TH8440B - ระบบรักษาหน่วยความจำสำหรับอุปกรณ์ที่หน่วยความจำ?ลบเลือนได้ - Google Patents

ระบบรักษาหน่วยความจำสำหรับอุปกรณ์ที่หน่วยความจำ?ลบเลือนได้

Info

Publication number
TH8440B
TH8440B TH8901000289A TH8901000289A TH8440B TH 8440 B TH8440 B TH 8440B TH 8901000289 A TH8901000289 A TH 8901000289A TH 8901000289 A TH8901000289 A TH 8901000289A TH 8440 B TH8440 B TH 8440B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
aforementioned
bias voltage
energy loss
loss
memory
Prior art date
Application number
TH8901000289A
Other languages
English (en)
Other versions
TH9698A (th
Inventor
อลัน สปาร์คส นายบรัดเลย์
Original Assignee
ทอมสัน คอนซูเมอร์ อีเล็คโทรนิคส์
นายธเนศ เปเรร่า
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า นายธเนศ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by ทอมสัน คอนซูเมอร์ อีเล็คโทรนิคส์, นายธเนศ เปเรร่า, นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า นายธเนศ เปเรร่า filed Critical ทอมสัน คอนซูเมอร์ อีเล็คโทรนิคส์
Publication of TH9698A publication Critical patent/TH9698A/th
Publication of TH8440B publication Critical patent/TH8440B/th

Links

Abstract

ระบบรักษาหน่วยความจำสำหรับเครื่องอิเล็กทรอนิกส์ที่มีอุปกรณ์เชิงตรรกหลาย ๆ ชิ้นที่ถูกขับโดยออสซิลเลเตอร์ที่รวมถึงอุปกรณ์สำหรับรักษาแรงเคลื่อนที่อุปกรณ์เชิงตรรกอย่างน้อยชิ้นหนึ่งและอุปกรณ์สำหรับทำให้ออสซิลเลเตอร์หยุดทำงานขณะที่กำลังไฟฟ้าตก

Claims (2)

1. ระบบรักษาหน่วยความจำ ประกอบด้วยแหล่งของแรงดันไบแอสที่หนึ่งและสอง ซึ่งจะแสดงค่าการลดลงของแรงดันและค่าในระหว่างการสูญเสียพลังงาน วงจรร่วมที่หนี่งและที่สอง ที่มีขั้นอินพุทแรงดันไบแอสแต่ละค่าที่ถูกต่อเข้าเพื่อรับแรงดันไบแอสที่หนึ่งแลสองดังกล่าวตามลำดับ และมีขั้วอินพุทออสซิลเลเตอร์แต่ละอันซึ่งถูกต่อเข้าด้วยกันเพื่อรับสัญญาณนาฬิกาธรรมดา ออสซิลเลเตอร์สำหรับให้กำเนิดสัญญาณนาฬิกาธรรมดาดังกล่าวจะประกอบด้วยชิ้นส่วนที่หนึ่งภายในไอซีที่หนึ่งดังกล่าวและชิ้นส่วนที่สองภายนอกของไอซีที่หนึ่งดังกล่าว ชิ้นส่วนออสซิลเลเตอร์ดังกล่าว จะถูกต่อเข้ากับขั้วอินพุทออสซิเล เตอร์ดังกล่าวของไอซีที่หนึ่งดังกล่าวเพื่อจัดให้มีสัญญาณนาฬิกาธรรดาดังกล่าวที่ขั้วไอซีที่หนึ่งและสองดังกล่าว วิถีทางหน่วยความจำภายในตัวที่หนึ่งดังกล่าวสำหรับจัดเก็บข้อมูลและเกี่ยวกับการสูญหายของข้อมูลที่ถูกจัดเก็บเมื่อแรงดันไบแอสที่หนึ่งดังกล่าว แสดงการลดลงของแรงดันดังกล่าวในระหว่างการสูญเสียพลังงาน และ วิถีทางเก็บประจุต่อเข้ากับแรงดันไบแอสดังกล่าว ของไอซีที่หนึ่งดังกล่าวเพื่อรักษาแรงดันไบแอสที่หนึ่งดังกล่าวไว้อย่างแท้จริงเป็นระยะเวลาตามที่กำหนดไว้ล่วงหน้า ในระหว่างการสูญเสียพลังงาน เพื่อป้องกันการสูญเสียของข้อมูลที่จัดเก็บไว้ในวิถีทางหน่วยความจำดังกล่าวอย่างน้อยเป็นเวลาตามที่กำหนดไว้ล่วงหน้า ไอซีที่สองดังกล่าวจะตอบสนองต่อการลดลงของแรงดันดังกล่าวของแรงดันไบแอสที่สองดังกล่าวในระหว่างการสูญเสียพลังงานเพื่อจัดให้มีอิมพีแดนซ์ต่ำที่อินพุทออสซิลเลเตอร์ดังกล่าวของไอซีที่สองดังกล่าว อิมพีแดนซ์ที่ต่ำดังกล่าวจะโหลดออสซิลเลเตอร์ดังกล่าวและหยุดการให้กำเนิดสัญญาณนาฬิกาดังกล่าว
2. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 1 ยังประกอบด้วยวิถีทางที่รวมอยู่ในแหล่งดังกล่าว ของแรงดันไบแอสที่หนึ่งและที่สองดังกล่าวสำหรับตรวจจับการสูญเสียพลังงานดังกล่าววิถีทางตรวจจับการสูญเสียพลังงานดังกล่าวจะจัดให้มีแรงดันไบแอสที่สองดังกล่าวแก่ไอซีที่สองดังกล่าว สวิทช์ที่ถูกต่อเข้ากับวิถีทางตรวจจับการสูญเสียพลังงานดังกล่าว เพื่อต่อแบบเลือกได้ของสัญญาณปรับตั้งเข้ากับขั้วปรับตั้งของปรับตั้งของไอซีที่หนึ่งดังกล่าว ในการตอบสนองต่อการตรวจจับการสูญเสียพลังงานดังกล่าว และ วิถีทางที่ถูกต่อเข้ากับวิถีทางตรวจจับการสูญเสียพลังงานดังกล่าว และต่อเข้ากับไอซีที่สองดังกล่าว เพื่อหน่วงการให้การลดลงของแรงดันดังกล่าวในแรงดันไบแอสที่สองดังกล่าวที่เกิดขึ้นจากการสูญเสียพลังงานแก่ไอซีดังกล่าวจนกระทั่งหลังจากสัญญาณปรับตั้งดังกล่าว ได้ถูกต่อเข้ากับไอซีที่หนึ่งดังกล่าวโดยสวิทช์ดังกล่าวเป็นเวลาตามที่กำหนดไว้ล่วงหน้าค่าที่สอง
TH8901000289A 1989-03-23 ระบบรักษาหน่วยความจำสำหรับอุปกรณ์ที่หน่วยความจำ?ลบเลือนได้ TH8440B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH9698A TH9698A (th) 1991-10-01
TH8440B true TH8440B (th) 1998-09-29

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5072134A (en) Internal voltage converter in semiconductor integrated circuit
US4716322A (en) Power-up control circuit including a comparator, Schmitt trigger, and latch
US5180928A (en) Constant voltage generation of semiconductor device
US5369377A (en) Circuit for automatically detecting off-chip, crystal or on-chip, RC oscillator option
US4633107A (en) CMOS power-up reset circuit for gate arrays and standard cells
US4581552A (en) Power-up clear circuitry having two thresholds
US4757214A (en) Pulse generator circuit
JP2541585B2 (ja) リセット信号発生回路
EP0298215B1 (en) Generator of reset pulses upon the rise of the power supply for cmos-type integrated circuits
EP0905605B1 (en) Power-on detection circuit with very fast detection of power-off
US5019772A (en) Test selection techniques
US6388479B1 (en) Oscillator based power-on-reset circuit
EP0665648A1 (en) Circuit for recovering initial condictions when starting-up an integrated circuit device
US6040722A (en) Power-on reset circuit with adjustable interval
US4359650A (en) High voltage driver amplifier apparatus
EP0211553B1 (en) Power-on reset circuit arrangements
US6281723B1 (en) Device and method for power-on/power-off checking of an integrated circuit
US5815030A (en) Circuit for filtering a signal and integrated circuit comprising such a circuit
US6970026B2 (en) Power-on reset circuit and method for low-voltage chips
US5686848A (en) Power-up/power-down reset circuit for low voltage interval
TH9698A (th) ระบบรักษาหน่วยความจำสำหรับอุปกรณ์ที่หน่วยความจำ?ลบเลือนได้
EP0342735B1 (en) Circuit for generating a pulse-shaped signal
KR100567526B1 (ko) 메모리 칩의 파워업 리세트 회로
KR100231139B1 (ko) 리세트 신호 발생 회로
KR920008758A (ko) 파워-온 리세트회로