在乙腈的存在下反應而製成。 31 200302262 32·如申請專利範圍第31項之組成物，其中醍酸鋰係由8_羥基喹咐與丁基鋰在乙腈溶劑中反應而製成。 33·如申請專利範圍第31項之組成物，其中醌酸鋰係由8_羥基喹啉與丁基鋰在含乙腈和另一種液體的混合物之溶劑中反應而製成。 34·如申請專利範圍第18至33項中任一項之組成物，其中摻雜劑係通式（La)nM，式中Μ係稀土元素、鑭系元素或锕系元素，La係有機錯合物，而η係Μ的價態。 35. 如申請專利範圍第34項之組成物，其中螢光材料係通式 (Loc)n > Μ — Lp 式中La和Lp係有機配位體，Μ係稀土元素、過渡金屬、鑭系元素或锕系元素，且η係金屬Μ的價態，配位體 La可爲相同或不同，而且可有許多相同或不同的配位體Lp 〇 36. 如申請專利範圍第35項之組成物，其中螢光材料係通式（LoOnMiM?，式中％係與上述Μ相同，M2係非稀土金屬’ La係本文中定義，而n係％和M2的組合價態。 37_如申請專利範圍第35或36項之組成物，其中錯合物亦包括一或多種中性配位體Lp，且該錯合物具有通式 (LoOnMiM: ’式中％係與上述Μ相同，]\42係非稀土金屬。 38.如申請專利範圍第36或37項之組成物，其中金屬 Μ2係任何不是稀土元素、過渡金屬、鑭系元素或锕系元素的金屬。 32 200302262 39.如申g靑專利範圍第％項之組成物，其中錯合物係選自於下式的二核、三核及多核有機金屬錯合物 (Lm)xM广M2(Ln)y，或 (Lm )xMi^>2(Ln)y 式中L係橋連配位體，Μι係稀土金屬，而^爲％或非稀土金屬’ Lm和Ln爲相同或不同的如上定義的有機配位體 La，X係M!的價態，y係％的價態，或 (Lm)xM，一 M3 (Ln )y —m2(lp )2

(Lm)xM 1 M3(Ln )y \ M2’ (LP )z 式中Μ!、M2和M3係相同或不同的稀土金屬，而Lm、Ln 和Lp係有機配位體La，x係Μ!的價態，y係M2的價態’ z係M3的價態，Lp可相同或不同於Lm和Ln ’或八、 (Lm)xM 1 M3(Ln)y M2(Lp)z 200302262 式中L係橋連配位體，且其中稀土金屬和非稀土金屬可藉由金屬對金屬之鍵結及/或經由中間的橋連原子、配位體或分子團所連接一起，或其中有超過三個金屬被金屬對金屬之鍵結及/或經由中間的配位體所連接。 40·如申請專利範圍第39或40項之組成物，其中金屬 M2係選自於鋰、鈉、鉀、鉚、絶、鈹、鎂、鈣、緦、鋇、銅⑴、銅（II)、銀、金、鋅、鎘、硼、鋁、鎵、銦、鍺、錫 (II)、錫（IV)、銻（II)、銻（IV)、鉛（II)、鉛（IV)，在不同價態的過渡金屬之第一、第二和第三族金屬，例如錳、鐵、釕、餓、鈷、鎳、鈀(II)、鈀(IV)、鉑（II)、鈾(IV)、鎘、鉻、鈦、釩、鍩、鉬、鉬、铑、銥、鈦、鈮、銃及釔。 41·如申請專利範圍第28至40項中任一項之組成物，其中其中在醌酸鋰中摻雜劑的存在量爲0.001至20重量％

拾壹、圖式如次頁 34