TH9846A - A method for preparing a vapor reactor used in chemical vapor coatings. - Google Patents

A method for preparing a vapor reactor used in chemical vapor coatings.

Info

Publication number
TH9846A
TH9846A TH9001001521A TH9001001521A TH9846A TH 9846 A TH9846 A TH 9846A TH 9001001521 A TH9001001521 A TH 9001001521A TH 9001001521 A TH9001001521 A TH 9001001521A TH 9846 A TH9846 A TH 9846A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
coating
substance
source
liquid
vapor
Prior art date
Application number
TH9001001521A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH8527B (en
TH9846EX (en
Inventor
เจ. เซ้าเบย์แรนด์ นายไมเคิล
เจ. แม๊คคูร์ดี่ย์ นายริชาร์ด
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH9846EX publication Critical patent/TH9846EX/en
Publication of TH9846A publication Critical patent/TH9846A/en
Publication of TH8527B publication Critical patent/TH8527B/en

Links

Abstract

ในการประดิษฐ์นี้มีการเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาที่กลายเป็นไอซึ่งมีประโยชน์ในการเคลือบด้วยไอสารเคมีลงบนผิววัสดุรองรับที่กำลังร้อนโดยเริ่มต้นด้วยการให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว, การฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องทำให้สาร กลายเป็นไอ,การปล่อยก๊าซผสมเข้าสู่ช่องทำให้สารกลายเป็นไอพร้อมกัน, การให้ความร้อนแก่ของเหลว และก๊าซผสมจนทำให้ของเหลวกลายเป็นไอ ที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้น และการผสมไอสารต้นกำเนิดของสารเคลือบและก๊าซผสมให้ทั่วถึง เพื่อผลิตกระแสสารเข้าทำปฏิกิริยาที่กลายเป็นไอสำหรับทำให้เกิดการสลายด้วยความร้อนที่ผิวของวัสดุรองรับที่กำลังร้อนเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน เป็นช่องทำให้สารกลายเป็นไอชนิดที่เหมาะสมเป็นพิเศษสำหรับกระบวนการของการประดิษฐ์นี้ In this invention, a vaporized reagent was prepared, useful for applying chemical vapor coatings to the hot substrate, starting with the heat of the source of the coating as Liquid, injecting the source of the liquid coating into the cavity Vaporization, simultaneous release of mixed gases into the channels causing the substance to vaporize, heating the liquid And the gas is mixed until the liquid is vaporized. At a temperature below the standard vaporization temperature of that substance And mixing the source of the coating and gas mixture thoroughly To produce a stream of reactive vapor for thermal decomposition on the surface of the hot substrate, horizontal thin-plate evaporators. It is a vaporizer compartment specially suitable for this invention process.

Claims (1)

1. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอ ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ A) การจัดหาสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่อุณหภูมิสูงกว่าจุดหลอมเหลวของสารนั้นแต่ต่ำกว่าอุณหภูมิกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้นอย่างแน่แท้ โดยวิธีนี้จะทำให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบอยู่ในรูปของเหลว B) การดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกันไปและอย่างต่อเนื่อง i) การฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอที่กำหนดไว้ในส่วนที่เป็นผนังรอบนอกอย่างน้อยหนึ่งด้านของสารเคลือบที่เป็นของเหลวนั้นจะเกิดเป็นไอ ii) การปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอในปริมาณเพียงพอที่จะเพิ่มการเคลื่อนย้ายมวลของไอสารต้นกำเนิดของสารเคลือบและเมื่อเป็นเช่นนี้จึงทำให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเป็นไอได้เร็วขึ้น iii) การผสมสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว, ไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบและก๊าซผสมเข้าด้วยกันโดยที่รวมถึงการจ่ายสารต้นกำเนิดที่เป็นของเหลวเป็นชั้นบางไปตามผนังช่องดังกล่าว โดยขั้นตอนเหล่านี้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวจะกลายเป็นไอได้อย่างสมบูรณ์ที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิของการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้น, เพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารต้นกำเนิดที่กลายเป็นไป ซึ่งมีความเข้มข้นของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบสูงและสม่ำเสมอ และ C) การลำเลียงของผสมระหว่างไอสารต้นกำเนิดของสารเคลือบกับก๊าซผสมออกไปจากช่องระเหยสารให้เป็นไอ 2. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่มีการให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบล่วงหน้า ก่อนที่จะฉีดเข้าสู่ช่องทำให้สารกลายเป็นไปแต่เป็นการให้ความร้อนจนถึงอุณหภูมิที่ต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้น 3. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่มีการให้ความร้อนแก่ผนังของช่องทำให้สารกลายเป็นไอดังกล่าวอย่างน้อยหนึ่งด้าน 4. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 2 โดยที่มีการให้ความร้อนแก่ผนังของช่องทำให้สารกลายเป็นไอดังกล่าวอย่างน้อยหนึ่งด้านจนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิที่ให้ความร้อนล่วงหน้าดังกล่าว แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไปมาตรฐานของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว 5. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่มีการให้ความร้อนแก่ก๊าซผสมล่วงหน้าจนถึงประมาณ อุณหภูมิของช่องที่ทำให้สารกลายเป็นไอ ก่อนที่จะทำการฉีดสารเข้าไปในช่องนั้น 6. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่มีช่องที่ทำให้สารกลายเป็นไอนี้ ประกอบด้วย เครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน 7. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 6 โดยที่เครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนนั้น รวมถึงช่องทางเข้าด้านบนที่ปลายหนึ่งของเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน และช่องทางเข้าด้านล่างที่ปลายเดียวกันของเครื่องระเหย กับช่องทางเข้าด้านบน และมีการฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในเครื่องระเหยผ่านช่องทางเข้าด้านบน และปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในเครื่องระเหยผ่านช่องทางเข้าด้านล่าง 8. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอ ประกอบด้วยขั้นตอนของ A) จัดหาสารต้นกำเนิดของสารเคลือบ ซึ่งเลือกมาจากโลหะ หรือที่มีอุณหภูมิสูงกว่าจุดหลอมเหลวของสารนั้น แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้น อย่างแน่แท้ โดยวิธีนี้จะทำให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบอยู่ในรูปของเหลว B) ดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกันและอย่างต่อเนื่อง i) ฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบจะเกิดเป็นไอ ii) ปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในช่องทำให้สารกลายเป็นไอ ในปริมาณเพียงพอที่จะเพิ่มการเคลื่อนย้ายมวลของไอสารต้นกำเนิดของสารเคลือบ และด้วยเหตุนี้จึงเป็นสาเหตุให้เร่งสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวให้การเป็นไอได้เร็วขึ้น iii) ให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว ไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบและก๊าซผสม จนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิของขั้นตอน A แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบนี้ และ iv) ผสมสารสารต้นกำเนิดของสารเคลือบ ไอ และก๊าซผสม โดยที่ สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวจะกลายเป็นไออย่างสมบูรณ์ที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐาน เพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอซึ่งมีความเข้มข้นของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบในก๊าซผสมสูงและสม่ำเสมอ C) ลำเลียงกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาออกจากช่องระเหยสารให้เป็นไอ และ D) ทำให้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าว สัมผัสกับวัสดุรองรับที่เป็นแถบแก้วลอย ซึ่งรักษาระดับอุณหภูมิไว้ที่ 750 องศาฟาเรนไฮท์ เป็นอย่างน้อย 9. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 8 โดยที่ การสัมผัสดังกล่าวของกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าวกับวัสดุรองรับเกิดขึ้นในสภาวะที่มีออกซิเจน 1 0. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 8 โดยที่ การสัมผัสดังกล่าวของกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าว กับวัสดุรองรับดังกล่าวเกิดขึ้นขณะที่แถบดังกล่าวถูกพยุงไว้บนอ่างของโลหะหลอมเหลว และมีอุณหภูมิในช่วงตั้งแต่ประมาณ 1,110 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 1,250 องศาฟาเรนไฮท์ 1 1. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 8 โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบนี้เลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วย ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ เตตราเอทธอกซีไซเลน, ไดเอทธิลทินไดคลอไรด์, ไดบิวทิลทินไดอาซีเตท, เตตราเมทธิลทิน, เมทธิลทิลไตรคลอไรด์, ไตรเอทธิลทินคลอไรด์,ไตรเมทธิลทินคลอไรด์, เตตราบิวทิลติเตเนท, ติเตเนียมเตตราคลอไรด์, ติเตเนียมเตตราไอโซโปรพอกไซด์, ไตรเอทธิลอาลู มินัม, ไดเอทธิลอาลูมินัมคลอไรด์, ไตรเมทธิลอาลูมินัม,อาลูมินัมอาซีติลอาซีโตเนท, อาลูมินัมเอทธิลเลท, ไดเอทธิลไดคลอโรไซเลน, เมทธิลไตรเอทธอกซีไซเลน, ซิงค์อาซีติลอาซีโตเนท, ซิงค์อาซีเตท และของผสมของสารเหล่านี้ 1 2. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบนี้ คือไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ 1 3. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบนี้ คือไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ 95 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนัก และเมทธิลไตรคลอไรด์ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก 1 4. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่ก๊าซ ผสมนี้เลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วยฮีเลียม, ไนโตรเจน, ไฮโตรเจน อาร์กอน และของผสมของก๊าซเหล่านี้ 1 5. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่ มีการฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ที่อุณหภูมิตั้งแต่ประมาณ 70 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 530 องศาฟาเรนไฮท์ 1 6. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่มีการให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบ ไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบ และก๊าซผสมในช่องระเหยสารให้เป็นไอ จนถึงอุณหภุมิตั้งแต่ประมาณ 95 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 555 องศาฟาเรนไฮท์ 1 7. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่มีการฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ด้วยอัตราตั้งแต่ประมาณ 0.5 ถึงประมาณ 120 ปอนด์ต่อชั่วโมง 1 8. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่มีการปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ที่ความดันตั้งแต่ประมาณ 2 ถึงประมาณ 15 ปอนด์ต่อตารางนิ้ว 1 9. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 11 โดยที่มีการปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ด้วยอัตราตั้งแต่ประมาณ 100 ถึงประมาณ 400 ลิตรมาตรฐานต่อนาที 2 0. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอประกอบด้วยขั้นตอนของ A) ให้สารต้นกำเนิดเลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วยไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ เตตราเอทธอกซีไซเลน ไดเอทธิลทินไดคลอไรด์ ไดบิวทิลทินไดอาซีเตท เตตราเมทธิลทิน เมทธิลทินไตรคลอไรด์ ไตรเอทธิลทินคลอไรด์ ไตรเมทธิลทินคลอไรด์ เตตราบิวทิลทิเตเนทติเตเนียมเตตราคลอไรด์ ติเตเนียมเตตราไอโซโปรพอกไซด์ เตตราเอทธิลอาลูมินัม ไดเอทธิลอาลูมินัมคลอไรด์ไตรเมทธิลอาลูมินัม อาลูมินัมอาซีติล อาซีโตเนท อาลูมินัมเอทธิลเลท ไดเอทธิลไดคลอโรไซเลน เมทธิลไตรเอทธอกซีไซเลนซิงค์อาซีติลอาซีโตเนท ซิงค์โปรปิโอเนท และของผสมของสารเหล่านี้ ที่อุณหภูมิสูงกว่าจุดหลอมเหลวของสาร แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิของการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารอยู่พอสมควร และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 70 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 530 องศาฟาเรนไฮท์ โดยวิธีนี้จะทำให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบอยู่ในรูปของเหลว B) ดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกันและอย่างต่อเนื่อง i) ฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว ด้วยอัตราตั้งแต่ประมาณ 0.5 ถึงประมาณ 120 ปอนด์ต่อชั่วโมง เข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอที่กำหนดส่วนด้วยผนังรอบนอกหนึ่งด้านเป็นอย่างน้อย โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวนี้จะเกิดเป็นไอ ii) ปล่อยก๊าซผสมที่เลือกจากหมู่ ที่ประกอบด้วย ฮีเลียมไนโตรเจน ไฮโดรเจน อาร์กอน และของผสมของก๊าซเหล่านี้ เข้าไปยังช่องระเหยสารให้เป็นไอในปริมาณที่อยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 25 ถึงประมาณ 500 ลิตรมาตรฐานต่อนาที ที่ความดันตั้งแต่ประมาณ 2 ถึงประมาณ 15 ปอนด์ต่อตารางนิ้ว iii) ให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว ไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบและก๊าซผสม จนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิของขั้นตอน A แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารต้นกำเนิด และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 95 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 555 องศาฟาเรนไฮท์ iv) ทำการผสมสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลว ไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบ และก๊าซผสม รวมทั้งทำการจ่ายสารต้นกำเนิดที่เป็นของเหลวออกเป็นฟิล์มบางตามผนังของช่องดังกล่าวด้วย โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวนี้กลายเป็นไออย่างสมบูรณ์ ที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้น เพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่กลายเป็นไอ ซึ่งมีความเข้มข้นของสารต้น กำเนิดของสารเคลือบสูงและสม่ำเสมอ และ C) ทำการส่งกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาจากช่องระเหยสารให้เป็นไอ D) ทำให้กระแสก๊าซของสารตั้งแต่ดังกล่าว สัมผัสกับวัสดุรองรับที่เป็นแบบแก้วลอย ซึ่งรักษาระดับอุณหภูมิไว้ที่ 750 องศาฟาเรนไฮท์ เป็นอย่างต่ำ 2 1. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอประกอบด้วยขั้นตอนของ A) ให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นโลหะ ซึ่งเลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วย ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ เตตราเอทธอกซีไซเลน ไดเอทธิลไดคลอไรด์ ไดบิวทิลไดอาซีเตท เตตราเมทธิลทินเมทธิลทินไตรคลอไรด์ ไตรเอทธิลทินคลอไรด์ ไตรเมทธิลทินคลอไรด์ เตตราบิวทิลทิเตเนท ติเตเนียมเตตราคลอไรด์ ติเตเนียมเตตราไอโซโปรพอกไซด์ เตตราเอทธิลอาลูมินัม ไดเอทธิลอาลูมินัมคลอไรด์ ไตรเมทธิลอาลูมินัม อาลูมินัมอาซิติลอาซิโตเนท อาลูมินัมเอทธิลเลท ไดเอทธิลไดคลอโรไซเลน เมทธิลไตรเอทธอกซีไซเลน ซิงค์อาซีติลอาซีโดเนท ซิงค์โปรปิโอเนท และ ของผสมของสารเหล่านี้ ที่อุณหภูมิสูงกว่าจุดหลอมเหลวของสารแต่ต่ำกว่าอุณหภูมิของการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารอยู่อย่างแน่แท้ และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 70 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 530 องศาฟาเรนไฮท์ โดยวิธีนี้จะทำให้สารต้นกำเนิดของสารเคลือบอยู่ในรูปของเหลว B) ดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกันและอย่างต่อเนื่อง i) ทำการฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดโลหะที่เป็นของเหลว ด้วยอัตราตั้งแต่ประมาณ 0.5 ถึงประมาณ 120 ปอนด์ต่อชั่วโมง เข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ที่กำหนดส่วนด้วยผนังรอบนอกหนึ่งด้านเป็นอย่างน้อย โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวนี้จะเกิดเป็นไอ ii) ปล่อยก๊าซผสมที่เลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วย ฮีเลียมไนโตรเจน ไฮโดรเจน อาร์กอน และของผสมของก๊าซเหล่านี้ เข้าไปยังช่องระเหยสารให้เป็นไอ ในปริมาณที่อยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 25 ถึง 500 ลิตรมาตรฐานต่อนาที ที่ความดันตั้งแต่ประมาณ 2 ถึงประมาณ 15 ปอนด์ต่อตารางนิ้ว iii) ให้ความร้อนแก่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดโลหะที่เป็นของเหลวไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดโลหะ และก๊าซผสม จนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิของขั้นตอน A แต่ต่ำกว่าอุณหภุมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารต้นกำเนิด และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 95 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 555 องศาฟาเรนไฮท์ iv) ทำการผสมสารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดที่เป็นของเหลวไอของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดโลหะ และก๊าซผสม รวมทั้งทำการจ่ายสารต้นกำเนิดที่เป็นของเหลวออกเป็นฟิล์มบางตามผนังของช่องดังกล่าวด้วย โดยที่สารต้นกำเนิดของสารเคลือบชนิดโลหะที่เป็นของเหลวนี้กลายเป็นไออย่างสมบูรณ์ ที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนั้นเพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอ ซึ่งมีความเข้มข้นของสารต้นกำเนิดของสารเคลือบสูงและสม่ำเสมอ และ C) ทำการส่งกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาออกจากช่องระเหยสารให้เป็นไอ D) ทำให้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าว สัมผัสกับวัสดุรองรับที่เป็นแถบแก้วลอย ซึ่งรักษาระดับอุณหภูมิไว้ที่ 750 องศาฟาเรนไฮท์ เป็นอย่างต่ำ 2 2. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 21 โดยที่ช่องระเหยสารให้เป็นไอนั้น ประกอบด้วย เครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน 2 3. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 22 โดยที่เครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนนั้น มีส่วนประกอบที่รวมถึง ช่องทางเข้าด้านบนที่ปลายข้างหนึ่งของเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน และช่องทางเข้าด้านล่างที่ปลายเดียวกันของเครื่องระเหย เมื่อเทียบกับช่องทางเข้าด้านบน โดยที่มีการฉีดสารต้นกำเนิดของสารเคลือบที่เป็นของเหลวเข้าไปในเครื่องระเหย ผ่านช่องทางเข้าด้านบนและมีการปล่อยก๊าซผสมเข้าไปในเครื่องระเหยผ่านช่องทางเข้าด้านล่างอีกด้วย 2 4. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 23 โดยที่ก๊าซผสมนี้เลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วยฮีเลียม ไนโตรเจน และของผสมของก๊าซนั้น 2 5. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอประกอบด้วยขั้นตอนของ A) ให้ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ ที่อุณหภูมิในช่วงตั้งแต่ประมาณ 225 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 375 องศาฟาเรนไฮท์ โดยวิธีนี้จะทำให้ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์อยู่ในรูปของเหลว B) ดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกันและอย่างต่อเนื่อง i) ทำการฉีดไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ ที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ด้วยอัตราประมาณ 1 ถึงประมาณ 75 ปอนด์ต่อชั่วโมง เข้าไปในเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนที่กำหนดบางส่วน ด้วยผนังรอบนอกอย่างน้อยหนึ่งด้านซึ่งไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลวนั้นจะเกิดเป็นไอสาร ii) ปล่อยก๊าซผสมที่เลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ฮีเลียมไนโตรเจน และของผสมของก๊าซทั้งสองเข้าไปยังเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน ด้วยปริมาณในช่วงตั้งแต่ 25 ถึงประมาณ 500 ลิตรมาตรฐานต่อนาที ที่ความดันตั้งแต่ประมาณ 2 ถึงประมาณ 15 ปอนด์ต่อตารางนิ้ว ดังนี้ แล้วจะทำให้ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลวกลายเป็นไอได้เร็วขึ้น iii) ให้ความร้อนแก่ไดเมทธิลไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลว ไอของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ และก๊าซผสมจนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิของขั้นตอน A แต่ต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 250 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 400 องศาฟาเรนไฮท์ iv) ผสมไดเมทธิลไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลว ไอของไดเมทธิลทินไดออลไรด์ และก๊าซผสม โดยที่รวมถึงการจ่ายไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลว ออกเป็นฟิล์มบางตามผนังของเครื่องระเหยดังกล่าว โดยวิธีนี้ไดเมทธิลไดคลอไรด์ที่เป็นของเหลวกลายเป็นไออย่างสมบูรณ์แล้วที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิการกลายเป็นไอมาตรฐานของสารนี้ เพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่เป็นไอ ซึ่งมีความเข้มข้นของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์สูงและสม่ำเสมอในก๊าซผสม C) ทำการส่งกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาออกจากเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนและให้สัมผัสกับวัสดุรองรับ 2 6. กระบวนการเคลือบสารเคลือบบนแก้ว ที่ประกอบด้วย A) ทำให้เกิดกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่ทำให้เป็นไอ รวมทั้งของผสมของไอของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ และก๊าซผสม ที่เตรียมได้ตามข้อถือสิทธิ 25 และ B) ทำให้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าว สัมผัสกับวัสดุรองรับที่เป็นแถบแก้วลอย ซึ่งรักษาระดับอุณหภูมิไว้ที่ 750 องศาฟาเรนไฮท์ เป็นอย่างน้อย 2 7. กระบวนการเคลือบสารเคลือบบนแก้ว ตามข้อถือสิทธิ 26 โดยที่การสัมผัสดังกล่าวของกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าวกับแถบแก้ว เกิดขึ้นในสภาวะที่มีออกซิเจน และขณะที่แถบดังกล่าวถูกพยุงอยู่บนล่างของโลหะหลอมเหลว และมีอุณหภูมิในช่วงตั้งแต่ประมาณ 1,100 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 1,250 องศาฟาเรนไฮท์ 2 8. กระบวนการสำหรับเคลือบสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอประกอบด้วยขั้นตอน A) ให้ของผสมที่ประกอบด้วยไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ 95 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และเมทธิลทินไตรคลอไรด์ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก ที่อุณหภูมิในช่วงตั้งแต่ประมาณ 225 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 375 องศาฟาเรนไฮท์ โดยวิธีนี้จะทำให้ของผสมอยู่ในรูปของเหลว B) ดำเนินขั้นตอนต่อไปนี้พร้อมกัน และอย่างต่อเนื่อง i) ทำการฉีดไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลไตรคลอไรด์ที่เป็นของเหลวเข้าไปในช่องระเหยสารให้เป็นไอ ด้วยอัตราประมาณ 1 ถึงประมาณ 75 ปอนด์ ต่อชั่วโมง เข้าไปในเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนที่กำหนดส่วน ด้วยผนังรอบนอกอย่างน้อยหนึ่งด้าน โดยที่ของผสมที่เป็นของเหลวนั้นจะเกิดเป็นไอสาร ii) ปล่อยก๊าซผสมที่เลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ฮีเลียม ไนโตรเจน และของผสมของก๊าซทั้งสองเข้าไปยังเครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอน ด้วยปริมาณในช่วงตั้งแต่ 25 ถึงประมาณ 500 ลิตรมาตรฐานต่อนาที ที่ความดันตั้งแต่ประมาณ 2 ถึงประมาณ 15 ปอนด์ต่อตารางนิ้ว ดังนี้แล้วจะทำให้ของผสมที่เป็นของเหลวกลายเป็นไอได้เร็วขึ้น iii) ให้ความร้อนแก่ของผสม ของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ ที่เป็นของเหลว ของผสมของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ ที่กลายเป็นไอ และก๊าซผสมจนถึงอุณหภูมิที่สูงกว่าอุณหภูมิของขั้นตอน A และอยู่ในช่วงตั้งแต่ประมาณ 250 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 400 องศาฟาเรนไฮท์ iv) ผสมของผสมของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ที่เป็นของเหลว ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ที่กลายเป็นไอแล้ว และก๊าซผสมโดยที่รวมถึงการจ่ายไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ที่เป็นของเหลว ออกเป็นฟิล์มบางตามผนังของเครื่องระเหยดังกล่าว โดยวิธีนี้ ของผสมของไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ที่เป็นของเหลวกลายเป็นไออย่างสมบูรณ์แล้ว เพื่อเตรียมกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่เป็นที่มีความเข้มข้นสูงและสม่ำเสมอ ซึ่งประกอบด้วย ไดเมทธิลทินไดคลอไรด์ 95 