TH83901A

TH83901A - Semiconductors, resin mixers for buffer coatings, resin mixes for die-welding, and coatings resin mixtures.

Info

Publication number: TH83901A
Application number: TH601001306A
Authority: TH
Inventors: อูกาวะ นายเคน; ไซโตห์ นายเคอิชิโร; ยาซูดะ นายฮิโรยูกิ; คูซูโนกิ นายจูนย่า
Original assignee: นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์; นางวรนุช เปเรร่า; นายธเนศ เปเรร่า
Filing date: 2006-03-23
Publication date: 2007-04-05

Abstract

DC60 (20/06/49) การประดิษฐ์นี้สามารถจัดให้มีอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ที่แสดงความต้านทาน- การไหลย้อนกลับของสารแอนติ-โซลเดอร์ที่ดีเยี่ยม และความน่าเชื่อถือที่สูงกว่าใน การติดตั้งที่พื้นผิว โดยใช้สารบัดกรีที่ปราศจากตะกั่ว ตามการประดิษฐ์นี้ , มีการจัดให้มี อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ที่ถูกสร้างขึ้นโดยการจัดวางชิพสารกึ่งตัวนำ ซึ่งพื้นผิวของมันถูกเคลือบ ด้วยสารผสมเรซินที่ถูกบ่มสำหรับการเคลือบบัพเฟอร์ บนแผ่นรองในโครงยึดชนิดชนิดตะกั่ว ผ่านสารผสมเรซินที่ถูกบ่มสำหรับการเชื่อมผ่านดาย และการหุ้มชิพสารกึ่งตัวนำบนแผ่นรอง ในโครงยึดชนิดตะกั่วโดยสารผสมเรซินที่ถูกบ่มสำหรับการหุ้ม , ซึ่งสารผสมเรซินที่ถูกบ่ม สำหรับการเคลือบบัพเฟอร์ จะมีโมดูลัสยืดหยุ่นเป็น 0.5 GPa ถึง 2.0 GPa ที่นับรวม ทั้งสองค่านี้ด้วย ที่ 25 องศาเซลเซียส ; สารผสมเรซินที่ถูกบ่มสำหรับการเชื่อมผ่านดาย จะมีโมดูลัสยืดหยุ่น เป็น 1 MPa ถึง 120 MPa ที่นับรวมทั้งสองค่านี้ด้วย ที่ 260 องศาเซลเซียส ; และสารผสมเรซินที่ถูกบ่ม สำหรับการหุ้ม จะมีโมดูลัสยืดหยุ่นเป็น 400 MPa ถึง 1200 MPa ที่นับรวมทั้งสองค่านี้ด้วย ที่ 260 องศาเซลเซียส และสัมประสิทธิ์การขยายตัวด้วยความร้อนเป็น 20 ppm ถึง 50 ppm ที่นับรวม ทั้งสองค่านี้ด้วย ที่ 260 องศาเซลเซียส , และผลการคูณของโมดูลัสยืดหยุ่นของสารผสมเรซินที่ถูกบ่ม สำหรับการหุ้ม และสัมประสิทธิ์การขยายตัวด้วยความร้อนของสารผสมเรซินที่ถูกบ่ม สำหรับการหุ้ม คือ 8000 ถึง 45000 ที่นับรวมทั้งสองค่านี้ด้วย การประดิษฐ์นี้สามารถจัดให้มีอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ที่แสดงความต้านทาน- การไหลย้อนกลับของสารแอนติ-โซลเดอร์ที่ดีเยี่ยม และความน่าเชื่อถือที่สูงกว่าใน การติดตั้งที่พื้นผิว โดยใช้สารบัดกรีที่ปราศจากตะกั่ว ตามการประดิษฐ์นี้ , มีการจัดให้มี อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ที่ถูกสร้างขึ้นโดยการจัดวางชิพสารกึ่งตัวนำ ซึ่งพื้นผิวของมันถูกเคลือบ ด้วยสารผสมเรซินที่ถูกบ่มสำหรับการเคลือบบัพเฟอร์ บนแผ่นรองในโครงยึดชนิดชนิดตะกั่ว ผ่านสารผสมเรซินที่ถูกบ่มสำหรับการเชื่อมผ่านดาย และการหุ้มชิพสารกึ่งตัวนำบนแผ่นรอง ในโครงยึดชนิดตะกั่วโดยสารผสมเรซินที่ถูกบ่มสำหรับการหุ้ม , ซึ่งสารผสมเรซินที่ถูกบ่ม สำหรับการเคลือบบัพเฟอร์ จะมีโมดูลัสยืดหยุ่นเป็น 0.5 GPa ถึง 2.0 GPa ที่นับรวม ทั้งสองค่านี้ด้วย ที่ 25 ํซ ; สารผสมเรซินที่ถูกบ่มสำหรับการเชื่อมผ่านดาย จะมีโมดูลัสยืดหยุ่น เป็น 1 MPa ถึง 120 MPa ที่นับรวมทั้งสองค่านี้ด้วย ที่ 260 ํซ ; และสารผสมเรซินที่ถูกบ่ม สำหรับการหุ้ม จะมีโมดูลัสยืดหยุ่นเป็น 400 MPa ถึง 1200 MPa ที่นับรวมทั้งสองค่านี้ด้วย ที่ 260 ํซ และสัมประสิทธิ์การขยายตัวด้วยความร้อนเป็น 20 ppm ถึง 50 ppm ที่นับรวม ทั้งสองค่านี้ด้วย ที่ 260 ํซ , และผลการคูณของโมดูลัสยืดหยุ่นของสารผสมเรซินที่ถูกบ่ม สำหรับการหุ้ม และสัมประสิทธิ์การขยายตัวด้วยความร้อนของสารผสมเรซินที่ถูกบ่ม สำหรับการหุ้ม คือ 8000 ถึง 45000 ที่นับรวมทั้งสองค่านี้ด้วย DC60 (20/06/49) This