TW200301503A - Image display device and the manufacturing method thereof - Google Patents

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TW200301503A TW091137519A TW91137519A TW200301503A TW 200301503 A TW200301503 A TW 200301503A TW 091137519 A TW091137519 A TW 091137519A TW 91137519 A TW91137519 A TW 91137519A TW 200301503 A TW200301503 A TW 200301503A
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Akiyoshi Yamada
Kazuyoki Seino
Masahiro Yokota
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Tokyo Shibaura Electric Co
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Description

200301503 A7 B7 五、發明説明(1 ) 【技術領域】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明,係關於具備:具有對向配置的2片基板之封 裝體,及設置於該封裝體內側的複數個畫像顯示元件,之 畫像顯示裝置及其製造方法。 【先前技術】 近年,係開發各種平面型顯示裝置作爲取代陰極線管 (以下稱爲CRT)之次世代的輕量、薄型之顯示裝置。 這樣的平面型顯示裝置,有:利用液晶的配向控制光的強 弱之液晶顯示器(以下稱爲L C D )、藉由等離子放電的 紫外線使螢光體發光之電漿顯示面板(以下稱爲P D P ) 、藉由電界放出型電子放出元件的電子束使螢光體發光之 場致發射顯示器(以下稱爲F E D )、藉由表面傳導型電 子放出元件的電子束使螢光體發光之表面傳導電子放出顯 示器(以下稱爲SED)等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印繁 例如,在F E D及S E D中,一般,空出預定的空隙 以具有對向配置之前面基板及背面基板,這些基板因介由 矩形框狀的側壁將各周邊部相互接合而構成真空的封裝體 。於前面基板的內面形成螢光體銀幕,於背面基板的內面 設置多數的電子放出元件作爲使螢光體激起並發光之電子 放出源。 又,爲了支持施加在背面基板及前面基板之大氣壓重 ,在這些基板之間配設複數個支持構件。背面基板側的電 位是約地電位,於螢光面施加正極電壓。接著’將自電子 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -5- 200301503 A7 _____B7 五、發明説明(2 ) 放出元件加以放出之電子束照射於構成螢光體銀幕之紅、 綠、藍的螢光體,藉由使螢光體發光而顯示畫像。 在這樣的F E D及S E D中,可以將顯示裝置的厚度 製薄約數m m,與作爲現在的電視及電腦的顯示器使用之 C R T比較,可以達到輕量化、薄型化的目的。 在上述般地F ED及S ED中,將封裝體的內部製成 高真空是必要的。又,即使在P D P中,亦有將封裝體內 一度製成真空後塡充放電氣的必要。 作爲將封裝體製成真空的方法,係有··首先,將封裝 體的構成構件之前面基板、背面基板、及側壁,以適當地 封著材料在大氣中加熱接合,之後,通過設置於前面基板 或背面基板之排氣管將封裝體內排氣後,以真空封止排氣 管,之方法。但,在介由排氣管將平面型的封裝體加以真 空排氣時,由於排氣速度十分緩慢,且可達成之真空度亦 不佳,故於量產性及特性面有問題。 作爲爲了解決此問題的方法,在如日本特開2 0 0 0 一 2 2 9 8 2 5號公報中揭示著:將構成封裝體之前面基 板及背面基板的最終組裝於真空槽內進行之方法。 於此方法中,首先,將帶入至真空槽內之前面基板及 背面基板充分加熱。此係爲了減輕自成爲使封裝體真空度 惡化的主因之封裝體內壁的氣體排出。接著,在前面基板 及背面基板冷卻,且真空槽內的真空度完全提昇時,於螢 光面銀幕上形成爲了使封裝體真空度改善並維持的吸氣膜 。