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และเมทธิลทินไตรคลอไรด์ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก C) ทำการส่งกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาออกจาก เครื่องระเหยแบบแผ่นบางในแนวนอนและให้สัมผัสกับวัสดุรองรับ 2 9. กระบวนการเคลือบสารเคลือบทินออกไซด์บนแก้ว ซึ่งประกอบด้วย A) การทำให้เกิดกระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอ รวมทั้งไดเมทธิลทินไดคลอไรด์-เมทธิลทินไตรคลอไรด์ และของผสมของก๊าซผสมที่เตรียมได้จากตามข้อถือสิทธิ 28 และ B) ทำให้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาดังกล่าว สัมผัสกับวัสดุรองรับแก้วลอย ในสภาวะที่มีออกซิเจน ขณะที่แถบดังกล่าวถูกพยุงไว้บนอ่างโลหะหลอมเหลว ที่อุณหภูมินช่วงตั้งแต่ประมาณ 1,100 องศาฟาเรนไฮท์ ถึงประมาณ 1,250 องศาฟาเรนไฮท์ 3 0. กระบวนการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอตามข้อถือสิทธิ 27 โดยที่มีการใช้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่เป็นไอ เพื่อก่อรูปเป็นสารเคลือบบนแก้ว ด้วยอัตราการเติบโต ถึงประมาณ 2,200 อังสตรอมต่อวินาที 31. The process for preparing a reaction in vapor form. The process of A) supplies the source of the coating at a temperature higher than the melting point of that substance, but significantly lower than the standard vaporization temperature of that substance. In this way, the source of the coating is liquided. B) The following steps are performed simultaneously and continuously: i) Injecting the liquid coating source into the evaporation chamber. A vapor defined in at least one outer wall portion of the liquid coating is vaporized ii) the release of sufficient amounts of mixed gas into the evaporation chamber to increase displacement. The mass of the primer of the coating, and as such, the liquid source of the coating is vaporized faster. Iii) Mixing of the liquid coating source vapor, the vapor of the source of the coating. Coatings and gases are mixed together, including a thin layer of liquid source delivery along the channel wall. Through these steps, the source substance of the liquid coating is completely vaporized at a temperature below the standard vaporization temperature of that substance, in order to prepare a gas stream of the resulting source substance. And C) the transport of the mixture between the source of the coating and the mixed gas away from the evaporation compartment. In vapor form in accordance with claim 1, where the primer of the coating is pre-heated Before injecting the substance into the cavity of the substance, but it is heated to a temperature lower than the standard vaporization temperature of the substance 3. The process for preparing the reagent in vapor form according to claim 1, where The cavity wall was heated to at least one side of the said vaporizer. 4. The process for preparing the reagent in vapor form according to claim 2, whereby the cavity wall was heated, the substance vaporized. The vapor becomes at least on one side to a temperature higher than the aforementioned preheating temperature. 5. The process for preparing the reagent in vapor form according to claim 1, whereby the pre-mixed gas is pre-heated to approx. Temperature of the cavity that vaporizes the substance. Before injecting the substance into the cavity 6. The process for preparing the reagent in the vapor form according to claim 1, where the vaporization chamber consists of a horizontal thin-plate evaporator 7. Process For the preparation of the reagent in vapor form according to claim 6, where the horizontal thin-plate evaporator is Including the upper inlet at one end of the horizontal thin-plate evaporator. And the lower inlet at the same end of the evaporator With the entrance at the top The liquid coating source is injected into the evaporator through the upper inlet. The mixed gas is released into the evaporator through the inlet below. 8. Process for preparing the reaction in vapor form. Consists of a step of A) procure the source of the coating. Selected from metal Or at a higher temperature than the melting point of that substance But exactly below the standard vaporization temperature of the substance, in this way the source of the coating is in liquid form. B) Perform the following steps simultaneously and continuously: i) Inject the source of the substance. The liquid coating enters the evaporation chamber. Where the source of the coating is vaporized; ii) the mixed gas is released into the vapor chamber. In sufficient quantities to increase the mass displacement of the source vapor of the coating. This is why the origin of the liquid coating accelerates the vaporization process. Iii) Heat the source of the liquid coating. The vapor of the source substance of the coating and the mixed gas. To a temperature higher than the temperature of step A but lower than the standard vaporization temperature of the source substance of this coating; and iv) mix the source substance of the coating, vapor and gas mixture, where the source of the coating The liquid is completely vaporized at a temperature lower than the standard vaporization temperature. To prepare the gas stream of the reactor in vapor form with a high and uniform concentration of the source of the coating in the mixed gas, C) transporting the gas stream of the reactor from the evaporation channel to vaporize and D) Causing the gas stream of the substance to enter the reaction Contact with the support material is a floating glass strip. Which maintains the temperature at 750 degrees Fahrenheit To be at least 9. The