TH82177A - วิธีที่ดีขึ้นสำหรับการทำคาโพรแล็คแทมจาก 6-อะมิโนคาโพรไนไตรล์ ที่ไม่บริสุทธิ์ - Google Patents

Abstract

DC60 (08/06/49) การประดิษฐ์เกี่ยวข้องกับสาขาการผลิตแล็คแทมจาก อะมิโนไนไตรล์, และโดยเฉพาะ เกี่ยวข้องกับการผลิต เอปซิลอน-คาโพรแล็คแทม โดยไฮโดรไลทิค ไซคลิเซชั่นที่วัฏภาคไอของ 6-อะมิโนคาโพร- ไนไตรล์, คาโพรแล็คแทมเหลวดิบประกอบด้วย เอปซิลอน-คาโพรแล็คแทม(CL), 6-อะมิโนคาโพรไนไตรล์ (ACN) และ น้ำที่ได้มาจากปฏิกิริยาไซคลิเซชั่นที่วัฏภาคไอของ ACN ถูกสัมผัสกับไฮโดรเจนในการมีอยู่ ของ ไฮโดรจิเนชั่น แค็ททะลิสท์ เพื่อเปลี่ยน ACN ในคาโพรแล็คแทมเหลวดิบ เป็น ผลิตภัณฑ์ที่ ประกอบด้วย เฮกซะเมธิลีนไดแอมมิน(HMD) และ เฮกซะเมธิลีนอิมมิน(HMI). เททราไฮโดรอะซีพีน (THA) ในคาโพรแล็คแทมเหลวดิบถูกเปลี่ยนเป็น HMI ระหว่างไฮโดรจิเนชั่นนี้. HMD และ HMI มีจุด เดือดต่ำเมื่อเปรียบเทียบกับ ACN และ ดังนั้นมันทั้งหลายถูกแยกง่ายมากจาก CL ในการปฏิบัติการกลั่น ต่อมา. ดังนั้นกระบวนการทำ CL จาก ACN ด้วยขั้นตอนการกลั่นน้อยกว่า, และที่มีการลดความดันที่ ระดับต่ำ และอุณหภูมิพื้นฐานที่ต่ำกว่า, ถูกทำให้บรรลุ การประดิษฐ์เกี่ยวข้องกับสาขาการผลิตแล็คแทมจาก อะมิโนไนไตรล์, และโดยเฉพาะ เกี่ยวข้องกับการผลิต เอฟซิลอน-คาโพรแล็คแทม โดยไฮโดรไลทิค ไซคลิเซชั่นที่วัฏภาคไอของ 6-อะมิโนคาโพร- ไนไตรล์, คาโพรแล็คแทมเหลวดิบประกอบด้วย เอฟซิลอน-คาโพรแล็คแทม (CL), 6-อะมิโนคาโพรไนไตรล์ (ACN) และ น้ำที่ได้มาจากปฏิกิริยาไซคลิเซชั่นที่วัฏภาคไอของ ACN ถูกสัมผัสกับไฮโดรเจนในการมีอยู่ ของ ไฮโดรจิเนชั่น แค็ททะลิสท์ เพื่อเปลี่ยน ACN ในคาโพรแล็คแทมเหลวดิบ เป็น ผลิตภัณฑ์ที่ ประกอบด้วย เฮกซะเมธิลีนไดแอมมิน(HMD) และ เฮกซะเมธิลีนอิมมิน (HMI). เททราไฮโดรอะซีพีน (THA) ในคาโพรแล็คแทมเหลวดิบถูกเปลี่ยนเป็น HMI ระหว่างไฮโดรจิเนชั่นนี้. HMD และ HMI มีจุด เดือดต่ำเมื่อเปรียบเทียบกับ ACN และ ดังนั้นมันทั้งหลายถูกแยกง่ายมากจาก CL ในการปฏิบัติการกลั่น ต่อมา. ดังนั้นกระบวนการทำ CL จาก ACN ด้วยขั้นตอนการกลั่นน้อยกว่า, และที่มีการลดความดันที่ ระดับต่ำ และอุณหภูมิพื้นฐานที่ต่ำกว่า, ถูกทำให้บรรลุ

Claims (13)