之後,待封著材料溶解之溫度時,再次加熱前面基板及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐1 " -6- ----------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200301503 A7 B7 五、發明説明(3 ) 背面基板’於將前面基板及背面基板組裝至預定位置的狀 態下冷卻至封著材料固化。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以這樣的方法製成之真空封裝體,除了兼具封著工程 及真空封止工程之外,亦不需要隨著排氣之大量時間,且 可以得到相當良好的真空度。又,於此方法中,使用適合 一倂處理封著、封止之低融點金屬材料作爲封著材料爲理 想。但是,低融點金屬材料,由於融解時的黏性低,故有 在封著時自所欲封著的領域處流出之虞。 特別是在S E D般的平面型畫像顯示裝置中需要高真 空度,於封止層只要是一個地方產生洩露都會成爲不良品 。因此,爲了尋求在大型尺寸的畫像顯示裝置之製作或量 產性的成品率提昇,是有必要加強封著部的氣密性,提高 信賴性。 【發明的開示】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明係有鑑於以上幾點所製成之物,其目的是在提 供封著部的高氣密性且信賴性提升之晝像顯示裝置及其製 造方法。 爲了解決上述的課題,關於本發明的形態之晝像顯示 裝置,係具備:具有背面基板,及對向配置於該背面基板 之前面基板,上述前面基板及上述背面基板的周緣部會介 由封著層而封著之封裝體;及設置於上述封裝體內側之複 數個畫素顯示元件。上述前面基板及背面基板的至少一方 ,具有形成於上述封著層的界面且且含有上述封著層的成 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -7- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200301503 A7 B7 五、發明説明(4 ) 分之擴散層。 又,關於本發明的其他形態之畫像顯示裝置的製造方 法,係針對,具有背面基板、及對向配置於該背面基板的 前面基板之封裝體,以及設置於上述封裝體內側的複數個 畫素顯示元件之畫像顯示裝置的製造方法,其特徵爲, 沿著上述背面基板及上述前面基板之間的封著面來形成底 層,以預定的溫度來燒成上述底層,使底層的成分擴散至 上述封著面側而形成擴散層,重疊於上述燒成的底層而形 成金屬封著材層,將上述背面基板及前面基板加熱於真空 環境中,使上述金屬封著材層及底層融解並封著上述背面 基板及上述前面基板。 根據如上述構成之晝像顯示裝置及其製造方法,含有 於封著層之一部份的材料,係擴散至與封著層連接之前面 基板及背面基板的至少一方的界面附近領域,形成擴散層 。藉由此擴散層,封著層與基板間的密著性大寬度提升, 可得到氣密性高的封著構造。 【發明之最佳實施型態】 以下,參照圖面,詳細說明適用於有關本發明之畫像 顯示裝置的實施形態。 如第1圖至第3圖所示,此F E D具備:由各矩形狀 的玻璃構成之前面基板1 1、及背面基板1 2作爲絕緣基 板。這些基板1 1、1 2,係以間隔1 . 5〜3 _〇m m 的距離對向配置。前面基板1 1及背面基板1 2,係介由 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) J—辱-----#批衣------、玎------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -8 - 200301503 A7 B7 五、發明説明(5 ) 矩形框狀的側壁1 8接合各周緣部’構成維持內部爲真空 狀態之扁平的矩形狀真空封裝體1 〇。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於真空封裝體1 0的內部,設備:支持施加於背面基 板1 2及前面基板1 1的大氣壓重之複數個板狀的支持構 件1 4。這些支持構件1 4,延伸於與真空封裝體1 0的 短邊相平行之方向的同時’亦沿著與長邊相平行的方向空 出預定間隔地加以配置。又,支持構件1 4並不被限定爲 板狀,亦可以使用柱狀的支持構件。 如第4圖所示,在前面基板1 1的內面上形成螢光體 銀幕1 6。此螢光體銀幕1 6,係將發光呈紅、藍、綠等 3色之條狀的螢光體層R、G、B,及作爲位於這些螢光 體層間的非發光部,之條狀的黑色光吸收層2 0加以並列 而構成。