process for preparing the reactant in vapor form in accordance with claim 8, where such contact of the gas stream of the reactor with the substrate takes place in the presence of oxygen 1 0. process For the preparation of the reactant in vapor form in accordance with claim 8 whereby the exposure of the gas stream of the reactor is With such a support material occurs as the strips are supported on a basin of molten metal. And temperatures range from approximately 1,110 degrees Fahrenheit to about 1,250 degrees Fahrenheit 1 1. Process for the preparation of the reagent in the form of a vapor according to claim 8 where the origin of this coating Choose from a group that includes Dimethyl Tin Dichloride Tetraethyltoxy silane, diethyltin dichloride, dibutyl tin diacetate, tetramethyltin, methyltyl trichloride, triethyl Altyn chloride, trimethyl tin chloride, tetrabutyl titanate, titenium tetrachloride, titenium tetrisopoxide, triethylalu Minum, diethyl aluminum chloride, trimethyl aluminum, aluminum acetyl acetonate, aluminum ethyl Leth, diethyl dichlorosilane, methyl triethoxylane, zinc acetyl acetate, zinc acetate and a mixture of these substances 1 2. The process for the preparation of the vapor reactor in accordance with claim 11, whereby the origin of this coating Is dimethyl tin dichloride 1 3. The process for preparing the reagent in vapor form according to claim 11, whereby the origin of this coating It was 95% dimethyl tin dichloride by weight and 5% methyl trichloride by weight 1. 4. The process for preparing the reagent in vapor form according to claim 11, whereby this mixture gas was selected. They are derived from groups containing helium, nitrogen, hydrogens, argon, and mixtures of these gases. 1 5. Process for the preparation of the reagent in vapor form in accordance with claim 11, wherein the source of the coating is injected. That is a liquid into the evaporation channel. At temperatures ranging from approximately 70 ° F to approximately 530 ° F 1 6. The process for preparing the reagent in vapor form according to claim 11, whereby the source of the substance is heated. Coating The vapor of the source of the coating And mixed gas in the evaporation compartment Up to temperature from approximately 95 ° F to approximately 555 ° F 1 7. Process for the preparation of the reagent in vapor form according to claim 11 with the injecting of the origin of the substance. The liquid coating enters the evaporation chamber. The rate ranges from approximately 0.5 to approximately 120 pounds per hour. 1 8. The process for the vapor preparation of claim 11 where the mixed gas is released into the evaporation chamber. At pressures ranging from approximately 2 to approximately 15 psi 1 9. Process for vapor-forming reagent in accordance with claim 11 where mixed gases are released into the evaporation chamber. With rates ranging from approx. 100 to approx. 400 l standard per minute 2 0. The process for preparing the reagent in vapor form consists of step A) the origin was selected from a group containing dimethyl tin dichloride. Tetraethoxy Silane Diethylin dichloride Dibutyl Tin Diacate Tetra Methyltin Methyl tin trichloride Triethyl Tin Chloride Trimethyl tin chloride Tetrabutylatinetinium tetrachloride Titenium Tetrisopoxide Tetra ethyl aluminum Diethyl aluminum chloride trimethyl aluminum Aluminum acetylacetonate aluminum ethylate Diethyl dichlorosilane Methyl Triethoxy Silane Zinc Acetylacetonate Zinc Propionate And mixtures of these substances At temperatures above the melting point of the substance But below the standard vaporization temperature of a substance. And range from about 70 degrees Fahrenheit to about 530 degrees Fahrenheit In this way, the source of the coating is liquided. B) Perform the following steps simultaneously and continuously: i) Inject the liquid coating source. With rates ranging from about 0.5 to about 120 pounds an hour. Into the evaporation compartment designated by at least one outer wall. Where the source of this liquid coating forms a vapor; ii) emits a mixture of gas selected from the group. Containing Helium, nitrogen, hydrogen, argon, and their mixtures. Enter the evaporation chamber in volumes in the range from approximately 25 to approximately 500 liters per minute. At pressures ranging from approximately 2 to approximately 15 psi iii) heat the source of the liquid coating. The vapor of the source substance of the coating and the mixed gas. To a temperature higher than the temperature of step A, but lower than the standard vaporization temperature of the origin And in the range from about 95 degrees F to about 555 degrees Fahrenheit iv) the source substance of the liquid coating. The vapors of the primer of the coating and the mixed gases, as well as the thin film of the liquid origin are dosed along the walls of the channels. Where the source of this liquid coating completely vaporized. At a temperature below the standard vaporization temperature of that substance To prepare a gas stream of the reactive substance that is vaporized Which has the concentration of the original substance The origin of the coating is high and uniform, and C) conducts a gas stream of the reactive substance from the evaporation compartment, D) makes the gas stream of the substance from there. In contact with a float glass substrate The temperature is maintained at 750 degrees Fahrenheit at least. 