TH82437A - กระบวนการสร้างรูปหน้าเสี้ยวโค้งบนฐานรองสารกึ่งตัวนำ - Google Patents
กระบวนการสร้างรูปหน้าเสี้ยวโค้งบนฐานรองสารกึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH82437A TH82437A TH601002207A TH0601002207A TH82437A TH 82437 A TH82437 A TH 82437A TH 601002207 A TH601002207 A TH 601002207A TH 0601002207 A TH0601002207 A TH 0601002207A TH 82437 A TH82437 A TH 82437A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- anode
- base
- substrate
- semiconductor substrate
- curved surface
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 6
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 abstract 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 ฐานรองสารกึ่งตัวนำจะถูกทำให้มีรูปทรงเพื่อให้มีรูปหน้าเสี้ยวที่มีพื้นผิวโค้งโดยการทำให้ เป็นขั้นบวก ก่อนที่จะถูกทำให้เป็นขั้นบวก ฐานรองนี้จะถูกขัดให้มีแบบขั้วบวกบนพื้นผิวด้านล่าง ของมัน เพื่อที่จะรวมเข้ากันเป็นโครงสร้างเดียว ซึ่งแบบขั้วบวกนี้ถูกผลิตใหม่อย่างแม่นยำบน ฐานรอง การทำให้เป็นขั้วบวกจะใช้สารละลายอิเล็กโตรไลต์ ซึ่งกัดส่วนที่ถูกออกซิไดซ์ออกทันทีที่ มันถูกสร้างขึ้นเนื่องจากผลของการทำให้เป็นขั้วบวก ด้วยเหตุนี้จะพัฒนาชั้นที่เป็นรูในแบบหนึ่งใน ลักษณะที่เข้ากับแบบขั้วบวก แบบขั้วบวกนี้จะทำให้เกิดการกระจายในระนาบของความเข้ม สนามไฟฟ้าที่เปลี่ยนแปลงไป ซึ่งชั้นที่เป้นรูจะพัฒนาเป็นรูปทรงที่เสริมกับรูปหน้าเสี้ยวที่มีพื้นผิว ตามที่ต้องการ เมื่อการทำให้เป็นขั้วบวกสมบูรณ์ พื้นผิวโค้งนี้จะถูกเปิดออกบนพื้นผิวของฐานรอง โดยการกัดชั้นที่เป็นรูและแบบขั้วบวกออกจากฐานรอง ฐานรองสารกึ่งตัวนำจะถูกทำให้มีรูปทรงเพื่อให้มีรูปหน้าเสี้ยวที่มีพื้นผิวโค้งโดยการทำให้ เป็นขั้นบวก ก่อนที่จะถูกทำให้เป็นขั้นบวก ฐานรองนี้จะถูกขัดให้มีแบบขั้วบวกบนพื้นผิวด้านล่าง ของมัน เพื่อที่จะรวมเข้ากันเป็นโครงสร้างเดียว ซึ่งแบบขั้วบวกนี้ถูกผลิตใหม่อย่างแม่นยำบน ฐานรอง การทำให้เป็นขั้วบวกจะใช้สารละลายอิเล็กโตรไลต์ ซึ่งกัดส่วนที่ถูกออกซิไดซ์ออกทันทีที่ มันถูกสร้างขึ้นเนื่องจากผลของการทำให้เป็นขั้วบวก ด้วยเหตุนี้จะพัฒนาชั้นที่เป็นรูปในแบบหนึ่งใน ลักษณะที่เข้ากับแบบขั้วบวก แบบขั้วบวกนี้จะทำให้เกิดการกระจายในระนาบของความเข้ม สนามไฟฟ้าที่เปลี่ยนแปลงไป ซึ่งชั้นที่เป้นรูจะพัฒนาเป็นรูปทรงที่เสริมกับรูปหน้าเสี้ยวที่มีพื้นผิว ตามที่ต้องการ เมื่อการทำให้เป็นขั้วบวกสมบูรณ์ พื้นผิวโค้งนี้จะถูกเปิดออกบนพื้นผิวของฐานรอง โดยการกัดชั้นที่เป็นรูและแบบขั้วบวกออกจากฐานรอง
Claims (1)
1. กระบวนการสร้างรูปหน้าเสี้ยว โค้งบนฐานรองสารกึ่งตัวนำ กระบวนการดังกล่าว ประกอบด้วยขั้นตอนของ การเตรียมฐานรองสารกึ่งตัวนำดังกล่าวที่มีพื้นผิวด้านบนและพื้นผิวด้านล่างที่อยู่ตรงข้ามกัน และกัน การสร้างขั้วบวกบนพื้นผิวด้านล่างดังกล่าว การวางฐานรองสารกึ่งตัวนำดังกล่าวไว้ในสารละลายอิเล็กโตรไลต์ การไหลของกระแสระหว่างขั้นบวกดังกล่าวและขั้วลบภายในสารละลายดังกล่าว เพื่อที่จะ เปลี่ยนพื้นผิวด้านบนของฐานรองดังกล่าวให้เป็นความลึกที่เปลี่ยนแปลงจากส่วนต่อส่วน ทำใหแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH82437A true TH82437A (th) | 2007-01-11 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2007059578A8 (en) | High efficiency solar cell fabrication | |
| JP2006283189A5 (th) | ||
| TW200605145A (en) | In-situ surface treatment for memory cell formation | |
| WO2011061011A3 (en) | Holey electrode grids for photovoltaic cells with subwavelength and superwavelength feature sizes | |
| JP2010118645A5 (th) | ||
| TW200721458A (en) | Memory cell device and manufacturing method | |
| MY181161A (en) | Solar cell and method for producing solar cell | |
| WO2009075101A1 (ja) | 色素増感太陽電池およびその製造方法 | |
| ES2723825T3 (es) | Método para fabricar celdas solares sensibilizadas con colorante y celdas solares así producidas | |
| WO2012016160A3 (en) | Nanostructured films and related methods | |
| CN109716535A (zh) | 用于在太阳能电池上图案化特征的三层半导体堆叠 | |
| DE602004030934D1 (de) | Baugruppe mit elektrolyt-elektroden-verbindung und herstellungsverfahren dafür | |
| TWI264084B (en) | Interconnect structure and method for its fabricating | |
| JP2010251724A5 (th) | ||
| TH82437A (th) | กระบวนการสร้างรูปหน้าเสี้ยวโค้งบนฐานรองสารกึ่งตัวนำ | |
| JP2008121097A5 (th) | ||
| CN204289508U (zh) | 一种新式led覆晶倒装支架 | |
| CN103779473A (zh) | Led芯片及其制作方法、led发光器件 | |
| TW200603369A (en) | Wiring substrate and manufacturing method thereof | |
| JP2007311425A (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池 | |
| Rahaman et al. | Impact of initial and lateral open boundary conditions in a Regional Indian Ocean Model on Bay of Bengal circulation | |
| TW200701354A (en) | Process of forming a curved profile on a semiconductor substrate | |
| JP2010040625A5 (th) | ||
| CN204742379U (zh) | 硬化膜土司盒 | |
| JP2013544955A5 (th) |