螢光體層R、G、B,延伸於與真空封裝體1 0 的短邊相平行之方向的同時,亦沿著與長邊相平行之方向 空出預定間隔地加以配置。又,於螢光體銀幕1 6上,蒸 鍍無圖示之鋁層作爲金屬敷層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第3圖所示,於背面基板1 2的內面上,設置放出 各電子束之多數的電界放出型之電子放出元件2 2作爲激 起螢光體層R、G、B之電子放出源。這些電子放出元件 2 2,係對應各畫素配列成複數列及複數行。 若詳細地敍述,於背面基板1 2的內面上,形成導電 性負極層2 4,在此導電性負極層上形成具有多數凹穴 2 5之二酸化矽膜2 6。在二酸化矽膜2 6上形成由鉬、 鈮等構成之閘極電極2 8。接著,於背面基板1 2內面上 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -9 - 200301503 A7 B7 五、發明説明(6 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之各凹穴2 5內,設置由鉬等構成之圓錐筒狀的電子放出 元件2 2。其他,在背面基板1 2上形成接續至電子放出 元件2 2之無圖示的矩陣狀配線等。 在如上述構成之F E D中,映像信號係輸入至電子放 出元件2 2及閘極電極2 8。以電子放出元件2 2作爲基 準時,在亮度最高的狀態中施加上+ 1 〇 〇 V的閘極電壓 。又,於螢光體銀幕1 6施加上+1 OkV。自電子放出 元件2 2放出之電子束,因閘極電極2 8的電壓被調制, 此電子束藉由激起螢光體銀幕16的螢光體層並使其發光 而顯示畫像。 . 由於在這樣的螢光體銀幕1 6上施加高電壓,故在前 面基板1 1、背面基板1 2、側壁1 8、及支持構件1 4 用的板狀玻璃係使用高歪點玻璃。如後述般,背面基板1 2及側壁1 8之間,係以燒結玻璃等的低融點玻璃3 0加 以封著,前面基板1 1及側壁1 8之間,係以將形成於封 著面上之底層3 1及形成於該底層上之銦層3 2加以融合 之封著層3 3加以封著。
經濟部智慧財產局員工消費合作社印U 接著,詳細說明有關如上述般構成之F E D的製造方 法。 首先,於成爲前面基板1 1之板狀玻璃上形成螢光體 銀幕1 6。此係準備與前面基板1 1相同大小的板狀玻璃 ,於該板狀玻璃上以繪圖機形成螢光體層的條狀圖樣。將 形成此螢光體條狀圖樣之板狀玻璃及前面基板用的板狀玻 璃置於已確定位置之治具上。將該已確定位置之治具架設 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -10- 200301503 A7 B7 五、發明説明(7 ) 於露光台,加以露光、顯像後,於前面基板用的板狀玻璃 上形成螢光體銀幕1 6。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之後,於背面基板用的板狀玻璃上形成電子放出元件 2 2。此時,於板狀玻璃上形成矩陣狀的導電負極層,於 此導電性負極層上形成由如熱酸化法、C V D法、或濺鑛 法所製成之二酸化矽膜的絕緣膜。 接著,於該絕緣膜上形成由如濺鍍法或電子束蒸鍍法 所製成之鉬及鈮等的閘極電極形成用金屬膜。然後,於此 金屬膜上,藉由光蝕刻微影法來形成對應於應形成的閘極 電極的形狀之光阻劑圖案。將此光阻劑圖案作爲光罩以濕 蝕刻法或乾鈾刻法將金屬膜加以鈾刻,形成閘極電極2 8 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之後,將光阻劑圖案及閘極電極作爲光罩以濕鈾刻或 乾蝕刻法將金屬膜加以蝕刻,形成凹穴2 5。去除光阻劑 圖案後,藉由自對背面基板表面傾斜預定角度之方向開始 進行電子束蒸鍍之事,於閘極電極2 8上形成由如鋁及鎳 所構成之剝離層。然後,自對背面基板表面垂直的方向開 始,藉由電子蒸鍍法將如鉬加以蒸鍍作爲負極形成用的材 料。因此,於各凹穴2 5的內部形成電子放出元件2 2 ° 接著,藉由光蝕刻微影法來將剝離層及形成於上面的金屬 膜一起去除。 之後,將形成電子放出元件2 2之背面基板1 2的周 緣部與矩形框狀的側壁1 8之間,於大氣中以低融點玻璃 3 0相互封著。 本纸張尺度適用中國國家標举(CNS ) A4規格(210X297公爱Ί ~ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200301503 A7 B7 五、發明説明(8 ) 接著,背面基板1 2及前面基板1 1介由側壁1 8相 互封著。