2 1. The process for preparing the reagent in the vapor form consists of steps A) the source of the metal coating. Which is chosen from a group that includes Dimethyl Tin Dichloride Tetraethoxy Silane Diethyl dichloride Dibutyl Diacetate Tetramethyl Tin Methyl Tin Trichloride Triethyl Tin Chloride Trimethyl tin chloride Tetra butyl titanate Titenium tetrachloride Titenium Tetrisopoxide Tetra ethyl aluminum Diethylaluminum Chloride Trimethyl aluminum Aluminum Acitil Acetonate Aluminum ethylate Diethyl dichlorosilane Methyl Triethoxy Silane Zinc acetyl acedonate Zinc propionates and their mixtures At temperatures above the melting point of a substance, but certainly below the standard vaporization temperature of a substance. And range from about 70 degrees Fahrenheit to about 530 degrees Fahrenheit In this way, the source of the coating is in a liquid form. B) Perform the following steps simultaneously and continuously: i) The liquid metal-based coatings source is injected. With rates ranging from about 0.5 to about 120 pounds an hour. Into the evaporation channel to vaporize Which is defined with at least one outer wall Where the source of this liquid coating forms a vapor; ii) emits the gas mixture selected from the group containing Helium, nitrogen, hydrogen, argon, and their mixtures. Into the evaporation channel In volumes that range from approximately 25 to 500 standard liters per minute At pressures ranging from approximately 2 to approximately 15 psi iii) Heat the source of the liquid metallic coatings, the vapors of the metal coatings origin and the mixed gas to temperatures above the Step A, but below the standard vaporization temperature of the source substance. And ranged from approximately 95 ° F to approximately 555 ° F iv) the source of liquid coatings, vapor of the origin of metal coatings and mixed gas. The liquid source substance was also dispensed into a thin film along the wall of the channel. Where the origin of this liquid metallic coating completely vaporized. At a temperature below the standard vaporization temperature of that substance to prepare a gas stream of the reacting substance as vapor Which has a high and uniform concentration of the source substance of the coating, and C) conducts the gas stream of the reactive substance from the evaporation chamber; D) causes the gas stream of the reacting substance. Contact with the support material is a floating glass strip. The temperature is maintained at at least 750 degrees Fahrenheit. 2. 2. Process for the preparation of the reaction in the vapor form according to claim 21, where the evaporation chamber consists of a thin-plate evaporator in Horizontal 2 3. Process for vapor preparation according to claim 22 where the horizontal thin-plate evaporator is There are components that include Upper inlet at one end of the horizontal thin-plate evaporator. And the lower inlet at the same end of the evaporator When compared with the entrance to the top Where the source of the liquid coating is injected into the evaporator. The gas mixture is also released into the evaporator through the lower inlet. 2 4. Process for vapor preparation according to claim 23, where the mixed gas is selected from Group containing helium nitrogen and gas mixtures. 2. 5. The process for preparing the reagent in vapor form consists of step A) to give dimethyl tin dichloride. At temperatures ranging from about 225 degrees F to about 375 degrees F By this way, dimethyl tin dichloride is in liquid form. B) Perform the following steps simultaneously and continuously: i) administer dimethyl tin dichloride injection. That is a liquid into the evaporation channel. With rates of about £ 1 to about £ 75 an hour Into the thin-sheet evaporator in a partially designated horizontal With at least one outer wall in which the liquid dimethyl tin dichloride forms a vapor; ii) emits a selected mixture of gases from the group containing Helium nitrogen And mixtures of both gases into the horizontal thin plate evaporator With volumes in the range from 25 to approximately 500 standard liters per minute. At pressures ranging from approximately 2 to approximately 15 psi, this will vaporize liquid dimethylin dichloride faster iii) heat dimethyl dichloride at Liquid The vapor of dimethyl tin dichloride And mixed gas to a temperature higher than the temperature of process A, but lower than the standard vaporization temperature of dimethyl tin dichloride. And range from about 250 ° F to about 400 ° F iv) mixed with liquid dimethyl dichloride. Vapor of dimethyl tin diolride and mixed gases, including dosing of liquid dimethyl tin dichloride. Into a thin film along the walls of the evaporator. In this way, the liquid dimethyl dichloride is completely vaporized at a temperature lower than the standard vaporization temperature of this substance. To prepare a gas stream of a vapor reactive substance Which has a high and uniform concentration of dimethyl tin dichloride in the mixed gases (C), horizontally discharges the reactive gas stream from the thin-plate evaporator and makes contact with the supporting material 2 6. Coating process on glass Containing A) causes a gas stream of a substance entering a vaporization reaction. Including the vapor mixtures of dimethyl tin dichloride and gas mixtures prepared in accordance with claim 25 and B), the gas stream of the reactive substance is Contact with the support material is a floating glass strip. Which maintains the temperature at 750 degrees Fahrenheit At least 2. 