Claims (48)
1. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงซึ่งประกอบด้วย - ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสบนพื้นผิวของฐานรอง - ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งและ - ชั้นสำหรับปกป้องซึ่งอยู่ระหว่างชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใส่และชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่ง ดังกล่าวโดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวจะแยกชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสออกไปโดยที่ชั้นสำหรับ ปกป้องดังกล่าวจะมีทินออกไซด์1. A photovoltaic device consisting of: - a transparent conductive layer on the surface of a substrate; - a layer of primary semiconductor; and - a protective layer sandwiched between the transparent conductive layer and the primary semiconductor layer, with the protective layer being made of tin oxide.
2. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าว ประกอบด้วยออกไซด์ที่เป็นตัวนำโปร่งใส2. A photovoltaic device pursuant to claim 1, where the transparent conductive layer consists of a transparent conductive oxide.
3. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 2 โดยที่ออกไซด์ที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าวมี ลักษณะโดยสำคัญที่ปลอดดีบุก3. A photovoltaic device pursuant to claim 2, whereby the transparent conductive oxide is, of essential nature, tin-free.
4. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าว ประกอบด้วยซิงค์ออกไซด์เจืออลูมิเนียม4. A photovoltaic device pursuant to claim 1, whereby the transparent conductive layer consists of aluminum-doped zinc oxide.
5. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมี ส่วนประกอบเพิ่มเติมคือสังกะสี5. A photovoltaic device as per claim 1, whereby the protective layer includes an additional zinc component.
6. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมี ส่วนประกอบเพิ่มเติมคือสังกะสีในปริมาณ 1%6. A photovoltaic device pursuant to claim 1, whereby the protective layer contains an additional 1% zinc.
7. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีความหนา น้อยกว่า 1,200 แองสตรอม7. A photovoltaic device as per claim 1, where the protective layer is less than 1,200 angstroms thick.
8. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีความหนา น้อยกว่า 600 แองสตรอม8. A photovoltaic device as per claim 1, where the protective layer is less than 600 angstroms thick.
9. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ฐานรองดังกล่าวมีความเสถียรทางเคมี ที่อุณหภูมิมากกว่า 500 ํC9. A photovoltaic device as per claim 1, whereby the base is chemically stable at temperatures above 500°C.
10. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ฐานรองดังกล่าวมีความเสถียรทาง ความร้อนที่อุณหภูมิมากกว่า 500 ํC10. A photovoltaic device as per claim 1, whereby the base is thermally stable at temperatures exceeding 500°C.
11. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวจะแยกชั้นที่ เป็นตัวนำโปร่งใสออกจากชั้นของสารกึ่งตัวนำด้วยกระบวนการทางเคมี11. A photovoltaic device under claim 1, whereby the protective layer separates the transparent conductive layer from the semiconductor layer by a chemical process.
12. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าว ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำแบบไบนารี12. A photovoltaic device pursuant to claim 1, whereby the first semiconductor layer consists of binary semiconductors.
13. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าว ประกอบด้วย CdS13. A photovoltaic device according to claim 1, where the first semiconductor layer consists of CdS.
14. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าว ประกอบด้วย CdTe14. A photovoltaic device pursuant to claim 1, where the first semiconductor layer consists of CdTe.
15. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งจากที่กล่าวไปแล้วยังประกอบด้วยชั้นของ สารกึ่งตัวนำที่สองซึ่งอยู่เหนือชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าว15. The photovoltaic device under claim 1, as previously stated, also consists of a second semiconductor layer placed above the first semiconductor layer.
16. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 15 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าว ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำแบบไบนารี16. A photovoltaic device pursuant to claim 15, whereby the second semiconductor layer consists of binary semiconductors.
17. อุปกรณ์แรงดันพลังแสงตามข้อถือสิทธิที่ 15 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าว ประกอบด้วย CdTe17. A photovoltaic device pursuant to claim 15, whereby the second semiconductor layer consists of CdTe.