此時,如第5 A圖及第5 B圖所示,首先,在成 爲封著面之側壁1 8的上面、及前面基板1 1的內面周緣 部上,分別將底層3 1遍及全周而形成預定的寬度。 於本實施例的形態中,底層3 1係使用銀糊劑。形成 方法,係將銀糊劑以網版印刷法塗抹於需要的處所。塗抹 後之銀糊劑自然乾燥後,再以1 5 0 °C使其乾燥2 0分鐘 。之後,溫度提高約5 8 °C燒成銀糊劑而形成底層3 1。 藉由將這樣的銀糊劑以4 0 0 °C以上的溫度燒成而形成底 層3 1之事,底層的A g成分擴散至基板的表層,形成擴 散層。 接著,在各底層3 1上,塗抹作爲金屬封著材料的銦 ,形成延伸於各底層的全周之銦層3 2。 另,作爲金屬封著材料,以使用融點爲約3 5 0 t以 下、密著性及接合性佳之低融點金屬材料者爲理想。使用 於本實施形態之銦(I η ),具有不僅融點爲1 5 6 . 7 的低點,蒸氣壓低,柔軟而接受衝撃度強,既使是在低溫 也不會變脆弱等優質特點。且,銦可以依條件直接接合至 玻璃。 又,作爲低融點金屬材料,不是只有I η的單體,亦 可以使用酸化銀、銀、金、銅、鋁、亞鉛、錫等元素的單 獨體或複合地添加至I η之合金。如,在I η97% -A g 3 %的共晶合金中,融點變的比1 4 1 °C更低,且可 以提高機械的強度。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' -12- I?--------^ 批衣------1T------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 200301503 A7 B7 五、發明説明(9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者,於上述的說明中,係使用所謂「融點」的表現 ’但由2種以上的金屬形成之合金係有融點非爲單一之情 況。一般而言,關於這樣的合金係被定義爲液相線溫度及 固相線溫度。前者係自液體的狀態降低溫度時,合金的一 部份開始固體化之溫度;後者係合金全體均固體化之溫度 。於本實施形態中,在說明上的方便,即使是對這樣的合 金使用所謂融點之表現,係以固相線溫度稱爲融點。 另一方面,前述之底層3 1 ,係使用對金屬封著材料 的浸濕性及氣密性佳之材料,即,對金屬封著材料而言親 和性高的材料。銀糊劑之外,亦可使用N i 、C 〇、A u 、C u、A 1等金屬。 接著,將側壁1 8封著至,在封著層形成底層3 1及 銦層3 2之前面基板1 1及背面基板1 2等兩處的同時, 將於此側壁上面形成底層3 1及銦層3 2之背面側組裝體 ’如第6圖所示,以各封著面相互面對的狀態,且間隔出 預定的距離,以對向的狀態藉由治具加以保持後,投入真 空處理裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第7圖所示,真空處理裝置1 〇 〇,係具有依序設 置之裝載室1 0 1、烘烤、電子線洗淨室1 〇 2、冷卻室 1 0 3、吸氣膜蒸鍍室1 〇 4、組裝室1 0 5、冷卻室 1 0 6、及卸載室1 〇 7。各室係被製成爲可真空處理的 處理室,在F E D的製造時全室是被真空排氣。又,相鄰 之處理室間是以閘極閥等接續。 空出預定的間隔加以對向之背面側組裝體及前面基板 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -13- 200301503 A7 _ B7 五、發明説明(1〇) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 1,被投入裝載室1 0 1 ,將裝載室1 〇 i內加以真空 後,送至烘烤、電子線洗淨室1 〇 2。於烘烤、電子線洗 淨室1 0 2中,在到達1 〇~5p a的高真空度時,將背 面側組裝體及前面基板1 1加熱至3 〇 〇 t的溫度後進行 烘烤,使各構件的表面吸著氣完全放出。 於此溫度中銦層(融點約1 5 6 t ) 3 2會融解。但 ,由於銦層3 2是被形成於親和性高的底層3 1上,故銦 不會流動而被保持於底層3 1,可以防止朝電子放出元件 2 2側及背面基板1 2的外側、或螢光體銀幕1 6側流出 〇 又,在烘烤、電子線洗淨室1 〇 2中,於加熱的同時 ,電子線,自安裝至烘烤、電子線洗淨室1 〇 2之無圖示 的電子線發生裝置,照射至前面基板1 1的螢光體銀幕面 及背面基板1 2的電子放出元件面。