TH8440B - Memory preservation system for devices with volatile memory. - Google Patents

Memory preservation system for devices with volatile memory.

Info

Publication number
TH8440B
TH8440B TH8901000289A TH8901000289A TH8440B TH 8440 B TH8440 B TH 8440B TH 8901000289 A TH8901000289 A TH 8901000289A TH 8901000289 A TH8901000289 A TH 8901000289A TH 8440 B TH8440 B TH 8440B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
aforementioned
bias voltage
energy loss
memory
loss
Prior art date
Application number
TH8901000289A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH9698A (en
TH9698EX (en
Inventor
อลัน สปาร์คส นายบรัดเลย์
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า นายธเนศ เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า นายธเนศ เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH9698A publication Critical patent/TH9698A/en
Publication of TH9698EX publication Critical patent/TH9698EX/en
Publication of TH8440B publication Critical patent/TH8440B/en

Links

Abstract

ระบบรักษาหน่วยความจำสำหรับเครื่องอิเล็กทรอนิกส์ที่มีอุปกรณ์เชิงตรรกหลาย ๆ ชิ้นที่ถูกขับโดยออสซิลเลเตอร์ที่รวมถึงอุปกรณ์สำหรับรักษาแรงเคลื่อนที่อุปกรณ์เชิงตรรกอย่างน้อยชิ้นหนึ่งและอุปกรณ์สำหรับทำให้ออสซิลเลเตอร์หยุดทำงานขณะที่กำลังไฟฟ้าตก Memory preservation systems for electronic machines with multiple logical devices driven by oscillators, including one or more logic stabilization devices and oscillator stabilization devices. The router stops working while the power is down.

Claims (2)

1. ระบบรักษาหน่วยความจำ ประกอบด้วยแหล่งของแรงดันไบแอสที่หนึ่งและสอง ซึ่งจะแสดงค่าการลดลงของแรงดันและค่าในระหว่างการสูญเสียพลังงาน วงจรร่วมที่หนี่งและที่สอง ที่มีขั้นอินพุทแรงดันไบแอสแต่ละค่าที่ถูกต่อเข้าเพื่อรับแรงดันไบแอสที่หนึ่งแลสองดังกล่าวตามลำดับ และมีขั้วอินพุทออสซิลเลเตอร์แต่ละอันซึ่งถูกต่อเข้าด้วยกันเพื่อรับสัญญาณนาฬิกาธรรมดา ออสซิลเลเตอร์สำหรับให้กำเนิดสัญญาณนาฬิกาธรรมดาดังกล่าวจะประกอบด้วยชิ้นส่วนที่หนึ่งภายในไอซีที่หนึ่งดังกล่าวและชิ้นส่วนที่สองภายนอกของไอซีที่หนึ่งดังกล่าว ชิ้นส่วนออสซิลเลเตอร์ดังกล่าว จะถูกต่อเข้ากับขั้วอินพุทออสซิเล เตอร์ดังกล่าวของไอซีที่หนึ่งดังกล่าวเพื่อจัดให้มีสัญญาณนาฬิกาธรรดาดังกล่าวที่ขั้วไอซีที่หนึ่งและสองดังกล่าว วิถีทางหน่วยความจำภายในตัวที่หนึ่งดังกล่าวสำหรับจัดเก็บข้อมูลและเกี่ยวกับการสูญหายของข้อมูลที่ถูกจัดเก็บเมื่อแรงดันไบแอสที่หนึ่งดังกล่าว แสดงการลดลงของแรงดันดังกล่าวในระหว่างการสูญเสียพลังงาน และ วิถีทางเก็บประจุต่อเข้ากับแรงดันไบแอสดังกล่าว ของไอซีที่หนึ่งดังกล่าวเพื่อรักษาแรงดันไบแอสที่หนึ่งดังกล่าวไว้อย่างแท้จริงเป็นระยะเวลาตามที่กำหนดไว้ล่วงหน้า ในระหว่างการสูญเสียพลังงาน เพื่อป้องกันการสูญเสียของข้อมูลที่จัดเก็บไว้ในวิถีทางหน่วยความจำดังกล่าวอย่างน้อยเป็นเวลาตามที่กำหนดไว้ล่วงหน้า ไอซีที่สองดังกล่าวจะตอบสนองต่อการลดลงของแรงดันดังกล่าวของแรงดันไบแอสที่สองดังกล่าวในระหว่างการสูญเสียพลังงานเพื่อจัดให้มีอิมพีแดนซ์ต่ำที่อินพุทออสซิลเลเตอร์ดังกล่าวของไอซีที่สองดังกล่าว อิมพีแดนซ์ที่ต่ำดังกล่าวจะโหลดออสซิลเลเตอร์ดังกล่าวและหยุดการให้กำเนิดสัญญาณนาฬิกาดังกล่าว1. The system maintains memory. Contains the first and second bias voltage sources. This will show the drop in voltage and the value during energy loss. First and second common circuits Each bias voltage input step is connected to receive the first and second bias voltage, respectively. And there is an input oscillator, each of which is connected together to receive a normal clock signal. Such a simple clock-generating oscillator consists of one component inside the first IC and the second external component of the first IC. Such oscillator parts Will be connected to the input terminal of Oscile The aforementioned IC-1 to provide the aforementioned clock signal at the first and second IC terminals. The aforementioned built-in memory path for data storage and about the loss of stored data at the aforementioned bias voltage. Shows the drop in the voltage during the energy loss and the capacitor path is connected to the bias voltage. Of the aforementioned IC to maintain the said first bias voltage for a predetermined period of time. During energy loss To prevent the loss of data stored in such a memory lane for at least a predetermined time. The aforementioned secondary ICs responds to the aforementioned voltage drop of the aforementioned second bias voltage during energy losses to provide a low impedance at the input source. The silencer of the second IC. Such low impedance loads the oscillator and stops generating the clock. 2. ระบบตามข้อถือสิทธิที่ 1 ยังประกอบด้วยวิถีทางที่รวมอยู่ในแหล่งดังกล่าว ของแรงดันไบแอสที่หนึ่งและที่สองดังกล่าวสำหรับตรวจจับการสูญเสียพลังงานดังกล่าววิถีทางตรวจจับการสูญเสียพลังงานดังกล่าวจะจัดให้มีแรงดันไบแอสที่สองดังกล่าวแก่ไอซีที่สองดังกล่าว สวิทช์ที่ถูกต่อเข้ากับวิถีทางตรวจจับการสูญเสียพลังงานดังกล่าว เพื่อต่อแบบเลือกได้ของสัญญาณปรับตั้งเข้ากับขั้วปรับตั้งของปรับตั้งของไอซีที่หนึ่งดังกล่าว ในการตอบสนองต่อการตรวจจับการสูญเสียพลังงานดังกล่าว และ วิถีทางที่ถูกต่อเข้ากับวิถีทางตรวจจับการสูญเสียพลังงานดังกล่าว และต่อเข้ากับไอซีที่สองดังกล่าว เพื่อหน่วงการให้การลดลงของแรงดันดังกล่าวในแรงดันไบแอสที่สองดังกล่าวที่เกิดขึ้นจากการสูญเสียพลังงานแก่ไอซีดังกล่าวจนกระทั่งหลังจากสัญญาณปรับตั้งดังกล่าว ได้ถูกต่อเข้ากับไอซีที่หนึ่งดังกล่าวโดยสวิทช์ดังกล่าวเป็นเวลาตามที่กำหนดไว้ล่วงหน้าค่าที่สอง2. The system according to claim 1 also includes the methods incorporated into the said source. Of the aforementioned first and second bias voltages for the detection of such energy loss, such energy loss detection methods provide such a second bias voltage to the second IC. Such Switches that are connected to the said energy-loss sensing path To connect a selectable signal of the tuning signal to the setting terminal of the first IC In response to the said energy loss detection and the way it is connected to that energy loss detection path And connect to the aforementioned second IC To delay the drop in the aforementioned bias voltage arising from the energy loss to the said IC until after the set signal. It is connected to the first IC by the switch for the second preset time.
TH8901000289A 1989-03-23 Memory preservation system for devices with volatile memory. TH8440B (en)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH9698A TH9698A (en) 1991-10-01
TH9698EX TH9698EX (en) 1991-10-01
TH8440B true TH8440B (en) 1998-09-29