18. ระบบสำหรับสร้างพลังงานไฟฟ้าซึ่งประกอบด้วย - อุปกรณ์แรงดันพลังแสงแบบหลายชั้นโดยที่อุปกรณ์แรงดันพลังแสงดังกล่าว ประกอบด้วย ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสบนพื้นผิวของฐานรอง ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งและ ชั้นสำหรับปกป้องระหว่างชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสและชั้นของสารกึ่งตัวนำที่ หนึ่งโดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวจะแยกชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสออกไป โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีทินออกไซด์และ - ส่วนเชื่อมต่อทางไฟฟ้าที่เชื่อมต่อเข้ากับอุปกรณ์แรงดันพลังแสงเพื่อเก็บรวบรวม พลังงานไฟฟ้าที่ผลิตขึ้นโดยอุปกรณ์แรงดันพลังแสง18. A system for generating electrical energy consisting of: - A multilayer photovoltaic device, where the photovoltaic device comprises a transparent conductive layer on the surface of a substrate, a primary semiconductor layer, and a protective layer between the transparent conductive layer and the primary semiconductor layer. This protective layer is made of tin oxide and separates the transparent conductive layer. - Electrical junctions connected to the photovoltaic device to collect the electrical energy generated by the photovoltaic device.
19. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าวประกอบด้วยออกไซด์ที่ เป็นตัวนำโปร่งใส19. The system under claim 18, whereby the transparent conductive layer consists of a transparent conductive oxide.
20. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ออกไซด์ที่เป็นตัวนำโปร่งใสมีลักษณะโดยสำคัญที่ ปลอดดีบุก20. A system pursuant to claim 18 where the transparent conductive oxide is characterized by the essential characteristic of being tin-free.
21. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าวประกอบด้วยซิงค์ออกไซด์ เจืออลูมิเนียม21. The system under claim 18, whereby the transparent conductive layer consists of aluminum-doped zinc oxide.
22. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีส่วนประกอบเพิ่มเติมคือ สังกะสี22. The system under claim 18, whereby the protective layer includes the additional component zinc.
23. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีส่วนประกอบเพิ่มเติมคือ สังกะสี 1%23. The system under claim 18, whereby the protective layer contains an additional component of 1% zinc.
24. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีความหนาน้อยกว่า 1,200 แองสตรอม24. The system under claim 18 where the protective layer is less than 1,200 angstroms thick.
25. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีความหนาน้อยกว่า 600 แองสตรอม25. The system under claim 18 where the protective layer is less than 600 angstroms thick.
26. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ฐานรองดังกล่าวมีความเสถียรทางเคมีที่อุณหภูมิสูงกว่า 500 ํC26. The system under claim 18, whereby the said substrate is chemically stable at temperatures above 500 °C.
27. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ฐานรองดังกล่าวมีความเสถียรเชิงความร้อนที่อุณหภูมิ สูงกว่า 500 ํC27. The system under claim 18, whereby the said base is thermally stable at temperatures above 500 °C.
28. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวประกอบด้วยสารกึ่ง ตัวนำแบบไบนารี28. A system pursuant to claim 18 where the first semiconductor layer consists of binary semiconductors.
29. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่สารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวประกอบด้วย CdS29. A system under claim 18 where the first semiconductor consists of CdS.
30. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่สารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวประกอบด้วย CdTe30. A system under claim 18 where the first semiconductor consists of CdTe.
31. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่อุปกรณ์แรงดันพลังแสงดังกล่าวมีส่วนประกอบเพิ่มเติม คือชั้นของสารกึ่งตัวนำที่สองบนส่วนบนสุดของชั้นสารกึ่งตัวนำที่หนึ่ง31. The system under claim 18, whereby the said optical voltage device has an additional component: a second semiconductor layer on top of the first semiconductor layer.
32. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 31 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าวประกอบด้วยสารกึ่ง ตัวนำแบบไบนารี32. A system pursuant to claim 31 where the second semiconductor layer consists of binary semiconductors.
33. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 31 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าวประกอบด้วย CdTe33. A system under claim 31 where the second semiconductor layer consists of CdTe.
34. วิธีการทำฐานรองของอุปกรณ์แรงดันพลังแสงซึ่งประกอบด้วย - การใส่ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสลงบนพื้นผิวของฐานรอง - การใส่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งลงบนฐานรอง - การใส่ชั้นสำหรับปกป้องที่มีทินออกไซด์ลงไประหว่างชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใส่และชั้น ของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งโดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวจะแยกชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าวออกไป34. The method for constructing the base of a photovoltaic device consists of: - Placing a transparent conductive layer on the surface of the base; - Placing a layer of primary semiconductor on the base; - Placing a protective tin oxide layer between the transparent conductive layer and the primary semiconductor layer, with the protective layer separating the transparent conductive layer.
35. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่การใส่ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสจะรวมถึงการเคลือบชั้นที่ สม่ำเสมอของออกไซด์ที่เป็นตัวนำโปร่งใสทับลงบนฐานรองโดยการสปัตเตอร์35. The method under claim 34, whereby the insertion of a transparent conductive layer, involves the sputtering of a uniform layer of transparent conductive oxide onto the substrate.
36. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่ออกไซด์ที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าวมีลักษณะโดย สำคัญที่ปลอดดีบุก36. The method under claim 34, whereby the transparent conductive oxide is characterized by its tin-free nature.
37. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่ออกไซด์ที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าวประกอบด้วยซิงค์ออกไซด์ เจืออลูมิเนียม37. The method under claim 34, where the transparent conductive oxide consists of zinc oxide doped with aluminum.
38. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีส่วนประกอบเพิ่มเติมคือ สังกะสี38. The method under claim 34, whereby the protective layer contains an additional component: zinc.
39. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีส่วนประกอบเพิ่มเติมคือ สังกะสี 1%39. The method under claim 34, whereby the protective layer contains an additional component of 1% zinc.
40. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่สำหรับปกป้องดังกล่าวมีความหนาน้อยกว่า 1,200 แองสตรอม40. The method under claim 34 where the protective layer is less than 1,200 angstroms thick.
41. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีความหนาน้อยกว่า 600 แองสตรอม41. The method under claim 34 where the protective layer is less than 600 angstroms thick.
42. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่ฐานรองดังกล่าวมีความเสถียรทางเคมีที่อุณหภูมิสูงกว่า 500 ํC42. The method under claim 34, whereby the said substrate is chemically stable at temperatures above 500 °C.
43. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่ฐานรองดังกล่าวมีความเสถียรเชิงความร้อนที่อุณหภูมิ สูงกว่า 500 ํC43. The method under claim 34, whereby the said base is thermally stable at temperatures above 500 °C.
44. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวประกอบด้วย CdS44. The method under claim 34, where the first semiconductor layer consists of CdS.
45. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 โดยที่สารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวประกอบด้วย CdTe45. The method under claim 34, where the first semiconductor consists of CdTe.
46. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 34 ซึ่งจากที่กล่าวไปแล้วยังประกอบด้วยชั้นของสารกึ่งตัวนำที่ สองซึ่งอยู่เหนือของสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าว46. The method under claim 34, as previously stated, also involves a second semiconductor layer placed above the first semiconductor.
47. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 46 โดยที่ชั้นของสารกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าวประกอบด้วย CdTe47. The method under claim 46, where the second semiconductor layer consists of CdTe.
48. พื้นผิวที่เป็นตัวนำซึ่งประกอบด้วย - ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสบนพื้นผิวของฐานรองและ - ชั้นสำหรับปกป้องที่อยู่เหนือชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสดังกล่าวโดยที่ชั้นสำหรับปกป้อง ดังกล่าวจะแยกชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสโดยที่ชั้นสำหรับปกป้องดังกล่าวมีทินออกไซด์เป็น ส่วนประกอบ48. A conductive surface consisting of - a transparent conductive layer on the surface of the substrate and - a protective layer above the transparent conductive layer, where the protective layer separates the transparent conductive layer, and the protective layer contains tin oxide.