此電子線,藉由安裝 於電子線發生裝置外部之偏向裝置加以偏向掃猫。因此, 可以將螢光體銀幕面、及電子放出元件面的全面進行電子 線洗淨。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 加熱、電子線洗淨後,背面基板側組裝體及前面基板 1 1被送至冷卻室1 〇 3,冷卻至約1 〇 〇 °C的溫度。接 著,背面側組裝體及前面基板1 1被送至蒸鍍室1 0 4, 於此,在螢光體銀幕的外面蒸鍍形成B a膜作爲吸氣膜。 B a膜,係防止表面被氧及碳所污染,可以維持活性狀態 〇 之後,背面側組裝體及前面基板1 1被送至組裝室 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210:<297公釐) 200301503 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印.¾ 五、發明説明(11 ) 1 0 5,於此被加熱至2 0 0 °C之銦層3 2再次被融解成 液狀或被軟化。在此狀態下,將前面基板1 1與側壁1 8 加以接合並以預定的壓力加壓後,使銦除冷並固化。藉由 此,前面基板1 1及側壁1 8,係藉由融合銦層3 2及底 層3 1之封著層加以封著,形成真空封裝體1 0。 被這樣形成之真空封裝體1 0,在冷卻室1 0 6冷卻 至常溫後,自卸載室107取出。藉由上述的工程, F E D完成。 根據以上述形成之F E D及其製造方法,藉由在真空 環境中進行前面基板1 1及背面基板1 2的封著,倂用烘 烤、電子線洗淨可以使基板的表面吸著氣完全釋放。因此 ,吸氣膜不會被氧化而可以得到完全的氣體吸著效果。藉 由此,可以得到可維持高真空度的F E D。 又,藉由使用銦作爲封著材料,不會像使用燒結玻璃 之封著般地在真空中封著層產生發泡的情況,而可以製成 氣密性及封著強度佳的F E D面板。藉由安裝底層3 1於 銦層3 2的下方,在封著工程中即使銦融解,也可以防止 銦的流出而保持其於預定位置。 另,底層3 1形成時,藉由將底層材料以預定溫度加 熱燒成,可以使底層成分的A g擴散至基板表層,改善基 板與封著層的接合性。藉由此,可以製成氣密性高的真空 容器。 第8圖至第1 2圖,係顯示:依封著層與前面基板 1 1間界面的離子銳法之T E Μ観察晝像,及依在各分析 -----------0^------1Τ------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) -15- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印t 200301503 A7 B7 五、發明説明(12) 點PI、P2、P4、P5的EDX之元素分析數據。由 這些圖示,可以得知:在封著層與前面基板間的界面係形 成將銀擴散之擴散層4 0。即,在前面基板1 1側的擴散 層4 0中存有底層3 1的成分Ag。此時,在擴散層4〇 之Ag含有量未滿3%。且,擴散層4 0的厚度爲 0 . 01 〜50//mo 如第1 3圖所示,被形成於前面基板1 1的表層及側 壁1 8的表層之擴散層4 0的厚度,依底層3 1的燒成溫 度越高則越厚。又,依燒成時間地增加,也可以增厚擴散 層。相反地,底層3 1的燒成溫度若低,擴散層4 0的厚 度則變薄。因此,燒成溫度以最少4 0 0 °C以上爲理想。 又,由於擴散溫度依元素而有差異,故形成擴散層之燒成 溫度係因應使用於底層的材料加以個別設定爲理想。 如以上般,根據上述構成的F E D及其製造方法,含 有於封著層之一部分的材料,係因熱處理被擴散至與封著 層接續之前面基板及側壁,相同地,包含於玻璃構件之一 部分材料亦被擴散至封著層。藉由此,封著層材料擴散至 ,封著層與前面基板間的前面基板側界面、及封著層與側 壁間的側壁側界面,之擴散層4 0係個別地被形成。接著 ,藉由此擴散層4 0,封著層與前面基板、及封著層與側 壁1 8間的密著性係大寬度提昇,可以得到氣密性高的封 著構造。因此,真空度高的封裝體之製作係爲可能,可以 得到信賴性提昇且高性能的F E D。 又,在上述之實施形態中,製成··以在前面基板1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -------1--W----------IT------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -16- 200301503 A7 _____B7_ 五、發明説明(13 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的封著面及側壁1 8的封著面之兩處形成底層3 1及銦層 3 2的狀態下,進行封著之構造;但,銦層3 2係僅於其 中一處的封著面,如第1 4圖所示般,可以製作:在僅於 前面基板1 1的封著面形成底層3 1及銦層3 2,於側壁 1 8的封著面只形成底層3 1之狀態下,進行封著之構造 〇 其他,本發明並不限定於上述的實施形態,可以爲此 發明範圍內的各種變形。如,可以將背面基板與側壁之間 ,藉由融合與上述實施形態相同的底層3 1及銦層3 2之 封著層進行封著。又,亦可以製成:曲折前面基板或背面 基板之一方的周緣部而形成,使這些基板不透過側壁可直 接地接合。更者,製作銦層延伸至全體,且被形成比底層 的寬度更小,但若在底層的至少一部份形成比底層更小的 寬度,則可以防止銦的流動。 又,在上述之實施形態中,係使用電界放出型的電子 放出元件作爲電子放出元件,但不限於此,亦可使用ρ η 型的冷陰極元件或表面傳導型的電子放出元件等的其他電 子放出元件。另,此發明亦可適用於電漿顯示面板( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印於 P D Ρ )、電激放光(E L )等其他的畫像顯示裝置。 【產業上之利用領域】 如以上的詳述般,依據本發明態樣,藉由在封著部的 界面附近形成擴散封著材料之擴散層,可以提供封著部的 高氣密性,且信賴性提昇之畫像顯示裝置及其製造方法。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -17- 200301503 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(14) 【圖面之簡單說明】 第1圖係顯示關於本發明的實施形態之F E D的立體 圖。 第2圖係顯示取下上述F E D的前面基板之狀態的立 體圖。 第3圖係爲沿著第1圖的線I I I 一 I I I之切面圖 〇 第4圖係顯示上述F ED的螢光體銀幕之平面圖。 第5 A圖係顯示於構成上述F E D的真空封裝體之側 壁的封著面處,形成底層及銦層之狀態的立體圖。 第5 B圖係顯示於構成上述F ED的真空封裝體之前 面基板的封著面處’形成底層及銦層之狀態的立體圖。 第6圖係顯示將在上述封著部處形成底層及銦層之背 面側組裝體與前面基板,加以對向配置之狀態的切面圖。 第7圖係槪略地顯示使用於上述F E D製造之真空處 理裝置的圖面。 第8圖係顯示以上述F E D的封著層界附近之離子銑 法形成之T E Μ觀察畫像的圖面。 第9圖係顯示於第8圖之上述封著層界附近的分析點 Ρ1之EDX分析數據的圖面。 第1 0圖係顯示上述封著層界附近的分析點Ρ 2之 E D X分析數據的圖面。 第1 1圖係顯示上述封著層界附近的分析點Ρ 4之 E D X分析數據的圖面。 I - - ί = 1 - •- 0 I U0 ..... HI n I I I 1: !1 : I— -I I - . _______ I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家襟準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -18- 200301503 A7 B7 五、發明説明(15) 第1 2圖係顯示上述封著層界附近的分析點p 5之 E D X分析數據的圖面。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 3圖係顯示底層燒成溫度與形成之擴散層厚度之 間關係的圖面。 第1 4圖係顯示關於本發明的其他實施形態之F E D 的切面圖。 【圖號說明】 10 真空封裝體 11 前面基板 12 背面基板 14 支持構件 16 螢光體 18 側壁 2 2 電子放出元件 2 8 閘極電極 3 1 底層 3 2 銦層 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 3 封著層 100 真空處理裝置 101 裝載室 1 0 2 烘烤、電子線洗淨室 103 冷卻室 10 4 吸氣膜蒸鑛室 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 200301503 A7 五、發明説明(16 ) 105 組裝室 106 冷卻室 107 卸載室 ------—1---y----—.^vi ------訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -20 -