1. วิธีการทำ เอฟซิลอน-คาโพรแล็คแทม(CL)จาก 6-อะมิโนคาโพรไนไตรล์(ACN), ประกอบด้วย: (a) การสัมผัสของผสมที่เป็นไอของ ACN และน้ำในปฏิกรณ์, ปฏิกรณ์ประกอบด้วย ดีไฮเดรชั่น แค็ททะลิสท์, เพื่อผลิตผลิตภัณฑ์จากปฏิกิริยาที่วัฏภาคไอที่มี CL, แอมโมเนีย, น้ำ และ ACN (b) การแยกแอมโมเนีย และส่วนใหญ่ของน้ำจากผลิตภัณฑ์ปฏิกิริยาที่วัฏภาคไอเพื่อ ผลิตคาโพรแล็คแทมเหลวดิบที่ประกอบด้วย CL, ACN และส่วนที่น้อยของน้ำ; (c) การสัมผัส คาโพรแล็คแทมเหลวดิบ กับไฮโดรเจนในการมีอยู่ของไฮโดรจิเนชั่น แค็ททะลิสท์ ในปฏิกรณ์ไฮโดรจิเนชั่น เพื่อผลิต คาโพรแล็มแทมดิบที่ถูก ไฮโดรจิเนท ประกอบด้วย CL, เฮกซะเมธิลีนอิมมีน (HMI), เฮกซะเมธิลีนได- แอมมีน (HMD) และน้ำ; (d) การขจัดน้ำและ HMI จากคาโพรแล็มแทมดิบที่ถูกไฮโดรจิเนท ในคอลัมน์ดีไฮ- เดรชั่นเพื่อผลิต คาโพรแล็มแทมดิบที่ปราศจากน้ำประกอบด้วย CL และ HMD; (e) การชักนำคาโพรแล็มแทมดิบที่ปราศจากน้ำเข้าสู่คอลัมน์การกลั่นที่หม้อต้มจุดเดือด ต่ำ, ในที่ซึ่งสิ่งที่กลั่นได้ที่คอลัมน์หม้อต้มจุดเดือดต่ำประกอบด้วย HMD และสาร ปลายหางคอลัมน์ที่หม้อต้มที่จุดเดือดต่ำประกอบด้วย CL และ สารที่หม้อต้มจุด เดือดสูง; และ (f) การชักนำสารปลายหางคอลัมน์ที่หม้อต้มจุดเดือดต่ำเข้าสู่คอลัมน์การกลั่นที่หม้อต้ม จุดเดือดสูง, ในที่ซึ่งสิ่งที่กลั่นได้ที่คอลัมน์หม้อต้มจุดเดือดสูงประกอบด้วย CL และ สารปลายหางคอลัมน์ที่หม้อต้มจุดเดือดสูง ประกอบด้วย สารที่หม้อต้มจุดเดือดสูง

2. วิธีของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่ง ขั้นตอน (b) ประกอบด้วย: (a) การควบแน่นบางส่วนผลิตภัณฑ์ปฏิกิริยาที่วัฏภาคไอเพื่อผลิตกระแสไอที่ ประกอบด้วย แอมโมเนีย และ น้ำ, และ กระแสของเหลวประกอบด้วยน้ำ, คาโพร- แล็มแทม, และ ACN ที่ไม่ถูกทำปฏิกิริยะ; (b) การชักนำกระแสไอเข้าสู่ขั้นตอนที่ถูกกำหนดล่วงหน้าของคอลัมน์การกลั่นและการ ชักนำกระแสของเหลวเข้าสู่ขั้นตอนของคอลัมน์การกลั่นที่ระดับต่ำกว่าขั้นตอนที่ ถูกกำหนดล่วงหน้า; และต่อมา (c) การถอนดาโพรแล็มแทมเหลวดิบ ที่มีคาโพรแล็คแทมและส่วนที่น้อยของน้ำจากก้น ของคอลัมน์การกลั่น

3. วิธีของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ 1 และ 2 ในที่ซึ่ง คาโพรแล็มแทมเหลวคิบ ประกอบด้วย น้ำประมาณ 0 ถึงประมาณ 50% น.น.

4. วิธีของข้อถือสิทธิ 3 ในที่ซึ่ง คาโพรแล็มแทมเหลวดิบ ประกอบด้วยน้ำประมาณ 20% น.น.

5. วิธีของข้อถือสิทธิ 3 ในที่ซึ่ง ไฮโดรจิเนชั่น แค็ททะลิสท์ ประกอบด้วย โลหะหนึ่งหรือ มากกว่าของ หมู่โลหะทรานซิชั่น

6. วิธีของข้อถือสิทธิ 3 ในที่ซึ่ง ไฮโดรจิเนชั่น แค็ททะลิสท์ ประกอบด้วย Raney Ni.

7. วิธีของข้อถือสิทธิ 3 ในที่ซึ่ง อุณหภูมิในปฏิกรณ์ ไฮโดรจิเนชั่น อยู่ในช่วงประมาณ 80 ํซ ถึง 130 ํซ.

8. วิธีของข้อถือสิทธิ 3 ในที่ซึ่ง ความดันในปฏิกรณ์ ไฮโดรจิเนชั่น อยู่ในช่วงประมาณ 50 psia ถึง 2500 psia (ประมาณ 345 kPa ถึงประมาณ 17,237 kPa).

9. วิธีของข้อถือสิทธิ 3 ในที่ซึ่ง ความดันในปฏิกรณ์ ไฮโดรจิเนชั่น อยู่ในช่วงประมาณ 200 psia ถึง 600 psia (ประมาณ 1,379 kPa ถึงประมาณ 4,137 kPa).

10. วิธีของข้อถือสิทธิ 3 ในที่ซึ่งปฏิกรณ์ของขั้นตอน (a) ประกอบด้วย ความมากมายของเขต ปฏิกิริยาที่แท่นที่หุ้มที่ไม่มีการสูญเสียหรือได้ความร้อนพร้อมกับการทำให้เย็นที่ระหว่าง ขั้นตอน.

11. วิธีของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ 1 และ 2 ในที่ซึ่ง สิ่งที่กลั่นได้ที่คอลัมน์หม้อต้มจุดเดือด สูง ประกอบด้วย ประมาณ 99.5% น.น. CL.

12. วิธีของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ 1 และ 2 ประกอบต่อไปด้วย การชักนำสารปลายหาง คอลัมน์ที่หม้อต้มจุดเดือดสูงสู่ เครื่องระเหยฟิล์มที่ถูกกวาด และการกู้กลับคือ CL จากสาร ปลายหางคอลัมน์ที่หม้อต้มจุดเดือดสูง

13. เอฟซิลอน-คาโพรแล็มแทม ที่ถูกทำโดยวิธีของข้อถือสิทธิ 1 หรือไม่ก็ ข้อถือสิทธิ 2.