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4716322A (en) Power-up control circuit including a comparator, Schmitt trigger, and latch
US5369377A (en) Circuit for automatically detecting off-chip, crystal or on-chip, RC oscillator option
US4115710A (en) Substrate bias for MOS integrated circuit
US5180928A (en) Constant voltage generation of semiconductor device
US4633107A (en) CMOS power-up reset circuit for gate arrays and standard cells
US4581552A (en) Power-up clear circuitry having two thresholds
JP2541585B2 (en) Reset signal generation circuit
US4723114A (en) Method and circuit for trimming the frequency of an oscillator
EP0298215A1 (en) Generator of reset pulses upon the rise of the power supply for cmos-type integrated circuits
US5942925A (en) Power-on detection and enabling circuit with very fast detection of power-off
US5019772A (en) Test selection techniques
US6388479B1 (en) Oscillator based power-on-reset circuit
KR950030161A (en) Semiconductor memory
EP0665648A1 (en) Circuit for recovering initial condictions when starting-up an integrated circuit device
US6040722A (en) Power-on reset circuit with adjustable interval
US6281723B1 (en) Device and method for power-on/power-off checking of an integrated circuit
US5815030A (en) Circuit for filtering a signal and integrated circuit comprising such a circuit
US4239991A (en) Clock voltage generator for semiconductor memory
US5469110A (en) Charge pumping circuit using non-overlapping clock control
US5028814A (en) Low power master-slave S/R flip-flop circuit
US6970026B2 (en) Power-on reset circuit and method for low-voltage chips
TH8440B (en) Memory preservation system for devices with volatile memory.
US5686848A (en) Power-up/power-down reset circuit for low voltage interval
TH9698A (en) Memory preservation system for devices with volatile memory.
KR100567526B1 (en) Power-up reset circuit of memory chip