Claims (1)

  1. 200301503 ABIclD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^、申請專利範圍1 1 . 一種晝像顯示裝置,其特徵爲具備: 具有背面基板,及對向配置於該背面基板之前面基板 ,上述前面基板及上述背面基板的周緣部會介由封著層而 封著之封裝體;及 設置於上述封裝體內側之複數個畫像顯示元件; 上述前面基板及背面基板的至少一方,具有形成於與 上述封著層的界面且含有上述封著層的成分之擴散層。 2 .如申請專利範圍第1項所記載之畫像顯示裝置, 其中,上述封著層含有Ag。 3 .如申請專利範圍第2項所記載之畫像顯示裝置, 其中,上述擴散層含有3%以下的Ag含有量。 4 .如申請專利範圍第1項所記載之畫像顯示裝置, 其中,上述封著層爲主要含有銦或含銦的合金。 5 ·如申請專利範圍第4項所記載之畫像顯示裝置, 其中,含有上述I η之合金,係含有Sn、Ag、N i、 A1 、Ga中任一*者。 6 .如申請專利範圍第1項所記載之晝像顯示裝置’ 其中,上述擴散層具有0·1〜50#m的厚度。 7 ·如申請專利範圍第1項所記載之晝像顯示裝置, 其中,上述封著層係藉由底層、及與設置於該底層上之前 述底層不同種類的金屬封著材層而融合的層所形成。 8 .如申請專利範圍第7 /頁所記載之晝像顯示裝置, 其中,上述底層係含有Ag、Ni 、Co、Au、Cu、 A 1中任一者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) L--->------------IT------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -21 - 200301503 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 9.一種畫像顯示裝置,其特徵爲:具有背面基板, 及對向配置於該背面基板之前面基板,上述前面基板及上 述背面基板的周緣部會介由封著層而封著之封裝體;及 被形成於上述前面基板的內面之螢光體銀幕;及 被設置於上述背面基板上,於上述螢光體銀幕放出電 子束而使螢光體銀幕發光之電子放出源; 上述前面基板及背面基板的至少一方,具有形成於與 上述封著層的界面且含有上述封著層的成分之擴散層。 1 0 · —種畫像顯示裝置的製造方法,係針對,具有 背面基板,及對向配置於該背面基板的前面基板之封裝體 ,以及設置於上述封裝體內側的複數個畫素顯示元件之晝 像表示裝置的製造方法,其特徵爲: 沿著上述背面基板與上述前面基板之間的封著面來形 成底層, 以預定的溫度來燒成上述底層,使底層的成分擴散至 上述封著面側而形成擴散層, 重疊於上述燒成的底層而形成金屬封著材層, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將上述背面基板及前面基板加熱於真空環境中,使上 述金屬封著材層及底層融解而封著上述背面基板及上述前 面基板。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項所記載之晝像顯示裝 置的製造方法,其中,上述底層係由含有Ag、N i 、 C ◦、A U、C u、A 1中任一之金屬糊劑所形成。 1 2 ·如申請專利範圍第1 〇項所記載之畫像顯示裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNs ) A4規格(210X:297公釐) -22- 200301503 A8 B8 C8 D8 :、申請專利範圍3 置的製造方法,其中,上述底層係以4 〇 〇艺以上的溫度 所燒成。 1 3 .如申請專利範圍第i 〇項所記載之畫像顯示裝 置的製造方法,其中,上述金屬封著材層係以融點在 3 5 〇 °C以下的低融點金屬材料所形成。 1 4 .如申請專利範圍第1 〇項至第1 3項中任一項 所記載之晝像顯示裝置的製造方法,其中,上述低融點金 屬材料爲銦或含銦的合金。 IT 11♦1:- i ...... ϋ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)
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