7. Coating process on glass. According to claim 26, whereby the aforementioned contact of the gas stream of the substance reacts with the glass strip Occurs in the presence of oxygen And while the bar was supported on the bottom of the molten metal And temperatures range from approximately 1,100 degrees Fahrenheit to about 1,250 degrees Fahrenheit 2 8. Process for coating the reaction in the form of a vapor consisting of step A) the mixture containing dimethyl. Tin dichloride 95% by weight And methyl tin trichloride 5 percent by weight At temperatures ranging from about 225 degrees F to about 375 degrees F By this way, the mixture is liquid form. B) Perform the following steps at the same time. I) The liquid dimethyl tin dichloride-methyl trichloride was injected into the evaporation compartment. At a rate of approximately 1 to approximately 75 pounds per hour into the designated horizontal thin-plate evaporator. With at least one outer wall Where the liquid mixture forms vapors; ii) releases the selected mixture of gases from the helium nitrogen and mixtures of the two gases into the horizontal thin-plate evaporator. With volumes in the range from 25 to approximately 500 standard liters per minute. At pressures ranging from about 2 to about 15 psi This will cause the liquid mixture to vaporize more quickly. Iii) Heat the mixture. Of dimethyl tin dichloride-methyl tin trichloride Liquid Mixture of dimethyl tin dichloride-methyl tin trichloride Vaporized And mixed gas to a temperature higher than the temperature of step A and range from about 250 ° F to about 400 ° F iv) mixed with dimethyl tin dichloride. - Liquid methyl tin trichloride Dimethyl Tin Dichloride - Vaporized Dimethyl Tin Trichloride And mixed gases including dosing of liquid dimethyl tin dichloride-methyltin trichloride By this method, the liquid dimethylin dichloride-methyltin trichloride mixture was completely vaporized. To prepare the gas stream of the reactor with a high and uniform concentration. Which consists of Dimethyl Tin Dichloride 95% by weight And methyl tin trichloride 5% by weight C) to send a gas stream of the reaction substance out of The evaporator is horizontally thin and in contact with the substrate. 9. Process tin-oxide coating on glass. Which consists of A) causing a gas stream of a reactive substance in vapor form Including dimethyl tin dichloride - methyl tin trichloride And the mixture of gas mixture prepared from claim 28 and B) causes the gas stream of the reacting substance to Contact with floating glass support material. In the presence of oxygen While the bar was supported on the molten metal bath. At temperatures ranging from approximately 1,100 ° F to approximately 1,250 ° F, 3 0. The process of preparing the reagent in vapor form according to claim 27, whereby the gas stream of the substance is used. Reacts coughing To form a coating on the glass With a growth rate of approximately 2,200 angstroms per second 3 1. กระบวนการเคลือบสารเคลือบทินออกไซด์บนแก้ว ตามข้อถือสิทธิ 29 โดยที่มีการใช้กระแสก๊าซของสารเข้าทำปฏิกิริยาที่กลายเป็นไอ เพื่อก่อรูปสารเคลือบทินออกไซด์เคลือบลงบนแถบแก้ว ด้วยอัตราการเติบโตถึงประมาณ 2,200 อังสตรอมต่อวินาที1.Processing of tin oxide coating on glass According to claim 29, where the gas stream of the vaporized reaction agent is used. To form a tin oxide coating on the glass strip With a growth rate of approximately 2,200 angstroms per second
TH9001001521A 1990-10-16 A method for preparing a vapor reactor used in chemical vapor coatings. TH8527B (en)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH9846EX TH9846EX (en) 1991-11-01
TH9846A true TH9846A (en) 1991-11-01
TH8527B TH8527B (en) 1998-10-30

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0147042B1 (en) Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition
KR100577945B1 (en) Method for Forming Tin Oxide Coating on Glass
US6521295B1 (en) Chemical vapor deposition of antimony-doped metal oxide and the coated article made thereby
KR950000690B1 (en) Method and apparatus for deposition metal oxide coating on float glass
EP1034146B1 (en) Improvements in coating glass
US5487784A (en) Formation of tin oxide films on glass substrates
KR20000029951A (en) Method for depositing tin oxide and titanium oxide coatings on flat glass and the resulting coated glass
JP2001502381A (en) Chemical vapor deposition of aluminum oxide
WO2005092809A1 (en) Method for depositing gallium oxide coatings on flat glass
US4600654A (en) Method of producing transparent, haze-free tin oxide coatings
TH9846A (en) A method for preparing a vapor reactor used in chemical vapor coatings.
TH8527B (en) A method for preparing a vapor reactor used in chemical vapor coatings.
US5906861A (en) Apparatus and method for depositing borophosphosilicate glass on a substrate
Gordon et al. Chemical vapor deposition and properties of amorphous aluminum oxide films
JPH01123074A (en) Method for supplying raw material for gaseous phase chemical reaction
KR20010066533A (en) Vaporization method and equipment for preparation of stable vapor mixture for coating
MXPA98000254A (en) Method for forming a tin oxide coating on vid
MXPA98002841A (en) Coating of glass
MXPA99001459A (en) Method of depositing tin oxide and titanium oxide coatings on flat glass and the resulting coated glass