TH98303A - อุปกรณ์แรงดันพลังแสงซึ่งมีชั้นสำหรับปกป้องทินออกไซด์ - Google Patents
อุปกรณ์แรงดันพลังแสงซึ่งมีชั้นสำหรับปกป้องทินออกไซด์Info
- Publication number
- TH98303A TH98303A TH701005790A TH0701005790A TH98303A TH 98303 A TH98303 A TH 98303A TH 701005790 A TH701005790 A TH 701005790A TH 0701005790 A TH0701005790 A TH 0701005790A TH 98303 A TH98303 A TH 98303A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- transparent conductive
- layer
- photovoltaic device
- protective layer
- semiconductor layer
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (11/02/57) อุปกรณ์แรงดันพลังแสงอาจประกอบด้วยชั้นสำหรับปกป้องซึ่งมีทินออกไซด์อยู่เหนือชั้นที่ เป็นตัวนำโปร่งใสเพื่อสร้างความเสถียรให้กับชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าว อุปกรณ์แรงดันพลังแสงอาจประกอบด้วยชั้นสำหรับปกป้องซึ่งมีทินออกไซด์อยู่เหนือชั้นที่ เป็นตัวนำโปร่งใส่เพื่อสร้างความเสถียรให้กับชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าว
Claims (48)
1. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงซึ่งประกอบด้วย - ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสบนพื้นผิวของฐานรอง - ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งและ - ชั้นสำหรับปกป้องซึ่งอยู่ระหว่างชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใส่และชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่ง ดังกล่าวโดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวจะแยกชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสออกไปโดยที่ชั้นสำหรับ ปกป้องดังกล่าวจะมีทินออกไซด์
2. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าว ประกอบด้วยออกไซด์ที่เป็นตัวนำโปร่งใส
3. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 2 โดยที่ออกไซด์ที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าวมี ลักษณะโดยสำคัญที่ปลอดดีบุก
4. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าว ประกอบด้วยซิงค์ออกไซด์เจืออลูมิเนียม
5. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมี ส่วนประกอบเพิ่มเติมคือสังกะสี
6. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมี ส่วนประกอบเพิ่มเติมคือสังกะสีในปริมาณ 1%
7. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีความหนา น้อยกว่า 1,200 แองสตรอม
8. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีความหนา น้อยกว่า 600 แองสตรอม
9. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ฐานรองดังกล่าวมีความเสถียรทางเคมี ที่อุณหภูมิมากกว่า 500 ํC
10. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ฐานรองดังกล่าวมีความเสถียรทาง ความร้อนที่อุณหภูมิมากกว่า 500 ํC
11. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวจะแยกชั้นที่ เป็นตัวนำโปร่งใสออกจากชั้นของสารกึ่งตัวนำด้วยกระบวนการทางเคมี
12. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าว ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำแบบไบนารี
13. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าว ประกอบด้วย CdS
14. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าว ประกอบด้วย CdTe
15. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งจากที่กล่าวไปแล้วยังประกอบด้วยชั้นของ สารกึ่งตัวนำที่สองซึ่งอยู่เหนือชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าว
16. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 15 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าว ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำแบบไบนารี
17. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 15 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าว ประกอบด้วย CdTe
18. ระบบสำหรับสร้างพลังงานไฟฟ้าซึ่งประกอบด้วย - อุปกรณ์แรงดันพลังแสงแบบหลายชั้นโดยที่อุปกรณ์แรงดันพลังแสงดังกล่าว ประกอบด้วย ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสบนพื้นผิวของฐานรอง ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งและ ชั้นสำหรับปกป้องระหว่างชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสและชั้นของสารกึ่งตัวนำที่ หนึ่งโดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวจะแยกชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสออกไป โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีทินออกไซด์และ - ส่วนเชื่อมต่อทางไฟฟ้าที่เชื่อมต่อเข้ากับอุปกรณ์แรงดันพลังแสงเพื่อเก็บรวบรวม พลังงานไฟฟ้าที่ผลิตขึ้นโดยอุปกรณ์แรงดันพลังแสง
19. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าวประกอบด้วยออกไซด์ที่ เป็นตัวนำโปร่งใส
20. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ออกไซด์ที่เป็นตัวนำโปร่งใสมีลักษณะโดยสำคัญที่ ปลอดดีบุก
21. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าวประกอบด้วยซิงค์ออกไซด์ เจืออลูมิเนียม
22. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีส่วนประกอบเพิ่มเติมคือ สังกะสี
23. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีส่วนประกอบเพิ่มเติมคือ สังกะสี 1%
24. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีความหนาน้อยกว่า 1,200 แองสตรอม
25. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีความหนาน้อยกว่า 600 แองสตรอม
26. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ฐานรองดังกล่าวมีความเสถียรทางเคมีที่อุณหภูมิสูงกว่า 500 ํC
27. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ฐานรองดังกล่าวมีความเสถียรเชิงความร้อนที่อุณหภูมิ สูงกว่า 500 ํC
28. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวประกอบด้วยสารกึ่ง ตัวนำแบบไบนารี
29. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่สารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวประกอบด้วย CdS
30. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่สารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวประกอบด้วย CdTe
31. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่อุปกรณ์แรงดันพลังแสงดังกล่าวมีส่วนประกอบเพิ่มเติม คือชั้นของสารกึ่งตัวนำที่สองบนส่วนบนสุดของชั้นสารกึ่งตัวนำที่หนึ่ง
32. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 31 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าวประกอบด้วยสารกึ่ง ตัวนำแบบไบนารี
33. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 31 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าวประกอบด้วย CdTe
34. วิธีการทำฐานรองของอุปกรณ์แรงดันพลังแสงซึ่งประกอบด้วย - การใส่ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสลงบนพื้นผิวของฐานรอง - การใส่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งลงบนฐานรอง - การใส่ชั้นสำหรับปกป้องที่มีทินออกไซด์ลงไประหว่างชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใส่และชั้น ของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งโดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวจะแยกชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าวออกไป
35. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่การใส่ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสจะรวมถึงการเคลือบชั้นที่ สม่ำเสมอของออกไซด์ที่เป็นตัวนำโปร่งใสทับลงบนฐานรองโดยการสปัตเตอร์
36. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่ออกไซด์ที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าวมีลักษณะโดย สำคัญที่ปลอดดีบุก
37. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่ออกไซด์ที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าวประกอบด้วยซิงค์ออกไซด์ เจืออลูมิเนียม
38. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีส่วนประกอบเพิ่มเติมคือ สังกะสี
39. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีส่วนประกอบเพิ่มเติมคือ สังกะสี 1%
40. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่สำหรับปกป้องดังกล่าวมีความหนาน้อยกว่า 1,200 แองสตรอม
41. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีความหนาน้อยกว่า 600 แองสตรอม
42. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่ฐานรองดังกล่าวมีความเสถียรทางเคมีที่อุณหภูมิสูงกว่า 500 ํC
43. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่ฐานรองดังกล่าวมีความเสถียรเชิงความร้อนที่อุณหภูมิ สูงกว่า 500 ํC
44. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวประกอบด้วย CdS
45. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่สารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวประกอบด้วย CdTe
46. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 ซึ่งจากที่กล่าวไปแล้วยังประกอบด้วยชั้นของสารกึ่งตัวนำที่ สองซึ่งอยู่เหนือของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าว
47. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 46 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าวประกอบด้วย CdTe
48. พื้นผิวที่เป็นตัวนำซึ่งประกอบด้วย - ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสบนพื้นผิวของฐานรองและ - ชั้นสำหรับปกป้องที่อยู่เหนือชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าวโดยที่ชั้นสำหรับปกป้อง ดังกล่าวจะแยกชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสโดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีทินออกไซด์เป็น ส่วนประกอบ
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH98303A true TH98303A (th) | 2009-09-17 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11183611B2 (en) | Substrate-free thin-film flexible photovoltaic device and fabrication method | |
| Romeo et al. | High-efficiency flexible CdTe solar cells on polymer substrates | |
| CN105742394B (zh) | 一种基于黑磷/石墨烯异质结构的紫外探测器及其制备方法 | |
| WO2008039757A3 (en) | Semiconductor devices and methods from group iv nanoparticle materials | |
| RU2019125714A (ru) | Способ изготовения электронного силового модуля посредством аддитивной технологии, и соответственные подложка и модуль | |
| WO2008093834A1 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| Ahmad et al. | Encapsulation protocol for flexible perovskite solar cells enabling stability in accelerated aging tests | |
| US9337436B2 (en) | Transferable transparent conductive oxide | |
| Baliozian et al. | Bifacial p‐Type Silicon Shingle Solar Cells− the “pSPEER” Concept | |
| US20180151766A1 (en) | Anti-corrosion protection in photovoltaic structures | |
| Xuan et al. | Flexible encapsulation and module of thin‐film GaInP/GaAs/InGaAs solar cells | |
| US20120118356A1 (en) | Multi-layer solar module backsheet | |
| US20090025785A1 (en) | Solar cell with flexible substrate | |
| TWI435463B (zh) | 形成光電轉換層之方法 | |
| US20140182650A1 (en) | Module integrated circuit | |
| WO2014050193A1 (ja) | 光電変換モジュール | |
| Kang et al. | Fully vacuum‐free semitransparent polymer solar cells for power‐generating window with pure achromatic appealing | |
| Luo et al. | Characterization of Cu1. 4Te thin films for CdTe solar cells | |
| Lamb et al. | Lightweight and low‐cost thin film photovoltaics for large area extra‐terrestrial applications | |
| Raza et al. | Suppressing Potential‐Induced Degradation in Perovskite Solar Cells Through Sodium‐Free Substrate | |
| US20140273305A1 (en) | Method of curing solar cells to reduce lamination induced efficiency loss | |
| Cohen et al. | Conductive poly (3, 4‐ethylenedioxythiophene): poly (styrene sulfonate) polymer glue as an ohmic and rectifying electrical contact for H‐terminated n‐Si and p‐Si wafers | |
| CN102593230B (zh) | 太阳能电池 | |
| US20090032099A1 (en) | Solar cell with flexible substrate | |
| Suen et al. | Multilayer thin film barrier for protection of flex-electronics. |