invention can provide semiconductor devices. Which exhibits excellent resistance - reflux of antisoles And higher reliability in Surface mounting Using lead-free solder According to this invention, there was Semiconductor device That was created by placing a semiconductor chip. Whose surface is coated With cured resin mixtures for buffer coatings On the pad in the lead-type mounting bracket Through cured resin mixtures for die bonding And encasing the semiconductor chip on the pad In a lead-type mounting frame, the resin mixture was cured for cladding, in which the cured resin mixture For buffer coating There will be a modulus of elasticity of 0.5 GPa to 2.0 GPa counting both of these values at 25 ° C; Cured resin admixture for die bonding There is a modulus of elasticity of 1 MPa to 120 MPa counting both of these values at 260 ° C; And cured resin mixtures For cladding There will be a modulus of elasticity of 400 MPa to 1200 MPa counting both at 260 ° C and the thermal expansion coefficient of 20 ppm to 50 ppm that counts both at 260 degrees. Celsius, and the multiplication effect of the elastic modulus of cured resin mixtures. For cladding And coefficient of thermal expansion of cured resin mixtures. For cladding, it is 8000 to 45000, including both of these values. This invention can provide semiconductor devices. Which exhibits excellent resistance - reflux of antisoles And higher reliability in Surface mounting Using lead-free solder According to this invention, there was Semiconductor device That was created by placing a semiconductor chip. Whose surface is coated With cured resin mixtures for buffer coatings On the pad in the lead-type mounting bracket Through cured resin mixtures for die bonding And encasing the semiconductor chip on the pad In a lead-type mounting frame, the resin mixture was cured for cladding, in which the cured resin mixture For buffer coating There will be an elastic modulus of 0.5 GPa to 2.0 GPa that counts both of these values at 25 ํ; Cured resin admixture for die bonding There is a modulus of elasticity of 1 MPa to 120 MPa counting both of these values at 260 ํ; And cured resin mixtures For cladding There is a modulus of elasticity of 400 MPa to 1200 MPa counting both of these values at 260 ํ and the thermal expansion coefficient of 20 ppm to 50 ppm counting both of these values at 260 ํ. H, and the multiplication of the elastic modulus of cured resin mixtures. For cladding And coefficient of thermal expansion of cured resin mixtures. For cladding, it is 8000 to 45000, including both of these values.

Claims

1. semiconductor devices That was created by placing a semiconductor chip. Which surface of it Were coated with cured resin mixtures for buffer coatings. On the pad in the bracket Lead type Through cured resin mixtures for die bonding and semiconductor chip encapsulation on a substrate in a lead-type bracket, the cured resin mixtures. For cladding, which cured resin mixtures for buffer coatings There will be an elastic modulus of 0.5 GPa to 2.0 GPa that counts both of these values at 25 ํ; Cured Resin Compound for Tag: